JP2008053564A - 光半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】光半導体装置の発光素子配設部における、金属メッキされた光反射領域において、金属メッキが変色するのを防止し、発光素子近傍領域における光の反射効率の低下を防ぐことが可能な光半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子１２が配設された発光素子配設部の少なくとも一部が、金属塩化合物の存在下で生成された光透過性の封止樹脂１４で封止され、前記少なくとも一部における、封止樹脂１４に近接する領域に、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さい金属を含む第一金属被覆層２１を有する光半導体装置１００であって、第一金属被覆層２１における封止樹脂１４に対向する領域が、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さくない金属を含む第二金属被覆層２２で被覆されている光半導体装置１００。
【選択図】図１

Description

本発明は、光半導体装置に関し、特に高出力の光半導体装置における、使用による光源周辺部の外観劣化を防止する技術に関する。

従来より、発光ダイオード（ＬＥＤ）などを用いた半導体装置は、各種の表示用光源として広く使用されている。光半導体装置においては、熱、湿気、酸化などによる光源やその周辺部位の劣化を防止するため、光源は、封止樹脂によって封止されている。
封止樹脂の材質としては、透明性にすぐれ、高輝度を保持できることから、エポキシ樹脂が一般に用いられている。

一方、近年、光半導体装置を自動車等の照明用途等に用いるため、高出力で発光効率の高い光半導体装置に対するニーズが高まってきている。
これらの高出力の光半導体装置では、耐熱温度が低く、高温で変色等の劣化がおこりやすいエポキシ樹脂の代わりに、耐熱性にすぐれ、高温での劣化が少ないシリコーン系樹脂が用いられる（非特許文献１）。

又、発光効率を高める観点から、光源から発せられた光の反射効率を高めるため、光源の周囲が反射率のすぐれた金属（例えば銀）でメッキされる場合が多い。
このように、従来の光半導体装置に対し、種々の工夫を施すことにより、高出力で発光効率の高い光半導体装置が実現されている。
松下電工技報Vol.53 No.1

しかしながら、上記のような高出力の光半導体装置を継続使用すると、発光素子が配設された発光素子配設部における、発光素子周辺の金属（例えば、銀）メッキされた光反射領域が、変色することがあり、これにより発光素子から発光される光の反射効率が低下するという問題が生ずる。
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、光半導体装置の発光素子配設部における、金属メッキされた光反射領域において、金属メッキが変色するのを防止し、発光素子近傍領域における光の反射効率の低下を防ぐことが可能な光半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を達成する為、本発明者らは、発光素子配設部における金属メッキされた光反射領域の変色の原因を解明するための種々の実験を行い、光半導体装置に用いられる封止樹脂のシリコーン樹脂に含まれる、シリコーン樹脂硬化用の触媒である塩化白金化合物、例えばヘキサクロロ白金酸カリウム（Ｋ₂ＰｔＣｌ₆）と金属メッキ成分の銀との間で図９に示す化学反応（（化１）〜（化５））が起こり、塩化銀、硫化銀が生成され（硫化銀は、イオン化された銀が、空気中に含まれる硫黄と反応することにより生成される。）、生成された塩化銀、硫化銀が、光源から発せられる光と反応することにより、色が黒色になることが原因であることを突き止めた。シリコーン樹脂硬化用の触媒が他のハロゲン化白金である場合においても、上記と同様の化学反応が起こり、生成されるハロゲン化銀によって、銀メッキの変色が起こり得ると考えられる。

そこで、本発明者らは、以下の構成を備える光半導体装置及びその製造方法に係る発明を完成し、上記課題を解決した。
本発明は、発光素子が配設された発光素子配設部の少なくとも一部が、金属塩化合物の存在下で生成された光透過性の樹脂で封止され、前記少なくとも一部における、前記樹脂に近接する領域に、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さい金属を含む第一金属被覆層を有する光半導体装置であって、第一金属被覆層における前記樹脂に対向する領域が、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さくない金属を含む第二金属被覆層で被覆されている構成を備える。

ここで、前記金属塩化合物は、白金塩化合物とすることができる。
又、前記金属塩化合物は、前記樹脂を硬化させるための触媒であり、第一金属被覆層は、前記発光素子の光反射領域を形成することとすることができる。
又、本発明は、発光素子が配設された発光素子配設部の少なくとも一部が、金属塩化合物の存在下で生成された光透過性の樹脂で封止され、前記少なくとも一部における、前記樹脂に近接する領域に、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さい金属を含む第一金属被覆層を有する光半導体装置の製造方法であって、前記少なくとも一部を第一金属被覆層で被覆する第一被覆ステップと、第一金属被覆層を、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さくない金属を含む第二金属被覆層で被覆する第二被覆ステップとを含むこととすることができる。

本発明は上記構成を備えることにより、光反射効率を高めるために第一金属被覆層に含まれる、反射率の良好な金属が、当該金属よりも標準電極電位が大きい金属で被覆され、イオン化傾向の差を利用して第一金属被覆層に含まれる金属が触媒物質に含まれる金属と反応してイオン化するのを抑止することができるので、当該金属が触媒物質に含まれる陰イオン等と反応して、変色原因物質が生成され、光反射率が低下するのを防止することができる。

例えば、発光素子と発光素子配設部である給電リードが光透過性のシリコーン樹脂で封止されているような光半導体装置において、シリコーン樹脂の硬化触媒として汎用される塩化白金と、光反射効率を高めるために給電リードの表面をメッキしている金属（例えば、銀）とが化学反応して、当該金属がイオン化されるのを抑止し、当該金属イオンと塩素イオンとが化学結合して変色原因物質（例えば、塩化銀）が生成されるのを阻害することができ、給電リード表面が光によって黒色化した変色原因物質によって変色し、光反射率が低下するのを効果的に防止することができる。

ここで、第二金属被覆層に含まれる金属は、白金族金属であることとすることができる。
又、第一金属被覆層に含まれる金属は、銀であることとすることができる。
これにより、第一金属被覆層が、標準電極電位の大きい白金族金属を含む第金属被覆層で被覆されるので、光反射効率を高めるために反射率の優れた銀を用いて、発光素子配設部の表面近傍をメッキした場合においても、銀よりも標準電極電位の大きい白金族金属がメッキの表面に存在することにより、銀のイオン化を防止することができるので、銀と白金塩化合物が反応して、変色原因物質が生成されるのを抑止することができ、銀メッキの変色による発光効率の低下を防止することができる。

ここで、前記発光素子配設部は、給電リードであり、前記発光素子と給電リードは、電気接続用ワイヤーで接続され、第二金属被覆層は、さらに、金を含む第三金属被覆層で被覆されていることとすることができる。
これにより、第二金属被膜が、標準電極電位が大きく、酸化されにくく、半田との濡れ性にすぐれた金を含む第三金属被膜により被覆されているので、第二金属被膜に含まれる金属が表面酸化され、半田との濡れ性が悪くなり、光半導体製造の際に、給電リードと電気接続用ワイヤーとの間の半田付け性が悪くなるのを効果的に防止することができる。

又、金は、標準電極電位が大きいため、第一金属被膜に含まれる金属が、触媒物質に含まれる金属と反応してイオン化するのを抑止することができるので、当該金属が触媒物質に含まれる陰イオン等と反応して、変色原因物質が生成され、光反射効率が低下するのを防止することができる。
従って、光反射効率の低下を防止しつつ、製造時における給電リードと電気接続用ワイヤーとの半田付け性を良好にすることができる。

以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
＜構成＞
図１は、本実施の形態１における光半導体装置１００の断面図である。同図に示す様に、光半導体装置１００は、外囲樹脂１０、リード１１、発光素子１２、電気接続用ワイヤー１３、封止樹脂１４から構成される。
（外囲樹脂１０）
外囲樹脂１０は、光反射性にすぐれた酸化チタンを含有するポリマー樹脂で構成される。
（リード１１）
リード１１は、銅、銅合金、鉄、鉄合金などの金属薄板材と、後述する金属薄板材を被覆する金属被膜とで構成されており、リード１１の一部の表面には、図１に示すように、光反射性にすぐれた外囲樹脂１０が射出成型されている。

図２は、リード１１の構造を示す図である。
リード１１は、図２（ａ）に示すように表面が第一金属被膜２１と第二金属被膜２２の２層の被膜で覆われている。
第一金属被膜２１は、光反射率の高い金属、例えば、銀メッキ、アルミメッキの被膜で構成することができる。第一金属被膜２１の膜厚としては、２〜５μｍの範囲が望ましい。

第二金属被膜２２は、標準電極電位の大きい金属、例えば、白金族に属する金属元素（例えば、白金、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウム、オスミウム）、金の被膜で構成することができる。
第二金属被膜２２の膜厚としては、０．００５〜０．０２μｍの範囲が望ましい。
例えば、ロジウムやパラジウムで第二金属被膜２２を構成する場合には、膜厚０．００５μｍで、後述する銀のイオン化及び銀のイオン化に伴う変色原因物質の生成を抑止することができる。

又、第二金属被膜２２の膜厚が厚すぎると、第一金属被膜２１の光反射率の低下を招くので、第二金属被膜２２の膜厚は、０．０２μｍ以下とするのが望ましい。
又、第二金属被膜２２を白金族に属する金属元素の被膜で構成する場合には、図２（ｂ）に示すように、さらに、金メッキの被膜からなる第三金属被膜２３で第二金属被膜２２を被覆することとしてもよい。

これにより、封止樹脂１４に含有されているハロゲン化白金化合物が熱等により、リード１１と封止樹脂１４との界面上に拡散した場合においても、第二金属被膜２２により、銀の拡散を抑止し、拡散したハロゲン化白金化合物と銀との接触を防ぐことができ、銀のイオン化傾向が白金よりも大きい（銀の標準電極電位が白金の標準電極電位よりも小さい）ことに起因して、銀がイオン化して、ハロゲン化白金化合物に含まれるハロゲンと反応し、変色原因物質（例えば、塩化銀）が生成されるのを抑止することができる。

図３は、第２金属皮膜２２の形成有無により、リードと封止樹脂との界面において生ずる変化の相異をイメージ的に示した図である。
図３の符号３０１は、第二金属皮膜２２のないリードの場合に生じる、リード表面における変化の様子を示し、符号３０２は、封止樹脂１４とリードとの界面付近において起こる化学反応及び白金と銀のそれぞれの標準電極電位を示し、符号３０３は、リード１１の場合に生じる、リード表面における変化の様子を示す。

符号３０１に示すように、第二金属皮膜２２のないリードの場合には、符号３０２に示す化学反応が進行し、その表面に塩化銀（ＡｇＣｌ）や硫化銀（Ａｇ_２Ｓ）（符号３０４で示す）が付着して変色するのに対し、リード１１では、ハロゲン化白金化合物に含まれる白金よりも標準電極電位の小さい銀メッキの被膜で構成される第一金属被膜２１が、白金よりも標準電極電位が小さくない金属元素で構成される、第二金属被膜２２又は第二金属被膜２２及び第三金属被膜２３で被覆されているので、符号３０２に示す化学反応式（Ｐｔ^２＋＋２Ａｇ→Ｐｔ＋２Ａｇ^＋）により、ハロゲン化白金化合物に含まれる白金イオンと、銀メッキ皮膜２１の表面に存在する銀が反応して、銀がイオン化するのを抑止することができる。

従って、符号３０２に示す変色物質を生成する化学反応（Ａｇ^＋＋Ｃｌ⁻→ＡｇＣｌ、２Ａｇ^＋＋硫化物→Ａｇ_２Ｓ）の進行が抑止され、表面が変色しないので、光反射効率の低下を防止することができる。
一方、白金族の金属元素の中（例えば、ロジウム、パラジウム）には、熱によって表面酸化を引き起こすものがあり、第二金属被膜２２を構成するこれらの白金族の金属元素が表面酸化されると、発光素子１２とリード１１とを電気接続するための電気接続用ワイヤー１３との接続性が悪くなり、リード１１をプリント基板に半田接続する場合においても、半田との濡れ性が悪くなってしまうことがある。

従って、上記のようなデメリットを解消するために、図２（ｂ）に示すように、さらに、標準電極電位が大きく、酸化されにくく、半田との濡れ性にすぐれた金メッキの被膜からなる第三金属被膜２３で第二金属被膜２２を被覆することが望ましい。第三金属被膜２３の膜厚としては、０．００５μｍ〜０．０２μｍの範囲内であれば良い。
これにより、光反射効率の低下を防止しつつ、上記デメリットを解消することができる。又、第二金属被膜２２を金メッキの被膜で構成した場合においても、同様の効果を得ることができる。

なお、第一金属被膜２１、第二金属被膜２２及び第三金属被膜２３は、リード１１全体ではなく、封止樹脂１４と接する部分（図１の１５で示す部分）のみに形成することとしてもよい。例えば、リード１１の表面全体をパラジウム（Ｐｄ）メッキし、封止樹脂１４と接する部分のみに、さらに、第一金属被膜２１、第二金属被膜２２及び第三金属被膜２３を形成することとしてもよい。
（発光素子１２）
リード１１上に、ダイボンディングされて固定され、電気接続用ワイヤー１３でリード１１の接続部とワイヤボンディングされて、接続部と電気的に接続されている。

発光素子１２としては、例えば、高出力（１Ｗ以上）の白色ＬＥＤが用いられる。複数個のＬＥＤを用いることとしてもよい。
（電気接続用ワイヤー１３）
発光素子１２とリード１１とを電気的に接続する。
電気接続用ワイヤー１３としては、接続部とのオーミック性、機械的接続性、電気伝導性及び熱伝導性がよいものが望ましい。例えば、金、銅、白金、アルミニウム等及びそれらの合金を用いた導電性ワイヤーを用いることができる。このような導電性ワイヤーは、ワイヤボンディング機器によって容易に接続部と接続させることができる。
（封止樹脂１４）
発光素子１２及びリード１１を封止する樹脂であり、シリコーン樹脂又はシリコーン樹脂と他の封止樹脂（例えば、エポキシ樹脂）との混合樹脂から構成される。

シリコーン樹脂は、樹脂硬化触媒として、白金塩化合物（例えば、塩化白金（PtCl₂）、その他のハロゲン化白金、ヘキサクロロ白金酸カリウム（K₂PtCl₆）など）を使用したものが用いられる。
＜製法＞
図４は、光半導体装置１００の製造工程を示す図である。以下、図４を参照しつつ、光半導体装置１００の製造工程について説明する。
（リード１１の形成工程）
銅、銅合金、鉄、鉄合金等の金属薄板材をプレス加工又はエッチング加工してリード前駆体を形成し、リード前駆体の表面に銀メッキ処理をして、表面に膜厚２〜５μｍの銀メッキ被膜を作成し、図４（ａ）に示すように、第一金属被膜２１を形成する。

次に形成した第一金属被膜２１の表面を白金族に属する金属元素又は金で薄膜メッキし、図４（ｂ）に示すように、第二金属被膜２２を形成する。
具体的には、第一金属被膜２１を形成したリードの表面を酸処理し、薄膜メッキに用いる上記何れかの金属の含有量が０．５〜２ｇ／ｌのメッキ金属の溶液に浸漬して、電気メッキし、第一金属被膜２１の表面を第二金属被膜２２の薄膜で被覆する。

例えば、ロジウムで電気メッキする場合には、メッキ金属の溶液におけるロジウム含有量を０．５〜１．５ｇ／ｌとし、第一金属被膜２１を形成したリードの表面をｐＨ０．５〜１前後の強酸溶液で処理した後、電流密度０．５〜１．５Ａ／ｄｍ^２で電気メッキすることにより、薄膜（膜厚０．００５〜０．０２μｍ）の第二金属被膜を形成することができる。

次に形成した第二金属被膜２２の表面を金で薄膜メッキし、図４（ｃ）に示すように、第三金属被膜２３を形成し、リード１１を形成する。薄膜メッキの方法は、第二金属被膜２２の場合と同様である。
なお、第二金属被膜２２及び第三金属被膜２３の形成は、電気メッキの代わりに、スパッタ法又は蒸着法により行うこととしてもよい。
（パッケージ工程）
外囲樹脂１０を成型するための金型を用いて、形成したリード１１に、外囲樹脂１０を図４（ｄ）に示すように、成型し、発光素子１２を導電性ペースト（銀ペースト）により、リード１１に接着し、ワイヤボンディング機器を用いて、電気接続用ワイヤー１３をリード１１の接続部にワイヤボンドし、図４（ｅ）に示すように、発光素子１２と接続部とを電気的に接続する。
（封止樹脂注入工程）
パッケージ工程後、外囲樹脂１０で囲まれた内部空間に、封止樹脂１４を注入して、図４（ｆ）に示すように、内部空間を封止樹脂１４で封止し、光半導体装置１００を形成する。
（実施例）
上記製法により、第一金属被膜２１を膜厚３μｍの銀メッキ被膜、第二金属被膜２２を膜厚０．００５μｍのロジウムメッキ被膜、第三金属被膜２３を膜厚０．００５μｍの金メッキ被膜とするリード１１を有し、封止樹脂１４として、塩化白金（PtCl₂）を硬化触媒として使用したシリコーン樹脂を含む光半導体装置１００を作成し、作成した光半導体装置１００を用いて、温度負荷１００℃、電流１５０ｍＡの条件で、３０００時間継続して作成した光半導体装置１００を発光させる信頼性試験を行った。図８は、上記信頼性試験の結果を示すテーブルである。

図８に示すように、比較対照とした、第二金属被膜２２及び第三金属被膜２３を有さないリードを有する光半導体装置においては、リード表面の変色が認められたのに対し、作成した光半導体装置１００においては、リード表面の変色は認められなかった。
(実施の形態２)
＜構成＞
図５は、本実施の形態２における光半導体装置２００の断面図である。図５に示す様に、光半導体装置２００は、外囲樹脂１０、リード３１、発光素子１２、電気接続用ワイヤー１３、封止樹脂１４、ヒートシンク１６から構成される。

上記構成において、実施の形態１の光半導体装置１００の構成要素と同一の構成要素については、同一の番号を付し、以下、光半導体装置１００の構成要素と相違する構成要素について説明し、同一の構成要素については説明を省略する。
（リード３１）
リード３１は、銅、銅合金、鉄、鉄合金などの金属薄板材で構成され、表面が銀以外の、半田との濡れ性が良好な金属（例えば、パラジウム、金）でメッキされている。

又、リード３１の一部の表面には、図５に示すように、光反射性にすぐれた外囲樹脂１０が射出成型されている。
（ヒートシンク１６）
ヒートシンク１６は、中央部付近に凹部を有し、図５に示すように、左右両側の端面がリード３１と外囲樹脂１０との射出成型体に隣接するように光半導体装置２００に配され、上記凹部には、発光素子１２が固着されている。

図６は、ヒートシンク１６の構造を示す図である。ヒートシンク１６は、高熱伝導性で放熱性に適した材料（例えば、銅や銅合金）で構成され、表面の一部が、図６に示すように、膜厚が２〜５μｍの銀メッキで構成される第一金属被膜２１と、膜厚が０．００５〜０．０２μｍの、白金族に属する金属元素（例えば、白金、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、イリジウム、オスミウム）で構成される第二金属被膜２２との２層の被膜で被覆されている。被覆された部分は、発光素子１２からの光の反射部として機能する。

なお、表面全部を上記２層の被膜で被覆することとしてもよい。
上記構成においては、発光素子１２は、リード３１上ではなく、ヒートシンク１６の凹部に固着されているので、発光素子１２周辺の反射効率を高めるためにリード３１を銀メッキすることは、不要となる。
その結果、銀メッキすることに起因する変色を防止するために、リード３１において、第二金属被膜２２を形成したり、電気接続用ワイヤー１３との接続性の悪化を防止するために、第三金属被膜２３を形成することも不要となる。

従って、ヒートシンク１６における、発光素子１２が固着された部位の周辺を、図６に示すように、第一金属被膜２１と第二金属被膜２２の２層でコートすることにより、電気接続用ワイヤー１３とリード３１との半田接続性を悪化させることなく、発光素子１２周辺が変色するのを防止し、光反射効率を高めることができる。
＜製法＞
図７は、光半導体装置２００の製造工程を示す図である。以下、図７を参照しつつ、光半導体装置２００の製造工程について説明する。
（ヒートシンク１６の形成工程）
銅合金等で形成されたヒートシンクの表面の一部又は全部に銀メッキ処理をして、表面に膜厚２〜５μｍの銀メッキ被膜を作成し、図７（ａ）に示すように、第一金属被膜２１を形成する。

次に形成した第一金属被膜２１の表面を白金族に属する金属元素又は金で薄膜メッキし、図７（ｂ）に示すように、第二金属被膜２２を形成する。
具体的には、第一金属被膜２１を形成したヒートシンクの表面を酸処理し、薄膜メッキに用いる上記何れかの金属の含有量が０．５〜２ｇ／ｌのメッキ金属の溶液に浸漬して、電気メッキし、第一金属被膜２１の表面を第二金属被膜２２の薄膜で被覆する。

例えば、ロジウムで電気メッキする場合には、メッキ金属の溶液におけるロジウム含有量を０．５〜１．５ｇ／ｌとし、第一金属被膜２１を形成したリードの表面をｐＨ０．５〜１前後の強酸溶液で処理した後、電流密度０．５〜１．５Ａ／ｄｍ^２で電気メッキすることにより、薄膜（膜厚０．００５〜０．０２μｍ）の第二金属被膜を形成することができる。
（成型体形成工程）
外囲樹脂１０を成型するための金型を用いて、リード３１に図７（ｃ）に示すように、外囲樹脂１０を成型し、成型体を形成する。
（成型体の結合工程）
形成した成型体をヒートシンク１６の左右両側に圧入して固定する。
（発光素子接続工程）
発光素子１２を導電性ペースト（銀ペースト）により、ヒートシンク１６に接着し、ワイヤボンディング機器を用いて、電気接続用ワイヤー１３をリード３１の接続部にワイヤボンドし、図７（ｅ）に示すように、発光素子１２と接続部とを電気的に接続する。
（封止樹脂注入工程）
成型体とヒートシンク１６で囲まれた内部空間に、封止樹脂１４を注入して、図７（ｆ）に示すように、内部空間を封止樹脂１４で封止し、光半導体装置２００を形成する。
（補足）
（１）本実施の形態においては、触媒として白金塩化合物を含有するシリコーン樹脂を用いた場合における、リード１１における金属被膜形成による変色防止効果について説明したが、白金と同様に、銀よりも標準電極電位が大きいパラジウム塩化合物を触媒として用いたシリコーン樹脂に対しても、本実施の形態で用いたリード１１の変色防止効果が得られる。

又、本実施の形態に係る第二金属被膜２２は、銀だけでなく、白金よりも標準電極電位の小さい他の金属のイオン化も抑止することが可能であるため、銀メッキされたリードだけでなく、他の金属（例えば、銅）でメッキされたリードに対しても同様に、メッキされた金属のイオン化を抑止することにより、メッキされた金属と触媒物質との化学反応が抑止され、変色防止効果が得られる。
（２）本実施の形態においては、封止樹脂としてシリコーン樹脂を用いた場合におけるリード１１の変色防止効果について説明したが、他の樹脂においても、白金やパラジウムなどの標準電極電位が大きい金属の金属塩を含有する樹脂を封止樹脂として用いた場合に、リード１１において、同様の変色防止効果が得られる。

本発明は、高出力の光半導体装置の使用による、光源周辺部の外観劣化を防止する技術として利用できる。

本実施の形態１における光半導体装置１００の断面図である。 リード１１の構造を示す図である。 第２金属皮膜２２の形成有無により、リードと封止樹脂との界面において生ずる変化の相異をイメージ的に示した図である。 光半導体装置１００の製造工程を示す図である。 本実施の形態２における光半導体装置２００の断面図である。 ヒートシンク１６の構造を示す図である。 光半導体装置２００の製造工程を示す図である。 信頼性試験の結果を示すテーブルである。 ヘキサクロロ白金酸カリウム（Ｋ₂ＰｔＣｌ₆）と銀との間で起こる化学反応を示す図である。

符号の説明

１０ 外囲樹脂
１１、３１ リード
１２ 発光素子
１３ 電気接続用ワイヤー
１４ 封止樹脂
１６ ヒートシンク
２１ 第一金属被膜
２２ 第二金属被膜
２３ 第三金属被膜

Claims (8)

1. 発光素子が配設された発光素子配設部の少なくとも一部が、金属塩化合物の存在下で生成された光透過性の樹脂で封止され、前記少なくとも一部における、前記樹脂に近接する領域に、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さい金属を含む第一金属被覆層を有する光半導体装置であって、
   第一金属被覆層における前記樹脂に対向する領域が、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さくない金属を含む第二金属被覆層で被覆されている
   ことを特徴とする光半導体装置。
2. 前記金属塩化合物は、白金塩化合物である
   ことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
3. 第二金属被覆層に含まれる金属は、白金族金属である
   ことを特徴とする請求項２記載の光半導体装置。
4. 前記発光素子配設部は、給電リードであり、
   前記発光素子と給電リードは、電気接続用ワイヤーで接続され、
   第二金属被覆層は、さらに、金を含む第三金属被覆層で被覆されている
   ことを特徴とする請求項３記載の半導体装置。
5. 第一金属被覆層に含まれる金属は、銀である
   ことを特徴とする請求項１〜４の何れかに記載の光半導体装置。
6. 第一金属被覆層の厚みが、２〜５μｍであり、
   第二金属被覆層の厚みが、０．００５〜０．０２μｍである
   ことを特徴とする請求項１〜５の何れかに記載の光半導体装置。
7. 前記金属塩化合物は、前記樹脂を硬化させるための触媒であり、
   第一金属被覆層は、前記発光素子の光反射領域を形成する
   ことを特徴とする請求項１〜６の何れかに記載の光半導体装置。
8. 発光素子が配設された発光素子配設部の少なくとも一部が、金属塩化合物の存在下で生成された光透過性の樹脂で封止され、前記少なくとも一部における、前記樹脂に近接する領域に、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さい金属を含む第一金属被覆層を有する光半導体装置の製造方法であって、
   前記少なくとも一部を第一金属被覆層で被覆する第一被覆ステップと、
   第一金属被覆層を、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さくない金属を含む第二金属被覆層で被覆する第二被覆ステップと
   を含むことを特徴とする光半導体装置の製造方法。

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