JP2012039071A - 発光ダイオード及びその製造方法 - Google Patents

発光ダイオード及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012039071A
JP2012039071A JP2011039977A JP2011039977A JP2012039071A JP 2012039071 A JP2012039071 A JP 2012039071A JP 2011039977 A JP2011039977 A JP 2011039977A JP 2011039977 A JP2011039977 A JP 2011039977A JP 2012039071 A JP2012039071 A JP 2012039071A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light emitting
conductive layer
heat
emitting diode
hole
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011039977A
Other languages
English (en)
Inventor
Jong-Do Oh
呉政道
Feng Ren Xie
謝鳳人
Soel-Mae Kwoak
郭雪梅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Getac Technology Corp
Original Assignee
Getac Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Getac Technology Corp filed Critical Getac Technology Corp
Publication of JP2012039071A publication Critical patent/JP2012039071A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008Processes
    • H01L2933/0033Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0066Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/641Heat extraction or cooling elements characterized by the materials

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

【課題】本発明の主な目的は、放熱効果を向上させることができる発光ダイオードを提供することにある。
【解決手段】上記課題を解決するために本発明では、放熱部品と誘電体層と導電層と熱伝導層と発光ユニットを含む発光ダイオードを提供する。前記放熱部品は、上表面を有する。前記誘電体層は、前記放熱部品の上表面に形成されている。前記誘電体層には、前記放熱部品の上表面の局部を外部に漏出させるための第一穴部が形成されている。前記導電層は、前記誘電体層の上に形成されている。前記導電層は、複数の導線と、前記第一穴部の穴部と一部が重なってるかすべてが重なっている穴部によって前記放熱部品の上表面の局部を外部に漏出させる第二穴部と、を具備する。前記熱伝導層は、前記第一穴部と第二穴部の中に形成され、且つ前記放熱部品の上表面に接着されている。前記発光ダイオードは、前記熱伝導層によって前記放熱部品の上に接着されているので、発光ダイオードの熱が前記熱伝導層を通して直接に前記熱伝導層に伝導されることができる。
【選択図】図2

Description

本発明は、発光ダイオードの放熱構造と、その放熱構造を有する発光ダイオードの製造方法に関する。
環境・エネルギー問題への意識の向上と相まっていろいろな省エネ商品が注目されている。前記発光ダイオードは、エネルギーを節約し、電気消耗が少なく、効率が高く、反応時間が短く、寿命が長く、水銀を含まず、環境に対する負荷が少ないという利点を有しているので、広く使われている。高輝度発光ダイオード(High Brightness Light Emitting Diodes、HB−LEDと略称)の発展に伴って、照明、表示装置のバックライト、カーランプ、ミニプロジェクターなどのような領域に使われる発光ダイオードの範囲が急速に増えている。
図1は、従来の発光ダイオード100を示す断面図である。図1に示すように、前記発光ダイオード100には、放熱部品102が形成されている。前記放熱部品102の上表面104には、誘電体層110が形成されている。前記誘電体層110の上には、所定の形状に形成される導電層112が形成されている。前記導電層112の材料として、銅を使うことができる。前記導電層112の上には、発光ダイオード116が形成されている。前記導電層112と前記発光ダイオード116の電極118は、半田122によって電気接続されている。
周知のように、前記発光ダイオード100の発光ダイオード116が発光する時に熱が生じる。前記発光ダイオード116で生じる熱は、順に半田122、導電層112及び誘電体層110を通して前記放熱部品102に伝導され、且つ放熱部品102によって放熱される。前記発光ダイオード116の熱が複数の部品を通す後に前記放熱部品102に伝導されるので、前記発光ダイオード100の放熱効果がよくない。従って、放熱されない熱が発光ダイオード116の発光にも影響を与えることができる。
本発明の主な目的は、放熱効果を向上させることができる発光ダイオードを提供することにある。
本発明の主な目的は、放熱効果を向上させることができる発光ダイオードを製造する方法を提供することにある。
上記課題を解決するために本発明では、放熱部品と、誘電体層と、導電層と、熱伝導層と、発光ユニットを含む発光ダイオードを提供する。前記放熱部品は、上表面を有している。前記誘電体層は、前記放熱部品の上表面に形成されている。前記誘電体層を前記放熱部品の上表面に形成する前に、絶縁材料で誘電体層に表面トリートメントを実施する。前記誘電体層には、前記放熱部品の上表面の局部を外部に漏出させるための第一穴部が形成されている。前記導電層は、前記誘電体層の上に形成されている。前記導電層は、複数の導線と、前記第一穴部の穴部と一部が重なってるかすべてが重なっている穴部によって前記放熱部品の上表面の局部を外部に漏出させる第二穴部とを具備する。前記熱伝導層は、前記第一穴部と第二穴部の中に形成され、且つ前記放熱部品の上表面に接着されている。前記発光ダイオードは、前記導電層に電気接続される電極を具備する。前記発光ダイオードは、前記熱伝導層によって前記放熱部品の上に接着されている。前記発光ダイオードが発光する時に生じる熱は、前記熱伝導層を通して前記放熱部品に伝導される。
上述する発光ダイオードにおいて、前記熱伝導層の材料として、熱伝導性接着剤或いは熱伝導性半田を使うことができる。
上記課題を解決するために本発明では、以下の順に従って実施する発光ダイオードの製造方法を提供する。まず、放熱部品の上表面の上に誘電体層を形成する。前記誘電体層は、絶縁材料で表面トリートメントを実施したことがあり、且つ放熱部品の上表面の局部を外部に漏出させるための第一穴部が形成されている。次に、塗布方式で前記誘電体層の上に導電層を形成する。前記導電層には、前記第一穴部と一部が重なってるかすべてが重なっている第二穴部が形成されている。次に、所定の形状に形成されている前記導電層の複数の導線を形成する。次に、前記第一穴部と第二穴部の中に熱伝導層を形成する。前記熱伝導層は、発光ユニットを前記放熱部品の上表面に接着させるだけでなく、発光ユニットで生じる熱を前記放熱部品に伝導する。次に、前記発光ユニットの電極を前記導電層に電気接続させる。
上述する発光ダイオードの製造方法で、前記熱伝導層が形成される前記放熱部品の上表面の局部に対して表面処理を実施して、表面処理層を形成することができる。前記表面処理層は、前記熱伝導層と放熱部品との間の接着力を高める。他の実施形態で、前記導電層の局部或いは誘電体層の局部に保護層を形成することもできる。
上述する本発明の発光ダイオードにおいて、前記発光ユニットが熱伝導層或いは熱伝導性接着剤によって直接に前記放熱部品の上に接着されているので、発光ユニットが発光する時に生じる熱が熱伝導層或いは熱伝導性接着剤によって直接に前記放熱部品に伝導されることができる。即ち、発光ユニットの熱が直接に前記放熱部品に伝導されるので、本発明の発光ダイオードの放熱効果を向上させることができる。従って、放熱されない熱によって発光ダイオードの発光に影響を与えることを防ぐことができる。
従来の発光ダイオードを示す断面図である。 本発明の第一実施形態に係る発光ダイオードを示す断面図である。 本発明の第二実施形態に係る発光ダイオードを示す断面図である。 本発明の第三実施形態に係る発光ダイオードを示す断面図である。 本発明の第四実施形態に係る発光ダイオードを示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る発光ダイオードの製造方法を示すフローチャートである。
図2は、本発明の第一実施形態に係る発光ダイオード200を示す断面図である。図2に示すように、本発明の発光ダイオード200には、放熱部品202が形成されている。前記放熱部品202の材料として、アルミニウム合金、マグネシウム合金或いは熱伝導性金属などを使うことができる。前記放熱部品202は、上表面204と、下表面206と、を含む。前記放熱部品202の下表面206には、複数のフィン208が形成されている。
前記放熱部品202の上表面204には、表面トリートメント(surface treatment)を実施することがある誘電体層210が形成されている。本実施形態の誘電体層210は、絶縁材料で表面トリートメントを実施する後に、前記前記放熱部品202の上表面204に載せるものである。前記誘電体層210に対して実施する表面トリートメントは、スクリーン印刷塗布或いはインクジェット印刷方法を使うことができる。前記誘電体層210は、酸化アルミニウムなどのような絶縁材料を含むことができる。前記誘電体層210の材料として、熱伝導性がよく、前記放熱部品202によく接着する材料を選択することが好ましい。前記誘電体層210には、前記放熱部品202の上表面204を露出させる少なくとも1つの第一穴部212が形成されている。
前記放熱部品202の上には、導電層214が形成されている。前記導電層214の材料として、銅と樹脂が混合される銅ペースト或いはマイクロ銀粒子と樹脂が混合される銀ペーストのような導電性化合物を選択することができる。即ち、導電性と接着性がよい材料を選択することが好ましい。前記第一穴部212が形成されている前記導電層214の位置には、第二穴部216が形成されている。前記第一穴部212の穴部と前記第二穴部216の穴部は、一部が重なっているかすべてが重なっている。前記放熱部品202の上表面204の局部は、前記第一穴部212と第二穴部216が重なっている穴型通路を通して外部に露出されている。
前記第一穴部212と第二穴部216の中には、発光ユニット220が形成されている。前記発光ユニット220は、放熱部222と、2つの電極226a、226bと、を含む。前記発光ユニット220の放熱部222は、熱伝導性接着剤228によって前記放熱部品202の上表面204に接着されている。従って、前記発光ユニット220が発光する時に生じる熱は、前記熱伝導性接着剤228によって前記放熱部品202に伝導される。本実施形態の熱伝導性接着剤228は、銅ペースト或いは銀ペーストのような導電性を有する熱伝導性接着剤、或いは導電性を有しない熱伝導性接着剤である。
前記発光ユニット220の2つの電極226a及び226bは、別々に前記導電層214に電気接続されている。本実施形態の電極226a或いは226bは、導電性半田230によって前記導電層214に電気接続されている。
図3は、本発明の第二実施形態に係る発光ダイオード300を示す断面図である。第二実施形態の光ダイオード構造300と第一実施形態の発光ダイオード200が違い所は、図3の発光ユニット320の形状を変えることと、上表面204と熱伝導性接着剤228との間の接着力を高めるために第一穴部212と第二穴部216によって露出されている上表面204の局部に対して鍍金或いはスパッタリングを実施することである。本実施形態の発光ユニット320は、T字形に形成され、2つの電極226a及び226bは、T字形の2つの隅部に形成されている。前記2つの電極226a及び226bは、別々に2つの電極の下に形成される導電性半田230によって導電層214上に電気接続されている。図3の本実施形態で、放熱部品202の上表面204と熱伝導性接着剤228との間の接着力をさらに高めるために、前記熱伝導性接着剤228と接着する前記上表面204の局部に対して表面処理を実施することができる。即ち、前記熱伝導性接着剤228と接着する前記上表面204の局部に対して鍍金或いはスパッタリングを実施して、表面処理層232を形成することができる。前記表面処理層232は、放熱部品202の上表面204と熱伝導性接着剤228との間の接着力を高めることができる。
図4は、本発明の第三実施形態に係る発光ダイオード400を示す断面図である。第三実施形態の光ダイオード構造400と第二実施形態の発光ダイオード300が違い所は、図4の光ダイオード構造400の導電層214と誘電体層210の上に別々に保護層402aと402bが形成されていることと、すべての電極226aなど(電極226bは示さない)が発光ユニット220の一側に形成されていることである。本実施形態の熱伝導性接着剤404は、発光ユニット220の放熱部222を放熱部品202の上表面204に接着させるだけでなく、発光ユニット220で生じる熱を前記放熱部品202に伝導させる熱伝導層になっている。前記熱伝導性接着剤404は、前記熱伝導性接着剤228のような接着力を有しているので、発光ユニット220と放熱部品202との間の接着力を高めることができる。
前記保護層402aは、導電層214の上表面の局部と、導電層214と熱伝導性接着剤404との間と、に形成されているので、前記導電層214が破損されることを防ぐことができる。前記保護層402bは、誘電体層210の上に形成されているので、前記誘電体層210が破損されることを防ぐことができる。
図5は、本発明の第四実施形態に係る発光ダイオード500を示す断面図である。第四実施形態の光ダイオード構造500と第三実施形態の発光ダイオード400が違い所は、熱伝導性接着剤404の代りに半田502aを形成することがである。本実施形態で上述するように、前記半田502aと放熱部品202との間の接着力を高めるために、前記半田502aと放熱部品202の上表面204が接着する部位に対して表面処理を実施して表面処理層504aを形成することができる。前記表面処理層504aは、前記半田502aと放熱部品202との間の接着力を高めることができる。
前記発光ユニット220の電極226aも半田502bによって導電層214の上に形成されている。前記半田502bと前記導電層214のとの間の接着力を高めるために、半田502bと前記導電層214のとの間の接着部位に対しても表面処理を実施して表面処理層504bを形成することができる。
図6は、本発明の一実施形態に係る発光ダイオードの製造方法を示すフローチャートである。図6のフローチャートは、以下のステップを含む。まず、ステップS602で、放熱部品の上表面に対して表面トリートメント(surface treatment)を実施して誘電体層を形成する。前記誘電体層には、前記放熱部品の上表面を露出するための第一穴部が形成されている。前記誘電体層を形成する方法として、スクリーン印刷塗布或いはインクジェット印刷方法を使うことができる。次に、ステップS604で、前記誘電体層の上に第二穴部が形成されている導電層を形成する。前記第一穴部の穴部と前記第二穴部の穴部は、一部が重なっているかすべてが重なっているので、外部から放熱部品の上表面の局部を見ることができる。即ち、前記放熱部品の上表面の局部は、前記第一穴部と第二穴部が重なっている穴型通路を通して外部に露出されている。前記導電層を形成する方法として、スクリーン印刷塗布或いはインクジェット印刷方法を使うことができる。他の実施形態で、スパッタリングを使うこともできる。次の、ステップS606で、所定の形状に形成される前記導電層の上に複数の導線を形成する。
次に、ステップ608で、前記第一穴部と第二穴部熱の中に熱伝導層(例えば、熱伝導性接着剤)を形成する。前記熱伝導層は、発光ユニットを放熱部品の上表面に接着させるばかりでなく、発光ユニットが発光する時に生じる熱を前記放熱部品に伝導する。本実施形態で、前記熱伝導層と前記放熱部品との間の接着力を高めるために、熱伝導層と前記放熱部品が接着される部位に対して表面処理を実施して表面処理層を形成することができる。次に、ステップS610で、前記発光ダイオードの2つの電極を前記導電層の導線に電気接続させる。本実施形態で、半田或いは他の導電性接着剤によって前記光ダイオードの電極を前記導電層の導線に電気接続させることができる。
本発明の発光ダイオードにおいて、前記発光ユニットは、熱伝導層或いは熱伝導性接着剤によって直接に前記放熱部品の上に接着されている。従って、発光ユニットが発光する時に生じる熱が熱伝導層或いは熱伝導性接着剤によって直接に前記放熱部品に伝導されることができる。即ち、発光ユニットの熱が直接に前記放熱部品に伝導されるので、本発明の発光ダイオードの放熱効果を向上させることができる。且つ、放熱されない熱によって発光ダイオードの発光に影響を与えることを防ぐことができる。且つ、前記誘電体層と導電層は、塗布工程によって肉薄に前記放熱部品の上に形成されているので、本発明の発光ダイオードの放熱効果をさらに向上させることができる。
100、200 発光ダイオード
102、202 放熱部品
104、204 上表面
110、210 誘電体層
112、214 導電層
114、218 導線
116、220 発光ユニット
118、226a、226b 電極
122、502a、502b 半田
206 下表面
208 ファン
212 第一穴部
216 第二穴部
222 放熱部
228 熱伝導性接着剤
230 導電性半田
232、504a、504b 表面処理層
402a、402b 保護層
404 熱伝導性接着剤

Claims (19)

  1. 上表面を有する放熱部品と、
    絶縁材料で表面トリートメントを実施し、前記放熱部品の上表面に形成され、且つ放熱部品の上表面の局部を外部に漏出させるための第一穴部が形成されている誘電体層と、
    前記誘電体層の上に形成され、且つ複数の導線と、前記第一穴部の穴部と少なくとも一部が重なっており、前記放熱部品の上表面の局部を外部に漏出させる第二穴部とを具備する導電層と、
    前記第一穴部と第二穴部の中に形成され、且つ前記放熱部品の上表面に接着されている熱伝導層と、
    前記導電層に電気接続される電極を具備し、且つ熱が前記放熱部品に伝導するように熱伝導層の上に接着されている発光ユニットと、を含むことを特徴とする発光ダイオード。
  2. 前記放熱部品の材料として、アルミニウム合金、マグネシウム合金或いは他の熱伝導性金属を使うことができることを特徴とする請求項1の記載の発光ダイオード。
  3. 前記熱伝導層の材料として半田を使うことができることを特徴とする請求項1の記載の発光ダイオード。
  4. 前記半田に接着される前記導電層の局部に対して鍍金或いはスパッタリングを実施することを特徴とする請求項3の記載の発光ダイオード。
  5. 前記半田に接着される前記放熱部品の上表面の局部に対して鍍金或いはスパッタリングを実施することを特徴とする請求項3の記載の発光ダイオード。
  6. 前記発光ユニットの電極と前記導電層は、導電性接着剤によって電気接続されていることを特徴とする請求項1の記載の発光ダイオード。
  7. 前記誘電体層に対して表面処理を実施する方法として、スクリーン印刷塗布或いはインクジェット印刷方法を使うことができることを特徴とする請求項1の記載の発光ダイオード。
  8. 前記誘電体層が絶縁材料を含むことを特徴とする請求項1の記載の発光ダイオード。
  9. 前記絶縁材料として酸化アルミニウムを使うことができることを特徴とする請求項8の記載の発光ダイオード。
  10. 前記導電層の材料として導電性化合物を使うことができることを特徴とする請求項1の記載の発光ダイオード。
  11. 前記導電性化合物として、銅ペースト或いは銀ペーストを使うことができることを特徴とする請求項10の記載の発光ダイオード。
  12. 前記第一穴部と第二穴部によって露出されている前記放熱部品の上表面の局部に対して鍍金或いはスパッタリングを実施することを特徴とする請求項1の記載の発光ダイオード。
  13. 前記熱伝導層の材料として、熱を伝送する接着剤を選択することができることを特徴とする請求項1の記載の発光ダイオード。
  14. 絶縁材料で表面トリートメントを実施されており、且つ放熱部品の上表面の局部を外部に漏出させるための第一穴部が形成されている誘電体層を放熱部品の上表面の上に形成するステップと、
    前記第一穴部と少なくとも一部が重なっている第二穴部が形成されている導電層を塗布方式で前記誘電体層の上に形成するステップと、
    所定の形状に形成されている前記導電層に複数の導線を形成するステップと、
    前記第一穴部と第二穴部の中に発光ユニットを前記放熱部品の上表面に接着させるための熱伝導層を形成する後、前記発光ユニットの電極を前記導電層に電気接続させるステップと、を含むことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
  15. 前記導電層を形成するステップは、スクリーン印刷塗布を実施するステップを含むことを特徴とする請求項14の記載の発光ダイオードの製造方法。
  16. 前記導電層を形成するステップは、インクジェット印刷を実施するステップを含むことを特徴とする請求項14の記載の発光ダイオードの製造方法。
  17. 前記熱伝導層を前記放熱部品の上に形成する前に、熱伝導層が形成される放熱部品の上表面の局部に対して表面処理を実施することを特徴とする請求項14の記載の発光ダイオードの製造方法。
  18. 前記表面処理を実施するステップは、鍍金或いはスパッタリングを実施するステップを含むことを特徴とする請求項17の記載の発光ダイオードの製造方法。
  19. 前記発光ユニットの電極を前記導電層に電気接続させるステップで、導電性接着剤或いは半田によって発光ユニットの電極を前記導電層の導線に電気接続させることを特徴とする請求項14の記載の発光ダイオードの製造方法。
JP2011039977A 2010-07-29 2011-02-25 発光ダイオード及びその製造方法 Pending JP2012039071A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW099125190 2010-07-29
TW99125190 2010-07-29
TW099128040 2010-08-20
TW099128040A TWI520386B (zh) 2010-07-29 2010-08-20 發光二極體總成的結構與其製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012039071A true JP2012039071A (ja) 2012-02-23

Family

ID=45525834

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011039977A Pending JP2012039071A (ja) 2010-07-29 2011-02-25 発光ダイオード及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8324724B2 (ja)
JP (1) JP2012039071A (ja)
TW (1) TWI520386B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101842272B1 (ko) 2016-09-08 2018-03-27 주식회사 에스티씨라이팅 DPM(Direct Pattern Method) 방식의 LED 조명등 제조 방법 및 이를 이용한 LED 조명 장치

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20110249406A1 (en) * 2009-06-20 2011-10-13 LEDAdventures LLC Heat dissipation system for electrical components
DE102010011604A1 (de) * 2010-03-16 2011-09-22 Eppsteinfoils Gmbh & Co.Kg Foliensystem für LED-Anwendungen
TWI446464B (zh) * 2011-05-20 2014-07-21 Subtron Technology Co Ltd 封裝結構及其製作方法
JP5747737B2 (ja) * 2011-08-26 2015-07-15 三菱電機株式会社 半導体装置とその製造方法
CN102628566B (zh) * 2012-03-27 2015-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 背光模组、液晶显示装置及背光模组的光源
US8746947B2 (en) 2012-03-27 2014-06-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Backlight module, LCD device and light source of backlight module
US9081226B2 (en) * 2012-03-29 2015-07-14 Samsung Display Co., Ltd. Light-emitting module
JP5727416B2 (ja) * 2012-06-01 2015-06-03 任天堂株式会社 情報処理システム、ゲームシステム、情報処理装置、情報処理プログラム及び情報処理方法
GB2510865B (en) * 2013-02-15 2016-08-03 Collingwood Lighting Ltd Method for manufacturing a lighting unit and lighting unit
DE102013103226A1 (de) * 2013-03-28 2014-10-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
US10718474B1 (en) * 2014-11-20 2020-07-21 The Light Source, Inc. Lighting fixture with closely-packed LED components
KR101878967B1 (ko) * 2017-05-08 2018-07-16 주식회사 에스티씨 DPM(Direct Pattern Method) 방식의 PCB 기판과 하우징이 없는 일체형 LED 조명 장치
WO2019093121A1 (ja) * 2017-11-13 2019-05-16 京セラ株式会社 ペースト組成物、半導体装置及び電気・電子部品
EP3503694A1 (de) * 2017-12-21 2019-06-26 ZKW Group GmbH Verfahren zum herstellen einer wärmeleitenden verbindung zwischen einem leistungsbauteil und einer metallischen schicht eines schaltungsträgers
CN111161641B (zh) * 2019-12-30 2021-11-23 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种窄边框显示器背板及其制备方法、显示器

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198606A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Kyocera Corp 配線基板
JP2004031101A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Tdk Corp 発光素子及び発光パネル
JP2005012155A (ja) * 2003-05-26 2005-01-13 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2006041290A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Sharp Corp 発光モジュールおよびその製造方法
JP2007083723A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Seiko Epson Corp 同一表面上に異なる親水性及び親油性を呈する領域を有する基板の製造方法
JP2007116138A (ja) * 2005-09-22 2007-05-10 Lexedis Lighting Gmbh 発光装置
JP2008053564A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
JP2009081194A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
JP2009081196A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
JP2009277706A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Koa Corp パッケージ発光部品
JP2010129834A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその実装構造
JP2010135749A (ja) * 2008-10-28 2010-06-17 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュールおよび照明装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5857767A (en) 1996-09-23 1999-01-12 Relume Corporation Thermal management system for L.E.D. arrays
US6428189B1 (en) 2000-03-31 2002-08-06 Relume Corporation L.E.D. thermal management
US7250611B2 (en) * 2003-12-02 2007-07-31 3M Innovative Properties Company LED curing apparatus and method
US7329887B2 (en) * 2003-12-02 2008-02-12 3M Innovative Properties Company Solid state light device
US7456805B2 (en) * 2003-12-18 2008-11-25 3M Innovative Properties Company Display including a solid state light device and method using same
WO2007143875A2 (fr) * 2006-05-30 2007-12-21 Jen-Shyan Chen Équipement d'éclairage à diodes électroluminescentes haute puissance et à dissipation de chaleur élevée
US9018667B2 (en) * 2008-03-25 2015-04-28 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with post/base heat spreader and dual adhesives

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002198606A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Kyocera Corp 配線基板
JP2004031101A (ja) * 2002-06-25 2004-01-29 Tdk Corp 発光素子及び発光パネル
JP2005012155A (ja) * 2003-05-26 2005-01-13 Matsushita Electric Works Ltd 発光装置
JP2006041290A (ja) * 2004-07-28 2006-02-09 Sharp Corp 発光モジュールおよびその製造方法
JP2007083723A (ja) * 2005-09-20 2007-04-05 Seiko Epson Corp 同一表面上に異なる親水性及び親油性を呈する領域を有する基板の製造方法
JP2007116138A (ja) * 2005-09-22 2007-05-10 Lexedis Lighting Gmbh 発光装置
JP2008053564A (ja) * 2006-08-25 2008-03-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光半導体装置およびその製造方法
JP2009081194A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
JP2009081196A (ja) * 2007-09-25 2009-04-16 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
JP2009277706A (ja) * 2008-05-12 2009-11-26 Koa Corp パッケージ発光部品
JP2010135749A (ja) * 2008-10-28 2010-06-17 Toshiba Lighting & Technology Corp 発光モジュールおよび照明装置
JP2010129834A (ja) * 2008-11-28 2010-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 光半導体装置およびその実装構造

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101842272B1 (ko) 2016-09-08 2018-03-27 주식회사 에스티씨라이팅 DPM(Direct Pattern Method) 방식의 LED 조명등 제조 방법 및 이를 이용한 LED 조명 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW201205905A (en) 2012-02-01
US8324724B2 (en) 2012-12-04
US20120025257A1 (en) 2012-02-02
TWI520386B (zh) 2016-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012039071A (ja) 発光ダイオード及びその製造方法
US8894249B2 (en) LED module and method of bonding thereof
TWI420695B (zh) 化合物半導體元件之封裝模組結構及其製造方法
JP2006005290A (ja) 発光ダイオード
JP2013033911A (ja) 発光素子搭載用基板及びledパッケージ
WO2013086794A1 (zh) 柔性电路基板led二维阵列光源
JPWO2011129202A1 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JPWO2014064871A1 (ja) 発光装置およびその製造方法ならびに発光装置実装体
WO2011077900A1 (ja) 発光ダイオード素子、光源装置、面光源照明装置、及び液晶表示装置
JP2004119515A (ja) 高い放熱性を有する発光ダイオード表示モジュール及びその基板
JP5057371B2 (ja) 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
JP2010003946A (ja) 発光素子用パッケージ及び発光素子の製造方法
KR20080088140A (ko) 방열 기판과 이를 포함하는 발광소자
KR100660126B1 (ko) 방열판 구조를 가진 회로 기판
KR20110132729A (ko) Led를 구비한 백라이트 유닛 및 그 제조방법
KR101237685B1 (ko) 방열 기판 및 그 제조방법
JP3186004U (ja) チップ未封止led照明
JP3158994U (ja) 回路基板
JPWO2014065068A1 (ja) 発光装置および発光装置の製造方法
JP2008205395A (ja) 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
KR20140042187A (ko) 발광 장치
JP2012156476A (ja) 光源モジュール及びその製造方法
JP4771872B2 (ja) 半導体レーザ光源装置およびそれを用いた通信機器ならびに照明機器
KR20130007473A (ko) 엘이디용 회로기판원판, 회로기판, 엘이디유닛, 조명기구 및 제조방법
KR101248607B1 (ko) 열우물을 이용한 방열구조를 가지는 led 어레이 모듈

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20120725

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120731

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20121031

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130219

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130513

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130813

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20140128