JP2012156476A - 光源モジュール及びその製造方法 - Google Patents

光源モジュール及びその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2012156476A
JP2012156476A JP2011078433A JP2011078433A JP2012156476A JP 2012156476 A JP2012156476 A JP 2012156476A JP 2011078433 A JP2011078433 A JP 2011078433A JP 2011078433 A JP2011078433 A JP 2011078433A JP 2012156476 A JP2012156476 A JP 2012156476A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
emitting diode
source module
light source
light emitting
diode die
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2011078433A
Other languages
English (en)
Inventor
Ming-Hua Chen
陳明華
Chao-Yi Chen
陳兆逸
Tzu-Pin Huan
韓子平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Getac Technology Corp
Original Assignee
Getac Technology Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Getac Technology Corp filed Critical Getac Technology Corp
Publication of JP2012156476A publication Critical patent/JP2012156476A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/64Heat extraction or cooling elements
    • H01L33/642Heat extraction or cooling elements characterized by the shape

Abstract

【課題】熱抵抗の問題を効果的に改善する光源モジュールとその製造方法の提供。
【解決手段】本発明の光源モジュール及びその製造方法は、放熱基材上に回路板と少なくとも1つの発光ダイオードダイを順に設置し、続いて発光ダイオードダイ上にパッケージ材を形成して成り、そのうち回路板上に少なくとも1つの穿通孔が設けられ、発光ダイオードダイが回路板上の穿通孔に埋設されて放熱基材と直接接触し、発光ダイオードダイと放熱基材の間の熱抵抗を減少して放熱基材で発光ダイオードダイの熱エネルギーを効果的に発散させる。
【選択図】図1A

Description

本発明は光源モジュールとその製造方法に関し、特に、発光ダイオードを光源とした光源モジュールとその製造方法に関する。
近年来、発光ダイオードはすでに早期の小出力製品への応用(例えば信号インジケータや携帯電話の押しボタンランプ)から、現在の高出力製品への応用(例えば照明管、電球、街灯)に進化を遂げている。高出力の発光ダイオードが発生する単位面積当たりの発熱量(発熱密度)は非常に高く、一般的な集積回路(Integrated Circuit、IC)素子よりも高いため、発光ダイオードの接合温度(Junction Temperature)が大幅に高くなっている。接合温度(Junction Temperature)が高過ぎると、発光ダイオードの発光効率が低下(輝度が低下)し、内部回路の酸化が進む(寿命が短くなる)。このため、発光ダイオードの放熱問題は発光ダイオードを大出力製品の世界に応用する際の重要な問題となっている。
発光ダイオード電球を例とすると、従来の発光ダイオード電球は主に回路板(アルミ基板)と放熱ランプ座体の2つの部分から成り、回路板上にプリント回路が設けられ、先に1個1個発光ダイオードを回路板上に設置してから、回路板を放熱ランプ座体に取り付ける。上述したように、発光ダイオードの放熱問題は常に大出力製品の大きな問題となっており、放熱問題を解決する最も簡単な方法は放熱面積の増大にほかならない。発光ダイオード電球について言うと、発光ダイオード電球は従来の電球のソケットの規格(E14、E27)に適合させなければ従来のランプ座体上で電気エネルギーを供給できない。発光ダイオード電球の放熱ランプ座体は従来の電球の規格に制限され、無制限に放熱面積を増加することはできない。発光ダイオード電球の放熱問題を効果的に解決するため、既知の技術ではさらに放熱ランプ座体中に小型のファンを設置し、小型ファンで強制的に対流を提供して放熱ランプ座体と外界の冷たい空気の熱交換を加速することができる。
しかしながら、従来の発光ダイオード電球の回路板は発光ダイオードと放熱ランプ座体の間の熱抵抗のため、回路板と放熱ランプ座体の間が密着しているかが熱伝導に影響する。さらに、従来の発光ダイオード電球に採用される発光ダイオードは、独立したプロセスで製作され、発光ダイオードと回路板の間にも熱抵抗が形成される。回路板と放熱ランプ座体の間または発光ダイオードと回路板の間の熱抵抗が発光ダイオードの生み出す熱エネルギーの堆積を生じ、放熱ランプ座体から効果的に発散させることができない。
従来の発光ダイオード電球は回路板と放熱ランプ座体の間または発光ダイオードと回路板の間の熱抵抗のため、発光ダイオードの発生する熱エネルギーが効果的に発散されない。以上の問題に鑑みて、本発明の目的は、熱抵抗の問題を効果的に改善する、光源モジュールとその製造方法を提供することにある。
本発明の光源モジュールの製造方法は、まず複数の放熱フィンを備え、且つ放熱フィンと一体成形された放熱基材を提供する。その後、穿通孔と電極を備えた回路板を放熱基材上に貼付し、回路板上で発光ダイオードパッケージプロセスを直接行う。その後、発光ダイオードダイを回路板上の穿通孔に埋設し、直接放熱基材と接触させ、2本の導線で回路板の2つの電極と発光ダイオードダイを電気的に接続する。最後にパッケージ材を発光ダイオードダイ上に形成する。
本発明の光源モジュールは、放熱基材、回路板、発光ダイオードダイ、パッケージ材を含む。そのうち、放熱基材が複数の放熱フィンを備え、且つ放熱基材と放熱フィンは一体成形で成る。回路板が放熱基材上に設置され、回路板は少なくとも1つの穿通孔と少なくとも2つの電極を備えている。発光ダイオードダイが穿通孔に埋設され、放熱基材に接触し、且つ少なくとも2本の導線で発光ダイオードダイと2つの電極が電気的に接続される。パッケージ材が発光ダイオードダイを被覆する。
本発明で開示する光源モジュールとその製造方法は、発光ダイオードパッケージプロセスと発光ダイオード電球プロセスを統合し、熱エネルギーを発生する発光ダイオードダイが放熱基材に直接接触し、発光ダイオードダイの熱エネルギーを放熱基材上に直接伝達して放熱を行い、発光ダイオードの放熱問題を効果的に解決することができる。
以上の本発明の内容に関する説明及び以下の実施方式の説明は本発明の原理を示し、解釈するためのものであり、且つ本発明の特許請求の範囲にさらなる解釈を提供するものである。
本発明の一実施例の光源モジュールの立体図である。 図1Aの拡大図である。 図1Aの断面図である。 本発明の一実施例に基づく光源モジュールのパッケージプロセスを示す断面図である。 本発明の一実施例に基づく光源モジュールのパッケージプロセスを示す断面図である。 本発明の一実施例に基づく光源モジュールのパッケージプロセスを示す断面図である。 本発明の一実施例に基づく光源モジュールのパッケージプロセスを示す断面図である。 本発明の一実施例に基づく光源モジュールのパッケージプロセスを示す断面図である。 本発明の一実施例に基づく光源モジュールのパッケージプロセスを示す断面図である。 本発明の一実施例に基づく光源モジュールのパッケージプロセスのフローチャートである。
本発明所で開示する光源モジュール及びその製造方法のうち、光源モジュールは発光ダイオードを光源とするものを指し、その具体的な形態は電球の形態、照明管の形態等とすることができるが、以下の説明においては電球の形態を例とする。
図1A、図1B、図2を参照する。図1Aは本発明の一実施例の光源モジュール100の立体図であり、図1Bは図1Aの拡大図、図2は図1Aの断面図である。以下ではまず構造に対して説明を行い、後続で製造工程と実験データを補足する。本実施例の光源モジュール100は放熱基材200、回路板300、発光ダイオードダイ400、パッケージ材500を含む。
放熱基材200はアルミニウム合金または銅合金等の熱伝導係数が高い放熱金属で成り、且つ放熱基材200は接触面210及び接触面210の反対側に複数の放熱フィン220を備えている。そのうち、放熱フィン220は放熱基材200と外界の接触面積を増加するため、放熱基材と放熱フィンが一体成型の構造となっている。放熱基材200の形状と寸法は通常光源モジュール100に合わせて設計し、本実施例に限定されない。
回路板300は放熱基材200の接触面210を覆って貼付され、回路板300は厚さが0.15ミリメートルより小さいガラス繊維板またはフレキシブル回路板から成る。且つ、回路板300は絶縁体であり、回路板300上の回路が放熱基材200に直接接触して短路が発生しないように用いられる。回路板300は少なくとも1つの穿通孔310、少なくとも1つのパターン回路320、少なくとも2つの電極330を含む。そのうち、穿通孔310は回路板300を貫通し、放熱基材200の接触面210を露出させるために用いられる。パターン回路320は回路板300上に設けられ、2つの電極330がパターン回路320に電気的に接続され、穿通孔310付近に分布される。
発光ダイオードダイ400は穿通孔310内に埋設され、熱伝導ペースト420が直接放熱基材200と接触する。熱伝導ペースト420は銀ペーストとすることができ、主な作用は発光ダイオードダイ400と放熱基材200間の空隙を埋めることで、発光ダイオードダイ400の発生する熱エネルギーを円滑に放熱基材200上に伝導するために用いられる。
本実施例の図において、回路板300、電極330、発光ダイオードダイ400、熱伝導ペースト420の厚さは閲覧者がはっきりと分かるような方式で表されており、図示された各部材の比率は本発明を限定するものではないことに注意が必要である。実際を例として、熱伝導ペースト420は発光ダイオードダイ400と放熱基材200の間に介在され、発光ダイオードダイ400と放熱基材200の間の微小な間隙を埋めて効果的に熱伝導を行う。発光ダイオードダイ400が完全に放熱基材200上を覆って貼付されていれば、熱伝導ペースト420を使用しなくてもよい。
パッケージ材500の材質は透光性のあるエポキシ樹脂(Epoxy)で、発光ダイオードダイ400、2本の導線410、穿通孔310を被覆する。本実施例のパッケージ材500はさらに蛍光粉(図示しない)を含み、発光ダイオードダイ400に異なる色の光線を発させるため、パッケージ材500に対応する蛍光粉(図示しない)を混入することができる。
本実施例はさらにパッド510を含み、回路板300に設置され、穿通孔310と発光ダイオードダイ400を囲み、パッケージ材500をパッド510内に充填させ、穿通孔310、発光ダイオードダイ400、2本の導線410を被覆させるために用いられる。パッド510はプラスチックパッド片としてもよく、ディスペンシングの形態で回路板300上に設けてもよい。
以下で光源モジュール100のパッケージプロセスを詳細に説明する。説明の利便性のため、下述する光源モジュール100の数量は一組とする。同時に図3Aから図3F、及び図4を参照する。そのうち図3Aから図3Fは本発明の一実施例に基づく光源モジュール100のパッケージプロセスを示す断面図であり、図4は本発明の一実施例に基づく光源モジュール100のパッケージプロセスのフローチャートであり、発光ダイオードパッケージプロセスと発光ダイオード電球製造プロセスを統合したものである。
まず、図3Aに示すように、接触面210と接触面210の反対側の複数の放熱フィン220を含む、放熱基材200を提供する(S101)。
続いて、図3Bに示すように、少なくとも1つの穿通孔310及び少なくとも2つの電極330を備えた回路板300を放熱基材200の接触面210に付着させる (S102)。回路板300を接触面210に付着させる部分は、多様な方法で行うことができる。例えば、そのうちの1つの方法では、まず接触面210上に陽極処理を行い、パターン回路320及び2つの電極330を電気めっき方式で放熱基材200上に形成する。そのうち、パターン回路320及び2つの電極330を放熱基材200上に形成する方法は、印刷、スパッタリング、レーザーパターンニング、ラミネーションまたはその他化学または物理気相成長法を用いることができる。別の方法は、放熱基材200上を覆ってあらかじめ製作を完了した回路板300を直接貼付する方法があるが、回路板300は厚さが0.15ミリメートルより小さいという条件を満たす必要がある。さらに別の方法では、半導体プロセスの方式で絶縁層(図示しない)を形成し、絶縁層(図示しない)上に穿通孔310及び2つの電極330を形成する。
続いて、図3Cと図3Dに示すように、まず熱伝導ペースト420を穿通孔310に注入する(図3C参照)。その後、発光ダイオードダイ400を穿通孔310に埋設し、放熱基材200に接触させる(S103)。この工程はダイボンディングとも呼ばれ、ダイボンディングは、発光ダイオードダイ400の埋設を完了した後、別途高温ベーキングプロセスを行うことを選択することができ、その温度は約摂氏150度で、熱伝導ペースト420を固化する。
続いて、図3Eに示すように、少なくとも2本の導線410を提供し、発光ダイオードダイ400及び2つの電極330を電気的に接続する(S104)。一般にワイヤボンディング工程と呼ばれ、ワイヤボンダで導線410を発光ダイオードダイ400と電極330にボンディングすることを選択できる。
続いて、図3Fに示すように、パッケージ材500を発光ダイオードダイ400上に形成する(S105)。パッケージ材500の材質は透光性のあるエポキシ樹脂(Epoxy)であり、パッケージ材500は、(1)通常パッケージ材500はガラスインターフェース及び回路板(Printed Circuit Board、PCB)インターフェースと接着されるため、接着性がよいこと、(2)発光ダイオードダイ400の酸化を防ぐため、酸素透過性及び透水性が低いこと、(3)パッケージ材500が熱を受けて変形することがないように、熱膨張係数が小さいことという特性を備えている必要がある。
そのうち、パッケージ材500を発光ダイオードダイ400に形成する前に、さらに下述する工程を含む。まず蛍光粉(図示しない)を提供し、パッケージ材500に混入する。続いて、パッド510を提供し、穿通孔310と発光ダイオードダイ400を囲み、且つ回路板300を覆ってパッド510を貼付する。
本実施例で開示した光源モジュール及びそのパッケージプロセスがもたらす実際の効果について、下表で証明する。
Figure 2012156476
この表からはっきりと分かるように、本発明の発光ダイオードダイ表面(LED Top)の温度は従来の発光ダイオードダイ表面より摂氏8度低い。本発明の放熱基材(Al Center、Heat Sink Top、Heat Sink Bottomを含む)の温度は従来の発光ダイオード放熱基材より約4〜6度高い。このことから、本発明の発光ダイオードが発生する熱エネルギーは熱伝導で放熱基材に確実に伝導され、外界の冷たい空気と熱交換が行割れていることが分かる。
本発明の開示する光源モジュール及びその製造方法は、発光ダイオードパッケージプロセスと発光ダイオード電球プロセスを統合し、熱エネルギーを発生する発光ダイオードダイを放熱基材に直接接触させて、発光ダイオードの熱エネルギーを直接放熱基材上に伝導して放熱を行い、発光ダイオードの放熱問題を効果的に解決することができる。
本発明の実施例は上述のように開示されたが、本発明を限定するものではなく、関連技術を熟知した者であれば、本発明の要旨と範囲内で、本発明の特許背急の範囲に記載された形状、構造、特徴、数量などに変更を加えることが可能であり、このため本発明の特許保護範囲は本明細書に添付された特許請求の範囲に準じる。
100 光源モジュール
200 放熱基材
210 接触面
220 放熱フィン
300 回路板
310 穿通孔
320 パターン回路
330 電極
400 発光ダイオードダイ
410 導線
420 熱伝導ペースト
500 パッケージ材
510 パッド

Claims (13)

  1. 光源モジュールの製造方法であって、
    放熱基材を提供し、前記放熱基材が複数の放熱フィンを備え、且つ前記放熱基材と前記放熱フィンが一体成形されて成る工程と、
    少なくとも1つの穿通孔と少なくとも2つの電極を備えた回路板を前記放熱基材に付着する工程と、
    発光ダイオードダイを前記穿通孔に埋設し、前記放熱基材に接触させる工程と、
    少なくとも2本の導線を提供し、前記発光ダイオードダイと前記2つの電極を電気的に接続する工程と、
    前記発光ダイオードダイ上にパッケージ材を形成する工程と、
    を含むことを特徴とする、光源モジュールの製造方法。
  2. 前記回路板の付着がさらに前記放熱基材を覆って前記回路板を貼付する工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の光源モジュールの製造方法。
  3. 前記回路板の付着がさらに半導体プロセスの方式で絶縁層を形成し、前記絶縁層上に前記穿通孔を形成すると共に、前記絶縁層上に前記2つの電極を形成する工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の光源モジュールの製造方法。
  4. 前記発光ダイオードダイを埋設する工程がさらに熱伝導ペーストを前記発光ダイオードダイと前記放熱基材の間に充填する工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の光源モジュールの製造方法。
  5. 前記パッケージ材を形成する工程の前に、さらに蛍光粉を提供して前記パッケージ材に混入する工程を含むことを特徴とする、請求項1に記載の光源モジュールの製造方法。
  6. 前記パッケージ材を形成する工程の前及び前記蛍光粉を提供する工程の後に、さらにパッドを提供し、前記穿通孔及び前記発光ダイオードダイを囲んで、前記回路板上に前記パッドを貼付することを特徴とする、請求項5に記載の光源モジュールの製造方法。
  7. 光源モジュールであって、放熱基材と、回路板と、発光ダイオードダイと、パッケージ材を含み、
    前記放熱基材が複数の放熱フィンを備え、且つ前記放熱基材と前記放熱フィンが一体成形から成り、
    前記回路板が前記放熱基材上に設置され、前記回路板上に少なくとも1つの穿通孔と少なくとも2つの電極を備え、
    前記発光ダイオードダイが前記穿通孔に埋設され、前記放熱基材に接触し、少なくとも2本の導線で前記発光ダイオードダイと前記2つの電極が電気的に接続され、
    前記パッケージ材が前記発光ダイオードダイを被覆したことを特徴とする、光源モジュール。
  8. 前記放熱基材がアルミニウム合金または銅合金で成ることを特徴とする、請求項7に記載の光源モジュール。
  9. 前記回路板がガラス繊維板とフレキシブル回路板のいずれかを採用できることを特徴とする、請求項7に記載の光源モジュール。
  10. 前記回路板の厚さが0.15ミリメートルより小さいことを特徴とする、請求項7に記載の光源モジュール。
  11. 前記放熱基材と前記発光ダイオードダイの間にさらに熱伝導ペーストを含むことを特徴とする、請求項7に記載の光源モジュール。
  12. 前記パッケージ材内にさらに蛍光粉を含み、前記発光ダイオードダイに特定の発光色を形成させることを特徴とする、請求項7に記載の光源モジュール。
  13. さらにパッドを含み、前記回路板に設置され、前記穿通孔と前記発光ダイオードダイを囲み、前記パッケージ材を前記パッド内に充填させ、前記穿通孔、前記発光ダイオードダイ、前記導線を被覆したことを特徴とする、請求項7に記載の光源モジュール。
JP2011078433A 2011-01-26 2011-03-31 光源モジュール及びその製造方法 Pending JP2012156476A (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161436502P 2011-01-26 2011-01-26
US61/436,502 2011-01-26
CN2011100658258A CN102683507A (zh) 2011-03-09 2011-03-09 光源模块构造及其制造方法
CN201110065825.8 2011-03-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2012156476A true JP2012156476A (ja) 2012-08-16

Family

ID=46543536

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011078433A Pending JP2012156476A (ja) 2011-01-26 2011-03-31 光源モジュール及びその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20120187433A1 (ja)
JP (1) JP2012156476A (ja)
CN (1) CN102683507A (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9105829B2 (en) 2013-03-15 2015-08-11 Cooledge Lighting Inc. Thermal management in electronic devices with yielding substrates
WO2018125208A1 (en) * 2016-12-30 2018-07-05 Intel IP Corporation Contoured-on-heat-sink, wrapped printed wiring boards for system-in-package apparatus
CN117410428B (zh) * 2023-12-13 2024-02-23 深圳市绿源极光科技有限公司 一种cob光源用的led芯片封装结构

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11298048A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Matsushita Electric Works Ltd Led実装基板
JP2006339224A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Tanazawa Hakkosha:Kk Led用基板およびledパッケージ
JP2009038125A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
JP2010003956A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2010073724A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュール
JP2010274540A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Mitsubishi Plastics Inc 白色フィルム、金属積層体、led搭載用基板及び光源装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4774434A (en) * 1986-08-13 1988-09-27 Innovative Products, Inc. Lighted display including led's mounted on a flexible circuit board
TW557590B (en) * 2002-09-04 2003-10-11 Opto Tech Corp Light-emitting device array
JP2004265986A (ja) * 2003-02-28 2004-09-24 Citizen Electronics Co Ltd 高輝度発光素子及びそれを用いた発光装置及び高輝度発光素子の製造方法
US20050077616A1 (en) * 2003-10-09 2005-04-14 Ng Kee Yean High power light emitting diode device
US7284894B2 (en) * 2005-05-31 2007-10-23 Avago Technologies Eceliip (Singapore) Pte Ltd Light source utilizing a flexible circuit carrier

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11298048A (ja) * 1998-04-15 1999-10-29 Matsushita Electric Works Ltd Led実装基板
JP2006339224A (ja) * 2005-05-31 2006-12-14 Tanazawa Hakkosha:Kk Led用基板およびledパッケージ
JP2009038125A (ja) * 2007-07-31 2009-02-19 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュールおよびその製造方法
JP2010003956A (ja) * 2008-06-23 2010-01-07 Seiwa Electric Mfg Co Ltd 発光装置及び発光装置の製造方法
JP2010073724A (ja) * 2008-09-16 2010-04-02 Sanyo Electric Co Ltd 発光モジュール
JP2010274540A (ja) * 2009-05-29 2010-12-09 Mitsubishi Plastics Inc 白色フィルム、金属積層体、led搭載用基板及び光源装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN102683507A (zh) 2012-09-19
US20120187433A1 (en) 2012-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI332067B (ja)
JP5070532B2 (ja) 半導体発光モジュールおよびその製造方法
JP5082083B2 (ja) Led照明装置
US20130250585A1 (en) Led packages for an led bulb
JP4802304B2 (ja) 半導体発光モジュール、およびその製造方法
JP4808550B2 (ja) 発光ダイオード光源装置、照明装置、表示装置及び交通信号機
JP2008270733A (ja) 高熱伝導効率ledのパッケージング方法とその構造
JP2003168829A (ja) 発光装置
US8801238B2 (en) Light-emitting device
US20100301359A1 (en) Light Emitting Diode Package Structure
TW201037803A (en) Multi-layer packaging substrate, method for making the packaging substrate, and package structure of light-emitting semiconductor
JP2009231397A (ja) 照明装置
JP2012156476A (ja) 光源モジュール及びその製造方法
CN102110759A (zh) 发光二极管封装结构及其封装方法
JP2009021384A (ja) 電子部品及び発光装置
JP2006165138A (ja) 表面実装型led
KR20110123945A (ko) 발광다이오드 방열 패키지 및 그 제조방법
JP2009038156A (ja) 回路基板及び照明装置
JP2008205395A (ja) 表面実装型発光ダイオードおよびその製造方法
TW200905909A (en) LED package unit
KR101123241B1 (ko) 고방열 특성을 갖는 발광 다이오드 모듈 및 그 제조 방법
JP2010287749A (ja) 発光体および照明器具
TWI476958B (zh) 發光二極體封裝結構及其封裝方法
TW201347616A (zh) 發光二極體封裝及所使用之pcb式散熱基板與其製法
KR101163645B1 (ko) 고출력 발광 다이오드 모듈 및 그 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130128

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130205

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130702