TWI496325B - A lead frame for an optical semiconductor device, a manufacturing method of a lead frame for an optical semiconductor device, and an optical semiconductor device - Google Patents

A lead frame for an optical semiconductor device, a manufacturing method of a lead frame for an optical semiconductor device, and an optical semiconductor device Download PDF

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Description

光半導體裝置用引線框架、光半導體裝置用引線框架之製造方法、及光半導體裝置
本發明係關於一種光半導體裝置用引線框架、其製造方法及光半導體裝置。
光半導體裝置用引線框架被廣泛用作將LED(Light Emitting Diode，發光二極體)元件等光半導體元件(發光元件)用於光源之各種顯示用/照明用光源之構成構件。該光半導體裝置，係例如配置引線框架作為基板，於該引線框架上搭載發光元件之後，為了防止由熱、濕氣、氧化等外部要因所引起之發光元件或其周邊部位之劣化，而以樹脂將發光元件及其周圍密封。
此外，在將LED元件用作為照明用光源之情形時，引線框架之反射材料，係被要求其於可見光波長(400～800nm)之全區域中反射率較高(例如反射率為80%以上)。又，近年來之LED元件，係被設想能以數萬小時之長時間使用，故正在進行長使用壽命之研究，而進一步要求即便長時間點亮，光之反射率亦不會下降。因此，對於被用作照明用光源之光半導體裝置而言，反射材料之反射特性或反射率之長期穩定化成為影響製品性能之極其重要之要素。
因應上述要求，大多情況下係於配置在LED元件之正下方的引線框架上形成由銀或銀合金構成之層(皮膜)，以提高光反射率(以下稱作反射率)。例如，已知於反射面形成鍍銀層(專利文獻1)；形成銀或銀合金皮膜後，於200℃以上實施30秒以上之熱處理，使該皮膜之結晶粒徑成為0.5μm～30μm(專利文獻2)等。
然而，於如專利文獻1中所記載之技術般僅將由銀或銀合金構成之皮膜單純地形成於引線框架上之情形時，有因密封樹脂中所殘存之硫成分而使銀表面發生硫化反應，而黑化導致反射率下降之問題。又，銀與樹脂之密接性相對較差，結果亦有於密封樹脂與銀面之間產生間隙，水分或鹽分等自該間隙滲入而產生遷移之問題。
又，若如專利文獻2中所記載之技術般於200℃以上之溫度下進行熱處理，則會產生因殘留氧之影響而使銀或銀合金發生氧化，與不實施該等手段之情形相比較反射率更為下降之問題。其原因在於，由於銀或銀合金發生氧化，故黑褐色之氧化銀形成於表層，因而導致反射率下降。
進而，本發明者等人將專利文獻1及專利文獻2中所記載之引線框架用於使用LED元件之光半導體裝置，結果發現，使用聚矽氧樹脂作為密封樹脂時，亮度會隨時間經過而下降。一般認為其原因在於，由於聚矽氧樹脂具有透氣性較高之特徵，故大氣中之硫成分或氧透過作為密封樹脂之聚矽氧樹脂而到達銀或銀合金表面時，因LED元件發光時之發熱而使銀硫化、黑化。其中查明，由於銀具有光觸媒作用，故到達表層之有機物質成分由於LED元件之特別是藍色光而分解，於表面形成黑色之碳，其結果有LED周邊黑化而反射率下降之問題。
為了解決該問題，想出了不具有上述由銀或銀合金構成之層、而藉由銀以外之各種貴金屬的被覆來提高引線框架之穩定性的方法。例如有提出於鎳底層上形成0.005μm～0.15μm之鈀層，並形成0.003μm～0.05μm之銠層作為最表層而提高反射率的方法。
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開昭61-148883號公報
[專利文獻2]日本特開2008-016674號公報
[專利文獻3]日本特開2005-129970號公報
然而，藉由專利文獻3中所記載之技術而形成之引線框架與形成有由銀或銀合金構成之皮膜的引線框架相比較，反射率更差，難以作為照明用光源而於可見光區之全區域(400～800nm)中達到所要求之反射率80%以上之水準。特別是銠層存在反射率較銀層低20%以上之波長區，故於藍色系或白色系之光半導體裝置中，未能滿足反射率之要求特性。
因此，本發明之課題在於提供一種於可見光區之全區域(400～800nm)中反射特性良好、與密封樹脂之密接性亦良好、進而可長期不發生亮度下降之光半導體用引線框架，其製造方法，及使用其之光半導體裝置。
本發明者等人鑒於上述問題仔細研究後，結果發現，若於由銀或銀合金構成之層之表面具有銀以外之金屬之金屬氧化物層，並且使該金屬氧化物層為無色透明或呈銀白色，且以0.001～0.2μm之厚度而合適地形成該金屬氧化物層後，則可獲得於可見光區之全區域(400～800nm)中反射特性良好、與密封樹脂之密接性亦良好故亦難以發生遷移、進而不發生銀之硫化或光觸媒作用故反射特性長期穩定而優異之光半導體用引線框架，並根據該見解而完成了本發明。
亦即，根據本發明可提供以下手段。
(1)一種光半導體裝置用引線框架，其係於導電性基體上形成有由銀或銀合金構成之層者，其特徵在於：於上述由銀或銀合金構成之層之外層具有銀以外之金屬之金屬氧化物層，該金屬氧化物層為無色透明或呈銀白色，且厚度為0.001μm以上、0.2μm以下。
(2)如(1)之光半導體裝置用引線框架，其中上述由銀或銀合金構成之層之厚度為0.2μm以上、5.0μm以下。
(3)如(1)或(2)之光半導體裝置用引線框架，其中上述金屬氧化物層係由氧化物構成，該氧化物含有選自由錫、銦、銻所組成之群中之一種以上的元素。
(4)如(1)至(3)中任一項之光半導體裝置用引線框架，其中上述由銀合金構成之層合計含有20質量%以下的選自錫、銦、銻之群中之一種以上的元素。
(5)如(1)至(3)中任一項之光半導體裝置用引線框架，其中上述由銀合金所構成之層係由以下兩層所構成：合計含有20質量%以下的選自錫、銦、銻之群之一種以上的元素而成之外層；及以合計未滿20質量%之量而含有選自錫、銦、銻之群之一種以上元素而成之內層。
(6)如(1)至(5)中任一項之光半導體裝置用引線框架，其中上述導電性基體係由選自由銅、銅合金、鋁或鋁合金所組成之群中之金屬或合金所構成。
(7)如(1)至(6)中任一項之光半導體裝置用引線框架，其中於上述導電性基體與上述由銀或銀合金構成之層之間形成有至少一層之中間層，該中間層由選自由鎳、鎳合金、鈷、鈷合金、銅及銅合金所組成之群中之金屬或合金所構成。
(8)一種光半導體裝置用引線框架之製造方法，其係製造如上述(1)至(7)中任一項之光半導體裝置用引線框架之方法，其特徵在於包含：於導電性基體上形成上述由銀或銀合金構成之層之步驟；於上述由銀或銀合金構成之層之外表面，形成由銀以外之金屬構成之金屬層之步驟；以及於100℃以上且上述銀以外之金屬之熔點以下的溫度下，於氧濃度為1000ppm以上之環境下實施加熱處理，藉此於表層形成上述由銀以外之金屬之氧化物構成之金屬氧化物層之步驟。
(9)如(8)之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中於上述加熱步驟中形成上述金屬氧化物層，並且使上述金屬層之金屬的未被氧化之殘存金屬部分朝上述由銀或銀合金構成之層擴散，以形成由上述殘存金屬與銀構成之銀合金之層。
(10)如(8)或(9)之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中上述金屬層之厚度為0.001μm以上、0.3μm以下。
(11)如(8)至(10)中任一項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中上述由殘存金屬與銀構成之銀合金之層合計含有20質量%以下的選自錫、銦、銻之群中之一種以上的元素。
(12)如(8)至(10)中任一項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中上述由殘存金屬與銀構成之銀合金之層係由以下兩層所構成：以合計20質量%以下之量而含有選自錫、銦、銻之群中之一種以上的元素之層；及以合計未滿20質量%之量而含有選自錫、銦、銻之群中之一種以上的元素之層。
(13)如(8)至(12)中任一項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中藉由對鍍銀以及選自錫、銦及銻之群中之一種以上元素之鍍敷進行回焊，而形成上述由殘存金屬與銀構成之銀合金之層。
(14)如(8)至(13)中任一項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中藉由鍍敷法形成上述由銀或銀合金構成之層。
(15)如(8)至(14)中任一項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其進一步具有藉由鍍敷法於上述導電性基體與上述由銀或銀合金構成之層之間形成中間層的步驟。
(16)如(8)至(15)中任一項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中上述形成由銀以外之金屬構成之金屬層之步驟係利用鍍敷法。
(17)一種光半導體裝置，其具備如(1)至(7)中任一項之光半導體裝置用引線框架及光半導體元件，其特徵在於：於上述光半導體裝置用引線框架之至少搭載上述光半導體元件之部位設有上述金屬氧化物層。
本發明之引線框架，藉由形成無色透明或呈銀白色之金屬氧化物層作為最外層，藉此可防止其內層即由銀或銀合金構成之層的硫化或氧化，故可防止反射率下降。又，由於銀層未形成於最表面(即露出銀)，因此亦不表現出光觸媒作用。因此，對樹脂密封後透過樹脂之氣體亦發揮耐蝕性或非分解效果，可形成反射特性長期良好之光半導體裝置。又，本發明之引線框架中，成為最外層之金屬氧化物層為無色透明或呈銀白色，且將其厚度控制為薄至0.001μm～0.2μm，藉此幾乎不存在因金屬氧化物所導致之反射率下降，可獲得與習知之銀或銀合金同等之反射特性。
本發明之引線框架之製造方法可包含：於導電性基體上形成由銀或銀合金構成之層之步驟；於上述由銀或銀合金構成之層之表面，形成由銀以外之金屬構成之金屬層的步驟；以及於100℃以上且上述銀以外之金屬之熔點以下的溫度下，於氧濃度為1000ppm以上之環境下實施加熱處理，藉此於表層形成上述由銀以外之金屬之氧化物構成之金屬氧化物層，並且視情況不同，有時使上述金屬層之金屬的未被氧化而殘存之殘存金屬部分朝上述由銀或銀合金構成之層擴散，而形成由上述殘存金屬與銀之固熔體構成之銀合金之層的步驟；從而使晶格應變逐漸緩和而使密接性提高。又，較佳為藉由鍍敷法(除了濕式鍍敷法以外，亦包括蒸鍍法等乾式鍍敷法)形成用以形成金屬氧化物層之金屬層，藉此可容易地形成薄且緻密之氧化皮膜。
本發明之光半導體裝置於光半導體裝置用引線框架之至少搭載上述光半導體元件之部位設有上述金屬氧化物層，故能以低成本而有效地獲得反射率特性。此外，關於未搭載光半導體裝置之部位，由銀或銀合金構成之層亦可於表面露出。此情形下，金屬氧化物層可局部地形成於由銀或銀所構成之層上，例如能以條紋狀鍍敷或點狀鍍敷等局部鍍敷而形成。製造局部形成之引線框架時，可削減不需要部分之金屬使用量，故可製成可善待環境且低成本之光半導體裝置。
本發明之上述及其他特徵及優點，可適當參照附圖並根據下述記載而清楚明瞭。
以下，使用圖式對本發明之光半導體裝置用引線框架之實施形態進行說明。各圖中表示於引線框架搭載有光半導體元件之狀態。此外，各實施形態僅為一例，本發明之範圍不限定於各實施形態。
圖1係本發明之第1實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖。此處，圖1係顯示於引線框架搭載有光半導體元件4之狀態(以下各圖中均相同)。
如圖1所示般，本實施態樣之引線框架中，於導電性基體1上形成有由銀或銀合金構成之層2，且形成有由金屬氧化物構成之金屬氧化物層3作為最外層，於金屬氧化物層3之一部分表面上搭載有光半導體元件4。圖中，7表示接合線。本發明中，本發明之引線框架係反射特性良好、與密封樹脂之密接性亦良好、進而長期不發生亮度下降的耐蝕性及長期可靠性優異之光半導體裝置用引線框架。
上述導電性基體1例如可使用銅、銅合金、鋁、鋁合金、鐵或鐵合金等，較佳為選自銅、銅合金、鋁、及鋁合金之群中之金屬或合金。藉由使導電性基體1為銅或銅合金、鋁或鋁合金，可容易地於其上形成銀或銀合金層2及金屬氧化物層3，而可提供亦有助於成本下降之引線框架。
又，將選自銅、銅合金、鋁、及鋁合金之群中之金屬或合金製成上述導電性基體1之引線框架，由於與導電率良好相關之特性即熱導率較佳，故散熱特性優異。其原因在於，可將光半導體元件發光時所產生之發熱(熱能)經由引線框架而順利地釋出至外部。藉此，有望實現發光元件之長使用壽命化及反射率特性之長期穩定化。
又，本發明中所謂「反射特性良好」，係指於波長400nm以上、800nm以下之可見光之全區域中反射率為80%以上。
上述由銀或銀合金構成之層2之厚度較佳為0.2μm以上、5.0μm以下，更佳為0.5μm以上、3.0μm以下。該厚度可藉由調整由銀或銀合金構成之層2之被覆厚度而實現，可不使用必要程度以上之貴金屬而廉價地製造。此處，上述由銀或銀合金構成之層2若厚度過薄，則對反射率之貢獻並不充分，另一方面，若過厚則效果飽和，成本變高。
上述由銀或銀合金構成之層2中所使用之銀合金例如可列舉：銀-錫合金、銀-銦合金、銀-銠合金、銀-釕合金、銀-金合金、銀-鈀合金、銀-鎳合金、銀-硒合金、銀-銻合金、銀-銅合金、銀-鋅合金、銀-鉍合金等，較佳為選自由銀-錫合金、銀-銦合金、銀-銠合金、銀-釕合金、銀-金合金、銀-鈀合金、銀-鎳合金、銀-硒合金、銀-銻合金及銀-銅合金所組成之群中。
該等合金相對較容易形成，又，雖略差於純銀但可於可見光區中確保80%以上之反射率，故可對於較廣波長區之光獲得良好之反射特性。此外，銀合金中之銀含有率較佳為80質量%以上。其原因在於，若銀含有率過少，則可見光區之反射率會下降。
又，藉由形成銀以外之金屬的無色透明或呈銀白色之金屬氧化物層3作為最外層，可確保由銀或銀合金構成之層2之長期可靠性。金屬氧化物層3較佳為含有錫、銦、銻中之至少一種元素之氧化物。上述金屬氧化物層較佳為相對於該層之質量而以20質量%以下、更佳為1～10質量%之量而含有選自由錫、銦及銻所組成之群中之至少一種金屬或半金屬元素。藉由形成無色透明或呈銀白色之金屬氧化物層3，可防止由銀或銀合金構成之層2之硫化或氧化，故可防止反射率下降。又，銀層未形成於最表面，故亦不表現出光觸媒作用。因此，對樹脂密封後之透過氣體亦發揮耐蝕性或非分解效果，可形成反射特性長期良好之光半導體。本發明中，將該等錫、銦及銻一併簡稱為金屬。於分類上，銻有時亦被稱為半金屬，但有時亦將其一併簡稱為金屬。
又，若於最外層形成金屬氧化物層3，則與密封樹脂之結合變得更牢固，與最外層為銀或銀合金之情形相比較樹脂密接性顯著提高。其結果，由銀或銀合金構成之層未露出，因此可減低因濕度等之影響使銀溶出而引起遷移、於所形成之電路內引起短路事故之可能性。進而，形成於最外層之金屬氧化物層為無色透明或呈銀白色，而且將其厚度控制在0.001μm以上、0.2μm以下，藉此幾乎不存在因色調或厚度所導致之反射率下降，可獲得與習知之銀或銀合金同等之反射特性。藉由該等作用，在將本發明之引線框架用於光半導體元件例如LED元件之情形時，即便使光半導體裝置長期連續發光(點亮)10000小時以上，亦可將該光半導體裝置之亮度降低抑制在數%程度。
本發明之引線框架係藉由如下方式製造：於導電性基體1上形成由銀或銀合金構成之層2後，形成用以形成氧化物的由銀以外之金屬構成之金屬層，然後於100℃以上且該金屬之熔點以下的溫度下，於氧濃度為1000ppm以上之環境下實施加熱處理，藉此使上述金屬層中之金屬氧化而於表層形成金屬氧化物層，並且視情況不同，有時使來自金屬層之殘存金屬部分完全或部分地朝銀或銀合金層中擴散，而形成由上述殘存金屬與銀之固熔體構成之銀合金層。因此如圖所示，上述金屬層本身消失而未殘留，形成金屬氧化物層3，並且視需要，有時形成上述由殘存金屬與銀構成之銀合金層(作為上述由殘存金屬與銀構成之銀合金層，亦存在以下將說明之形成緩衝層5一層、或形成緩衝層5與殘存層5A兩層之情形)。此外，上述由銀或銀合金構成之層2較佳為藉由鍍敷法而形成。又，亦可使用LED元件等任意之光半導體元件作為光半導體元件4。
圖2係本發明之第2實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖，對於圖1所示之態樣之引線框架，於由銀或銀合金構成之層2及金屬氧化物層3之界面附近，上述金屬層之金屬成分的一部分以層狀殘存，形成由該殘存金屬固熔於上述銀或銀合金層之表層部而成之銀合金所構成的層5。該層5為由銀或銀合金構成之層2及金屬氧化物層3之緩衝層(以下稱作緩衝層5)，於銀或銀合金層與金屬氧化物層之界面附近，將具有金屬成分朝向銀或銀合金層側減少之濃度梯度之固熔體(由銀與形成上述金屬層之金屬所形成之銀-該金屬之固熔體即銀合金)形成為層狀，藉此帶來使晶格應變逐漸緩和而使密接性提高之效果。
此外，圖2以後之各圖中之說明中，未特別提及之符號係表示與上述符號相同之含義。
圖3係本發明之第3實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖，對於圖1所示之態樣之引線框架，於導電性基體1及由銀或銀合金構成之層2之間形成中間層6。
中間層6較佳為由選自由鎳、鎳合金、鈷、鈷合金、銅、銅合金所組成之群中之金屬或合金所構成。
藉由在導電性基體1及由銀或銀合金構成之層2之間設置由鎳、鎳合金、鈷、鈷合金、銅或銅合金構成之中間層6，可防止構成導電性基體之材料因光半導體元件之發熱而朝由銀或銀合金構成之層擴散所引起的反射率特性之劣化，而可長期獲得可靠性較高之反射率特性。
圖4係本發明之第4實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖，表示僅於搭載光半導體元件4之部分形成金屬氧化物層3、緩衝層5、由銀或銀合金構成之層2之狀態。於本發明中，亦可如此般僅於若黑化則成問題之部分形成金屬氧化物層3、緩衝層5、由銀或銀合金構成之層2。於本實施形態中，中間層6係形成於導電性基體1之全面，但只要係介於導電性基體1與由銀或銀合金構成之層2之間的形態，則亦可局部地形成。此處，所謂局部地形成，係指僅於光半導體元件4下及其附近於導電性基體1上形成中間層6。
圖5係本發明之第5實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖，其係於具有緩衝層5之上述第2實施形態之引線框架中，於緩衝層5與金屬氧化物層3之間具 有層5A，該層5A係殘存金屬固熔於銀或銀合金而成之銀合金之層，且銀含有率低於該緩衝層(以下，亦將該層5A稱作殘存金屬成分層或殘存層5A)。
於本發明中，如圖5所示，殘存層與緩衝層均形成之情形時之各層之順序為「導電性基體1-中間層6-銀或銀合金層2-緩衝層5-殘存層5A-金屬氧化物層3」，於金屬氧化物層3上搭載光半導體元件4。即，於形成之情形時，於緩衝層5之外側存在殘存層5A(作為上層)。
如上述，於本發明中，於構成金屬層之金屬中有未被氧化而殘存之金屬(亦稱作殘存金屬)時，該殘存金屬亦可擴散至銀或銀合金層中，而形成該殘存金屬固熔於由銀或銀合金構成之層之銀而成的層。如此所形成之由銀與該金屬之固熔體構成之銀合金的層中，該銀以外之金屬之濃度梯度自最外層之金屬氧化物層側向內層之銀或銀合金層側而減少。該銀合金層係以僅緩衝層一層之形式而形成，或者以緩衝層與殘存層兩層之形式而形成。此處，所謂緩衝層與殘存層，係根據其銀含有率而區分，將銀80質量%以上之層稱作緩衝層，銀未滿80質量%之層稱作殘存層。
具體而言，銦或錫等金屬自最表層側(金屬氧化物層3側)起具有濃度梯度而含有率逐漸減少。因此，銦或錫等金屬於最表層附近變濃(以更高濃度存在)，即銀濃度更小。於本發明中，所謂殘存層5A，係指銦或錫等之金屬濃度超過20質量%、即銀濃度未滿80%之區域，另一方面，所謂緩衝層，係指銦或錫等之金屬濃度為20質量%以下、銀濃度為80%以上之區域。
此處，緩衝層5與銀合金層2可為相同之層亦可為不同之層。所謂緩衝層5與銀合金層2為相同之層，係指原本之銀合金層(2)之組成直接與緩衝層(5)之組成相同之情形。例如若分別藉由鍍敷而於下層設置銀層，於其上層設置銀以外之金屬(例如In)層，並對該等進行回焊而形成合金，則以一層之形式獲得銀合金層(例如Ag-In層)。若該銀含有率為80質量%以上，則其即為緩衝層。另一方面，所謂緩衝層5與銀合金層2為不同之層，可列舉緩衝層5中形成固熔體之金屬與銀合金層2中之金屬為不同金屬之情形。
對緩衝層等同於原本之銀合金層、即原本之銀合金層直接成為緩衝層之情形進行詳述。於形成銀合金層且於其上被覆銦等並進行加熱擴散之情形時，例如，如下述實施例所示般，表中所示之加熱後之「銀合金層」與「緩衝層」相同。即於實施例中，藉由回焊而配設銀合金層之情形，則於加熱後之「銀合金層」之欄中記入數值，於緩衝層之欄中以「與左相同」之含義記入「←」。附帶而言，於該等實施例中，由於係在回焊形成銀合金層後極薄地被覆銦等，進而於低溫下實施加熱處理，因此不會引起劇烈之擴散，所被覆之銦直接成為氧化皮膜。
殘存層與緩衝層中，殘存金屬(Sn、In、Sb)係由銀與形成固熔體之銀合金所構成，殘存金屬並未作為單體之層而殘留，且殘存金屬未被氧化故不含氧，且不含殘存金屬與銀以外之其他元素。
圖6係本發明之第6實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖，其於導電性基體1設置凹部，並於該凹部內側搭載光半導體元件4。如該實施形態般，本發明之光半導體裝置用引線框架亦可適用於設置凹部以提高聚光性之引線框架形狀。
圖7係本發明之第7實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖，其於導電性基體1設置凹部，並於該凹部內側搭載光半導體元件4，而且僅於該凹部中形成金屬氧化物層3及緩衝層5。於具有凹部之引線框架中，亦可藉由如上述般僅於有助於光半導體元件所發出之光之反射的部分設置金屬氧化物層3及緩衝層5，而適當提高僅反射部之耐蝕性。
作為本發明之其他實施形態，可列舉以下者。
(1)例如於圖1～3及圖5～7所示之實施形態之引線框架中，亦可與圖4所示之實施形態之引線框架同樣局部地形成。
(2)於圖3所示之實施形態之引線框架中，亦可具有緩衝層5。
(3)於圖4～7所示之實施形態之引線框架中，亦可不具有緩衝層5。
(4)於上述具有緩衝層5之任一實施形態(包括圖示之形態與未圖示之形態兩者)之引線框架中，亦可於緩衝層5與金屬氧化物層3之間具有殘存層5A。
(5)於上述具有緩衝層5之任一實施形態(包括圖示之形態與未圖示之形態之兩者)之引線框架中，銀或銀合金層2亦可全部為緩衝層5。此種形態例如為如下情形：分別藉由鍍敷而於下層設置銀層，於其上層設置銀以外之金屬層(例如In層)，在用以進行氧化之加熱處理前對該等2層實施回焊處理，藉此將上述2層完全合金化而形成一層銀合金層，根據銀合金中之銀含有率之上述定義，該層相當於緩衝層5。
綜上所述，本發明之引線框架有以下3種情況：利用由銀以外之金屬構成之金屬層，僅形成「金屬氧化物層3」；形成「金屬氧化物層3」與「緩衝層5」；或者形成「金屬氧化物層3」、「緩衝層5」及「殘存層5A」。
各情況下，所得之引線框架中亦可不具有銀或銀合金層(2)，而以緩衝層(5)將其替代。又，包括金屬氧化物層3之各層亦可如圖4代表性地所示般局部地形成。
半導體裝置用引線框架之製造可使用任意方法，較佳為由銀或銀合金構成之層2、中間層6係藉由鍍敷法而形成。此外，較佳為用以形成金屬氧化物層3之金屬層係藉由鍍敷法(濕式鍍敷法或蒸鍍法等乾式鍍敷法)而形成。
上述圖1～圖7所示之本發明之各實施形態之引線框架以0.001～0.2μm之被覆厚度而形成無色透明或呈銀白色之金屬氧化物層作為最外層，藉此可防止由銀或銀合金構成之層之硫化或氧化，故可防止反射率下降。又，由於銀未於最表面上露出，故亦不表現出光觸媒作用。因此，對樹脂密封後透過樹脂之氣體亦發揮耐蝕性或非分解效果，而可形成反射特性長期良好之光半導體。
又，本發明之引線框架由於最外層為金屬氧化物層3，故與銀或銀合金相比較，與密封樹脂之密接性提高。其結果，由於由銀或銀合金構成之層未露出，因此可減低因濕度等之影響使銀溶出而引起遷移、於所形成之電路內引起短路事故之可能性。
進而，形成於最外層之金屬氧化物層3為無色透明或呈銀白色，且將其厚度控制在0.001～0.2μm，藉此幾乎不存在因色調或厚度所致之反射率下降，可獲得與習知之銀或銀合金同等之反射特性。藉由該等作用，在將本發明之引線框架用於光半導體元件例如LED元件之情形時，即便使光半導體裝置長期發光(點亮)10000小時以上，亦可將該光半導體裝置之亮度降低抑制在數%程度。
又，本發明之引線框架使導電性基體1為銅、銅合金、鋁、鋁合金，藉此反射率特性較佳且容易於其表面上形成皮膜。進而，本發明之引線框架係散熱特性優異，可將發光元件發光時所產生之發熱(熱能)經由引線框架而順利地釋出至外部。藉此有望實現發光元件之長使用壽命化及長期的反射率特性之更加穩定化。
又，於本發明之引線框架中，於導電性基體與由銀或銀合金構成之層之間形成至少一層之中間層，該中間層由選自由鎳、鎳合金、鈷、鈷合金、銅、及銅合金所組成之群中之金屬或合金構成，藉此可防止構成導電性基體之材料因發光元件發光時所產生之發熱而朝由銀或銀合金構成之層擴散所引起的反射率特性之劣化，反射率特性成為長期之可靠性更高者，又，導電性基體與由銀或銀合金構成之層之密接性進一步提高。此處，該中間層之厚度係考慮壓製性、成本、生產性、耐熱性等而決定。於通常條件之情形時，該中間層之總厚較佳為0.2～2.0μm，更佳為0.5～1.0μm。又，亦能以複數層而形成中間層，但通常考慮到生產性，較佳為設定為2層以下。於形成2層以上之中間層之情形時，若分別由上述金屬或合金(中間層構成材料)形成各層且使合計層厚在上述範圍內，則各層可由彼此相同之材料形成亦可由不同材料形成，其厚度亦係可彼此相同或亦可不同。
又，本發明之引線框架藉由將由銀或銀合金所構成之層之厚度設為0.2μm以上，可確保長期可靠性，且藉由將由銀或銀合金構成之層2之厚度設為5.0μm以下，可不使用必要程度以上之貴金屬而實現成本下降。其原因在於，長期可靠性之效果於由銀或銀合金構成之層之厚度為5.0μm時飽和。由銀或銀合金構成之層2之厚度較佳為0.2μm～5.0μm，更佳為0.5～3.0μm。又，銀或銀合金只要形成至少一層以上即可，故亦可為複數層，但考慮到成本方面，較佳為設定為2層以下。於形成2層以上之銀或銀合金層之情形時，若分別由銀或上述銀合金形成各層且使合計層厚在上述範圍內，則各層可由彼此相同之材料形成亦可由不同材料形成，其厚度亦係可彼此相同或亦可不同。
又，對於本發明之引線框架而言，形成於最外層之金屬氧化物層3較佳為由含有錫、銦、銻中之至少一種元素之金屬氧化物所構成，藉此可形成不易使反射率下降之無色透明或銀白色之金屬氧化物層，且可使耐蝕性及生產性良好。此外，就可靠性之觀點而言，藉由將最外層之厚度設為0.001μm以上、0.2μm以下，即不會使光之反射率下降而可確保長期可靠性。其原因在於，若金屬氧化物層之厚度過薄，則可能耐蝕性變得不充分，又，若金屬氧化物層之厚度過厚，則可能可見光區之反射率大幅下降。金屬氧化物層之被覆厚度較佳為0.005～0.05μm之範圍。
此外，為了於引線框架之表層形成0.001μm以上、0.2μm以下之金屬氧化物層，只要首先於配設於導電性基體上之銀或金屬合金層上、或者於配設於該銀或金屬合金層上之中間層上，於0.001～0.3μm之範圍內形成金屬層，繼而將此金屬層之金屬氧化而形成所需之金屬氧化物即可。在銀皮膜正上方被覆金屬並進行了加熱處理時，有時會產生對於形成氧化皮膜而言為多餘之殘存金屬成分(未被氧化而殘留)的情形。此情形下，若金屬氧化物層(氧化皮膜)之厚度與殘存金屬層之厚度合計超過0.2μm，則有時會有反射特性下降之情形。因此，重要的是將金屬氧化物層與銀或銀合金層之密接性保持為良好同時不使反射率下降，且重要的是於所形成之氧化皮膜厚之1～20倍之範圍內而且最大被覆厚度不超過0.3μm之範圍內形成金屬層。關於金屬層被覆厚度，較佳為0.001～0.3μm，更佳為0.005～0.1μm之範圍。
以下，對本發明之實施形態之引線框架之製造方法進行說明。本發明之實施形態之引線框架之製造方法包括如下步驟：於導電性基體上形成由銀或銀合金構成之層；於上述由銀或銀合金構成之層之表面，形成由銀以外之金屬構成之金屬層；以及於100℃以上且上述銀以外之金屬之熔點以下的溫度下，於氧濃度超出1000ppm以上之環境下實施加熱處理，藉此於表層形成金屬氧化物層，並且於未受到該加熱處理之氧化而殘存的上述金屬層之殘存金屬成分存在之情形時，使該殘存金屬朝上述由銀或銀合金構成之層擴散。
關於環境中之氧濃度，為了形成金屬氧化物層而較佳為1000ppm以上，亦可於大氣中進行加熱處理。熱處理溫度較佳為100～300℃，更佳為100～200℃，較佳為選擇基材不會因熱處理而軟化或變質之溫度。關於加熱處理時間，較理想為於1秒至48小時之範圍內適當進行，可藉由適當調整氧濃度或熱處理時間而控制金屬氧化物層之厚度。進而，藉由熱處理使殘存金屬部分完全或部分地擴散至銀或銀合金中，藉此於銀或銀合金層與金屬氧化物層之界面附近形成具有金屬成分向銀或銀合金側減少之濃度梯度的銀合金，藉由該效果，使晶格應變逐漸緩和而使密接性提高。此外，此處可認為，即便由銀或銀合金與上述金屬成分而新形成銀合金，亦不會使光之反射率下降，與原本形成之銀或銀合金之厚度相加而形成銀合金。
又，關於對於形成氧化膜而言為多餘之金屬成分，當使其完全擴散至銀或銀合金中(該完全擴散之情形時，僅形成緩衝層5)時，反射率之下降較少故較為理想，而於未完全擴散至銀或銀合金層中(該未完全擴散之情形時，緩衝層與殘存層兩者均形成)時，較理想為氧化膜與殘存金屬成分層各自之厚度合計為0.2μm以下。於較其更厚之情形時，有銀或銀合金之反射率之有效應用變困難、光之反射率大幅下降之傾向。加熱處理方法可適當選擇批次處理或在線式等之加熱處理方法。
又，本發明之實施形態之引線框架之製造方法利用鍍敷法形成由銀或銀合金構成之層，藉此可容易地調整該由銀或銀合金構成之層之厚度。又，作為其他形成方法，有包覆法或濺鍍法，但該等方法係厚度之控制較困難且成本變高。
又，本發明之實施形態之引線框架之製造方法利用鍍敷法形成由銀或銀合金構成之層及上述中間層，藉此可容易地調整該由銀或銀合金所構成之層及中間層之厚度。又，作為其他形成方法，雖有包覆法或濺鍍法，但該等方法係厚度之控制較困難且成本變高。
又，本發明之實施形態之引線框架之製造方法利用鍍敷法(濕式鍍敷法或蒸鍍法等乾式鍍敷法)形成用以形成上述金屬氧化物層之金屬層，藉此可有效地形成薄且緻密之氧化皮膜。其係用以使由銀或銀合金構成之層之耐蝕性提昇的重要方法。作為其他方法雖有包覆法，但由於其為機械被覆法，故會因軋壓之凹凸之影響而難以獲得緻密且均勻之被覆，且極難穩定地形成0.2μm以下之較薄皮膜。
又，本發明之實施形態之光半導體裝置在光半導體裝置用引線框架之至少搭載光半導體元件之部位設有上述金屬氧化物層(如圖4及圖7代表性所示般，如上述般局部地形成)，藉此能以低成本而有效地獲得反射率特性。其原因在於，藉由僅於光半導體元件之搭載部形成金屬氧化物層，只要可防止由銀或銀合金構成之層之變質，便不會對反射率特性造成較大影響。
此處，例如關於未搭載光半導體裝置之部位，由銀或銀合金構成之層亦可於表面露出。此情形下，金屬氧化物層亦可局部地形成於由銀或銀合金構成之層上，例如亦能以條紋狀鍍敷或點狀鍍敷等局部鍍敷形成用以形成金屬氧化物層之金屬層。製造金屬氧化物層局部地形成之引線框架時，可削減不需要部分之金屬使用量，故可製成可善待環境且低成本之光半導體裝置。此外，若使由銀或銀合金構成之層於表面露出，則可容易地確保焊錫潤濕性，可獲得在構裝時有用之效果。
[實施例]
以下，根據實施例對本發明進行更詳細說明，但本發明不限定於此。
(實施例1)
作為實施例1，對厚0.2mm、寬50mm之表1-1、1-2所示之導電性基體進行以下所示之前處理後，實施以下所示之鍍敷處理，於大氣環境下，使用恆溫槽(Espec公司製造)，於100～200℃下實施1～48小時之熱處理，藉此製成表1-1、1-2所示構成之發明例1～48、習知例1及比較例1～10之引線框架。於進行表中所示之「回焊」處理之情形時，首先分別使用鍍敷液而形成銀層與銀以外之金屬(In、Sn、Sb中之任一者)之層，於上述熱處理前對其實施回焊，藉此形成銀合金層(Ag-In、Ag-Sn、Ag-Sb中之任一者)層，其後設置金屬層，進而與上述同樣地進行加熱處理，藉此形成金屬氧化物層。此外，引線框架只要無特別說明，則為圖1所示之第1實施形態之引線框架。
對緩衝層等同於原本之銀合金層、即原本之銀合金層直接成為緩衝層之情形加以詳述。於形成銀合金層且於其上被覆銦等並進行加熱擴散之情形時，加熱後之「銀合金層」與「緩衝層」相同。具體而言，相當於藉由回焊而配設銀合金層之情形。附帶而言，於該等實施例中，在回焊形成銀合金層後極薄地被覆銦等，進而於低溫下實施加熱處理，故不會引起劇烈之擴散，所被覆之銦等直接成為氧化皮膜。
此處，表1-1、1-2所示之中間層厚、銀或銀合金層厚係以平均值(任意10點之測定值之算術平均)計之厚度。各層厚係使用螢光X射線膜厚測定裝置(SFT9400：商品名，SII公司製造)而測定。
於被用作導電性基體之材料中，「C19400(Cu-Fe系合金材料：Cu-2.3Fe-0.03P-0.15Zn)」、「C52100(磷青銅：Cu-8Sn-P)」、及「C77000(銅鎳鋅合金：Cu-18Ni-27Zn)」表示銅合金之基體，C後之數值表示依據CDA(Copper Development Association)規格之種類。此外，各元素前之數值之單位為質量%。
又，「A1100」、「A2014」、「A3003」、及「A5052」表示鋁或鋁合金之基體，分別於日本工業規格(JIS H4000：2006等)中規定其成分。
又，「SUS304」、及「42 Alloy」表示鐵系基體，「SUS304」表示日本工業規格(JIS G 4305：2005)規定之不鏽鋼(Fe-18Cr-8Ni-0.06C)，「42 Alloy」表示含有42質量%之Ni的鐵合金。
作為前處理，對導電性基體中之銅合金基體、及鐵系基體進行下述電解脫脂，繼而進行下述酸洗。又，對鋁基體及鋁合金基體進行以下之電解脫脂、酸洗、鋅置換。
(前處理條件)
[電解脫脂]
脫脂液：NaOH 60g/l(升)
脫脂條件：2.5 A/dm2 、溫度60℃、脫脂時間60秒
[酸洗]
酸洗液：10%硫酸
酸洗條件：浸漬30秒、室溫
[鋅置換]基體為鋁時使用
鋅置換液：NaOH 500g/l、ZnO 100g/l、酒石酸(C4 H6 O6 )10g/l、FeCl2 2g/l
處理條件：浸漬30秒、室溫
將實施例1中所使用之各鍍敷之鍍數液組成及鍍敷條件表示如下。
[鍍Cu]
鍍敷液：CuSO4 ‧5H2 O 250g/l、H2 SO4 50g/l、NaCl 0.1g/l
鍍敷條件：電流密度6A/dm2 、溫度40℃
[鍍Ni]
鍍敷液：Ni(SO3 NH2 )2 ‧4H2 O 500g/l、NiCl2 30g/l、H3 BO3 30g/l
鍍敷條件：電流密度5A/dm2 、溫度50℃
[鍍Co]
鍍敷液：Co(SO3 NH2 )2 ‧4H2 O 500g/l、CoCl2 30g/l、H3 BO3 30g/l
鍍敷條件：電流密度5A/dm2 、溫度50℃
[鍍Ag]
鍍敷液：AgCN 50g/l、KCN 100g/l、K2 CO3 30g/l
鍍敷條件：電流密度1 A/dm2 、溫度30℃
[鍍Ag-Sn合金](不進行回焊)
鍍敷液：KCN 100g/l、NaOH 50g/l、AgCN 10g/l、K2 Sn(OH)6 80g/l
鍍敷條件：電流密度1A/dm2 、溫度40℃
[鍍Ag-Pd合金](不進行回焊)
鍍敷液：KAg[CN]2 20g/l、PdCl2 25g/l、K4 O7 P2 60g/l、KSCN 150g/l
鍍敷條件：電流密度0.5A/dm2 、溫度40℃
[鍍Ag-In合金](不進行回焊)
鍍敷液：KCN 100g/l、NaOH 50g/l、AgCN 10g/l、InCl3 1～20g/l
鍍敷條件：電流密度2A/dm2 、溫度30℃
[鍍Sn]
鍍敷液：SnSO4 80g/l、H2 SO4 80g/l
鍍敷條件：電流密度2A/dm2 、溫度30℃
[鍍In]
鍍敷液：InCl3 45g/l、KCN 150g/l、KOH 35g/l、糊精35g/l
鍍敷條件：電流密度2A/dm2 、溫度20℃
[鍍Sb]
鍍敷液：KSb(C4 H2 O6 )‧1.5H2 O 100g/l、KNaC4 H4 O6 ‧4H2 O 50g/l、KOH 10g/l
鍍敷條件：電流密度1A/dm2 、溫度30℃
上述鍍Sn、鍍In、鍍Sb係於鍍Ag後進行，進而藉由實施回焊而分別合金化成為Ag-Sn合金、Ag-In合金、Ag-Sb合金。
(評價方法)
藉由下述試驗及基準，對藉由上述條件所得之發明例、比較例、及習知例之引線框架進行評價。將其結果示於表2-1、2-2中。
(1)反射率測定：於分光光度計(U-4100(商品名，Hitachi High-Technologies公司製造))中，於400nm～800nm之範圍內對全反射率實施連續測定。其中，將400nm、600nm、及800nm中之反射率示於表2-1、2-2中。
(2)金屬氧化物層之厚度：於AES測定裝置(Model-680(商品名，Ulvac-Phi公司製造)中，實施深度方向分析，將濺鍍速率換算成厚度而計算出厚度。將所測定之金屬氧化物層、殘存層、緩衝層之厚度示於表1-1、1-2中。此外，根據測定結果，將銀之含有率未滿80質量%之區域作為殘存層，80質量%以上之區域作為緩衝層。
(3)耐蝕性：對硫化試驗(JIS H8502中所記載)、H2 S 3ppm、24小時後之腐蝕狀態實施分級(RN，Rating Number)評價。將結果示於表2-1、2-2中。此外，此處，當級別為9以上之情形時，係指即便將光半導體元件(LED元件)點亮40000小時，亮度下降亦小至數%程度。
(4)硫化試驗後之反射率測定：反射率測定：於分光光度計(U-4100(商品名，Hitachi High-Technologies公司製造))中，於400nm～800nm之範圍內對全反射率實施連續測定。根據其結果，求出600nm中硫化試驗後之反射率相對於硫化試驗前之反射率之比(%)作為耐蝕性。將結果示於表2-1、2-2中。
(5)散熱性(導熱性)：將導電性基材之導電率以IACS(International Annealed Copper Standard，國際退火銅標準)計為10%以上者視為導熱性較高而評價為「良」，將小於10%者視為導熱性較低而評價為「否」，示於表2-1、2-2中。其原因在於，導電率與導熱性大致成比例關係，將具有以IACS計為10%以上之導電率者判斷為導熱性較佳而散熱性亦較高。又，其原因在於，若導電性基材之導電率較高，則亦可抑制導電性基材自身之發熱，故較佳。此外，該項目係用於參考而示出者，只要滿足上述(1)～(4)之各項目評價，則即便不滿足(5)之項目評價，該樣品亦藉由選擇不要求高散熱性之用途而於實用方面不存在問題。
此外，關於表中所示之加熱後之「銀合金層」與「緩衝層」相同之情形、即藉由回焊而配設銀合金層之情形，於加熱後之「銀合金層」之欄中記入層厚等數值，於緩衝層之欄中以「與左相同(與銀合金層相同)」之含義而記入「←」。
[表1-1]
[表1-2]
[表2-1]
[表2-2]
以下，對各試驗例表中之緩衝層及殘存層之厚度進行說明。
於發明例4～6、9、10、33～38及比較例2、3、6、8中，若利用由銦等金屬構成之金屬層被覆並進行加熱處理，則該金屬之殘存成分擴散至銀層之表層側，藉此形成緩衝層或殘存層。因此，根據緩衝層或殘存層中所含之銀之量，金屬層厚≠(金屬氧化物層厚+緩衝層厚+殘存層厚)。表中，示出上述擴散後之厚度作為各層之厚度。
於發明例26～30與比較例4中，對鍍銀與其上所設置之鍍銦鍍錫等進行回焊，藉此於以銦或錫等進行被覆之前形成銀合金層。該銀合金層由於預先進行了回焊處理，故銀與其他金屬均勻地擴散而為濃度分佈均勻之銀合金，根據上述本發明中之緩衝層之定義而為表中之緩衝層。又，最表層之金屬層厚度較薄，故加熱後全部成為氧化皮膜。並且，關於記錄時之厚度，示出擴散後之厚度。
於比較例5中，預先藉由回焊處理而形成1μm之Ag-In合金，且由於其溫度為600℃之高溫，故銀合金層中之銦之一部分上升至表層側而變濃。藉由在回焊後實施加熱處理而形成變濃部分較薄之氧化皮膜，但無法獲得充分之耐蝕性。此外，與上述同樣，表中之厚度係以擴散後之厚度表示。
於比較例6中，由於「未進行加熱處理」，故銦於表層濃化而殘存。若干部分於鍍敷後與擴散至銀而形成緩衝層，但與進行加熱處理之其他試驗例相比較，緩衝層之厚度變得極薄。於該比較例6中，由於並非熱處理後之擴散後，故將剛於最表層進行銦被覆後之厚度示於表中。
根據該等結果明確可知，各發明例雖然與習知例相比較有可見光區之反射率稍有下降之情形，但滿足要求反射率，且耐蝕性試驗後之穩定性非常優異。可知，特別在銅、銅合金、鋁或鋁合金上形成由銀或銀合金構成之層，並於其上層設置金屬氧化物層，藉此硫化試驗後之反射率亦幾乎未下降，而可獲得耐蝕性優異之引線框架材，從而可明確，若將其應用於光半導體裝置，則表現出非常優異之反射率特性及長期可靠性。此外，於發明例1～48中，於波長400nm～800nm之可見光區之全區域中反射率為80%以上，可確認反射率良好。
對本發明與其實施態樣一併進行了說明，但本發明者們認為，只要無特別指定，則於說明之任一細微處均未限定該發明，而應於不違反隨附之申請專利範圍所示之發明精神與範圍的情況下作廣義上之解釋。
本申請案係主張基於2009年7月10日於日本提出申請之日本特願2009-164132、及2010年6月9日於日本提出申請之日本特願2010-131605之優先權，該等均係以參照方式將其內容作為本說明書之記載之一部分而併入至本說明書中。
1．．．導電性基體
2．．．由銀或銀合金構成之層
3．．．金屬氧化物層
4．．．光半導體元件
5．．．緩衝層
5A．．．殘存層
6．．．中間層
7．．．接合線
圖1係本發明之第1實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖。
圖2係本發明之第2實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖。
圖3係本發明之第3實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖。
圖4係本發明之第4實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖。
圖5係本發明之第5實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖。
圖6係本發明之第6實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖。
圖7係本發明之第7實施形態之光半導體裝置用引線框架之概略剖面圖。
1．．．導電性基體
2．．．由銀或銀合金構成之層
3．．．金屬氧化物層
4．．．光半導體元件
7．．．接合線

Claims (20)

  1. 一種光半導體裝置用引線框架，其係於導電性基體上形成有由銀或銀合金構成之層者，其特徵在於：上述由銀或銀合金構成之層合計含有20質量%以下的選自錫、銦、銻之群中之一種以上的元素；於上述由銀或銀合金構成之層之外層，具有選自由錫、銦、銻所組成之群中之一種以上的元素所構成之銀以外之金屬之金屬氧化物層，該金屬氧化物層為無色透明或呈銀白色，且厚度為0.001μm以上、0.2μm以下；於上述由銀或銀合金構成之層與上述金屬氧化物層之間形成緩衝層，該緩衝層含有由選自由錫、銦、銻所組成之群中之一種以上的元素所構成之上述銀以外之金屬與銀，該緩衝層之銀濃度為80%以上，上述由銀或銀合金構成之層與緩衝層之合計厚度為0.2μm以上、5.0μm以下。
  2. 如申請專利範圍第1項之光半導體裝置用引線框架，其中JIS H8502所記載之硫化試驗(H2 S 3ppm、40℃、80%)24小時後之評價值為9.8以上。
  3. 如申請專利範圍第1項之光半導體裝置用引線框架，其中於上述銀合金層與緩衝層之間形成殘存層，該殘存層含有由選自由錫、銦、銻所組成之群中之一種以上的元素所構成之上述銀以外之金屬與銀，該殘存層之銀濃度為80%未滿。
  4. 如申請專利範圍第2項之光半導體裝置用引線框架，其中於上述銀合金層與緩衝層之間形成殘存層，該殘 存層含有由選自由錫、銦、銻所組成之群中之一種以上的元素所構成之上述銀以外之金屬與銀，該殘存層之銀濃度為80%未滿。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之光半導體裝置用引線框架，其中上述導電性基體係由選自由銅、銅合金、鋁或鋁合金所組成之群中之金屬或合金所構成。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之光半導體裝置用引線框架，其中於上述導電性基體與上述由銀或銀合金構成之層之間形成有至少一層之中間層，該中間層由選自由鎳、鎳合金、鈷、鈷合金、銅及銅合金所組成之群中之金屬或合金所構成。
  7. 如申請專利範圍第5項之光半導體裝置用引線框架，其中於上述導電性基體與上述由銀或銀合金構成之層之間形成有至少一層之中間層，該中間層由選自由鎳、鎳合金、鈷、鈷合金、銅及銅合金所組成之群中之金屬或合金所構成。
  8. 一種光半導體裝置用引線框架之製造方法，其係製造申請專利範圍第1至7項中任一項之光半導體裝置用引線框架之方法，其特徵在於包含：於導電性基體上形成由銀或銀合金構成之層之步驟；於上述由銀或銀合金所構成之層之外表面，形成由選自由錫、銦、銻所組成之群中之一種以上的元素所構成之銀以外之金屬構成之金屬層之步驟；以及於100℃以上、200℃以下之溫度，於氧濃度為1000ppm 以上之環境下實施1~48小時加熱處理，藉此於表層形成由上述銀以外之金屬之氧化物所構成之金屬氧化物層之步驟；在藉由上述加熱處理，使上述銀以外之金屬固熔於上述由銀或銀合金構成之層，於上述銀金屬氧化物層與上述由銀或銀合金構成之層之間，形成含有銀與上述銀以外之金屬之緩衝層時，係使該緩衝層之銀濃度為80%以上。
  9. 如申請專利範圍第8項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中藉由上述加熱處理，於上述由銀或銀合金構成之層與緩衝層之間形成含有銀與上述銀以外之金屬之殘存層，該殘存層之銀濃度為80%未滿。
  10. 如申請專利範圍第8項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中上述加熱處理前之金屬層之厚度為0.001μm以上、0.3μm以下。
  11. 如申請專利範圍第9項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中上述加熱處理前之金屬層之厚度為0.001μm以上、0.3μm以下。
  12. 如申請專利範圍第8項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中形成上述由銀或銀合金構成之層之步驟係藉由鍍敷法之步驟。
  13. 如申請專利範圍第9項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中形成上述由銀或銀合金構成之層之步驟係藉由鍍敷法之步驟。
  14. 如申請專利範圍第10項之光半導體裝置用引線框 架之製造方法，其中形成上述由銀或銀合金構成之層之步驟係藉由鍍敷法之步驟。
  15. 如申請專利範圍第11項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中形成上述由銀或銀合金構成之層之步驟係藉由鍍敷法之步驟。
  16. 如申請專利範圍第8至15項中任一項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其進一步具有於上述導電性基體與上述由銀或銀合金構成之層之間藉由鍍敷法形成中間層之步驟。
  17. 如申請專利範圍第8至15項中任一項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中形成上述由銀以外之金屬構成之金屬層之步驟係藉由鍍敷法。
  18. 如申請專利範圍第16項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中形成上述由銀以外之金屬構成之金屬層之步驟係藉由鍍敷法。
  19. 如申請專利範圍第17項之光半導體裝置用引線框架之製造方法，其中形成上述由銀以外之金屬構成之金屬層之步驟係藉由鍍敷法。
  20. 一種光半導體裝置，其具備申請專利範圍第1至7項中任一項之光半導體裝置用引線框架及光半導體元件，其特徵在於：於上述光半導體裝置用引線框架之至少搭載上述光半導體元件之部位設有金屬氧化物層。
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