JP2005129970A

JP2005129970A - 半導体装置用リードフレーム

Info

Publication number: JP2005129970A
Application number: JP2005031406A
Authority: JP
Inventors: Hidekazu Tomohiro; 秀和友廣
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2005-02-08
Filing date: 2005-02-08
Publication date: 2005-05-19

Abstract

【課題】リードフレーム１の被膜層の影響により、反射率の低下を起こすことの無い、信頼性が高い半導体装置用リードフレームを提供することを目的とする。
【解決手段】リードフレーム１に第一被膜層８を形成し、第一被膜層８の上に第二被膜層９を形成し、第二被膜層９の上に第三被膜層１０としてＲｈ被膜層を形成するものであり、めっき表面の色調の影響を受けにくいめっきをリードフレームに施すことで、反射率に優れた表面状態に形成する。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体装置用リードフレームの特に表面反射率の改善に関するものである。

従来の半導体装置用リードフレームとしては、リードフレームに耐食性、はんだ付け性を向上させるために、複数層のめっき被膜を形成しているものがあった（例えば、特許文献１参照）。

図２は、前記特許文献１に記載された従来の半導体装置用リードフレームを示すものである。

従来から、Ｐｂフリー対応の半導体装置用リードフレームとしては、図２に示した特許文献１にも開示されているように、図２（ａ）は上面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＹ−Ｙ′線に沿った断面図である。図２（ａ）、（ｂ）において、１０１は素材が特に限定されることのない、ＦｅまたはＦｅ−Ｎｉ合金やＣｕまたはＣｕ合金などからなるリードフレーム、１０２はアウターリード、１０３はインナーリード、１０４は半導体素子（図示せず。）が載置される素子載置部、１０５は支持バー、１０６はフレーム、１０７はフレーム１０６が連結されるセクションバーであり、リードフレーム１０１上には、Ｎｉめっきなどの第一被膜層１０８が形成され、第一被膜層１０８上には、ＰｄまたはＰｄ合金などからなる第二被膜層１０９が形成され、第二被膜層１０９上にはＡｕめっき被膜１１０が形成されている。Ａｕめっき被膜１１０はリードフレーム１０１の全面に形成するか、少なくともアウターリード１０２上に形成されている。これは、Ａｕめっき被膜１１０がＰｄまたはＰｄ合金などからなる第二被膜層を保護し、ＰｄまたはＰｄ合金などからなる第二被膜層が下地被膜として効果的に作用し、Ａｕめっき被膜１１０は薄くともはんだ付け性の向上を図るものである。
特開平４−１１５５５８号公報

上記従来の構成では、Ａｕめっき被膜１１０の影響で、めっき表面の色調に濁りが生じ、表面の光沢が悪くなり、発光効率が低下するという問題があった。近年、半導体装置用リードフレームは発光ダイオード（以下、ＬＥＤと呼ぶ）や半導体レーザー（以下、ＬＤと呼ぶ）などにも用いられ、例えばＬＥＤは砲弾型や表面実装型など様々な形態にパッケージングされ、テレビやエアコンなどリモート・コントロール用の送信部や、ＬＣＤディスプレイやプロジェクションディスプレイなどの光源などあるいは、照明機器など広範囲な分野に利用されている。

一方、必要な光量を得る手段として、予め出力が大きな素子を搭載し光量を得る方法が一般的であった。しかし、最近では青色や紫色などの高輝度、高周波数、高出力、の発光素子が用いられ、さらなる発光効率の向上や低消費電力が要求されている。また、反射率のよいＡｇめっき被膜を形成することも考えられるが、Ａｇめっきにはマイグレーションという問題がある。

本発明は、上記問題を解決するものであり、めっき表面の色調の影響を受けにくいめっきをリードフレームに施すことで、発光効率を向上し低消費電力の半導体装置に用いる発光装置の提供を目的とする。

上記課題を解決するために本発明の半導体装置用リードフレームは、素材面に第一被膜層が形成され、第一被膜層上に第二被膜層が形成され、第二被膜層上に第三被膜層が形成されたものであり、さらに、第二被膜がＰｄまたはＰｄ合金、第三被膜がＲｈ被膜である。

また、素子載置部とインナーリード部とアウターリード部とに第一被膜層が形成され、第一被膜層上に第二被膜層が形成され、第二被膜層上に第三被膜層が形成されたものであり、さらに、第二被膜がＰｄまたはＰｄ合金、第三被膜がＲｈ被膜である。

これによれば、半導体装置用リードフレーム表面の反射率に優れる。

以上説明したように本発明によれば、表面にＲｈ被膜を形成することで、反射率に優れた半導体装置用リードフレームを提供することができる。

（実施の形態）
以下、本発明の一実施形態について図面を参照しながら説明する。図１（ａ）は本発明に係る半導体装置用リードフレームを示した上面図、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるＸ−Ｘ′線に沿った断面図である。図１（ａ）、（ｂ）において、１は素材が特に限定されることのない、ＦｅまたはＦｅ−Ｎｉ合金やＣｕまたはＣｕ合金などからなるリードフレーム、２はアウターリード、３はインナーリード、４は半導体素子（図示せず。）が載置される素子載置部、５は支持バー、６はフレーム、７はフレーム６が連結されるセクションバーであり、リードフレーム１上には、Ｎｉめっきなどの第一被膜層８として例えばＮｉめっきが０．５μmから２．０μm形成され、第一被膜層８上には、ＰｄまたはＰｄ合金などからなる第二被膜層９として例えばＰｄめっきが０．００５μmから０．１５μm形成され、第二被膜層９上にはＲｈめっき被膜１０が０．００３μmから０．０５μm形成されている。

詳細の構成を下記に説明する。リードフレーム１は、フープ条材（図示せず。）を連続プレス加工により、両端縁におけるフレーム６をセクションバー７にて互いに連結されている。フレーム６にアウターリードが内向きに形成され、セクションバーから支持バーを介して素子載置部４が形成されている。アウターリード２から、さらに内側に延在したインナーリード３が形成されている。このとき、第三被膜層に０．００３μmから０．０１μmなるＲｈめっき被膜を形成することで、ＬＥＤ素子を搭載したときの発光効率表面の反射率が優れた表面状態となる。また、第一被膜層にＮｉめっき、第二被膜層にＰｄまたはＰｄ合金めっきを施し鉛フリー化を果たすものである。表１は従来の被膜構成と本発明による被膜構成との反射率とを比較したものであり、４００ｎｍから７００ｎｍの波長での反射率が約２０％向上するものである。

第三被膜層のＲｈめっきは、素子載置部４とインナーリード３部のみ部分選択めっきを施し、アウターリード２の第三被膜としては、Ａｕめっきを施すことで、はんだ付け性にも優れるものである。

以上、本発明による半導体装置用リードフレームについて説明したが、本発明の思想に逸脱しない限り適宜変更可能である。

半導体装置用リードフレームの特に表面反射率の改善として有用であり、特に光半導体素子を搭載する半導体装置用リードフレームに適している。

本発明の実施形態による半導体装置用リードフレームを示すもので、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＸ−Ｘ’線に沿った断面図従来例の半導体装置用リードフレームを示すもので、（ａ）は上面図、（ｂ）は（ａ）のＹ−Ｙ’線に沿った断面図

符号の説明

１リードフレーム
２アウターリード
３インナーリード
４素子載置部
５支持バー
６フレーム
７セクションバー
８第一被膜層
９第二被膜層
１０第三被膜層
１０１リードフレーム
１０２アウターリード
１０３インナーリード
１０４素子載置部
１０５支持バー
１０６フレーム
１０７セクションバー
１０８第一被膜層
１０９第二被膜層
１１０第三被膜層

Claims

素材面に第一被膜層が形成され、前記第一被膜層上に第二被膜層が形成され、前記第二被膜層上に第三被膜層が形成されたことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
前記第二被膜がＰｄまたはＰｄ合金、前記第三被膜がＲｈ被膜であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置用リードフレーム。
素子載置部とインナーリード部とアウターリード部とに第一被膜層が形成され、前記第一被膜層上に第二被膜層が形成され、前記第二被膜層上に第三被膜層が形成されたことを特徴とする半導体装置用リードフレーム。
前記第二被膜がＰｄまたはＰｄ合金、前記第三被膜がＲｈ被膜であることを特徴する請求項３記載の半導体装置用リードフレーム。