JP4966199B2 - Led光源 - Google Patents
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Description
本実施の形態1によるLED光源の構造を図1および図2を用いて説明する。図1はRGB3原色の赤色LED(R)、緑色LED(G)および青色LED(B)の3個のLEDを用いたLED光源(以下、単にRGB3原色LED光源と略す)1Aの要部平面図、図2は青色LEDチップを蛍光体で覆う白色LED(W)を用いたLED光源(以下、単に白色LED光源と略す)1Bの要部平面図である。RGB3原色LED光源1Aは、各色の発光スペクトルのピークが顕著に現れるので鮮明な色彩が得られ、また色の再現性が良いなどの利点を有する。白色LED光源1Bは、白色発光が1個のLEDから構成されるので、白色LED光源1Bから拡散板10までの距離を短くでき、RGB3原色LED光源1Aを使用する場合よりもバックライト4の薄型化(例えば0.35mm程度の厚さ)が可能となる。
前記図4には、ダイボンドエリアとタイバーとが交互に配置された2列のフレーム3を例示したが、フレームの形状はこれに限定されるものではない。以下、本実施の形態1によるフレームの様々な形状を図8〜図13に例示する。
RBG3原色LED光源1Aでは、フレームに搭載する緑色LEDの数を他の赤色LEDまたは青色LEDの数よりも増やすことにより、白色効率の向上を図ることができる。以下、本実施の形態1による白色効率を向上させるための赤色LED、青色LEDおよび緑色LEDの様々な配置を図15〜図18に例示する。フレームにはダイボンドエリア17がy方向に等間隔で配置された4列の第2フレーム16d(前記図11(b))を用いる。
LEDの発光効率にばらつきがあると輝度が変わり、LED光源に現れる色むらや濃淡が問題となる。そこで、本実施の形態1では、前工程または拡散工程と呼ばれる製造工程において半導体ウエハ上に複数個のLEDチップを形成した後、各LEDチップの電気的・光学的特性を測定し、その特性データをフロッピーディスク(登録商標)などの記憶媒体に保存するまたはネットワークを経由してデータベースに格納し、その後、上記特性データを基に同一特性または近似特性を有するLEDチップを自動で選択して、これらLEDチップをフレームに接着する手法を用いる。これにより、発光効率の差異の少ないLEDをフレームに搭載することができるので、色むらや濃淡のないLED光源を得ることができる。
フレームに搭載したLEDが破損しても、LED光源を容易に修理することができる。ここでは、1つの不灯LEDを補充用LEDと交換する方法について説明する。図19は修理方法を説明するためのRGB3原色LED光源1Aの要部平面図である。RGB3原色LED光源1Aは、2列のフレーム3に形成されている。
リール・トウ・リール(Reel to reel)方式を用いたLED光源の組み立て方法について説明する。図20はリール・トウ・リール方式を用いたLED光源の組み立て装置25の模式図である。一方のリール26に巻き付けたフレーム3を、もう一方のリール27へ巻き付ける間にダイボンディング工程28(前記図3の工程P2)、ワイヤボンディング工程29(前記図3の工程P3)、モールド工程30(前記図3の工程P4)およびタイバーカット工程31(前記図3の工程P5)を経ることによって、LEDを連続してフレーム3に搭載する。これにより、リール26,27に巻けることのできる長さの帯状のLED光源を連続して製造することができる。その後、帯状のLED光源は任意の長さに裁断することができるので、汎用性を有するLED光源を製造することができる。
本実施の形態2によるLED光源を図21を用いて説明する。図21(a)は赤色LED(R)、緑色LED(G)および青色LED(B)を用いたRGB3原色LED光源32Aの要部平面図、図21(b)は青色LEDチップを蛍光体で覆う白色LED(W)を用いた白色LED光源32Bの要部平面図を示す。本実施の形態2では、前記実施の形態1の前記図1および図2に示した2列のフレーム3に形成されたRGB3原色LED光源1Aまたは白色LED光源1Bをx方向に、例えばセパレート機を用いて背割りすることにより、1列のRGB3原色LED光源32Aを2つ、または1列の白色LED光源32Bを2つ製造している。このように、2列のフレーム3にLED2を搭載した後、背割りして1列のRGB3原色LED光源32Aまたは1列の白色LED光源32Bを製造する方法は、1列のフレーム3にLEDを搭載して1列のLED光源を製造する方法よりも製造時間を短縮することができる。さらに、フレーム3を背割りすることにより、RGB3原色LED光源32Aまたは1列の白色LED光源32Bの間隔の調整または光度の調整を容易に行うことができる。
本実施の形態3によるLED光源への電源の接続方法の一例を図22〜図25に示す。図22(a)および(b)はそれぞれ2列のフレーム33に形成され、そのフレーム33の一方の端部から電圧が印加されるRGB3原色LED光源34Aおよび白色LED光源34Bの要部平面図、図23(a)および(b)はそれぞれ2列のフレーム35に形成され、そのフレーム35の両方の端部から電圧が印加されるRGB3原色LED光源36Aおよび白色LED光源36Bの第1例の要部平面図、図24(a)および(b)はそれぞれ2列のフレーム37に形成され、そのフレーム37の両方の端部から電圧が印加されるRGB原色LED光源38Aおよび白色LED光源38Bの第2例の要部平面図、図25は4列のフレーム39に形成され、そのフレーム39の両方の端部から電圧が印加される白色LED光源40の要部平面図である。
本実施の形態4による反射板の設置方法の一例を図27〜図30に示す。図27および図28は平板型の反射板50を用いたLED光源51の要部断面図、図29および図30は凹型の反射板52を用いたLED光源53の要部断面図である。反射板50,52は、例えばシート(フィルムまたは板)であり、その厚さは、例えば0.5mm程度である。
Claims (18)
- 第1の方向に延びる第1フレームと、前記第1フレームから分離された第2フレームと、前記第1フレームと前記第2フレームの間に配置された複数のLEDチップと、を含み、
前記第2フレームは、前記第1フレームの一辺側に前記第1の方向に連続的に延びるように配置される第1リード部と、前記第1フレームの前記一辺と反対側の他辺側に前記第1の方向に連続的に延びるように配置される第2リード部と、前記第1リード部と前記第2リード部を接続し、前記第1の方向と交差する第2の方向に延びるように配置される第3リード部とを有し、
前記複数のLEDチップのうちの複数の第1のLEDチップは、前記第1フレームと前記第2フレームの前記第1リード部の間に、且つ、前記第1の方向に沿ってそれぞれ離間するように配置され、
前記複数のLEDチップのうち複数の第2のLEDチップは、前記第1フレームと、前記第2フレームの前記第2リード部の間に、且つ、前記第1の方向に沿ってそれぞれ離間するように配置され、
前記複数の第1のLEDチップのそれぞれは、第1電極と、前記第1電極とは反対側に位置する第2電極とを有し、
前記複数の第2のLEDチップのそれぞれは、前記第1電極と同一極性の第3電極と、前記第2電極と同一極性からなり、且つ、前記第3電極とは、反対側に位置する第4電極とを有し、
前記複数の第1のLEDチップの前記第1電極は、それぞれ前記第1フレームと電気的に接続され、前記複数の第1のLEDチップの前記第2電極は、それぞれ前記第2フレームの前記第1リード部と電気的に接続され、前記複数の第2のLEDチップの前記第3電極は、それぞれ前記第1フレームと電気的に接続され、前記複数の第2のLEDチップの前記第4電極は、それぞれ前記第2フレームの前記第2リード部と電気的に接続されていることを特徴とするLED光源。 - 請求項1記載のLED光源において、前記LEDチップは赤色LEDチップ、緑色LEDチップまたは青色LEDチップであり、前記赤色LEDチップ、前記緑色LEDチップおよび前記青色LEDチップが任意に配列されていることを特徴とするLED光源。
- 請求項2記載のLED光源において、前記赤色LEDチップと、前記緑色LEDチップと、前記青色LEDチップとの個数比が1:2:1であることを特徴とするLED光源。
- 請求項2記載のLED光源において、1個の前記赤色LEDチップ、1個または2個の前記緑色LEDチップおよび1個の前記青色LEDチップは1つの樹脂内に封入されていることを特徴とするLED光源。
- 請求項1記載のLED光源において、前記LEDチップは青色LEDチップを蛍光体で覆う白色LEDチップであることを特徴とするLED光源。
- 請求項1記載のLED光源において、
前記第1フレームと前記第1リード部の間に前記第1の方向に沿って配置される複数の第1ダイボンドエリアと、前記第1フレームと前記第1リード部の間に前記第1の方向に沿って配置される複数の第2ダイボンドエリアと、を備え、
1つの第1または第2ダイボンドエリアに1個の赤色LEDチップ、1個の緑色LEDチップおよび1個の青色LEDチップが搭載されていることを特徴とするLED光源。 - 請求項6記載のLED光源において、前記1個の赤色LEDチップ、前記1個の緑色LEDチップおよび前記1個の青色LEDチップは1つの樹脂内に封入されていることを特徴とするLED光源。
- 請求項1記載のLED光源において、
前記第1フレームと前記第1リード部の間に前記第1の方向に沿って配置される複数の第1ダイボンドエリアと、前記第1フレームと前記第1リード部の間に前記第1の方向に沿って配置される複数の第2ダイボンドエリアと、を備え、
1つの前記ダイボンドエリアに1個の赤色LEDチップ、2個の緑色LEDチップおよび1個の青色LEDチップが搭載されていることを特徴とするLED光源。 - 請求項8記載のLED光源において、前記1個の赤色LEDチップ、前記2個の緑色LEDチップおよび前記1個の青色LEDチップは1つの樹脂内に封入されていることを特徴とするLED光源。
- 請求項1記載のLED光源において、前記第1の方向に延びる前記第1および第2フレームの一方の端部において、前記第1フレームに第1極性の電圧が印加され、前記第2フレームに前記第1極性と反対の第2極性の電圧が印加されることを特徴とするLED光源。
- 請求項1記載のLED光源において、前記第1の方向に延びる前記第1および第2フレームの一方の端部において前記第1フレームに第1極性の電圧が印加され、もう一方の端部において前記第2フレームに前記第1極性と反対の第2極性の電圧が印加されることを特徴とするLED光源。
- 請求項1記載のLED光源において、前記第1フレームおよび前記第2フレームに半田ペーストを用いてリード線がそれぞれ接続されて、前記第1フレームおよび前記第2フレームに電圧がそれぞれ印加されることを特徴とするLED光源。
- 請求項1記載のLED光源において、前記第1フレームおよび前記第2フレームにコネクタを用いてリード線がそれぞれ接続されて、前記第1フレームおよび前記第2フレームに電圧がそれぞれ印加されることを特徴とするLED光源。
- 請求項1記載のLED光源において、前記第1フレームおよび前記第2フレームにコネクタを用いて導電性フィルムおよび配線パターンが形成された基板がそれぞれ接続されて、前記第1フレームおよび前記第2フレームに電圧がそれぞれ印加されることを特徴とするLED光源。
- 請求項1記載のLED光源において、隣り合う前記第1および第2LEDチップの照射面側の間に平板型または凹型の反射板がはめ込まれていることを特徴とするLED光源。
- 請求項1記載のLED光源において、前記第1および第2フレームの背面に平板型または凹型の反射板が設置されていることを特徴とするLED光源。
- 請求項1記載のLED光源において、前記第1および第2フレームの背面にアルミ板が設置されていることを特徴とするLED光源。
- 請求項1記載のLED光源において、前記第1フレームを第1の間隔でn列配列したn列フレームと、前記第2フレームを前記第1の間隔でm列配列したm列フレームとの組み合わせにより構成されていることを特徴とするLED光源。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2005/017291 WO2007034537A1 (ja) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | Led光源およびその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011238416A Division JP5254422B2 (ja) | 2011-10-31 | 2011-10-31 | Led光源 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2007034537A1 JPWO2007034537A1 (ja) | 2009-03-19 |
JP4966199B2 true JP4966199B2 (ja) | 2012-07-04 |
Family
ID=37888598
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007536358A Active JP4966199B2 (ja) | 2005-09-20 | 2005-09-20 | Led光源 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US8168989B2 (ja) |
JP (1) | JP4966199B2 (ja) |
KR (1) | KR101187943B1 (ja) |
TW (2) | TWI430470B (ja) |
WO (1) | WO2007034537A1 (ja) |
Families Citing this family (44)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20070087431A (ko) * | 2006-02-23 | 2007-08-28 | 삼성전자주식회사 | 표시장치용 몰드와 이를 이용한 표시장치의 제조방법 |
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- 2005-09-20 US US12/067,413 patent/US8168989B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-20 JP JP2007536358A patent/JP4966199B2/ja active Active
- 2005-09-20 KR KR1020087005483A patent/KR101187943B1/ko active IP Right Grant
- 2005-09-20 WO PCT/JP2005/017291 patent/WO2007034537A1/ja active Application Filing
-
2006
- 2006-07-26 TW TW095127290A patent/TWI430470B/zh active
- 2006-07-26 TW TW102110869A patent/TWI495146B/zh active
-
2012
- 2012-03-28 US US13/432,943 patent/US8704245B2/en active Active
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- 2014-03-26 US US14/226,817 patent/US9207491B2/en active Active
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US20140204312A1 (en) | 2014-07-24 |
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US20090109668A1 (en) | 2009-04-30 |
WO2007034537A1 (ja) | 2007-03-29 |
KR20080049732A (ko) | 2008-06-04 |
US20120187429A1 (en) | 2012-07-26 |
US8168989B2 (en) | 2012-05-01 |
TW200717868A (en) | 2007-05-01 |
US8704245B2 (en) | 2014-04-22 |
TWI495146B (zh) | 2015-08-01 |
JPWO2007034537A1 (ja) | 2009-03-19 |
US9207491B2 (en) | 2015-12-08 |
KR101187943B1 (ko) | 2012-10-05 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20100528 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110830 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111031 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120306 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120330 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4966199 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150406 Year of fee payment: 3 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |