JP2007281218A - 発光ダイオードおよびその製造方法 - Google Patents
発光ダイオードおよびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007281218A JP2007281218A JP2006106038A JP2006106038A JP2007281218A JP 2007281218 A JP2007281218 A JP 2007281218A JP 2006106038 A JP2006106038 A JP 2006106038A JP 2006106038 A JP2006106038 A JP 2006106038A JP 2007281218 A JP2007281218 A JP 2007281218A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light emitting
- resin
- emitting diode
- frame
- emitting element
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/52—Encapsulations
- H01L33/56—Materials, e.g. epoxy or silicone resin
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/484—Connecting portions
- H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
- H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/91—Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
- H01L2224/92—Specific sequence of method steps
- H01L2224/922—Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
- H01L2224/9222—Sequential connecting processes
- H01L2224/92242—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
- H01L2224/92247—Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L24/10, H01L24/18, H01L24/26, H01L24/34, H01L24/42, H01L24/50, H01L24/63, H01L24/71
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
- H01L2924/01322—Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
- H01L2924/1025—Semiconducting materials
- H01L2924/1026—Compound semiconductors
- H01L2924/1032—III-V
- H01L2924/10329—Gallium arsenide [GaAs]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Abstract
【課題】発光ダイオードの発光効率の低下を防止することのできる技術を提供する。
【解決手段】熱による変色が生じにくい第1樹脂5(例えばシリコーン樹脂)で発光素子3の外部を覆い、さらに成形されたときに封止体の強度が高くなる第2樹脂6(例えばエポキシ樹脂)で第1樹脂5により覆われた発光素子3、ボンディングワイヤ4、第1フレーム2aのダイボンドエリアおよび第2フレーム2bのワイヤボンドエリアを封止する。発光素子3において発熱が生じても封止体の透明性が劣化しにくいので、第2発光ダイオード7の発光効率の低下を防止することができる。
【選択図】図3
【解決手段】熱による変色が生じにくい第1樹脂5(例えばシリコーン樹脂)で発光素子3の外部を覆い、さらに成形されたときに封止体の強度が高くなる第2樹脂6(例えばエポキシ樹脂)で第1樹脂5により覆われた発光素子3、ボンディングワイヤ4、第1フレーム2aのダイボンドエリアおよび第2フレーム2bのワイヤボンドエリアを封止する。発光素子3において発熱が生じても封止体の透明性が劣化しにくいので、第2発光ダイオード7の発光効率の低下を防止することができる。
【選択図】図3
Description
本発明は、発光ダイオードおよびその製造技術に関し、特に、プリント基板に表面実装されて使用される可視発光ダイオードに適用して有効な技術に関するものである。
近年、表面実装型の可視発光ダイオード(以下、単に発光ダイオードと記す)は、その高輝度化にともない、携帯電話の液晶表示のバックライトやフラッシュライト、プリンタなどのOA機器の光源、照明器具等に広く用いられている。さらに、従来から使われてきたあらゆる光源と置き換わる可能性を有しており、また、新たな用途を提案する発光デバイスとしても期待されている。
例えば、発光素子と、発光素子を搭載する素子搭載部を有する第1リードと、発光素子の第2電極とボンディングワイヤで電気的に接続された第2リードと、発光素子の周囲を封止する透明樹脂とにより構成され、第1リードは素子搭載部が平坦な底面を有するカップ状に成形された発光装置が開示されている(例えば特許文献1参照)。
国際特許公開WO2005/091383号パンフレット
発光ダイオードから出る光エネルギーを使って蛍光体を励起することにより白色を作り出す技術がある。この技術は、蛍光灯と同様の発光原理を用いるもので、パッケージされた蛍光体に依存して発光色は固定される。例えば青色発光素子と黄色蛍光体とをパッケージした白色を発光する発光ダイオードがあり、発光素子の青色と蛍光体で発光した黄色との合成により白色に見せるもので、擬似白色発光ダイオードとも呼ばれている。この擬似白色発光ダイオードは、現状では、最も発光効率が良いという特徴を有している一方で、純粋な白色(100%ではない)が得られないという問題がある。
これに対して、3原色である赤色、緑色、青色の各色の発光素子を光源とした発光ダイオードを用いて白色を作り出す方法では、各発光ダイオードの明るさを調整することにより純粋な白色のみならず幅の広い色を再現することができる。例えば赤色、緑色、緑色、青色の4つの発光素子を1つのグループとして複数配列させることにより、純粋な白色を得ることができる。
しかしながら、3原色である赤色、緑色、青色の各色の発光素子を光源とした発光ダイオードについては、以下に説明する種々の技術的課題が存在する。
通常、各色の発光素子は透明な樹脂、例えばエポキシ系樹脂により封止されている。ところが発光素子は発光により発熱し、発光素子を長時間使用することによって発光素子の周辺の樹脂の色がこの発熱に起因して黄色に変色(劣化)する。この変色により樹脂の透過率が低下し、経過時間に応じて発光ダイオードの発光効率が低下するという問題が生じている。本願発明者の解析結果によると、100時間で、85.1%まで発光ダイオードの輝度が低下することが確認されている。この発光効率の低下は、発光ダイオードに大電流を流すに従って顕著に現れており、市場要求である高輝度でかつ高寿命の発光ダイオードの実現を困難なものとしている。
本発明の目的は、発光ダイオードの発光効率の低下を防止することのできる技術を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
本発明による発光ダイオードは、所定の間隔を有し、対向して配置されたフラット形状の第1フレームおよび第2フレームと、第1フレームのダイボンドエリアに接着された発光素子と、発光素子の第1電極と第2フレームのワイヤボンドエリアとを接続するボンディングワイヤと、発光素子の外部を覆う熱によって変色が生じにくい第1樹脂と、第1樹脂で覆われた発光素子、ボンディングワイヤ、第1フレームのダイボンドエリアおよび第2フレームのワイヤボンドエリアを封止する第2樹脂とを有する。
本発明による半導体装置の製造方法は、所定の間隔を有し、対向して配置された第1フレームおよび第2フレームを備えるリードフレームを用意する工程と、第1フレームのダイボンドエリアに発光素子を接着する工程と、発光素子の第1電極と第2フレームとをボンディングワイヤにより接続する工程と、熱によって変色が生じにくい第1樹脂をポッティングにより滴下して、発光素子の外部を第1樹脂により覆う工程と、第1樹脂を熱処理する工程と、金型を用いて第1樹脂で覆われた発光素子、ボンディングワイヤ、第1フレームのダイボンドエリアおよび第2フレームのワイヤボンドエリアを第2樹脂により封止する工程とを有する。
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
発光素子の発熱による発光素子を覆う樹脂の変色が生じにくくなるので、発光ダイオードの発光効率の低下を防止することができる。
本実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
また、本実施の形態において、要素の数等(個数、数値、量、範囲等を含む)に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。さらに、本実施の形態において、その構成要素(要素ステップ等も含む)は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、本実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
また、本実施の形態で用いる図面においては、平面図であっても図面を見易くするためにハッチングを付す場合もある。さらに、本実施の形態を説明するための全図において、同一機能を有するものは原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
(実施の形態1)
本実施の形態1による第1または第2発光ダイオードの構造を図1〜図3を用いて説明する。図1は第1発光ダイオードの要部断面図、図2は第2発光ダイオードの透過上面図、図3(a)は第2発光ダイオードの要部断面図、図3(b)は第2発光ダイオードの他の例の要部断面図である。なお、ここで説明する第1または第2発光ダイオードは、3原色である赤色、緑色または青色の発光素子を樹脂封止することにより構成される発光ダイオードである。
本実施の形態1による第1または第2発光ダイオードの構造を図1〜図3を用いて説明する。図1は第1発光ダイオードの要部断面図、図2は第2発光ダイオードの透過上面図、図3(a)は第2発光ダイオードの要部断面図、図3(b)は第2発光ダイオードの他の例の要部断面図である。なお、ここで説明する第1または第2発光ダイオードは、3原色である赤色、緑色または青色の発光素子を樹脂封止することにより構成される発光ダイオードである。
第1発光ダイオード1は、図1に示すように、所定の間隔を有し、対向して配置された一対の第1フレーム2aおよび第2フレーム2bを備えている。第1および第2フレーム2a,2bはフラット状に成形されており、例えば厚さが0.1〜0.3mm程度の銅、鉄、リン青銅などの熱伝導率の良い薄板金属をプレス加工することによって形成される。第1フレーム2aはダイボンド電極として、また第2フレーム2bはワイヤボンド電極としてそれぞれ機能する。発光素子3が搭載される第1フレーム2aの形状をフラット状として実装面を広げることにより、発光素子3から発生する熱の放熱性を向上させることができる。さらに、第1および第2フレーム2a,2bの表面には、例えば銀メッキが施されており、フレーム2a,2bの光反射効率を上げる、または錆の発生等を防止して導電性を確実にしている。
発光素子3は、例えば略立方体形状のGaP(ガリウムリン)系LED(Light Emitting Diode)チップである。このLEDチップは、前工程または拡散工程と呼ばれる製造工程において半導体ウエハ上のチップ単位で、例えば以下のように形成することができる。
例えば単結晶GaPまたは単結晶GaAs(ガリウムヒ素)からなる半導体基板(この段階では半導体ウエハと称する平面略円形状の半導体の薄板)3a上にn型半導体層およびp型半導体層をエピタキシャル結晶成長法により順次形成して発光層3bを形成する。続いて、半導体基板3aの裏面を研削して、半導体基板3aの厚さを所定の厚さまで減少させた後、さらに半導体基板3aの裏面を研磨する。続いて、p型半導体層に電気的に接続するp側電極3c、半導体基板3aに電気的に接続するn側電極3dを形成した後、各LEDチップの電気的・光学的特性を測定する。例えばn側電極3dを測定用ステージに接触させて半導体基板3aを測定用ステージ上に載せた後、p側電極3cにプローブを接触させて入力端子から信号波形を入力すると、出力端子から信号波形が出力される。これをテスターが読み取ることにより各LEDチップの電気的・光学的特性が得られる。その後、半導体基板3aをダイシングして、例えば0.2〜3mm角程度の個々のLEDチップに分割される。
発光素子3のp側電極3cは、第1フレーム2aのダイボンドエリアと導電性接着材または共晶接合によって電気的に接続されている。すなわち、半導体基板3aを上側に、発光層3bを下側にして発光層3bと第1フレーム2aとをp側電極3cを介して向かい合わせて、発光素子3を第1フレーム2aのダイボンドエリアに接着固定している。また、発光素子3のn側電極3dは、第1フレーム2aと対向する第2フレーム2bのワイヤボンドエリアとボンディングワイヤ4によって電気的に接続されている。ボンディングワイヤ4は、例えば金線であり、その直径は、例えば30μm程度である。
さらに、ボンディングワイヤ4、第1フレーム2aのダイボンドエリアおよび第2フレーム2bのワイヤボンドエリアは、例えば電流を1000時間流して発光させても100%の透過率を有する第1樹脂5により封止されている。第1樹脂5は熱による変色が生じにくい樹脂であり、例えばシリコーン樹脂を用いることができる。シリコーン樹脂はその粘度が3〜9Pa・s(at25℃)と相対的に低いことから変色しにくく、透明性を維持することができる。
前述したように、発熱による弊害の1つとして発光素子を封止する樹脂の変色があり、この変色によって樹脂の透過率が低下し、経過時間に応じて発光ダイオードの発光効率が低下するという問題がある。しかしながら、本実施の形態1による第1発光ダイオード1では、封止樹脂として熱による変色が生じにくいシリコーン樹脂を用いていることから、例えば発光素子3に電流を1000時間程度流してもシリコーン樹脂の100%の透過率が維持されるので、第1発光ダイオード1の発光効率の低下を防ぐことができる。
ただし、第1樹脂5にシリコーン樹脂を用いた場合、その粘度が3〜9Pa・s(at25℃)と低く、成形されたときの封止体のシェア硬さ(強度)は、例えば35と低い。このため、シリコーン樹脂のみで封止体を成形した第1発光ダイオード1は、例えばピンセットのような治具でピックアップしようとした際に封止体が壊れやすく、保持することが困難となることが考えられる。
そこで、図2および図3(a)に示すように、発光素子3の外部を熱による変色が生じにくい第1樹脂5、例えばシリコーン樹脂により覆い、さらにその第1樹脂5により覆われた発光素子3、ボンディングワイヤ4、第1フレーム2aのダイボンドエリアおよび第2フレーム2bのワイヤボンドエリアを第2樹脂6により封止した第2発光ダイオード7を用いることもできる。第2樹脂6には、シェア硬さ(強度)が、例えば84の樹脂を用いる。第2樹脂6には熱による変色が生じにくい樹脂が好ましいが、第2樹脂6は発光素子3と直接接しないので発光素子3の発熱の影響を受けにくく、第1樹脂5ほどの耐熱性は要求されない。すなわち、第2樹脂6としては第1樹脂5に比べて熱による変色が生じ易いものでもよく、言い換えると第1樹脂5に比べて粘度が高いものでもよく、例えばエポキシ樹脂を例示することができる。エポキシ樹脂は、電流を100時間程度流して発光させていると変色が始まるが、その粘度は40〜350Pa・s(at150℃)と高く、成形されたときの封止体のシェア硬さ(強度)は、例えば84と第1樹脂5により成形された封止体の強度よりも高い。このように、成形されたときの封止体の強度が高い第2樹脂6を封止体の最外周に用いることにより、第2発光ダイオード7の取り扱いが容易となる。
なお、図3(a)に示した第2発光ダイオード7では発光素子3の外部全体を第1樹脂5により覆うとしたが、発光素子3の一部を構成する発光層3bにおいて最も高温となることから、露出する発光層3bのみを第1樹脂5により覆ってもよい。例えば図3(b)に示すように、発光素子3の側壁に露出した発光層3bを第1樹脂5で覆うことによって、発熱による第2樹脂6の変色を防ぐことも可能である。
発光ダイオードに用いる封止樹脂としては、熱による変色が生じにくく、かつ成形されたときに所望する封止体の強度が得られる樹脂材料が好ましい。従って、1つの樹脂材料により上記2つの条件が満たされる場合には、その樹脂材料を用いて発光素子3を封止する上記第1発光ダイオード1の形態が適用される。しかし、1つの樹脂材料により上記2つの条件が満たされない場合は、まず、熱による変色が生じにくい樹脂材料(例えばシリコーン樹脂)で発光素子3の外部を覆い、さらに成形されたときに所望する封止体の強度が得られる樹脂材料(例えばエポキシ樹脂)でその周囲を覆うことにより発光素子3を封止する上記第2発光ダイオード7の形態が適用される。
次に、本実施の形態1による第2発光ダイオードの製造方法の一例を図4〜図10を用いて工程順に説明する。図4は第2発光ダイオードの製造方法の工程図、図5(a)および(b)はそれぞれフレームの要部断面図および要部平面図、図6〜図10は各製造工程における第2発光ダイオードの要部断面図である。
まず、図5に示すように、発光素子を実装するフレーム8を用意する(図4の工程P1)。フレーム8は、例えば第1方向に所定の間隔を有して並ぶ複数のダイボンドエリア8aと、複数のダイボンドエリア8aと繋がり第1方向に延びる第1リード8bと、複数のダイボンドエリア8aと第1リード8bとを繋ぐ複数の第1吊りリード8cと、複数のダイボンドエリア8aと対向して第1方向に沿って並ぶ複数のワイヤボンドエリア8dと、複数のワイヤボンドエリア8dと繋がり第1方向に延びる第2リード8eと、複数のワイヤボンドエリア8dと第2リード8eとを繋ぐ複数の第2吊りリード8fとから構成される金属製の枠組みである。フレーム8は、例えば銅、鉄、リン青銅(銅を主成分として錫(3.5〜9.0%)およびリン(0.03〜0.35%)を含む合金)などの熱伝導率の良い薄板金属を母材とし、その厚さは、例えば0.1〜0.3mm程度である。
次に、図6に示すように、フレーム8の一方の先端(ダイボンドエリア8a)に導電性接着材を塗り、その導電性接着材上に発光素子3を軽く押し付け、例えば150℃程度の温度によって導電性接着材の硬化処理を行う。これにより発光素子3とフレーム8とが機械的に固定され、また電気的に接続される(図4の工程P2)。
次に、図7に示すように、発光素子3が接着されたフレーム8の一方の先端と分離して対向するフレーム8のもう一方の先端(ワイヤボンドエリア8d)と発光素子3のn側電極とをボンディングワイヤ4を用いて接続する(図4の工程P3)。この際、ボンディングワイヤ4は、発光素子3の外周部に触れないようにする。
次に、図8に示すように、電流を1000時間程度流しても透明性を有する液状の樹脂、例えばシリコーン樹脂9をポッティングにより滴下させて(図4の工程P4)、発光素子3の外部をシリコーン樹脂9によって覆う。シリコーン樹脂9の粘度は、例えば3〜9Pa・s程度(at25℃)である。続いて、例えば150℃程度の温度によってシリコーン樹脂9の熱硬化処理を行い、発光素子3の外部を覆う前述した第1樹脂5をシリコーン樹脂9により形成する(図4の工程P5)。
次に、図9に示すように、シリコーン樹脂9により覆われた発光素子3およびボンディングワイヤ4を含むフレーム8を金型10にセットし、例えば150℃以下の温度で透明性を有する樹脂であって、170〜180℃以上の温度によって熱硬化する樹脂、例えばエポキシ系樹脂11を圧送して金型10に流し込む(トランスファモールド方式)。エポキシ系樹脂11の粘度は、例えば40〜350Pa・s程度(at150℃)である。続いて、例えば150℃程度の温度によってエポキシ系樹脂11の熱硬化処理を行い、発光素子3、ダイボンドエリア8a、ボンディングワイヤ4およびワイヤボンドエリア8dを封止する前述した第2樹脂6をエポキシ系樹脂11により形成する(図4の工程P5)。第2樹脂6は、その粘度が40〜350Pa・s(at150℃)と第1樹脂5よりも高く、さらには樹脂内に混在しているシリカの量も第1樹脂5よりも多いため、ポッティング方式により塗布するのが困難であるが、図9に示すようにトランスファモールド方式を適用すれば、金型のクランプ圧力が第2樹脂6に効率良く伝わり、成形された封止体の強度を確保することができる。
次に、余計な第2樹脂6(エポキシ樹脂11)およびバリを取り除き、さらに、露出したフレーム8の表面に半田メッキを施す。続いて、図10に示すように、切断ダイ12を用いてフレーム8の第1および第2吊りリード8c,8fを切断し、さらに第1および第2吊りリード8c,8fを成形する(図4の工程P7)。これにより、フレーム8が分離されて発光素子3が接着された第1フレーム2aおよび第2フレーム2bが形成されて、前記図3(a)に示した第2発光ダイオード7が略完成する。
次に、本実施の形態1による第2発光ダイオードから構成されるバックライトの製造方法を図11〜図17を用いて工程順に説明する。図11はバックライトの製造方法の工程図、図12〜図16は各製造工程におけるバックライトの要部断面図である。図12〜図16では、発光素子に設けられたn側電極およびp側電極の記述は省略している。さらに、図17に、バックライトを内蔵した透過型液晶表示装置の概略図の一例を示す。
まず、図12に示すように、実装基板20を用意する。この実装基板20の表面に、低抵抗の金属膜からなる配線パターン21を形成した後(図11の工程P1)、第2発光ダイオード7を接着する配線パターン21上に半田ペースト22を塗布する(図11の工程P2)。
次に、図13に示すように、例えば自動マウント機によって第2発光ダイオード7の一つ一つを真空吸着して実装基板20上に移送し、半田ペースト(図13〜図16では図示は省略)を介して所望する配線パターン21上に第2発光ダイオード7の第1および第2フレーム2a,2bを押し付けた後(図11の工程P3)、例えば150℃程度の温度によって半田ペーストの熱硬化処理を行うことにより、第2発光ダイオード7のフレーム2a,2bと配線パターン21とが機械的に固定され、また電気的に接続される(図11の工程P4)。
次に、図14に示すように、隣接する第2発光ダイオード7の照射面側の間に反射板23をはめ込む(図11の工程P5)。シート(フィルムまたは板)からなる反射板23を設置することにより、例えば背面への光の漏れを防いで、第2発光ダイオード7の発光効率を上げることができる。次に、図15に示すように、照射面側に拡散板24を設置する(図11の工程P6)。拡散板24は光を散乱または拡散させる半透明なシート(フィルムまたは板)であり、主に広い面全体を均一な明るさにするために使用される。
次に、図16に示すように、拡散板24上にプリズムシート25a,25bを設置する(図11の工程P7)。プリズムシート25a,25bは前方への集光効果を持たせたシート(フィルムまたは板)であり、断面が鋸歯状または凹凸状などがある。これにより、バックライト26が略完成する。
その後、図17に示すように、バックライト26を液晶表示素子27の背面に設置することにより、バックライト26を内蔵した液晶表示装置28が略完成する。上記液晶表示素子27は、例えば偏光板27a、液晶素子27b、カラーフィルタ27c、偏光板27dおよびハーフミラー27eの積層により構成される。偏光板27aは光波の振動を一方向に制限する板またはフィルムであり、カラーフィルタ27cは光の3原色(赤色、緑色および青色)を表示するためのフィルタである。
このように、本実施の形態1では、熱による変色が生じにくい第1樹脂5、例えばシリコーン樹脂を用いて封止体を構成することによって、発光効率の低下を回避することのできる発光ダイオード(第1発光ダイオード1の形態)を得ることができる。また、熱による変色が生じにくい第1樹脂5、例えばシリコーン樹脂で発光素子3の外部を覆い、さらに成形したときに所望する強度を有する第2樹脂6、例えばエポキシ樹脂を用いて封止体を構成することによって、発光効率の低下を回避するとともに所望する強度を有する発光ダイオード(第2発光ダイオード7)を得ることができる。
(実施の形態2)
本実施の形態2による第3発光ダイオードの構造を図18および図19を用いて説明する。図18は第3発光ダイオードの透明上面図、図19は第3発光ダイオードの要部断面図である。なお、発光素子3が搭載されるフレームの構造以外は、前述した実施の形態1に示した第2発光ダイオード7と同様であるためその説明を省略する。
本実施の形態2による第3発光ダイオードの構造を図18および図19を用いて説明する。図18は第3発光ダイオードの透明上面図、図19は第3発光ダイオードの要部断面図である。なお、発光素子3が搭載されるフレームの構造以外は、前述した実施の形態1に示した第2発光ダイオード7と同様であるためその説明を省略する。
図18および図19に示すように、前述した第2発光ダイオード7と同様に、第3発光ダイオード13は、所定の間隔を有し、対向して配置された一対の第1フレーム14aおよび第2フレーム14bを備えている。第1および第2フレーム14a,14bはフラット状に成形されている。
前述の実施の形態1に示した第2発光ダイオード7と相違する点は、第3発光ダイオード13の発光素子3が搭載される第1フレーム14aにおいて、ダイボンドエリアの周囲に溝15形成されていることである。すなわち、第3発光ダイオード13においては、第2発光ダイオード7と同様に、発光素子3の外部は熱による変色の生じにくい第1樹脂5、例えばシリコーン樹脂で覆われ、さらにその第1樹脂5により覆われた発光素子3、ボンディングワイヤ4、第1フレーム14aのダイボンドエリアおよび第2フレーム14bのワイヤボンドエリアは成形されたときに封止体の強度が高くなる第2樹脂6、例えばエポキシ樹脂で封止されている。しかし、第1樹脂5は樹脂を滴下するポッティングにより形成されるため、第1樹脂5に粘性の低い樹脂を用いると発光素子3上からポッティングされた第1樹脂5が広がり、最も好ましくない形態としては、発光素子3をほとんど覆わずに第1フレーム14a上に流出することも考えられる。これによって、発光素子3と第2樹脂6とが直接接して、熱による第2樹脂6の変色が生じる場合がある。
そこで、ポッティングにより形成される第1樹脂5の流出を防ぐために、フレーム14aのダイボンドエリアの周囲に溝15を形成する。溝15の形状は、例えばV型またはU型であり、その幅は例えば40〜50μm、その深さは例えば10〜20μmである。また、V型形状の溝15は例えばプレス方式で形成され、U型形状の溝15は例えばエッチング方式で形成される。
なお、第1樹脂5の上記流出を防ぐ方法として、例えば発光素子を搭載するフレームをカップ状に成型する方法がある[例えば特許文献1参照]。しかし、カップ状フレームの場合、金型を用いたプレス加工で素子搭載部をカップ状に成型した後、フレームの折り曲げ加工を行うなど、フレームの加工に手間がかかる。
このように、本実施の形態2によれば、フラット状の第1および第2フレーム14a,14bを用いても、ダイボンドエリアの周囲に溝15を形成することにより、ポッティングにより形成された第1樹脂5の流出を防いで、発光素子3を熱による変色が生じにくい第1樹脂5で確実に覆うことができる。これにより、発光効率の低下を回避することのできる第3発光ダイオード13を容易に実現することが可能となる。
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
例えば前記実施の形態では、3原色を構成する赤色、緑色または青色の発光素子を用いた発光ダイオードについて説明したが、その他の発熱を伴う発光方式を用いた発光ダイオード、例えば蛍光体で覆われる青色発光素子を用いた白色発光ダイオード、または青紫色発光素子で赤色、緑色、青色発光の蛍光体を励起する方法を用いた発光ダイオードにも適用することができる。
本発明の発光ダイオードは、携帯電話、車載用機器、交通信号器、照明器具またはOA(Office Automation)機器などに広く用いることができ、また、発光素子として新たな分野への用途も可能である。
1 第1発光ダイオード
2a 第1フレーム
2b 第2フレーム
3 発光素子
3a 半導体基板
3b 発光層
3c p側電極
3d n側電極
4 ボンディングワイヤ
5 第1樹脂
6 第2樹脂
7 第2発光ダイオード
8 フレーム
8a ダイボンドエリア
8b 第1リード
8c 第1吊りリード
8d ワイヤボンドエリア
8e 第2リード
8f 第2吊りリード
9 シリコーン樹脂
10 金型
11 エポキシ系樹脂
12 切断ダイ
13 第3発光ダイオード
14a 第1フレーム
14b 第2フレーム
15 溝
20 実装基板
21 配線パターン
22 半田ペースト
23 反射板
24 拡散板
25a,25b プリズムシート
26 バックライト
27 液晶表示素子
27a,27d 偏光板
27b 液晶素子
27c カラーフィルタ
27e ハーフミラー
28 液晶表示装置
2a 第1フレーム
2b 第2フレーム
3 発光素子
3a 半導体基板
3b 発光層
3c p側電極
3d n側電極
4 ボンディングワイヤ
5 第1樹脂
6 第2樹脂
7 第2発光ダイオード
8 フレーム
8a ダイボンドエリア
8b 第1リード
8c 第1吊りリード
8d ワイヤボンドエリア
8e 第2リード
8f 第2吊りリード
9 シリコーン樹脂
10 金型
11 エポキシ系樹脂
12 切断ダイ
13 第3発光ダイオード
14a 第1フレーム
14b 第2フレーム
15 溝
20 実装基板
21 配線パターン
22 半田ペースト
23 反射板
24 拡散板
25a,25b プリズムシート
26 バックライト
27 液晶表示素子
27a,27d 偏光板
27b 液晶素子
27c カラーフィルタ
27e ハーフミラー
28 液晶表示装置
Claims (17)
- 所定の間隔を有し、対向して配置されたフラット形状の第1フレームおよび第2フレームと、
前記第1フレームのダイボンドエリアに接着された発光素子と、
前記発光素子の第1電極と前記第2フレームのワイヤボンドエリアとを電気的に接続するボンディングワイヤと、
前記発光素子を覆う第1樹脂と、
前記第1樹脂で覆われた前記発光素子、前記ボンディングワイヤ、前記第1フレームのダイボンドエリアおよび前記第2フレームのワイヤボンドエリアを封止する第2樹脂とを有することを特徴とする発光ダイオード。 - 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、前記第1樹脂は前記第2樹脂よりも熱による変色が生じにくいことを特徴とする発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、前記第2樹脂は前記第1樹脂よりも高い強度を有することを特徴とする発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、前記第1樹脂はシリコーン樹脂であり、前記第2樹脂はエポキシ系樹脂であることを特徴とする発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、前記第1フレームのダイボンドエリアの周囲に溝が形成されていることを特徴とする発光ダイオード。
- 請求項5記載の発光ダイオードにおいて、前記溝はV型の形状であることを特徴とする発光ダイオード。
- 請求項5記載の発光ダイオードにおいて、前記溝はU型の形状であることを特徴とする発光ダイオード。
- 請求項1記載の発光ダイオードにおいて、前記発光素子は第1導電型の半導体基板上に前記第1導電型の第1半導体層と前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2半導体層とを積層して構成される発光層を有することを特徴とする発光ダイオード。
- 請求項8記載の発光ダイオードにおいて、前記第1樹脂は、前記発光素子の発光層を覆っていることを特徴とする発光ダイオード。
- 請求項8記載の発光ダイオードにおいて、前記半導体基板を上側に、前記発光層を下側にして前記発光素子は前記第1フレームのダイボンドエリアに接着されていることを特徴とする発光ダイオード。
- (a)所定の間隔を有し、対向して配置された第1フレームおよび第2フレームを備えるリードフレームを用意する工程と、
(b)前記第1フレームのダイボンドエリアに発光素子を接着する工程と、
(c)前記発光素子の第1電極と前記第2フレームのワイヤボンドエリアとをボンディングワイヤにより接続する工程と、
(d)第1樹脂を滴下して、前記発光素子の外部を前記第1樹脂により覆う工程と、
(e)前記第1樹脂を熱処理する工程と、
(f)金型を用いて前記第1樹脂で覆われた前記発光素子、前記ボンディングワイヤ、前記第1フレームのダイボンドエリアおよび前記第2フレームのワイヤボンドエリアを第2樹脂により封止する工程とを有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。 - 請求項11記載の発光ダイオードの製造方法において、前記第1樹脂は前記第2樹脂よりも熱による変色が生じにくいことを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
- 請求項11記載の発光ダイオードの製造方法において、前記第2樹脂は前記第1樹脂よりも高い強度を有することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
- 請求項11記載の発光ダイオードの製造方法において、前記第1樹脂はシリコーン樹脂であり、前記第2樹脂はエポキシ樹脂であることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
- 請求項11記載の発光ダイオードの製造方法において、前記第1フレームのダイボンドエリアの周囲にプレス法によりV型の溝を形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
- 請求項11記載の発光ダイオードの製造方法において、前記第1フレームのダイボンドエリアの周囲にエッチング法によりU型の溝を形成することを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
- 請求項11記載の発光ダイオードの製造方法において、前記発光素子は第1導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に前記第1導電型の第1半導体層および前記第1導電型とは異なる第2導電型の第2半導体層を順次積層して形成された発光層とからなり、
前記(b)工程では、前記半導体基板を上側に、前記発光層を下側にして前記発光素子は前記第1フレームのダイボンドエリアに接着されることを特徴とする発光ダイオードの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006106038A JP2007281218A (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006106038A JP2007281218A (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007281218A true JP2007281218A (ja) | 2007-10-25 |
Family
ID=38682361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006106038A Pending JP2007281218A (ja) | 2006-04-07 | 2006-04-07 | 発光ダイオードおよびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2007281218A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009252899A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
JP2011159768A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | Ledパッケージ及びledパッケージの製造方法 |
JP2011176264A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-08 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
WO2011117052A1 (de) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement |
KR20110109207A (ko) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
JP2012182484A (ja) * | 2012-05-21 | 2012-09-20 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
EP2620988A1 (de) * | 2012-01-26 | 2013-07-31 | Basf Se | Transparente Polyurethane als Einbettung für opto-elektronische Bauteile |
CN104078551A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
US9343643B2 (en) | 2013-04-12 | 2016-05-17 | Nichia Corporation | Light emitting device |
-
2006
- 2006-04-07 JP JP2006106038A patent/JP2007281218A/ja active Pending
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009252899A (ja) * | 2008-04-03 | 2009-10-29 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
US8487418B2 (en) | 2010-01-29 | 2013-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED package |
JP2011159768A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-18 | Toshiba Corp | Ledパッケージ及びledパッケージの製造方法 |
JP2011176264A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-08 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
US8525202B2 (en) | 2010-01-29 | 2013-09-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED package, method for manufacturing LED package, and packing member for LED package |
WO2011117052A1 (de) * | 2010-03-26 | 2011-09-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches bauelement |
KR20110109207A (ko) * | 2010-03-30 | 2011-10-06 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
KR101650430B1 (ko) | 2010-03-30 | 2016-08-23 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 및 이의 제조 방법 |
EP2620988A1 (de) * | 2012-01-26 | 2013-07-31 | Basf Se | Transparente Polyurethane als Einbettung für opto-elektronische Bauteile |
JP2012182484A (ja) * | 2012-05-21 | 2012-09-20 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
CN104078551A (zh) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置及其制造方法 |
EP2784833A1 (en) * | 2013-03-29 | 2014-10-01 | Nichia Corporation | Light emitting device and method of manufacturing the same |
JP2014209602A (ja) * | 2013-03-29 | 2014-11-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
US9172013B2 (en) | 2013-03-29 | 2015-10-27 | Nichia Corporation | Light emitting device having dual sealing resins |
US9634213B2 (en) | 2013-03-29 | 2017-04-25 | Nichia Corporation | Light emitting device having dual sealing resins |
US10153415B2 (en) | 2013-03-29 | 2018-12-11 | Nichia Corporation | Light emitting device having dual sealing resins |
US9343643B2 (en) | 2013-04-12 | 2016-05-17 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US9484503B2 (en) | 2013-04-12 | 2016-11-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10431567B2 (en) | White ceramic LED package | |
JP2007281218A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
TWI484666B (zh) | 發光裝置 | |
JP4865525B2 (ja) | Sml型発光ダイオードランプ用素子およびその製造方法 | |
JP2013004807A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
TW201448290A (zh) | 發光裝置及其製造方法 | |
KR20130129434A (ko) | 발광 소자 패키지, 시스템 및 방법 | |
WO2012100060A2 (en) | Light emitting diode (led) devices, systems, and methods | |
JP4961978B2 (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
JP2006310613A (ja) | 半導体発光装置 | |
JP2007324417A (ja) | 半導体発光装置とその製造方法 | |
JP2012114284A (ja) | Ledモジュール及び照明装置 | |
JP2011211196A (ja) | 発光素子及びこれを備えたライトユニット | |
US20120043886A1 (en) | Integrated Heat Conductive Light Emitting Diode (LED) White Light Source Module | |
JP2016531450A (ja) | 集積バックライトユニット | |
CN102478172A (zh) | 照明装置 | |
JP2013062416A (ja) | 半導体発光装置およびその製造方法 | |
JP2006514426A (ja) | 表面実装型発光ダイオード | |
TW201526292A (zh) | 發光二極體封裝結構及其製造方法 | |
WO2013118076A1 (en) | Low cost encapsulated light-emitting device | |
JP2007335734A (ja) | 半導体装置 | |
JP5206204B2 (ja) | 発光装置 | |
JP2007109911A (ja) | 発光ダイオードおよびその製造方法 | |
JP3941826B2 (ja) | Led照明器具の製造方法 | |
US9978920B2 (en) | Package, light-emitting device, and method for manufacturing the same |