JP2011176264A - Ledパッケージ - Google Patents
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- H01L2924/351—Thermal stress
Abstract
【解決手段】実施形態に係るLEDパッケージは、(2×n)枚(nは2以上の整数)のリードフレームと、n個のLEDチップと、樹脂体と、を備える。前記(2×n)枚のリードフレームは、同一平面上に配置され、相互に離隔している。前記n個のLEDチップは、前記リードフレームの上方に設けられ、それぞれの一方の端子が前記(2×n)枚のリードフレームのうちのn枚のリードフレームにそれぞれ接続され、それぞれの他方の端子が前記(2×n)枚のリードフレームのうちの前記n枚のリードフレーム以外のリードフレームにそれぞれ接続されている。前記樹脂体は、前記(2×n)枚のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記n個のLEDチップを覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させる。
【選択図】図1
Description
先ず、第1の実施形態について説明する。
図1は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する平面図であり、
図2は、図1に示すA−A’線による断面図である。
図1に示すように、LEDパッケージ1においては、6枚のリードフレーム11〜16が、X方向については2列、Y方向については3列に配列されている。リードフレーム11〜16のレイアウトは、透明樹脂体17の中心を通過するXZ平面に関して対称である。リードフレーム11及び12は、それぞれ、透明樹脂体17のY方向中央部における−X方向側端部及び+X方向側端部に配置されている。リードフレーム13及び14は、それぞれ、透明樹脂体17の+Y方向側の端部における−X方向側端部及び+X方向側端部に配置されている。リードフレーム15及び16は、それぞれ、透明樹脂体17の−Y方向側の端部における−X方向側端部及び+X方向側端部に配置されている。
本実施形態に係るLEDパッケージ1においては、LEDチップ21R、21G、21Bがそれぞれ、相互に異なる一対のリードフレームに接続されている。このため、LEDチップ21R、21G、21Bの出力を相互に独立して制御することができ、LEDパッケージ1から、任意の強度及び色調の光を出射させることができる。
図3は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する平面図である。
図3に示すように、本実施形態に係るLEDパッケージ2は、前述の第1の実施形態に係るLEDパッケージ1(図1参照)と比較して、リードフレームのレイアウトが異なっている。すなわち、本実施形態においては、リードフレーム13及び15のベース部13a及び15aにおける+X方向に延びる部分が短くなっており、リードフレーム14及び16のベース部14a及び16aにおけるそれに対向する部分が−X方向に延出している。そして、リードフレーム13とリードフレーム14との間をリードフレーム12の吊ピン12fが通過し、リードフレーム15とリードフレーム16との間をリードフレーム12の吊ピン12gが通過している。吊ピン12fはリードフレーム12のベース部12aの矩形部分12bから+Y方向に向けて延出しており、吊ピン12gは矩形部分12b部から−Y方向に向けて延出している。また、リードフレーム13及び15には吊ピン13d及び15d(図1参照)が設けられていない。
図4は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する平面図である。
図4に示すように、本実施形態に係るLEDパッケージ3は、前述の第1の実施形態に係るLEDパッケージ1(図1参照)と比較して、リードフレームのレイアウト及びLEDチップの配列順序が異なっている。
図5は、本変形例に係るLEDパッケージを例示する平面図である。
図5に示すように、本変形例に係るLEDパッケージ3aにおいては、前述の第3の実施形態に係るLEDパッケージ3(図4参照)と比較して、リードフレーム13の凸部13kのX方向における長さが短く、凸部13kの+X方向側の端縁がより−X方向側に位置している。そして、その分、薄板部13tにおける凸部13kと凸部13lとに挟まれた部分のX方向における長さが長い。同様に、リードフレーム15においても、凸部15kのX方向における長さが短く、その分、薄板部15tにおける凸部15kと凸部15lとに挟まれた部分のX方向における長さが長い。
図6は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する平面図である。
図6に示すように、本実施形態に係るLEDパッケージ4は、前述の第1の実施形態に係るLEDパッケージ1(図1参照)と比較して、LEDチップのタイプ及びリードフレームのレイアウトが異なっている。すなわち、本実施形態においては、LEDチップ21R、21G、21Bはいずれも上下導通タイプのチップであり、それぞれ、上面端子及び下面端子が設けられている。
図7は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する平面図である。
図7に示すように、本実施形態に係るLEDパッケージ5においては、前述の第1の実施形態に係るLEDパッケージ1(図1参照)の構成に加えて、ツェナーダイオードチップ25a及び25bが設けられている。ツェナーダイオードチップ25a及び25bは、上下導通タイプのチップである。
図8は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する平面図である。
図8に示すように、本実施形態は、前述の第3の実施形態と第5の実施形態とを組み合わせた例である。すなわち、本実施形態に係るLEDパッケージ6においては、前述の第3の実施形態に係るLEDパッケージ3(図4参照)の構成に加えて、上下導通タイプのツェナーダイオードチップ25a及び25bが設けられている。
図9は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する平面図である。
図9に示すように、本実施形態に係るLEDパッケージ7は、前述の第5の実施形態に係るLEDパッケージ5(図7参照)と比較して、リードフレームのレイアウト及びLEDチップの結線方法が異なっている。
図10は、本実施形態に係るLEDパッケージを例示する平面図である。
図10に示すように、本実施形態に係るLEDパッケージ8は、前述の第5の実施形態に係るLEDパッケージ5(図7参照)と比較して、透明樹脂体17に光を拡散させる拡散剤が含有されている点が異なっている。すなわち、LEDパッケージ8においては、透明樹脂体17(図7参照)の代わりに、拡散剤含有透明樹脂体18が設けられている。拡散剤18は、例えば、屈折率が透明樹脂体17を形成する樹脂材料の屈折率とは異なる透明樹脂からなる微小球である。
本実施形態は、前述の各実施形態に係るLEDパッケージの製造方法の実施形態である。
図11は、本実施形態に係るLEDパッケージの製造方法を例示するフローチャート図であり、
図12(a)〜(d)、図13(a)〜(c)、図14(a)及び(b)は、本実施形態に係るLEDパッケージの製造方法を例示する工程断面図であり、
図15(a)は、本実施形態におけるリードフレームシートを例示する平面図であり、(b)は、このリードフレームシートの素子領域を例示する一部拡大平面図である。
なお、図12〜図15においては、図示の便宜上、各LEDパッケージの構造は簡略化して描いている。例えば、LEDチップは総称してLEDチップ21とし、ワイヤは総称してワイヤ22としている。
次に、図11に示すように、LEDパッケージについて、各種のテストを行う。このとき、吊ピンの先端面をテスト用の端子として使用することも可能である。
本実施形態においては、1枚の導電性シート31から、多数、例えば、数千個程度のLEDパッケージを一括して製造することができる。これにより、LEDパッケージ1個当たりの製造コストを低減することができる。また、外囲器が設けられていないため、部品点数及び工程数が少なく、コストが低い。
本変形例は、リードフレームシートの形成方法の変形例である。
すなわち、本変形例においては、図15(a)に示すリードフレームシートの形成方法が、前述の第9の実施形態と異なっている。
図16(a)〜(h)は、本変形例におけるリードフレームシートの形成方法を例示する工程断面図である。
Claims (15)
- 同一平面上に配置され、相互に離隔した(2×n)枚(nは2以上の整数)のリードフレームと、
前記リードフレームの上方に設けられ、それぞれの一方の端子が前記(2×n)枚のリードフレームのうちのn枚のリードフレームにそれぞれ接続され、それぞれの他方の端子が前記(2×n)枚のリードフレームのうちの前記n枚のリードフレーム以外のリードフレームにそれぞれ接続されたn個のLEDチップと、
前記(2×n)枚のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記n個のLEDチップを覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた樹脂体と、
を備えたことを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記n個のLEDチップは、同一の前記リードフレームに搭載されていることを特徴とする請求項1記載のLEDパッケージ。
- 上方から見て、前記樹脂体の形状は矩形であり、
前記n個のLEDチップが搭載されたリードフレームは、
ベース部と、
前記ベース部から延出し、その先端面が前記樹脂体の相互に異なる3つの側面において露出した複数本の吊ピンと、
を有することを特徴とする請求項2記載のLEDパッケージ。 - 前記n個のLEDチップは、それぞれの前記他方の端子が接続された前記リードフレームにそれぞれ搭載されていることを特徴とする請求項1記載のLEDパッケージ。
- 同一平面上に配置され、相互に離隔した(n+1)枚(nは2以上の整数)のリードフレームと、
前記リードフレームの上方に設けられ、それぞれの一方の端子が前記(n+1)枚のリードフレームのうちのn枚のリードフレームにそれぞれ接続され、それぞれの他方の端子が前記(n+1)枚のリードフレームのうちの前記n枚のリードフレーム以外のリードフレームに共通接続されたn個のLEDチップと、
前記(n+1)枚のリードフレームのそれぞれの上面全体、下面の一部及び端面の一部を覆い、前記n個のLEDチップを覆い、前記下面の残部及び前記端面の残部を露出させた樹脂体と、
を備えたことを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記n個のLEDチップは、前記他方の端子が共通接続された同一の前記リードフレームに搭載されていることを特徴とする請求項5記載のLEDパッケージ。
- 前記n個のLEDチップは、相互に異なる色の光を出射することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
- 前記nは3以上であり、前記n個のLEDチップには、赤色の光を出射するLEDチップ、緑色の光を出射するLEDチップ、及び青色の光を出射するLEDチップが含まれることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
- 少なくとも1個の前記LEDチップにおいて、前記一方の端子は前記LEDチップの上面に設けられており、前記他方の端子は前記LEDチップの下面に設けられていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
- 1個の前記LEDチップに対して並列に接続されたツェナーダイオードチップをさらに備えたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
- 同一平面上に配置され、相互に離隔した第1〜第6のリードフレームと、
前記第1のリードフレーム上に搭載され、一方の端子が前記第1のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第2のリードフレームに接続され、赤色の光を出射する赤色LEDチップと、
前記第1のリードフレーム上における前記赤色LEDチップから見て前記第3及び第4のリードフレーム側の位置に搭載され、一方の端子が前記第3のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第4のリードフレームに接続され、青色の光を出射する青色LEDチップと、
前記第1のリードフレーム上における前記赤色LEDチップから見て前記第5及び第6のリードフレーム側の位置に搭載され、一方の端子が前記第5のリードフレームに接続され、他方の端子が前記第6のリードフレームに接続され、緑色の光を出射する緑色LEDチップと、
形状が直方体であり、前記第1〜第6のリードフレームのそれぞれの上面の全体、下面の一部及び少なくとも1つの端面の一部、並びに前記第1〜第6のLEDチップを覆い、前記下面の残部及び前記少なくとも1つの端面の残部を露出させた樹脂体と、
を備え、
前記第1のリードフレームは、
ベース部と、
前記ベース部から延出し、その先端面が前記樹脂体の相互に異なる3つの側面において露出した複数本の吊ピンと、
を有することを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記第4のリードフレーム上に搭載され、上面端子が前記第3のリードフレームに接続され、下面端子が前記第4のリードフレームに接続された第1のツェナーダイオードと、
前記第6のリードフレーム上に搭載され、上面端子が前記第5のリードフレームに接続され、下面端子が前記第6のリードフレームに接続された第2のツェナーダイオードと、
をさらに備えたことを特徴とする請求項11記載のLEDパッケージ。 - 前記樹脂体内に含有された拡散剤をさらに備えたことを特徴とする請求項1〜12のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。
- 各前記リードフレームの下面にはそれぞれ凸部が形成されており、
前記凸部の下面は前記樹脂体の下面において露出し、前記凸部の側面は前記樹脂体によって覆われていることを特徴とする請求項1〜13のいずれか1つに記載のLEDパッケージ。 - 前記凸部は、各前記リードフレームにおける相互に対向する端縁から離隔した領域に形成されていることを特徴とする請求項14記載のLEDパッケージ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010143663A JP5010716B2 (ja) | 2010-01-29 | 2010-06-24 | Ledパッケージ |
TW099130202A TWI452668B (zh) | 2010-01-29 | 2010-09-07 | 發光二極體(led)封裝 |
CN2010102780211A CN102142507B (zh) | 2010-01-29 | 2010-09-10 | Led封装 |
US12/886,124 US8487418B2 (en) | 2010-01-29 | 2010-09-20 | LED package |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010019781 | 2010-01-29 | ||
JP2010019781 | 2010-01-29 | ||
JP2010143663A JP5010716B2 (ja) | 2010-01-29 | 2010-06-24 | Ledパッケージ |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2011176264A true JP2011176264A (ja) | 2011-09-08 |
JP5010716B2 JP5010716B2 (ja) | 2012-08-29 |
Family
ID=44340842
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP2010143663A Active JP5010716B2 (ja) | 2010-01-29 | 2010-06-24 | Ledパッケージ |
Country Status (4)
Country | Link |
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US (1) | US8487418B2 (ja) |
JP (1) | JP5010716B2 (ja) |
CN (1) | CN102142507B (ja) |
TW (1) | TWI452668B (ja) |
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JP2018530918A (ja) * | 2015-10-05 | 2018-10-18 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | 強化構造を有するリードフレームを含むオプトエレクトロニクス部品 |
US10510935B2 (en) | 2015-10-05 | 2019-12-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelectronic component having a lead frame with a stiffening structure |
JP2018534776A (ja) * | 2015-11-12 | 2018-11-22 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | エレクトロニクス部品のためのパッケージ、エレクトロニクス部品、およびエレクトロニクス装置 |
JP2018182270A (ja) * | 2017-04-21 | 2018-11-15 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP2019009363A (ja) * | 2017-06-27 | 2019-01-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び樹脂付リードフレーム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20110186875A1 (en) | 2011-08-04 |
CN102142507A (zh) | 2011-08-03 |
TW201138060A (en) | 2011-11-01 |
TWI452668B (zh) | 2014-09-11 |
JP5010716B2 (ja) | 2012-08-29 |
US8487418B2 (en) | 2013-07-16 |
CN102142507B (zh) | 2013-12-18 |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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