JP2003017753A - 発光装置 - Google Patents
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Abstract
実装して白色光を含むフルカラーの発光を実現する場
合、本装置全体の小型化を図りながら各色の光の混色性
を向上させることができる発光装置を提供する。 【解決手段】 モールド樹脂8によって支持されたリー
ドフレーム2aに、赤色系、緑色系、青色系LED素子
10,11,12の全てを載置し、赤色系素子10のボ
ンディングワイヤ35をリードフレーム5aに接続し、
緑色系素子11の一方のボンディングワイヤ45をリー
ドフレーム3aに接続し、他方のボンディングワイヤ4
7をリードフレーム6aに接続し、青色系素子12の一
方のボンディングワイヤ50をリードフレーム4aに接
続し、他方のボンディングワイヤ49をリードフレーム
7aに接続して発光装置1aを構成した。
Description
クライト用や、スキャナー用、アミューズメント用の光
源として好適な発光装置に関し、特に、混色性に優れ、
コンパクト化を計ることが可能な発光装置に関する。
光装置は、赤色(R)のLED、緑色(G)のLEDお
よび青色(B)のLEDを備え、各色LEDの点灯によ
って白色を発光することができる。一方、例えば、フル
カラーディスプレイの用途では、各色LEDのオン/オ
フおよび発光強度の可変を制御しながら光を混色するこ
とによりフルカラーの発光が実現可能なように構成され
ている。
し、その説明を行う。図3は、従来の発光装置の構成を
示す平面図である。
ーム2〜7を指示するモールド樹脂(耐熱性を有する液
晶ポリマー)8と、リードフレーム2〜7上に載置され
た赤色系LED素子10、緑色系LED素子11、青色
系LED素子12および2つのツェナーダイオード素子
13,14と、モールド樹脂8に形成された反射壁15
と、各リードフレーム2〜7の終端に相当するR,G,
Bアノード端子16,17,18およびR,G,Bカソ
ード端子19,20,21とを備えて構成されている。
nGaP系化合物半導体によって構成され、図4に示す
ように、互いに接合されたN型半導体31およびP型半
導体32と、N型半導体31の上面にAlが蒸着後に熱
処理されることにより形成された透明電極33と、透明
電極33上に設けられたボンディングパッド34によっ
て電気的に接続されたボンディングワイヤ35と、P型
半導体32の下面にNi/Auが蒸着されて形成された
Ni/Au電極36とから成り、Ni/Au電極36が
銀ペースト37によってリードフレーム2に電気的に接
続され、ボンディングワイヤ35がリードフレーム5に
電気的に接続されている。
素子12は、例えば、GaN系化合物半導体によって構
成され、図5に緑色系LED素子11を代表して示すよ
うに、N型半導体41と、N型半導体31の上面が一部
露出するようにN型半導体31に接合されたP型半導体
42と、P型半導体42の上面にNi/Auが蒸着後に
熱処理されることにより形成された透明電極43と、透
明電極43上に設けられたボンディングパッド44によ
って電気的に接続されたボンディングワイヤ45と、N
型半導体41の露出面に形成されたN電極46と、N電
極46に電気的に接続されたボンディングワイヤ47
と、N型半導体41の下面に位置する基板(例えばサフ
ァイヤ)48とから成り、基板48がリードフレーム6
上に載置固定され、一方のボンディングワイヤ45がリ
ードフレーム3に電気的に接続され、他方のボンディン
グワイヤ47がリードフレーム6に電気的に接続されて
いる。
る青色系LED素子12は、図3に示すようにリードフ
レーム7上に載置固定され、一方のボンディングワイヤ
49がリードフレーム7に電気的に接続され、他方のボ
ンディングワイヤ50がリードフレーム4に電気的に接
続されている。
は、その最下層の電極(図示せず)がリードフレーム3
に電気的に接続されて固定され、そのボンディングワイ
ヤ51がリードフレーム6に電気的に接続されている。
第2のツェナーダイオード素子14は、その最下層の電
極(図示せず)がリードフレーム4に電気的に接続され
て固定され、そのボンディングワイヤ52がリードフレ
ーム7に電気的に接続されている。
フレーム2がRアノード端子16を提供し、リードフレ
ーム3がGアノード端子17を、リードフレーム4がB
アノード端子18を、リードフレーム5がRカソード端
子19を、リードフレーム6がGカソード端子20を、
リードフレーム7がBカソード端子21を提供してい
る。
路図を図6に示す。但し、この図6において図3の各部
に対応する部分には同一符号を付す。
ード端子16とRカソード端子19間に図示せぬ電源を
接続して電圧を印加することにより赤色系LED素子1
0に電流が流れ、赤色系の光で発光する。同様にGアノ
ード端子17とGカソード端子20間に図示せぬ電源を
接続して電圧を印加することにより緑色系LED素子1
1に電流が流れ、緑色系の光で発光する。Bアノード端
子18とBカソード端子21間に図示せぬ電源を接続し
て電圧を印加することにより青色系LED素子12に電
流が流れ、青色系の光で発光する。
灯によって白色光を発する。一方、フルカラーディスプ
レイの用途では、電源のオン/オフおよび駆動電流を可
変することによって、各々の素子10,11,12の発
光のオン/オフと発光強度を制御しながら各色の光を混
色することにより、フルカラーの発光が実現可能とな
る。
D素子12は、静電気に弱く絶縁破壊を起こす恐れがあ
る。このため、緑色系LED素子11にツェナーダイオ
ード素子13を並列に接続すると共に、青色系LED素
子12にツェナーダイオード素子14を並列に接続する
ことによって、各素子13,14にチャージされる余計
な電荷を放電するようになされている。
置においては、各R,G,Bの素子10,11,12を
実装するリードフレーム2,6,7を一定間隔離し、こ
れらリードフレーム2,6,7の上に各素子10,1
1,12を載置して実装しなければならない。このよう
に実装した場合、各リードフレーム2,6,7が接触し
ないように離さなければならないことから各素子10,
11,12が離れて配置されることになり、このため混
色される各色の光が離れるので光の混色性が悪くなると
いう問題がある。また各素子10,11,12を一定間
隔離さなければならないので、その分、各素子10,1
1,12を実装するために必要な面積が大きくなり、発
光装置1のサイズが大きくなるという問題がある。
あり、赤色系、緑色系および青色系のLED素子をリー
ドフレーム等のリードに実装する場合、本装置全体の小
型化を図りながら各色の光の混色性を向上させることが
できる発光装置を提供することを目的とする。
に、電圧印加により赤色系で発光するR発光素子、緑色
系で発光するG発光素子および青色系で発光するB発光
素子を有する発光装置において、前記R,G,B発光素
子に個別に電圧を印加するための個々に独立したリード
を絶縁部材で支持し、その各リードのうち前記R発光素
子の1つのリードに前記R発光素子の底面に形成された
電極、前記GおよびB発光素子双方の底面に形成された
絶縁基板が当接するように各素子を載置し、この載置さ
れた各発光素子に個別に電圧が印加されるように各発光
素子の電極と他のリードとを接続して成ることを特徴と
している。
は、R発光素子が載置されたリードに載置されるが、G
およびB発光素子はリードへの当接面が絶縁基板なの
で、全ての素子が僅かでも離れていればリードを介して
ショートすることはなく、互いを絶縁状態とすることが
でき、同一リード上に全ての素子を極力短い間隔で離し
て載置することができる。
ェナーダイオード素子を並列に接続したことを特徴とし
ている。
チャージされる余計な電荷をツェナーダイオード素子で
放電することができ、絶縁破壊を防止することができ
る。
してのリードフレームがモールド樹脂によって絶縁され
ながら支持されるが、リードフレームを使用せずに、基
板上にパターン形成されたリードに発光素子を載置して
も良い。
て、図面を参照して詳細に説明する。
発光装置の構成を示す平面図である。但し、この図1に
示す実施の形態において図3の従来例の各部に対応する
部分には同一符号を付す。
レーム2a〜7aを絶縁しながら支持するモールド樹脂
(例えば、耐熱性を有する液晶ポリマー)8と、各リー
ドフレーム2aに載置された赤色系LED素子10、緑
色系LED素子11、青色系LED素子12、およびリ
ードフレーム3a,4aに載置されたツェナーダイオー
ド素子13,14と、モールド樹脂8の円形凹部の内壁
に相当する反射壁15aと、各リードフレーム2a〜7
aの終端に相当するR,G,Bアノード端子16,1
7,18およびR,G,Bカソード端子19,20,2
1とを備えて構成されている。
ーム2aの上に、赤色系LED素子10、緑色系LED
素子11および青色系LED素子12を載置して実装し
たことにある。図1(b)はリードフレーム2a、3
a、4a、5a、6a、7aを示す。リードフレーム2
aは先端部にチップ搭載領域11を有し、チップ搭載領
域11は両側に切欠部14、15を有する。切欠部に対
向するように、リードフレーム6a、7aのボンディン
グ領域12、13が近接している。このリードフレーム
パターンによってLED素子10、11、12を近接し
た状態で中心部に配置することができ、リードフレーム
5a、6a、7aはボンディングだけになるので、良好
なボンディング性が得られる。
ED素子10は、Ni/Au電極36が銀ペースト37
によってリードフレーム2aに電気的に接続され、ボン
ディングワイヤ35がリードフレーム5aに電気的に接
続されている。
11は、絶縁基板48がリードフレーム2a上に載置固
定され、一方のボンディングワイヤ45がリードフレー
ム3aに電気的に接続され、他方のボンディングワイヤ
47がリードフレーム6aに電気的に接続されている。
つまり、緑色系LED素子11はリードフレーム2a上
に載置されるが、その底面が絶縁基板48なのでリード
フレーム2aとは電気的には接続されない状態となる。
る青色系LED素子12は、リードフレーム2a上に載
置固定され、一方のボンディングワイヤ49がリードフ
レーム7aに電気的に接続され、他方のボンディングワ
イヤ50がリードフレーム4aに電気的に接続されてい
る。この場合も、青色系LED素子12はリードフレー
ム2a上に載置されるが、その底面が絶縁基板なのでリ
ードフレーム2aとは電気的には接続されない状態とな
る。
は、その最下層の電極(図示せず)がリードフレーム3
aに電気的に接続されて固定され、そのボンディングワ
イヤ51がリードフレーム6aに電気的に接続されてい
る。第2のツェナーダイオード素子14は、その最下層
の電極(図示せず)がリードフレーム4aに電気的に接
続されて固定され、そのボンディングワイヤ52がリー
ドフレーム7aに電気的に接続されている。また、この
ように構成された発光装置1aの電気回路図は図6と同
様となる。
Rアノード端子16とRカソード端子19間に図示せぬ
電源を接続して電圧を印加することにより、リードフレ
ーム2aと5aを介して赤色系LED素子10に電流が
流れ、赤色系の光で発光する。同様にGアノード端子1
7とGカソード端子20間に図示せぬ電源を接続して電
圧を印加することにより、リードフレーム3aと6aを
介して緑色系LED素子11に電流が流れ、緑色系の光
で発光する。Bアノード端子18とBカソード端子21
間に図示せぬ電源を接続して電圧を印加することによ
り、リードフレーム4aと7aを介して青色系LED素
子12に電流が流れ、青色系の光で発光する。
光によって白色光を発することができる。一方、ディス
プレイ等の用途においては、電源のオン/オフおよび駆
動電流を可変することによって、各々の素子10,1
1,12の発光のオン/オフと発光強度を制御しながら
各色の光を混色することにより、フルカラーの発光が実
現可能となる。
れば、Rアノード端子16が接続されたリードフレーム
2aに、赤色系LED素子10、緑色系LED素子11
および青色系LED素子12の全てを載置し、赤色系L
ED素子10のボンディングワイヤ35をRカソード端
子19が接続されたリードフレーム5aに接続し、緑色
系LED素子11の一方のボンディングワイヤ45をG
アノード端子17が接続されたリードフレーム3aに接
続し、他方のボンディングワイヤ47をGカソード端子
20が接続されたリードフレーム6aに接続し、青色系
LED素子12の一方のボンディングワイヤ50をBア
ノード端子18が接続されたリードフレーム4aに接続
し、他方のボンディングワイヤ49をBカソード端子2
1が接続されたリードフレーム7aに接続して発光装置
1aを構成した。
素子11および青色系LED素子12は、赤色系LED
素子10が載置されたと同一のリードフレーム2aに載
置されているが、緑色系LED素子11および青色系L
ED素子12はリードフレーム2aへの当接面が絶縁基
板48なので、全ての素子10,11,12が僅かでも
離れていればリードフレーム2aを介してショートする
ことはなく、互いを絶縁状態とすることができる。この
ように同一リードフレーム2a上に全ての素子10,1
1,12を極力短い間隔で離して載置することができる
ので、発光時に混色される各色の光が近くで混色するこ
とになり、これによって光の混色性を向上させることが
できる。
短い間隔で離して載置することができるので、その全素
子10,11,12の配置面積が従来に比べ狭まること
になる。なぜならば従来は各素子10,11,12を実
装する一定間隔離れた各リードフレーム2,6,7の上
に各素子10,11,12を載置していたからである。
このように各素子10,11,12を実装するために必
要な面積を小さくすることができるので、発光装置1a
のサイズも小さくすることができる。
ド樹脂8に形成された円形凹部の反射壁15aを示し、
その部分に透明のエポキシ樹脂が充填されている。この
エポキシ樹脂はレンズ形状を有するように形成されても
良い。このエポキシ樹脂を通して発光素子10、11、
12が見えるが、リードフレーム2a〜7a、ツェナー
ダイオード13、14は図示を省略した。
赤色系で発光するR発光素子、緑色系で発光するG発光
素子および青色系で発光するB発光素子を有する発光装
置において、R,G,B発光素子に個別に電圧を印加す
るための個々に独立したリードを絶縁して支持し、その
各リードのうち1つのリードにR発光素子の底面に形成
された電極、GおよびB発光素子双方の底面に形成され
た絶縁基板が当接するように各素子を載置し、この載置
された各素子に個別に電圧が印加されるように各素子の
電極と他のリードとを接続した。これによって、赤色
系、緑色系および青色系のLED素子を実装して白色光
を含むフルカラーの発光を実現する場合、本装置全体の
小型化を図りながら各色の光の混色性を向上させること
ができる。
成を示す平面図である。 (b)(a)のリードフレームのパターンを示す平面図
である。
斜視図である。
構成を示す断面図である。
ングワイヤ 36 Ni/Au電極 37 銀ペースト 46 N電極 48 絶縁層 53 発光装置の電気回路
Claims (4)
- 【請求項1】 電圧印加により赤色系で発光するR発光
素子、緑色系で発光するG発光素子および青色系で発光
するB発光素子を有する発光装置において、 前記R,G,B発光素子に個別に電圧を印加するための
個々に独立したリードを絶縁部材で支持し、その各リー
ドのうち前記R発光素子の1つのリードに前記R発光素
子の底面に形成された電極、前記GおよびB発光素子双
方の底面に形成された絶縁基板が当接するように各素子
を載置し、この載置された各発光素子に個別に電圧が印
加されるように各発光素子の電極と他のリードとを接続
して成ることを特徴とする発光装置。 - 【請求項2】 前記リードは、リードフレームであり、
前記絶縁部材は、前記リードフレームを支持するモール
ド樹脂であることを特徴とする請求項1記載の発光装
置。 - 【請求項3】 前記モールド樹脂は、反射壁を提供する
円形凹部を有することを特徴とする請求項1記載の発光
装置。 - 【請求項4】 前記GおよびB発光素子の各々にツェナ
ーダイオード素子を並列に接続したことを特徴とする請
求項1記載の発光装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001202735A JP2003017753A (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | 発光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001202735A JP2003017753A (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | 発光装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003017753A true JP2003017753A (ja) | 2003-01-17 |
Family
ID=19039489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001202735A Pending JP2003017753A (ja) | 2001-07-03 | 2001-07-03 | 発光装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2003017753A (ja) |
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006134992A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Displays Ltd | 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置 |
JP2006134996A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Displays Ltd | 照明装置、照明装置の製造方法およびこの照明装置を用いた表示装置 |
JP2006269785A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子及び発光装置 |
JP2006529058A (ja) * | 2003-05-28 | 2006-12-28 | ソウル セミコンダクター シーオー エルティディ | 少なくとも2個のヒートシンクを有する発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードシステム |
JP2008028384A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード封止構造 |
WO2008038915A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting device and method of manufacturing the same |
EP1928033A2 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Nichia Corporation | Light-emitting apparatus and method of producing the same |
CN100421269C (zh) * | 2005-06-03 | 2008-09-24 | 邢陈震仑 | 一种低热阻的发光二极管封装装置 |
JP2009021417A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
US7964892B2 (en) | 2006-12-01 | 2011-06-21 | Nichia Corporation | Light emitting device |
CN102142507A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 株式会社东芝 | Led封装 |
JP2012119376A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
CN102610602A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-07-25 | 四川柏狮光电技术有限公司 | 单一封装材质高解析度led光源及其制备工艺 |
JP2012182485A (ja) * | 2010-01-29 | 2012-09-20 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
JP2013021302A (ja) * | 2011-05-19 | 2013-01-31 | Rohm Co Ltd | Ledモジュールおよびイメージセンサモジュール |
US8421093B2 (en) | 2007-07-13 | 2013-04-16 | Rohm Co., Ltd. | LED module and LED dot matrix display |
US10283489B2 (en) | 2014-12-26 | 2019-05-07 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2021015867A (ja) * | 2019-07-11 | 2021-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光モジュール |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07288341A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Nichia Chem Ind Ltd | Ledディスプレイ |
JPH1145958A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Kyowa Kasei Kk | 表面実装部品及びその製造方法 |
JPH11307818A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Matsushita Electron Corp | フルカラー複合半導体発光素子及びこれを用いた発光装置 |
JPH11331494A (ja) * | 1998-05-08 | 1999-11-30 | Canon Inc | 密着型イメージセンサ |
JP2000022221A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
JP2000294838A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Matsushita Electronics Industry Corp | チップ型発光ダイオードアレイ |
JP2002344025A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Stanley Electric Co Ltd | 多色式横方向発光型面実装led |
-
2001
- 2001-07-03 JP JP2001202735A patent/JP2003017753A/ja active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07288341A (ja) * | 1994-04-18 | 1995-10-31 | Nichia Chem Ind Ltd | Ledディスプレイ |
JPH1145958A (ja) * | 1997-07-24 | 1999-02-16 | Kyowa Kasei Kk | 表面実装部品及びその製造方法 |
JPH11307818A (ja) * | 1998-04-24 | 1999-11-05 | Matsushita Electron Corp | フルカラー複合半導体発光素子及びこれを用いた発光装置 |
JPH11331494A (ja) * | 1998-05-08 | 1999-11-30 | Canon Inc | 密着型イメージセンサ |
JP2000022221A (ja) * | 1998-07-06 | 2000-01-21 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光ダイオード |
JP2000294838A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Matsushita Electronics Industry Corp | チップ型発光ダイオードアレイ |
JP2002344025A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Stanley Electric Co Ltd | 多色式横方向発光型面実装led |
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7994526B2 (en) | 2003-05-28 | 2011-08-09 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks |
JP2006529058A (ja) * | 2003-05-28 | 2006-12-28 | ソウル セミコンダクター シーオー エルティディ | 少なくとも2個のヒートシンクを有する発光ダイオードパッケージ及び発光ダイオードシステム |
US8823036B2 (en) | 2003-05-28 | 2014-09-02 | Seoul Semiconductor Co., Ltd. | Light emitting diode package and light emitting diode system having at least two heat sinks |
JP2006134996A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Displays Ltd | 照明装置、照明装置の製造方法およびこの照明装置を用いた表示装置 |
JP2006134992A (ja) * | 2004-11-04 | 2006-05-25 | Hitachi Displays Ltd | 光源ユニット、それを用いた照明装置及びそれを用いた表示装置 |
US8022431B2 (en) | 2004-11-04 | 2011-09-20 | Hitachi Displays, Ltd. | Illuminating apparatus, method for fabricating the using the same and display apparatus using the same |
JP2006269785A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子及び発光装置 |
JP4542453B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2010-09-15 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
CN100421269C (zh) * | 2005-06-03 | 2008-09-24 | 邢陈震仑 | 一种低热阻的发光二极管封装装置 |
JP2008028384A (ja) * | 2006-07-24 | 2008-02-07 | Yiguang Electronic Ind Co Ltd | 発光ダイオード封止構造 |
US8093600B2 (en) | 2006-07-24 | 2012-01-10 | Everlight Electronics Co., Ltd. | LED packaging structure |
WO2008038915A1 (en) * | 2006-09-25 | 2008-04-03 | Lg Innotek Co., Ltd | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US8297793B2 (en) | 2006-09-25 | 2012-10-30 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
EP1928033A2 (en) | 2006-11-30 | 2008-06-04 | Nichia Corporation | Light-emitting apparatus and method of producing the same |
US7964892B2 (en) | 2006-12-01 | 2011-06-21 | Nichia Corporation | Light emitting device |
US10381331B2 (en) | 2007-07-12 | 2019-08-13 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
US9899356B2 (en) | 2007-07-12 | 2018-02-20 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
JP2009021417A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Rohm Co Ltd | 半導体発光装置 |
US9543477B2 (en) | 2007-07-12 | 2017-01-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
US9093358B2 (en) | 2007-07-12 | 2015-07-28 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
US8847255B2 (en) | 2007-07-12 | 2014-09-30 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device |
US8835946B2 (en) | 2007-07-13 | 2014-09-16 | Rohm Co., Ltd. | LED module and LED dot matrix display |
US8421093B2 (en) | 2007-07-13 | 2013-04-16 | Rohm Co., Ltd. | LED module and LED dot matrix display |
US10147759B2 (en) | 2007-07-13 | 2018-12-04 | Rohm Co., Ltd. | LED module and LED dot matrix display |
US8487418B2 (en) | 2010-01-29 | 2013-07-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | LED package |
JP2012182485A (ja) * | 2010-01-29 | 2012-09-20 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
JP2011176264A (ja) * | 2010-01-29 | 2011-09-08 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
CN102142507A (zh) * | 2010-01-29 | 2011-08-03 | 株式会社东芝 | Led封装 |
JP2012119376A (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-21 | Toshiba Corp | Ledパッケージ |
CN102610602A (zh) * | 2011-01-25 | 2012-07-25 | 四川柏狮光电技术有限公司 | 单一封装材质高解析度led光源及其制备工艺 |
JP2013021302A (ja) * | 2011-05-19 | 2013-01-31 | Rohm Co Ltd | Ledモジュールおよびイメージセンサモジュール |
US10283489B2 (en) | 2014-12-26 | 2019-05-07 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP2021015867A (ja) * | 2019-07-11 | 2021-02-12 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光モジュール |
JP7331331B2 (ja) | 2019-07-11 | 2023-08-23 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び発光モジュール |
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