JP2018182270A - 光源装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】発光装置を基板に実装する際の位置ずれが抑制された光源装置を提供する。
【解決手段】下面に第１電極と第２電極とを有し、下面において、第１電極は、分離領域を介して分離された、第１部及び第２部を有する電子部品と、基材と、基材の上面に配置される一対の配線層とを有する基板と、を備え、一対の配線層の上面と、電子部品の下面にある第１電極及び第２電極とが対面するように電子部品が載置される光源装置であって、基板は、分離領域と対面する位置に第１領域を有し、第１領域は、第１領域以外に位置する一対の配線層の表面よりも半田濡れ性が悪い領域であることを特徴とする光源装置。
【選択図】図３Ｂ

Description

本開示は、光源装置に関する。
１つ以上の発光装置が基板に実装された光源装置が種々利用されている。このような光源装置では、発光装置の配向が光源装置の出射光に影響を及ぼすことが知られている（特許文献１等）。そのため、発光装置の実装後に、発光装置の配光が望ましい配光となるように、発光装置の位置ずれが抑制された光源装置が求められている。
特開２０１５−２４１２４７号公報
本開示の実施形態は、発光装置を基板に実装する際の位置ずれが抑制された光源装置を提供することを目的とする。
本開示の実施形態の光源装置は、下面に第１電極と第２電極とを有し、下面において、第１電極は、分離領域を介して分離された、第１部及び第２部を有する電子部品と、基材と、基材の上面に配置される一対の配線層とを有する基板と、を備え、一対の配線層の上面と、電子部品の下面にある第１電極及び第２電極とが対面するように電子部品が載置される光源装置であって、基板は、分離領域と対面する位置に第１領域を有し、第１領域は、第１領域以外に位置する一対の配線層の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。
本開示の実施形態によれば、発光装置を基板に実装する際の位置ずれが抑制された光源装置を提供することができる。
本開示の光源装置の一実施形態を示す模式上面図である。 図１の光源装置に搭載される電子部品の一実施形態を示す模式上面図である。 図２Ａの電子部品を示す模式下面図である。 図２Ａに示すＩ−Ｉ’線における模式断面図である。 図２Ａの電子部品の上面視における模式透過図である。 図１の光源装置を構成する基板の一実施形態を示す模式上面図である。 基板と電子部品との位置関係を説明するための模式透過図である。 本開示の光源装置に搭載される電子部品の別の実施形態を示す模式透過図である。 図４Ａの電子部品を示す模式下面図である。 基板と電子部品との位置関係を説明するための模式透過図である。 基板と電子部品との位置関係を説明するための模式透過図である。
以下、本発明の実施の形態について適宜図面を参照して説明する。ただし、以下に説明する実施形態は、本発明の技術思想を具体化するためのものであって、本発明を以下に限定しない。また、一の実施の形態において説明する内容は、他の実施の形態にも適用可能である。各図面が示す部材の大きさや位置関係等は、説明を明確にするため、誇張していることがある。
〔光源装置〕
本発明の一実施の形態の光源装置１０は、図１に示すように、電子部品１１ａと、基板１２とを備える。
〔電子部品１１ａ〕
電子部品１１ａは、基板１２に搭載され、光源装置１０を構成する一部品である。
電子部品１１ａは、例えば、発光ダイオードやレーザダイオード等の半導体発光素子１４、または、半導体発光素子１４を有する発光装置１１を用いることができる。
図２Ａから２Ｃは、電子部品１１ａとして用いられる発光装置１１の一例を示す図である。図２Ａは発光装置１１の模式上面図であり、図２Ｂは発光装置１１の模式下面図であり、図２Ｃは図２Ａに示すＩ−Ｉ’線における模式断面図である。図２Ｃでは、ワイヤの図示は省略している。発光装置１１は、パッケージ１３と、半導体発光素子１４とを備える。パッケージ１３は、母体１３１と、第１電極１５及び第２電極１６とを有する。図２Ａで示すパッケージ１３は、母体１３１として光反射性の樹脂材料を固化して得られる樹脂部が用いられ、母体１３１と第１電極１５および第２電極１６は一体に形成されている。
電子部品１１ａは、上面視における外形形状が、例えば、四角形等の多角形、円形、又はこれらに近い形状が挙げられる。例えば、発光装置１１は、上面視における外形形状が、第１方向に延びる一対の辺と、第２方向に延びる一対の辺とを有する四角形である。
第１電極１５及び第２電極１６は、電子部品１１ａに給電するための部材である。そのため、第１電極１５および第２電極１６は、導電性を有し、半田等の接合部材との濡れ性が良好な材料が好適に用いられる。図２Ａで示す発光装置１１は、２つの半導体発光素子１４が第１電極１５の上面に配置され、２つの半導体発光素子１４は第１電極１５及び第２電極１６とワイヤを介して電気的に接続されている。なお、半導体発光素子１４の配置は、これに限らず、例えば、第１電極１５および第２電極１６それぞれに跨るように配置されていてもよい。また、第１電極２１および第２電極２２それぞれの上面に少なくとも１つの半導体発光素子１４が配置されてもよい。
第１電極１５及び第２電極１６は、電子部品１１ａの下面１１ｂに配置される。図２Ｂで示す発光装置１１では、第１電極１５及び第２電極１６は、発光装置１１の下面１１ｂにおいて母体１３１から露出するように配置されている。電子部品１１ａの下面１１ｂに配置される第１電極１５および第２電極１６は、後述する基板１２の一対の配線層１９と半田を介して接合される。
第１電極１５は、電子部品１１ａの下面１１ｂにおいて、第１部１５ａ及び第２部１５ｂを有している。第１部１５ａ及び第２部１５ｂは、分離領域１３ａを介して分離されている。より具体的には、第１部１５ａ及び第２部１５ｂは、電子部品１１ａの下面１１ｂにおいて、分離領域１３ａを介して分離されており、下面１１ｂと反対側の上面側において第１部１５ａ及び第２部１５ｂは一体に連結されている。図２Ｂで示す発光装置１１では、第１電極１５は、下面において、窪み部１３ｂ（破線で囲まれる領域）を有し、窪み部１３ｂ内には母体１３１の一部が配置されている。そして、下面１１ｂにおいて、第１部１５ａと第２部１５ｂとは、窪み部１３ｂ内に配置された母体１３１によって分離されている。なお、第１電極１５の第１部１５ａと第２部１５ｂとの間の窪み部１３ｂは、公知の方法によって形成することができる。例えば、平板状の金属板を準備し、エッチング加工又はプレス加工を施すことによって、第１電極１５となる部分および第２電極１６となる部分とを備えるリードフレームを形成する。そして、第１電極１５となる部分および第２電極１６となる部分とを形成する工程と同時に、又は別の工程において、リードフレームに窪み部１３ｂを形成する。具体的には、窪み部１３ｂは、金属板又はリードフレームの下面において、第１電極１５となる部分の一部を、厚み方向に貫通しないようにエッチング加工又はプレス加工を施すことによって形成される。
電子部品１１ａの下面１１ｂにおいて、第１部１５ａの平面形状は、第２部１５ｂの平面形状と異なっている。図２Ｂで示す発光装置１１では、第１部１５ａおよび第２部１５ｂは、第１方向に並んで配置され、第１部１５ａの第２方向に延びる幅は、第２部１５ｂの第２方向に延びる幅よりも広い。また、第１部１５ａの第１方向に延びる幅は、第２部１５ｂの第１方向に延びる幅よりも広くなっている。第１電極１５の第１部１５ａと第２部１５ｂとが異なる形状である場合、基板１２に電子部品１１ａを実装した時に、第１部１５ａおよび第２部１５ｂそれぞれにかかる半田の引っ張る強さが異なる。これにより、基板１２上に電子部品１１ａを実装した時に、電子部品１１ａに位置ずれが起きる可能性がある。なお、本開示の光源装置１０では、基板１２が後述する半田濡れ性の悪い第１領域２１を有し、第１領域２１が第１部１５ａと第２部１５ｂとの間にある分離領域１３ａと対面する位置に設けられている。基板１２の特定の位置に第１領域２１が設けられていることによって、第１電極１５の第１部１５ａと第２部１５ｂとが異なる形状の電子部品を用いたとしても、電子部品１１ａの位置ずれを第１領域２１で抑制することができ、電子部品１１ａの実装精度を向上させることができる。
これまで電子部品１１ａとして発光装置１１を例にとって説明したが、電子部品１１ａは発光装置に限られない。電子部品１１ａは、その他に、半導体発光素子、パワー半導体、電源整流用ダイオード、ツェナーダイオード、可変容量ダイオード、ＰＩＮダイオード、ショットキーバリアダイオード、フォトダイオード、太陽電池、サージ保護用ダイオード、バリスタ、コンデンサ、抵抗等の２端子装置、トランジスタ、バイポーラトランジスタ、電界効果トランジスタ、フォトトランジスタ、ＣＣＤイメージセンサ、サイリスタ、光トリガサイリスタ等の３端子装置、ＤＲＡＭ及びＳＲＡＭ等のメモリ、マイクロプロセッサ等であってよい。なお、光源装置１０が複数の電子部品１１ａを備える場合は、複数の電子部品１１ａは、発光装置１１や上記の電子部品を組み合わせて使用することができる。
半導体発光素子１４は、特に、紫外〜可視域の発光が可能な窒化物半導体（ＩｎxＡｌyＧａ1-x-yＮ、０≦ｘ、０≦ｙ、ｘ＋ｙ≦１）を含むことが好ましい。また、電子部品１１ａとして発光装置１１を用いる場合、発光装置１１は１つの半導体発光素子１４を備えていてよいし、２つ以上の半導体発光素子１４を備えていてよい。発光装置１１が２つの半導体発光素子１４を備える場合は、例えば、青色光を出射する発光素子と緑色光を出射する発光素子とを組み合わせて用いることができる。また、発光装置１１が３つの半導体発光素子１４を備える場合は、例えば、青色光を出射する発光素子、緑色光を出射する発光素子および赤色光を出射する発光素子を組み合わせて用いることができる。半導体発光素子１４が２つ以上ある場合は、各半導体発光素子は直列、並列または直列と並列の組み合わせで電気的に接続される。また、電子部品１１ａとして発光装置１１を用いる場合、半導体発光素子１４は、電極形成面を上側にしてパッケージ１３上に載置（フェイスアップ実装）する、または、電極形成面を下側にしてパッケージ１３上に載置（フリップチップ実装）する、のいずれでもよい。なお、電子部品１１ａとして半導体発光素子１４を用いる場合、半導体発光素子１４の第１電極１５および第２電極１６は同一面に形成され、半導体発光素子１４は電極形成面を下側にして基板１２上に載置（フリップチップ実装）される。
電子部品１１ａとして発光装置１１を用いる場合、パッケージ１３の母体１３１を構成する材料は、例えば、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム等のセラミックス、樹脂（例えば、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、エポキシ変性樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、トリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等）、パルプ、ガラス、又はこれらの複合材料等である。また、パッケージ１３の母体１３１は、単層構造でもよいし、複数の層を含む多層構造でもよい。
第１電極１５及び第２電極１６は、母材として、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属、又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等を用いることができる。また、第１電極１５及び第２電極１６は、母材の表面に金属層を備えていてもよい。金属層は、例えば、銀、アルミニウム、ニッケル、パラジウム、ロジウム、金、銅、又はこれらの合金などを単層又は複数層とすることができる。なお、第１電極１５及び第２電極１６は、金属層が設けられていない領域があってもよい。また、第１電極１５及び第２電極１６において、上面に形成される金属層と、下面に形成される金属層とは異なっていてもよい。例えば、上面に形成される金属層はニッケルの金属層を含む複数層からなる金属層であり、下面に形成される金属層はニッケルの金属層を含まない金属層とすることができる。また、上面に形成された金属層の厚みは、下面に形成された金属層の厚みよりも厚いほうが好ましい。上面側の金属層が厚いことで、半導体発光素子１４からの光を効率的に上側に反射させることができる。また、半導体発光素子１４からの光を直接的に反射しない下面側の金属層を薄くすることで、発光装置１１のコストを抑えることができる。上面の金属層の厚みと、下面の金属層の厚みとが異なる場合は、それぞれの金属層の層数は同じで、そのうちの一部又は全ての層の厚みを異ならせることで、全体の厚みを変えてもよい。あるいは、上面の金属層と下面の金属層の層数を異なるようにすることで、全体の厚みを変えてもよい。
また、第１電極１５及び第２電極１６の最表面に銀または銀合金の金属層が形成される場合は、銀または銀合金の金属層の表面に酸化ケイ素等の保護層が設けられることが好ましい。これにより、大気中の硫黄成分等により銀または銀合金の金属層が変色することを抑制できる。保護層の成膜方法は、例えばスパッタ、原子層堆積法等の真空プロセスによって成膜することができ、その他の既知の方法を用いてもよい。
〔基板１２〕
図３Ａは電子部品１１ａが搭載される前の基板１２の模式上面図であり、図３Ｂは電子部品１１ａが搭載された後の基板１２と電子部品１１ａとの位置関係を説明するための模式透過図である。図３Ａで示すように、基板１２は、基材１７と、一対の配線層１９（第１配線層１９ａおよび第２配線層１９ｂ）とを備える。基板１２は、電子部品１１ａを搭載するための部材であり、光源装置１０を構成する一部材である。図３Ｂで示すように、電子部品１１ａの直下に一対の配線層１９の一部が配置される。具体的には、電子部品１１ａの第１電極１５の直下には第１配線層１９ａの一部が配置し、電子部品１１ａの第２電極１６の直下には第２配線層１９ｂの一部が配置する。第１電極１５および第１配線層１９ａと、第２電極１６および第２配線層１９ｂとはそれぞれ半田を介して電気的に接続される。
基板１２は、上面視において電子部品１１ａと重なる領域で、且つ、電子部品１１ａの下面１１ｂの分離領域１３ａと対面する位置に第１領域２１を有する。第１領域２１は、第１領域２１以外の領域にある一対の配線層１９の表面よりも半田濡れ性が悪い。図３Ｂでは、第１領域２１において、第１配線層１９ａに貫通孔が設けられており、貫通孔の底部で基材１７の一部が露出している。貫通孔の底部で露出する基材１７の一部は、一対の配線層１９よりも半田濡れ性が悪い。そして、電子部品１１ａは、電子部品１１ａの分離領域１３ａと基板１２の第１領域２１（貫通孔）とが対面するように、基板１２上に半田実装される。電子部品１１ａをこのような配置で基板１２に実装することで、上面視において、基板１２の第１領域２１は、電子部品１１ａの第１部１５ａと第２部１５ｂとの間に位置する。その結果、半田濡れ性の悪い第１領域２１を介して、第１部１５ａに濡れ広がる半田の一部と第２部１５ｂに濡れ広がる半田の一部とは分離する。これにより、第１部１５ａにかかる半田の引っ張る力を第２部１５ｂ側に影響しにくくすることができ、一方で、第２部１５ｂにかかる半田の引っ張る力を第１部１５ａ側に影響しにくくすることができる。そして、結果として、電子部品１１ａのセルフアライメント性を向上させることができる。
第１領域２１が第１領域２１以外の領域にある一対の配線層１９の表面よりも半田濡れ性が悪いとは、第１領域２１に対する半田の親和性（付着しやすさ）が、第１領域２１以外の一対の配線層１９に対する半田の親和性よりも低いものを指す。半田濡れ性は、第１領域２１又は一対の配線層１９の表面での半田の接触角によって表すことができる。半田濡れ性が悪い領域では半田の接触角は大きくなる。したがって、第１領域２１での半田の接触角は、一対の配線層１９の表面での半田の接触角よりも大きくなる。半田の接触角は、液滴法、懸滴法、プレート法、ウォッシュバーン法等の公知の方法で測定することができる。
電子部品１１ａを基板１２に搭載した後、第１領域２１は、上面視において、第１部１５ａの内側部１５０ａおよび第２部１５ｂの内側部１５０ｂの少なくとも一方と略接する位置にある。略接する位置とは、例えば、０〜５０μｍ程度離間した距離をいう。例えば、第１領域２１が、上面視において、第１部１５ａの内側部１５０ａと略接する位置にある場合は、電子部品１１ａが第１部１５ａから第２部１５ｂへの方向に位置ずれすることを抑制することができる。一方で、第１領域２１が、上面視において、第２部１５ｂの内側部１５０ｂと略接する位置にある場合は、電子部品１１ａが第２部１５ｂから第１部１５ａへの方向に位置ずれすることを抑制することができる。図３Ｂでは、第１領域２１は、第１部１５ａの内側部１５０ａおよび第２部１５ｂの内側部１５０ｂの双方と接する位置に設けられている。これにより、第１方向の＋方向と−方向双方の位置ずれを抑制することができる。
第１領域２１は、種々の形状とすることができる。第１領域２１の平面形状は、円形、楕円形、多角形、又は、これらの形状を結合した変則的な形状等が挙げられる。なかでも、第１領域２１の平面形状は、円形、楕円形等の加工が容易な形状とすることが好ましい。図３Ｂで示す第１領域２１は、上面視において第１方向に長いトラック形状であるが、第１領域２１の平面形状は、例えば、第２方向に長い形状であってもよいし、第１部１５ａの内側部１５０ａまたは第２部１５ｂの内側部１５０ｂに平行な直線を備える略矩形形状であってもよい。
第１領域２１の幅は、例えば、分離領域１３ａに相当する幅、つまり、第１部１５ａと第２部１５ｂとの最短距離を有していることが好ましい。また、第１領域２１は、分離領域１３ａと対面する領域全てに設けられていてもよいし、図３Ｂで示すように分離領域１３ａと対面する領域のうち一部の領域でもよい。なお、第１領域２１は、１つの電子部品１１ａに対して１つあればよいが、２つ以上配置されていてもよい。
また、基板１２は、第１領域２１に加えて第２領域２２を有していてもよい。第２領域２２は、第１領域２１と同様に、第１領域２１及び第２領域２２以外の領域にある配線層１９の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。第１領域２１は、上述のように、基板１２の表面のうち電子部品１１ａの下面１１ｂの分離領域１３ａと対面する位置に設けられる。一方、第２領域２２は、基板１２の表面のうち、電子部品１１ａの下面１１ｂの分離領域１３ａと対面する位置を除き、且つ、第１電極１５および第２電極１６の周縁にある近傍領域と対面する位置に設けられる。図３Ｂでは、第２領域２２は、基板１２の表面のうち、第１電極１５および第２電極１６の４隅の近傍領域と対面する位置に設けられている。
具体的には、電子部品１１ａの下面１１ｂは、第２方向において離間する第１辺１１ｃおよび第２辺１１ｄを有する。そして、基板１２に設けられる第２領域２２は、それぞれ、第１電極１５および第２電極１６の側部１５１ａ、１５１ｂと第１辺１１ｃとで挟まれる領域の両端部と対面する位置と、第１電極１５の側部１５２ａ、１５３ａと第２辺１１ｄとで挟まれる領域の両端部と対面する位置と、にある。そして、第２領域２２には、第１配線層１９ａおよび第２配線層１９ｂが設けられておらず基材１７が露出している。各第２領域２２は、電子部品１１ａを搭載した際に、各側部１５１ａ、１５２ａ、１５３ａ、１５１ｂと略接する位置にある。各側部１５１ａ、１５２ａ、１５３ａ、１５１ｂと略接する位置にあるとは、例えば、各側部１５１ａ、１５２ａ、１５３ａ、１５１ｂと第２領域２２との距離が０〜５０μｍである。このように基板１２の上面のうち、第２方向に互いに対向する第１辺１１ｃ側および第２辺１１ｄ側の領域に第２領域２２を設け、各第２領域２２と第１電極１５および第２電極１６の側部とが略接する位置にあることで、半田を介して電子部品１１ａを実装したときに電子部品１１ａが第２方向にずれることを抑制することができる。これにより、電子部品１１ａのセルフアライメント性を向上させることができ、電子部品１１ａの実装精度を向上させることができる。また、第２領域２２を第１電極１５および第２電極１６の４隅の近傍領域と対面する位置に設けることで、電子部品１１ａが回転することを抑制することができ、電子部品１１ａの実装精度はさらに向上する。なお、第１方向への電子部品１１ａの位置ずれは、第１領域２１によって抑制される。
図３Ｂで示す基板１２では、第２領域２２は複数設けられているが、第２領域２２は１つでもよい。また、第１領域２１と第２領域２２との半田濡れ性は、同等であることが好ましいが、異なっていてもよい。
第１領域２１は、一対の配線層１９に貫通孔が設けられる形態に限られない。例えば、基板１２は、第１領域２１に位置する一対の配線層１９の上面に、導電性部材または絶縁性部材を有していてもよい。導電性部材または絶縁性部材は、第１領域２１以外の領域にある一対の配線層１９の表面よりも半田濡れ性が悪い材料が用いられる。また、基板１２は、第１領域２１において、一対の配線層１９の一部の材料を変更することにより、又は、一対の配線層１９の一部の状態（表面粗さ、表面処理状態等）を変更することで半田濡れ性を異ならせてよい。第２領域２２についても第１領域２１と同様である。
第１領域２１を構成する絶縁性部材としては、シリコーン樹脂、シリコーン変性樹脂、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、トリメチルペンテン樹脂、ポリノルボルネン樹脂、又はこれらの樹脂を１種以上含むハイブリッド樹脂等が挙げられる。また、その他に、酸化アルミニウム等の酸化物や窒化アルミニウム等の窒化物等を用いることができる。
第１領域２１を構成する導電性部材としては、上述した一対の配線層１９、第１電極１５及び第２電極１６を構成する材料の中から選択することができる。
第１領域２１または第２領域２２として、一対の配線層１９に形成された貫通孔から露出する基材１７を用いる場合は、この貫通孔は、上述した一対の配線層１９のパターニング時に同時に形成することができる。一対の配線層１９のパターニング時に貫通孔を同時に形成することで、第１領域２１または第２領域２２を低コストで形成することができる。あるいは、金型、ロールプレス等を利用した押圧法、パンチングによる打ち抜き等によって形成することができる。
第１領域２１または第２領域２２として、導電性部材または絶縁性部材を用いる場合は、フォトリソグラフィ及びスパッタ法、印刷法等を利用して、特定の位置に配置することができる。この場合、導電性部材等の厚みは、電子部品１１ａと基板１２との実装に用いられる半田の厚みと同様又はそれよりも薄いことが好ましい。この形態では、一対の配線層１９の体積を減少させることはない。そのため、貫通孔の形態と比較して、基板１２の放熱性を高くすることができる。
第１領域２１または第２領域２２として、その領域における配線層の表面粗さを異ならせる場合は、研磨やレーザースクライブ等により形成することができる。この形態では、一対の配線層１９を形成した後に、第１領域２１または第２領域２２を必要に応じて自由度高く形成することができる。
基板１２は、基材１７と一対の配線層１９とに加えて、一対の配線層１９の上面を被覆する被覆部材２３を備えることが好ましい。一対の配線層１９の上面を被覆部材２３が被覆していることで、一対の配線層１９を保護することができ、且つ、基板１２の絶縁性を確保することができる。また、被覆部材２３は、光反射性が高い部材であることが好ましく、また、複数の層からなる積層構造であることが好ましい。被覆部材２３の好ましい形態として、被覆部材２３は第１被覆部材２３ａと第２被覆部材２３ｂとを有する。第１被覆部材２３ａは、基材１７の上面のうち電子部品１１ａの載置領域以外の略全ての領域を被覆する。そして、第２被覆部材２３ｂは、第１被覆部材２３ａよりも光反射性が高い部材が用いられ、且つ、第１被覆部材２３ａの上面を局所的に被覆し、例えば、電子部品１１ａの近傍のみを被覆する。このように被覆部材２３が第１被覆部材２３ａおよび第２被覆部材２３ｂを有し、各被覆部材を上記のように配置することで、第１被覆部材２３ａにより一対の配線層１９を保護することができるとともに、第２被覆部材２３ｂにより電子部品１１ａ（発光装置１１）からの出射光を効率的に上面側に反射させることができる。第１被覆部材２３ａおよび第２被覆部材２３ｂは樹脂材料に光反射性物質が含有された部材を用いることができる。
（基材１７）
基材１７は、表面に一対の配線層１９が配置されている。基材１７の材料としては、例えば、アルミニウム又は銅等の金属、酸化アルミニウム又は窒化アルミニウム等のセラミックス、樹脂、パルプ、ガラス、又はこれらの複合材料等が挙げられる。複合材料としては、例えば、ガラスエポキシ、ガラスシリコーン及びガラス変性シリコーンが挙げられる。基材１７は、単層構造でもよいし、複数の層を含む多層構造でもよい。
（一対の配線層１９）
一対の配線層１９は、電子部品１１ａと電気的に接続され、電子部品１１ａに給電する部材である。一対の配線層１９は、基材１７の上面に配置される。一対の配線層１９は、第１配線層１９ａと第２配線層１９ｂとを有し、第１配線層１９ａと第２配線層１９ｂとは互いに溝１８を挟んで離間している。
一対の配線層１９は、例えば、銅、アルミニウム、金、銀、タングステン、鉄、ニッケル等の金属、又は鉄−ニッケル合金、燐青銅等の合金等によって形成することができる。一対の配線層１９の表面は金属層等で被覆されていてもよい。
なお、基板１２は、基材１７上に搭載する電子部品１１ａの数、電子部品１１ａの接続形態、又は１つの電子部品における外部電極（又は端子）の数等によって、一対の配線層１９以外に他の配線層を備えていてよい。他の配線層は、例えば、通電に寄与しない放熱を目的とする部位であってよい。また、第１配線層１９ａおよび第２配線層１９ｂは、上面視において、大きさ及び形状が互いに異なっていてもよい。
第１配線層１９ａと第２配線層１９ｂとの間に位置する溝１８は、電子部品１１ａの第１電極１５と第２電極１６との間の領域と対面する。
溝１８の平面形状は、１つの電子部品の直下において、屈曲していることが好ましい。溝１８の屈曲方向は特に限定されないが、例えば、溝１８は、第２方向に延び、第１方向に向かって屈曲するものが挙げられる。第２方向から第１方向への屈曲は１つでもよいし、複数でもよい。さらに、第１方向から第２方向への屈曲が１以上あってもよい。
また、上面視において、第１電極１５と第２電極１６との間の領域と対面する溝１８の形状または大きさは、第１電極１５と第２電極１６との間の領域の形状または大きさと略一致することが好ましい。
一対の配線層１９は、基材１７上に、当該分野で公知の方法により任意の形状に形成することができる。例えば、マスクを介してスパッタ法等により配線層となる材料を成膜し、リフトオフによってパターニングする方法や、全面に蒸着等によって配線層となる材料を成膜し、マスクを用いたフォトリソグラフィ法等を利用してパターニングする方法等が挙げられる。また、予めパターニングされた配線を、基材１７上に貼り付けることで一対の配線層１９を形成してもよい。
電子部品１１ａは、半田を介して基板１２の一対の配線層１９の上面に実装される。半田の材料は、例えば、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＣｕとＳｎとを主成分とする合金、ＢｉとＳｎとを主成分とする合金等が挙げられる。
このような半田を介する実装は、半田が一対の配線層１９の上面で広がり、電子部品１１ａが位置ずれを起こす可能性がある。なお、本開示の光源装置１０では、基板１２が上述した第１領域２１および第２領域２２を有することで、電子部品１１ａを実装した際のセルフアライメントを効果的に確保することができる。その結果、電子部品１１ａの実装精度を向上させることができる。
（その他の部材）
電子部品１１ａとして発光装置１１を用いる場合、発光装置１１は、例えば、その光取り出し面となる上面に、封止部材等の光学部材、ツェナーダイオード２５等の保護素子をさらに備えていてもよい。
（実施形態１）
実施形態１の光源装置１０は、図１に示すように、電子部品１１ａに相当する発光装置１１と、基板１２とを備える。
発光装置１１は、図２Ａから２Ｃに示すように、２つの半導体発光素子１４と、この半導体発光素子１４を搭載するパッケージ１３とを備える。
パッケージ１３は、酸化チタンを１５〜２５重量％含有するエポキシ樹脂を含む母体１３１と、第１電極１５及び第２電極１６とを有し、略正方形の平面形状を有する（例えば、３ｍｍ×３ｍｍ）。第１電極１５及び第２電極１６は、銅と銅の表面に形成された金属層とを含み、最大厚みが２００μｍで形成される。第１電極１５及び第２電極１６は、半導体発光素子１４の一対の電極とワイヤにより電気的に接続されている。
第１電極１５は、発光装置１１の下面１１ｂにおいて、第１部１５ａ及び第２部１５ｂを有している。これら第１部１５ａ及び第２部１５ｂは、分離領域１３ａを介して分離されている。
図２Ｄは、実施形態１の発光装置１１の透過上面図である。第１電極１５及び第２電極１６は、図２Ｄに示すように、外周部分１５Ｘ、１６Ｘと、第１部１５ａ及び第２部１５ｂ間の分離領域１３ａと、に下面側から上面側に窪む窪み部を有する。また、第１電極１５及び第２電極１６の上面には、樹脂材料を含む母体１３１と、第１電極１５および第２電極１６との密着性を向上させるために、凹部１５Ｙ、１６Ｙを有する。第１部１５ａの上面に形成される凹部１５Ｙと、第２部１５ｂの上面に形成される１５Ｙとは、上面視における分離領域１３ａと重なる領域において分離している。これにより、第１電極１５の下面に形成される窪み部と、上面に形成される凹部１５Ｙとが、上面視において重ならないので、第１電極１５の強度を確保することができる。
発光装置１１の下面１１ｂにおいて、第１部１５ａは、第２部１５ｂよりも平面積が大きい。
基板１２は、図３Ａおよび３Ｂに示すように、基材１７と、一対の配線層１９とを備える。実施形態１の基材１７は単層構造のガラスエポキシからなり、一対の配線層１９は銅によって形成されている。
基板１２は、発光装置１１を搭載する位置において、発光装置１１の下面１１ｂの分離領域１３ａと対面する位置に第１領域２１を有する。第１領域２１は、第１領域２１以外の領域にある一対の配線層１９の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。具体的には、第１領域２１に位置する一対の配線層１９には貫通孔が形成され、貫通孔の底部において基材１７の一部が露出している。換言すると、銅を含む一対の配線層１９のうち、第１領域２１に位置する一対の配線層１９には貫通孔が設けられ、貫通孔の底部においてガラスエポキシを含む基材１７が露出する。つまり、実施形態１における第１領域２１は、基材１７となる。ガラスエポキシを含む基材１７の表面における半田濡れ性は、銅を含む一対の配線層１９の表面における半田濡れ性よりも悪い。
基板１２は、さらに、第１領域２１に加えて、４つの第２領域２２を有している。第２領域２２は、第１領域２１と同様に、第１領域２１及び第２領域２２以外の領域にある一対の配線層１９の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。第２領域２２も第１領域２１と同様に、貫通孔が設けられ、貫通孔の底部において基材１７の一部が露出する。つまり、実施形態１における第２領域２２は、基材１７となる。
一対の配線層１９は、溝１８を挟んで基材１７の上面に配置されている。溝１８は、発光装置１１の第１電極１５と第２電極１６との間の領域に対面する基板１２の上面に配置されている。溝の幅は、例えば、４００μｍである。
溝１８は、１つの半導体発光素子１４の直下において、第１電極１５と第２電極１６との離間領域の形状に対応して、屈曲している。
一対の配線層１９は、その表面の一部が被覆部材２３により覆われている。被覆部材２３は、発光装置１１との電気的な接続に必要な配線層の一部を露出して、その他の配線層を含む基材１７の表面を被覆する。つまり、被覆部材２３は、発光装置１１が搭載された領域を露出する開口を有する。
被覆部材２３は、基板１２上において、一対の配線層１９を略全面にわたって被覆する第１被覆部材２３ａと、発光装置１１の周辺にのみ配置された第２被覆部材２３ｂとを備える。
発光装置１１は、半田を介して基板１２の配線層１９に実装される。半田の材料は、例えば、ＡｇとＣｕとＳｎとを主成分とする合金である。発光装置１１を半田を介して実装する場合、通常、半田が配線層の上面で広がり、発光装置１１に位置ずれが生じたり、発光装置の回転等が生じる可能性がある。しかし、本開示の光源装置１０では、基板１２の特定の位置に第１領域２１および第２領域２２を配置することで、発光装置１１の位置ずれを効果的に防止することができる。また、光源装置１０を直下型のバックライト用光源として用いる場合、各発光装置１１の上面にレンズ部材を設けることがある。このような場合であっても、本開示の光源装置１０は、発光装置１１の位置ずれが効果的に抑制されているので、各発光装置１１の光軸と各レンズ部材の光軸とが合わせやすいという効果を奏する。
（実施形態２）
実施形態２の光源装置は、図４Ａ〜４Ｃに示すように、電子部品１１ａに相当する発光装置３１と、基板とを備える。図４Ａは発光装置３１の上面視における模式透過図であり、図４Ｂは図４Ａの発光装置３１を示す模式下面図であり、図４Ｃは基板と発光装置３１との位置関係を説明するための模式透過図である。
発光装置３１は、図４Ａに示すように、第１方向に長い矩形形状であり、パッケージ３３と、パッケージ３３に搭載された２つの半導体発光素子３４とを備える。発光装置３１は、第１電極３５および第２電極３６を備え、第１電極３５および第２電極３６は、発光装置３１の下面において露出している。そして、第１電極３５は、発光装置３１の下面において、第１部３５ａ及び第２部３５ｂを有している。第１部３５ａ及び第２部３５ｂは、分離領域３１ｂを介して分離されている。
第１電極３５の第１部３５ａと第２部３５ｂとは、第１方向に並んで配置されている。
図４Ｃに示すように、基板は、上面に配置された一対の配線層３９ａ、３９ｂを備え、一対の配線層３９ａ、３９ｂの間には溝３８が配置されている。
溝１８は、１つの発光装置３１の直下において、第１電極３５と第２電極３６との形状に対応して、第２方向に延び、第１方向に向かって屈曲している。
基板は、発光装置３１を搭載する位置において、発光装置３１の下面の分離領域３１ｂと対面する位置に第１領域４１を有する。基板は、さらに、第１領域４１に加えて、４つの第２領域４２を有している。第１領域４１に位置する一対の配線層３９ａ、３９ｂには貫通孔が形成され、貫通孔の底部において基材の一部が露出している。同様に、第２領域４２に位置する一対の配線層３９ａ、３９ｂには貫通孔が形成され、貫通孔の底部において基材の一部が露出している。
光源装置は、上述した以外、実施形態１と同様の構成を有する。
このように、基板の特定の位置に第１領域２１および第２領域２２を配置することで、発光装置３１の位置ずれを効果的に防止することができる。その結果、発光装置３１のセルフアライメントを効果的に確保することができ、発光装置３１の実装精度を向上させることができる。
（その他の実施形態）
本開示の電子部品の第１電極および第２電極は種々の形状とすることができる。図５は、電子部品の下面に露出する第１電極５５および第２電極５６と、基板に配置された第１領域２１および第２領域２２とを示す模式図である。説明を簡略化するため、電子部品や基板の外形等は省略して図示している。
図５に示すように、第１電極５５は上面視において凸部を有し、第２電極５６は第１電極５５に対面し、且つ、第１電極５５の凸部が収まる凹部を有する。そして、第１電極５５は、電子部品の下面において、略矩形状の第１部５５ａと、凸部に相当する略矩形状の第２部５５ｂとを有する。そして、第１部５５ａと第２部５５ｂとの間の分離領域５１ｂと対面する位置に第１領域２１が配置されている。また、第１電極５５および第２電極５６の角部近傍には４つの第２領域２２が配置されている。基板は、上面に一対の配線層を備え、一対の配線層の間には溝５８が配置されている。
このような第１電極および第２電極の形状においても、実施形態１と同様の効果を有する。
１０ 光源装置
１１、３１ 発光装置
１１ａ 電子部品
１１ｂ 下面
１１ｃ 第１辺
１１ｄ 第２辺
１２ 基板
１３、３３ パッケージ
１３１ 母体
１３ａ 分離領域
１３ｂ 窪み部
１４、３４ 半導体発光素子
１５、３５、５５ 第１電極
１５Ｘ 外周部分
１５Ｙ 凹部
１５ａ、３５ａ、５５ａ 第１部
１５ｂ、３５ｂ、５５ｂ 第２部
１５０ａ 内側部
１５０ｂ 内側部
１５１ａ、１５１ｂ、１５２ａ、１５３ａ 側部
１６、３６、５６ 第２電極
１６Ｘ 外周部分
１６Ｙ 凹部
１７ 基材
１８、３８、５８ 溝
１９、１９ａ、１９ｂ、３９ａ、３９ｂ 配線層
２１、４１ 第１領域
２２、４２ 第２領域
２３ 被覆部材
２３ａ 第１被覆部材
２３ｂ 第２被覆部材
２５ ツェナーダイオード
３１ｂ 分離領域
本開示の実施形態の光源装置は、下面に第１電極と第２電極とを有し、前記下面において、前記第１電極は、分離領域を介して分離された、第１部及び第２部を有する電子部品と、基材と、該基材の上面に配置される一対の配線層とを有する基板と、を備え、前記一対の配線層の上面と、前記電子部品の前記下面にある前記第１電極及び第２電極とが対面するように前記電子部品が載置される光源装置であって、
前記基板は、前記分離領域と対面する位置に第１領域を有し、前記第１領域は、前記第１部及び第２部と対面する前記配線層の表面よりも半田濡れ性が悪い領域である。

Claims (9)

  1. 下面に第１電極と第２電極とを有し、前記下面において、前記第１電極は、分離領域を介して分離された、第１部及び第２部を有する電子部品と、
    基材と、該基材の上面に配置される一対の配線層とを有する基板と、を備え、
    前記一対の配線層の上面と、前記電子部品の前記下面にある前記第１電極及び第２電極とが対面するように前記電子部品が載置される光源装置であって、
    前記基板は、前記分離領域と対面する位置に第１領域を有し、
    前記第１領域は、前記第１領域以外に位置する前記一対の配線層の表面よりも半田濡れ性が悪い領域であることを特徴とする光源装置。
  2. 前記電子部品の下面において、前記第１部の平面形状は前記第２部の平面形状と異なる請求項１に記載の光源装置。
  3. 前記第１領域において、前記一対の配線層は貫通孔を有し、
    前記貫通孔の底部において前記基材の一部が露出している請求項１又は２に記載の光源装置。
  4. 前記第１領域において、前記一対の配線層は上面に導電性部材又は絶縁性部材を有する請求項１又は２に記載の光源装置。
  5. 前記第１領域における前記一対の配線層の表面粗さは、前記第１領域以外の前記一対の配線層の表面粗さと異なる請求項１又は２に記載の光源装置。
  6. 前記基板は、前記電子部品の下面の前記分離領域と対面する位置を除き、且つ、前記第１電極および前記第２電極の周縁にある近傍領域と対面する位置に、半田濡れ性が悪い第２領域をさらに有する請求項１〜５のいずれか１項に記載の光源装置。
  7. 前記電子部品の下面は、対向する第１辺および第２辺を有し、
    前記第２領域は、前記第１電極および／または前記第２電極の側部と前記第１辺とで挟まれる領域と対面する位置と、前記第１電極および／または前記第２電極の側部と前記第２辺とで挟まれる領域と対面する位置とに設けられている請求項６に記載の光源装置。
  8. 前記一対の配線層は互いに溝を介して離間しており、
    前記溝は、上面視において屈曲している請求項１〜７のいずれか１項に記載の光源装置。
  9. 前記電子部品は、前記第１電極および前記第２電極を有するパッケージと、前記パッケージに載置される半導体発光素子とを備える発光装置である請求項１〜８のいずれか１項に記載の光源装置。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20190127218A (ko) * 2018-05-04 2019-11-13 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 패키지 및 이를 포함하는 광조사장치

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003110145A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Harvatek Corp 発光ダイオード用の翼形表面実装パッケージ
JP2003264267A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Rohm Co Ltd 半導体チップを使用した半導体装置
JP2003338640A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Rohm Co Ltd 半導体チップを使用した半導体装置
JP2011029634A (ja) * 2009-07-03 2011-02-10 Sharp Corp 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置
JP2011176264A (ja) * 2010-01-29 2011-09-08 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ
JP2013149718A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Semiconductor Components Industries Llc 回路装置
JP2015029052A (ja) * 2013-06-28 2015-02-12 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP2015056228A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 株式会社小糸製作所 プリント基板および車両用灯具

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10201781B4 (de) 2002-01-17 2007-06-06 Infineon Technologies Ag Hochfrequenz-Leistungsbauteil und Hochfrequenz-Leistungsmodul sowie Verfahren zur Herstellung derselben
TWI536617B (zh) * 2012-02-17 2016-06-01 鴻海精密工業股份有限公司 發光二極體燈條及其製造方法
US9012267B2 (en) * 2012-05-23 2015-04-21 Intersil Americas LLC Method of manufacturing a packaged circuit including a lead frame and a laminate substrate
US9105405B2 (en) * 2012-09-28 2015-08-11 Tdk Corporation Ceramic electronic component with metal terminals
JP6107136B2 (ja) * 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
US9627591B2 (en) 2015-02-25 2017-04-18 Nichia Corporation Mounting substrate and electronic device including the same
JP6179583B2 (ja) 2015-02-25 2017-08-16 日亜化学工業株式会社 電子装置
JP6322853B2 (ja) 2015-06-30 2018-05-16 大口マテリアル株式会社 Ｌｅｄパッケージ及び多列型ｌｅｄ用リードフレーム、並びにそれらの製造方法

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003110145A (ja) * 2001-09-27 2003-04-11 Harvatek Corp 発光ダイオード用の翼形表面実装パッケージ
JP2003264267A (ja) * 2002-03-08 2003-09-19 Rohm Co Ltd 半導体チップを使用した半導体装置
JP2003338640A (ja) * 2002-05-21 2003-11-28 Rohm Co Ltd 半導体チップを使用した半導体装置
JP2011029634A (ja) * 2009-07-03 2011-02-10 Sharp Corp 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置
JP2011176264A (ja) * 2010-01-29 2011-09-08 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ
JP2013149718A (ja) * 2012-01-18 2013-08-01 Semiconductor Components Industries Llc 回路装置
JP2015029052A (ja) * 2013-06-28 2015-02-12 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
JP2015056228A (ja) * 2013-09-10 2015-03-23 株式会社小糸製作所 プリント基板および車両用灯具

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