JP6322853B2 - Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 77
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 262
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 262
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 256
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 188
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 188
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 182
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 26
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 24
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 15
- 238000007788 roughening Methods 0.000 claims description 9
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 212
- 239000000463 material Substances 0.000 description 54
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 8
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 5
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 5
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 4
- 229920001646 UPILEX Polymers 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000011161 development Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 2
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 2
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000003779 heat-resistant material Substances 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
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Description
これらの光半導体装置において、薄型化や量産化等の要請に応えるべく開発されてきたLEDパッケージとして、従来、電気的に絶縁されたパッド部とリード部を有するリードフレームにLED素子が搭載され、LED素子が搭載された側のパッド部とリード部を囲うようにリフレクタ樹脂部が形成され、リフレクタ樹脂部に囲まれLED素子が搭載された側の内部空間が透明樹脂部によって封止されたLEDパッケージがある。
このような構成を備えた従来のLEDパッケージは、例えば次の特許文献1、2に記載されている。
リードフレーム全体の反り及び変形を抑制するためには、連結部にはある程度の強度を持たせることが要求され、そのためには、連結部の幅や厚さを大きくする必要がある。しかも、連結部に変形が生じ難いように、パッド部及びリード部の形状、連結部との接続位置を工夫する必要があり、パッド部やリード部の設計の自由度も制限される。
その結果、連結部が多列型リードフレームに占める専有面積は無視できない大きさになる。しかも、上述のように、連結部に変形が生じ難いように、パッド部及びリード部の形状、連結部との接続位置を工夫する必要がある。
このため、多列型リードフレーム形成エリア内において形成しうる個々のリードフレームの数が制限されて、多列型LEDパッケージ製造時におけるLEDパッケージ領域の集積化を阻害する。
しかるに、このめっき層を形成した後に、リードフレームの形状を形成する場合、形成しためっき層の上面のみにエッチングマスクを設けてエッチングを行うと、めっき層直下の金属が溶解除去されて、金属が溶解除去された部位のめっき層が露出し、露出した部分がめっきバリとなって割れや欠けを生じ易い。特に、反射用めっき層に形成されためっきバリが割れると、めっきバリ近傍の反射用めっき層も一緒に剥がれて、反射率を低下させる等の製品の品質劣化を招く虞がある。このため、反射用めっきエリアに対するエッチングマスクは、反射用めっき層直下の金属が溶解除去されない程度、反射用めっき層を覆うように形成する必要がある。
また、エッチングにより形成されたパッド部とリード部との間にリフレクタ樹脂部を形成する際に、LED素子を搭載する側のリフレクタ樹脂部の面が反射用めっき層の面と面一となるように、残存する金属板の上面をリフレクタ樹脂で覆っても、反射用めっき層の厚さが非常に薄いため、反射用めっき層の周囲に残存する金属板の上面を覆って形成されるリフレクタ樹脂部の厚さも非常に薄くなり、その部位でのリフレクタとしての十分な反射効果が得られない。
しかも、反射用めっき層の周囲に残存する金属板の上面を覆って形成されるリフレクタ樹脂部の厚さも非常に薄いと、割れや欠けを生じ易い。そして、反射用めっき層の周囲のリフレクタ樹脂部に割れや欠けを生じると、金属板の上面が露出して、LED素子を搭載する領域全体の反射率が低下する。
本発明のLEDパッケージは、LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージを切断することによって形成された個々のLEDパッケージであって、金属板から、連結部を備えることなく、夫々分離した所定形状に形成された、LED素子が搭載されるパッド部及びボンディングワイヤが接続されるリード部と、パッド部とリード部との間に介在するとともに、パッド部及びリード部の外周を囲み、パッド部及びリード部を固定するリフレクタ樹脂部を有し、多列型LEDパッケージを切断することによって形成された切断面が、パッド部及びリード部の外周を囲むリフレクタ樹脂部の外周面にのみ存在し、且つ、パッド部及びリード部の一部が、リフレクタ樹脂部におけるLED素子を搭載する側とは反対側においてリフレクタ樹脂部の外周面に形成された切断面よりも内側の領域に露出している。
このため、切断面での金属バリの発生の虞や、切断面からの水分の浸入の虞がなく、金属が腐食してLEDパッケージ製品の品質を劣化させる等の不具合を生じない。
このため、LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージから個々のLEDパッケージを得る際におけるブレードの切断対象部位は、外枠部の一部を除き、殆ど全てがリフレクタ樹脂部となる。
その結果、リードフレームの基材をなす金属を切断する量を、特許文献1、2に記載のLEDパッケージのような連結部を有する従来のLEDパッケージに比べて、大幅に減らすことができ、切断加工する際のブレードに与える悪影響を格段に低減し、ブレードの連続生産性と寿命を延ばすことができる。
その結果、個々のリードフレーム領域におけるパッド部やリード部と、他のリードフレーム領域におけるパッド部又はリード部や、多列型リードフレーム製造用の金属板における外枠部とを固定するリフレクタ樹脂部の幅を狭くすることができ、多列型リードフレーム形成エリア内において形成しうる個々のリードフレームの数を増やすことができ、製造時において格段の集積化が可能となる。しかも、特許文献1、2に記載のLEDパッケージとは異なり、連結部に変形が生じ難いように、パッド部及びリード部の形状、連結部との接続位置を工夫する必要がないため、パッド部やリード部の設計の自由度が大きくなる。
このようにすれば、パッド部及びリード部の側面にリフレクタ樹脂部を形成したときの、リフレクタ樹脂部の密着性が向上する。
このようにすれば、凹部、微小凹部にリフレクタ樹脂部を形成したときの、リフレクタ樹脂部の密着性が向上する。
このようにすれば、リードフレームの裏面側の金属が、例えばリードフレームの基材をなす金属板の厚さの約25〜50%程度等、相当程度の厚みをもって一体に繋がっていることに加えて、リフレクタ樹脂部がパッド部及びリード部を固定するため、LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージを製造する過程に用いたときの、個々のリードフレーム領域の変形がより一層生じ難くなり、パッド部やリード部の段差、変形、反り等がより一層生じず、裏面側に露出する外部接続用の端子面の平坦性がより一層保たれる。
図1は本発明の一実施形態にかかるLEDパッケージの概略構成を示す図で、(a)は切断されて一個の製品となった状態のLEDパッケージの断面図、(b)は(a)における要部の形状を示す部分拡大図、(c)は切断される前の一括製造された多列型LEDパッケージにおける切断部を示す部分断面図である。図2は図1に示すLEDパッケージの製造に用いる多列型LED用リードフレームの概略構成を示す図で、(a)は個々のリードフレーム領域におけるパッド部とリード部の配置を上面側からみた部分平面図、(b)は(a)のB−B断面図、(c)は(b)の要部の形状を示す部分拡大図である。図3は図1及び図2に示すLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレームの製造工程の一例及び変形例を示す説明図である。図4は図1及び図2に示すLEDパッケージ及び多列型LED用リードフレームの製造工程の他の例及び変形例を示す説明図である。
パッド部11及びリード部12は、リードフレームの基材をなす金属板から、連結部を備えることなく、夫々分離した所定形状に形成されている。
反射用めっき層13aは、パッド部11及びリード部12の上面側に形成されている。
金属板の上面側における、パッド部11及びリード部12に対応する所定位置に形成された夫々の反射用めっき層13aの周囲近傍には、図1(b)に示すように、微小エッチングにより微小凹部25a,25bが形成されている。
また、微小凹部25a,25bの面には、粗化処理が施されている。
外部接続用めっき層13bは、パッド部11及びリード部12の下面側に形成されている。
リフレクタ樹脂部15は、図2(a)においてハッチングで示した領域に形成された後、パッケージの外形ラインが残るように切断されている。また、リフレクタ樹脂部15は、図1(a)に示すように、金属板の上面側から、例えば、金属板の厚さの約50〜75%程度、下面側に入り込んで、微小凹部25a,25bを含む金属板の側面と密着している。そして、リフレクタ樹脂部15は、パッド部11とリード部12との間を、LED素子20を搭載する側が面一となるように介在するとともに、パッド部11及びリード部12の外周をパッド部11のLED素子搭載面に搭載するLED素子20よりも上方に突出するように囲み、パッド部11及びリード部12を固定している。
LED素子20は、反射用めっき層13aが形成されたパッド部11の面に搭載されている。
ボンディングワイヤ14は、LED素子20と反射用めっき層13aが形成されたリード部12の面とを接合している。
透明樹脂部16は、金属板の上面側において区画されたパッド部11及びリード部12におけるリフレクタ樹脂部15で囲まれ、LED素子20が搭載された内部空間を封止している。
そして、本実施形態のLEDパッケージでは、LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージを切断することによって形成された切断面は、パッド部11及びリード部12の外周を囲むリフレクタ樹脂部15の外周面にのみ存在し、且つ、パッド部11及びリード部12の側面及び下側面が、リフレクタ樹脂部15におけるLED素子20を搭載する側とは反対側においてリフレクタ樹脂部15の外周面に形成された切断面よりも内側の領域に露出している。
個々のリードフレーム領域は、金属板の上面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に形成された反射用めっき層13aと、金属板の下面におけるパッド部11及びリード部12に対応する所定位置に形成された外部接続用めっき層13bを有している。
また、本実施形態の多列型LED用リードフレームは、金属板における、パッド部11に対応する反射用めっき層13aとリード部12に対応する反射用めっき層13aとの間及び当該リードフレーム領域における反射用めっき層13aと隣り合う他のリードフレーム領域における反射用めっき層13aとの間に、例えば、金属板の厚さの約50〜75%程度の深さのハーフエッチングにより形成された凹部19a,19bを有している。
そして、凹部19a,19bにより、金属板の上面側は、ハーフエッチングを施した深さにおいてパッド部11とリード部12とに区画されるとともに、当該リードフレーム領域と隣り合う他のリードフレーム領域とに区画されている。なお、図2(a)中、18は多列型リードフレーム製造用の金属板における外枠部である。
また、凹部19a,19bの面には、粗化処理が施されている。
さらに、本実施形態の多列型LED用リードフレームは、図2(c)に示すように、金属板の上面側における、反射用めっき層13aの周囲近傍に、微小エッチングにより形成された微小凹部25a,25bを有している。
なお、本実施形態及び後述の実施例のLEDパッケージ、多列型LED用リードフレームの製造工程において用いるレジストマスクの形成は、金属板の両面に例えばドライフィルムレジストをラミネートし、両面のドライフィルムレジストに対し、所定位置に、パッド部及びリード部の基部を形成するパターンが形成されたガラスマスクを用いて、両面を露光・現像することによって行う。なお、露光・現像は従来公知の方法により行う。例えば、ガラスマスクで覆った状態で紫外線を照射し、ガラスマスクを通過した紫外線が照射されたドライフィルムレジストの部位の現像液に対する溶解性を低下させて、それ以外の部分を除去することで、レジストマスクを形成する。なお、ここでは、レジストとしてネガ型のドライフィルムレジストを用いたが、レジストマスクの形成には、ネガ型の液状レジストを用いてもよい。さらには、ポジ型のドライフィルムレジスト又は液状レジストを用いて、ガラスマスクを通過した紫外線が照射されたレジストの部分の現像液に対する溶解性を増大させて、その部分を除去することでレジストマスクを形成するようにしてもよい。
露出した金属板をハーフエッチングしたときに、反射用めっき層13a直下の金属が溶解除去されて、金属が溶解除去された部位の反射用めっき層13aが露出すると、反射用めっき層13aは薄いため,露出した部分がめっきバリとなって割れや欠けを生じ易くなる。そして、めっきバリが割れると、めっきバリ近傍の反射用めっき層13aも一緒に剥がれて、反射率を低下させる等の製品の品質劣化を招く虞がある。
そこで、反射用めっき層13a直下の金属が溶解除去されない程度、反射用めっき層13aを覆うように上面側のエッチング用のレジストマスク31を形成することによって、ハーフエッチングしたときの、めっきバリの発生を防止する。
なお、金属板の上面側からのハーフエッチングは、好ましくは、形成される凹部19a、19bの面を粗化処理するように行う。
次に、金属板の下面側に形成したエッチング用のレジストマスク31を除去する(図3(g)、図3(h)参照)。これにより、本実施形態の多列型LED用リードフレームが完成する。
なお、図3(k)に示した多列型LEDパッケージは、金属板の下面側からエッチングされた部分が、リードフレームの基材をなす金属板の厚さの約25〜50%程度の深さで凹んでいる。このため、図3(l)に示した本実施形態のLEDパッケージは、パッド部11及びリード部12の側面及び下側面が露出している。
図3の例では、微小凹部25a,25bを形成するための微小エッチングに、マイクロエッチング液を用いたが、図4の例は、微小凹部25a,25bを形成するための微小エッチングに、リードフレームを形成されるためのエッチング液として一般的に使用されている鉄液を用いる。
露出している金属板の上側及び下側の面への必要なめっき層(反射用めっき層13a、外部接続用めっき層13b)の形成(図4(a)参照)は、図3の例とほぼ同じである。
なお、金属板の上面側からのハーフエッチングは、好ましくは、形成される凹部19a、19bの面を粗化処理するように行う。
次に、残存するエッチング用のレジストマスク31を除去する(図4(g)、図4(h)参照)。これにより、本実施形態の多列型LED用リードフレームが完成する。
以後の本実施形態のリフレクタ樹脂部を備えた多列型LED用リードフレームの製造工程(図4(i)参照)及び本実施形態のLED用パッケージの製造工程(図4(j)〜図4(n)参照)は、図3の例におけるものと略同じである。
このため、切断面での金属バリの発生の虞や、切断面からの水分の浸入の虞がなく、金属が腐食してLEDパッケージ製品の品質を劣化させる等の不具合を生じない。
このため、LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージから個々のLEDパッケージを得る際におけるブレードの切断対象部位が、外枠部18の一部を除き、殆ど全てがリフレクタ樹脂部15となる。
その結果、リードフレームの基材をなす金属を切断する量を、特許文献1、2に記載のLEDパッケージのような連結部を有する従来のLEDパッケージに比べて、大幅に減らすことができ、切断加工する際のブレードに与える悪影響を格段に低減し、ブレードの連続生産性と寿命を延ばすことができる。
その結果、個々のリードフレーム領域におけるパッド部11やリード部12と、他のリードフレーム領域におけるパッド部11又はリード部12や、多列型リードフレーム製造用の金属板における外枠部18とを固定するリフレクタ樹脂部15の幅を狭くすることができ、多列型リードフレーム形成エリア内において形成しうる個々のリードフレームの数を増やすことができ、製造時において格段の集積化が可能となる。しかも、特許文献1、2に記載のLEDパッケージとは異なり、連結部に変形が生じ難いように、パッド部11及びリード部12の形状、連結部との接続位置を工夫する必要がないため、パッド部11やリード部12の設計の自由度が大きくなる。
次に、本発明の実施例について、説明する。
実施例1
本実施例では、洗浄処理や乾燥処理など各工程の前処理、後処理は、一般的な処理であることから記載を省略する。
次に、リードフレームの基材の上面側には、反射用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、下面側には、外部接続用めっき層を形成するためのレジストマスクを得るために必要なパターンが描画されたガラスマスクを用意し、先に形成したパイロットホールを基準にガラスマスクの位置を決定して露光・現像を行うことでリードフレームの基材の両面にめっき用のレジストマスクを形成した。
次に、Cuが露出しているリードフレームの基材の上側の面に反射用めっき層を形成するとともに、下側の面に外部接続用めっき層を形成し、めっき層を形成後、両面に形成されためっき用のレジストマスクを剥離した(図3(a)参照)。
なお、反射用のめっき層は、まず設定厚さ1μmのNiめっきを形成し、その上に設定厚さ0.03μmのPdめっきを形成し、次に設定厚さ0.01μmのAuめっきを形成、最後に設定厚さ2μmのAgめっきを形成することによって得た。
また、外部接続用めっき層は、まず設定厚さ3μmのNiめっきを形成し、その上に設定厚さ0.03μmのPdめっきを形成し、最後に設定厚さ0.01μmのAuめっきを形成することによって得た。
なお、リードフレームの基材の上面側に形成されているエッチング用レジストマスクは、反射用めっき層を覆っているため、反射用めっき層の周囲(反射用めっき層とハーフエッチング加工により形成される凹部との間)には、リードフレームの基材(Cu材)の上面が、約10〜50μm程度の幅で残存した。
反射用めっき層の周囲近傍の微小凹部におけるリフレクタ樹脂部は、リフレクタとして十分な反射効果が得られる程度の厚さを有する。また、微小凹部に形成されるリフレクタ樹脂部の厚さは、反射用めっき層の厚さに比べて格段に厚くなるため、割れや欠けを生じ難い。
次に、リフレクタ樹脂部が形成されたLED用リードフレームのパッド部にLED素子を搭載・固定するとともに、LED素子とリード部とをワイヤボンディングし、さらに、リフレクタ樹脂部に囲まれるLED素子が搭載された内部空間に透明樹脂を充填し、LED素子とボンディングワイヤを封止する透明樹脂部を形成した(図3(j)参照)。
本実施例におけるリードフレーム基材への反射用めっき層、外部接続用めっき層の形成までは、実施例1と略同じである。
なお、反射用めっき層を形成するためのレジストマスクの形成に際しては、リードフレームの基材の上面に形成したレジスト層における、反射用めっき層の領域と反射用めっき層の周囲の領域とに対する露光量を異ならせた。具体的には、レジスト層にネガ型のフォトレジストを用い、リードフレームの基材の上面に形成したレジスト層に対し、反射用めっき層の周囲の領域の露光量を反射用めっき層の領域の露光量に比べて少なくした。
なお、リードフレームの基材の上面側に形成されているエッチング用レジストマスクは、反射用めっき層を覆っているため、反射用めっき層の周囲(反射用めっき層とハーフエッチング加工により形成される凹部との間)には、リードフレームの基材(Cu材)の上面が、約10〜50μm程度の幅で残存した。
11 パッド部
12 リード部
13 めっき層
13a 反射用めっき層
13b 外部接続用めっき層
14 ボンディングワイヤ
15 リフレクタ樹脂部
16 透明樹脂部
17 連結部
18 外枠部
19a、19b 凹部
20 LED素子
25a,25b 微小凹部
30 めっき用のレジストマスク
31 エッチング用のレジストマスク
31a 反射用めっき層の周囲のエッチング用レジストマスク
Claims (12)
- LEDパッケージ領域が複数配列された多列型LEDパッケージを切断することによって形成された個々のLEDパッケージであって、
金属板から、連結部を備えることなく、夫々分離した所定形状に形成された、LED素子が搭載されるパッド部及びボンディングワイヤが接続されるリード部と、
前記パッド部と前記リード部との間に介在するとともに、該パッド部及び該リード部の外周を囲み、該パッド部及び該リード部を固定するリフレクタ樹脂部を有し、
前記多列型LEDパッケージを切断することによって形成された切断面が、前記パッド部及び前記リード部の外周を囲む前記リフレクタ樹脂部の外周面にのみ存在し、且つ、
前記パッド部及び前記リード部の一部が、前記リフレクタ樹脂部におけるLED素子を搭載する側とは反対側において該リフレクタ樹脂部の外周面に形成された切断面よりも内側の領域に露出し、さらに、
前記金属板の上面における前記パッド部及び前記リード部に対応する所定位置に、反射用めっき層が形成され、
前記金属板の上面側における、前記反射用めっき層の周囲近傍に、微小エッチングにより形成された微小凹部を有していることを特徴とするLEDパッケージ。 - 前記パッド部及び前記リード部の側面は、粗化処理が施されていることを特徴とする請求項1に記載のLEDパッケージ。
- LED用リードフレーム領域が複数配列された多列型LED用リードフレームであって、
個々のリードフレーム領域は、
金属板の上面における、LED素子が搭載されるパッド部及びボンディングワイヤが接続されるリード部に対応する所定位置に形成された反射用めっき層と、
前記金属板の下面における前記パッド部及び前記リード部に対応する所定位置に形成された外部接続用めっき層と、
前記金属板における、前記パッド部に対応する反射用めっき層と前記リード部に対応する反射用めっき層との間及び当該リードフレーム領域における反射用めっき層と隣り合う他のリードフレーム領域における反射用めっき層との間に、ハーフエッチングにより形成された凹部と、
を有し、
前記凹部により、金属板の上面側がハーフエッチングを施した深さにおいてパッド部とリード部とに区画されるとともに、当該リードフレーム領域と隣り合う他のリードフレーム領域とに区画され、さらに、
前記金属板の上面側における、前記反射用めっき層の周囲近傍に、微小エッチングにより形成された微小凹部を有していることを特徴とする多列型LED用リードフレーム。 - 前記凹部の面及び前記微小凹部の面の少なくともいずれかは、粗化処理が施されていることを特徴とする請求項3に記載の多列型LED用リードフレーム。
- 前記凹部及び前記微小凹部には、区画された前記パッド部と前記リード部との間に介在するとともに、該パッド部及び該リード部の外周を該パッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部が形成されていることを特徴とする請求項3又は4に記載の多列型LED用リードフレーム。
- 金属板の上面側より、LED素子が搭載されるパッド部とボンディングワイヤが接続されるリード部が、ハーフエッチングによる凹部が形成されて区画され、前記パッド部と前記リード部の上面には反射用めっき層が形成され、前記パッド部と前記リード部の下面には外部接続用めっき層が形成され、さらに、前記金属板の上面側における、前記反射用めっき層の周囲近傍に、微小エッチングによる微小凹部が形成された多列型LED用リードフレームを準備する工程と、
前記金属板の上面側における前記ハーフエッチングにより形成された前記凹部及び前記微小エッチングにより形成された前記微小凹部にリフレクタ樹脂を充填し、区画された前記パッド部と前記リード部との間に介在するとともに、該パッド部及び該リード部の外周を該パッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部を形成する工程と、
前記金属板の上面側において区画された前記パッド部の面にLED素子を搭載するとともに、該金属板の上面側において区画された前記リード部と前記LED素子とをワイヤボンディングする工程と、
前記金属板の上面側において区画された前記パッド部及び前記リード部における前記リフレクタ樹脂部で囲まれ、前記LED素子が搭載された内部空間を充填する透明樹脂部を設ける工程と、
前記金属板の下面に形成された前記外部接続用めっき層をエッチングマスクとして、下面側から前記リフレクタ樹脂部が露出するようにエッチングを行い、該金属板における前記パッド部と前記リード部及び隣り合う他のLEDパッケージ領域における前記パッド部又は前記リード部とを分離し、前記パッド部と前記リード部及び隣り合う他のLEDパッケージ領域における前記パッド部又は前記リード部が前記リフレクタ樹脂部のみで固定されるようにする工程と、
前記リフレクタ樹脂部における、前記パッド部及び前記リード部の外周を囲む部位を切断する工程と、
を有することを特徴とするLEDパッケージの製造方法。 - 準備する多列型LED用リードフレームの前記ハーフエッチングにより形成された前記凹部の面及び前記微小エッチングにより形成された前記微小凹部の面の少なくともいずれかが粗化処理されていることを特徴とする請求項6に記載のLEDパッケージの製造方法。
- LED用リードフレーム領域が複数配列された多列型LED用リードフレームの製造方法であって、
金属板の上面における、LED素子が搭載されるパッド部及びボンディングワイヤが接続されるリード部に対応する所定位置に反射用めっき層を形成するとともに、該金属板の下面における前記パッド部及び前記リード部に対応する所定位置に外部接続用めっき層を形成する工程と、
前記金属板の上面側に、形成した前記反射用めっき層を覆い、連結部を備えることなく、夫々分離した所定形状の前記パッド部と前記リード部とに区画しうるエッチング用のレジストマスクを形成するとともに、該金属板の下面側に、全面を覆うエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、
前記金属板の上面側からハーフエッチングを施し、該金属板におけるハーフエッチングを施した深さにおいてパッド部とリード部とに区画する工程と、
前記金属板の上面側に形成した前記エッチング用のレジストマスクのうち、前記反射用めっき層のレジストマスクのみを除去する工程と、
前記金属板の上面に形成された前記反射用めっき層をエッチングマスクとして、該金属板の上面側から微小エッチングを施し、該金属板の上面側における、前記エッチング用のレジストマスクの除去により露出した、該反射用めっき層の周囲近傍に微小凹部を形成する工程と、
残存する前記エッチング用のレジストマスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする多列型LED用リードフレームの製造方法。 - LED用リードフレーム領域が複数配列された多列型LED用リードフレームの製造方法であって、
金属板の上面における、LED素子が搭載されるパッド部及びボンディングワイヤが接続されるリード部に対応する所定位置に反射用めっき層を形成するとともに、該金属板の下面における前記パッド部及び前記リード部に対応する所定位置に外部接続用めっき層を形成する工程と、
前記金属板の上面側に、形成した前記反射用めっき層を覆い、連結部を備えることなく、夫々分離した所定形状の前記パッド部と前記リード部とに区画しうるエッチング用のレジストマスクを、前記反射用めっき層の領域と該反射用めっき層の周囲の領域とに対する露光量を異ならせて形成するとともに、該金属板の下面側に、全面を覆うエッチング用のレジストマスクを形成する工程と、
前記金属板の上面側からハーフエッチングを施し、該金属板におけるハーフエッチングを施した深さにおいてパッド部とリード部とに区画する工程と、
前記金属板の上面側に形成した前記エッチング用のレジストマスクのうち、前記反射用めっき層の周囲のレジストマスクのみを除去する工程と、
前記金属板の上面側から微小エッチングを施し、該金属板の上面側における、前記反射用めっき層の周囲のエッチング用のレジストマスクの除去により露出した、該反射用めっき層の周囲近傍に微小凹部を形成する工程と、
残存する前記エッチング用のレジストマスクを除去する工程と、
を有することを特徴とする多列型LED用リードフレームの製造方法。 - 前記金属板の上面側からの前記ハーフエッチングにより、形成される前記パッド部と前記リード部を区画する凹部の面を粗化処理することを特徴とする請求項8又は9に記載の多列型LED用リードフレームの製造方法。
- 前記金属板の上面側からの前記微小エッチングにより、形成される前記微小凹部の面を粗化処理することを特徴とする請求項8〜10のいずれかに記載の多列型LED用リードフレームの製造方法。
- さらに、前記金属板の上面側における前記ハーフエッチングにより形成された前記パッド部と前記リード部を区画する凹部及び前記微小エッチングにより形成された前記微小凹部にリフレクタ樹脂を充填し、区画された前記パッド部と前記リード部との間に介在するとともに、該パッド部及び該リード部の外周を該パッド部のLED素子搭載面に搭載するLED素子よりも上方に突出するように囲むリフレクタ樹脂部を形成する工程を有することを特徴とする請求項8〜11のいずれかに記載の多列型LED用リードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015131737A JP6322853B2 (ja) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015131737A JP6322853B2 (ja) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017017161A JP2017017161A (ja) | 2017-01-19 |
JP6322853B2 true JP6322853B2 (ja) | 2018-05-16 |
Family
ID=57830995
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015131737A Active JP6322853B2 (ja) | 2015-06-30 | 2015-06-30 | Ledパッケージ及び多列型led用リードフレーム、並びにそれらの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6322853B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6680258B2 (ja) | 2017-04-21 | 2020-04-15 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
JP6916453B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2021-08-11 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5259574A (en) * | 1975-11-11 | 1977-05-17 | Seiko Instr & Electronics Ltd | Production of lead frame for ic |
TW507482B (en) * | 2000-06-09 | 2002-10-21 | Sanyo Electric Co | Light emitting device, its manufacturing process, and lighting device using such a light-emitting device |
JP3540769B2 (ja) * | 2000-06-09 | 2004-07-07 | 三洋電機株式会社 | 光照射装置とその製造方法及びその光照射装置を用いた照明装置 |
JP4279631B2 (ja) * | 2003-08-20 | 2009-06-17 | 三菱化学株式会社 | 窒化物系半導体素子の製造方法 |
JP4032063B2 (ja) * | 2005-08-10 | 2008-01-16 | 株式会社三井ハイテック | 半導体装置の製造方法 |
JP5582382B2 (ja) * | 2009-12-17 | 2014-09-03 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームおよびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
JP5710128B2 (ja) * | 2010-01-19 | 2015-04-30 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP2012033855A (ja) * | 2010-07-01 | 2012-02-16 | Hitachi Cable Ltd | Ledモジュール、ledパッケージ、並びに配線基板およびその製造方法 |
JP5737605B2 (ja) * | 2010-12-09 | 2015-06-17 | 大日本印刷株式会社 | Led用リードフレームまたは基板およびその製造方法、ならびに半導体装置およびその製造方法 |
CN102856464B (zh) * | 2011-06-29 | 2015-07-08 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及封装方法 |
US9397274B2 (en) * | 2011-08-24 | 2016-07-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Light emitting device package |
-
2015
- 2015-06-30 JP JP2015131737A patent/JP6322853B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2017017161A (ja) | 2017-01-19 |
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