JP6357684B2 - リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置 - Google Patents
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 title claims description 137
- 239000011347 resin Substances 0.000 title claims description 137
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 66
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 65
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims description 63
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 103
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 52
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 28
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 23
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 13
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 11
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 58
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 25
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 16
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 10
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 5
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 description 3
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 3
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 description 2
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 1
- 238000001721 transfer moulding Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/32257—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic the layer connector connecting to a bonding area disposed in a recess of the surface of the item
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
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- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
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Description
LED素子を搭載可能なダイパッド部と、
該ダイパッド部の周辺に配置され、前記LED素子を電気的に接続可能なリード部と、を備え、
前記ダイパッド部の前記LED素子を搭載する領域を含む第1の領域と、前記リード部の接続部分を含む第2の領域とが凹部として構成されるとともに、該凹部の周囲に前記金属板の未加工面からなる段差面を有し、
該凹部の表面粗さは三次元中心面平均粗さSRa0.05μm以下であり、
前記凹部の底面上にのみ、めっき層が設けられている。
前記リードフレームの前記ダイパッド部及び前記リード部の各々の前記凹部よりも外側に設けられ、前記ダイパッド部及び前記リード部の表面を覆う外部樹脂部と、を有する。
前記光半導体装置用樹脂付きリードフレームの前記ダイパッド部上に搭載されたLED素子と、
該LED素子と前記光半導体装置用樹脂付きリードフレームの前記リード部とを電気的に接続する接続手段と、
前記光半導体装置用樹脂付きリードフレームの前記外部樹脂部に囲まれた前記ダイパッド部及び前記リード部を含む中央領域を覆うように封止する透明樹脂部と、を有する。
金属板の不要部分を除去し、LED素子を搭載可能なダイパッド部と、該LED素子を電気的に接続可能な端子として機能し得るリード部とを形成する工程と、
該ダイパッド部及び該リード部の中央側の領域に、エッチング加工により凹部を形成するとともに、凹部の周囲に前記金属板の未加工面を残す工程と、
該凹部の表面を平滑化処理する工程と、
該ダイパッド部及び該リード部の該凹部の表面領域にのみ貴金属めっき処理を行うめっき工程と、を有する。
前記リードフレームの製造方法を実施する工程と、
前記ダイパッド部及び前記リード部の表面の前記凹部の外側に樹脂部を形成する外部樹脂部形成工程と、を有する。
図1は、本発明の第1の実施形態に係る光半導体装置用リードフレームの一例の構成を示した図である。図1(a)は、本発明の第1の実施形態に係る光半導体装置用リードフレームの一例の平面図であり、図1(b)は、図1のA−A’断面における断面図である。
図3は、本発明の第2の実施形態に係るリードフレーム50aの一例を示した図である。図3(a)は、本発明の第2の実施形態に係るリードフレーム50aの一例の平面図であり、図3(b)は、図3(a)のB−B’断面で切断した断面図である。なお、第1の実施形態と同様の構成要素には同一の参照符号を付し、その説明を省略する。
図5は、本発明の第3の実施形態に係るリードフレーム50bの一例を示した平面図である。第3の実施形態に係るリードフレーム50bは、外側の突起15a、25aの形状が第2の実施形態に係るリードフレーム50aと異なっているが、他の構成は第2の実施形態に係るリードフレーム50aと同様である。
図6は、本発明の第4の実施形態に係るリードフレーム50c及び樹脂付きリードフレーム55cの一例を示した断面構成図である。第4の実施形態に係るリードフレーム50cは、基本構成自体は第2の実施形態に係るリードフレーム50aと同様であるが、突起14c、24cの形成位置が、図3に示した第2の実施形態に係るリードフレーム50aと異なっている。
第5の実施形態では、本発明の第1〜第4の実施形態に係るリードフレーム50、50a〜50d及びこれを用いた樹脂付きリードフレーム、並びに光半導体装置の製造方法について説明する。
以上説明した製造方法により光半導体装置は作製されるが、次に、本発明の実施形態に係るリードフレームの製造方法の実施例を説明する。なお、説明の便宜のため、今まで説明した構成要素に対応する構成要素には、同一の参照符号を付すものとする。
10、10a〜10d ダイパッド部
20、20a〜20d リード部
30、31 凹部
40 めっき層
50、50a〜50d リードフレーム
55、55a〜55c 樹脂付きリードフレーム
60 外部樹脂部
80 LED素子
90 ボンディングワイヤー
100 封止樹脂
110 光半導体装置
Claims (12)
- 光半導体装置及び光半導体装置用樹脂付きリードフレームに用いられ、金属板からなるリードフレームであって、
LED素子を搭載可能なダイパッド部と、
該ダイパッド部の周辺に配置され、前記LED素子を電気的に接続可能なリード部と、を備え、
前記ダイパッド部の前記LED素子を搭載する領域を含む第1の領域と、前記リード部の接続部分を含む第2の領域とが凹部として構成されるとともに、該凹部の周囲に前記金属板の未加工面からなる段差面を有し、
該凹部の表面粗さは三次元中心面平均粗さSRa0.05μm以下であり、
前記凹部の底面上にのみ、めっき層が設けられたリードフレーム。 - 上記凹部の深さが0.005mm〜0.05mmである請求項1に記載のリードフレーム。
- 前記凹部は、前記未加工面よりも表面粗さが大きい面である請求項1又は2に記載のリードフレーム。
- 前記凹部の外側に更に第2の凹部が形成され、該第2の凹部が形成されなかった前記段差面の部分が突起として構成された請求項1乃至3のいずれか一項に記載のリードフレーム。
- 前記突起は複数設けられた請求項4に記載のリードフレーム。
- 前記突起は円柱状である請求項5に記載のリードフレーム。
- 請求項1乃至6のいずれか一項に記載のリードフレームと、
該リードフレームの前記ダイパッド部及び前記リード部の各々の前記凹部よりも外側に設けられ、前記ダイパッド部及び前記リード部の表面を覆う外部樹脂部と、を有する光半導体装置用樹脂付きリードフレーム。 - 請求項7に記載の光半導体装置用樹脂付きリードフレームと、
該光半導体装置用樹脂付きリードフレームの前記ダイパッド部上に搭載されたLED素子と、
該LED素子と該光半導体装置用樹脂付きリードフレームの前記リード部とを電気的に接続する接続手段と、
該光半導体装置用樹脂付きリードフレームの前記外部樹脂部に囲まれた前記ダイパッド部及び前記リード部を含む中央領域を覆うように封止する透明樹脂部と、を有する光半導体装置。 - 光半導体装置及び光半導体装置用樹脂付きリードフレームに用いられるリードフレームの製造方法であって、
金属板の不要部分を除去し、LED素子を搭載可能なダイパッド部と、該LED素子を電気的に接続可能な端子として機能し得るリード部とを形成する工程と、
該ダイパッド部及び該リード部の中央側の領域に、エッチング加工により凹部を形成するとともに、凹部の周囲に前記金属板の未加工面を残す工程と、
該凹部の表面を平滑化処理する工程と、
該ダイパッド部及び該リード部の該凹部の表面領域にのみ貴金属めっき処理を行うめっき工程と、を有するリードフレームの製造方法。 - 前記凹部の表面を平滑化処理する工程は、前記凹部の表面に薬品を供給することにより行われる請求項9に記載のリードフレームの製造方法。
- 前記凹部を形成する工程では、前記ダイパッド部及び前記リード部の外側の領域にも同時にエッチング加工を行い、非エッチング領域で突起を形成する請求項9又は10に記載のリードフレームの製造方法。
- 光半導体装置用樹脂付きリードフレームの製造方法であって、
請求項9乃至11のいずれか一項に記載のリードフレームの製造方法を実施する工程と、
前記ダイパッド部及び前記リード部の表面の前記凹部の外側に樹脂部を形成する外部樹脂部形成工程と、を有する光半導体装置用樹脂付きリードフレームの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015015440A JP6357684B2 (ja) | 2015-01-29 | 2015-01-29 | リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015015440A JP6357684B2 (ja) | 2015-01-29 | 2015-01-29 | リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016139760A JP2016139760A (ja) | 2016-08-04 |
JP6357684B2 true JP6357684B2 (ja) | 2018-07-18 |
Family
ID=56558340
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015015440A Active JP6357684B2 (ja) | 2015-01-29 | 2015-01-29 | リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6357684B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7198576B2 (ja) | 2017-08-30 | 2023-01-04 | 綜研化学株式会社 | 粘着剤組成物及び粘着シート |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7148792B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2022-10-06 | 日亜化学工業株式会社 | 光半導体装置用金属材料、及びその製造方法、及びそれを用いた光半導体装置 |
CN115516650A (zh) * | 2020-05-22 | 2022-12-23 | 东丽株式会社 | Led基板、叠层体及led基板的制造方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012124310A (ja) * | 2010-12-08 | 2012-06-28 | Nitto Denko Corp | 反射膜およびその製造方法 |
JP5632047B2 (ja) * | 2012-06-27 | 2014-11-26 | 大日本印刷株式会社 | リードフレームおよびその製造方法、樹脂付リードフレームおよびその製造方法、ならびにledパッケージおよびその製造方法 |
-
2015
- 2015-01-29 JP JP2015015440A patent/JP6357684B2/ja active Active
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