CN115516650A - Led基板、叠层体及led基板的制造方法 - Google Patents

Led基板、叠层体及led基板的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN115516650A
CN115516650A CN202180033745.6A CN202180033745A CN115516650A CN 115516650 A CN115516650 A CN 115516650A CN 202180033745 A CN202180033745 A CN 202180033745A CN 115516650 A CN115516650 A CN 115516650A
Authority
CN
China
Prior art keywords
reflective layer
layer
light source
led
less
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202180033745.6A
Other languages
English (en)
Inventor
吉田昌平
宇都孝行
内田裕仁
荘司秀夫
矶崎崇志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toray Industries Inc
Original Assignee
Toray Industries Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toray Industries Inc filed Critical Toray Industries Inc
Publication of CN115516650A publication Critical patent/CN115516650A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00—Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B3/00—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form
    • B32B3/26—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer
    • B32B3/266—Layered products comprising a layer with external or internal discontinuities or unevennesses, or a layer of non-planar shape; Layered products comprising a layer having particular features of form characterised by a particular shape of the outline of the cross-section of a continuous layer; characterised by a layer with cavities or internal voids ; characterised by an apertured layer characterised by an apertured layer, the apertures going through the whole thickness of the layer, e.g. expanded metal, perforated layer, slit layer regular cells B32B3/12
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21S—NON-PORTABLE LIGHTING DEVICES; SYSTEMS THEREOF; VEHICLE LIGHTING DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR VEHICLE EXTERIORS
    • F21S2/00—Systems of lighting devices, not provided for in main groups F21S4/00 - F21S10/00 or F21S19/00, e.g. of modular construction
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336—Illuminating devices
    • G02F1/133602—Direct backlight
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
    • H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Planar Illumination Modules (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)

Abstract

一种LED基板(1)，是在基材(2)的至少一面具有LED光源(5)、反射层(3)和与上述反射层(3)相邻地设置的粘着层(4)的LED基板(1)，上述反射层(3)包含白色颜料，并且上述LED光源(5)相对于反射层(3)突出的突出部高度(P)为20μm以上且200μm以下，即使在将上述LED基板(1)作为迷你LED方式的基板而使用的情况下也能够达到充分的亮度。

Description

LED基板、叠层体及LED基板的制造方法
技术领域
本发明涉及LED基板以及叠层体。
背景技术
近年来，作为个人电脑、电视、便携电话等显示装置，大量使用了利用了液晶的显示器。这些液晶显示器能够通过从里侧设置被称为背光的面光源而照射光来显示。
液晶显示器用背光所使用的反射层以往使用了单独的添加了白色颜料的膜、使内部含有微细的气泡的膜、或将这些膜与金属板、塑料板等贴合了的物质。特别是使内部含有微细的气泡的膜由于具有亮度的提高效果、对画面亮度的均匀化具有一定的效果因此被广泛使用(专利文献1、2)。
随着便携电话/智能手机和笔记本型个人电脑的薄型化、小型化、电视的大画面化，对于反射层即使为薄膜也要求高反射性、光的高隐蔽性、和高刚性。特别是，对于被称为4K、8K的高精细的液晶电视，具有液晶面板的透射率降低的倾向，在更薄的反射层中要求高反射性。
反射层广泛采用了利用了由被含有于膜内部的微细的气泡与基体树脂的界面的折射率差引起的光的反射的构成。为了达到更高的反射性，需要使界面数多。为了使界面数多，研究了以粒径较小的无机粒子作为核的空隙的形成(专利文献3、4)。
此外，在直下型显示器中使用反射层的情况下，以往进行下述方法：根据光源(LED)的位置而进行开孔的加工，以LED穿过孔而出来的方式放置(专利文献5)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2003-160682号公报
专利文献2：日本特公平8-16175号公报
专利文献3：日本专利第3946183号公报
专利文献4：日本特开2013-136232号公报
专利文献5：日本特开2015-106028号公报
发明内容
发明所要解决的课题
关于近年来的背光，从近年来的显示器的高亮度、高对比度、宽色域的需求出发，研究了在基板上配置多个微小的LED而成的LED方式(迷你LED方式)的技术。然而，在使用专利文献1～4所记载的反射膜作为迷你LED方式的LED基板的反射层的情况下，如果通过专利文献5所记载的方法而制作LED基板，则具有随着光源的小型化(即开孔的微小化)，加工难易度提高，LED基板制作的收率下降的课题。此外，具有即使可以制作LED基板，与以往的LED方式相比亮度也大幅降低，或亮度不均变大的课题，期望解决。进一步，对于迷你LED方式，为了提高基板与反射膜之间的密合性、叠层精度，优选在两者之间设置粘接层或粘着层，但在该情况下发现了对于以往的LED方式不成为问题的孔周边的隆起部的存在大大影响亮度、加工性这样的新课题。
本发明的课题是消除由上述现有技术引起的问题。即，提供即使在用于迷你LED方式的背光的情况下也能够达到充分的亮度的LED基板和叠层体。
用于解决课题的方法
鉴于上述课题，进行了深入研究，结果发现，通过具有以下构成的LED基板和叠层体可以解决上述课题，从而完成了本发明。即，
[I]一种LED基板，是在基材的至少一面具有LED光源、反射层的LED基板，上述反射层包含白色颜料，并且上述LED光源相对于反射层突出的突出部高度(P)为20μm以上且200μm以下。
[II]根据[I]所述的LED基板，上述反射层以聚酯树脂作为主成分，上述反射层在相对于上述反射层的层面为垂直方向的截面中的平均空隙含有率为10％以上且70％以下。
[III]根据[I]或[II]所述的LED基板，上述LED光源的高度(H1)、与上述反射层的高度(H2)之比(H2/H1)为0.1以上且0.8以下。
[IV]根据[I]～[III]中任一项所述的LED基板，上述反射层具有1个以上贯通孔，上述LED光源穿过反射层所具有的贯通孔而被配置，从上述基材的面正上方进行观察时的LED光源的面积(Sl)与贯通孔的面积(Sh)的比率(Sl/Sh)为0.25以上且小于1.00。
[V]根据[I]～[IV]中任一项所述的LED基板，上述反射层的与上述基材相反侧的表面的三维表面粗糙度SRa为300nm以上且小于2000nm。
[VI]根据[I]～[V]中任一项所述的LED基板，上述LED光源为蓝色LED光源。
[VII]一种叠层体，是至少相邻地具有反射层和粘着层的叠层体，反射层具有1个以上贯通孔、和在贯通孔周围1.0mm区域内向粘着层侧突出了的隆起部，上述隆起部的高度(h)与粘着层厚度(t)之比(t/h)为0.20以上且小于2.00。
[VIII]一种叠层体，是至少依次具有剥离层、粘着层、反射层、支持层的叠层体，其具有贯通全部层的长径为0.2mm以上且5.0mm以下的2个以上贯通孔，贯通孔在叠层体中所占的比例(开口率)为0.1％以上且60％以下。
[IX]一种LED基板的制造方法，其包含下述工序：从叠层体除去剥离层的工序A，上述叠层体至少依次具有剥离层、粘着层、反射层和支持层，并具有贯通全部层的贯通孔；在上述工序A之后将上述粘着层和基板固定的工序B；以及在上述工序B之后从上述反射层剥离上述支持层的工序C。
发明的效果
根据本发明，可以使迷你LED方式的背光的亮度提高。
附图说明
图1为显示本发明的LED基板的一例的截面示意图。
图2为显示本发明的叠层体的一例的截面示意图，并且为表示反射层的隆起部的隆起高度(h)和粘着层厚度(t)的截面示意图。
具体实施方式
以下对本发明的实施方式详细描述，但本发明不限定于包含以下实施例的实施方式而被解释，当然有可能是可以达到发明的目的、并且不超出发明的主旨的范围内的各种变更。
使用图1说明本发明的LED基板。作为本发明的一方案，如图1所例示地那样，可举出下述LED基板1，是在基材2的至少一面具有LED光源5、反射层3的LED基板，上述LED光源相对于反射层突出的突出部高度(P)6为20μm以上且200μm以下。这里所谓的突出部高度(P)，是指反射层的与LED光源接近的位置的最高点(距基板的距离成为最大的点)与上述LED光源的最高点(距基板的距离成为最大的点)的高低差。本发明人等发现了伴随LED的小型化的亮度降低的原因是，由于LED光源的最高点低于反射层的最高点，使得从LED光源出射的光被反射层遮挡。因此，通过将LED光源的突出部高度(P)控制在上述特定的范围，从而可以抑制从LED光源出射的光被反射层遮挡而亮度降低的现象，进一步可以抑制亮度不均。通过使突出部高度(P)为20μm以上，从而可以抑制从LED光源出射的光被反射层遮挡而亮度降低。另一方面，通过使突出部高度(P)为200μm以下，从而可以抑制由于LED大因此背光的总厚度变厚而阻碍显示器的薄型化、或阻碍显示器的高精细。突出部高度(P)优选为35μm以上且120μm以下，最优选为50μm以上且70μm以下。突出部高度(P)越大，则使安装了LED基座的背光的亮度提高越容易。此外，突出部高度(P)越低则越可以将LED的尺寸小型化，显示器的薄型化、显示的高精细化等越容易。用于使LED光源相对于反射层突出的突出部高度(P)为20μm以上且200μm以下的方法没有特别限定，但可举出例如调整LED光源的高度与反射层厚度的平衡的方法等。
本发明的LED基板所使用的基材可以理解为：对具有配线和端子的导体图案等进行支持。可以为将导体图案彼此绝缘的基材，可举出例如，玻璃环氧制的绝缘树脂基板等。另外，作为本发明所使用的基材，没有特别限定，可以使用LED用的基材所一般使用的材料。作为这样的材料，可举出例如，在玻璃布、纸等增强材料中含浸环氧树脂、酚树脂、聚酰亚胺树脂等热固性树脂，进行叠层、加热加压而获得的绝缘性的树脂基板、包含LCP、PPS、热塑性聚酰亚胺等热塑性树脂的片状基板、陶瓷等绝缘性的无机基板、在铝等金属基板上叠层了绝缘树脂的金属基础基板等。
本发明的LED基板所使用的LED光源可以适合使用例如能够进行可见区域的发光的氮化物半导体等。LED基板只要具备至少1个LED元件即可，LED元件的个数能够根据目的、用途而变更。
在本发明中使用的反射层需要包含白色颜料。可举出例如，将含有氧化钛等白色颜料的热固性树脂涂布在基材上而形成的白色树脂层、含有氧化钛等白色颜料、和气泡的白色树脂膜等。通过包含白色颜料从而反射层的反射率可以提高。特别是从亮度、加工性、色调的均匀性的观点考虑，优选使用白色树脂膜。
从亮度、加工性、色调的均匀性的观点考虑，优选本发明中的反射层以聚酯树脂作为主成分，在相对于上述反射层的层面为垂直方向的截面中的平均空隙含有率为10％以上且70％以下。更优选的平均空隙含有率为15％以上且60％以下。这里所谓主成分，是指占构成树脂组合物的树脂成分之中的50质量％以上的成分。
关于聚酯树脂，以下记载优选的方案。所谓聚酯树脂，是指主链具有酯键的高分子，本发明所使用的聚酯树脂优选为具有二羧酸与二醇缩聚了的结构的聚酯树脂。作为二羧酸成分，可以举出例如，作为芳香族二羧酸的对苯二甲酸、间苯二甲酸、邻苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、联苯二甲酸、二苯基砜二甲酸、二苯氧基乙烷二甲酸、5-钠砜二甲酸等芳香族二羧酸、草酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、二聚酸、马来酸、富马酸等脂肪族二羧酸、1,4-环己烷二甲酸等脂环族二羧酸、对羟基苯甲酸等羟基羧酸等各成分。此外，作为二羧酸酯衍生物成分，可以举出上述二羧酸化合物的酯化物例如对苯二甲酸二甲酯、对苯二甲酸二乙酯、对苯二甲酸2-羟基乙基甲基酯、2,6-萘二甲酸二甲酯、间苯二甲酸二甲酯、己二酸二甲酯、马来酸二乙酯、二聚酸二甲酯等各成分。此外，作为二醇成分，可举出例如，乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇(新戊二醇)等脂肪族二羟基化合物、二甘醇、聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等聚氧亚烷基二醇、1,4-环己烷二甲醇、螺环二醇等脂环族二羟基化合物、双酚A、双酚S等芳香族二羟基化合物等。它们分别可以仅为1种也可以使用2种以上。此外，如果作为膜而不对制膜性造成影响则可以少量共聚了偏苯三甲酸、均苯四甲酸及其酯衍生物之中的1种以上。
关于聚酯树脂的具体的例子，聚对苯二甲酸乙二醇酯(以下，简称为PET)、聚2,6-萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚对苯二甲酸1,4-环己烷二甲醇酯等可以便宜地获得，并且制膜性也良好，因此可以特别适合使用。
此外，聚酯树脂可以为均聚物也可以为共聚物。作为共聚物的情况下的共聚成分，可以举出芳香族二羧酸、脂肪族二羧酸、脂环族二羧酸、碳原子数2～15的二醇成分，作为它们的例子，可以举出例如间苯二甲酸、己二酸、癸二酸、邻苯二甲酸、含有磺酸盐基的间苯二甲酸、和它们的酯形成性化合物、乙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、1,4-环己烷二甲醇、螺环二醇、数均分子量400～20,000的聚亚烷基二醇等。
作为本发明所使用的聚酯，优选为按照JIS K-7122(1987)，在以升温速度10℃/分钟将树脂从25℃加热(1stRUN)直到300℃，在该状态下保持5分钟后，接着以成为25℃以下的方式以40℃/分钟的速度骤冷，再次从25℃以10℃/分钟的升温速度进行升温直到300℃而获得的2ndRUN的差示扫描量热测定图中，由熔融峰的峰面积求出的结晶熔化热ΔHm为20J/g以上的树脂。更优选结晶熔化热ΔHm为25J/g以上，进一步优选为30J/g以上。通过使用结晶熔化热为30J/g以上的聚酯，从而通过冲裁加工进行开孔时可以将孔周缘部的隆起部的高度抑制得小。
作为本发明所使用的聚酯，优选为羧基末端基数为10当量/t以上且40当量/t以下。更优选的羧基末端基数为20当量/t以上且40当量/t以下。通过使羧基末端基数为10当量/t以上，从而在通过冲裁加工进行开孔时可以将孔周缘部的隆起部的高度抑制得小。如果羧基末端基数超过40当量/t，则有时由来源于羧基末端基的质子引起的催化作用强，水解、热分解被促进，膜的劣化更易于进行。
作为本发明所使用的聚酯，优选特性粘度为0.50以上且0.90以下。更优选的特性粘度为0.55以上且0.80以下，进一步优选为0.60以上且0.70以下。通过使IV为0.90以下，从而在通过冲裁加工进行开孔时可以将孔周缘部的隆起部的高度抑制得小。如果IV小于0.50，则在含有后述空隙成核剂而使空隙形成的情况下，有时分子间的缠绕变得过少而制膜破裂经常发生，或即使可以制膜，机械物性也降低。
此外，本发明所使用的反射层也优选包含对主成分的树脂不相容的热塑性树脂。这里所谓不相容，是溶解性参数(以下，有时简称为“SP值”)具有0.5(MPa1/2)以上的偏离的树脂的组合。SP值是基于由Hildebrand等提倡的溶解性参数(“The Solubility ofNonelectrolytes”，[3rd，ed.]Reinhold，NY 1959)的理论而算出的，成为暗示出关于2种树脂各个树脂的SP值的偏离越大则这些树脂的相容性越低的指标。不相容的热塑性树脂作为形成空隙的空隙成核剂而使用。以下，将对主成分的树脂不相容的热塑性树脂也简称为“空隙成核剂”。通过将主成分的树脂与空隙成核剂以任意的比例混合了的树脂通过拉伸而施加外力，从而空隙成核剂的周围的树脂被剥离，从而形成空隙。
空隙成核剂的具体的例子可以举出聚烯烃树脂、聚苯乙烯树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、聚醚酰亚胺树脂、聚酯树脂、聚芳撑硫醚树脂、聚芳撑氧树脂、聚砜树脂、聚苯基砜树脂、芳香族聚醚酮树脂、丙烯酸系树脂、氟树脂等热塑性树脂。其中，在主成分的树脂为聚酯树脂的情况下，优选为聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等直链状或支链状烯烃系树脂、环状烯烃系树脂、苯乙烯系树脂、聚(甲基)丙烯酸酯树脂、聚碳酸酯树脂、聚丙烯腈树脂、聚苯硫醚树脂、氟系树脂等。特别优选为烯烃系树脂或苯乙烯系树脂，作为烯烃系树脂，为聚乙烯、聚丙烯、聚4-甲基戊烯-1(以下，有时简称为“聚甲基戊烯”或“PMP”)、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-1共聚物、环状烯烃，作为苯乙烯系树脂，为聚苯乙烯、聚甲基苯乙烯、聚二甲基苯乙烯等。它们可以为均聚物也可以为共聚物，进一步可以并用2种以上。特别是为了可以兼有作为空隙成核剂的效果与制膜性，优选为聚甲基戊烯或环状烯烃。
本发明所使用的反射层为了使来源于光散射的向入射面侧的出射光量增大，使显示器的亮度提高，优选包含白色颜料。作为白色颜料，在各种无机粒子、有机颜料中，从折射率、空隙形成能力、白度、光密度等综合效果方面考虑，优选为以氧化钛、碳酸钙、硫酸钡、氧化锌、氧化镁、硅酸盐、钛酸盐作为主成分的粒子，特别适合使用以氧化钛作为主成分的粒子。如果构成粒子的成分之中的50质量％以上为氧化钛，则可以说氧化钛是主成分。
白色颜料的平均粒径(D50，众数(mode)平均粒径)优选为0.05～1.0μm。更优选的白色颜料的平均粒径为0.1～0.5μm，进一步优选为0.15～0.35μm。通过使白色颜料的平均粒径为0.05μm以上，从而分散性变得良好，抑制凝集的发生，通过为1.0μm以下，从而可以在膜的制膜中抑制断裂发生。
在反射层为白色树脂膜的情况下，反射层中的白色颜料优选多于构成反射层的全部成分之中的10质量％且少于40质量％。更优选的反射层中的白色颜料多于15质量％且少于35质量％。通过使反射层中的白色颜料多于10质量％，从而反射层的反射率变得良好，在开孔加工时可以使孔周缘部的隆起部的高度小。此外，通过少于40质量％，从而生产性变得良好。特别是，膜厚度越薄则生产性越易于降低，因此优选使反射层中的白色颜料的含量为上述范围。
本发明所使用的反射层如果以聚酯树脂作为主成分，相对于层面为垂直方向的截面中的平均空隙含有率为10％以上且70％以下，则反射层的反射率变高因此是优选的。本发明中的所谓空隙，是指通过空隙成核剂、白色颜料而形成的层中存在的空隙。平均空隙含有率可以通过后述SEM截面观察和图像解析而求出。关于空隙的形成方法，可以通过向包含以上述记载的聚酯树脂作为主成分的树脂和空隙成核剂、白色颜料的混合物通过拉伸而施加外力，将聚酯树脂与空隙成核剂、或聚酯树脂与白色颜料剥离的方法来形成。具体而言，可举出在将包含以聚酯树脂作为主成分的树脂和空隙成核剂、白色颜料的混合物进行了熔融挤出后，沿至少一个方向拉伸，从而使内部形成空隙的方法。通过使平均空隙含有率为10％以上，从而可以使反射层的反射率高。此外，通过使平均空隙含有率为70％以下，从而可以抑制制膜时的破裂等而使生产性良好。
本发明的LED基板优选上述反射层具有1个以上贯通孔，上述LED光源穿过反射层所具有的贯通孔而被配置，从上述基材的面正上方进行观察时的LED光源的面积(Sl)与贯通孔的面积(Sh)的比率(Sl/Sh)为0.25以上且小于1.00。优选为0.50以上，进一步优选为0.75以下。通过贯通孔与LED光源的面积比率(Sl/Sh)变大，从而从LED光源出射的光通过反射层而被反射的面积增加，亮度提高的效果提高，进一步可以抑制亮度不均。如果面积比率(Sl/Sh)过小则有时产生反射层反射的光减少，亮度降低的课题。另一方面，如果面积比率(Sl/Sh)为0.75以下，则LED与贯通孔具有适度的间隙，从而在安装时不要求高组装精度，能够使LED基板的生产性提高。
本发明的LED基板优选上述LED光源的高度(H1)与上述反射层的高度(H2)之比(H2/H1)为0.1以上且0.8以下。通过使H2/H1为0.8以下，从而可以抑制从LED光源出射的光被反射层遮挡而亮度、亮度不均降低。此外，通过使H2/H1为0.1以上，从而可以抑制LED光源大因此背光的总厚度变厚而阻碍显示器的薄型化、或阻碍显示器的高精细。H2/H1优选为0.1以上且0.6以下，更优选为0.1以上且0.5以下。另外，LED光源的高度(H1)表示LED光源的前端与基材表面的距离，反射层的高度(H2)表示反射层表面与基材表面的距离。
此外，本发明的LED基板优选在上述反射层的至少一面具有粘着层，上述反射层具有1个以上贯通孔、和在贯通孔周围1.0mm区域内向粘着层侧突出了的隆起部，上述隆起部的高度(h)与粘着层厚度(t)之比(t/h)为0.20以上且小于1.00。优选为0.50以上，进一步优选为0.70以上。通过使隆起部的高度(h)与粘着层厚度(t)之比(t/h)为0.20以上，从而隆起部阻断从贯通孔内部的出光，抑制显示器的亮度的降低，此外，可以使在基材上或位于与基材相反面的扩散板等片状原材料经由上述粘着层而粘贴上述反射层的情况下的密合性良好。通过比(t/h)小于1.00，从而将显示器的亮度良好地维持，同时可以使背光的总厚度薄，因此可以有助于显示器的薄型化。
本发明的LED基板优选上述反射层的与上述基材相反侧的表面的三维表面粗糙度SRa为300nm以上且小于2000nm。通过三维表面粗糙度SRa成为上述范围，从而可以抑制：在以浅的角度从LED出来的光在反射材的表面反射时在背光内到达远而阻碍显示器的高精细。特别是，通过使三维表面粗糙度为300nm以上，从而可以抑制在将背光进行了部分驱动时熄灭的部分通过来自点亮的部分的光而看起来明亮的情况。此外，通过使三维表面粗糙度为2000nm以下，从而可以抑制用于加工的成本，此外提高成品率。更优选为500nm以上。关于使表面粗糙度为上述范围的方法，没有特别限定，但优选反射材具有含有用于形成凹凸的粒子或珠的层。
本发明的LED基板优选上述LED光源为蓝色LED光源。在本发明的LED基板具有多个LED光源的情况下，优选具有1个以上LED光源。作为光源，使用在可见光中波长短的蓝色的光源的情况下，从LED光源出射的光被反射层遮挡这样的课题更强地产生，因此可以更高获得本发明涉及的亮度提高的效果因此是优选的。
此外，使用图2说明本发明的叠层体。作为本发明的一方案，如图2所例示地那样，可举出一种叠层体，是至少相邻地具有反射层3和粘着层4的叠层体，反射层具有1个以上贯通孔14、和在贯通孔周围1.0mm区域8内向粘着层侧突出了的隆起部9，上述隆起部的高度(h)11与粘着层厚度(t)12之比(t/h)为0.20以上且小于2.00。另外位于贯通孔14的纵深的叠层体省略图示。这里所谓贯通孔周围1.0mm区域内，表示以从面正上方观察反射层时的贯通孔的重心点作为起点，半径1.0mm的同心圆内所包含的区域，通过后述测定方法而求出。此外所谓的隆起部的高度(h)，表示在贯通孔周围1.0mm区域内反射层向粘着层侧最突出的高度。t/h更优选为0.50以上，进一步优选为0.70以上。通过使隆起部的高度(h)与粘着层厚度(t)之比(t/h)为0.20以上，从而以向叠层体的贯通孔中配置LED的方式将叠层体与基板贴合而制作了LED基板的情况下，抑制隆起部阻断从LED贯通孔内部的出光而显示器的亮度降低，此外，可以使与基板贴合时的密合性良好。此外，通过使比(t/h)小于2.00，从而可以抑制由粘着层过厚引起的贴合加工时的位置偏移。此外，在制成基板、LED光源和LED基板时，将显示器的亮度良好地维持，同时可以使背光的总厚度薄，可以有助于显示器的薄型化。
粘着层的厚度(t)优选为0.1μm以上且25μm以下。更优选为0.5μm以上且20μm以下，进一步优选为1μm以上且15μm以下。在厚度小于0.1μm的情况下，有时粘着力不足。此外，在大于25μm的情况下，有时在开孔加工时孔周缘部的隆起部的高度变高，或贴合加工时的位置偏移强地发生。
隆起部的高度(h)优选为25μm以下。更优选为20μm以下，进一步优选为15μm以下。在隆起部的高度大于25μm的情况下，有时与基板贴合时的密合性降低。
此外，作为本发明的一方案，如图2所例示地那样，可举出下述叠层体，是至少依次具有剥离层13、粘着层4、反射层3、支持层(未图示)的叠层体，其具有贯通全部层的长径为0.2mm以上且5.0mm以下的2个以上贯通孔14，贯通孔在叠层体中所占的比例(开口率)为0.1％以上且60％以下。上述贯通孔是为了配置LED的贯通孔，贯通孔的叠层体面内方向的大小、形状、比例根据LED的尺寸、个数而变更。通过贯通孔的长径为5.0mm以下，从而与迷你LED方式的LED的尺寸相比贯通孔不会变得过大，可以充分地反射光。通过使贯通孔的长径为0.2mm以上，从而可以抑制由使LED的配置与孔的位置一致的加工时的偏移引起的成品率的降低。更优选为0.3mm以上且3.0mm以下，进一步优选为0.4mm以上且2.5mm以下。此外，通过开口率为0.1％以上，从而可以将LED配置成为充分的光量的个数。此外，通过开口率为60％以下，从而叠层体可以保持作为膜的形状，可以使反射性能良好。更优选为0.3％以上且50％以下，进一步优选为0.5％以上且40％以下。在本发明中是以在贯通孔处配置LED作为目的，但在不损害本发明的效果的范围将除LED以外的部件配置在贯通孔处也没有问题。此外，贯通孔的形状/尺寸可以不固定。在该情况下，优选贯通孔的总个数之中的90％以上的贯通孔的长径为0.2～5.0mm。
接下来记载本发明的LED基板和反射层所具有的贯通孔的制作方法的一例。该加工可以应用机械加工、化学蚀刻、和它们的多个。作为机械加工的一例，也可以通过采用锥子、钻的开孔、压制加工、汤姆森加工、压纹辊加工进行加工。作为化学蚀刻的一例，可以使用采用CW激光、脉冲激光的激光加工等。其中，从生产性的观点考虑特别优选使用压制加工、汤姆森加工、压纹辊加工这样的冲裁的方法。
在本发明中，反射层的厚度优选为80μm以下。反射层的厚度优选为65μm以下。通过反射层的厚度为80μm以下，从而在使用了迷你LED方式的LED光源的情况下，可以抑制反射层的光被屏蔽，使亮度良好。此外，反射层的厚度也优选为20μm以上。通过反射层的厚度为20μm以上，从而可以使反射层的反射率充分高。此外，例如在使用了白色树脂膜作为反射层的情况下，可以使制膜性、加工时的操作性良好。更优选为30μm以上。另外，在通过后述冲裁法而制作本发明中的贯通孔的情况下，如果反射层的厚度厚，则有在贯通孔周围1.0mm区域内向粘着层侧突出了的隆起部的高度(h)变高的倾向。
在本发明中作为使反射层厚度为上述优选的范围的方法，没有特别限定，但在反射层使用了白色树脂膜的情况下，在以往材料中，由于反射层厚度的减少与反射率为二律背反的关系因此难以兼有，受为了提高反射率而大量被添加的白色颜料、通过拉伸工序而被形成的空隙的影响，在使膜厚度为80μm以下的情况下制膜性显著恶化，从而具有膜化本身变得困难的课题。针对该课题，优选实施用于提高白色颜料与树脂的相容性的表面处理。作为表面处理剂，优选使用有机硅、硅烷偶联剂、铝螯合剂、聚脲等。特别优选为硅烷偶联剂。此外也优选通过将实施了表面处理的白色颜料粒子与上述空隙成核剂预先熔融混炼而获得了母料后，将作为反射层的主成分的树脂与母料进行熔融混炼，从而获得在上述空隙成核剂的内部包含白色颜料粒子的结构。
本发明的LED基板优选LED光源的高度为250μm以下。更优选为100μm以下。以往，使用了LED光源的高度为1mm以上的物质。在进行纤细的显示时进行使LED光源的个数增加等操作，但伴随LED光源增加的成本的制造成本成为课题。此外，在从通常的平面形状的显示器制成曲面形状的显示器时，具有由于LED的尺寸、刚性而不能实现期望的曲面形状这样的课题。LED光源的高度为上述范围的LED光源由于适于使用了在基板上直接安装的板上芯片的方法的大量生产，因此与使用了高度为1mm以上的LED光源时相比大量生产时的成本便宜，因此增加LED光源的个数时的成本减少。此外，通过使用LED光源的高度为上述范围的LED光源，从而可以实现对曲面形状的追随性，可以优选用于薄型液晶显示器用途。
作为本发明的LED基板的制造方法的一例，可举出下述制造方法，其包含下述工序：从叠层体除去剥离层的工序A，上述叠层体至少依次具有剥离层、粘着层、反射层和支持层，并具有贯通全部层的贯通孔；在上述工序A之后将粘着层与基板固定(将除去了剥离层的叠层体的粘着层和基板固定)工序B；以及在上述工序B之后从反射层剥离支持层(从粘贴于基板的叠层体除去支持层)的工序C。通过这样的制造方法，可以以高生产性获得具有薄而高反射的反射层的LED基板。
接下来对本发明的叠层体的制造方法说明其一例，但不特别限定于这样的例子。如以下所示那样，可以举出通过在分别制造了剥离层、反射层、支持层后，在后续工序中贴合的方法来制造的方法作为例子。
首先，关于本发明的叠层体所包含的反射层的制造方法，作为其一例，举出3层叠层构成膜进行说明，但不特别限定于这样的例子，可以为单层，也可以为除3层以外的叠层构成。在至少2台单轴或双轴挤出机、具有主挤出机和副挤出机的复合制膜装置中，在主挤出机中投入成为芯层(Y)的原料的树脂，在副挤出机中投入成为表层(X)的原料的树脂。各个原料优选以水分率成为50ppm以下的方式被干燥。这样操作而可以向各挤出机供给原料，例如利用2台挤出机和设置在T型模上部的进料块、多歧管而制成X/Y/X的3层叠层膜。被挤出的未拉伸片在被冷却了的鼓上密合冷却固化，获得未拉伸叠层膜。此时，为了获得均匀的膜，期望施加静电而使其在鼓上密合。
将该未拉伸膜通过辊加热、根据需要用红外线加热等而加热到聚合物的玻璃化转变温度(Tg)以上，沿长度方向拉伸(以下，有时称为纵向拉伸)而获得纵向拉伸膜。该拉伸利用2个以上辊的圆周速度差而进行。纵向拉伸的倍率虽然与用途的要求特性有关，但优选为2～6倍，更优选为3～4倍。通过为2倍以上从而可以使反射率高，通过为6倍以下从而可以抑制制膜中的断裂。纵向拉伸后的膜接着依次实施沿与长度方向正交的方向拉伸(以下，有时称为横向拉伸)、热定形、热松弛的处理而制成双轴取向膜，但这些处理优选一边使膜移动一边进行。此时，用于横向拉伸的预热和拉伸温度优选在聚合物的玻璃化转变温度(Tg)以上且(Tg+20℃)下进行。横向拉伸的倍率虽然与用途的要求特性有关，但优选为2.5～6倍，更优选为3～4倍。通过为2.5倍以上从而可以使反射率高。通过为6倍以下从而可以抑制制膜中的断裂。为了使所得的双轴取向膜的结晶取向完成，赋予平面性和尺寸稳定性，接着在拉幅机内在180～230℃的温度下进行1～60秒的热处理，均匀地缓慢冷却后，冷却直到室温，卷绕于辊。另外，这样的热处理可以使膜在沿其长度方向和/或宽度方向松弛3～12％的同时进行。
此外这里以通过逐次双轴拉伸法进行拉伸的情况为例详细地说明，但可以通过逐次双轴拉伸法、同时双轴拉伸法的任一方法进行拉伸，进一步根据需要，可以在双轴拉伸后进行再纵向拉伸和/或再横向拉伸。
此外，在不损害本发明的效果的范围，可以在各聚酯膜的至少一面，为了赋予易滑性、抗静电性、紫外光吸收性能等，使用周知的技术而涂布各种涂液，或为了提高耐冲击性而设置硬涂层等。涂布可以在膜制造时涂布(在线涂布)，也可以在膜制造后的聚酯膜上涂布(离线涂布)。
接下来，对在本发明中使用的剥离层的制造方法进行描述。作为剥离层的制造方法，可以举出在通过与上述反射层的制造方法同样的方法而制造了聚酯膜后，为了赋予脱模性，将脱模剂涂布、干燥的方法。将脱模剂涂布、干燥的方法可以为在聚酯膜制膜时进行的在线涂布法、在聚酯膜制膜后进行的离线涂布法中的任一者。
接下来，对在本发明中使用的支持层的制造方法进行描述。作为支持层的制造方法，可以举出通过与上述反射层的制造方法同样的方法而制造了聚酯膜后，为了赋予微粘着性而将微粘着层涂布、干燥的方法。将微粘着层涂布、干燥的方法可以为在聚酯膜制膜时进行的在线涂布法、在聚酯膜制膜后进行的离线涂布法中的任一者。此外，在微粘着层中可以为了识别而适当添加颜料。
接下来，对将剥离层、反射层、支持层在后续工序中贴合的方法进行描述。首先，将粘着层涂布于成为反射层的聚酯膜、干燥后与剥离层叠层。在支持层中，将包含着色剂的微粘着层涂布、干燥，与成为剥离层/粘着层/反射层的叠层聚酯膜的反射层侧贴合，从而可以获得叠层体。粘着层为在JIS Z 0237：2009所记载的180°剥离试验中测定的剥离力为2N/25mm以上的层，微粘着层为在JIS Z 0237：2009所记载的180°剥离试验中测定的剥离力为0.01N/25mm以上且小于2N/25mm的层。
接下来，关于本发明的LED基板的具体的制造方法的例子，虽然说明其一例，但没有特别限定。通过准备单面覆铜箔叠层板，在铜箔上通过印刷法而形成蚀刻抗蚀剂后，进行蚀刻，从而在绝缘基板的一个面形成具有配线和LED搭载用的端子的导体图案从而获得了基材。接下来，在上述形成的基材的导体图案上，连接LED光源(例如，发光部高度100μm、纵横长度都为300μm的长方体形的蓝色LED光源等)。
接下来，对通过上述方法而获得的叠层体，在连接了上述LED光源的基材的与LED光源的位置对应的位置形成所希望的大小的贯通孔。形成贯通孔的方法可以使用使用钻、激光的方法、使用了汤姆森刀片、压制模具、压纹辊的冲裁等公知的方法，但从生产性的观点考虑优选使用冲裁的方法。通过从叠层体的支持体侧使用冲裁的方法而形成贯通孔，从而形成在贯通孔周围1.0mm区域内向粘着层侧突出了的隆起部。此时，通过控制冲裁的模的阳模与阴模之间的间隙从而可以控制向粘着层侧突出了的隆起部的高度。如果使冲裁的模的阳模与阴模之间的间隙小，则成为向粘着层侧突出了的隆起部的高度变小的倾向。冲裁的模的阳模与阴模之间的间隙为10μm以上且75μm以下，更优选为20μm以上且50μm以下。然后，将叠层体切出为与连接了LED光源的基材同样的尺寸，从叠层体除去剥离层，接下来使LED光源与贯通孔的位置一致以粘着层面对基材的方式配置而将粘着层和基材固定，接着从叠层体剥离支持层，从而可以获得本发明的LED基板。
实施例
以下，通过实施例详述本发明。另外，各特性值通过以下方法测定。
(1)LED光源的高度(H1)、反射层的高度(H2)、LED光源相对于反射层突出的突出部高度(P)、反射层高度与LED光源高度之比(H2/H1)
将LED基板从侧方即垂直截面方向利用电子显微镜(S-2100A型，(株)日立制作所制)以适当的倍率(作为标准为100倍～5000倍)进行观察，计测LED光源的前端与基材表面的距离，设为LED光源的高度(H1)。通过同样的方法而计测反射层表面与基材表面的距离，设为反射层的高度(H2)。通过同样的方法而计测LED光源的前端与反射层表面的距离而设为突出部高度(P)。在难以从侧方观察的情况下，将LED基板整体通过金刚石切割器以不变形的方式对反射层表面垂直切断后，将截面使用离子铣削装置进行了精加工切断后利用电子显微镜进行观察。此外，LED光源的高度(H1)、与反射层的高度(H2)之比(H2/H1)，通过将H2除以H1而算出。
(2)贯通孔的面积(Sh)、LED光源的面积(Sl)、LED光源面积与贯通孔面积之比(Sl/Sh)、贯通孔的长径
将LED基板从基材的面正上方利用电子显微镜(LEICA DMLMライカマイクロシステムズ(株)制)以倍率100倍观察，算出反射层的贯通孔的面积(Sh)。通过同样的方法而算出LED光源的面积(Sl)。此外，LED光源的面积(Sl)与贯通孔面积之比(Sl/Sh)是通过将Sl除以Sh而算出的。贯通孔的长径，是通过从面正上方观察孔的形状，将穿过重心的直线与孔的边缘的2个交点之中的最远的2点间的距离作为长径而求出的。(在孔为正圆的情况下长径＝直径。)另外，在基板具有多个贯通孔、LED光源的情况下，在对全部求出各自的面积、长径后，采用了其平均值。然而，在贯通孔中未设置LED光源的贯通孔，在计算贯通孔的面积的平均值时排除在外。
(3)开口率
在叠层体为切片形状的情况下，在求出全部孔的面积之和后，将全部的内包孔的最小矩形的面积设为分母，计算开口率(％)。由于叠层体为卷状，或孔的个数多，因此计测全部孔在实际上是困难的，并且在开口部的配置具有重复图案的情况下，基于重复单元而计算开口率。
(4)贯通孔周围1.0mm区域内的隆起部的高度(h)、粘着层的厚度(t)、粘着层厚度与贯通孔周围1.0mm区域内的隆起部的高度之比(t/h)
使用图2进行说明。在将叠层体或LED基板通过金刚石切割器以不变形的方式垂直切断而制作出垂直截面后，将截面使用离子铣削装置进行精加工切断，将截面利用电子显微镜进行了观察。将截面图像导入到图像解析软件，选择位于与从面正上方观察反射层时的贯通孔的重心点相距1.1mm以上的至少彼此相距2.0mm以上的位置的反射层表面3点来确定反射层表面基线7。接下来，以从面正上方观察反射层时的贯通孔的重心点作为起点，将半径1.0mm的同心圆内所包含的区域设为贯通孔周围1.0mm区域8，求出在贯通孔周围1.0mm区域内以上述基线作为基准的向粘着层侧突出了的反射层的隆起部最大点10的高度。将同样的计算对100个贯通孔进行，将100个的最大高度进行了平均的值设为贯通孔周围1.0mm区域内的隆起部的高度(h)11。此外，算出在贯通孔周围1.0mm区域内具有隆起的侧的反射层的表面相接的粘着层的厚度，设为粘着层厚度(t)12。粘着层厚度与贯通孔周围1.0mm区域内的隆起部的高度之比(t/h)，是通过将t除以h而算出的。
(5)表面粗糙度(SRa)
在形成了反射层的反射面(与基材相反侧的表面)露出了的状态后，使用キーエンス社制形状解析激光显微镜VK-X1000(头部VK-X1100)将反射层的表面从正上方进行三维形状观察，求出三维表面粗糙度SRa值。测定范围避开反射层的表面之中的贯通孔而设为150μm见方的范围。高度方向的测定分辨率设为0.5nm，面方向的显示分辨率设为1nm，刷新率设为125Hz。另外，改变样品内的测定位置而进行5次测定，以所得的SRa值的平均值设为最终的该样品的SRa值。
(6)相对亮度
使在后述实施例中制作的LED基板发光，从距该LED基板90cm正上方的地点用CCD照相机(SONY制DXC-390)拍摄，用图像解析装置(コニカミノルタ制CA-2000)导入20mm×20mm的范围的图像，将其亮度水平控制于3万阶使其自动检测，算出亮度。此外，制作仅除去了反射层的LED基板，同样地操作而测定了亮度。将具有反射层的LED基板的亮度除以无反射层的LED基板的亮度，设为相对亮度。将同样的测定分别对中心位置相距30mm以上的LED基板的任意位置5处实施，将所得的5个相对亮度的值的平均值设为该样品的相对亮度，通过下述基准评价了所得的相对亮度。
A：130％以上
B：120％以上且小于130％
C：100％以上且小于120％
D：小于100％。
(7)亮度不均
关于在(6)的相对亮度的测定中在任意的5处测定的5个相对亮度的值，利用下述式而算出亮度不均(％)。
亮度不均(％)＝{(5个相对亮度的值之中的最大值)-(5个相对亮度的值之中的最小值)/(5个相对亮度的值的平均值)}×100
关于亮度不均和样品的状态通过以下基准进行了评价。
A：亮度不均小于2.0％
B：亮度不均为2.0％以上且小于5.0％
C：亮度不均为5.0％以上且小于10.0％
D：亮度不均为10.0％以上。
(8)加工性
在后述实施例中将形成了贯通孔的叠层体与搭载了LED光源的基材通过层压机以线压5kgf/cm固定后，剥离支持层，进行制作LED基板的加工时，通过下述基准评价了加工性。
A：可以没有问题地加工。
B：具有一定程度上的位置偏移、密合不均但使用没有问题。
C：在将支持层剥离时基板与反射层剥离了，或反射层变形了。
(9)平均空隙含有率
使用离子铣削装置(日立社制IM4000)，在采用液氮的冷却下抑制膜的变形、损伤，同时相对于膜面垂直地切断而制作出测定试样。关于切削方向，在相对于膜面每5°沿右方向进行面内的同时，在各旋转角度下制作垂直截面，直到合计的旋转角度达到90°为止，制作出共计19个垂直截面的试样。在制作的截面蒸镀了铂-钯后，使用形状解析激光显微镜(キーエンス社制VK-X1000，头部为VK-X1100)从正上方观察膜截面，映射(mapping)计测截面形状。测定条件设为显示分辨率成为最高的条件。另外，在膜由多个层构成的情况下对厚度最大的层进行观察，以试样截面之中的映射观察到的对象区域范围成为合计10000～22500μm2的方式观察。所得的截面解析数据之中，将高度最高的点定义为切断面，将切断面的高度作为基准高度，高度-50～0nm的部分作为白区域(明度100)，小于高度-50nm的部分作为黑区域(明度0)而进行了观察数据的2值化。使用解析软件(装置附属)而分别算出白区域的面积Sw和黑区域的面积Sb，基于下述式而求出空隙含有率V。
V＝Sb/(Sw+Sb)×100…(式)。
关于制作的19个垂直截面全部，求出空隙含有率V，将其平均值设为平均空隙含有率。
[使用原料]
(1)聚酯树脂(a)
将三氧化锑作为催化剂，由对苯二甲酸和乙二醇通过常规方法进行聚合，获得了聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)。所得的PET的玻璃化转变温度为77℃，熔点为255℃，特性粘度为0.63dl/g，结晶熔化热为35J/g，末端羧基浓度为40当量/t。
(2)热塑性树脂(b)
使用了市售的环状烯烃树脂“TOPAS 6017”(日本ポリプラスチックス株式会社)。
(3)二氧化钛母料(c)
对二氧化钛粒子(数均粒径0.25μm，金红石型)50质量份，添加硅烷偶联剂“11-100Additive”(東レダウ·コーニング社制)0.25质量份，通过常规方法进行了表面处理后，与聚酯树脂(a)50质量份利用双轴挤出机进行混炼，获得了二氧化钛母粒(c)。
(4)凝集二氧化硅母料(d)
将凝集二氧化硅粒子(数均粒径4.0μm)粒子浓度10质量份与聚酯树脂(a)90质量份利用双轴挤出机进行混炼，获得了二氧化硅母料(d)。
(实施例1)
[剥离层]
使用了带有有机硅脱模剂的厚度38μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(リンテック株式会社制PET38X)。
[反射层：聚酯膜]
将表2所示的组成的原料在180℃的温度下真空干燥6小时后，向主挤出机供给芯层(Y)的原料，在280℃的温度下熔融挤出后，通过30μm截止过滤器进行了过滤。此外，向副挤出机供给表层(X)的原料，在290℃的温度下熔融挤出后，通过30μm截止过滤器进行了过滤。接着，将这些熔融聚合物在T型模复合口模内，以表层被叠层(X/Y/X)在芯层的两表层的方式合流。接着，将合流了的熔融聚合物片状地挤出而制成熔融片，将该熔融片通过静电施加法使其密合在表面温度保持为25℃的鼓上使其冷却固化而制成未拉伸膜。接着，将该未拉伸膜用加热到80℃的温度的辊组进行了预热后，一边用红外线加热器从两面照射，一边以表2的倍率进行纵向拉伸(沿膜长度方向拉伸)，用温度25℃的的辊组冷却而制成单轴拉伸膜。接着，在将单轴拉伸膜的两端用夹具把持的同时，导到拉幅机内的90℃的预热区域，在95℃下以表2的倍率进行了横向拉伸(沿膜宽度方向拉伸)。接着，在拉幅机内的热处理区域实施表2的温度的热处理，接着均匀地缓慢冷却后，卷绕于辊，获得了表2所记载的厚度的双轴取向聚酯膜(反射层)。
[粘着层：有机硅树脂]
将有机硅树脂系粘着剂(SH4280PSA，東レ·ダウコーニング株式会社制)100质量份、过氧化苯甲酰催化剂(ナイパー(R)BMT-K40，日油株式会社制)0.15质量份、和甲苯50质量份的混合物以干燥后的粘着层的厚度成为表1-1所记载的厚度的方式涂布于成为反射层的膜，在70℃下进行3分钟加热固化、和在180℃下进行5分钟加热固化。
[支持层]
丙烯酸系共聚物(综研化学株式会社制SKダイン1499M，固体成分浓度30质量％)每100份，加入了异氰酸酯系交联剂(日本ポリウレタン株式会社制コロネートL，固体成分浓度75质量％)5.4份、绿色颜料(大日精化(株)制NAF1063绿)5份的溶液以干燥后的厚度成为3μm的方式涂覆于聚对苯二甲酸乙二醇酯膜(東レ(株)制ルミラー(R)T60)后，在约80℃下干燥1分钟，进一步在40℃下熟化72小时，制成支持层。聚对苯二甲酸乙二醇酯膜使用了150μm的物质。
[叠层体]
将剥离层、粘着层、反射层、支持层以成为该顺序的方式层压，获得了不具有贯通孔的叠层体。
[搭载了LED光源的基材]
在长边(横向)140mm、短边(纵向)76.4mm的树脂基材上将表1-2所记载的尺寸的蓝色LED光源以表1-1所记载的间距并列配置，准备了搭载了LED光源的基材。另外，间距纵横都相同，LED以没有剩余地铺满面内的形式设置。所谓间距，表示在设计图中以均等间隔配置物体时的配置间隔，在本发明中表示从基材的面正上方观察的情况下各LED光源的中心位置彼此的间隔。
[LED基板]
对通过上述方法而获得的叠层体，利用阳模与阴模之间的间隙为55μm的模具压制，实施了打开贯通孔的加工，所述贯通孔为每1个贯通孔面积、贯通孔长径如表1-1和表1-2所记载那样的圆形的贯通孔。孔的位置以从面正上方观察上述LED搭载基材的情况下的各个LED光源的中心、与各个孔的中心一致的方式调整。
接下来，从上述叠层体除去剥离层，在上述LED搭载基材上，以各个LED进入到贯通孔的位置的方式设置，使用层压机而施加线压5kgf/cm进行了固定后，剥离了支持层。接着在其上，以与蓝色LED的间隙成为5mm的方式载置丙烯酸系扩散板，在其上配置棱镜片，在温度25℃、相对湿度65％的条件下静置1小时，制作出LED基板。
(实施例2～9、比较例1～4)
设为表1-1和表1-2所记载那样的条件，除此以外，与实施例1同样地操作而制作出LED基板。
另外，在比较例3中贴合加工时的位置偏移强地发生，因此不能制作LED基板。此外，在比较例4中在剥离支持层时反射层变形，不能制作LED基板。
(实施例10)
使用阳模与阴模之间的间隙为40μm的模具压制而实施了穿孔加工，除此以外，与实施例3同样地操作而制作出LED基板。
(实施例11)
[反射层7：聚酯膜]
在获得了表2所记载的反射层2后，将下述组成的涂布剂以干燥后的厚度成为3μm的方式涂布，涂布后在120℃的温度下干燥2分钟，从而获得了具有表1-2所记载的表面粗糙度的聚酯膜(反射层7)。
粘合剂；ハルスハイブリッド(注册商标)UV-G720T(固体成分40质量％，(株)日本触媒制)：10质量份、固化剂；デュラネート24A-100(旭化成ケミカルズ(株)制)：0.4质量份、珠；“オルガソル”(注册商标)1002UD NAT 1(多孔质尼龙6树脂粒子，アルケマ(株)制，平均粒径5μm)：4.6质量份、溶剂；乙酸乙酯：12质量份。
使用了反射层7作为反射层，除此以外，与实施例2同样地操作而制作出LED基板。
(实施例12)
使用了下述聚酯膜(反射层8)作为反射层，除此以外，与实施例2同样地操作而制作出LED基板。
[反射层8：聚酯膜]
将由聚酯树脂(a)60质量％、热塑性树脂(b)20质量％、二氧化钛母料(c)20质量％构成的原料在180℃的温度下真空干燥6小时后，供给到主挤出机，在280℃的温度下熔融挤出后，通过30μm截止过滤器进行了过滤。接着，将熔融聚合物从T型模片状地挤出而制成熔融片，使该熔融片通过静电施加法使其密合在保持于表面温度25℃的鼓上使其冷却固化而制成未拉伸膜。接着，将该未拉伸膜用加热到80℃的温度的辊组预热后，一边用红外线加热器从两面照射，一边以表2的倍率进行纵向拉伸(沿膜长度方向拉伸)，用25℃的温度的辊组冷却而制成单轴拉伸膜。接着，一边将单轴拉伸膜的两端用夹具把持一边导到拉幅机内的90℃的预热区域，在95℃下以表2的倍率进行了横向拉伸(沿膜宽度方向拉伸)。接着，在拉幅机内的热处理区域实施表2的温度的热处理，接着均匀地缓慢冷却后，卷绕于辊，获得了表2所记载的厚度的双轴取向聚酯膜(反射层8)。
(实施例13、比较例5)
[搭载了LED光源的基材]
在长边(横向)140mm、短边(纵向)76.4mm的树脂基材上，将表1-2所记载的尺寸的蓝色LED光源以表1-1所记载的间距并列配置，准备了搭载了LED光源的基材。另外，间距纵横都相同，LED以没有剩余地铺满面内的形式设置。
[反射层]
接着，在基材的表面，作为反射层，将作为热固化型的白色阻焊剂的S500(LEW51)(太陽インキ製造株式会社制)使用网版印刷法，以上述LED光源相对于反射层突出的突出部高度(P)、LED光源的高度(H1)与上述反射层的高度(H2)之比(H2/H1)等如表1-2所记载那样的方式反复进行涂布和热处理(150℃，30分钟)。另外反射层避开LED光源的部分打开孔进行印刷，孔的尺寸设为每1个LED光源0.4mm2，在从面正上方观察基材的情况下孔的中心与LED光源的中心重叠。
[粘着层]
在搭载了LED光源的基材的表面所设置的反射层的表面，将有机硅树脂系粘着剂(SH4280PSA，東レ·ダウコーニング株式会社制)100质量份、过氧化苯甲酰催化剂(ナイパー(R)BMT-K40，日油株式会社制)0.15质量份、和甲苯50质量份的混合物以干燥后的粘着层的厚度成为表1-1所记载的厚度的方式涂布，在70℃下进行3分钟加热固化，和在180℃下进行5分钟加热固化，设置粘着层。涂布使用网版印刷法，避开LED光源的部分打开孔进行印刷，孔的尺寸设为每1个0.4mm2，在从基材的面正上方观察的情况下反射层的孔与位置重叠。
[LED基板]
接着在其上，以与蓝色LED的间隙成为5mm的方式载置丙烯酸系扩散板，在其上配置棱镜片，在温度25℃、相对湿度65％的条件下静置1小时，制作出LED基板。
(比较例6)
将剥离层、粘着层、反射层以成为该顺序的方式层压，使用了不具有支持层的叠层体，除此以外，与实施例2同样地操作而要制作LED基板，但不能将叠层体与基材充分密合，不能制作LED基板。
(比较例7)
使用阳模与阴模之间的间隙为80μm的模具压制而实施了穿孔加工，除此以外，与实施例2同样地操作而要制作LED基板，但不能将叠层体与基材充分密合，不能制作LED基板。
表1-1
Figure BDA0003931191470000261
Figure BDA0003931191470000271
Figure BDA0003931191470000281
产业可利用性
根据本发明，可以提供可以适合用于迷你LED方式的背光的LED基板。
符号的说明
1 LED基板
2 基材
3 反射层
4 粘着层
5 LED光源
6 突出部高度(P)
7 基线
8 贯通孔周围1.0mm区域
9 隆起部
10 隆起部最大点
11 隆起部的高度(h)
12 粘着层厚度(t)
13 剥离层
14 贯通孔。

Claims (9)

1.一种LED基板，是在基材的至少一面具有LED光源和反射层的LED基板，所述反射层包含白色颜料，并且所述LED光源相对于反射层突出的突出部高度P为20μm以上且200μm以下。
2.根据权利要求1所述的LED基板，所述反射层以聚酯树脂作为主成分，所述反射层在相对于所述反射层的层面为垂直方向的截面中的平均空隙含有率为10％以上且70％以下。
3.根据权利要求1或2所述的LED基板，所述LED光源的高度H1、与所述反射层的高度H2之比即H2/H1为0.1以上且0.8以下。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的LED基板，所述反射层具有1个以上贯通孔，所述LED光源穿过反射层所具有的贯通孔而被配置，从所述基材的面正上方进行观察时的LED光源的面积Sl与贯通孔的面积Sh的比率即Sl/Sh为0.25以上且小于1.00。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的LED基板，所述反射层的与所述基材相反侧的表面的三维表面粗糙度SRa为300nm以上且小于2000nm。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的LED基板，所述LED光源为蓝色LED光源。
7.一种叠层体，是至少相邻地具有反射层和粘着层的叠层体，所述反射层具有1个以上贯通孔、和在贯通孔周围1.0mm区域内向粘着层侧突出了的隆起部，所述隆起部的高度h与粘着层厚度t之比即t/h为0.20以上且小于2.00。
8.一种叠层体，是至少依次具有剥离层、粘着层、反射层和支持层的叠层体，其具有贯通全部层的长径为0.2mm以上且5.0mm以下的2个以上贯通孔，贯通孔在叠层体中所占的比例即开口率为0.1％以上且60％以下。
9.一种LED基板的制造方法，其包含下述工序：
从叠层体除去剥离层的工序A，所述叠层体至少依次具有剥离层、粘着层、反射层和支持层，并具有贯通全部层的贯通孔；
在所述工序A之后将所述粘着层和基板固定的工序B；以及
在所述工序B之后从所述反射层剥离所述支持层的工序C。
CN202180033745.6A 2020-05-22 2021-05-13 Led基板、叠层体及led基板的制造方法 Pending CN115516650A (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2020089421 2020-05-22
JP2020-089421 2020-05-22
JP2020-156933 2020-09-18
JP2020156933 2020-09-18
JP2021041094 2021-03-15
JP2021-041094 2021-03-15
PCT/JP2021/018185 WO2021235310A1 (ja) 2020-05-22 2021-05-13 Ｌｅｄ基板、積層体、およびｌｅｄ基板の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN115516650A true CN115516650A (zh) 2022-12-23

Family

ID=78708363

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202180033745.6A Pending CN115516650A (zh) 2020-05-22 2021-05-13 Led基板、叠层体及led基板的制造方法

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPWO2021235310A1 (zh)
KR (1) KR20230015314A (zh)
CN (1) CN115516650A (zh)
TW (1) TW202209712A (zh)
WO (1) WO2021235310A1 (zh)

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0816175A (ja) 1994-06-27 1996-01-19 Calsonic Corp 能動型消音器
JP2003160682A (ja) 2001-11-27 2003-06-03 Toray Ind Inc 光反射フィルム
JP3946183B2 (ja) 2003-10-27 2007-07-18 帝人デュポンフィルム株式会社 白色ポリエステルフィルム
WO2011118109A1 (ja) * 2010-03-23 2011-09-29 株式会社朝日ラバー 可撓性反射基材、その製造方法及びその反射基材に用いる原材料組成物
CN101820044B (zh) * 2010-04-09 2013-01-16 江苏伯乐达光电科技有限公司 金属基板及金属基板的led的封装方法
JP5851680B2 (ja) * 2010-09-24 2016-02-03 株式会社小糸製作所 発光モジュール
JP2013136232A (ja) 2011-11-30 2013-07-11 Toray Ind Inc 光反射板用ポリエステルフィルム
JP2014003260A (ja) * 2012-06-21 2014-01-09 Sumitomo Electric Printed Circuit Inc プリント配線板、プリント配線板集合体、プリント配線板の製造方法及び照明装置。
JP5994472B2 (ja) * 2012-08-09 2016-09-21 日亜化学工業株式会社 発光装置
WO2015045979A1 (ja) * 2013-09-27 2015-04-02 東レ株式会社 白色ポリエステルフィルム
JP6490891B2 (ja) 2013-11-29 2019-03-27 帝人フィルムソリューション株式会社 直下型面光源用白色反射フィルム
JP6357684B2 (ja) * 2015-01-29 2018-07-18 大口マテリアル株式会社 リードフレーム、光半導体装置用樹脂付きリードフレーム及びこれらの製造方法、並びに光半導体装置
JP2017143236A (ja) * 2016-02-09 2017-08-17 日東電工株式会社 セラミックスプレート、その製造方法および光半導体装置

Also Published As

Publication number Publication date
TW202209712A (zh) 2022-03-01
WO2021235310A1 (ja) 2021-11-25
KR20230015314A (ko) 2023-01-31
JPWO2021235310A1 (zh) 2021-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TW527507B (en) White film for surface light source
CN101910881B (zh) 反射片用白色叠层聚酯膜
KR101276992B1 (ko) 폴리에스테르 적층 필름 및 전사박
TWI409170B (zh) Anti - reflective multilayer laminated film
JP5082951B2 (ja) 反射板用ポリエステルフィルム
JP6201755B2 (ja) 液晶表示装置、偏光板および偏光子保護フィルム
JPWO2016084729A1 (ja) 液晶表示装置及び偏光板
JP5221880B2 (ja) 反射板用白色ポリエステルフィルム
JP6182858B2 (ja) 液晶表示装置、偏光板および偏光子保護フィルム
JP2017167331A (ja) 液晶表示装置
TW201634521A (zh) 二軸配向聚酯薄膜
JP2019101142A (ja) 光反射シートおよび光学部材
TWI541545B (zh) A light reflector and a surface light source device using the light reflector
JP2017122918A (ja) 液晶表示装置
KR102590694B1 (ko) 백색 반사 필름
JP2021120748A (ja) ポリエステルフィルム
CN115516650A (zh) Led基板、叠层体及led基板的制造方法
WO2021200454A1 (ja) 樹脂フィルム、ミニｌｅｄ基板、バックライトおよびディスプレイ
CN107850702B (zh) 白色反射膜
JP2006051681A (ja) 離型フィルム
JP7543702B2 (ja) 反射板および反射板を有する積層体
JP2023037175A (ja) ポリエステルフィルム、ミニｌｅｄ基板、バックライトおよびディスプレイ
TWI684794B (zh) 直下型面光源用白色反射薄膜及使用此的直下型面光源
JP2022052029A (ja) Ｌｅｄ基板
JP2022052030A (ja) Ｌｅｄ基板

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination