TW202209712A - Led基板、積層體、及led基板之製造方法 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題在於提供一種LED基板，其係即使在用作迷你LED方式的LED基板的情況下，也可以達成充分的亮度，本發明的宗旨在於一種LED基板，其係在基材的至少單面具有LED光源及反射層的LED基板，前述反射層係包含白色顏料而成，且前述LED光源的從反射層起算的突出部高度(P)為20μm以上200μm以下。

Description

LED基板、積層體、及LED基板之製造方法
本發明係關於LED基板及積層體的發明。
近年來，作為電腦、電視、行動電話等的顯示裝置，大多使用利用液晶的顯示器。這些液晶顯示器係從背側設置被稱為背光的面光源以照射光，從而可以實現顯示。
就液晶顯示器用背光所使用的反射層而言，以往是單獨使用添加了白色顏料的薄膜、使內部含有微細氣泡的薄膜，或者是使用將這些薄膜和金屬板、塑膠板等貼合者。特別是使內部含有微細氣泡的薄膜，由於有亮度的提高效果、在畫面亮度的均勻化上有一定的效果，因此被廣泛使用(專利文獻1、2)。
隨著行動電話、智慧型手機及筆記型電腦的薄型化、小型化、電視的大畫面化，儘管反射層屬於薄膜，但仍逐漸對反射層要求高反射性、光的高隱蔽性、及高剛性。特別是被稱為所謂的4K、8K的高精細液晶電視，有液晶面板的透射率降低的傾向，而要求以更薄的反射層達成高反射性。
反射層係廣泛採用如下的構成：利用由在薄膜內部所含的微細氣泡和基質樹脂的界面的折射率差所產生的光的反射。為了達成更高的反射性，必須使界面數量變多。為了使界面數量變多，而檢討形成以粒徑較小的無機粒子為核的空洞(void)(專利文獻3、4)。
此外，在使用反射層在正下方型顯示器中的情況下，以往係進行如下的方法：進行根據光源(LED)的位置開孔的加工，以LED可通過孔而露出的方式安裝(set)(專利文獻5)。 [先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：日本特開2003-160682號公報 專利文獻2：日本特公平8-16175號公報 專利文獻3：日本專利第3946183號公報 專利文獻4：日本特開2013-136232號公報 專利文獻5：日本特開2015-106028號公報
[發明欲解決之課題]
關於近年來的背光，由於近年來的顯示器的高亮度、高對比度、寬廣色域的需求，因此檢討了在基板上配置多個微小LED而成的LED方式(迷你LED方式)的技術。然而，若在使用專利文獻1～4中記載的反射薄膜作為迷你LED方式的LED基板的反射層的情況下，以專利文獻5中所記載的方法製作LED基板，則隨著光源的小型化(即，開孔的微小化)，有加工難度提高、LED基板製作的產率降低的課題。此外，即使能夠作成LED基板，與以往的LED方式相比，有亮度大幅降低、亮度不均變大的課題，而一直希望能夠獲得解決。另外，迷你LED方式，為了提高基板與反射薄膜之間的緊貼性、積層精度，較佳為在兩者之間設置接著層或黏著層，但在此情況下，發現了下述的新課題：在以往的LED方式並未成為問題的孔周邊有隆起部存在，對亮度、加工性影響甚大。
本發明的課題在於解決上述的先前技術所產生的問題點。即，在於提供一種LED基板及積層體，該LED基板係即使在用於迷你LED方式的背光的情況下，也可以達成充分的亮度。 [用以解決課題之手段]
有鑑於上述課題，經仔細檢討後，結果發現能夠藉由具有以下的構成的LED基板及積層體來解決上述課題，從而完成本發明。即： [I]一種LED基板，其係在基材的至少單面具有LED光源、反射層的LED基板，前述反射層係包含白色顏料而成，且前述LED光源的從反射層起算的突出部高度(P)為20μm以上200μm以下。 [II]如[I]的LED基板，其中前述反射層係以聚酯樹脂為主要成分，相對於前述反射層的層面，垂直方向的剖面中的平均空洞含有率為10%以上70%以下。 [III]如[I]或[II]的LED基板，其中前述LED光源的高度(H1)和前述反射層的高度(H2)的比(H2/H1)為0.1以上0.8以下。 [IV]如[I]至[III]中任一項的LED基板，其中前述反射層具有1個以上的貫通孔，前述LED光源係通過反射層所具有的貫通孔配置，從前述基材的面正上方觀察之際的LED光源的面積(Sl)和貫通孔的面積(Sh)的比率(Sl/Sh)為0.25以上小於1.00。 [V]如[I]至[IV]中任一項的LED基板，其中前述反射層的與前述基材為相反側的表面的三維表面粗糙度SRa為300nm以上小於2000nm。 [VI]如[I]至[V]中任一項的LED基板，其中前述LED光源為藍色LED光源。 [VII]一種積層體，其係至少鄰接地具有反射層和黏著層的積層體，反射層具有1個以上的貫通孔、和在貫通孔周圍1.0mm區域內且在黏著層側突出的隆起部，前述隆起部的高度(h)和黏著層厚度(t)的比(t/h)為0.20以上小於2.00。 [VIII]一種積層體，其係至少依序具有剝離層、黏著層、反射層、支撐層的積層體，具有貫通全部的層的長徑為0.2mm以上5.0mm以下的2個以上的貫通孔，貫通孔在積層體中所佔的比例(開口率)為0.1%以上60%以下。 [IX]一種LED基板之製造方法，其係包含：步驟A，係至少依序具有剝離層、黏著層、反射層、及支撐層的積層體具有貫通全部的層的貫通孔，從該積層體除去前述剝離層；步驟B，係在前述步驟A之後，將前述黏著層和基板固定；及步驟C，係在前述步驟B之後，從前述反射層剝離前述支撐層。 [發明之效果]
若根據本發明的話，便能夠使迷你LED方式的背光的亮度提高。
[用以實施發明的形態]
以下，針對本發明的實施形態詳細地進行敘述，但本發明不應被解釋為限定於包含以下實施例的實施形態，當然可以在能夠達成發明目的且不超出發明宗旨的範圍內進行各種變更。
使用圖1說明本發明的LED基板。作為本發明的一態樣，可舉出LED基板1，其係如圖1所例示，在基材2的至少單面具有LED光源5、反射層3的LED基板，前述LED光源的從反射層起算的突出部高度(P)6為20μm以上200μm以下。此處所謂的突出部高度(P)係指反射層的接近LED光源的場所的最高點(離基板的距離達到最大的點)和前述LED光源的最高點(離基板的距離達到最大的點)的高低差。本發明人等發現：伴隨LED小型化而來的亮度降低的原因係LED光源的最高點變得比反射層的最高點低，從而從LED光源所射出的光被反射層遮住。因此，藉由將LED光源的突出部高度(P)控制在前述特定範圍內，能夠抑制從LED光源所射出的光被反射層遮住而亮度降低的現象，進一步能夠抑制亮度不均。藉由將突出部高度(P)設為20μm以上，能夠抑制從LED光源所射出的光被反射層遮住而亮度降低的情形。另一方面，藉由將突出部高度(P)設為200μm以下，能夠抑制如下的情形：由於LED大，因此背光的總厚度變厚而妨礙顯示器的薄型化；妨礙顯示器的高精細度。突出部高度(P)較佳為35μm以上120μm以下，最佳為50μm以上70μm以下。突出部高度(P)越大，越容易使安裝了LED基盤的背光的亮度提高。此外，突出部高度(P)越低，越能夠將LED的尺寸小型化，顯示器的薄型化、顯示的高精細化等越容易。供LED光源的從反射層起算的突出部高度(P)設為20μm以上200μm以下用的方法沒有特別的限定，例如，可舉出：調整LED光源高度和反射層厚度的平衡。
本發明的LED基板所使用的基材，應理解為支撐具有配線及端子的導體圖案等的基材。可以是使導體圖案彼此間絕緣的基材，例如，可舉出：玻璃環氧物製的絕緣樹脂基板等。又，作為本發明所使用的基材，沒有特別的限定，能夠使用LED用的基材一般所使用的材料。作為這樣的材料，例如，可舉出：將環氧樹脂、酚樹脂、聚醯亞胺樹脂等的熱硬化性樹脂含浸於玻璃布、紙等的補強材，並進行積層、加熱加壓所得到的絕緣性的樹脂基板；包含LCP、PPS、熱塑性聚醯亞胺等的熱塑性樹脂而成的薄片狀基板；陶瓷等的絕緣性的無機基板；在鋁等的金屬基板上積層了絕緣樹脂的金屬基底(base)基板等。
本發明的LED基板所使用的LED光源，例如，能夠適合使用可以在可見光區域發光的氮化物半導體等。LED基板，若具備至少一個LED元件的話即可，LED元件的個數可以根據目的、用途而加以變更。
本發明中所使用的反射層必須包含白色顏料。例如，可舉出：將含有氧化鈦等的白色顏料的熱硬化性樹脂塗布在基材上所形成的白色樹脂層；含有氧化鈦等的白色顏料、及氣泡的白色樹脂薄膜等。藉由包含白色顏料，能夠提高反射層的反射率。特別是從亮度、加工性、色調的均勻性的觀點來看，可較佳地使用白色樹脂薄膜。
本發明中的反射層，從亮度、加工性、色調的均勻性的觀點來看，較佳為以聚酯樹脂為主要成分，相對於前述反射層的層面，垂直方向的剖面中的平均空洞含有率為10%以上70%以下。更佳的平均空洞含有率為15%以上60%以下。此處，主要成分係指構成樹脂組成物的樹脂成分當中佔50質量%以上的成分。
關於聚酯樹脂，以下記載較佳的態樣。聚酯樹脂係指主鏈中具有酯鍵的高分子，但本發明中使用的聚酯樹脂較佳為具有二羧酸和二醇進行縮聚的構造的聚酯樹脂。作為二羧酸成分，例如，能舉出：在芳香族二羧酸方面，對苯二甲酸、間苯二甲酸、鄰苯二甲酸、2,6-萘二甲酸、二苯基二甲酸、二苯基碸二甲酸、二苯氧基乙烷二甲酸、5-碸二甲酸鈉等的芳香族二羧酸；草酸、琥珀酸、己二酸、癸二酸、二聚酸、馬來酸、富馬酸等的脂肪族二羧酸；1,4-環己烷二甲酸等的脂環族二羧酸；對氧基安息香酸等的氧基羧酸等的各成分。此外，作為二羧酸酯衍生物成分，能舉出：上述二羧酸化合物的酯化物，例如對苯二甲酸二甲酯、對苯二甲酸二乙酯、對苯二甲酸2-羥基乙基甲酯、2,6-萘二甲酸二甲酯、間苯二甲酸二甲酯、己二酸二甲酯、馬來酸二乙酯、二聚酸二甲酯等的各成分。此外，作為二醇成分，例如，可舉出：乙二醇、1,2-丙二醇、1,3-丙二醇、1,3-丁二醇、1,4-丁二醇、1,5-戊二醇、1,6-己二醇、2,2-二甲基-1,3-丙二醇(新戊二醇)等的脂肪族二羥基化合物；二乙二醇、聚乙二醇、聚丙二醇、聚四亞甲基二醇等的聚氧基伸烷基二醇；1,4-環己烷二甲醇、螺甘油等的脂環族二羥基化合物；雙酚A、雙酚S等的芳香族二羥基化合物等各成分。它們可以是各僅1種，也可以是使用2種以上者。此外，若不對製成薄膜的製膜性造成影響的話，則可以是將少量的苯偏三酸、苯均四酸及其酯衍生物當中的一種以上予以共聚合者。
聚酯樹脂的具體例係由於能夠便宜地取得且製膜性也良好，因此能夠特別適合使用聚對苯二甲酸乙二酯(以下，簡稱為PET)、聚2,6-萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸-1,4-環己二甲酯(poly-1,4-cyclohexylene dimethylene terephthalate)等。
此外，聚酯樹脂可以是均聚物也可以是共聚物。作為共聚物的情況的共聚合成分，能舉出：芳香族二羧酸、脂肪族二羧酸、脂環族二羧酸、碳數2～15的二醇成分，作為它們的例子，例如，能舉出：間苯二甲酸、己二酸、癸二酸、鄰苯二甲酸、含有磺酸鹽基的間苯二甲酸、及它們的酯形成性化合物、乙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、1,4-環己烷二甲醇、螺甘油、數量平均分子量400～20,000的聚伸烷基二醇等。
作為本發明所使用的聚酯，較佳為如下的樹脂：在根據JIS K-7122(1987)，在升溫速度10℃/min下將樹脂從25℃加熱至300℃(1stRUN)，在此狀態下保持5分鐘後，接著以成為25℃以下的方式在40℃/分鐘的速度下進行驟冷，再度在10℃/min的升溫速度下從25℃進行升溫至300℃所得到的2ndRUN的微差掃描熱量測定圖中，從熔解波峰的波峰面積所求出的結晶熔解熱量ΔHm為20J/g以上。更佳為結晶熔解熱量ΔHm為25J/g以上，再更佳為30J/g以上。藉由使用結晶熔解熱量為30J/g以上的聚酯，能夠在以打孔加工進行開孔之際將孔周緣部的隆起部的高度壓低。
作為本發明所使用的聚酯，羧基末端基數較佳為10當量/t以上40當量/t以下。更佳為羧基末端基數為20當量/t以上40當量/t以下。藉由將羧基末端基數設為10當量/t以上，能夠在以打孔加工進行開孔之際將孔周緣部的隆起部的高度壓低。若羧基末端基數超過40當量/t，則有由源自羧基末端基數的質子所產生的觸媒作用強，水解、熱分解受到促進，薄膜的劣化變得更容易進行的情況。
作為本發明所使用的聚酯，固有黏度較佳為0.50以上0.90以下。更佳的固有黏度為0.55以上0.80以下，再更佳為0.60以上0.70以下。藉由將IV設為0.90以下，能夠在以打孔加工進行開孔之際將孔周緣部的隆起部的高度壓低。若IV小於0.50，則在使其含有後述的空洞成核劑以形成空洞的情況下，有如下的情況：分子間的纏合變得過少而頻繁發生製膜破裂；即使能夠製膜，機械物性也降低了。
此外，本發明所使用的反射層亦以包含對主要成分的樹脂不相容的熱塑性樹脂為佳。此處，不相容係指溶解性參數(以下，有簡稱為「SP值」的情形)間存在有0.5(MPa1/2 )以上的差異的樹脂組合。SP值係基於Hildebrand們所提倡的溶解性參數(“The Solubility Nonelectrolytes”, [3rd, ed.] Reinhold, NY 1959)的理論所算出者，成為提示如下情形的指標：針對2種樹脂，各樹脂的SP值的差異越大，這些樹脂的相容性越低。不相容的熱塑性樹脂可用作形成空洞的空洞成核劑。以下，也將對主要成分的樹脂不相容的熱塑性樹脂簡稱為「空洞成核劑」。藉由利用拉伸來將以任意比例混合了主要成分的樹脂、和空洞成核劑的樹脂施加外力，來撕開空洞成核劑周圍的樹脂，從而形成空洞。
空洞成核劑的具體例能舉出：聚烯烴樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醚醯亞胺、聚酯樹脂、聚伸芳基硫醚樹脂、聚芳醚(polyarylene oxide)樹脂、聚碸樹脂、聚苯碸樹脂、芳香族聚醚酮樹脂、丙烯酸樹脂、氟樹脂等的熱塑性樹脂。其中，在主要成分的樹脂為聚酯樹脂的情況下，較佳為聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等的直鏈狀或分枝鏈狀烯烴系樹脂、環狀烯烴系樹脂、苯乙烯系樹脂、聚(甲基)丙烯酸酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚丙烯腈樹脂、聚苯硫醚、氟系樹脂。特佳為烯烴系樹脂或苯乙烯系樹脂，作為烯烴系樹脂，有聚乙烯、聚丙烯、聚4-甲基戊烯-1(以下，有簡稱為「聚甲基戊烯」或「PMP」情形)、乙烯-丙烯共聚物、乙烯-丁烯-1共聚物、環狀烯烴，作為苯乙烯系樹脂，有聚苯乙烯、聚甲基苯乙烯、聚二甲基苯乙烯等。它們可以是均聚物也可以是共聚物，也可以進一步併用2種以上。特別是為了能夠兼顧作為空洞成核劑的效果和製膜性，較佳為聚甲基戊烯或者是環狀烯烴。
本發明所使用的反射層，為了使源自光散射的朝向入射面側的射出光量增大，使顯示器的亮度提高，較佳為包含白色顏料。作為白色顏料，在各種無機粒子、有機顏料當中，從折射率、空洞形成能力、白色度、光學濃度等綜合效果的點來看，較佳為以氧化鈦、碳酸鈣、硫酸鋇、氧化鋅、氧化鎂、矽酸鹽、鈦酸鹽為主要成分的粒子，特別適合使用以氧化鈦為主要成分的粒子。若構成粒子的成分當中，50質量%以上為氧化鈦的話，便可說氧化鈦為主要成分。
白色顏料的平均粒徑(D50，模式平均粒徑)較佳為0.05～1.0μm。更佳的白色顏料的平均粒徑為0.1～0.5μm，再更佳為0.15～0.35μm。藉由將白色顏料的平均粒徑設為0.05μm以上，分散性變佳而抑制凝集的發生，藉由設為1.0μm以下，能夠抑制在薄膜的製膜中發生斷裂。
在反射層為白色樹脂薄膜的情況下，反射層中的白色顏料較佳為構成反射層的全部成分當中，多於10質量%，少於40質量%。更佳的反射層中的白色顏料係多於15質量%，少於35質量%。藉由使反射層中的白色顏料多於10質量%，則反射層的反射率變佳，能夠在開孔加工時使孔周緣部的隆起部的高度變小。此外，藉由使其少於40質量%，則生產性變佳。特別是薄膜厚度越薄，生產性越容易降低，因此較佳為將反射層中的白色顏料的含量設在上述範圍內。
本發明所使用的反射層，若是以聚酯樹脂為主要成分，相對於層面，垂直方向的剖面中的平均空洞含有率為10%以上70%以下，則反射層的反射率變高，因而較佳。本發明中的空洞係指藉由空洞成核劑、白色顏料所形成的存在於層中的空隙。平均空洞含有率能夠藉由後述的SEM剖面觀察和影像解析來求出。空洞的形成方法係能夠以如下的方法形成：利用拉伸，對上述記載的包含以聚酯樹脂為主要成分的樹脂和空洞成核劑、白色顏料的混合物施加外力，將聚酯樹脂和空洞成核劑、或者是聚酯樹脂和白色顏料撕開。具體而言，可舉出如下的方法：將包含以聚酯樹脂為主要成分的樹脂和空洞成核劑、白色顏料的混合物進行熔融擠出後，在至少一方向上進行拉伸，從而在內部形成空洞。藉由將平均空洞含有率設為10%以上，能夠使反射層的反射率變高。此外，藉由將平均空洞含有率設為70%以下，能夠抑制製膜時的破裂等而使生產性變佳。
本發明的LED基板，較佳為前述反射層具有1個以上的貫通孔，前述LED光源係通過反射層所具有的貫通孔配置，從前述基材的面正上方觀察之際的LED光源的面積(Sl)和貫通孔的面積(Sh)的比率(Sl/Sh)為0.25以上小於1.00。較佳為0.50以上，更佳為0.75以下。藉由貫通孔和LED光源的面積比率(Sl/Sh)變大，由LED光源所射出的光被反射層反射的面積增加，亮度提高的效果提高，能夠進一步抑制亮度不均。若面積比率(Sl/Sh)過小，則有反射層所反射的光減少，發生亮度降低的課題的情況。另一方面，若面積比率(Sl/Sh)為0.75以下，則在LED和貫通孔存在有適度的間隙，從而在裝配(setup)之際不要求高組裝精度，可以使LED基板的生產性提高。
本發明的LED基板，較佳為前述LED光源的高度(H1)、和前述反射層的高度(H2)的比(H2/H1)為0.1以上0.8以下。藉由將H2/H1設為0.8以下，能夠抑制從LED光源所射出的光被反射層遮住而亮度、亮度不均降低的情形。此外，藉由將H2/H1設為0.1以上，能夠抑制如下的情形：由於LED大，因此背光的總厚度變厚而妨礙顯示器的薄型化；妨礙顯示器的高精細度。H2/H1較佳為0.1以上0.6以下，更佳為0.1以上0.5以下。又，LED光源的高度(H1)表示LED光源的前端和基材表面的距離，反射層的高度(H2)表示反射層表面和基材表面的距離。
此外，本發明的LED基板，較佳為在前述反射層的至少單面具有黏著層，前述反射層具有1個以上的貫通孔、和在貫通孔周圍1.0mm區域內且在黏著層側突出的隆起部，前述隆起部的高度(h)和黏著層厚度(t)的比(t/h)為0.20以上小於1.00。較佳為0.50以上，更佳為0.70以上。藉由將隆起部的高度(h)和黏著層厚度(t)的比(t/h)設為0.20以上，隆起部阻斷來自貫通孔內部的射出光，能夠抑制顯示器的亮度的降低，此外，能夠使將前述反射層透過前述黏著層貼附在基材上或者是位於與基材相反的面的擴散板等的薄片狀素材的情況的緊貼性變佳。藉由比(t/h)設為小於1.00，能夠良好地維持顯示器的亮度，同時使背光的總厚度變薄，因此能夠有助於顯示器的薄型化。
本發明的LED基板，較佳為前述反射層的與前述基材為相反側的表面的三維表面粗糙度SRa為300nm以上小於2000nm。藉由三維表面粗糙度SRa成為上述範圍內，能夠抑制如下的情形：以淺角度(shallow angle)從LED出來的光在反射材的表面反射之際，會在背光內到達遠處位置，妨礙顯示器的高精細度。特別是，藉由將三維表面粗糙度設為300nm以上，能夠抑制如下的情況：在將背光進行部分驅動之際，關燈的部分會因來自開燈的部分的光而可明亮地看到。此外，藉由將三維表面粗糙度設為2000nm以下，能夠抑制用於加工的成本，還能提高良率。更佳為500nm以上。關於將表面粗糙度設在上述範圍內的方法，沒有特別的限定，但較佳為反射材具有含有供形成凹凸用的粒子或珠的層。
本發明的LED基板較佳為前述LED光源為藍色LED光源。在本發明的LED基板具有複數個LED光源的情況下，較佳為具有1個以上的LED光源。作為光源，在使用可見光當中波長短的藍色光源的情況下，從LED光源所射出的光被反射層遮住這樣的課題會更強烈地產生，因此能夠得到更高的基於本發明的亮度提高效果，因而較佳。
此外，使用圖2說明本發明的積層體。作為本發明的一態樣，可舉出一種積層體，其係如圖2所例示，至少鄰接地具有反射層3和黏著層4的積層體，反射層具有1個以上的貫通孔14、和在貫通孔周圍1.0mm區域8內且在黏著層側突出的隆起部9，前述隆起部的高度(h)11和黏著層厚度(t)12的比(t/h)為0.20以上小於2.00。又，位於貫通孔14的縱長上的積層體係省略圖示。此處，貫通孔周圍1.0mm區域內表示以從面正上方觀看反射層時的貫通孔的重心點為起點，半徑1.0mm的同心圓內所包含的區域，利用後述的測定方法求出。此外，隆起部的高度(h)表示在貫通孔周圍1.0mm區域內，反射層在黏著層側最突出的高度。t/h更佳為0.50以上，再更佳為0.70以上。藉由將隆起部的高度(h)和黏著層厚度(t)的比(t/h)設為0.20以上，在以將LED朝積層體的貫通孔中配置的方式將積層體貼合於基板而作成LED基板的情況下，隆起部阻斷來自LED貫通孔內部的射出光，能夠抑制顯示器的亮度降低，此外，能夠使貼合於基板之際的緊貼性變佳。此外，藉由將比(t/h)設為小於2.00，能夠抑制因黏著層過厚所造成的貼合加工時的位置偏離。此外，在作成基板、LED光源和LED基板之際，能夠良好地維持顯示器的亮度，同時使背光的總厚度變薄，能夠有助於顯示器的薄型化。
黏著層的厚度(t)較佳為0.1μm以上25μm以下。更佳為0.5μm以上20μm以下，再更佳為1μm以上15μm以下。在厚度小於0.1μm的情況下，有黏著力不足的情況。此外，在大於25μm的情況下，有如下的情況：在開孔加工時孔周緣部的隆起部的高度變高；發生嚴重的貼合加工時的位置偏離。
隆起部的高度(h)較佳為25μm以下。更佳為20μm以下，再更佳為15μm以下。在隆起部的高度大於25μm的情況下，有貼合於基板之際的緊貼性降低的情況。
此外，作為本發明的一態樣，可舉出一種積層體，其係如圖2所例示，至少依序具有剝離層13、黏著層4、反射層3、支撐層(未圖示)的積層體，具有貫通全部的層的長徑為0.2mm以上5.0mm以下的2個以上的貫通孔14，貫通孔在積層體中所佔的比例(開口率)為0.1%以上60%以下。上述的貫通孔係用於配置LED的貫通孔，貫通孔的積層體面內方向的大小、形狀、比例係根據LED的尺寸、個數而變更。藉由將貫通孔的長徑設為5.0mm以下，與迷你LED方式的LED的尺寸相比，貫通孔變得過大，能夠充分地將光反射。藉由將貫通孔的長徑設為0.2mm以上，能夠抑制因將LED的配置和穴的位置合在一起的加工時的偏離所造成的良率降低。更佳為0.3mm以上3.0mm以下，再更佳為0.4mm以上2.5mm以下。此外，藉由開口率設為0.1%以上，能夠配置可達成充分光量的個數的LED。此外，藉由開口率設為60%以上，積層體能夠保持作為薄膜的形狀，能夠使反射性能變佳。更佳為0.3%以上50%以下，再更佳為0.5%以上40%以下。本發明係以將LED配置在貫通孔為目的，但在不妨礙本發明的效果的範圍內，即使將LED以外的零件配置在貫通孔也沒問題。此外，貫通孔的形狀．尺寸可以並非一定。在此情況下，較佳為貫通孔的總個數當中90%以上的貫通孔的長徑為0.2～5.0mm。
接著記載本發明的LED基板及反射層所具有的貫通孔的製作方法的一例。該加工能夠適用機械性加工、化學性蝕刻、及它們中的複數種方法。作為機械性加工的一例，能夠藉由利用搪孔(borer)、鑽孔(drill)的開孔、加壓(press)加工、湯姆森(Thomson)加工、壓印輥加工來進行加工。作為化學性蝕刻的一例，能夠使用利用CW雷射、脈衝雷射的雷射加工等。其中，從生產性的觀點來看，可特佳地使用加壓加工、湯姆森加工、壓印輥加工這樣的打孔方法。
在本發明中，較佳為反射層的厚度為80μm以下。反射層的厚度較佳為60μm以下。藉由反射層的厚度設為80μm以下，在使用迷你LED方式的LED光源的情況下，能夠抑制由反射層所產生的光被遮蔽的情形，使亮度變佳。此外，亦較佳為反射層的厚度為20μm以上，藉由反射層的厚度設為20μm以上，能夠使反射層的反射率充分地變高。此外，例如，在使用白色樹脂薄膜作為反射層的情況下，能夠使製膜性、加工時的操作性變佳。更佳為30μm以上。又，在以後述的打孔法製作本發明中的貫通孔的情況下，若反射層的厚度厚，則呈現出在貫通孔周圍1.0mm區域內且在黏著層側突出的隆起部的高度(h)變高的傾向。
作為在本發明中將反射層厚度設在前述的較佳範圍內的方法，沒有特別的限定，在將白色樹脂薄膜用於反射層的情況下，在以往的材料中，反射層厚度的減少係與反射率存在著顧此失彼的關係，因此很難兼顧，受為了提高反射率而大量添加的白色顏料、由拉伸步驟所形成的空洞的影響，在將薄膜厚度設為80μm以下的情況下製膜性明顯惡化，從而有薄膜化本身變得困難的課題。對此課題，較佳為施加供提高白色顏料和樹脂的相容性用的表面處理。作為表面處理劑，可較佳地使用矽酮、矽烷偶合劑、鋁螯合劑、聚脲等。特佳為矽烷偶合劑。此外，亦較佳為將施加了表面處理的白色顏料粒子與前述空洞成核劑預先熔融混練而得到母料後，將反射層的主要成分的樹脂和母料熔融混練，從而得到白色顏料粒子被包含在前述空洞成核劑的內部的構造。
本發明的LED基板，較佳為LED光源的高度為250μm以下。更佳為100μm以下。以往，LED光源的高度係使用1mm以上者。在進行細緻的顯示之際進行使LED光源的個數增加等，但伴隨LED光源增加的成本而來的製造成本成為課題。此外，在從通常的平面形狀的顯示器作成曲面形狀的顯示器之際，有由於LED的尺寸、剛性而無法實現所要的曲面形狀這樣的課題。LED光源的高度在前述範圍內的LED光源適合使用直接朝基板上安裝的晶片板(chip-on-board)的手法的量產，因此與使用高度為1mm以上的LED光源時相比，量產時的成本便宜，因此達成增加LED光源的個數之際的成本降低。此外，藉由使用LED光源的高度在前述範圍內的LED光源，能夠達成對曲面形狀的追隨性，能夠較佳地用於薄型液晶顯示器用途。
作為本發明的LED基板之製造方法，可舉出一種製造方法，其包含：步驟A，係從前述的至少依序具有剝離層、黏著層、反射層、及支撐層且具有貫通全部的層的貫通孔的積層體除去剝離層；步驟B，係在前述步驟A之後，將黏著層和基板固定(將除去了剝離層的積層體的黏著層和基板固定)；及步驟C，係在前述步驟B之後，從反射層剝離支撐層(從貼附於基板的積層體除去支撐層)。藉由這樣的製造方法，能夠以高生產性得到薄且具有高反射的反射層的LED基板。
接著針對本發明的積層體之製造方法說明其一例，但沒有特別限定於這樣的例子。如下所示，能夠舉出藉由如下的方法來製造的方法作為例子，該方法係分別製造剝離層、反射層、支撐層後，在後續步驟進行貼合。
首先，針對本發明的積層體中所含的反射層的製造方法，舉出3層積層構成薄膜作為其一例來進行說明，但沒有特別限定於這樣的例子，可以是單層，也可以是3層以外的積層構成。在具有至少2台的一軸或二軸擠出機、主擠出機和副擠出機的複合製膜裝置中，向主擠出機投入成為芯層(Y)的原料的樹脂，向副擠出機投入成為表層(X)的原料的樹脂。各個原料較佳為以水分率成為50ppm以下的方式予以乾燥。依此方式進行將原料供給至各擠出機，例如能夠以2台擠出機和設置在T模上部的供料塊、多重歧管製成X/Y/X的3層積層薄膜。所擠出的未拉伸薄片係在經冷卻的鼓輪上進行緊貼冷卻固化，得到未拉伸積層薄膜。此時，為了得到均勻的薄膜，理想的是施加靜電使其緊貼在鼓輪上。
用輥加熱、根據需要的紅外線加熱等，將此未拉伸薄膜加熱至聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)以上，在長邊方向上進行拉伸(以下，有稱為縱向拉伸的情況)而得到縱向拉伸薄膜。此拉伸係利用2個以上的輥的圓周速度差進行。縱向拉伸的倍率係依用途要求的特性而定，較佳為2～6倍，更佳為3～4倍。藉由設為2倍以上，能夠使反射率變高，藉由設為6倍以下，能夠抑制製膜中的斷裂。然後，縱向拉伸後的薄膜在與長邊方向正交的方向上依序施加拉伸(以下，有稱為橫向拉伸的情況)、熱固定、熱鬆弛的處理而製成二軸配向薄膜，這些處理較佳為一邊使薄膜行進一邊進行。此時，供橫向拉伸用的預熱及拉伸溫度較佳為在聚合物的玻璃轉移溫度(Tg)以上(Tg+20℃)下進行。橫向拉伸的倍率係依用途要求的特性而定，較佳為2.5～6倍，更佳為3～4倍。藉由設為2.5倍以上，能夠使反射率變高。藉由設為6倍以下，能夠抑制製膜中的斷裂。使所得到的二軸配向薄膜的結晶配向結束，為了賦予平面性和尺寸穩定性，接著在拉幅機內、在180～230℃的溫度下進行1～60秒鐘的熱處理，均勻地慢慢冷卻後，冷卻至室溫，捲取至輥。又，這樣的熱處理可以與使薄膜在其長邊方向及/或寬度方向上鬆弛3～12%同時地進行。
此外，此處係以藉由逐次二軸拉伸法來進行拉伸的情況為例詳細地說明，但可以用逐次二軸拉伸法、同時二軸拉伸法中任一方法來拉伸，也可以進一步根據需要，二軸拉伸後，進行再次縱向拉伸及/或再次橫向拉伸。
此外，在無損本發明的效果的範圍內，可以在各聚酯薄膜的至少單面，為了賦予易滑性、抗靜電性、紫外光吸收性能等而使用周知的技術塗布各種塗液，或為了提高耐衝擊性而設置硬塗層等。塗布可以在薄膜製造時進行塗布(生產線上塗布)，也可以在薄膜製造後的聚酯薄膜上進行塗布(非生產線上塗布)。
接著，針對本發明中所使用的剝離層的製造方法進行敘述。作為剝離層的製造方法，能舉出：以與上述反射層的製造方法同樣的方法製造聚酯薄膜後，為了賦予脫模性而塗布脫模劑並進行乾燥的方法。塗布脫模劑並進行乾燥的方法可以進行在聚酯薄膜製膜時進行的生產線上塗布法、在聚酯薄膜製膜後進行的非生產線上塗布法中的任一者。
接著，針對本發明中所使用的支撐層的製造方法進行敘述。作為支撐層的製造方法，能舉出：以與上述反射層的製造方法同樣的方法製造聚酯薄膜後，為了賦予微黏著性而塗布微黏著層並進行乾燥的方法。塗布微黏著層並進行乾燥的方法可以進行在聚酯薄膜製膜時進行的生產線上塗布法、在聚酯薄膜製膜後進行的非生產線上塗布法中的任一者。此外，微黏著層中可以為了識別而添加適宜顏料。
接著，針對在後續步驟將剝離層、反射層、支撐層貼合的方法進行敘述。首先，在塗布黏著層在成為反射層的聚酯薄膜並進行乾燥後，與剝離層進行積層。對支撐層塗布包含著色劑的微黏著層並進行乾燥，貼合在成為剝離層/黏著層/反射層的積層聚酯薄膜的反射層側，從而能夠得到積層體。黏著層係以JIS Z 0237：2009中記載的180°剝離試驗所測定的剝離力為2N/25mm以上的層，微黏著層係以JIS Z 0237：2009中記載的180°剝離試驗所測定的剝離力為0.01N/25mm以上小於2N/25mm的層。
接著，針對本發明的LED基板的具體的製造方法的例子說明其一例，沒有特別的限定。準備單面貼覆銅箔之積層體，藉由以印刷法在銅箔上形成蝕刻阻劑後，進行蝕刻，在絕緣基板的一面形成具有配線及LED搭載用的端子的導電圖案，從而得到基材。接著，在依上述所形成的基材的導電圖案上，連接LED光源(例如，發光部高度100μm、縱橫長度皆為300μm的長方體形狀的藍色LED光源等)。
接著，在利用前述的方法得到的積層體，在前述LED光源所連接的基材的與LED光源的位置相對應的位置形成所要大小的貫通孔。形成貫通孔的方法能夠使用如下的公知手法：使用鑽孔、雷射的方法；使用湯姆森刀刃、加壓模具、壓印輥的打孔等，從生產性的觀點來看，可較佳地使用打孔的方法。藉由使用從積層體的支撐體側打孔的方法形成貫通孔，在貫通孔周圍1.0mm區域內形成在黏著層側突出的隆起部。此時，藉由控制打孔模的公模與母模之間的餘隙(clearance)，能夠控制在黏著層側突出的隆起部的高度。若使打孔模的公模與母模之間的餘隙變小，則呈現出在黏著層側突出的隆起部的高度變小的傾向。打孔模的公模與母模之間的餘隙為10μm以上75μm以下，更佳為20μm以上50μm以下。之後，將積層體切出與和LED光源連接的基材同樣的尺寸，從積層體除去剝離層，接著以將LED光源和貫通孔的位置合在一起且黏著層面向基材的方式進行配置並將黏著層和基材固定，然後從積層體剝離支撐層，從而能夠得到本發明的LED基板。 [實施例]
以下，藉由實施例詳述本發明。又，各特性值係用以下的方法進行測定。
(1)LED光源的高度(H1)、反射層的高度(H2)、LED光源的從反射層起算的突出部高度(P)、反射層高度和LED光源高度的比(H2/H1) 以電子顯微鏡(S-2100A型，日立製作所(股)製)，以適當的倍率(以100倍～5000倍為基準)從側面，即垂直剖面方向觀察LED基板，測量LED光源的前端與基材表面的距離，作為LED光源的高度(H1)。利用同樣的方法測量反射層表面與基材表面的距離，作為反射層的高度(H2)。利用同樣的方法測量LED光源的前端與反射層表面的距離，作為突出部高度(P)。在很難從側面觀察的情況下，藉由鑽石刀，將整體LED基板以不變形的方式相對於反射層表面垂直地切斷後，將剖面使用離子銑磨(ion milling)裝置進行修整切斷(finish cutting)後以電子顯微鏡觀察。此外，LED光源的高度(H1)和反射層的高度(H2)的比(H2/H1)係將H2除以H1來算出。
(2)貫通孔的面積(Sh)、LED光源的面積(Sl)、LED光源面積和貫通孔面積(Sh)的比(Sl/Sh)、貫通孔的長徑 以電子顯微鏡(LEICA DMLM LEICA Micro Systems(股)製)，以倍率100倍從基材的面正上方觀察LED基板，算出反射層的貫通孔的面積(Sh)。利用同樣的方法算出LED光源的面積(Sl)。此外，LED光源的面積(Sl)和貫通孔面積的比(Sl/Sh)係將Sl除以Sh來算出。貫通孔的長徑係從面正上方觀察穴的形狀，通過重心的直線和穴緣的2個交點當中，求出最遠的2點間的距離作為長徑。(在穴為正圓的情況下，成為長徑=直徑。)又，在基板有複數個貫通孔、LED光源的情況下，係針對全部的貫通孔求出各自的面積、長徑後，採用其平均值。但是，沒有在貫通孔中設置LED光源的貫通孔係剔除在貫通孔面積的平均值的計算之外。
(3)開口率 在積層體為切片(cut sheet)形狀的情況下，求出全部的穴的面積和後，以內含全部的穴的最小矩形的面積為分母，計算開口率(%)。由於積層體為卷狀、穴的個數多，因此測量全部的穴在現實上是困難的，且在開口部的配置具有重複圖案的情況下，係以重複單元為基礎來計算開口率。
(4)貫通孔周圍1.0mm區域內的隆起部的高度(h)、黏著層的厚度(t)、黏著層厚度和貫通孔周圍1.0mm區域內的隆起部的高度的比(t/h) 使用圖2進行說明。藉由鑽石刀，將積層體或LED基板以不變形的方式垂直地切斷而製作垂直剖面後，將剖面使用離子銑磨裝置進行修整切斷，以電子顯微鏡觀察剖面。將剖面影像存入影像解析軟體，選擇位於離從面正上方觀看反射層時的貫通孔的重心點1.1mm以上的至少彼此相距2.0mm以上的位置的反射層表面3點，決定反射層表面底線7。接著，以從面正上方觀看反射層時的貫通孔的重心點為起點，將在半徑1.0mm的同心圓內所含的區域設為貫通孔周圍1.0mm區域8，求出在貫通孔周圍1.0mm區域內、以前述底線為基準的在黏著層側突出的反射層的隆起部最大點10的高度。針對100個貫通孔進行同樣的計算，將100個最大高度加以平均者設為貫通孔周圍1.0mm區域內的隆起部的高度(h)11。此外，算出與在貫通孔周圍1.0mm區域內有隆起的側的反射層的表面相接的黏著層的厚度，設為黏著層厚度(t)12。黏著層厚度和貫通孔周圍1.0mm區域內的隆起部的高度的比(t/h)，係將t除以h來算出。
(5)表面粗糙度(SRa) 使反射層的反射面(與基材為相反側的表面)成為露出的狀態後，使用Keyence公司製的形狀解析雷射顯微鏡VK-X1000(頭部VK-X1100)，從正上方觀察反射層的表面的三維形狀，求出三維表面粗糙度SRa。測定範圍係在反射層的表面中避開貫通孔，設為150μm見方的範圍。高度方向的測定解析度設為0.5nm，面方向的顯示解析度設為1nm，刷新率(refresh rate)設為125Hz。又，測定係改變樣品內的測定位置地進行5次，以所得到的SRa值的平均值設為最終的該樣品的SRa值。
(6)相對亮度 使在後述的實施例作成的LED基板發光，從離該LED基板90cm正上方的地點，以CCD照相機(SONY製的DXC-390)拍攝，以影像解析裝置(Konica Minolta製的CA-2000)攝取20mm×20mm範圍的影像，將其亮度位準(level)控制成3萬階(step)地進行自動檢測，算出亮度。又，作成僅去除了反射層的LED基板，同樣地操作以測定亮度。將具有反射層的LED基板的亮度除以沒有反射層的LED基板的亮度，作為相對亮度。針對分別離中心位置30mm以上的LED基板的任意5個地方實施同樣的測定，將所得到的5個相對亮度的值的平均值設為該樣品的相對亮度，用下述的基準評價所得到的相對亮度。 A：130%以上 B：120%以上小於130% C：100%以上小於120% D：小於100%。
(7)亮度不均 針對在(6)的相對亮度的測定中在任意5個地方測定的5個相對亮度的值，以下述式算出亮度不均(%)。 亮度不均(%)=｛(5個相對亮度的值當中的最大值)-(5個相對亮度的值當中的最小值)/(5個相對亮度的值的平均值｝×100 針對亮度不均及樣品的狀態，用以下的基準進行評價。 A：亮度不均小於2.0% B：亮度不均為2.0%以上小於5.0% C：亮度不均為5.0%以上小於10.0% D：亮度不均為10.0%以上。
(8)加工性 在進行利用層疊機，以線壓5kgf/cm將在後述的實施例形成有貫通孔的積層體和搭載有LED光源的基板固定後，剝離支撐層，作成LED基板的加工之際，用下述基準評價加工性。 A：能夠沒有問題地加工。 B：有稍微的位置偏離、緊貼不均，但使用上沒有問題。 C：在剝離支撐層之際基板和反射層剝離，或者反射層變形。
(9)平均空洞含有率 使用離子銑磨裝置(日立公司製的IM4000)，在利用液態氮的冷卻下一邊抑制薄膜的變形、損傷一邊相對於薄膜面垂直地切斷而製作測定試料。切削方向，係一邊相對於薄膜面每隔5°地在右方向上進行面內旋轉，一邊在各旋轉角度上製作垂直剖面，直到合計的旋轉角度達到90°為止，製作總計19個垂直剖面的試料。在製作的剖面蒸鍍鉑-鈀後，使用形狀解析雷射顯微鏡(Keyence公司製的VK-X1000，頭部為VK-X1100)，從正上方觀察薄膜剖面，將剖面形狀進行映射(mapping)測量。測定條件係設為顯示解析度成為最高的條件。又，在薄膜包含複數個層的情況下，係針對厚度最大的層進行觀察，以試料剖面當中被映射觀察的對象區域範圍成為合計10000～22500μm2 的方式進行觀察。所得到的剖面解析資料當中，將高度最高的點定義為切斷面，將切斷面的高度設為基準高度，高度-50～0nm的部分設為白區域(明亮度100)，小於高度-50nm的部分設為黑區域(明亮度0)，進行觀察資料的2值化。使用解析軟體(裝置附屬的軟體)分別算出白區域的面積Sw及黑區域的面積Sb，基於下述式求出空洞含有率V。 V=Sb/(Sw+Sb)×100…(式)。
針對製作的全部19個垂直剖面求出空洞含有率V，將其平均值設為平均空洞含有率。
[使用原料] (1)聚酯樹脂(a) 由對苯二甲酸及乙二醇，以三氧化銻為觸媒，利用常用方法進行聚合，得到聚對苯二甲酸乙二酯(PET)。所得到的PET的玻璃轉移溫度為77℃，熔點為255℃，固有黏度為0.63dl/g，結晶熔解熱量為35J/g，末端羧基濃度為40當量/t。
(2)熱塑性樹脂(b) 使用市售的環狀烯烴樹脂「TOPAS 6017」(日本Polyplastic股份有限公司)。
(3)二氧化鈦母料(master)(c) 相對於二氧化鈦粒子(數量平均粒徑0.25μm，金紅石型)50質量份，添加矽烷偶合劑「11-100Additive」(Toray Dow‧Corning公司製)0.25質量份，利用常用方法進行表面處理後，與聚酯樹脂(a)50質量份以二軸擠出機進行混練，得到二氧化鈦母顆粒(c)。
(4)凝集氧化矽母料(d) 將粒子濃度10質量份的凝集氧化矽粒子(數量平均粒徑4.0μm)和聚酯樹脂(a)90質量份以二軸擠出機進行混練，得到氧化矽母料(d)。
(實施例1) [剝離層] 使用附有矽酮脫模劑的厚度38μm的聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(Lintec股份有限公司製的PET38X)。
[反射層：聚酯薄膜] 在以180℃的溫度將表2所示的組成的原料進行真空乾燥6小時後，將芯層(Y)的原料供給至主擠出機，在280℃的溫度下熔融擠出後，利用30μm截止過濾器(cut filter)進行過濾。此外，將表層(X)的原料供給至副擠出機，在290℃的溫度下熔融擠出後，利用30μm截止過濾器進行過濾。然後，在T模複合擠出嘴內，使這些熔融聚合物以表層被積層在芯層的兩表層(X/Y/X)的方式合流。然後，將合流的熔融聚合物擠出成薄片狀，作成熔融薄片，用靜電施加法使該熔融薄片緊貼在保持為表面溫度25℃的鼓輪上並使其冷卻固化而作成未拉伸薄膜。然後，用已加熱為80℃的溫度的輥群將該未拉伸薄膜進行預熱後，一邊用紅外線加熱器從兩面照射，一邊以表2的倍率進行縱向拉伸(在薄膜長邊方向上拉伸)，用25℃的溫度的輥群進行冷卻而作成一軸拉伸薄膜。然後，一邊用夾具夾持一軸拉伸薄膜的兩端一邊引導至拉幅機內的90℃的預熱區，在95℃下以表2的倍率進行橫向拉伸(在薄膜寬度方向上拉伸)。然後，在拉幅機內的熱處理區施加表2的溫度的熱處理，接著，均勻地慢慢冷卻後，捲取至輥，得到表2記載的厚度的二軸配向聚酯薄膜(反射層)。
[黏著層：矽酮樹脂] 以乾燥後的黏著層的厚度成為表1-1記載的厚度的方式，在成為反射層的薄膜，塗布矽酮樹脂系黏著劑(SH4280PSA，Toray‧Dow Corning股份有限公司製)100質量份、過氧化苯甲醯觸媒(NYPER(R) BMT-K40，日油股份有限公司製)0.15質量份、及甲苯50質量份的混合物，在70℃下進行加熱硬化3分鐘，及在180℃下進行加熱硬化5分鐘。
[支撐層] 以乾燥後的厚度成為3μm的方式，將每100份的丙烯酸系共聚物(綜研化學股份有限公司製的SK Dyne 1499M，固體成分濃度30質量%)加入了異氰酸酯系交聯劑(日本Polyurethane股份有限公司製的Coronate L，固體成分濃度75質量%)5.4份、綠色顏料(大日精化(股)製的NAF1063 Green)5份的溶液，塗敷在聚對苯二甲酸乙二酯薄膜(Toray(股)製的Lumirror(R)T60)後，在約80℃下乾燥1分鐘，進一步在40℃下進行熟成72小時，作成支撐層。聚對苯二甲酸乙二酯薄膜係使用150μm者。
[積層體] 將剝離層、黏著層、反射層、支撐層依此順序進行層疊，得到不具有貫通孔的積層體。
[搭載有LED光源的基材] 將表1-2記載的尺寸的藍色LED光源以表1-1記載的節距(pitch)並聯地配置在長邊(橫向)140mm、短邊(縱向)76.4mm的樹脂基材上，準備搭載有LED光源的基材。又，節距係縱橫都相同，LED係以不留白地鋪滿面內的形式設置。所謂的節距，在設計圖面中係表示均等間隔地配置物體之際的配置間隔的字彙，在本發明中係表示在從基材的面正上方觀看的情況下，各LED光源的中心位置彼此間的間隔。
[LED基板] 對以前述方法得到的積層體施加如下的加工：以公模與母模之間的餘隙為55μm的模具加壓，開設出每一個貫通孔面積、貫通孔長徑成為如表1-1及表1-2的記載的圓形貫通孔。孔的位置，係以在從面正上方觀察前述的LED搭載基材的情況下，各個LED光源的中心、和各個孔的中心一致的方式加以調整。
接著，從前述積層體除去剝離層，以各個LED進入貫通孔的地方的方式設置在前述的LED搭載基材上，使用層疊機，施加線壓5kgf/cm加以固定後，剝離支撐層。接著，以與藍色LED的間隙成為5mm的方式將丙烯酸擴散板擺放在其上，將稜鏡片配置在其上，在溫度25℃、相對濕度65%的條件下靜置1小時，製作LED基板。
(實施例2～9、比較例1～4) 除了設為如表1-1及表1-2記載的條件外，與實施例1同樣地操作而製作LED基板。
又，在比較例3中，由於發生嚴重的貼合加工時的位置偏離，因此無法製作LED基板。此外，在比較例4中，在剝離支撐層之際反射層變形，無法製作LED基板。
(實施例10) 除了使用公模與母模之間的餘隙為40μm的模具加壓來實施穿孔加工外，與實施例3同樣地操作而製作LED基板。
(實施例11) [反射層7：聚酯薄膜] 得到表2記載的反射層2後，以乾燥後的厚度成為3μm的方式塗布下述組成的塗劑，塗布後，在120℃的溫度下乾燥2分鐘，從而得到具有表1-2記載的表面粗糙度的聚酯薄膜(反射層7)。 黏合劑(binder)；HALSHYBRID(註冊商標)UV-G720T(固體成分40質量%，日本觸媒(股)製)：10質量份、硬化劑；Duranate24A-100(旭化成Chemicals(股)製)：0.4質量份、珠；”Orgasol”(註冊商標)1002 UD NAT 1(多孔質尼龍6樹脂粒子，Arkema(股)製，平均粒徑5μm)：4.6質量份、溶劑；乙酸乙酯：12質量份。
除了使用反射層7作為反射層外，與實施例2同樣地操作而製作LED基板。
(實施例12) 除了使用下述的聚酯薄膜(反射層8)作為反射層外，與實施例2同樣地操作而製作LED基板。 [反射層8：聚酯薄膜] 在以180℃的溫度將包含聚酯樹脂(a)60質量%、熱塑性樹脂(b)20質量%、二氧化鈦母料(c)20質量%的原料進行真空乾燥6小時後，供給至主擠出機，在280℃的溫度下熔融擠出後，利用30μm截止過濾器進行過濾。然後，將熔融聚合物從T模擠出成薄片狀作成熔融薄片，用靜電施加法使該熔融薄片緊貼在保持為表面溫度25℃的鼓輪上並使其冷卻固化而作成未拉伸薄膜。然後，用已加熱為80℃的溫度的輥群將該未拉伸薄膜進行預熱後，一邊用紅外線加熱器從兩面照射，一邊以表2的倍率進行縱向拉伸(在薄膜長邊方向上拉伸)，用25℃的溫度的輥群進行冷卻而作成一軸拉伸薄膜。然後，一邊用夾具夾持一軸拉伸薄膜的兩端一邊引導至拉幅機內的90℃的預熱區，在95℃下以表2的倍率進行橫向拉伸(在薄膜寬度方向上拉伸)。然後，在拉幅機內的熱處理區施加表2的溫度的熱處理，接著，均勻地慢慢冷卻後，捲取至輥，得到表2記載的厚度的二軸配向聚酯薄膜(反射層8)。
(實施例13、比較例5) [搭載有LED光源的基材] 將表1-2記載的尺寸的藍色LED光源以表1-1記載的節距並聯地配置在長邊(橫向)140mm、短邊(縱向)76.4mm的樹脂基材上，準備搭載有LED光源的基材。又，節距係縱橫都相同，LED係以不留白地鋪滿面內的形式設置。
[反射層] 接著，使用網版印刷法，以前述LED光源的從反射層起算的突出部高度(P)、LED光源的高度(H1)和前述反射層的高度(H2)的比(H2/H1)等成為如表1-2的記載的方式，將熱硬化型的白色防焊阻劑(Solder resist)的S500(LEW51)(太陽Ink製造股份有限公司製)塗布在基材的表面作為反射層並重複進行熱處理(150℃，30分鐘)。又，反射層係避開LED光源的部分開孔地進行印刷，孔的尺寸係每一個LED光源設為0.4mm2 ，以在從面正上方觀察基材的情況下，孔的中心和LED光源的中心重疊的方式操作。
[黏著層] 以乾燥後的黏著層的厚度成為表1-1記載的厚度的方式，在設置在搭載有LED光源的基材的表面的反射層的表面，塗布矽酮樹脂系黏著劑(SH4280PSA，Toray‧Dow Corning股份有限公司製)100質量份、過氧化苯甲醯觸媒(NYPER(R) BMT-K40，日油股份有限公司製)0.15質量份、及甲苯50質量份的混合物，在70℃下進行加熱硬化3分鐘，及在180℃下進行加熱硬化5分鐘，設置黏著層。塗布係使用網版印刷法，避開LED光源的部分，進行開孔、印刷，孔的尺寸係每一個設為0.4mm2 ，以在從基材的面正上方觀看的情況下，位置和反射層的孔重疊的方式操作。
[LED基板] 接著，以與藍色LED的間隙成為5mm的方式，將丙烯酸擴散板擺放在其上，將稜鏡片配置在其上，在溫度25℃、相對濕度65%的條件下靜置1小時，製作LED基板。
(比較例6) 除了將剝離層、黏著層、反射層依此順序進行層疊，而使用不具有支撐層的積層體外，欲與實施例2同樣地操作而製作LED基板，但積層體無法充分緊貼於基材，無法製作LED基板。
(比較例7) 除了使用公模與母模之間的餘隙為80μm的模具加壓來實施穿孔加工外，欲與實施例2同樣地操作而製作LED基板，但積層體無法充分緊貼於基材，無法製作LED基板。
[表1-1]
　 積層體
貫通孔周圍 1.0mm區域內的 隆起部的高度 h(μm) 黏著層 厚度 t(μm) t/h 貫通孔 長徑 (mm) 節距 (mm) 開口率 (%) 加工性
實施例1 10 5 0.50 0.71 2.5 6.4 A
實施例2 10 5 0.50 0.71 2.5 6.4 A
實施例3 11 5 0.45 0.71 2.5 6.4 B
實施例4 15 5 0.33 0.71 2.5 6.4 B
實施例5 10 5 0.50 0.94 2.5 11.2 A
實施例6 10 5 0.50 0.94 2.5 11.2 B
實施例7 10 5 0.50 0.94 1.1 57.8 B
實施例8 10 5 0.50 0.80 1.1 41.3 B
實施例9 10 5 0.50 0.62 9.0 0.4 B
實施例10 7 5 0.71 0.71 2.5 6.4 A
實施例11 10 5 0.50 0.71 2.5 6.4 A
實施例12 10 5 0.50 0.71 2.5 6.4 A
實施例13 10 5 0.50 0.71 2.5 6.4 –
比較例1 12 5 0.42 0.71 2.5 6.4 A
比較例2 10 5 0.50 0.71 2.5 6.4 A
比較例3 13 30 2.31 0.71 2.5 6.4 C
比較例4 10 5 0.50 1.13 1.1 82.6 C
比較例5 0.5 5 10 0.71 2.5 6.4 –
比較例6 10 5 0.50 0.71 2.5 6.4 C
比較例7 30 5 0.17 0.71 2.5 6.4 C
[表1-2]
　 LED基板
LED光源 的高度H1(μm） 反射層 反射層 的高度 H2 (μm) 反射層的 平均空洞 含有率 (%) LED光源 的突出部 高度P (μm） 反射層高度/ LED光源 高度比 H2/H1 LED 光源面積 (mm2 ) Sl 貫通孔 面積 (mm2 ) Sh LED光源面積/ 貫通孔比 Sl/Sh 反射層的 與基材層相 反的面的 表面粗糙度 SRa(nm) 亮度 亮度 不均
實施例1 100 反射層1 50 50 50 0.50 0.3 0.4 0.75 320 A A
實施例2 100 反射層2 65 50 35 0.65 0.3 0.4 0.75 350 B A
實施例3 100 反射層3 80 50 20 0.80 0.3 0.4 0.75 380 C A
實施例4 180 反射層4 150 50 30 0.83 0.3 0.4 0.75 385 C B
實施例5 100 反射層1 50 50 50 0.50 0.3 0.7 0.43 320 B C
實施例6 100 反射層1 50 50 50 0.50 0.6 0.7 0.86 320 A A
實施例7 100 反射層1 50 50 50 0.50 0.6 0.7 0.86 320 B C
實施例8 100 反射層1 50 50 50 0.50 0.3 0.5 0.60 320 B B
實施例9 100 反射層2 65 50 35 0.65 0.2 0.3 0.67 350 C C
實施例10 100 反射層3 80 50 20 0.80 0.3 0.4 0.75 380 B A
實施例11 100 反射層7 68 50 32 0.68 0.3 0.4 0.75 1600 A A
實施例12 100 反射層8 65 50 35 0.65 0.3 0.4 0.75 550 A A
實施例13 100 只有阻劑 50 3 50 0.50 0.3 0.4 0.75 100 C C
比較例1 100 反射層5 100 50 0 1.00 0.3 0.4 0.75 380 D B
比較例2 100 反射層6 50 0 50 0.50 0.3 0.4 0.75 30 D D
比較例3 – – – – – – – – – – – –
比較例4 – – – – – – – – – – – –
比較例5 250 只有阻劑 10 3 240 0.04 0.3 0.4 0.75 100 D B
比較例6 – – – – – – – – – – – –
比較例7 – – – – – – – – – – – –
[表2]
  芯層(Y) 表層(X) 製膜條件 厚度
樹脂 含量 樹脂 含量 樹脂 含量 樹脂 含量 樹脂 含量 縱向拉 伸倍率 橫向拉 伸倍率 熱處理
(重量%) (重量%) (重量%) (重量%) (重量%) 倍 倍 ℃ μm
反射層1 (a) 60 (b) 20 (c) 20 (a) 50 (d) 50 3.3 3.3 200 50
反射層2 (a) 60 (b) 20 (c) 20 (a) 50 (d) 50 3.3 3.3 200 65
反射層3 (a) 60 (b) 20 (c) 20 (a) 50 (d) 50 3.3 3.3 200 80
反射層4 (a) 60 (b) 20 (c) 20 (a) 50 (d) 50 3.3 3.3 200 150
反射層5 (a) 60 (b) 20 (c) 20 (a) 50 (d) 50 3.3 3.3 200 100
反射層6 (a) 100 (b) 0 (c) 0 (a) 50 (d) 50 3.3 3.3 200 50
反射層7 (a) 60 (b) 20 (c) 20 (a) 50 (d) 50 3.3 3.3 200 68
反射層8 (a) 60 (b) 20 (c) 20 - - - - 3.3 3.3 200 65
[產業上利用之可能性]
若根據本發明的話，便能夠提供適合用於迷你LED方式的背光的LED基板。
1:LED基板 2:基材 3:反射層 4:黏著層 5:LED光源 6:突出部高度(P) 7:底線 8:貫通部周圍1.0mm區域 9:隆起部 10:隆起部最大點 11:隆起部高度(h) 12:黏著層厚度(t) 13:剝離層 14:貫通孔
圖1係顯示本發明的LED基板的一例的示意剖面圖。 圖2係顯示本發明的積層體的一例的示意剖面圖，表示反射層的隆起部的隆起高度(h)和黏著層厚度(t)的示意剖面圖。
無。

Claims (9)

  1. 一種LED基板，其係在基材的至少單面具有LED光源及反射層的LED基板，該反射層係包含白色顏料而成，且該LED光源的從反射層起算的突出部高度(P)為20μm以上200μm以下。
  2. 如請求項1的LED基板，其中該反射層係以聚酯樹脂為主要成分，相對於該反射層的層面，垂直方向的剖面中的平均空洞(void)含有率為10%以上70%以下。
  3. 如請求項1或2的LED基板，其中該LED光源的高度(H1)和該反射層的高度(H2)的比(H2/H1)為0.1以上0.8以下。
  4. 如請求項1至3中任一項的LED基板，其中該反射層具有1個以上的貫通孔，該LED光源係通過反射層所具有的貫通孔配置，從該基材的面正上方觀察之際的LED光源的面積(Sl)和貫通孔的面積(Sh)的比率(Sl/Sh)為0.25以上小於1.00。
  5. 如請求項1至4中任一項的LED基板，其中該反射層的與該基材為相反側的表面的三維表面粗糙度SRa為300nm以上小於2000nm。
  6. 如請求項1至5中任一項的LED基板，其中該LED光源為藍色LED光源。
  7. 一種積層體，其係至少鄰接地具有反射層和黏著層的積層體，該反射層具有1個以上的貫通孔、和在貫通孔周圍1.0mm區域內且在黏著層側突出的隆起部，該隆起部的高度(h)和黏著層厚度(t)的比(t/h)為0.20以上小於2.00。
  8. 一種積層體，其係至少依序具有剝離層、黏著層、反射層、及支撐層的積層體，具有貫通全部的層的長徑為0.2mm以上5.0mm以下的2個以上的貫通孔，貫通孔在積層體中所佔的比例(開口率)為0.1%以上60%以下。
  9. 一種LED基板之製造方法，其係包含：步驟A，係至少依序具有剝離層、黏著層、反射層、及支撐層的積層體具有貫通全部的層的貫通孔，從該積層體除去該剝離層；步驟B，係在該步驟A之後，將該黏著層和基板固定；及步驟C，係在該步驟B之後，從該反射層剝離該支撐層。
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