JPH1041423A - 半導体パッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高価なメッキ処理工程を省略でき、又はメッ
キ処理工程とばり除去工程とを合理化して、低コスト
で、中空型パッケージを成形することのできる半導体パ
ッケージの製造方法を提供すること。 【解決手段】 基材Ｓの表面に金でなる第１金属層Ｇを
形成し、第１金属層Ｇの外側表面にアルミニウムでなる
第２金属層Ｌを形成したクラッド材Ｃを、リードフレー
ムＦに成型し、このリードフレームＦに樹脂でなる凹型
のパッケージ１２を一体成形する。更に、このリードフ
レームＦにパッケージ１２が一体成形された全体１０’
をアルカリ溶液に漬け、パッケージ１２から露出してい
る第２金属層Ｌのみを除去し、水圧によって樹脂ばりｂ
を除去して、第１の金属層Ｇを露出させる。その後、パ
ッケージ１２の上方に蓋１１を設けて、中空型パッケー
ジとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
の製造方法に関し、特に凹型のパッケージを形成した
後、蓋を用いて中空型のパッケージとする半導体パッケ
ージの製造方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩ等の半導体
装置のパッケージは、セラミックや金属で形成されるも
のよりも、低コスト化のために、プラスチックでモール
ド成形される（樹脂モールドによる）ものが主流になっ
てきている。しかしながら、プラスチックでパッケージ
を形成した場合には、半導体素子やリードフレームに比
べてパッケージの熱膨張係数が大きいので、内部にスト
レスが生じる。現在、半導体の大型化、配線の微細化に
伴って、パッケージは小型化・薄肉化されてきており、
そのため、内部ストレスによってパッケージにクラック
が生じるという応力の問題がある。更に、ＣＣＤ等など
の固体撮像素子のように、光を信号として取り入れるよ
うな半導体装置のパッケージとしてプラスチックを用い
ると、モールド成形時に、プラスチック（樹脂）の中に
気泡（ポイド）ができたり、異物が混入したり、成形ジ
マや表面にきずができて、透明性を落として、光信号を
確実に取り入れることができないなどの問題がある。

【０００３】そこで、図１４に示されるように、インナ
リード４ａとアウタリード４ｂとを一体成形したリード
部４を中心にして、上下に全体として凹型の断面を有す
るパッケージ２をプラスチックで形成し、このパッケー
ジ２のキャビティ２ａ内に半導体チップ３をマウント
し、更にキャビティ２ａの上方を、透明ガラス６で接着
剤５を用いてシールした中空型パッケージを有する半導
体装置１が製造されている。従来、この半導体装置１
は、以下のようにして製造される。

【０００４】まず、図９に示されるようなリードフレー
ムＦ’を、例えば４２アロイなどの剛性のある金属材の
板を金型で打ち抜き、成形する。又、エッチング加工に
よりリードフレームＦを加工する事も出来る。このリー
ドフレームＦ’は、１４個のリード部４’及び吊りピン
Ｐ’で支持されたダイパッド部Ｄ’を有しているが、こ
のうち半導体チップをマウントするダイパッド部Ｄ’
を、図１０に示されるように、周囲のリード部４’より
一段低く凹ませる。次に、モールド成形により、図１１
に示されるように、このリードフレームＦ’を中心とし
て上下にプラスチックのパッケージ２を形成するが、パ
ッケージ２のリードフレームＦ’より上方に形成される
上部２ｂは、図９の２点鎖線で囲まれる部分Ｒに形成さ
れている。なお、図１１及び図１２において、上部２ｂ
より内方にあるリード部４’がインナリード４ａ’であ
り、パッケージ２より外方に突出したリード部４’がア
ウタリード４ｂ’である。

【０００５】このとき、すなわち樹脂によってモールド
成形すると、図１１に示されるように、ダイパッド部
Ｄ’やインナリード４ａ’などには、樹脂ばりｂ’が発
生する。そのため、この樹脂ばりｂ’を、例えば液体ホ
ーニング法（水の中に研磨粒子を入れて樹脂を削り取る
方法）等で除去し、図１２で示されるようにリードフレ
ームＦ’を形成している金属の表面４ａａ’を露出させ
る。その後、図１３で示されるようにボンディングのた
めに、インナリード４ａ’（及びダイパッド部Ｄ’）
に、ＡｕやＡｇなどのメッキＭを施してインナリード４
ａとする。またアウタリード４ｂ’も、ハンダ付けのた
めに、ＡｕやＡｇなどのメッキＭ’を施してアウタリー
ド４ｂとする。その後、半導体チップ３をダイパッド部
Ｄ’に装着し、Ａｕ線Ｗ’などでワイヤボンディング
し、更にパッケージ２のキャビティ２ａの上方を透明ガ
ラス６で接着剤５によって密閉し、その後、実装用のリ
ード加工（リードフレームの不要部分を切断し、アウタ
リードの足曲げ）を行なって完成させる。又アウタリー
ド足曲げ後ダイボンド、ワイヤボンド、ガラスシール等
の組立工程を実施する場合もある。

【０００６】上記従来の製造方法では、リードフレーム
Ｆ’に凹型のパッケージ２を一体形成する際には、イン
ナリード４ａ’の上やダイパッド部Ｄ’の上などに樹脂
ばりｂ’が発生し、この樹脂ばりｂ’を除去するという
工程が必要である。また、パッケージ２の形成時にリー
ド部４ａ’の押さえが不十分である場合には、すなわち
樹脂モールド用の金型にリード部４ａ’を固定させて樹
脂を成形する際に、リード部４ａ’の固定がしっかりと
なされていない場合には、厚ばりが発生してしまい、こ
の時には、樹脂ばりｂ’の除去に、大変な時間と手間を
必要としていた。

【０００７】一方、特開平１−１６１８７６号公報に
は、キャビティ内にチップを設け、透明材の蓋で封止し
た中空型パッケージでなる固体撮像装置が示されている
が、この固体撮像装置のインナリードの表面には、イン
ナリードとボンディングパッドとのボンダビリティ（ｂ
ｏｎｄａｂｉｌｉｔｙ）を向上させるために、アルミニ
ウム（Ａｌ）でなるクラッド層が形成されている。この
クラッド層は、ダイパッドの表面及び（半導体装置の完
成後の位置決め用の）位置決め部の表面にも形成されて
おり、このうち位置決め部はパッケージ形成後も露出す
るので、通常、ソルダビリティ（ｓｏｌｄａｂｉｌｉｔ
ｙ）の向上のためにパッケージ形成後にアウタリード部
をメッキ処理する際には、この位置決め部にもメッキが
施される。クラッド層上にメッキが形成されると、メッ
キが剥れ易く製造工程中において異物となり、固体撮像
装置の特性が劣化するので、この特開平１−１６１８７
６号公報では、メッキ処理する前に位置決め部に耐メッ
キコート材を施して、位置決め部にメッキが形成されな
いようにしている。

【０００８】また、特開平３−９４４６６号公報には、
インナリードが形成される部分にのみ帯状にクラッド層
を形成し、位置決め部にはクラッド層を形成しないこと
によって、位置決め部がメッキ処理されても、メッキが
剥れて異物となり固体撮像装置の特性が劣化することを
防止している。

【０００９】上記特開平１−１６１８７６号公報、特開
平３−９４４６６号公報及び上記従来例では、インナリ
ード及びアウタリードにメッキが施されているが、この
メッキを施す際には、リードフレームにパッケージが成
形された全体をメッキ液に漬けている。そのため、メッ
キ液やパッケージが汚れてしまい、メッキ液に漬けた後
にパッケージを洗浄する必要がある。また、メッキを施
さなくてもよい部分（上記特開平３−９４４６６号公報
では位置決め部）にもメッキが施され、高価なメッキ液
の損失が大きい。そのため、生産コストが高くなってい
た。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
に鑑みてなされ、高価なメッキ液を不要とし、更に、ば
り取り及びメッキ処理の製造工程の合理化を行って、低
コストの中空型パッケージを形成することができる半導
体パッケージの製造工程を提供することを課題とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】以上の課題は、金属材を
リードフレームに成型し、該リードフレームに凹型のパ
ッケージを一体成形し、蓋を用いて前記凹型のパッケー
ジを中空型パッケージとした半導体パッケージの製造方
法において、前記金属材が、基材の両表面に第１の金属
層が形成され、該第１の金属層の外側表面に第２の金属
層が形成されたクラッド材であり、該金属材を前記リー
ドフレームに成型し、該リードフレームに前記凹型のパ
ッケージを一体成形した後、前記第２の金属層のみを除
去して、前記第１の金属層を露出させて、前記蓋を用い
て前記凹型のパッケージを中空型パッケージとしたこと
を特徴とする半導体パッケージの製造方法、によって解
決される。

【００１２】すなわち、リードフレームを形成している
クラッド材の表面に形成されている第２の金属層を溶か
し、樹脂ばりを除去した際には、ボンディング仕易い金
属でなる第１の金属層が露出するので、リードフレーム
に凹型のパッケージを一体形成した後に、高価なメッキ
液を用いてメッキを施す必要がない。すなわち、高価な
メッキ液を必要としないので、低コストで半導体パッケ
ージを製造することができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】基材の両表面に第１の金属層を形
成し、その第１の金属層の外方表面に第２の金属層を形
成したクラッド材でなるリードフレームに、凹型のパッ
ケージを一体成形した後、前記第２の金属層のみを除去
して、前記第１の金属層を露出させ、蓋を用いて凹型の
パッケージを中空型パッケージとするので、リードフレ
ームにパッケージを一体成形した後に、メッキ液を用い
てメッキを施す必要がない。すなわち、メッキ液により
パッケージが汚れることはなく、また高価なメッキ液を
用いる必要がないので、低コストで半導体パッケージを
製造することができる。

【００１４】また、樹脂モールドにより、凹型のパッケ
ージをリードフレームに一体形成させる際には、すなわ
ちパッケージを低コストのプラスチックで成形する場合
には、第２の金属層のみを除去して、第１の金属層を露
出させることで、同時に、第２の金属層の上に形成され
る樹脂ばりを除去することができる。すなわち、更なる
低コスト化のために樹脂モールドによりパッケージを形
成させる場合には、従来のばり除去工程とメッキ処理工
程とを同一の工程にすることができる（製造工程数が減
る）ので、これに要する時間と手間が、従来より少なく
なる。

【００１５】また、ダイボンディングやワイヤボンディ
ングなどの組立工程中の最高温度以下で、第１の金属層
と合金化しないような第２の金属層を用いれば、第２の
金属層のみを除去し、同時に第１の金属層を露出させる
ことが、容易にできる。

【００１６】更に、リードフレームに凹型のパッケージ
を一体形成した後に、安価な（所定の）溶液に漬けて、
この溶液に第２の金属を溶かして、第２の金属のみを除
去した後、水圧を用いて第１の金属層を露出させるよう
にすれば、第１の金属層が削り取られることなく、すな
わち第１の金属がダメージを受けることなく、第１の金
属の表面が確実に露出する。また、同時にパッケージの
水洗い（洗浄）も行える。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の実施例について図面を参照し
て説明する。

【００１８】図１には、本実施例の半導体パッケージの
製造方法で製造されたＤＩＰ（Ｄｕａｌ Ｉｎｌｉｎｅ
Ｐａｃｋａｇｅ）型の半導体装置１０の正面断面図が
示されている。図１において、半導体装置１０は、主と
して、例えば透明ガラスなどでなる蓋１１と、凹型のパ
ッケージ１２と、半導体チップ１３と、複数のリード部
１４とから構成されている。リード部１４は、パッケー
ジ１２のキャビティ１２ａ内に突出するインナリード１
４ａと、パッケージ１２より外方に突出するアウタリー
ド１４ｂとが一体形成されており、これらは、例えば、
４２アロイ（ニッケル：４２％、鉄：５８％重量比の合
金）やコバール（鉄、ニッケル、コバルトの合金）など
の剛性のある基材Ｓに、金（Ａｕ）でなる第１金属層Ｇ
が被覆されている。このリード部１４を中心として、こ
の上下に、全体として断面形状がほぼ凹型のパッケージ
１２が形成されているのであるが、これは例えばエポキ
シ樹脂などの熱硬化性の樹脂でなる。また蓋１１は、こ
のパッケージ１２の上方に、接着材２０によって装着さ
れている。更に、半導体チップ１３は、本実施例では、
光電変換部及び走査部を２次元的に配列した撮像素子で
あり、ダイパッド部ＤにＡｇペースト２１によりマウン
トされている。なお、Ｗはボンディングワイヤの金線を
示している。

【００１９】次に、この半導体装置１０の製造方法につ
いて、図２乃至図８を参照して説明する。

【００２０】図２に示すように、例えば０．５〜３．０
ｍｍ程度の厚さの４２アロイやコバールなどのメタル材
でなる基材Ｓの両表面に、ボンディング仕易い貴金属、
本実施例では金でなる第１金属層Ｇを、メッキ又は圧延
加工により、例えば０．０５μ〜２μ程度の厚さに形成
する。更に、この２つの第１金属層Ｇの外側、すなわち
表面に、２００℃以下で第１金属層Ｇの金属（本実施例
では金）と合金化しない金属、例えばアルミニウム（Ａ
ｌ）でなる第２金属層Ｌを圧延加工により、例えば０．
５μ〜１０μ程度の厚さに形成する。すなわち、図２
（図において各層の厚みは厳密に記載していない）に示
すように、基材Ｓを中心として上下３層のクラッド材Ｃ
を形成する。この場合Ａｕの密着性向上のためにＡｕの
下地にＮｉ等の薄膜層（０．５〜５μ）をメッキ又は圧
延加工により付加し４層構造にする事もあり得る。な
お、本実施例の上記の圧延加工は、従来公知の圧延技術
（お互いのメタル洗浄荒らし、真空圧延加工など）をそ
のまま、用いている。

【００２１】次に、このクラッド材Ｃを、金型を用い
て、従来例と同様に、例えば図９に示されるような形状
に打ち抜き加工（いわゆるスタンピング加工）を行なっ
て、リードフレームＦを形成する。このリードフレーム
Ｆは、従来例のリードフレームＦ’と同様に、リード部
１４’及び吊りピンＰで支持されたダイパッド部Ｄを有
する。そして、図３に示されるように、半導体チップ１
３の表面の高さをインナリード１４ａの高さに近づけて
ワイヤボンディングを容易に行うために、ダイパッド部
Ｄを周囲のリード部１４より一段低く、凹ませる。

【００２２】次に、この図３に示されたリードフレーム
Ｆを骨組みとし、凹型パッケージ用の金型を用いて、樹
脂成形材料、本実施例では、熱硬化性のエポキシ樹脂で
モールド成型し、図４に示されるような凹型のパッケー
ジ１２を、リードフレームＦに一体成形する。なお、リ
ードフレームＦより上方に形成されるパッケージ１２の
上部１２ｂは、従来例とほぼ同様な位置に、すなわち図
９の２点鎖線で囲まれた部分Ｒに形成される。このと
き、本実施例では、樹脂ばりを抑えるための特別な方法
を取らないので、当然、従来例と同様に、ダイパッド部
Ｄの上面やインナリード１４ａ’の上面などには、樹脂
ばりｂが形成される。

【００２３】次に、リードフレームＦにパッケージ１２
が一体成形された全体１０’を、例えば苛性ソーダなど
のアルカリ溶液に漬ける。パッケージ１２を構成してい
る樹脂は充分に硬化しており、また第１金属層Ｇは金で
なるので、パッケージ１２と第１金属層Ｇとが、アルカ
リ溶液に溶けることはないが、第２金属層Ｌのアルミニ
ウムは、アルカリ溶液に溶ける。すなわちパッケージ１
２から露出している第２金属層Ｌだけがアルカリ溶液に
溶けることになる。通常、樹脂ばりｂは１００μｍ以下
の厚さであるので、リードフレームＦにパッケージ１２
が一体成形された全体１０’をアルカリ溶液に漬ける
と、樹脂ばりｂの下の第２金属層Ｌは、側面から徐々に
侵されて溶ける。従って、パッケージ１２との連結部が
薄い樹脂ばりｂの場合には、（この樹脂ばりｂを支えて
いた）直下層がなくなったのと同時に、パッケージ１２
との連結が切れ、すなわち樹脂ばりｂは剥れて除去され
る。あるいはまた、樹脂ばりｂが形成されている直下層
の第２金属層Ｌがなくなるために、樹脂ばりｂは、パッ
ケージ１２に付着してはいるが、浮遊した状態となる。
なお、パッケージ１２内部のにある第２金属層Ｌ’は、
その側面が多少、侵されて溶けることはあるが、図５に
示すように、ほとんど溶けずに残る。

【００２４】樹脂ばりｂがパッケージ１２に付着してい
るが、浮遊状態となっているところで、例えば、１０〜
３００ｋｇ／ｃｍ² などの水圧をかけて、リードフレー
ムＦとパッケージ１２とが一体成形された全体１０’を
水洗いする。この水圧によって、図６に示されるよう
に、樹脂ばりｂとパッケージ１２との連結が切れて、浮
遊した状態の樹脂ばりｂが完全に除去される。それと同
時に、金でなる第１金属層Ｇの表面が露出する。そし
て、充分に洗浄した後、乾燥させる。

【００２５】次に、図７に示すように、ダイボンディン
グ及びワイヤボンディングを行う。本実施例のダイボン
ディングは、ダイパッド部ＤにＡｇペースト２１を塗布
し、その上に半導体チップ１３を装着させる。このとき
のダイパッド部Ｄと半導体チップ１３との装着はＡｕ−
Ｓｉ共晶やハンダによる方法などでもよいが、Ａｇペー
スト２１は柔らかいため、半導体チップ１３とダイパッ
ド部Ｄとの熱膨張の差を吸収できる。従って、歪による
ソリが厳禁であるＣＣＤ等の撮像素子を半導体チップ１
３としてダイボンディングする本実施例では、Ａｇペー
スト２１を用いている。更に、露出した第１金属層Ｇを
上面に有するインナリード１４ａと、半導体チップ１３
上に形成したボンディングパッド（図示しない）とを、
金線（又はアルミニウム線などでもよい）Ｗで接続する
（ワイヤボンディングを行う）。

【００２６】その後、図８に示すように、透明ガラスの
蓋１１を、パッケージ１２の上方に、例えばエポキシ系
樹脂の接着剤２０により、パッケージ１２を完全にシー
ルする。このときは、当然、ドライエアやドライ窒素
（Ｎ₂ ）などの低湿度の雰囲気でシールする。更に、接
着剤２０は熱をかけて硬化させるため、パッケージ１２
のキャビティ１２ａ内の気体が膨張し蓋１１が持ち上が
って気体の流通路が形成されることがあるので、これを
抑制するため、蓋１１を、例えば治具を用いて均一に加
圧して（場合によっては蓋１１に重しをのせて加圧し
て）接着材２０を充分に硬化させる。充分に接着剤２０
が硬化したならば、リードフレームＦの不要な部分の切
断、アウタリード１４ｂの足曲げなどのリード加工を行
い、最後に、マークを施して、図１に示されるような中
空型のパッケージを有する半導体装置１０が完成する。

【００２７】本実施例では、基材Ｓ、第１金属層Ｇ及び
第２金属層Ｌからなるクラッド材ＣでリードフレームＦ
を形成し、このリードフレームＦに凹型のパッケージ１
２を一体成形し、その後にアルカリ溶液に漬けて、第２
金属層Ｌのみを溶かすことによって第２金属層Ｌを除去
し、更に水圧を用いて、第１金属層Ｇの表面を露出させ
た。すなわち、凹型のパッケージ１２を形成した際に発
生する樹脂ばりｂを、クラッド材Ｃの表面に形成されて
いる第２金属層Ｌを溶かし（このときに樹脂ばりｂの一
部も除去される）水圧により第１金属層Ｇを露出させる
ことによって、完全に除去することができる。また、露
出された第１金属層Ｇは、ボンディング仕易い金属でな
るので、ボンディング性を高めるために従来、パッケー
ジ形成後に行っていたメッキ処理をする必要がない。従
って、高価なメッキ液が必要なく、また低コストのプラ
スチックを用いたパッケージとしても、樹脂ばりｂの除
去に時間や手間がかからないので、更なる低コスト化を
実現することができる。

【００２８】なお、第２金属層として、本実施例では２
００℃以下で第１金属層を形成する金属と合金化しない
金属としたが、これは、本実施例の半導体チップ１３で
ある撮像素子は熱によるダメージを大きく受けるので、
一般に、ダイボンド（通常１５０〜３００℃の温度で行
われる）及びワイヤボンド（通常２００〜３００℃の温
度で行われる）などの組立工程における温度を２００℃
以下としており、この組立温度内で、第１金属層と第２
金属層とが合金化すると、第２金属層のみを溶かして第
１金属層を露出させることが困難となる。すなわち、２
００℃は、本実施例の組立温度の最高温度であり、本実
施例ではこの温度以下で、第１金属層Ｇの金属と合金化
しない第２金属層を用いているので、容易に、第２金属
Ｌのみを除去することができる。

【００２９】なおまた、本実施例では、第２金属層Ｌを
溶かした後、水圧により樹脂に付着している樹脂ばりｂ
を除去したが、水圧の代わりに液体ホーニングによって
も樹脂ばりｂを除去することは可能である。しかしなが
ら、本実施例では、露出させる第１金属層Ｇは柔らかい
金でなるため、液体ホーニングによる方法を用いると、
第１金属層Ｇがダメージを受ける（削り取られる）恐れ
があるので、水圧により樹脂ばりｂを除去するのがよ
い。また、水圧による方法は、液体ホーニングを用いる
よりも安価である。但し柔らかい研磨剤を用いる事によ
りＡｕメッキがダメージを受けなければ液体ホーニング
を用いて除去する事も可能である。

【００３０】以上、本発明の実施例について説明した
が、勿論、本発明はこれに限定されることなく、本願発
明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。

【００３１】例えば、上記実施例では、第２金属層とし
て両性（ａｍｐｈｏｔｅｒｉｃ）金属のアルミニウムを
用いたので、メッキ液に比べてはるかに安価な苛性ソー
ダなどのアルカリ溶液により、第２金属層Ｌのみを除去
したが、これ以外の溶液、上記実施例では第１金属層Ｇ
が金でなるので、例えばりん酸等の酸性溶液を用いて、
第２金属層のみを除去してもよい。すなわち、第１金属
層として形成された金属が溶けずに、第２金属層のみが
溶ける（メッキ液よりも）安価な溶液を用いるとよい。
なおまた、公知のエッチング技術を用いて第２金属層の
みをエッチングして除去してもよい。

【００３２】また、上記実施例では、第１金属層として
金を用いたが、ボンディング仕易い貴金属であればよ
く、例えばパラジウム（Ｐｄ）、銀（Ａｇ）、ルテニウ
ム（Ｒｕ）などでもよい。

【００３３】更に、上記実施例では、パッケージ１２を
熱硬化性のエポキシ樹脂を用いたが、他の熱硬化性の樹
脂でもよいし、またＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィ
ド）等の熱可塑性樹脂等の樹脂形成材料を用いてもよ
い。

【００３４】また、本実施例では、半導体チップ１３が
撮像素子であるので、透明ガラスでなる蓋１１を用いた
が、撮像素子以外の半導体チップ１３を装着する際に
は、メタルやセラミックやプラスチックなどでなる蓋を
用いて、シールしてもよい。

【００３５】更に、上記実施例では、ＤＩＰ型の半導体
装置について説明したが、他の形状の半導体装置、例え
ばＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ Ｏｕｔｌｉｎｅ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）型やＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇ
ｅ）型の半導体装置にも適用可能である。

【００３６】また、上記実施例では、更なる低コスト化
のために、凹型のパッケージを樹脂により形成し、第１
金属層を露出する際に樹脂ばりも除去するようにした
が、樹脂以外の凹型のパッケージに本発明を適用するこ
とも可能で、このときには樹脂ばりが発生しないので、
その除去という効果は得られないが、リードフレームを
形成するクラッド材の一部である第１の金属層を露出さ
せることにより、高価なメッキ液を用いたメッキ処理を
しなくてよいという効果は得られるので、低コストで半
導体パッケージを製造することができる。

【００３７】

【発明の効果】以上述べたように、本発明の半導体パッ
ケージの製造方法によれば、以下のような効果を奏す
る。

【００３８】ボンディング仕易い金属をメッキする必要
がないので、高価なメッキ液が不要となり、生産コスト
を低下させることができる。また、パッケージを低コス
トのプラスチックで成型する際に発生する樹脂ばりを、
ボンディング仕易い第１の金属を露出させる際に同時に
除去することができるので、すなわち、従来のメッキ処
理と樹脂ばり除去を一つの工程で行えるので、生産工程
数が少なくなり、製造が容易となる。また、リードフレ
ームにパッケージを一体形成した後、安価な溶液に漬け
て、樹脂ばりが上面に形成されている第２の金属層のみ
を除去し、水圧により完全に樹脂ばりを除去するので、
従来のメッキ処理と樹脂ばり除去を１つの工程として
も、容易にこの工程が行える。また厚ばりが発生して
も、この厚ばりを支えている第２金属層が除去されるの
で、容易で確実に、厚ばりを除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の半導体パッケージの製造方法で製造さ
れた半導体装置の正面断面図である。

【図２】本発明の半導体パッケージの製造方法の第１段
階を説明する未完成の半導体装置の模式断面図である。

【図３】本発明の半導体パッケージの製造方法の第２段
階を説明する未完成の半導体装置の模式断面図である。

【図４】本発明の半導体パッケージの製造方法の第３段
階を説明する未完成の半導体装置の模式断面図である。

【図５】本発明の半導体パッケージの製造方法の第４段
階を説明する未完成の半導体装置の模式断面図である。

【図６】本発明の半導体パッケージの製造方法の第５段
階を説明する未完成の半導体装置の模式断面図である。

【図７】本発明の半導体パッケージの製造方法の第６段
階を説明する未完成の半導体装置の模式断面図である。

【図８】本発明の半導体パッケージの製造方法の第７段
階を説明する未完成の半導体装置の模式断面図である。

【図９】従来例のリードフレームの平面図である。

【図１０】図９の［１０］−［１０］線方向の断面図で
あり、従来の半導体パッケージの製造方法の第１段階を
説明する従来例の未完の半導体装置の模式断面図であ
る。

【図１１】従来の半導体パッケージの製造方法の第２段
階を説明する従来例の未完成の半導体装置の模式断面図
である。

【図１２】従来の半導体パッケージの製造方法の第３段
階を説明する従来例の未完成の半導体装置の模式断面図
である。

【図１３】従来の半導体パッケージの製造方法の第４段
階を説明する従来例の未完成の半導体装置の模式断面図
である。

【図１４】従来の半導体パッケージの製造方法によって
完成した従来例の半導体装置の模式断面図である。

【符号の説明】

１０……半導体装置、１０’……リードフレームにパッ
ケージが一体成形された全体、１１……蓋、１２……パ
ッケージ、１３……半導体チップ、１４……リード部、
１４ａ……インナリード、１４ｂ……アウタリード、ｂ
……樹脂ばり、Ｃ……クラッド材、Ｄ……ダイパッド
部、Ｆ……リードフレーム、Ｇ……第１金属層、Ｌ……
第２金属層、Ｓ……基材。

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 金属材をリードフレームに成型し、該リ
   ードフレームに凹型のパッケージを一体成形し、蓋を用
   いて前記凹型のパッケージを中空型パッケージとした半
   導体パッケージの製造方法において、 前記金属材が、基材の両表面に第１の金属層が形成さ
   れ、 該第１の金属層の外側表面に第２の金属層が形成された
   クラッド材であり、 該金属材を前記リードフレームに成型し、該リードフレ
   ームに前記凹型のパッケージを一体成形した後、 前記第２の金属層のみを除去して、前記第１の金属層を
   露出させて、 前記蓋を用いて前記凹型のパッケージを中空型パッケー
   ジとしたことを特徴とする半導体パッケージの製造方
   法。
2. 【請求項２】 前記パッケージが樹脂モールドによって
   形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導
   体パッケージの製造方法。
3. 【請求項３】 前記樹脂はエポキシ樹脂であることを特
   徴とする請求項２に記載の半導体パッケージの製造方
   法。
4. 【請求項４】 前記第１の金属層がボンディング仕易い
   貴金属でなることを特徴とする請求項１又は請求項２に
   記載の半導体パッケージの製造方法。
5. 【請求項５】 前記第２の金属層が、組立工程中の最高
   温度以下で前記第１の金属層と合金化しない金属である
   ことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体
   パッケージの製造方法。
6. 【請求項６】 前記リードフレームに前記凹型のパッケ
   ージを一体形成した後に、 所定の溶液に漬けて、該所定の溶液に前記第２の金属を
   溶かして、該第２金属のみを除去した後、 水圧を用いて、前記第１の金属層を露出させることを特
   徴とする請求項１又は請求項３に記載の半導体パッケー
   ジの製造方法。