JP3007891B1 - 半導体中空パッケ―ジ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【要約】 【課題】 樹脂基体とリードフレームとの密着性が良好
で、かつ高価な金めっきを最小限に抑えることができる
半導体中空パッケージ及びその製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】 樹脂基体１の上面に半導体素子を搭載す
るダイパット３及びリード端子４を配置し、樹脂基体１
の上方を蓋体で覆った半導体中空パッケージであって、
樹脂基体１内に埋設される部分を含むダイパット３及び
リード端子４の上下両面に下地ニッケルめっき層５を介
して金めっき層６を形成している。この金めっき層６
は、樹脂基体１を成形する前のリードフレームの状態で
ダイパット及びリード端子のみに部分めっきする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザなど
の半導体素子を中空で保持する半導体中空パッケージの
製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体素子を中空で保持する半導体中空
パッケージの一例として、ホログラム用パッケージを例
に挙げて図４を参照しながら説明する。

【０００３】図４はホログラム用パッケージの断面図で
あり、半導体素子（図示せず）を搭載するダイパット３
及びリード端子４に樹脂基体１が一体成形された構造で
あり、半導体素子搭載工程、ワイヤボンディング工程を
経て、樹脂基体側壁２の上面に蓋体となるホログラムレ
ンズ（図示せず）を接合し、半導体素子を中空で保持す
ることとなる。樹脂基体１は周辺に側壁２が形成された
筐体形であり、リード端子４が樹脂基体側壁２内に封止
されている。樹脂基体１の上面に露出したダイパット３
及び内部リード端子４ａの上面には、下地ニッケルめっ
き層５を介して金めっき層６が形成されている。樹脂基
体１の外側に導出する外部リード端子４ｂには、上下両
面に下地ニッケルめっき層５を介して金めっき層６が形
成されている。

【０００４】次に、このホログラム用パッケージの製造
方法について、図５を用いて説明する。まず、図５
（ａ）に示すように、フープ条の金属材料をプレス手段
またはエッチング手段によりダイパット及びリード端子
を備えたリードフレーム形状に加工する。

【０００５】次いで、図５（ｂ）に示すように、トラン
スファー成形法によりリードフレームの所定部分を熱硬
化性樹脂で封止し、リードフレームに樹脂基体を一体成
形する。

【０００６】次いで、図５（ｃ）に示すように、次工程
におけるリードフレームめっき処理工程で不都合がない
ように、樹脂基体成形工程でリードフレーム表面に付着
した樹脂ばりを除去する。この樹脂ばり除去方法として
は、電解による樹脂ばり浮かし方法や、ウォータージェ
ットによる方法、またはこれらを組み合わせた方法など
が知られている。

【０００７】次いで、図５（ｄ）に示すように、後に切
り離すこととなる不要部分を含めてリードフレーム全面
に下地ニッケルめっき層を介して金めっき層を形成す
る。このときの状態を再度図４を参照して説明すると、
金属めっき層５、６は、樹脂基体１から露出した部分、
すなわち、樹脂基体１の上面に露出するダイパット３及
び内部リード端子４ａの上面と、樹脂基体の外側に導出
した外部リード端子４ｂの上下両面、さらにリードフレ
ームの外桟部分（図示せず）など後に切り離されること
となる不要部分にも形成される。

【０００８】この後、リードフレームから個々のホログ
ラム用パッケージを切り離し、半導体素子実装工程へと
送られる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ホログラム用パッケージ及びその製造方法には次に示す
ような問題があった。

【００１０】リードフレームに樹脂基体を一体成型した
後に、リードフレームめっき処理を行うため、樹脂基体
内に埋設されたダイパット及び内部リード端子の下面に
は金属めっき層が形成されない。このため、リードフレ
ームと樹脂基体との密着性はリードフレーム素材にゆだ
ねられるため、リードフレームと樹脂基体との密着性が
悪くなるという不都合がおこる。特に、半導体素子搭載
工程における熱ストレスによりダイパット下面に樹脂剥
離が生じ、これを原因として樹脂基体にクラックが発生
することがある。

【００１１】また、リードフレームめっき処理を行う工
程において、樹脂基体を一体成形した後にめっきを行う
「後めっき」と呼ばれる方法では、リードフレームの部
分めっきが困難となり、不要部分も含めたリードフレー
ム全面にめっきを行うことになる。このため、後に切り
離すこととなるリードフレームの外桟などめっき処理が
不必要な部分にまで金属めっき層が形成されてしまい高
価な金めっきが無駄になるといった問題がある。

【００１２】本発明は上記問題を解決するものであり、
樹脂基体との密着性が良好で、かつ高価な金めっきを最
低限に抑えることでコストを低減することができる半導
体中空パッケージ及びその製造方法をを提供することを
目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、樹脂基体の上面に半導体素子を搭載するダ
イパット及びリード端子を配置し、樹脂基体の上方を蓋
体で覆った半導体中空パッケージであって、樹脂基体内
に埋設される部分を含むダイパット及びリード端子の上
下両面に金属めっき層が形成されたものである。

【００１４】これによれば、樹脂基体内に埋設したダイ
パット及びリード端子の下面にも金属めっき層が形成さ
れるため、リードフレーム下面と樹脂基体との密着性が
良くなり、樹脂剥離やこれを原因とする樹脂クラックな
どが発生することがない。

【００１５】また、本発明による半導体中空パッケージ
の製造方法は、半導体素子を搭載するダイパット及びリ
ード端子を備えたリードフレームを形成し、リードフレ
ームのダイパット及びリード端子の上下両面に金属めっ
き層を形成し、リードフレームに樹脂基体を一体成形し
た後、樹脂基体の上面に露出するダイパット及びリード
端子の表面に付着した樹脂ばりを除去するものである。

【００１６】これによれば、リードフレームの外桟な
ど、後に切り離すこととなる不要部分に金属めっき層を
形成しないため、高価な金などの貴金属めっきの無駄を
なくすることができる。

【００１７】また、リードフレームの表面にめっき層が
形成された後に樹脂ばり除去を行うため、樹脂ばりを良
好に除去することができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態につい
て図面を参照しながら説明する。

【００１９】図１は半導体中空パッケージの一例として
挙げる本実施形態によるホログラム用パッケージの断面
図である。

【００２０】構造は従来技術で説明したのと同様に、ダ
イパット３及びリード端子４に樹脂基体１が一体成型さ
れ、樹脂基体１の上面にダイパット３及び内部リード端
子４ａが配置され、樹脂基体１の外側に外部リード端子
４ｂが導出している。樹脂基体１の周囲に形成された樹
脂基体側壁２の上面には、後に蓋体となるホログラムレ
ンズ（図示せず）が接合される。

【００２１】ダイパット３及びリード端子４には、樹脂
基体１内に埋設した部分も含めて上下両面に下地ニッケ
ルめっき層５を介して金めっき層６が形成されている。
このため、半導体素子搭載工程における熱ストレスによ
りダイパット３の下面と樹脂基体１とが剥離することが
なく、これを原因として樹脂基体にクラックが発生する
ことがない。

【００２２】次に、このホログラム用パッケージの製造
方法について図２を参照しながら説明する。

【００２３】まず、図２（ａ）に示すように、フープ条
の金属材料をプレス手段またはエッチング手段によりダ
イパット及びリード端子を備えたリードフレーム形状に
加工する。

【００２４】次いで、図２（ｂ）に示すように、リード
フレームの外桟など後に切り離す部分を除いて部分めっ
きし、ニッケルめっき層を介して金めっき層を形成す
る。部分めっき方法としてはマスキングテープによる方
法や、噴流めっき装置を用いたメカマスク方法など周知
の方法を採用するとよい。図３はこの状態を示す上面図
であり、リードフレーム１１の外桟１２など後に不要と
なる部分を除いて上下両面（図示は上面のみ）に図面斜
線で示すめっき層が形成されている。図面破線領域は次
工程で樹脂基体を成形する領域である。

【００２５】次いで、図２（ｃ）に示すように、トラン
スファー成型法によりリードフレームに熱硬化性樹脂を
封止し、リードフレームに樹脂基体を一体成形する。

【００２６】次いで、図２（ｄ）に示すように、半導体
素子搭載工程及びワイヤボンディング工程で不都合が生
じることがないようリードフレームの表面に付着した樹
脂ばりを除去する。この樹脂ばり除去方法としては、薬
液に浸漬した後、ウォータージェット、湿式ブラストを
行うことで良好に樹脂ばりを除去することができた。こ
の後、リードフレームから個々のホログラム用パッケー
ジに切り離し、半導体素子搭載工程に送られる。

【００２７】このような製造方法を採用することによ
り、樹脂基体内に埋設したダイパット及び内部リード端
子の下面にも金属めっき層を形成することができ、樹脂
剥離やこれを原因とする樹脂クラックなどが発生するこ
とがない。

【００２８】また、リードフレームにめっき層を形成す
る工程で周知の部分めっき法を用いてリードフレームの
外桟などの不要部分にめっき層を形成しないため、高価
な金めっきを無駄にすることなくコストを低減すること
ができる。

【００２９】さらに、樹脂ばり除去工程をリードフレー
ムにめっき層を形成した後に行うことにより、従来のよ
うにめっき層を形成する前に行うより、良好に樹脂ばり
を除去することができる。

【００３０】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、熱
ストレスなどにより樹脂剥離やこれに原因する樹脂クラ
ックなどが生じることがない。また、高価な金めっきを
必要部分にのみ付けることができるため、コストを低減
することができる。さらに、リードフレームの表面に付
着した樹脂ばりを良好に除去することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による半導体中空パッケージの断面図

【図２】本発明による半導体中空パッケージの製造工程
図

【図３】本発明による半導体中空パッケージの製造工程
中の状態を示す上面図

【図４】従来の半導体中空パッケージの断面図

【図５】従来の半導体中空パッケージの製造工程図

【符号の説明】

１ 樹脂基体 ２ 樹脂基体側壁 ３ ダイパット ４ リード端子 ４ａ 内部リード端子 ４ｂ 外部リード端子 ５ 下地ニッケルめっき層 ６ 金めっき層 １１ リードフレーム １２ リードフレーム外桟

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 樹脂基体の上面に半導体素子を搭載する
   ダイパット及びリード端子を配置し、前記樹脂基体の上
   方を蓋体で覆った半導体中空パッケージであって、前記
   樹脂基体内に埋設される部分を含む前記ダイパット及び
   リード端子の上下両面に金属めっき層が形成されたこと
   を特徴とする半導体中空パッケージ。
2. 【請求項２】 金属めっき層が、下地ニッケルめっき層
   を介して形成された金めっき層であることを特徴とする
   請求項１記載の半導体中空樹脂パッケージ。
3. 【請求項３】 半導体素子を搭載するダイパット及びリ
   ード端子を備えたリードフレームを形成し、前記リード
   フレームのダイパット及びリード端子の上下両面に金属
   めっき層を形成し、前記リードフレームに樹脂基体を一
   体成形した後、前記樹脂基体の上面に露出する前記ダイ
   パット及びリード端子に付着した樹脂ばりを除去するこ
   とを特徴とする半導体中空パッケージの製造方法。
4. 【請求項４】 金属めっき層が、下地ニッケルめっき層
   を介して形成された金めっき層であることを特徴とする
   請求項３記載の半導体中空樹脂パッケージの製造方法。