JP2003338640A - 半導体チップを使用した半導体装置 - Google Patents

半導体チップを使用した半導体装置

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lead
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 溶融半田の表面張力による半導体チップ１が
回路基板１０の表面で傾いた姿勢で固定されるのを防止
する。 【解決手段】 平面視略四角形状の結晶基板１ａ一つの
角部に形成された１つの第１電極部２と、前記１つの角
部に対して対角線上に位置する他の角部を挟む結晶基板
１ａの２側辺に沿って形成された第２電極部３とを備え
た半導体チップ１を、その第１電極部２及び第２電極部
３と、回路基板１０の表面に形成された第１リード部１
５と、複数本の第２リード部１６ａ，１６ｂとを、それ
ぞれ半田ペースト２０により接合するに際して、細巾の
１本の第１リード部１５は結晶基板１ａにおける１側辺
と交差するように伸び、複数の第２リード部１６ａ，１
６ｂは、第１リード部１５と反対向きに延び、且つ第１
リード部１５及び第２リード部１６ｂは、互いに適宜寸
法だけ偏倚して配置されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを使
用した半導体装置であって、片面に第１電極部と第２電
極部とが形成された半導体チップを、回路基板の表面に
形成した一対の外部接続用電極に半田接続する構成に関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば、先行技術の特開平１１−
１２１７９７号公報や特開２００２−９４１２３号公報
に開示されているように、表面実装型の発光ダイオード
に搭載される半導体チップとしての発光ダイオードチッ
プ（発光素子チップ）１は、発光源が窒化ガリウム系化
合物半導体であって、サファイアを用いた結晶基板の片
面に複数の半導体薄膜層を、従来から周知の有機金属気
相成長法によって成膜されている。この薄膜積層体は、
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すごとく、透明なサファ
イアを用いた平面視四角形状の結晶基板１ａから順にＧ
ａＮバッファ層１ｂ、ｎ型ＧａＮ層１ｃ、ＩｎＧａＮ活
性層１ｄ、ｐ型ＡｌＧａＮ層１ｅ、及びｐ型ＧａＮ層１
ｆであってダブルヘテロ構造をなす。
【０００３】前記ｎ型ＧａＮ層１ｃの１つのコーナー部
（角部）の上面はエッチングにより段差状に除去され、
この除去された部分にＴｉ及びＡｕの積層膜とその上に
ＮｉとＡｕの積層膜とを重ねたｎ側電極２（以下、第１
電極部という）が蒸着法によって形成されている。ま
た、前記エッチングによる除去部分を除いた最上層のｐ
型ＧａＮ層１ｆの上面には、ＮｉとＡｕの積層膜からな
るｐ型電極３（以下、第２電極部という）が前記と同様
に蒸着法によって形成されている。
【０００４】そして、前記先行技術では、前記発光素子
チップ１における第１電極部２及び第２電極部３の各上
面には金（Ａｕ）を原料とするバンプ部を設け、これら
バンプ部をチップ型の回路基板の表面に形成された一対
の外部接続用電極に対して接続固定するように構成され
ていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記バ
ンプ部は金（Ａｕ）を原料とするので、製造コストが高
くなるという問題があった。また、発光素子チップ１
（半導体チップ）を回路基板に押圧して、前記バンプ部
を介して外部接続用電極に固定する方法では、回路基板
に対する発光素子チップの接近時の姿勢そのままで固定
されてしまい、以下のような装着時の姿勢のバラツキを
修正することができなかった。
【０００６】この金製のバンプ部に代えて、半田ペース
ト等の加熱溶融性のダイボンディング剤による接続固定
が考えられた。即ち、前記ダイボンディング剤の適宜量
を、前記回路基板における各外部接続用電極の表面に塗
着し、このダイボンディング剤の上に、半導体チップを
載せ、この状態で、前記ダイボンディング剤を、加熱に
て一旦溶融したのち凝固するという方法を採用している
と、以下に述べるような問題があった。
【０００７】すなわち、前記外部接続用電極の表面に塗
着したダイボンディング剤は、当該ダイボンディング剤
を加熱にて溶融したとき、前記外部接続用電極の表面を
四方に大きく広がり、この溶融ダイボンディング剤に載
っている半導体チップも、前記溶融ダイボンディング剤
の四方への広がりに伴って、外部接続用電極の表面に沿
って、設定された中心からずれるように横移動し、この
中心からずれ移動した位置において、前記溶融ダイボン
ディング剤の凝固にて外部接続用電極部に対して固定さ
れることになる。
【０００８】そして、従来の前記回路基板の表面に形成
された一対の外部接続用電極の表面積が大きいことも相
俟って、前記横ずれ量が大きくなるという問題があっ
た。
【０００９】また、例えば平面視四角形状の回路基板の
左右側縁と同じく平面視四角形状の半導体チップの左右
側縁とが平面視で非平行状の状態（傾いた状態）で、前
記外部接続用電極に対して半導体チップが供給された場
合に、この傾いた姿勢は修正されることなく前記非平行
状の状態のままで外部接続用電極に固定されることにな
る。
【００１０】従って、回路基板における外部接続用電極
にダイボンディングした半導体チップを、合成樹脂製の
モールド部にてパッケージする場合には、このモールド
部における大きさを、当該モールド部にてパッケージす
る半導体チップが前記したように中心からずれ移動する
こと、及びその各側縁が回路基板の各側縁と非平行の傾
いた姿勢になることを見込み、このいずれの場合におい
ても、当該モールド部にて完全にパッケージできるよう
に、大きくしなければならないから、半導体装置の大型
化及び重量のアップを招来するのであった。
【００１１】特に、前記半導体装置が、半導体チップを
発光ダイオードチップとし、且つ、モールド部を透明合
成樹脂製にしたチップ型ＬＥＤである場合には、前記し
た中心からずれ移動すること、及び発光ダイオードチッ
プの各側面が回路基板の各側面と非平行の傾いた姿勢に
なることにより、発光ダイオードチップからの光の指向
性が変化するから、光の指向性のバラ付きが大きくなる
のである。
【００１２】本発明は、これらの問題を解消することを
技術的課題とするものである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】この技術的課題を達成す
るため、請求項１に記載の発明の半導体チップを使用し
た半導体装置は、平面視略四角形状の結晶基板の片面
に、当該結晶基板の一つの角部に形成された１つの小さ
い領域の第１電極部と、該第１電極部と対峙し、且つ前
記１つの角部に対して対角線上に位置する他の角部を含
み、当該他の角部を挟む結晶基板の２側辺に沿って伸び
るように形成された大きい領域の第２電極部とを備えた
半導体チップと、前記第１電極部及び第２電極部とにそ
れぞれ半田ペースト等の加熱溶融性のダイボンディング
剤により接合される一対の外部接続用電極が表面に形成
された回路基板とからなり、前記外部接続用電極は、前
記第１電極部に接続する第１外部接続用電極と、前記第
２電極部に接続する第２外部接続用電極とにより構成さ
れ、前記第１外部接続用電極には、前記結晶基板におけ
る１側辺と交差するように伸びる細巾の第１リード部を
有し、前記第２外部接続用電極には、前記第１リード部
が伸びる方向と反対向きに延び、且つ前記第１リード部
が交差する１側辺と略平行な結晶基板の１側辺と交差す
るように伸びる少なくとも一本の細巾の第２リード部を
有し、前記第１リード部及び第２リード部は、互いに適
宜寸法だけ偏倚して配置されていることを特徴とするも
のである。
【００１４】他方、請求項２に記載の発明の半導体チッ
プを使用した半導体装置は、平面視略四角形状の結晶基
板の片面に、当該結晶基板の一つの角部に形成された１
つの小さい領域の第１電極部と、該第１電極部と対峙
し、且つ前記１つの角部に対して対角線上に位置する他
の角部を含み、当該他の角部を挟む結晶基板の２側辺に
沿って伸びるように形成された大きい領域の第２電極部
とを備えた半導体チップと、前記第１電極部及び第２電
極部とにそれぞれ半田ペースト等の加熱溶融性のダイボ
ンディング剤により接合される一対の外部接続用電極が
表面に形成された回路基板とからなり、前記外部接続用
電極は、前記第１電極部と接続する第１外部接続用電極
と、前記第２電極部に接続する第２外部接続用電極とに
より構成され、前記第１外部接続用電極には、前記結晶
基板における１側辺と交差するように伸びる細巾の第１
リード部を有し、前記第２外部接続用電極には、前記第
１リード部が伸びる方向と反対向きに延び、且つ前記第
１リード部が交差する１側辺と略平行な結晶基板の１側
辺と交差するように伸びる少なくとも一本の細巾の第２
リード部を有し、前記第２リード部の先端部には前記第
２電極部と接続し、且つ前記第１リード部と平行状であ
って、適宜寸法だけ偏倚して配置される先端電極片を有
していることを特徴とするものである。
【００１５】他方、請求項３に記載の発明の半導体チッ
プを使用した半導体装置は、平面視略四角形状の結晶基
板の片面に、当該結晶基板の一つ側辺の略中央部に形成
された１つの小さい領域の第１電極部と、該第１電極部
と対峙し、且つ結晶基板の他の３側辺に沿って伸びるよ
うに形成された大きい領域の第２電極部とを備えた半導
体チップと、前記第１電極部及び第２電極部とにそれぞ
れ半田ペースト等の加熱溶融性のダイボンディング剤に
より接合される一対の外部接続用電極が表面に形成され
た回路基板とからなり、前記外部接続用電極は、前記第
１電極部に接続する第１外部接続用電極と、前記第２電
極部に接続する第２外部接続用電極とにより構成され、
前記第１外部接続用電極には、前記結晶基板における１
側辺と交差するように伸びる細巾の第１リード部を有
し、前記第２外部接続用電極には、前記第１リード部が
伸びる方向と反対向きに延び、且つ前記第１リード部が
交差する１側辺と略平行な結晶基板の１側辺と交差する
ように伸びる少なくとも一本の細巾の第２リード部を有
することを特徴とするものである。
【００１６】そして、請求項４に記載の発明は、請求項
１乃至３のいずれかに記載の半導体チップを使用した半
導体装置において、前記第２外部接続用電極の第２リー
ド部には、その先端部に当該第２リード部と少なくとも
交差する方向に伸びて前記第２電極部に接続する先端電
極片を備えたものである。
【００１７】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
乃至４のいずれかに記載の半導体チップを使用した半導
体装置において、前記第１リード部及び第２リード部の
幅寸法は、前記結晶基板における相対向する各側辺の長
さの０．３〜０．１倍程度に設定されているものであ
る。
【００１８】さらに、請求項６に記載の発明は、請求項
１乃至５のいずれかに記載の半導体チップを使用した半
導体装置において、前記結晶基板における前記第２リー
ド部が交差する側辺と交差する側辺に対して略平行状に
延び、且つ先端が当該側辺と交差して第２電極部に接触
するようにした第３リード部を、前記第２外部接続用電
極に連設したものである。
【００１９】請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６
のいずれかに記載の半導体チップを使用した半導体装置
において、前記半導体チップは、発光素子であり、少な
くとも前記半導体チップを、光透過性の合成樹脂製のモ
ールド部にてパッケージしたものである。
【００２０】請求項８に記載の発明は、請求項１乃至７
のいずれかに記載の半導体チップを使用した半導体装置
において、レジスト膜を前記第１リード部、第２リード
部及び第３リード部のうち半導体チップの外周寄り部位
に形成したものである。
【００２１】
【発明の作用・効果】請求項１及び請求項２の発明で
は、回路基板の表面に設けられた前記第１外部接続用電
極及び第２外部接続用電極に半田ペースト等の加熱溶融
性のダイボンディング剤を塗布した後、これらに半導体
チップの第１電極部及び第２電極部をそれぞれ対応させ
て合わせように載せる。
【００２２】その場合、第１外部接続用電極に前記半導
体チップにおける１つの角部に形成された小さい領域の
第１電極部が合わさる一方、半導体チップにおける前記
第１電極部を囲み、且つ前記１つの角部と対角線上に位
置する他の角部を含むような大きい面積の第２電極部が
前記第２外部接続用電極に合わさる。
【００２３】これにより、溶融したダイボンディング剤
は、各外部接続用電極の表面を四方に広がり、特に細巾
のリード部の表面に沿い且つ半導体チップ（結晶基板）
の側辺から伸びる方向に広がる。そして、前記各リード
部と半導体チップの側辺との交差部においては、当該半
導体チップの側辺に沿っても溶融ダイボンディング剤が
広がる。そのときの溶融したダイボンディング剤の表面
張力が前記各リード部とそれに交差する半導体チップ
（結晶基板）の側辺とに同時に作用するので、各１リー
ド部の伸びる方向と、それに交差する結晶基板の側辺と
の交差角度が略９０度になるように自動的に姿勢変更さ
れるというセルフアライメント現象が発生する。
【００２４】特に、請求項１の発明のように、細巾の第
１リード部と第２リード部とを適宜偏倚させるように配
置することにより、第２リード部の延長線が半導体チッ
プの平面視の面積の中心部に近い位置になるように第１
外部接続用電極を形成したとき、第１リード部（第１外
部接続用電極）が、前記半導体チップの中心部から遠く
に離れた角部の第１電極部に合わさることになる。従っ
て、前記第１リード部が半導体チップの側辺から突出す
る位置は、第２リード部が半導体チップの側辺から突出
する位置よりも当該半導体チップの平面視の面積の中心
部から遠い位置にあるから、前記表面張力が作用するモ
ーメント力（半導体チップをその中心点回りに回動させ
る力）は、第１リード部側で大きくなるので、前記第１
リード部及び第２リード部の伸びる方向と交差する結晶
基板の２つの相対向する側辺が、前記両リード部の伸び
る方向に対して直交しない非平行の向き姿勢（傾き姿
勢）で載せられた場合にも、前記第１リード部及び第２
リード部の伸びる方向と、それに交差する結晶基板の２
つの相対向する側辺との交差角度が略９０度になるよう
に自動的に姿勢変更される作用が強くなるのである。
【００２５】このように、溶融したダイボンディング剤
の表面張力によるセルフアライメントにて、前記四角形
の半導体チップは、その傾き姿勢が無くなるように自動
的に修正されるとともに、当該半導体チップを回路基板
の中心に正確に位置するように自動的に修正されること
になる。
【００２６】この状態で冷却により、前記溶融したダイ
ボンディング剤が固化すると、前記自動修正された姿勢
で、半導体チップが回路基板に対して固定されるのであ
る。
【００２７】第２請求項の発明によれば、前記第２外部
接続用電極には、前記第１リード部が伸びる方向と反対
向きに延び、且つ前記第１リード部が交差する１側辺と
略平行な結晶基板の１側辺と交差するように伸びる少な
くとも一本の細巾の第２リード部を有し、前記第２リー
ド部の先端部には前記第２電極部と接続し、且つ前記第
１リード部と平行状であって、適宜寸法だけ偏倚して配
置される先端電極片を有している。従って、溶融したダ
イボンディング剤が前記先端電極片の表面と半導体チッ
プの第２電極部の表面との隙間に沿って広がり、他方、
第１リード部の表面と第１電極部の表面の隙間に沿って
広がり、そのときの前記先端電極片の個所での表面張力
と第１リード部での表面張力とが、当該半導体チップの
平面視の面積の中心部を挟んで両側でバランスすること
になり、溶融したダイボンディング剤の表面張力による
セルフアライメントにて、前記四角形の半導体チップ
は、その傾き姿勢が無くなるように自動的に修正される
とともに、当該半導体チップを回路基板の中心に正確に
位置するように自動的に修正されるのである。
【００２８】第３請求項の発明によれば、第１電極部
が、平面視略四角形状の結晶基板の一つ側辺の略中央部
に形成され、第２電極部が、前記第１電極部と対峙し、
且つ結晶基板の他の３側辺に沿って伸びるように形成さ
れるから、第１電極部と第２電極部とは、半導体チップ
の平面視において左右対称状に形成されることになり、
前記第１電極部に合わさる第１リード部と第２電極部に
合わさる第２リード部は、互いに反対向きに伸びるか
ら、半導体チップにおける相対向する平行状の２側辺
と、前記各リード部との交差部においては、当該半導体
チップの側辺に沿っても溶融ダイボンディング剤が広が
ると共に、各リード部の伸びる方向にも広がり、そのと
きの溶融したダイボンディング剤の表面張力が前記各リ
ード部とそれに交差する半導体チップ（結晶基板）の側
辺とに同時に作用するので、各１リード部の伸びる方向
と、それに交差する結晶基板の側辺との交差角度が略９
０度になるように自動的に姿勢変更されるというセルフ
アライメント現象が発生し、回路基板に対する半導体チ
ップの搭載姿勢を整えることができるという効果を奏す
る。
【００２９】そして、請求項４に記載の発明は、請求項
１乃至３のいずれかに記載の半導体チップを使用した半
導体装置において、前記第２外部接続用電極の第２リー
ド部には、その先端部に当該第２リード部と交差する方
向に伸びて前記第２電極部に接続する先端電極片を備え
たものであるから、この先端電極片により第２電極部と
の電気的接合面積が増大すると共に、この部分（先端電
極片）でも溶融ダイボンディング剤による表面張力で、
前記セルフアライメントによる半導体チップの姿勢修正
の効果を一層達成させることができる。
【００３０】また、請求項５に記載の発明は、請求項１
乃至４のいずれかに記載の半導体チップを使用した半導
体装置において、前記第１リード部及び第２リード部の
幅寸法は、前記結晶基板における相対向する各側辺の長
さの０．３〜０．１倍程度に設定されているものであ
り、溶融したダイボンディング剤が前記各リード部の長
手方向に伸びる側縁に沿って広がり易くなり、前記セル
フアライメントによる半導体チップの姿勢修正の効果を
一層達成させることができる。
【００３１】さらに、請求項６に記載の発明は、請求項
１乃至５のいずれかに記載の半導体チップを使用した半
導体装置において、前記結晶基板における前記第２リー
ド部が交差する側辺と交差する側辺と略平行状に延び、
且つ先端部が当該側辺と交差して第２電極部に接触する
ようにした第３リード部を、前記第２外部接続用電極に
連設したものであり、前記第１リード部及び第２リード
部における前記セルフアライメントに加えて、これら両
リード部が延びる方向に平行な結晶基板の側辺と第３リ
ード部の先端部におけるセルフアライメントの作用・効
果が付加されるから、そのセルフアライメントによる半
導体チップの姿勢修正の効果がより向上するのである。
【００３２】請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６
のいずれかに記載の半導体チップを使用した半導体装置
において、前記半導体チップは、発光素子であり、少な
くとも前記半導体チップを、光透過性の合成樹脂製のモ
ールド部にてパッケージしたものである。
【００３３】従って、回路基板に対する発光素子の配置
姿勢を整えることができて、発光素子からの光の発射方
向（光の指向性）のバラツキが無くなると共に、この半
導体チップをパッケージするモールド部を、従来の場合
よりも小さく、ひいては、半導体装置を小型・軽量化で
きるのである。
【００３４】ダイボンディング剤を前記第１リード部、
第２リード部及び第３リード部に塗布した後、加熱する
と、表面張力により塗布量の多い方向に流れる。その流
れ方向が半導体チップの外周より外側である場合、当該
ダイボンディング剤による電極部とリード部との電気的
接触が不良となる。しかし、請求項８に記載の発明によ
れば、レジスト膜を前記第１リード部、第２リード部及
び第３リード部のうち半導体チップの外周寄り部位に形
成すると、このレジスト膜により、リード部の長手方向
に沿って半導体チップの外周より外側に流れるダイボン
ディング剤の流れをせき止めることになり、前記電気的
接触不良の発生を確実に防止できる。
【００３５】また、レジスト剤を光反射率の高い白色等
の色にしておけば、発光素子から回路基板の表面方向に
発射された光が前記レジスト剤にて反射され、効率の良
いチップ型発光ダイオードを提供することができるとい
う効果を奏する。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、半
導体装置の一例としてのチップ型ＬＥＤに適用した場合
の図面について説明する。図１〜図６は、第１の実施の
形態を示す。チップ型ＬＥＤは、絶縁基板からなる平面
視四角形状（正方形及び長方形を含む以下同じ）の回路
基板１０の表面に形成された第１外部接続用電極１３と
第２外部接続用電極１４とに、半田ペースト等の加熱溶
融性のダイボンディング剤を塗布した後、これらに上下
反転させた半導体チップの第１電極部２及び第２電極部
３をそれぞれ対応させて合わせように載せて加熱した
後、前記ダイボンディング剤の凝固にて位置固定され
て、電気的に接続させ、次いで、発光ダイオードチップ
１全体を覆うように、回路基板１０の表面側に透光性の
合成樹脂製のモールド部１９を設けたものである。
【００３７】図１（ａ）及び図１（ｂ）に示す半導体チ
ップの１例としての発光ダイオードチップ（発光素子）
１の構成は従来例（前述）と略同じである。即ち、透明
なサファイアを用いた平面視四角形状（正方形及び長方
形を含む以下同じ）の結晶基板１ａから上へ順にＧａＮ
バッファ層１ｂ、ｎ型ＧａＮ層１ｃ、ＩｎＧａＮ活性層
１ｄ、ｐ型ＡｌＧａＮ層１ｅ、及びｐ型ＧａＮ層１ｆで
あってダブルヘテロ構造をなす。
【００３８】前記ｎ型ＧａＮ層１ｃの１つの角部の上面
はエッチングにより段差状に除去され、この除去された
部分にＴｉ及びＡｕの積層膜とその上にＮｉとＡｕの積
層膜とを重ねたｎ側電極である第１電極部２が蒸着法に
よって形成されている。また、前記エッチングによる除
去部分を除いた部分、即ち、前記第１電極部２が位置す
る角部に対して対角線上に位置する他の角部を含み且つ
当該他の角部を挟む結晶基板１ａの２側辺に沿って延び
るように形成された最上層のｐ型ＧａＮ層１ｆの上面に
は、ＮｉとＡｕの積層膜からなるｐ型電極である第２電
極部３が前記と同様に蒸着法によって形成されている。
従って、第１電極部２は前記１つの角部に小さい領域で
例えば平面視略５角形状に形成される一方、第２電極部
３は、前記第１電極部２と平面視で略Ｌ状の隙間４を隔
てて配置される大きい面積（領域）の略Ｌ状に形成され
ている。
【００３９】他方、チップ型の回路基板１０は、図２及
び図３に示すように、ガラスエポキシ等の電気絶縁性の
平面視略四角形状の基板からなり、その回路基板１０に
は、相対峙する一対の側辺に、金属膜による一対の端子
電極１１、１２が形成されている。なお、前記両端子電
極１１、１２は、回路基板１０の上面から端面及び下面
にわたるように延びている。
【００４０】回路基板１０の表面（上面）には、前記端
子電極１１に電気的に接続される第１外部接続用電極１
３と、端子電極１２に電気的に接続される第２外部接続
用電極１４とが同じく金属膜によりパターン形成されて
いる。
【００４１】そして、図２及び図３に示されているよう
に、前記第１外部接続用電極１３は、基端が前記端子電
極１１に連設された１本の第１リード部１５を有し、該
第１リード部１５は回路基板１０の長手方向に伸びる側
縁１０ａ，１０ｂと平行状に形成されている。第１リー
ド部１５の先端部は前記発光ダイオードチップ１におけ
る第１電極部２と平面視で重なるように配置される。
【００４２】第２外部接続用電極１４は、前記他方の端
子電極１２に基端が各々連設された複数本の第２リード
部１６ａ，１６ｂと、平面視Ｌ字状の第３リード部１７
とを備える（有する）。第２リード部１６ａ，１６ｂ及
び第３リード部１７も、回路基板１０の長手方向に伸び
る側縁１０ａ，１０ｂと平行状に形成されており、且つ
第１リード部１５に対して少なくとも１本の第２リード
部（実施例では、第２リード部１６ｂ）及び第３リード
部１７が、それぞれ直線状に並ばないように、適宜寸法
Ｈ１、Ｈ２だけ偏倚されている（図３参照）。そして、
前記第２リード部１６ａ，１６ｂ及び第３リード部１７
の各先端部は前記発光ダイオードチップ１における第２
電極部３と平面視で重なるように配置されている。
【００４３】また、前記第１リード部１５、第２リード
部１６ａ，１６ｂ及び第３リード部１７の幅寸法Ｈ３
は、発光ダイオードチップ１の結晶基板１ａの１側辺の
長さの略0.3 〜0.1 倍程度の細幅であり、端子電極１１
及び端子電極１２表面側と一体的にパターン形成された
ものである。
【００４４】そして、前記発光ダイオードチップ１にお
ける第１電極部２及び第２電極部３の各上面を下向きに
反転させ、この第１電極部２及び第２電極部３を、チッ
プ型の回路基板１０の表面に形成された第１外部接続用
電極１３における第１リード部１５と第２外部接続用電
極１４における第２リード部１６ａ，１６ｂ及び第３リ
ード部１７に対して、半田ペースト等の加熱溶融性のダ
イボンディング剤２０により接続固定するように構成さ
れている。
【００４５】その場合、第１実施形態では、第１リード
部１５、第２リード部１６ａ，１６ｂ及び第３リード部
１７の各先端部近傍の表面に、図６（ａ）でハッチング
の位置で示すように、前記半田ペースト等の加熱溶融性
のダイボンディング剤２０を塗着する。次いで、このダ
イボンディング剤２０の上に、発光ダイオードチップ１
を第１電極部２及び第２電極部３が下向きになるように
反転させて載せ、その状態で半田等の溶融点以上の温度
に加熱した後、冷却してダイボンディング剤２０を凝固
させる。
【００４６】前記第１リード部１５の上面の先端部上に
前記第１電極部２が位置し、且つ第２リード部１６ａ，
１６ｂ及び第３リード部１７の各上面の先端部が第２電
極部３上に重なるように発光ダイオードチップ１を配置
する。このときの発光ダイオードチップ１（結晶基板１
ａ）を平面視で見たときの４側辺を図２に示すごとく、
第１側辺１ａ１、第２側辺１ａ２、第３側辺１ａ３、第
４側辺１ａ４とするとき、図６（ａ）に示すように、平
面視において、前記第１リード部１５は、平面視四角形
の発光ダイオードチップ１（結晶基板１ａ）の第１側辺
１ａ１と交差するように伸びる。また、第２リード部１
６ａ，１６ｂは、前記発光ダイオードチップ１（結晶基
板１ａ）の第３側辺１ａ３と交差するように伸びる。他
方、第３リード部１７の基端側は、結晶基板１ａの第４
側辺１ａ４と平行状で且つ当該第４側辺１ａ４より外に
位置し、第３リード部１７の先端部１７ａ（Ｌ字状に屈
曲した部分）が前記第４側辺１ａ４と交差するように伸
びている。
【００４７】そして、上述のように、発光ダイオードチ
ップ１を回路基板の上面に載せるときに、図６（ａ）に
二点鎖線で示すように、回路基板１０の一対の側縁１０
ａ，１０ｂに対して、発光ダイオードチップ１における
第１側辺１ａ１及び第４側辺１ａ４が非平行状に傾いた
状態、或いは、発光ダイオードチップ１が前記回路基板
１０の表面の中心からずれた位置に載せられている場合
に、加熱溶融した半田（ダイボンディング剤）２０にお
ける表面張力が、各リード部１５、１６ａ，１６ｂ，１
７ａと発光ダイオードチップ１の各側辺１ａ１，１ａ
３，１ａ４との交差部に同時に作用するから、この表面
張力によるセルフアライメント現象にて、平面視四角形
の発光ダイオードチップ１は、前記第１リード部１５の
伸びる方向と発光ダイオードチップ１の第１側辺１ａ１
の交差角度が平面視で略９０度になり、同様に、第２リ
ード部１６ａ，１６ｂの伸びる方向と第３側辺１ａ３と
の交差角度が平面視で略９０度となり、さらに、第３リ
ード部１７の先端部１７ａの伸びる方向と第４側辺１ａ
４との交差角度が平面視で略９０度となるように、姿勢
の向きに自動的に修正される（図６（ｂ）参照）。実施
形態では、前記第１リード部１５及び第２リード部１６
ａ，１６ｂの伸びる方向が回路基板１０の一対の側縁１
０ａ（１０ｂ）と平行状に形成されているから、四角形
の発光ダイオードチップ１の第１側辺１ａ１と回路基板
１０の側縁１０ａとが平行状になるように姿勢修正され
るのである。
【００４８】そして、前記発光ダイオードチップ１は、
前記のように修正された姿勢のままで、溶融半田の凝固
にて固定される。前記図２〜図６において、第３リード
部１７を省略した実施の形態であっても良い。
【００４９】なお、図６（ａ）の実施形態では、第１リ
ード部１５の先端部（第１電極部２との接合部の位置及
び第１リード部１５の伸びる線が、発光ダイオードチッ
プ１（結晶基板１ａ）の平面視の面積の中心から大きく
離れている一方、第２リード部１６ａ，１６ｂの伸びる
線及び第３リード部１７の先端部１７ａの伸びる線は発
光ダイオードチップ１の平面視の面積の中心に近い。し
たがって、溶融したダイボンディング剤２０による表面
張力が作用するモーメント力（半導体チップをその中心
点回りに回動させる力）は、第１リード部１５側で大き
くなるので、前記第１リード部１５及び第２リード部の
伸びる方向と交差する結晶基板の２つの相対向する側辺
（第１側辺１ａ１と第３側辺１ａ３と）が、前記両リー
ド部の伸びる方向に対して直交しない非平行の向き姿勢
（傾き姿勢）で載せられた場合にも、前記第１リード部
１５及び第２リード部１６ａ，１６ｂの伸びる方向と、
それに交差する結晶基板１ａの２つの相対向する側辺
（第１側辺１ａ１と第３側辺１ａ３と）との交差角度が
略９０度になるように自動的に姿勢変更されるととも
に、当該発光ダイオードチップ１が回路基板１０の表面
積における中心に正確に位置するように自動的に修正さ
れる作用が強くなると考えられる。
【００５０】図７（ａ）及び図７（ｂ）で示す第２実施
形態では、前記第１リード部１５、第２リード部１６
ａ，１６ｂ及び第３リード部１７の表面（上面）と回路
基板１０の表面のうち、発光ダイオードチップ１の外周
寄り部位、換言すると、各リード部の基端側（端子電極
１１、１２に近い側）にレジスト膜２１を塗着して覆っ
た後、第１リード部１５、第２リード部１６ａ，１６ｂ
及び第３リード部１７の各先端部近傍の表面に、図７
（ａ）でハッチングの位置で示すように、前記半田等の
加熱溶融性のダイボンディング剤２０を塗着する。
【００５１】前記各リード部１５、１６ａ，１６ｂ、１
７の上面に塗着された半田（ダイボンディング剤）２０
が溶融したとき、例えば、前記各リード部１５、１６
ａ，１６ｂ、１７の基端側に塗着量が多くてその方向に
溶融半田（ダイボンディング剤）２０が引かれて、第１
電極部２及び第２電極部３から、前記溶融半田が外れた
位置まで移動してしまうと、各リード部と電極部と電気
的接合不良が発生する。しかし、上述のような位置にレ
ジスト膜２１を形成しておけば、当該レジスト膜２１に
邪魔されて、各リード部の伸びる方向に沿っての溶融半
田の移動が阻止されるから、前記セルフアライメントに
よる効果による姿勢修正の作用が向上すると共に、電気
的接合不良も防止できる。この溶融ダイボンディング剤
２０の移動を阻止するためには、各リード部だけにレジ
スト膜２１を塗着するのみで良い。さらに、レジスト膜
２１を白色等、光反射率の高い色のものを使用した場
合、発光ダイオードチップ１から発射された光が、回路
基板１０の表面側であるレジスト膜２１にて反射される
効率が高くなり、発光ダイオードチップの光効率が向上
するという効果も奏する。
【００５２】図８（ａ）、図８（ｂ）に示す第３実施形
態では、第１外部接続用電極１３としての第１リード部
１５は前記第１、第２実施形態と同じであるが、第２外
部接続用電極１４としての第２リード部２２は１本であ
り、且つ第１リード部１５と第２リード部２２とは適宜
寸法Ｈ４だけ偏倚している。さらに、第２リード部２２
の先端部は、平面視でＬ字状等で少なくとも第２リード
部２２の伸びる方向と交差する方向に伸びるように先端
電極片２３が一体的に形成されているものである。
【００５３】このように構成することにより、第１リー
ド部１５の先端部と、第２リード部２２とその各先端電
極部２３近傍の表面に、図８（ａ）でハッチングの位置
で示すように、前記半田ペースト等の加熱溶融性のダイ
ボンディング剤２０を塗着する。次いで、このダイボン
ディング剤２０の上に、発光ダイオードチップ１を第１
電極部２及び第２電極部３が下向きになるように反転さ
せて載せ、その状態で半田等の溶融点以上の温度に加熱
した後、冷却してダイボンディング剤２０を凝固させ
る。
【００５４】その場合に、図８（ａ）に二点鎖線で示す
ように、回路基板１０の一対の側縁１０ａ，１０ｂに対
して、発光ダイオードチップ１における第１側辺１ａ１
及び第４側辺１ａ４が非平行状に傾いた状態、或いは、
発光ダイオードチップ１が前記回路基板１０の表面の中
心からずれた位置に載せられている場合であっても、加
熱溶融した半田（ダイボンディング剤）２０における表
面張力が、各リード部１５、２２と発光ダイオードチッ
プ１の各側辺１ａ１，１ａ３との交差部に同時に作用す
るから、この表面張力によるセルフアライメント現象に
て、平面視四角形の発光ダイオードチップ１は、前記第
１リード部１５の伸びる方向と発光ダイオードチップ１
の第１側辺１ａ１の交差角度が平面視で略９０度にな
り、同様に、第２リード部２２の伸びる方向と第３側辺
１ａ３との交差角度が平面視で略９０度となるように、
姿勢の向きに自動的に修正される（図８（ｂ）参照）。
また、第２リード部２２における先端電極片２３の存在
により、第２電極部３との電気的接合が良好となる。
【００５５】図９（ａ）及び図９（ｂ）に示す第４実施
形態は、前記第３実施形態の形態のリード部１５、２２
と回路基板１０の表面とに対して発光ダイオードチップ
１の外周寄り部位にレジスト膜２１を塗着形成した場合
であって、第３実施形態による作用・効果に加えて、第
２実施形態（図７（ａ）及び図７（ｂ）参照）と同様の
作用・効果を奏することができる。
【００５６】図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示す第５
実施形態は、前記第３実施形態の形態の第１リード部１
５に対して第２リード部２２は略同一直線上に配置され
ている。そして、この第２リード部２２の先端部には、
当該第２リード部２２が延びる方向と略直交する方向に
延びる第１先端電極片２３ａと、該第１先端電極片２３
ａと平面視で略直交する方向に延びる第２先端電極片２
３ｂとが一体的にパターン形成されており、且つ第２先
端電極片２３ｂは、前記第１リード部１５と適宜寸法Ｈ
５だけ偏倚している。また、前記第１先端電極片２３ａ
及び第２先端電極片２３ｂは 発光ダイオードチップ１
（結晶基板１ａ）の第２電極部３に接続する（重なる）
位置に形成される。
【００５７】このように構成することにより、第１リー
ド部１５の先端部と、第２リード部２２とその第１先端
電極片２３ａ及び第２先端電極片２３ｂの表面に、図１
０（ａ）でハッチングの位置で示すように、前記半田ペ
ースト等の加熱溶融性のダイボンディング剤２０を塗着
する。次いで、このダイボンディング剤２０の上に、発
光ダイオードチップ１を第１電極部２及び第２電極部３
が下向きになるように反転させて載せ、その状態で半田
等の溶融点以上の温度に加熱した後、冷却してダイボン
ディング剤２０を凝固させる。
【００５８】その場合に、図１０（ａ）に二点鎖線で示
すように、回路基板１０の一対の側縁１０ａ，１０ｂに
対して、発光ダイオードチップ１における第１側辺１ａ
１及び第４側辺１ａ４が非平行状に傾いた状態、或い
は、発光ダイオードチップ１が前記回路基板１０の表面
の中心からずれた位置に載せられている場合であって
も、加熱溶融した半田（ダイボンディング剤）２０にお
ける表面張力が、各リード部１５、２２と発光ダイオー
ドチップ１の各側辺１ａ１，１ａ３との交差部に同時に
作用すると共に第１先端電極片２３ａ及び第２先端電極
片２３ｂの表面と第２電極部の表面との隙間にも同時に
作用するから、これらの表面張力によるセルフアライメ
ント現象にて、平面視四角形の発光ダイオードチップ１
は、前記第１リード部１５の伸びる方向と発光ダイオー
ドチップ１の第１側辺１ａ１の交差角度が平面視で略９
０度になり、同様に、第２リード部２２の伸びる方向と
第３側辺１ａ３との交差角度が平面視で略９０度となる
ように、姿勢の向きに自動的に修正される（図８（ｂ）
参照）。また、第２リード部２２における第１先端電極
片２３ａ及び第２先端電極片２３ｂの存在により、第２
電極部３との電気的接合が良好となる。
【００５９】図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示す第６
実施形態は、前記第５実施形態の形態のリード部１５、
２２と回路基板１０の表面とに対して発光ダイオードチ
ップ１の外周寄り部位にレジスト膜２１を塗着形成した
場合であって、第５実施形態による作用・効果に加え
て、第２実施形態（図７（ａ）及び図７（ｂ）参照）と
同様の作用・効果を奏することができる。
【００６０】図１２に示す第7 実施形態では、発光ダイ
オードチップ１における平面視略四角形状の結晶基板１
ａの片面に形成された第１電極部２は、当該結晶基板の
一つ側辺の略中央部に形成された１つの小さい領域のも
のであり、第２電極部３は、前記第１電極部２と対峙
し、且つ結晶基板１ａの他の３側辺に沿って伸びるよう
に形成された大きい領域のものであって、図１２におい
て左右対称形状となる。回路基板１０の表面には、前記
第１電極部２及び第２電極部３とにそれぞれ半田ペース
ト等の加熱溶融性のダイボンディング剤２０により接合
される第１外部接続用電極１２と第２外部接続用電極１
３とが次に述べるようにパターン形成され、回路基板１
０の両端の端子電極１１、１２にそれぞれ一体的連設さ
れている。そして、前記第１外部接続用電極１１には、
前記結晶基板１ａにおける１側辺と交差するように伸び
る細巾の第１リード部２４を一体的に設け、前記第２外
部接続用電極１２には、前記第１リード部２４が伸びる
方向と反対向きに延び、且つ前記第１リード部２４が交
差する１側辺と略平行な結晶基板１ａの１側辺と交差す
るように伸びる一本の第２リード部２５を設け、この第
２リード部２５の先端には、前記第２電極部３に接合で
きる先端電極片２５ａが一体的に形成されているもので
ある。
【００６１】本実施形態では、発光ダイオードチップ１
における第１電極部２及び第２電極部３が左右対称形状
であると共に、第１リード部２４と第２リード部２５が
同一直線上に延びているから、加熱溶融した半田におけ
る表面張力が第１リード部２４と第２リード部２５との
伸びる方向とそれらに交差する発光ダイオードチップ１
（結晶基板１ａ）の相対峙する２つの側辺に沿う方向と
に同時且つ略同じ強さで（略均等に）作用するので、発
光ダイオードチップ１における各側面が回路基板１０に
おける左右側縁１０ａ，１０ｂに対して非平行の向き姿
勢で載せられているか、或いは、発光ダイオードチップ
１が前記回路基板１０の表面の中心からずれた位置に載
せられている場合にも、前記表面張力によるセルフアラ
イメント作用にて、前記四角形の発光ダイオードチップ
１は、その各側面が四角形の回路基板１０における各側
縁と平行又は略平行になる姿勢の向きに自動的に修正さ
れるとともに、当該発光ダイオードチップ１が回路基板
１０の表面積の中心に正確に位置するように自動的に修
正されることになる。
【００６２】そして、前記発光ダイオードチップ１は、
前記のように修正された姿勢のままで、溶融半田の凝固
にて固定される。
【００６３】前記各実施形態において、本発明者達の実
験によると、加熱溶融した半田における表面張力のセル
フアライメントによる前記した自動的な修正は、各リー
ド部の幅寸法を、前記発光ダイオードチップ１における
四角形の各辺の長さ寸法の0.1 〜0.3 倍程度にしたと
き、確実に達成できるのであり、導電性ペースト等の半
田ペースト以外の熱溶融性のダイボンディング剤につい
ても同様であった。
【００６４】つまり、前記各実施形態のように構成する
ことにより、回路基板１０に対する発光ダイオードチッ
プ１のダイボンディングに際して、ダイボンディング剤
のセルフアライメントにより、回路基板１０における各
リード部の伸びる方向と発光ダイオードチップ１の一対
の側面とが略平行になるように、姿勢修正できるからこ
の発光ダイオードチップ１をパッケージするモールド部
１９及び回路基板１０における幅寸法を、従来の場合よ
りも小さくでき、ひいては、チップ型ＬＥＤを小型・軽
量化できるとともに、発光ダイオードチップ１からの発
射される光の指向性のバラ付きを小さくできる。
【００６５】前記実施の形態は、発光ダイオードチップ
を使用したチップ型ＬＥＤに適用した場合であったが、
本発明は、このチップ型ＬＥＤに限らず、ダイオード又
はトランジスター等の他の半導体装置に適用できること
はいうまでもない。
【図面の簡単な説明】
【図１】 （ａ）は本発明に適用にする第１実施形態の
発光ダイオードチップの上面図、（ｂ）は図１（ａ）の
Ib−Ib線矢視断面図である。
【図２】 第１実施形態のチップ型ＬＥＤを示す斜視図
である。
【図３】 第１実施形態のチップ型ＬＥＤを示す平面図
である。
【図４】 図２及び図３のIV−IV線矢視断面図である。
【図５】 図２及び図３のＶ−Ｖ線矢視断面図である。
【図６】 （ａ）は第１実施形態において回路基板に発
光ダイオードチップを載せた状態を示す平面図、（ｂ）
はダイボンディング剤が凝固して発光ダイオードチップ
の姿勢が保持された状態を示す平面図である。
【図７】 （ａ）は第２実施形態におけるレジスト膜の
配置を示す平面図、（ｂ）はダイボンディング剤が凝固
して発光ダイオードチップの姿勢が保持された状態を示
す平面図である。
【図８】 （ａ）は第３実施形態において回路基板に発
光ダイオードチップを載せた状態を示す平面図、（ｂ）
はダイボンディング剤が凝固して発光ダイオードチップ
の姿勢が保持された状態を示す平面図である。
【図９】 （ａ）は第４実施形態におけるレジスト膜の
配置を示す平面図、（ｂ）はダイボンディング剤が凝固
して発光ダイオードチップの姿勢が保持された状態を示
す平面図である。
【図１０】 （ａ）は第５実施形態において回路基板に
発光ダイオードチップを載せた状態を示す平面図、
（ｂ）はダイボンディング剤が凝固して発光ダイオード
チップの姿勢が保持された状態を示す平面図である。
【図１１】 （ａ）は第６実施形態におけるレジスト膜
の配置を示す平面図、（ｂ）はダイボンディング剤が凝
固して発光ダイオードチップの姿勢が保持された状態を
示す平面図である。
【図１２】 第７実施形態におけるダイボンディング剤
が凝固して発光ダイオードチップの姿勢が保持された状
態を示す平面図である。
【符号の説明】
１ 半導体チップ（発光ダイオー
ドチップ） ２ 第１電極部 ３ 第２電極部 １０ 回路基板 １０ａ，１０ｂ 側縁 １１、１２ 端子電極 １３ 第１外部接続用電極 １４ 第２外部接続用電極 １５、２４ 第１リード部 １６ａ，１６ｂ，２２，２５ 第２リード部 １７ 第３リード部 １７ａ 先端部 １９ モールド部 ２０ 半田ペースト（ダイボンデ
ィング剤） ２３、２３ａ、２３ｂ、２５ａ 先端電極片

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 平面視略四角形状の結晶基板の片面に、
    当該結晶基板の一つの角部に形成された１つの小さい領
    域の第１電極部と、該第１電極部と対峙し、且つ前記１
    つの角部に対して対角線上に位置する他の角部を含み、
    当該他の角部を挟む結晶基板の２側辺に沿って伸びるよ
    うに形成された大きい領域の第２電極部とを備えた半導
    体チップと、 前記第１電極部及び第２電極部とにそれぞれ半田ペース
    ト等の加熱溶融性のダイボンディング剤により接合され
    る一対の外部接続用電極が表面に形成された回路基板と
    からなり、 前記外部接続用電極は、前記第１電極部に接続する第１
    外部接続用電極と、前記第２電極部に接続する第２外部
    接続用電極とにより構成され、 前記第１外部接続用電極には、前記結晶基板における１
    側辺と交差するように伸びる細巾の第１リード部を有
    し、 前記第２外部接続用電極には、前記第１リード部が伸び
    る方向と反対向きに延び、且つ前記第１リード部が交差
    する１側辺と略平行な結晶基板の１側辺と交差するよう
    に伸びる少なくとも一本の細巾の第２リード部を有し、 前記第１リード部及び第２リード部は、互いに適宜寸法
    だけ偏倚して配置されていることを特徴とする半導体チ
    ップを使用した半導体装置。
  2. 【請求項２】 平面視略四角形状の結晶基板の片面に、
    当該結晶基板の一つの角部に形成された１つの小さい領
    域の第１電極部と、該第１電極部と対峙し、且つ前記１
    つの角部に対して対角線上に位置する他の角部を含み、
    当該他の角部を挟む結晶基板の２側辺に沿って伸びるよ
    うに形成された大きい領域の第２電極部とを備えた半導
    体チップと、 前記第１電極部及び第２電極部とにそれぞれ半田ペース
    ト等の加熱溶融性のダイボンディング剤により接合され
    る一対の外部接続用電極が表面に形成された回路基板と
    からなり、 前記外部接続用電極は、前記第１電極部と接続する第１
    外部接続用電極と、前記第２電極部に接続する第２外部
    接続用電極とにより構成され、 前記第１外部接続用電極には、前記結晶基板における１
    側辺と交差するように伸びる細巾の第１リード部を有
    し、 前記第２外部接続用電極には、前記第１リード部が伸び
    る方向と反対向きに延び、且つ前記第１リード部が交差
    する１側辺と略平行な結晶基板の１側辺と交差するよう
    に伸びる少なくとも一本の細巾の第２リード部を有し、 前記第２リード部の先端部には前記第２電極部と接続
    し、且つ前記第１リード部と平行状であって、適宜寸法
    だけ偏倚して配置される先端電極片を有していることを
    特徴とする半導体チップを使用した半導体装置。
  3. 【請求項３】 平面視略四角形状の結晶基板の片面に、
    当該結晶基板の一つ側辺の略中央部に形成された１つの
    小さい領域の第１電極部と、該第１電極部と対峙し、且
    つ結晶基板の他の３側辺に沿って伸びるように形成され
    た大きい領域の第２電極部とを備えた半導体チップと、 前記第１電極部及び第２電極部とにそれぞれ半田ペース
    ト等の加熱溶融性のダイボンディング剤により接合され
    る一対の外部接続用電極が表面に形成された回路基板と
    からなり、 前記外部接続用電極は、前記第１電極部に接続する第１
    外部接続用電極と、前記第２電極部に接続する第２外部
    接続用電極とにより構成され、 前記第１外部接続用電極には、前記結晶基板における１
    側辺と交差するように伸びる細巾の第１リード部を有
    し、 前記第２外部接続用電極には、前記第１リード部が伸び
    る方向と反対向きに延び、且つ前記第１リード部が交差
    する１側辺と略平行な結晶基板の１側辺と交差するよう
    に伸びる少なくとも一本の細巾の第２リード部を有する
    ことを特徴とする半導体チップを使用した半導体装置。
  4. 【請求項４】 前記第２外部接続用電極の第２リード部
    には、その先端部に当該第２リード部と少なくとも交差
    する方向に伸びて前記第２電極部に接続する先端電極片
    を備えたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに
    記載の半導体チップを使用した半導体装置。
  5. 【請求項５】 前記第１リード部及び第２リード部の幅
    寸法は、前記結晶基板における相対向する各側辺の長さ
    の０．３〜０．１倍程度に設定されていることを特徴と
    する請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体チップを
    使用した半導体装置。
  6. 【請求項６】 前記結晶基板における前記第２リード部
    が交差する側辺と交差する側辺に対して略平行状に延
    び、且つ先端が当該側辺と交差して第２電極部に接触す
    るようにした第３リード部を、前記第２外部接続用電極
    に連設したことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか
    に記載の半導体チップを使用した半導体装置。
  7. 【請求項７】 前記半導体チップは、発光素子であり、
    少なくとも前記半導体チップを、光透過性の合成樹脂製
    のモールド部にてパッケージしたことを特徴とする請求
    項１乃至６のいずれかに記載の半導体チップを使用した
    半導体装置。
  8. 【請求項８】 レジスト膜を前記第１リード部、第２リ
    ード部及び第３リード部のうち半導体チップの外周寄り
    部位に形成したことを特徴とする請求項１乃至７のいず
    れかに記載の半導体チップを使用した半導体装置。
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