CN108735885A - 光源装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供抑制将发光装置向基板安装时的位置偏移的光源装置。光源装置具备：电子部件，其在下表面具有第一电极和第二电极，在下表面，第一电极具有隔着分离区域而分离的第一部及第二部；以及基板，其具有基材、及在该基材的上表面配置的一对配线层，电子部件被载置为，一对配线层的上表面与电子部件的位于下表面的第一电极以及第二电极相面对，其特征在于，基板在与分离区域相面对的位置具有第一区域，第一区域是焊料润湿性比位于第一区域以外的一对配线层的表面的焊料润湿性差的区域。

Description

光源装置
技术领域
本发明涉及光源装置。
背景技术
在基板上安装有一个以上的发光装置的光源装置被广泛利用。在这种光源装置中，已知发光装置的取向对光源装置的出射光具有影响(专利文献1等)。因此，谋求如下的光源装置：在发光装置安装后，抑制发光装置的位置偏移，以使得发光装置的配光成为期望的配光。
专利文献1：日本特开2015-241247号公报
发明内容
发明所要解决的课题
本发明的实施方式的目的在于提供抑制将发光装置向基板安装时的位置偏移的光源装置。
用于解决课题的方案
本发明的实施方式的光源装置具备：电子部件，其在下表面具有第一电极和第二电极，在下表面，第一电极具有隔着分离区域而分离的第一部及第二部；以及基板，其具有基材、及在该基材的上表面配置的一对配线层，电子部件被载置为，一对配线层的上表面与电子部件的位于下表面的第一电极以及第二电极相面对，基板在与分离区域相面对的位置具有第一区域，第一区域是焊料润湿性比位于第一区域以外的一对配线层的表面的焊料润湿性差的区域。
发明效果
根据本发明的实施方式，能够提供抑制将发光装置向基板安装时的位置偏移的光源装置。
附图说明
图1是示出本发明的光源装置的一实施方式的示意俯视图。
图2A是示出搭载于图1的光源装置的电子部件的一实施方式的示意俯视图。
图2B是示出图2A的电子部件的示意仰视图。
图2C是图2A所示的I-I’线处的示意剖视图。
图2D是图2A的电子部件的俯视时的示意透视图。
图3A是示出构成图1的光源装置的基板的一实施方式的示意俯视图。
图3B是用于对基板与电子部件的位置关系进行说明的示意透视图。
图4A是示出搭载于本发明的光源装置的电子部件的另一实施方式的示意透视图。
图4B是示出图4A的电子部件的示意仰视图。
图4C是用于对基板与电子部件的位置关系进行说明的示意透视图。
图5是用于对基板与电子部件的位置关系进行说明的示意透视图。
附图标记说明
10光源装置；11、31发光装置；11a电子部件11b下表面；11c第一边11d第二边12基板13、33封装件131母体；13a分离区域；13b凹陷部；14、34半导体发光元件；15、35、55第一电极；15X外周部分；15Y凹部；15a、35a、55a第一部；15b、35b、55b第二部；150a内侧部；150b内侧部；151a、151b、152a、153a侧部；16、36、56第二电极；16X外周部分；16Y凹部；17基材；18、38、58槽；19、19a、19b、39a、39b配线层；21、41第一区域；22、42第二区域；23覆盖部件；23a第一覆盖构件；23b第二覆盖构件；25齐纳二极管；31b分离区域。
具体实施方式
以下，适当参照附图对本发明的实施方式进行说明。但是，以下说明的实施方式仅用于将本发明的技术思想具体化，并不将本发明限定于以下内容。另外，在一实施方式中说明的内容也可以应用于其他实施方式。为了使说明明确，各附图所示的构件的大小、位置关系等存在夸张的情况。
〔光源装置〕
如图1所示，本发明的一实施方式的光源装置10具备电子部件11a和基板12。
〔电子部件11a〕
电子部件11a是搭载于基板12并构成光源装置10的一个部件。
电子部件11a例如能够使用发光二极管、激光二极管等半导体发光元件14、或者具有半导体发光元件14的发光装置11。
图2A～2C是示出作为电子部件11a而使用的发光装置11的一例的图。图2A是发光装置11的示意俯视图，图2B是发光装置11的示意仰视图，图2C是图2A所示的I-I’线处的示意剖视图。在图2C中，省略了导线的图示。发光装置11具备封装件13和半导体发光元件14。封装件13具有母体131、第一电极15以及第二电极16。在图2A所示的封装件13中，作为母体131使用将光反射性的树脂材料固化而得到的树脂部，母体131与第一电极15以及第二电极16形成为一体。
电子部件11a的俯视时的外形形状例如可以列举四边形等多边形、圆形、或者与它们近似的形状。例如，发光装置11的俯视时的外形形状为具有沿第一方向延伸的一对边和沿第二方向延伸的一对边的四边形。
第一电极15以及第二电极16是用于向电子部件11a供电的构件。因此，第一电极15以及第二电极16优选使用具有导电性且与焊料等接合构件的润湿性良好的材料。在图2A所示的发光装置11中，两个半导体发光元件14配置于第一电极15的上表面，两个半导体发光元件14经由导线而与第一电极15以及第二电极16电连接。需要说明的是，半导体发光元件14的配置并不限定于此，例如也可以配置为分别跨及第一电极15以及第二电极16。另外，也可以在第一电极21以及第二电极22各自的上表面配置有至少一个半导体发光元件14。
第一电极15以及第二电极16配置于电子部件11a的下表面11b。在图2B所示的发光装置11中，第一电极15以及第二电极16配置为在发光装置11的下表面11b从母体131露出。在电子部件11a的下表面11b配置的第一电极15以及第二电极16借助焊料而与后述的基板12的一对配线层19接合。
第一电极15在电子部件11a的下表面11b具有第一部15a以及第二部15b。第一部15a以及第二部15b隔着分离区域13a而分离。更具体而言，第一部15a以及第二部15b在电子部件11a的下表面11b隔着分离区域13a而分离，在与下表面11b相反的一侧的上表面侧，第一部15a以及第二部15b连结为一体。在图2B所示的发光装置11中，第一电极15在下表面具有凹陷部13b(由虚线包围的区域)，在凹陷部13b内配置有母体131的一部分。而且，在下表面11b中，第一部15a与第二部15b通过配置在凹陷部13b内的母体131而分离。需要说明的是，第一电极15的第一部15a与第二部15b之间的凹陷部13b能够通过公知的方法而形成。例如，准备平板状的金属板，通过实施蚀刻加工或者冲压加工，形成具备成为第一电极15的部分以及成为第二电极16的部分的引线框。然后，与形成成为第一电极15的部分以及成为第二电极16的部分的工序同时地，或者在另一工序中，在引线框形成凹陷部13b。具体而言，凹陷部13b通过在金属板或者引线框的下表面对成为第一电极15的部分的一部分以不在厚度方向上贯通的方式实施蚀刻加工或者冲压加工而形成。
在电子部件11a的下表面11b中，第一部15a的平面形状与第二部15b的平面形状不同。在图2B所示的发光装置11中，第一部15a以及第二部15b沿第一方向排列配置，第一部15a的沿第二方向延伸的宽度比第二部15b的沿第二方向延伸的宽度大。另外，第一部15a的沿第一方向延伸的宽度比第二部15b的沿第一方向延伸的宽度大。在第一电极15的第一部15a与第二部15b呈不同的形状的情况下，在向基板12安装电子部件11a时，分别施加于第一部15a以及第二部15b的焊料的拉伸强度不同。由此，在将电子部件11a安装在基板12上时，存在电子部件11a发生位置偏移的可能性。需要说明的是，在本发明的光源装置10中，基板12具有后述的焊料润湿性差的第一区域21，第一区域21设置在与位于第一部15a与第二部15b之间的分离区域13a相面对的位置。通过在基板12的特定的位置设置有第一区域21，从而即使第一电极15的第一部15a和第二部15b使用不同形状的电子部件，也能够通过第一区域21抑制电子部件11a的位置偏移，能够提高电子部件11a的安装精度。
以上，作为电子部件11a以发光装置11为例而进行了说明，但电子部件11a不限于发光装置。电子部件11a除此以外，还可以为半导体发光元件、功率半导体、电源整流用二极管、齐纳二极管、可变电容二极管、PIN二极管、肖特基势垒二极管、光电二极管、太阳能电池、浪涌保护用二极管、变阻器、电容器、电阻等两端子装置；晶体管、双极性晶体管、场效应晶体管、光电晶体管、CCD图像传感器、可控硅、光触发晶闸管等三端子装置；DRAM及SRAM等存储器；以及微处理器等。需要说明的是，在光源装置10具备多个电子部件11a的情况下，多个电子部件11a能够将发光装置11、上述的电子部件组合而使用。
半导体发光元件14特别优选包括能够发出紫外至可见区域的光的氮化物半导体(InxAlyGa1-x-yN，0≤x，0≤y，x+y≤1)。另外，在使用发光装置11作为电子部件11a的情况下，发光装置11可以具备一个半导体发光元件14，也可以具备两个以上的半导体发光元件14。在发光装置11具备两个半导体发光元件14的情况下，例如可以将出射蓝色光的发光元件与出射绿色光的发光元件组合而使用。另外，在发光装置11具备三个半导体发光元件14的情况下，例如可以将出射蓝色光的发光元件、出射绿色光的发光元件以及出射红色光的发光元件组合而使用。在半导体发光元件14为两个以上的情况下，各半导体发光元件以串联、并联或者串联与并联的组合的方式电连接。另外，在使用发光装置11作为电子部件11a的情况下，半导体发光元件14可以采用将电极形成面设为上侧而载置在封装件13上(面朝上安装)、或者将电极形成面设为下侧而载置在封装件13上(倒装安装)的任一方。需要说明的是，在使用半导体发光元件14作为电子部件11a的情况下，半导体发光元件14的第一电极15以及第二电极16形成于同一面，半导体发光元件14将电极形成面设为下侧而载置在基板12上(倒装安装)。
在使用发光装置11作为电子部件11a的情况下，构成封装件13的母体131的材料例如为氧化铝、氮化铝等陶瓷、树脂(例如、硅酮树脂、硅酮改性树脂、环氧树脂、环氧改性树脂、不饱和聚酯树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、三甲基戊烯树脂、聚降冰片烯树脂或者包含一种以上的上述树脂的混合树脂等)、纸浆、玻璃、或者它们的复合材料等。另外，封装件13的母体131可以为单层结构，也可以为包括多个层的多层结构。
对于第一电极15以及第二电极16，作为母材，例如可以使用铜、铝、金、银、钨、铁、镍等金属、或者铁-镍合金、磷青铜等合金等。另外，第一电极15以及第二电极16可以在母材的表面具备金属层。对于金属层而言，例如可以将银、铝、镍、钯、铑、金、铜、或者它们的合金等设为单层或者多个层。需要说明的是，第一电极15以及第二电极16可以具有未设置有金属层的区域。另外，在第一电极15以及第二电极16中，形成于上表面的金属层与形成于下表面的金属层可以不同。例如，可以为，形成于上表面的金属层为由包括镍的金属层在内的多个层构成的金属层，形成于下表面的金属层为不包括镍的金属层的金属层。另外，优选形成于上表面的金属层的厚度比形成于下表面的金属层的厚度厚。上表面侧的金属层厚，从而能够将来自半导体发光元件14的光高效地向上侧反射。另外，通过减薄不直接反射来自半导体发光元件14的光的下表面侧的金属层，能够抑制发光装置11的成本。在上表面的金属层的厚度与下表面的金属层的厚度不同的情况下，可以通过使各自的金属层的层数相同，但其中的一部分或者全部的层的厚度不同，从而改变整体的厚度。或者，也可以通过使上表面的金属层与下表面的金属层的层数不同，从而改变整体的厚度。
另外，在第一电极15以及第二电极16的最表面形成有银或者银合金的金属层的情况下，优选在银或者银合金的金属层的表面设置有氧化硅等的保护层。由此，能够抑制因大气中的硫成分等而使银或者银合金的金属层变色。对于保护层的成膜方法而言，例如可以通过溅射、原子层堆积法等真空工艺来成膜，也可以使用其他已知的方法。
〔基板12〕
图3A是搭载电子部件11a前的基板12的示意俯视图，图3B是用于对搭载电子部件11a后的基板12与电子部件11a的位置关系进行说明的示意透视图。如图3A所示，基板12具备基材17和一对配线层19(第一配线层19a以及第二配线层19b)。基板12是用于搭载电子部件11a的构件，并且是构成光源装置10的一个构件。如图3B所示，在电子部件11a的正下方配置有一对配线层19的一部分。具体而言，在电子部件11a的第一电极15的正下方配置有第一配线层19a的一部分，在电子部件11a的第二电极16的正下方配置有第二配线层19b的一部分。第一电极15以及第一配线层19a与第二电极16以及第二配线层19b分别借助焊料电连接。
基板12在俯视时与电子部件11a重叠的区域且与电子部件11a的下表面11b的分离区域13a相面对的位置具有第一区域21。第一区域21的焊料润湿性比位于第一区域21以外的区域的一对配线层19的表面的焊料润湿性差。在图3B中，在第一区域21中，在第一配线层19a设置有贯通孔，基材17的一部分在贯通孔的底部露出。在贯通孔的底部露出的基材17的一部分的焊料润湿性比一对配线层19的焊料润湿性差。而且，电子部件11a以电子部件11a的分离区域13a与基板12的第一区域21(贯通孔)相面对的方式钎焊安装在基板12上。通过以这种配置将电子部件11a安装于基板12，从而在俯视时，基板12的第一区域21位于电子部件11a的第一部15a与第二部15b之间。其结果是，借助焊料润湿性差的第一区域21，浸渗于第一部15a的焊料的一部分与浸渗于第二部15b的焊料的一部分分离。由此，能够使施加于第一部15a的焊料的拉力难以对第二部15b侧造成影响，另一方面，能够使施加于第二部15b的焊料的拉力难以对第一部15a侧造成影响。而且，其结果是，能够提高电子部件11a的自对准性。
第一区域21的焊料润湿性比位于第一区域21以外的区域的一对配线层19的表面的焊料润湿性差是指，焊料相对于第一区域21的亲和性(附着容易度)比焊料相对于第一区域21以外的一对配线层19的亲和性低。焊料润湿性能够由第一区域21或者一对配线层19的表面的焊料的接触角来表示。在焊料润湿性差的区域中，焊料的接触角大。因此，第一区域21中的焊料的接触角比一对配线层19的表面的焊料的接触角大。焊料的接触角能够通过液滴法、悬滴法、平板法、Washburn法等公知的方法进行测定。
在将电子部件11a搭载于基板12后，第一区域21位于在俯视时与第一部15a的内侧部150a以及第二部15b的内侧部150b的至少一方大致接触的位置。大致接触的位置是指例如分离0～50μm左右的距离。例如，在第一区域21位于在俯视时与第一部15a的内侧部150a大致接触的位置的情况下，能够抑制电子部件11a在从第一部15a朝向第二部15b的方向上发生位置偏移。另一方面，在第一区域21位于在俯视时与第二部15b的内侧部150b大致接触的位置的情况下，能够抑制电子部件11a在从第二部15b朝向第一部15a的方向上发生位置偏移。在图3B中，第一区域21设置在与第一部15a的内侧部150a以及第二部15b的内侧部150b双方接触的位置。由此，能够抑制第一方向的+方向和-方向双方的位置偏移。
第一区域21能够设为各种形状。对于第一区域21的平面形状而言，可以列举圆形、椭圆形、多边形、或者将上述形状结合而成的不规则的形状等。其中，优选第一区域21的平面形状为圆形、椭圆形等容易加工的形状。图3B所示的第一区域21在俯视时呈在第一方向上较长的跑道形状，但第一区域21的平面形状例如可以为在第二方向上较长的形状，也可以为具备与第一部15a的内侧部150a或者第二部15b的内侧部150b平行的直线的大致矩形形状。
第一区域21的宽度优选具有例如与分离区域13a相当的宽度，即，第一部15a与第二部15b的最短距离。另外，第一区域21可以设置在与分离区域13a相面对的整个区域，也可以如图3B所示设置在与分离区域13a相面对的区域中的部分区域。需要说明的是，第一区域21可以针对一个电子部件11a配置一个，也可以配置两个以上。
另外，基板12除第一区域21以外还可以具有第二区域22。第二区域22与第一区域21同样，是焊料润湿性比位于第一区域21以及第二区域22以外的区域的配线层19的表面的焊料润湿性差的区域。如上述那样，第一区域21设置在基板12的表面中的与电子部件11a的下表面11b的分离区域13a相面对的位置。另一方面，第二区域22设置在基板12的表面中的、除与电子部件11a的下表面11b的分离区域13a相面对的位置以外且与位于第一电极15以及第二电极16的周缘的附近区域相面对的位置。在图3B中，第二区域22设置在基板12的表面中的、与第一电极15以及第二电极16的四角的附近区域相面对的位置。
具体而言，电子部件11a的下表面11b具有在第二方向上分离的第一边11c以及第二边11d。而且，设置于基板12的第二区域22位于同分别被第一电极15以及第二电极16的侧部151a、151b与第一边11c夹着的区域的两端部相面对的位置、以及同被第一电极15的侧部152a、153a与第二边11d夹着的区域的两端部相面对的位置。而且，在第二区域22未设置有第一配线层19a以及第二配线层19b，基材17露出。各第二区域22位于在搭载电子部件11a时与各侧部151a、152a、153a、151b大致接触的位置。位于与各侧部151a、152a、153a、151b大致接触的位置是指例如各侧部151a、152a、153a、151b与第二区域22的距离为0～50μm。通过像这样在基板12的上表面中的、在第二方向上相互对置的第一边11c侧以及第二边11d侧的区域设置第二区域22，各第二区域22与第一电极15以及第二电极16的侧部位于大致接触的位置，从而能够抑制在借助焊料安装电子部件11a时电子部件11a在第二方向上偏移。由此，能够提高电子部件11a的自对准性，能够提高电子部件11a的安装精度。另外，通过将第二区域22设置在与第一电极15以及第二电极16的四角的附近区域相面对的位置，能够抑制电子部件11a旋转，电子部件11a的安装精度进一步提高。需要说明的是，电子部件11a向第一方向的位置偏移被第一区域21抑制。
在图3B所示的基板12中，第二区域22设置有多个，但第二区域22也可以为一个。另外，第一区域21与第二区域22的焊料润湿性优选相等，但也可以不同。
第一区域21不限于在一对配线层19设置有贯通孔的方式。例如，基板12可以在位于第一区域21的一对配线层19的上表面具有导电性构件或者绝缘性构件。导电性构件或者绝缘性构件使用焊料润湿性比位于第一区域21以外的区域的一对配线层19的表面的焊料润湿性差的材料。另外，基板12可以通过变更第一区域21中的一对配线层19的部分材料、或者变更一对配线层19的部分状态(表面粗糙度、表面处理状态等)而使焊料润湿性不同。对于第二区域22也与第一区域21相同。
作为构成第一区域21的绝缘性构件，可以列举硅酮树脂、硅酮改性树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、三甲基戊烯树脂、聚降冰片烯树脂、或者包括一种以上的上述的混合树脂等。另外，除此以外，可以使用氧化铝等氧化物、氮化铝等氮化物等。
作为构成第一区域21的导电性构件，能够从构成上述的一对配线层19、第一电极15以及第二电极16的材料中选择。
在使用从形成于一对配线层19的贯通孔露出的基材17作为第一区域21或者第二区域22的情况下，该贯通孔能够在上述的一对配线层19的图案化时同时地形成。通过在一对配线层19的图案化时同时形成贯通孔，能够低成本地形成第一区域21或者第二区域22。或者，能够通过利用了模具、辊压等的按压法、利用冲压的冲裁等而形成。
在使用导电性构件或者绝缘性构件作为第一区域21或者第二区域22的情况下，能够利用光刻以及溅射法、印刷法等配置于特定的位置。在该情况下，导电性构件等的厚度优选与电子部件11a和基板12的安装所使用的焊料的厚度相同、或比该焊料的厚度薄。在该方式中，不会减少一对配线层19的体积。因此，与贯通孔的方式相比，能够提高基板12的散热性。
作为第一区域21或者第二区域22，在使该区域中的配线层的表面粗糙度不同的情况下，能够通过研磨、激光刻划等而形成。在该方式中，能够在形成一对配线层19后，根据需要而高自由度地形成第一区域21或者第二区域22。
优选基板12除基材17和一对配线层19以外，还具备覆盖一对配线层19的上表面的覆盖构件23。覆盖构件23覆盖一对配线层19的上表面，从而能够保护一对配线层19，并且能够确保基板12的绝缘性。另外，覆盖构件23优选为光反射性高的构件，另外，优选为由多个层构成的层叠结构。作为覆盖构件23的优选方式，覆盖构件23具有第一覆盖构件23a和第二覆盖构件23b。第一覆盖构件23a覆盖基材17的上表面中的电子部件11a的载置区域以外的大致整个区域。而且，第二覆盖构件23b使用光反射性比第一覆盖构件23a的光反射性高的构件，并且局部地覆盖第一覆盖构件23a的上表面，例如，仅覆盖电子部件11a的附近。像这样覆盖构件23具有第一覆盖构件23a以及第二覆盖构件23b，并如上述那样配置各覆盖构件，从而能够通过第一覆盖构件23a来保护一对配线层19，并且能够通过第二覆盖构件23b将来自电子部件11a(发光装置11)的出射光高效地向上表面侧反射。第一覆盖构件23a以及第二覆盖构件23b能够使用树脂材料中含有光反射性物质的构件。
(基材17)
基材17在表面配设有一对配线层19。作为基材17的材料，例如可以列举铝或者铜等金属、氧化铝或者氮化铝等陶瓷、树脂、纸浆、玻璃、或者它们的复合材料等。作为复合材料，例如可以列举环氧玻璃、玻璃硅酮以及玻璃变性硅酮。基材17可以为单层结构，也可以为包括多个层的多层结构。
(一对配线层19)
一对配线层19是与电子部件11a电连接并向电子部件11a供电的构件。一对配线层19配置于基材17的上表面。一对配线层19具有第一配线层19a和第二配线层19b，第一配线层19a与第二配线层19b相互隔着槽18而分离。
一对配线层19例如能够由铜、铝、金、银、钨、铁、镍等金属、或者铁-镍合金、磷青铜等合金等形成。一对配线层19的表面可以由金属层等覆盖。
需要说明的是，基板12可以根据搭载在基材17上的电子部件11a的数量、电子部件11a的连接方式、或者一个电子部件的外部电极(或者端子)的数量等而在一对配线层19以外具备其他配线层。其他配线层例如可以是与通电无关而用于散热的部位。另外，第一配线层19a以及第二配线层19b在俯视时大小以及形状可以相互不同。
位于第一配线层19a与第二配线层19b之间的槽18同电子部件11a的第一电极15与第二电极16之间的区域相面对。
槽18的平面形状优选在一个电子部件的正下方弯曲。槽18的弯曲方向并不特别限定，例如可以列举槽18沿第二方向延伸并朝向第一方向弯曲的情况。从第二方向朝向第一方向的弯曲可以为一个，也可以为多个。并且，从第一方向朝向第二方向的弯曲可以为一个以上。
另外，优选在俯视时，同第一电极15与第二电极16之间的区域相面对的槽18的形状或者大小和第一电极15与第二电极16之间的区域的形状或者大小大致一致。
一对配线层19能够通过该领域中公知的方法以任意的形状形成在基材17上。例如，可以列举借助掩膜通过溅射法等而对成为配线层的材料进行成膜，并通过剥离进行图案化的方法；在整个面通过蒸镀等对成为配线层的材料进行成膜，并利用使用掩膜的光刻法等进行图案化的方法等。另外，也可以通过将预先图案化了的配线粘贴在基材17上而形成一对配线层19。
电子部件11a借助焊料安装于基板12的一对配线层19的上表面。对于焊料的材料而言，例如可以列举以Ag、Cu、Sn为主要成分的合金、以Cu、Sn为主要成分的合金、以Bi、Sn为主要成分的合金等。
对于借助这种焊料的安装，焊料在一对配线层19的上表面上延展，存在电子部件11a发生位置偏移的可能性。需要说明的是，在本发明的光源装置10中，基板12具有上述的第一区域21以及第二区域22，从而能够有效地确保安装电子部件11a时的自对准。其结果是，能够提高电子部件11a的安装精度。
(其他构件)
在使用发光装置11作为电子部件11a的情况下，发光装置11可以例如在成为其光导出面的上表面还具备密封构件等光学构件、齐纳二极管25等保护元件。
(实施方式1)
如图1所示，实施方式1的光源装置10具备相当于电子部件11a的发光装置11和基板12。
如图2A～2C所示，发光装置11具备两个半导体发光元件14和搭载该半导体发光元件14的封装件13。
封装件13具有母体131、第一电极15以及第二电极16，且具有大致正方形的平面形状(例如，3mm×3mm)，所述母体131包含含有15～25重量％的氧化钛的环氧树脂。第一电极15以及第二电极16包括铜和在铜的表面形成的金属层，最大厚度形成为200μm。第一电极15以及第二电极16通过导线与半导体发光元件14的一对电极电连接。
第一电极15在发光装置11的下表面11b具有第一部15a以及第二部15b。上述第一部15a以及第二部15b隔着分离区域13a而分离。
图2D是实施方式1的发光装置11的透视俯视图。如图2D所示，第一电极15以及第二电极16在外周部分15X、16X、第一部15a与第二部15b间的分离区域13a具有从下表面侧向上表面侧凹陷的凹陷部。另外，为了提高包含树脂材料的母体131与第一电极15以及第二电极16的紧贴性，在第一电极15以及第二电极16的上表面具有凹部15Y、16Y。在第一部15a的上表面形成的凹部15Y与在第二部15b的上表面形成的15Y在俯视时与分离区域13a重叠的区域分离。由此，在第一电极15的下表面形成的凹陷部与在上表面形成的凹部15Y在俯视时不重叠，因此能够确保第一电极15的强度。
在发光装置11的下表面11中，第一部15a的平面面积比第二部15b的平面面积大。
如图3A以及3B所示，基板12具备基材17和一对配线层19。实施方式1的基材17由单层结构的环氧玻璃构成，一对配线层19由铜形成。
基板12在搭载发光装置11的位置中的、与发光装置11的下表面11b的分离区域13a相面对的位置具有第一区域21。第一区域21是焊料润湿性比位于第一区域21以外的区域的一对配线层19的表面的焊料润湿性差的区域。具体而言，在位于第一区域21的一对配线层19形成有贯通孔，基材17的一部分在贯通孔的底部露出。换言之，在包含铜的一对配线层19中的、位于第一区域21的一对配线层19设置有贯通孔，包含环氧玻璃的基材17在贯通孔的底部露出。即，实施方式1中的第一区域21为基材17。包含环氧玻璃的基材17的表面的焊料润湿性比包含铜的一对配线层19的表面的焊料润湿性差。
基板12除第一区域21以外，还具有四个第二区域22。第二区域22与第一区域21同样，是焊料润湿性比位于第一区域21以及第二区域22以外的区域的一对配线层19的表面的焊料润湿性差的区域。第二区域22与第一区域21同样设置有贯通孔，基材17的一部分在贯通孔的底部露出。即，实施方式1中的第二区域22成为基材17。
一对配线层19隔着槽18配置于基材17的上表面。槽18配置在同发光装置11的第一电极15与第二电极16之间的区域相面对的基板12的上表面。槽的宽度例如为400μm。
槽18在一个半导体发光元件14的正下方同第一电极15与第二电极16的分离区域的形状相对应地弯曲。
一对配线层19的表面的一部分由覆盖构件23覆盖。覆盖构件23使与发光装置11的电连接所需的配线层的一部分露出，并覆盖包括其他配线层在内的基材17的表面。即，覆盖构件23具有使供发光装置11搭载的区域露出的开口。
覆盖构件23在基板12上具备遍及大致整个面而覆盖一对配线层19的第一覆盖构件23a、以及仅配置于发光装置11的周边的第二覆盖构件23b。
发光装置11借助焊料安装于基板12的配线层19。焊料的材料例如是以Ag、Cu、Sn为主要成分的合金。在借助焊料安装发光装置11的情况下，通常，焊料在配线层的上表面上延展，存在发光装置11发生位置偏移、产生发光装置的旋转等的可能性。但是，在本发明的光源装置10中，通过在基板12的特定的位置配置第一区域21以及第二区域22，能够有效地防止发光装置11的位置偏移。另外，在将光源装置10用作正下方型的背光用光源的情况下，有时在各发光装置11的上表面设置有透镜构件。即使在这种情况下，本发明的光源装置10有效地抑制了发光装置11的位置偏移，因此起到容易使各发光装置11的光轴与各透镜构件的光轴对齐的效果。
(实施方式2)
如图4A～4C所示，实施方式2的光源装置具备相当于电子部件11a的发光装置31和基板。图4A是发光装置31的俯视时的示意透视图，图4B是示出图4A的发光装置31的示意仰视图，图4C是用于对基板与发光装置31的位置关系进行说明的示意透视图。
如图4A所示，发光装置31呈在第一方向上较长的矩形形状，具备封装件33、搭载于封装件33的两个半导体发光元件34。发光装置31具备第一电极35以及第二电极36，第一电极35以及第二电极36在发光装置31的下表面露出。而且，第一电极35在发光装置31的下表面具有第一部35a以及第二部35b。第一部35a以及第二部35b隔着分离区域31b而分离。
第一电极35的第一部35a与第二部35b沿着第一方向排列配置。
如图4C所示，基板具备配置于上表面的一对配线层39a、39b，在一对配线层39a、39b之间配置有槽38。
槽18在一个发光装置31的正下方，与第一电极35和第二电极36的形状相对应地沿第二方向延伸并朝向第一方向弯曲。
基板在搭载发光装置31的位置中的、与发光装置31的下表面的分离区域31b相面对的位置具有第一区域41。基板除第一区域41以外，还具有四个第二区域42。在位于第一区域41的一对配线层39a、39b形成有贯通孔，基材的一部分在贯通孔的底部露出。同样地，在位于第二区域42的一对配线层39a、39b形成有贯通孔，基材的一部分在贯通孔的底部露出。
除上述以外，光源装置具有与实施方式1相同的结构。
像这样，通过在基板的特定的位置配置第一区域21以及第二区域22，能够有效地防止发光装置31的位置偏移。其结果是，能够有效地确保发光装置31的自对准，能够提高发光装置31的安装精度。
〔其他实施方式〕
本发明的电子部件的第一电极以及第二电极能够设为各种形状。图5是示出在电子部件的下表面露出的第一电极55以及第二电极56、配置于基板的第一区域21以及第二区域22的示意图。为了简化说明，电子部件、基板的外形等省略图示。
如图5所示，第一电极55在俯视时具有凸部，第二电极56具有与第一电极55相面对且收纳第一电极55的凸部的凹部。而且，第一电极55在电子部件的下表面具有大致矩形的第一部55a、与凸部相当的大致矩形的第二部55b。而且，在与第一部55a和第二部55b之间的分离区域51b相面对的位置配置有第一区域21。另外，在第一电极55以及第二电极56的角部附近配置有四个第二区域22。基板在上表面具备一对配线层，在一对配线层之间配置有槽58。
即使是这种第一电极以及第二电极的形状，也具有与实施方式1相同的效果。

Claims (9)

1.一种光源装置，具备：
电子部件，其在下表面具有第一电极和第二电极，在所述下表面，所述第一电极具有隔着分离区域而分离的第一部及第二部；以及
基板，其具有基材、及在该基材的上表面配置的一对配线层，
所述电子部件被载置为，所述一对配线层的上表面与所述电子部件的位于所述下表面的所述第一电极以及第二电极相面对，
所述光源装置的特征在于，
所述基板在与所述分离区域相面对的位置具有第一区域，
所述第一区域是焊料润湿性比位于所述第一区域以外的所述一对配线层的表面的焊料润湿性差的区域。
2.根据权利要求1所述的光源装置，其中，
在所述电子部件的下表面，所述第一部的平面形状与所述第二部的平面形状不同。
3.根据权利要求1或2所述的光源装置，其中，
在所述第一区域中，所述一对配线层具有贯通孔，
所述基材的一部分在所述贯通孔的底部露出。
4.根据权利要求1或2所述的光源装置，其中，
在所述第一区域中，所述一对配线层在上表面具有导电性构件或者绝缘性构件。
5.根据权利要求1或2所述的光源装置，其中，
所述第一区域中的所述一对配线层的表面粗糙度与所述第一区域以外的所述一对配线层的表面粗糙度不同。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光源装置，其中，
所述基板在除与所述电子部件的下表面的所述分离区域相面对的位置以外且与位于所述第一电极及所述第二电极的周缘的附近区域相面对的位置还具有焊料润湿性差的第二区域。
7.根据权利要求6所述的光源装置，其中，
所述电子部件的下表面具有对置的第一边以及第二边，
所述第二区域设置在同被所述第一电极以及/或者所述第二电极的侧部与所述第一边夹着的区域相面对的位置、以及同被所述第一电极以及/或者所述第二电极的侧部与所述第二边夹着的区域相面对的位置。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光源装置，其中，
所述一对配线层相互隔着槽而分离，
所述槽在俯视时弯曲。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的光源装置，其中，
所述电子部件是发光装置，该发光装置具备：具有所述第一电极及所述第二电极的封装件、以及载置于所述封装件的半导体发光元件。
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