CN104253203A - 发光装置用封装件及使用了它的发光装置 - Google Patents
发光装置用封装件及使用了它的发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104253203A CN104253203A CN201410287335.6A CN201410287335A CN104253203A CN 104253203 A CN104253203 A CN 104253203A CN 201410287335 A CN201410287335 A CN 201410287335A CN 104253203 A CN104253203 A CN 104253203A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- lead frame
- extension
- light
- package
- width
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 116
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 116
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 114
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 45
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 45
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 7
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 7
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 claims description 3
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 229920005749 polyurethane resin Polymers 0.000 claims description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 6
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 5
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 5
- VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L Calcium carbonate Chemical compound [Ca+2].[O-]C([O-])=O VTYYLEPIZMXCLO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N Iron oxide Chemical compound [Fe]=O UQSXHKLRYXJYBZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000007767 bonding agent Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 2
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 2
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910000019 calcium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012241 calcium silicate Nutrition 0.000 description 2
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 2
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L magnesium carbonate Chemical compound [Mg+2].[O-]C([O-])=O ZLNQQNXFFQJAID-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000001095 magnesium carbonate Substances 0.000 description 2
- 229910000021 magnesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 2
- VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L magnesium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Mg+2] VTHJTEIRLNZDEV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000000347 magnesium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 229910001862 magnesium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004953 Aliphatic polyamide Substances 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000196324 Embryophyta Species 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004695 Polyether sulfone Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- 239000004734 Polyphenylene sulfide Substances 0.000 description 1
- 239000004111 Potassium silicate Substances 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002600 TPX™ Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N [1-(hydroxymethyl)cyclohexyl]methanol Chemical compound OCC1(CO)CCCCC1 ORLQHILJRHBSAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 229920003231 aliphatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N aluminum;borate Chemical compound [Al+3].[O-]B([O-])[O-] OJMOMXZKOWKUTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010974 bronze Substances 0.000 description 1
- 239000000404 calcium aluminium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000012215 calcium aluminium silicate Nutrition 0.000 description 1
- WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N calcium aluminosilicate Chemical compound [Al+3].[Al+3].[Ca+2].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O WNCYAPRTYDMSFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940078583 calcium aluminosilicate Drugs 0.000 description 1
- 238000003490 calendering Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910019990 cerium-doped yttrium aluminum garnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N copper tin Chemical compound [Cu].[Sn] KUNSUQLRTQLHQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N dipotassium dioxido(oxo)titanium Chemical compound [K+].[K+].[O-][Ti]([O-])=O NJLLQSBAHIKGKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 1
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000391 magnesium silicate Substances 0.000 description 1
- 235000019792 magnesium silicate Nutrition 0.000 description 1
- 229910052919 magnesium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001643 poly(ether ketone) Polymers 0.000 description 1
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006393 polyether sulfone Polymers 0.000 description 1
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006380 polyphenylene oxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000069 polyphenylene sulfide Polymers 0.000 description 1
- 235000019353 potassium silicate Nutrition 0.000 description 1
- NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N potassium silicate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Si]([O-])=O NNHHDJVEYQHLHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052913 potassium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 229920006012 semi-aromatic polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N trizinc;diborate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]B([O-])[O-].[O-]B([O-])[O-] BIKXLKXABVUSMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 239000010456 wollastonite Substances 0.000 description 1
- 229910052882 wollastonite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
- H01L2224/45169—Platinum (Pt) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/4905—Shape
- H01L2224/4909—Loop shape arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/49105—Connecting at different heights
- H01L2224/49107—Connecting at different heights on the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
- H01L2224/491—Disposition
- H01L2224/4911—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain
- H01L2224/49113—Disposition the connectors being bonded to at least one common bonding area, e.g. daisy chain the connectors connecting different bonding areas on the semiconductor or solid-state body to a common bonding area outside the body, e.g. converging wires
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明是在俯视下具有长度方向(x)和与该长度方向(x)正交的宽度方向(y)、具备沿长度方向(x)排列的第一引线框(11)及第二引线框(12)、设于第一引线框(11)与第二引线框(12)之间的第三引线框(13)和与第一、第二、第三引线框(11、12、13)一体化成形的树脂成形体(20)的发光装置用封装件(100),第一引线框(11)具有主体部(115)、和从主体部(115)向第二引线框(12)侧宽度变窄地延伸的第一延伸部(111),第二引线框(12)具有主体部(125)、和从主体部(125)向第一引线框(11)侧宽度变窄地延伸的第二延伸部(122),第一延伸部(111)及第二延伸部(122)分别在俯视下在宽度方向(y)上与第三引线框(13)对置。
Description
技术领域
本发明涉及发光装置用封装件(以下有时简称为“封装件”)、以及发光装置。
背景技术
例如在日本特开2011134902号公报中记载有表面安装(SurfaceMount Device:SMD)型的发光二极管(Light Emitting Diode:LED)。
该表面安装型的发光二极管是通过在2个引线框中使用将具有凹部的树脂盒一体化成形的发光装置用封装件,在其凹部内搭载LED芯片,利用密封树脂密封而制造。
但是,在像日本特开2011一134902号公报中记载的那样的以往的发光装置用封装件中,有可能因来自外部的冲击、负荷或周围环境温度,而在树脂盒中产生裂纹或破裂,或树脂盒从引线框剥离,无法充分地确保长期的可靠性。此种问题尤其容易在细长形状的发光装置用封装件中发生。
所以,本发明是鉴于此种情况而完成的,其目的在于,提供可靠性高的发光装置用封装件及使用了它的发光装置。
发明内容
为了解决上述问题,本发明是在俯视下具有长度方向和与该长度方向正交的宽度方向、且具备沿所述长度方向排列的第一引线框及第二引线框、设于所述第一引线框与所述第二引线框之间的第三引线框和与所述第一、第二、第三引线框一体化成形的树脂成形体的发光装置用封装件,其特征在于,所述第一引线框具有主体部、和从所述主体部向所述第二引线框侧宽度变窄地延伸的第一延伸部,所述第二引线框具有主体部、和从所述主体部向所述第一引线框侧宽度变窄地延伸的第二延伸部,所述第一延伸部及所述第二延伸部分别在俯视下在所述宽度方向上与所述第三引线框对置。
另外,本发明是在俯视下具有长度方向和与该长度方向正交的宽度方向、且具备沿所述长度方向排列的第一引线框及第二引线框和与所述第一、第二引线框一体化成形的树脂成形体的发光装置用封装件,其特征在于,所述树脂成形体与第一、第二引线框一起形成收容发光元件的凹部,所述第一引线框具有主体部、和从所述主体部向所述第二引线框侧宽度变窄地延伸并且埋入所述树脂成形体中而不向该封装件的外部及所述凹部内露出的第三延伸部。
另外,本发明是在俯视下具有长度方向和与该长度方向正交的宽度方向、且具备沿所述长度方向排列的第一引线框及第二引线框、设于所述第一引线框与所述第二引线框之间的第三引线框和与所述第一、第二、第三引线框一体化成形的树脂成形体的发光装置用封装件,其特征在于,所述树脂成形体与第一、第二、第三引线框一起形成收容发光元件的凹部,所述第一引线框与所述第三引线框的至少一者具有在它们之间宽度变窄地延伸并且埋入所述树脂成形体中而不向该封装件的外部及所述凹部内露出的第一埋入延伸部。
根据本发明的发光装置用封装件,可以特别地提高对于施加在第一引线框与第二引线框之间的隔开区域附近的应力的耐性,抑制树脂成形体的裂纹或破裂、剥离,可以形成可靠性高的封装件。另外,由此可以制作可靠性高的发光装置。
结合附图对本发明的上述以及进一步的目的及其特征通过下述的具体实施方式进一步阐明。
附图说明
图1A是本发明的一个实施方式的发光装置的示意俯视图,图1B是图1A的A-A剖面的示意剖面图,图1C是示意仰视图。
图2A是本发明的一个实施方式的发光装置的示意俯视图,图2B是图2A的B-B剖面的示意剖面图,图2C是示意仰视图。
图3A是本发明的一个实施方式的发光装置的示意俯视图,图3B是图3A的C-C剖面的示意剖面图,图3C是示意仰视图。
图4A是本发明的一个实施方式的发光装置的示意俯视图,图4B是图4A的D-D剖面的示意剖面图,图4C是示意仰视图。
图5是表示本发明的一个实施例的发光装置的基板弯曲试验的结果的曲线图。
符号说明
100、140、150、180...发光装置用封装件(11...第一引线框(111...第一延伸部、113...第三延伸部、115...第一主体部、117...悬挂引线部、119...下表面的凹坑);12...第二引线框(122...第二延伸部、124...第四延伸部、125...第二主体部、127...悬挂引线部、129...下表面的凹坑);13...第三引线框(133...第一埋入延伸部、134...第二埋入延伸部、137...悬挂引线部);15...隔开区域;20...树脂成形体;25...凹部)
31...第一发光元件,32...第二发光元件,40...金属线,50...密封构件,60...荧光体,70...保护元件,200、240、250、280...发光装置
具体实施方式
以下,适当地参照附图对发明的实施方式进行说明。但是,以下说明的发光装置用封装件及使用了它的发光装置是用于将本发明的技术思想具体化的内容,只要没有特定的记载,本发明就不限于以下的内容。另外,在一个实施方式、实施例中说明的内容也可以适用于其他的实施方式、实施例。另外,为了使说明明确,有时将各附图所示的构件的大小或位置关系等加以放大。
<第一实施方式>
图1A、1C分别是第一实施方式的发光装置的示意俯视图和示意仰视图,图1B是表示图1A的A-A剖面的示意剖面图。
如图1A~C所示,第一实施方式的发光装置200主要是在同图所示的发光装置用封装件100中搭载发光元件31、32、并利用密封构件50密封而构成。本例的密封构件50含有荧光体60,然而也可以省略。
如图1A~C所示,封装件100在俯视下具有在一个方向上尺寸长的形状。即,封装件100在俯视下具有长度方向和与该长度方向正交的宽度方向。如果要更严格地定义,则长度方向是俯视下与沿引线框的封装件长度方向延伸的端面、也就是宽度方向的端面平行的方向。图中,封装件的长度方向为x方向,宽度方向为y方向,上下方向为z方向。另外,将x方向设为横向,将y方向设为纵向,将z方向设为厚度方向。
如图1A~C所示,封装件100具备第一引线框11、第二引线框12及第三引线框13和与该第一、第二、第三引线框一体化成形的树脂成形体20。第一引线框11和第二引线框12沿着封装件100的长度方向排列。第三引线框13设于第一引线框11与第二引线框12之间。第一、第二、第三引线框11、12、13分别与封装件100相同,具有在封装件的长度方向上尺寸长的形状。第一、第二、第三引线框11、12、13为板状,没有被实质性地弯曲加工。就第一、第二、第三引线框11、12、13而言,将彼此隔开的隔开区域15被埋入树脂成形体20,将该隔开区域15制成电绝缘区域,由树脂成形体20一体化地保持。而且,在封装件100的上表面侧载置发光元件。另外,虽然在这里在图中将右侧的引线框作为第一引线框11、将左侧的引线框作为第二引线框12进行说明,然而也可以与之相反。
树脂成形体20在俯视下具有在封装件的长度方向尺寸长的长方形状。另外,树脂成形体20将第一、第二、第三引线框11、12、13的端面(除去悬挂引线部117、127、137)覆盖。另外,树脂成形体20还将第一、第二、第三引线框11、12、13的上表面的一部分(特别是周缘部)覆盖。此外,树脂成形体20与第一、第二、第三引线框11、12、13一起形成收容发光元件31、32的凹部25。具体来说,凹部25的底面主要由第一、第二、第三引线框11、12、13的上表面、和掩埋隔开区域15的树脂成形体20的表面构成。本例中,凹部25的底面近似平坦,然而例如也可以在隔开区域15上设置突起。为了有效地取出从发光元件中射出的光,该突起优选随着靠近凹部25的底面逐渐变宽。另外,该突起既可以与树脂成形体20一体化地成形,也可以与树脂成形体20分开地设置。凹部25的侧壁面由树脂成形体20的表面构成。凹部25的侧壁面也可以与凹部25的底面垂直,然而为了有效地取出从发光元件中射出的光,优选随着靠近凹部25的底面以开口的宽度变窄的方式倾斜。而且,虽然在这里对具有凹部25的封装件进行了例示,然而也可以省略凹部25,也就是凹部侧壁,例如也可以制成平板状的封装件。
第一引线框11具有向第二引线框12侧宽度变窄地延伸的第一延伸部111。另外,第二引线框12具有向第一引线框11侧宽度变窄地延伸的第二延伸部122。更具体来说,第一引线框11具有第一主体部115,第一延伸部111从第一主体部115向第二引线框12侧宽度变窄地延伸。第一主体部115的上表面及第一延伸部111的上表面构成凹部25的底面。第二引线框12具有第二主体部125,第二延伸部122从第二主体部125向第一引线框11侧宽度变窄地延伸。第二主体部125的上表面及第二延伸部122的上表面构成凹部25的底面。此外,第一延伸部111及第二延伸部122分别在俯视下在宽度方向上与第三引线框13对置。
这里,可以将第一主体部115、第二主体部125视为包含载置发光元件的上表面区域的、引线框11、12的主要部分。第一及第二延伸部111、122的宽度(宽度方向的宽度)既可以大致一定,也可以变化。第一主体部115与第一延伸部111的交界、以及第二主体部125与第二延伸部122的交界例如可以认为是穿过宽度的变化点的与宽度方向平行的直线。而且,对于后述的第三及第四延伸部113、124也相同。
而且,第一引线框11与第二引线框12的最大宽度(宽度方向的最大宽度;例如第一主体部115、第二主体部125的宽度)也可以不同,然而优选最大宽度大致相同。另外,第一引线框11与第二引线框12也可以在俯视下以第一主体部115、第二主体部125的中央线来看配置成倾斜的关系,然而优选配置成大致平行。此外,第一引线框11与第二引线框12也可以在俯视下以第一主体部115、第二主体部125的中央线来看配置成宽度方向的位置错开的关系,然而优选配置成宽度方向的位置大致一致。
如上所述地构成的封装件100由于第一及第二延伸部111、122在俯视下在宽度方向上处于与第三引线框13对置的位置,因此第一、第二、第三引线框11、12、13之间的隔开区域15被设为在俯视下不具有以平行于宽度方向的一条直线状贯穿的部分的形状。所以,与将隔开区域设为具有以平行于宽度方向的一条直线状贯穿的部分的形状的情况相比,可以提高封装件100对于例如意图将封装件100在隔开区域15处折断的那样的施加在隔开区域15附近的应力的强度。
另外,可以使第三引线框13的上表面作为用于将载置于第一引线框11的发光元件与载置于第二引线框12的发光元件串联的金属线的中继区域发挥作用。另外,可以使第一及第二延伸部111、122作为保护元件等的载置区域及其金属线的连接区域发挥作用。利用这些结构,可以比较短地形成金属线,减少由金属线造成的光吸收,从而可以提高光的取出效率。像这样,由于与隔开区域15相邻的、第三引线框13的上表面或第一及第二延伸部111、122的上表面成为金属线的连接区域,因此从抑制金属线的断线的方面考虑,提高封装件100对于施加在隔开区域15附近的应力的强度也十分重要。
以下,对发光装置用封装件100及发光装置200的优选的方式进行说明。
图1A~C所示的封装件100中,第一延伸部111和第二延伸部122在宽度方向上相对于第三引线框13配置于相同的一侧。即,第一延伸部111和第二延伸部122配置在俯视下的封装件100的同一长边侧(仅第一长边(对置的2条长边的一者)侧)。这样,可以在将封装件100的宽度方向的宽度压缩得较小而制成小型的封装件的同时,还提高封装件10()对于施加在隔开区域15附近的应力的强度。另外,容易使第一及第二延伸部111、122的上表面作为保护元件等的载置区域及其金属线的连接区域发挥作用,容易比较短地形成该金属线。而且,虽然在图示的例子中,第一及第二延伸部111、122彼此相对于第三引线框13大致均等地延伸,然而也可以偏向于某一方(某一方的延伸长度变大)。
图1A~C所示的封装件100中,第一引线框11具有向第二引线框12侧宽度变窄地延伸、并且以在宽度方向上与第一延伸部111一起夹持第三引线框13的方式配置的第三延伸部113。另外,第二引线框12具有向第一引线框11侧宽度变窄地延伸、并且以在宽度方向上与第二延伸部122一起夹持第三引线框13的方式配置的第四延伸部124。这样,就可以进一步加强第三引线框13的周围,可以进一步提高封装件100对于施加在隔开区域15附近的应力的强度。
图1A~C所示的封装件100中,第三延伸部113及第四延伸部124埋入树脂成形体20中,即不向封装件100(树脂成形体20)的外部及凹部25内露出。更具体来说,第三延伸部113及第四延伸部124埋入位于凹部侧壁的正下方的树脂成形体20中。这样,就可以获得由第三延伸部113及第四延伸部124带来的隔开区域15附近的高的加强效果。通过像本例那样,使第三延伸部113及第四延伸部124分别比第一延伸部111及第二延伸部122宽度窄,就容易埋入树脂成形体20中,因而优选。而且,并不限定于此,第三延伸部113及第四延伸部124例如也可以将下表面等一部分向封装件100(树脂成形体20)的外部露出,还可以向凹部25内露出。
图1A~C所示的封装件100中,第三引线框13位于封装件的大致中央。像这样,通过使第三引线框13位于封装件的大致中央,就容易向第一及第二引线框11、12上分别载置发光元件,由此易于获得优选的配光特性。另一方面,由于第一及第二引线框11、12两者被从封装件中央侧的隔开区域15沿长度方向大致均等地延伸设置,因此容易对隔开区域15施加应力,然而利用本发明的构成可以将其加强。
图1A~C所示的封装件100中,第一、第二、第三引线框11、12、13的最下表面与树脂成形体20的最下表面一起构成发光装置用封装件100的下表面。这样,就可以将第一及第二引线框11、12的最下表面设为封装件100的安装面,可以从第一及第二引线框11、12中效率良好地放热。这样,就可以抑制树脂成形体20的劣化或从引线框中的剥离、或提高发光元件31、32;保护元件70的放热性。另外,容易制成薄型的封装件。
图1A~C所示的封装件100中,第一及第二引线框11、12分别具有设于第一及第二延伸部111、122的上表面的凹坑。此外,该凹坑被树脂成形体20掩埋。这样,就可以提高树脂成形体20与第一及第二延伸部111、122的密合性,抑制树脂成形体20从第一及第二引线框11、12中剥离。该凹坑的俯视形状也可以是点状或虚线状等,然而如果沿长度方向延伸地设为直线状,则可以在比较小的区域中小型并且有效地形成,因而优选。剖面形状也可以是半圆形、矩形、倒梯形等,然而由于容易制成倒三角形(V字形),因而优选。另外,也可以像本例那样,例如在第一主体部115、第二主体部125等第一及第二延伸部111、122以外的上表面形成此种凹坑。
图1A~C所示的封装件100中,在第一及第二延伸部111、122的下表面分别设有凹坑119、129。另外,该凹坑119、129由树脂成形体20掩埋。所以,第一延伸部111的下表面的露出区域由掩埋凹坑119的树脂成形体20与第一主体部115的下表面的露出区域分离。另外,第二延伸部122的下表面的露出区域也相同,由掩埋凹坑129的树脂成形体20与第二主体部125的下表面的露出区域分离。这样,就可以提高引线框的下表面的露出区域的对称性或面积的均等性,抑制封装件100(发光装置200)安装时的导电性膏剂的不均,从而可以抑制封装件100被倾斜地安装。另外,可以提高封装件100的自对准性。
图1A~C所示的发光装置200具备发光装置用封装件100、载置于第一引线框11的上表面的第一发光元件31、和载置于第二引线框12的上表面的第二发光元件32。如上所述,由于发光装置用封装件100的可靠性高,因此通过使用该封装件,可以制成可靠性高的发光装置。另外,通过将第一及第二发光元件31、32分别载置于第一及第二引线框11、12,容易增大第一发光元件31与第二发光元件32的距离,由此易于控制亮度分布。
图1A~C所示的发光装置200中,第一及第二发光元件31、32被分别载置于封装件100的第一引线框的第一主体部115的上表面、和第二引线框的第二主体部125的上表面。另外,第一发光元件31及第二发光元件32分别利用金属线40与第三引线框13的上表面连接。像这样,在封装件100中,由于具有第三引线框13,因此即使增大第一发光元件31与第二发光元件32的距离,也可以比较短地形成将第一与第二发光元件31、32串联的金属线40,可以减少由金属线40造成的光吸收,容易获得高的光取出效率。
图1A~C所示的发光装置200具备载置于第一延伸部111的上表面、利用金属线40与第二延伸部122的上表面连接的保护元件70。这样,就可以比较短地形成将保护元件70与引线框连接的金属线40,因此可以减少由金属线40造成的光吸收,易于进一步提高光的取出效率。另外,由于第一及第二延伸部111、122位于封装件100的中央侧,因此易于增大发光元件31、32与保护元件70的距离,易于减少由保护元件70造成的光吸收而提高光的取出效率。
<第二实施方式>
图2A、2C分别是第二实施方式的发光装置的示意俯视图和示意仰视图,图2B是表示图2A的B-B剖面的示意剖面图。
如图2A~C所示,第二实施方式的发光装置240主要是在同图所示的发光装置用封装件140上搭载发光元件31、32、并利用密封构件50密封而构成。本例的密封构件50含有荧光体60,然而也可以省略。在该封装件140及发光装置240中,对于除去各引线框的形状以外其他的主要构成,与第一实施方式实质上相同。所以,对于与第一实施方式实质上相同的构成,标上相同的符号而适当地省略说明。
图2A~C所示的封装件140是第一实施方式的封装件100的一个变形例,作为第三延伸部113及第四延伸部124的替代,在第三引线框13中设置了第一埋入延伸部133及第二埋入延伸部134。
如图2A~C所示,封装件140在俯视下具有在一个方向上尺寸长的形状。即,封装件140在俯视下具有长度方向和与该长度方向正交的宽度方向。封装件140具备第一引线框11、第二引线框12及第三引线框13、以及与该第一、第二、第三引线框一体化成形的树脂成形体20。第一引线框11和第二引线框12沿封装件100的长度方向排列。第三引线框13设于第一引线框11与第二引线框12之间。就第一、第二、第三引线框11、12、13而言,将彼此隔开的隔开区域15被树脂成形体20掩埋,将该隔开区域15制成电绝缘区域,由树脂成形体20一体化地保持。树脂成形体20与第一、第二、第三引线框11、12、13一起,形成了收容发光元件31、32的凹部25。具体来说,凹部25的底面主要由第一、第二、第三引线框11、12、13的上表面、和掩埋隔开区域15的树脂成形体20的表面构成。凹部25的侧壁面由树脂成形体20的表面构成。
图2A~C所示的封装件140中,第三引线框13在其与第一引线框11之间具有宽度变窄地延伸并且埋入树脂成形体20中而不向该封装件140的外部及凹部25内露出的第一埋入延伸部133。另外,第三引线框13在其与第二引线框12之间具有宽度变窄地延伸并且埋入树脂成形体20中而不向该封装件140的外部及凹部25内露出的第二埋入延伸部134。更具体来说,第一埋入延伸部133及第二埋入延伸部134被埋入位于凹部侧壁的正下方的树脂成形体20中。通过像这样地设置第一埋入延伸部133及第二埋入延伸部134,就可以进一步加强第三引线框13的周围,可以进一步提高封装件140对于施加在隔开区域15附近的应力的强度。另外,通过将第一埋入延伸部133及第二埋入延伸部134埋入树脂成形体20中而不向该封装件140的外部及凹部25内露出,可以获得隔开区域15附近的高的加强效果。此外,通过像本例那样,使第一埋入延伸部133及第二埋入延伸部134分别比第一延伸部111及第二延伸部122宽度窄,就易于埋入树脂成形体20中,因而优选。而且,并不限定于此,第一埋入延伸部133及第二埋入延伸部134例如也可以将下表面等一部分向封装件140(树脂成形体20)的外部露出,还可以向凹部25内露出。
而且,第一埋入延伸部133只要设于第一引线框11与第三引线框13的至少一者即可,也可以设于第一引线框11和第三引线框13两者中。第二埋入延伸部134只要设于第二引线框12与第三引线框13的至少一者即可,也可以设于第一引线框11和第三引线框13两者。利用这些方式的任意一种,都可以起到提高封装件140的强度的效果。
图2A~C所示的封装件140是将第一埋入延伸部133及第二埋入延伸部134仅设于第三引线框13的例子。该情况下,为了获得隔开区域15附近的更高的加强效果,第一埋入延伸部133优选延伸至在俯视下在宽度方向上与第一引线框的第一主体部115对置为止。另外,相同地,第二埋入延伸部134优选延伸至在俯视下在宽度方向上与第二引线框的第二主体部125对置为止。此时,如图所示,为了容易使第一埋入延伸部133及第二埋入延伸部134延伸,也可以将第一引线框的第一主体部115的一部分及第二引线框的第二主体部125的一部分切掉。
另外,图1A~C所示的封装件100是将第一埋入延伸部133(相当于第三延伸部113)仅设于第一引线框11、将第二埋入延伸部134(相当于第四延伸部124)仅设于第二引线框12的例子。该情况下,如上所述,优选第一埋入延伸部133以在宽度方向上与第一延伸部111一起夹持第三引线框13的方式配置,第二埋入延伸部134以在宽度方向上与第二延伸部122一起夹持第三引线框13的方式配置。
<第三实施方式>
图3A、3C分别是第三实施方式的发光装置的示意俯视图和示意仰视图,图3B是表示图3A的C-C剖面的示意剖面图。
如图3A~C所示,第三实施方式的发光装置250主要是在同图所示的发光装置用封装件150中搭载发光元件31、32、并由密封构件50密封而构成。本例的密封构件50含有荧光体60,然而也可以省略。在该封装件150及发光装置250中,对于除了各引线框的形状以外的其他的主要的构成,与第一实施方式实质上相同。所以,对于与第一实施方式实质上相同的构成,标上相同的符号,适当地省略说明。
图3A~C所示的封装件150中,第一延伸部111及第二延伸部122各自在(宽度方向的)宽度慢慢地变小的同时延伸。即,第一延伸部111及第二延伸部122各自的与第三引线框13对置的端面在俯视下相对于宽度方向(也相对于长度方向)倾斜。此外,第三引线框13被以沿着该第一及第二延伸部111、122的端面的方式相对于宽度方向(也相对于长度方向)倾斜地设置。
图3A~C所示的封装件150中,第一延伸部111及第二延伸部122被配置成在宽度方向上夹隔着第三引线框13。这样,由于将第一、第二、第三引线框11、12、13沿宽度方向排列地配置,因此易于提高封装件150对于例如意图将封装件150在隔开区域15处折断的那样的施加在隔开区域15附近的应力的强度。而且,并不限于如图所示地将隔开区域15以倾斜的直线状设置的例子,也可以如第一实施方式所示,将隔开区域15以弯曲的形状设置。
图3A~C所示的封装件150中,第一延伸部111及第二延伸部122分别在俯视下相对于宽度方向(也相对于长度方向)倾斜地与第三引线框13对置。即,第一延伸部111及第二延伸部122分别在俯视下不仅在宽度方向、而且在长度方向上也与第三引线框13对置。这样,就可以提高封装件150对于施加在隔开区域15附近的宽度方向和长度方向两者的应力的强度。
<第四实施方式>
图4A、4C分别是第四实施方式的发光装置的示意俯视图和示意仰视图,图4B是表示图4A的D-D剖面的示意剖面图。
如图4A~C所示,第四实施方式的发光装置280主要是在同图所示的发光装置用封装件180中搭载发光元件31、32、并由密封构件50密封而构成。本例的密封构件50含有荧光体60,然而也可以省略。在该封装件180及发光装置280中,除了不具有第三引线框以及各引线框的形状不同以外,对于其他的主要构成来说与第一实施方式实质上相同。所以,对于与第一实施方式实质上相同的构成,标上相同的符号而适当地省略说明。
如图4A~C所示,封装件180在俯视下具有在一个方向上尺寸长的形状。即,封装件180在俯视下具有长度方向和与该长度方向正交的宽度方向。封装件180具备第一引线框11、第二引线框12、和与该第一、第二引线框一体化地成形的树脂成形体20。第一引线框11和第二引线框12沿封装件180的长度方向排列。就第一、第二引线框11、12而言,将彼此隔开的隔开区域15被树脂成形体20掩埋,将该隔开区域15制成电绝缘区域,由树脂成形体20一体化地保持。树脂成形体20与第一、第二引线框11、12一起,形成收容发光元件31、32的凹部25。具体来说,凹部25的底面主要由第一、第二引线框11、12的上表面、和掩埋隔开区域15的树脂成形体20的表面构成。凹部25的侧壁面由树脂成形体20的表面构成。
在图4A~C所示的封装件180中,第一引线框11具有第一主体部115、和从第一主体部115向第二引线框12侧宽度变窄地延伸并且埋入树脂成形体20中而不向该封装件180的外部及凹部25内露出的第三延伸部113。另外,第二引线框12具有第二主体部125、和从第二主体部125向第一引线框11侧宽度变窄地延伸并且埋入树脂成形体20中而不向该封装件180的外部及凹部25内露出的第四延伸部124。更具体来说,第三延伸部113及第四延伸部124被埋入位于凹部侧壁的正下方的树脂成形体20中。像这样,通过设置第三延伸部113及第四延伸部124,就可以进一步提高封装件180对于施加在隔开区域15附近的应力的强度。另外,因第三延伸部113及第四延伸部124被埋入树脂成形体20中而不向该封装件180的外部及凹部25内露出,而可以获得隔开区域15附近的高的加强效果。此外,通过像本例那样,使第三延伸部113及第四延伸部124分别比第一延伸部111及第二延伸部122宽度窄,而易于埋入树脂成形体20中,因而优选。而且,并不限定于此,第三延伸部113及第四延伸部124也可以将例如下表面等一部分向封装件180(树脂成形体20)的外部露出,还可以向凹部25内露出。
而且,图4A~C所示的封装件180具有第三延伸部113及第四延伸部124两者,然而也可以仅具有第三延伸部113及第四延伸部124的任意一者。另外,封装件180中,分别将第三延伸部113设于第一引线框11,将第四延伸部124设于第二引线框12,然而也可以将第三延伸部113及第四延伸部124两者仅设于第一引线框11或第二引线框12的任意一者。此外,封装件180中,将第三延伸部113和第四延伸部124分别设于俯视下的封装件180的第一长边侧和第二长边侧(第二长边是与第一长边对置的长边),然而也可以像第一实施方式的封装件100那样设于同一长边侧(仅第一长边侧)。在这些的任意的方式中,都可以起到提高封装件180的强度的效果。
图4A~C所示的封装件180中,第一引线框11具有从第一主体部115向第二引线框12侧宽度变窄地延伸的第一延伸部111。第一主体部115的上表面及第一延伸部111的上表面构成凹部25的底面。另外,第二引线框12具有从第二主体部125向第一引线框11侧宽度变窄地延伸的第二延伸部122。第二主体部125的上表面及第二延伸部122的上表面构成凹部25的底面。第一延伸部111与第二延伸部122在俯视下在宽度方向上相互面对。此外,第三延伸部113在俯视下在宽度方向上与第二延伸部122对置,第四延伸部124在俯视下在宽度方向上与第一延伸部111对置。这样,第一引线框11的2个延伸部111、113与第二引线框12的2个延伸部122、124在俯视下在宽度方向上被彼此夹住地配置,隔开区域15被设置成交错复杂的形状。所以,与将隔开区域设为具有以平行于宽度方向的一条直线状贯穿的部分的形状的情况相比,可以进一步提高封装件180对于例如意图将封装件180在隔开区域15处折断的那样的施加在隔开区域15附近的应力的强度。
另外,可以使第一延伸部111的上表面及第二延伸部122的上表面作为用于将载置于第一引线框的第一主体部115的上表面的发光元件31与载置于第二引线框的第二主体部125的上表面的发光元件32并联的金属线的连接区域发挥作用。另外,可以使第一及第二延伸部111、122作为保护元件等的载置区域及其金属线的连接区域发挥作用。这样,就可以比较短地形成金属线,可以减少由金属线造成的光吸收,从而可以提高光的取出效率。像这样,由于与隔开区域15相邻的第一及第二延伸部111、122的上表面成为金属线的连接区域,因此从抑制金属线的断线的方面考虑,提高封装件180对于施加在隔开区域15附近的应力的强度也十分重要。
以上,在各实施方式的发光装置用封装件中,从封装件的加强效果的观点考虑,优选俯视下的长度方向的大小与宽度方向的大小之比(长度方向的大小(长度)/宽度方向的大小(宽度))例如为1.5以上,优选为2以上,更优选为3以上。但是,本发明并不限于以上的实施方式,例如也可以适用于俯视为正方形的发光装置用封装件。
以下,对本发明的发光装置用封装件及发光装置的各构成要素进行说明。
(引线框11、12、13)
引线框可以使用能够与发光元件或保护元件连接而导电的金属构件。具体来说,可以举出对铜、铝、金、银、钨、铁、镍、钴、钼、或它们的合金、磷青铜、含铁铜等金属板实施了各种加工的构件。另外,也可以在其表层设置银、铝、铑、金、铜、或它们的合金等的镀金或光反射膜,其中优选光反射性最优异的银。而且,引线框的薄壁区域、凹坑或槽、通孔等的各个形状可以通过对构成引线框的板材实施冲压或压延、蚀刻等加工而形成。
(树脂成形体20)
树脂成形体的母材可以举出脂肪族聚酰胺树脂、半芳香族聚酰胺树脂、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸环己酯、液晶聚合物、聚碳酸酯树脂、间规聚苯乙烯、聚苯醚、聚苯硫醚、聚醚砜树脂、聚醚酮树脂、聚芳酯树脂等热塑性树脂、环氧树脂、环氧改性树脂、硅酮树脂、硅酮改性树脂、聚双马来酰亚胺三嗪树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂等热固性树脂。另外,在这些母材中,可以作为填充剂或着色颜料混入玻璃、二氧化硅、氧化钛、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、硅酸镁、硅灰石、云母、氧化锌、钛酸钡、钛酸钾、硼酸铝、氧化铝、氧化锌、炭化硅、氧化锑、锡酸锌、硼酸锌、氧化铁、氧化铬、氧化锰、炭黑等粒子或纤维。热固性树脂在固化后与热塑性树脂相比硬质的物质更多,容易产生裂纹或破裂,因此本发明的构成尤其奏效。其中,特别优选环氧树脂或环氧改性树脂。
(发光元件31、32)
发光元件可以使用LED元件或半导体激光器(Laser Diode:LD)元件等半导体发光元件。发光元件只要是以由各种半导体构成的元件结构设置了正负一对电极的发光元件即可。特别优选可以有效地激发荧光体的氮化物半导体(InxAlyGa1-x-yN、0≤x、0≤y、x+y≤1)的发光元件。除此以外,也可以是绿色~红色发光的镓砷系、镓磷系半导体的发光元件。在将正负一对电极设于同一面侧的发光元件的情况下,将各电极用金属线与引线框连接而进行面朝上(face-up)安装。在将正负一对电极分别设置在彼此相反的面上的对置电极结构的发光元件的情况下,将下表面电极用导电性粘接剂粘接在引线框,将上表面电极用金属线与引线框连接。后述的保护元件的安装方式也相同。另外,通过在发光元件的安装面侧设置银或铝等的金属层或电介质反射膜,可以提高光的取出效率。搭载于1个发光装置用封装件的发光元件的个数既可以是1个,也可以是多个,其大小或形状、发光波长也可以任意地选择。多个发光元件可以利用引线框或金属线串联或并联。另外,在1个发光装置用封装件中,例如也可以搭载如下的组合的发光元件,即,蓝色发光与红色发光的2个、蓝色发光与绿色发光的2个、蓝色·绿色·红色发光的3个等。在搭载3个以上的发光元件的情况下,例如也可以在第一引线框的延伸部(第一、第三)和/或第二引线框的延伸部(第二、第四)、和/或第三引线框载置发光元件。
(金属线40)
金属线是将发光元件的电极或保护元件的电极与引线框连接的导线。具体来说,可以使用金、铜、银、铂、铝或它们的合金的金属线。特别优选难以因来自密封构件的应力而发生断裂、且热阻等优异的金线。另外,为了提高光反射性,也可以至少是表面用银构成。
(密封构件50)
密封构件是将发光元件或保护元件、金属线等密封、保护其免受灰尘或水分、外力等影响的构件。密封构件的母材只要是具有电绝缘性、可以透过从发光元件射出的光(优选透过率为70%以上)即可。具体来说,可以举出硅酮树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚碳酸酯树脂、丙烯酸树脂、TPX树脂、聚降冰片烯树脂、它们的改性树脂、或含有1种以上的这些树脂的复合树脂。也可以是玻璃。其中,硅酮树脂由于耐热性、耐光性优异,固化后的体积收缩少,因此优选。另外,密封构件也可以在其母材中添加填充剂或荧光体等具有各种功能的粒子。填充剂可以使用扩散剂或着色剂等。具体来说,可以举出二氧化硅、氧化钛、氧化镁、碳酸镁、氢氧化镁、碳酸钙、氢氧化钙、硅酸钙、氧化锌、钛酸钡、氧化铝、氧化铁、氧化铬、氧化锰、玻璃、炭黑等。填充剂的粒子的形状既可以是破碎状,也可以是球状。另外,也可以是空心或多孔的粒子。
(荧光体60)
荧光体将从发光元件中射出的一次光的至少一部分吸收,射出与一次光不同的波长的二次光。具体来说,可以举出用铈活化了的钇·铝·石榴石(YAG)、用铕和/或铬活化了的含有氮的铝硅酸钙(CaO-Al2O3-SiO2)、用铕活化了的硅酸盐((Sr、Ba)2SiO4)、用锰活化了的氟化硅酸钾(K2SiF6:Mn)等。这样,就可以制成射出可见波长的一次光及二次光的混色光(例如白色系)的发光装置、由紫外光的一次光激发而射出可见波长的二次光的发光装置。而且,荧光体既可以沉降在封装件的凹部底面侧,也可以分散在凹部内。
(保护元件70)
保护元件是用于保护发光元件免受静电或高电压浪涌的影响的元件。具体来说,可以举出齐纳二极管。为了抑制光吸收,也可以将保护元件利用白色树脂等光反射构件覆盖。
(粘接剂)
粘接剂(未图示)是将发光元件或保护元件与引线框粘接的构件。绝缘性粘接剂可以使用环氧树脂、硅酮树脂、聚酰亚胺树脂、或它们的改性树脂或复合树脂等。作为导电性粘接剂,可以使用银、金、钯等的导电性膏剂、或金一锡等焊料、低熔点金属等硬钎料。
实施例
以下,对本发明的实施例进行详述。而且,本发明当然并不仅限定于以下所示的实施例。
<实施例1>
实施例1的发光装置是具有图1A~C所示的例子的发光装置200的结构的顶部发光(top view)式的SMD型LED。
封装件100是大小为横7.0mm、纵2.0mm、厚0.6mm的长方体状,是在构成正极·负极的第一及第二引线框11、12与位于其间的第三引线框13将树脂成形体20一体化成形而构成。而且,该封装件100如下制作,即,将借助悬挂引线(在单片化后成为各悬挂引线部)将多组第一、第二、第三引线框11、12、13纵横相连而成的加工金属板设于金属模具内,注入具有流动性的状态的树脂成形体20的构成材料而固化、脱模后,通过分离为各封装件(单片化)而制作。
第一、第二、第三引线框11、12、13是分别对其表面实施了镀银的最大厚度为0.2mm的铜合金的板状小片。第一引线框11主要(除去悬挂引线部117以外)由第一主体部115、第一延伸部111、第三延伸部113构成。第一主体部115是横(长)2.2mm、纵(宽)1.5mm的俯视矩形的部位。第一延伸部111是在第一主体部115的宽度方向(纵向)的一端从第一主体部115向第二引线框12侧延伸的横(长)1mm、纵(宽)0.73mm的俯视矩形的部位。第三延伸部113是在第一主体部115的宽度方向(纵向)的另一端从第一主体部115向第二引线框12侧延伸的横(长)0.6mm、纵(宽)0.15mm的俯视矩形的部位。第二引线框12主要(除去悬挂引线部127以外)由第二主体部125、第二延伸部122、第四延伸部124构成。这些各部位的形状与第一引线框11大致相同。第二引线框12相对于封装件100的中央线来说与第一引线框11大致相同。第三引线框13主要(除去悬挂引线部137以外)由横(长)1.7mm、纵(宽)0.29mm的俯视矩形的1个岛状部构成。第三引线框13位于封装件100的大致中央。
第一延伸部111及第二延伸部122在俯视下被分别在宽度方向上与第三引线框13的一部分对置地配置。第一延伸部111和第二延伸部122在宽度方向上相对于第三引线框13配置于在相同一侧。第三延伸部113以在宽度方向上与第一延伸部111一起夹持第三引线框13的方式配置。第四延伸部124也以在宽度方向上与第二延伸部122一起夹持第三引线框13的方式配置。第一延伸部111与第二延伸部122之间的隔开区域15的宽度(长度方向)为0.3mm。另外,第一引线框的第一主体部115与第三引线框13之间的隔开区域15的宽度(长度方向)为0.3mm。第二引线框的第一主体部115与第三引线框13之间的隔开区域15的宽度(长度方向)也相同。第一延伸部111与第三引线框13之间的隔开区域15的宽度(宽度方向)为0.2mm。第二延伸部122与第三引线框13之间的隔开区域15的宽度(宽度方向)也相同。第三延伸部113与第三引线框13的间隔(宽度方向)为0.2mm。第三延伸部113与第三引线框的悬挂引线部137的间隔(长度方向)为0.2mm。第四延伸部124与第三引线框13的间隔也相同。而且,通过基于冲压的冲裁来形成引线框的隔开区域15。
树脂成形体20是俯视的外形为横7.0mm、纵2.0mm的长方形、最大厚度为0.6mm、含有氧化钛的环氧树脂制的成形体。在树脂成形体20的上表面侧的大致中央,形成有横6.4mm、纵1.4mm、深0.4mm的俯视长方形(四角呈圆形)的凹部25。凹部25的侧壁面的倾斜角度相对于凹部25的底面为25°。第三延伸部113和第四延伸部124埋入树脂成形体20中,即,处于凹部25的外侧,且不向凹部25内露出。所以,凹部25的底面由第一引线框11的第一主体部115和第一延伸部111、第二引线框的第二主体部125和第二延伸部122、以及第三引线框的各自的上表面、以及填充在这些引线框的隔开区域15中的树脂成形体20的表面构成。而且,在第一及第二引线框11、12的上表面的相当于凹部25的底面与凹部25的侧壁面的交界的部位的一部分,形成有宽0.12mm、深0.09mm的凹坑,该凹坑也由树脂成形体20掩埋。第一、第二、第三引线框11、12、13的最下表面是与树脂成形体20的最下表面实质上相同的面,与该树脂成形体2的最下表面一起构成封装件100的下表面。在第一延伸部111的下表面,设有与第一主体部115密接的横(长)0.5mm、纵(宽)0.73mm、深0.13mm的凹坑119。另外,在第二延伸部122的下表面也设有相同的凹坑129。该凹坑119、129被树脂成形体20掩埋。这样,第一延伸部111的下表面的露出区域就由掩埋凹坑119的树脂成形体20与第一主体部115的下表面的露出区域分离。第二延伸部122的下表面的露出区域也由掩埋凹坑129的树脂成形体20与第二主体部125的下表面的露出区域分离。此外,第一及第二引线框11、12的主体部的下表面的各露出区域近似为矩形(四角呈圆形)。而且,为了识别极性,将第二引线框12的第二主体部125的下表面的露出区域切掉1个角部。此外,在第一、第二、第三引线框11、12、13的下表面的周缘,形成有宽0.1mm、深0.13mm的凹坑,该凹坑也被树脂成形体20掩埋。利用蚀刻形成这些凹坑。在封装件100的长度方向的各端面,分别露出了第一及第二引线框的悬挂引线部117、127。在封装件100的宽度方向的各端面,分别露出了第一、第二、第三引线框的悬挂引线部117、127、137。第三引线框的悬挂引线部137的中央部被切掉,分成两股。
在构成封装件100的凹部25的底面的第一及第二引线框11、12的上表面分别用作为硅酮树脂的绝缘性粘接剂各粘接有1个发光元件(31、32)。该发光元件31、32是在蓝宝石基板上依次层叠了氮化物半导体的n型层、活性层、p型层的可以发出蓝色(中心波长约为455nm)的纵650μm、横650μm、厚150μm的LED元件。2个发光元件31、32的中心间距离为4.0mm。另外,各发光元件31、32的p、n电极的一者被利用金属线40与载置了该元件的引线框连接,p、n电极的另一方被利用金属线40与第三引线框13的上表面连接。这样,2个发光元件31、32就被串联起来。金属线40是线直径25μm的金线。
另外,在第一延伸部111的上表面,用作为银膏剂的导电性粘接剂粘接了纵150μm、横150μm、厚85μm的作为对置电极结构的齐纳二极管的保护元件70。另外,保护元件70的上表面电极由金属线40与第二延伸部122的上表面连接。
在收容有上述2个发光元件31、32和保护元件70的封装件100的凹部25中,填充有密封构件50,将各元件覆盖。密封构件50以硅酮树脂作为母材,在其中含有用铈活化了的钇·铝·镓(YAG:Ce)的荧光体60和二氧化硅的填充剂。密封构件50的上表面是与树脂成形体20的凹部侧壁的上表面大致相同的面,几乎为平坦面。该密封构件50是通过在具有流动性的状态下使用涂布器填充到封装件100的凹部25内、利用加热等使之固化而形成。而且,荧光体60沉降在凹部25的底面侧。
<比较例1>
比较例1的发光装置除了在实施例1的发光装置的第一及第二引线框11、12中没有分别设置第三延伸部113及第四延伸部124、第三引线框13的纵向尺寸(宽度方向的宽度:除去悬挂引线部137)相应地变大(约为2倍)以外,是与实施例1的发光装置相同地构成的顶部发光式的SMD型LED。
<比较例2>
比较例2的发光装置是在比较例1的发光装置中没有在第二引线框12设置第二延伸部122、第一引线框11的第一延伸部111相应地沿横向延伸(直到第三引线框13的端面的位置)而构成的顶部发光式的SMD型LED。
实施例1的发光装置200可以在正向电流150mA、正向电压6.3V下以光束103流明(色度(x,y)=(0.275,0.247))发光。另外,图5是表示实施例1的发光装置200的基板弯曲试验的结果的曲线图。该基板弯曲试验是在1.6mm厚的玻璃环氧基板(FR一4)上安装发光装置、从背面推压该基板5秒钟的试验。如图5所示,基板弯曲量2.5mm下的树脂成形体的裂纹产生率在比较例1的发光装置中为60%,在比较例2的发光装置中为100%,与此相对,在实施例1的发光装置200中为0%。像这样可知,实施例1的发光装置200与比较例1、2的发光装置相比,对于应力的耐性得到提高,可靠性高。
如上所述地构成的实施例1的封装件及发光装置可以起到与第一实施方式的封装件100及发光装置200相同的效果。而且,第二实施方式的封装件150及发光装置250中,也可以进一步减少同样的基板弯曲试验中的裂纹产生率。
本发明的发光装置用封装件可以作为SMD型LED的封装件合适地利用。另外,使用了本发明的封装件的发光装置可以用于液晶显示器的背光源、各种照明器具、大型显示器、广告或目的地引导等各种显示装置、以及数码相机、传真机、复印机、扫描仪等的图像读取装置、投影装置等。
对于本领域技术人员来说显而易见,虽然给出并描述了本发明的各种优选的实施方式,然而应当认识到本发明并不限定于这些实施方式,它们只是示意性地说明了发明的概念,而不应解释为限定本发明的范围,并且适用于所有落入由权利要求定义的本发明的范围的变形和变更。本申请基于2013年6月28日在日本提交的专利申请第2013-136421号、和2014年4月25日在日本提交的专利申请第2014-090906号,将它们的内容通过参照引用到这里。
Claims (23)
1.一种发光装置用封装件,其在俯视下具有长度方向和与该长度方向正交的宽度方向,所述发光装置用封装件具备:
沿所述长度方向排列的第一引线框及第二引线框:
设于所述第一引线框与所述第二引线框之间的第三引线框;以及
与所述第一、第二、第三引线框一体化成形的树脂成形体,其中,
所述第一引线框具有主体部、和从所述主体部向所述第二引线框侧宽度变窄地延伸的第一延伸部,
所述第二引线框具有主体部、和从所述主体部向所述第一引线框侧宽度变窄地延伸的第二延伸部,
所述第一延伸部及所述第二延伸部分别在俯视下在所述宽度方向上与所述第三引线框对置。
2.根据权利要求1所述的发光装置用封装件,其中,
所述第一延伸部及所述第二延伸部配置于俯视下的该封装件的同一长边侧。
3.根据权利要求2所述的发光装置用封装件,其中,
所述第一引线框具有第三延伸部,其从所述主体部向所述第二引线框侧宽度变窄地延伸,并且以在所述宽度方向上与所述第一延伸部一起夹持所述第三引线框的方式配置,
所述第二引线框具有第四延伸部,其从所述主体部向所述第一引线框侧宽度变窄地延伸,并且以在所述宽度方向上与所述第二延伸部一起夹持所述第三引线框的方式配置。
4.根据权利要求3所述的发光装置用封装件,其中,
所述树脂成形体与第一、第二、第三引线框一起形成收容发光元件的凹部,
所述第三延伸部及所述第四延伸部被埋入所述树脂成形体中而不向该封装件的外部及所述凹部内露出。
5.根据权利要求1所述的发光装置用封装件,其中,
所述第一延伸部及所述第二延伸部以在所述宽度方向上夹持所述第三引线框的方式配置。
6.一种发光装置用封装件,其在俯视下具有长度方向和与该长度方向正交的宽度方向,所述发光装置用封装件具备:
沿所述长度方向排列的第一引线框及第二引线框;以及
与所述第一、第二引线框一体化成形的树脂成形体,其中,
所述树脂成形体与第一、第二引线框一起形成收容发光元件的凹部,
所述第一引线框具有:
主体部、以及
第三延伸部,其从所述主体部向所述第二引线框侧宽度变窄地延伸,并且埋入所述树脂成形体中而不向该封装件的外部及所述凹部内露出。
7.根据权利要求6所述的发光装置用封装件,其中,
所述第二引线框具有主体部和第四延伸部,所述第四延伸部从所述主体部向所述第一引线框侧宽度变窄地延伸,并且被埋入所述树脂成形体中而不向该封装件的外部及所述凹部内露出。
8.根据权利要求7所述的发光装置用封装件,其具有第三引线框,所述第三引线框设于所述第一引线框与所述第二引线框之间,与所述第一、第二引线框一起构成所述凹部的底面,
所述第三延伸部及所述第四延伸部分别在俯视下在所述宽度方向上与所述第三引线框对置。
9.根据权利要求8所述的发光装置用封装件,其中,
所述第一引线框具有从所述主体部向所述第二引线框侧宽度变窄地延伸的第一延伸部,
所述第二引线框具有从所述主体部向所述第一引线框侧宽度变窄地延伸的第二延伸部,
所述第三延伸部以在所述宽度方向上与所述第一延伸部一起夹持所述第三引线框的方式配置,
所述第四延伸部以在所述宽度方向上与所述第二延伸部一起夹持所述第三引线框的方式配置。
10.根据权利要求7所述的发光装置用封装件,其中,
所述第一引线框具有从所述主体部向所述第二引线框侧宽度变窄地延伸的第一延伸部,
所述第二引线框具有从所述主体部向所述第一引线框侧宽度变窄地延伸的第二延伸部,
所述第一延伸部与所述第二延伸部在俯视下在所述宽度方向上对置,
所述第三延伸部在俯视下在所述宽度方向上与所述第二延伸部对置,
所述第四延伸部在俯视下在所述宽度方向上与所述第一延伸部对置。
11.根据权利要求9所述的发光装置用封装件,其中,
所述第三延伸部及所述第四延伸部分别比所述第一延伸部及所述第二延伸部的宽度窄。
12.一种发光装置用封装件,其在俯视下具有长度方向和与该长度方向正交的宽度方向,所述发光装置用封装件具备:
沿所述长度方向排列的第一引线框及第二引线框;
设于所述第一引线框与所述第二引线框之间的第三引线框;
以及与所述第一、第二、第三引线框一体化成形的树脂成形体,其中,
所述树脂成形体与第一、第二、第三引线框一起形成收容发光元件的凹部,
所述第一引线框与所述第三引线框的至少一者具有第一埋入延伸部,其在所述第一引线框与所述第三引线框之间宽度变窄地延伸,并且被埋入所述树脂成形体中而不向该封装件的外部及所述凹部内露出。
13.根据权利要求12所述的发光装置用封装件,其中,
所述第二引线框与所述第三引线框的至少一者具有第二埋入延伸部,其在所述第二引线框与所述第三引线框之间宽度变窄地延伸,并且被埋入所述树脂成形体中而不向该封装件的外部及所述凹部内露出。
14.根据权利要求13所述的发光装置用封装件,其中,
所述第一埋入延伸部仅设于所述第一引线框,
所述第二埋入延伸部仅设于所述第二引线框。
15.根据权利要求14所述的发光装置用封装件,其中,
所述第一引线框具有从所述主体部向所述第二引线框侧宽度变窄地延伸的第一延伸部,
所述第二引线框具有从所述主体部向所述第一引线框侧宽度变窄地延伸的第二延伸部,
所述第一埋入延伸部以在所述宽度方向上与所述第一延伸部一起夹持所述第三引线框的方式配置,
所述第二埋入延伸部以在所述宽度方向上与所述第二延伸部一起夹持所述第三引线框的方式配置。
16.根据权利要求13所述的发光装置用封装件,其中,
所述第一及第二埋入延伸部仅设于所述第三引线框。
17.根据权利要求1所述的发光装置用封装件,其中,
所述树脂成形体的母材是环氧树脂、环氧改性树脂、硅酮树脂、硅酮改性树脂、聚双马来酰亚胺三嗪树脂、聚酰亚胺树脂、聚氨酯树脂当中的任意一种。
18.根据权利要求17所述的发光装置用封装件,其中,
所述树脂成形体的母材是环氧树脂或环氧改性树脂。
19.根据权利要求1所述的发光装置用封装件,其中,
所述第三引线框位于该发光装置用封装件的所述长度方向的大致中央。
20.根据权利要求1所述的发光装置用封装件,其中,
所述第一、第二、第三引线框的最下表面与所述树脂成形体的最下表面一起构成该发光装置用封装件的下表面。
21.一种发光装置,其具备:
权利要求1至20中任一项所述的发光装置用封装件、
载置于所述第一引线框的所述主体部的上表面的第一发光元件、以及
载置于所述第二引线框的所述主体部的上表面的第二发光元件。
22.根据权利要求21所述的发光装置,其中,
所述第一发光元件及所述第二发光元件分别利用金属线与所述第三引线框的上表面连接。
23.根据权利要求21所述的发光装置,其具备载置于所述第一延伸部的上表面、且利用金属线与所述第二延伸部的上表面连接的保护元件。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013136421 | 2013-06-28 | ||
JP2013-136421 | 2013-06-28 | ||
JP2014-090906 | 2014-04-25 | ||
JP2014090906A JP6484396B2 (ja) | 2013-06-28 | 2014-04-25 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104253203A true CN104253203A (zh) | 2014-12-31 |
CN104253203B CN104253203B (zh) | 2018-03-06 |
Family
ID=51224677
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201410287335.6A Active CN104253203B (zh) | 2013-06-28 | 2014-06-24 | 发光装置用封装件及使用了它的发光装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US9406856B2 (zh) |
EP (1) | EP2819192B1 (zh) |
JP (1) | JP6484396B2 (zh) |
KR (1) | KR102227798B1 (zh) |
CN (1) | CN104253203B (zh) |
TW (1) | TWI616003B (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108735885A (zh) * | 2017-04-21 | 2018-11-02 | 日亚化学工业株式会社 | 光源装置 |
CN111443230A (zh) * | 2019-01-17 | 2020-07-24 | 英飞凌科技股份有限公司 | 具有可布线模制引线框的电流传感器设备 |
Families Citing this family (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6102187B2 (ja) * | 2012-10-31 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
JP6484396B2 (ja) | 2013-06-28 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP6610703B2 (ja) * | 2013-06-28 | 2019-11-27 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ |
EP3232482A4 (en) * | 2014-12-11 | 2018-05-23 | Citizen Electronics Co., Ltd | Light emitting device |
US9711700B2 (en) * | 2014-12-26 | 2017-07-18 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for producing the same |
JP6472728B2 (ja) | 2015-08-04 | 2019-02-20 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置を備えたバックライト |
KR102562192B1 (ko) * | 2015-12-28 | 2023-08-01 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광 소자 및 광원 모듈 |
US11004891B2 (en) | 2016-02-09 | 2021-05-11 | Nichia Corporation | Light emitting device and backlight including the light emitting device |
US9870985B1 (en) * | 2016-07-11 | 2018-01-16 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package with clip alignment notch |
JP6729254B2 (ja) * | 2016-09-30 | 2020-07-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及び表示装置 |
KR20180046274A (ko) * | 2016-10-27 | 2018-05-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 소자 패키지 |
JP6916453B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2021-08-11 | 日亜化学工業株式会社 | 光源装置 |
US10211128B2 (en) | 2017-06-06 | 2019-02-19 | Amkor Technology, Inc. | Semiconductor package having inspection structure and related methods |
US11024667B2 (en) | 2017-12-22 | 2021-06-01 | Nichia Corporation | Light-emitting device |
CN111712555B (zh) | 2018-02-12 | 2023-06-09 | 昕诺飞控股有限公司 | 照明装置、灯具和提供聚合物主体基质元件的方法 |
JP7089167B2 (ja) * | 2018-04-23 | 2022-06-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
WO2019219177A1 (en) * | 2018-05-15 | 2019-11-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Carrier for an optoelectronic device, method for producing a carrier for an optoelectronic device |
US10910294B2 (en) | 2019-06-04 | 2021-02-02 | Amkor Technology Singapore Holding Pte. Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
US11075131B2 (en) * | 2019-08-22 | 2021-07-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor package and method of forming the same |
TWI765569B (zh) * | 2021-02-08 | 2022-05-21 | 健策精密工業股份有限公司 | 導線架結構及其製造方法 |
Family Cites Families (65)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0770363B2 (ja) * | 1987-02-28 | 1995-07-31 | イビデン株式会社 | 印刷抵抗体付プリント配線板 |
JP3488570B2 (ja) * | 1996-03-29 | 2004-01-19 | ローム株式会社 | Led発光装置およびこれを用いた面発光照明装置 |
US20030075724A1 (en) | 2001-10-19 | 2003-04-24 | Bily Wang | Wing-shaped surface mount package for light emitting diodes |
DE10041686A1 (de) | 2000-08-24 | 2002-03-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement mit einer Vielzahl von Lumineszenzdiodenchips |
JP4724965B2 (ja) * | 2001-07-10 | 2011-07-13 | ソニー株式会社 | フレキシブル配線基板 |
JP2003110145A (ja) | 2001-09-27 | 2003-04-11 | Harvatek Corp | 発光ダイオード用の翼形表面実装パッケージ |
JP2005197329A (ja) | 2004-01-05 | 2005-07-21 | Stanley Electric Co Ltd | 表面実装型半導体装置及びそのリードフレーム構造 |
JP4489485B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-06-23 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
JP4359195B2 (ja) | 2004-06-11 | 2009-11-04 | 株式会社東芝 | 半導体発光装置及びその製造方法並びに半導体発光ユニット |
KR100638721B1 (ko) * | 2005-01-28 | 2006-10-30 | 삼성전기주식회사 | 수지 흐름 개선용 리드 프레임 구조를 갖는 측면형발광다이오드 패키지 |
US7675145B2 (en) | 2006-03-28 | 2010-03-09 | Cree Hong Kong Limited | Apparatus, system and method for use in mounting electronic elements |
KR100809210B1 (ko) | 2006-07-10 | 2008-02-29 | 삼성전기주식회사 | 고출력 led 패키지 및 그 제조방법 |
US7960819B2 (en) * | 2006-07-13 | 2011-06-14 | Cree, Inc. | Leadframe-based packages for solid state emitting devices |
JP4952215B2 (ja) * | 2006-08-17 | 2012-06-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP4846498B2 (ja) | 2006-09-22 | 2011-12-28 | 株式会社東芝 | 光半導体装置及び光半導体装置の製造方法 |
TWM312778U (en) * | 2006-12-22 | 2007-05-21 | Lighthouse Technology Co Ltd | Improved LED |
EP2109157B1 (en) | 2006-12-28 | 2018-11-28 | Nichia Corporation | Light emitting device and method for manufacturing the same |
WO2008156020A1 (ja) | 2007-06-19 | 2008-12-24 | Sharp Kabushiki Kaisha | 基板及び照明装置 |
JP4996998B2 (ja) | 2007-07-02 | 2012-08-08 | シャープ株式会社 | 照明装置 |
KR101349605B1 (ko) * | 2007-09-27 | 2014-01-09 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지의 제조방법 |
TWM330569U (en) | 2007-10-09 | 2008-04-11 | Everlight Electronics Co Ltd | LED seal structure |
JP5544881B2 (ja) * | 2007-11-30 | 2014-07-09 | 日亜化学工業株式会社 | 蛍光体及びこれを用いた発光装置並びに蛍光体の製造方法 |
KR100998233B1 (ko) * | 2007-12-03 | 2010-12-07 | 서울반도체 주식회사 | 슬림형 led 패키지 |
JP5585013B2 (ja) | 2009-07-14 | 2014-09-10 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5446843B2 (ja) | 2009-12-24 | 2014-03-19 | 豊田合成株式会社 | Led発光装置 |
JP5710128B2 (ja) * | 2010-01-19 | 2015-04-30 | 大日本印刷株式会社 | 樹脂付リードフレームの製造方法 |
JP5010716B2 (ja) * | 2010-01-29 | 2012-08-29 | 株式会社東芝 | Ledパッケージ |
JP5378568B2 (ja) | 2010-01-29 | 2013-12-25 | 株式会社東芝 | Ledパッケージ |
JP5587625B2 (ja) | 2010-02-01 | 2014-09-10 | アピックヤマダ株式会社 | リードフレーム及びledパッケージ用基板 |
CN102804428B (zh) * | 2010-03-30 | 2016-09-21 | 大日本印刷株式会社 | Led用引线框或基板、半导体装置和led用引线框或基板的制造方法 |
US20130049058A1 (en) * | 2010-04-30 | 2013-02-28 | Rohm Co., Ltd. | Led module |
JP5528900B2 (ja) | 2010-04-30 | 2014-06-25 | ローム株式会社 | 発光素子モジュール |
JP5533203B2 (ja) * | 2010-04-30 | 2014-06-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
KR101039994B1 (ko) | 2010-05-24 | 2011-06-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 및 이를 구비한 라이트 유닛 |
JP5472917B2 (ja) | 2010-05-31 | 2014-04-16 | シャープ株式会社 | 取引処理端末装置 |
KR101103674B1 (ko) * | 2010-06-01 | 2012-01-11 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
US8648359B2 (en) | 2010-06-28 | 2014-02-11 | Cree, Inc. | Light emitting devices and methods |
KR20120001189A (ko) | 2010-06-29 | 2012-01-04 | 삼성엘이디 주식회사 | 발광 다이오드 패키지 |
JPWO2012014382A1 (ja) | 2010-07-27 | 2013-09-09 | パナソニック株式会社 | 半導体装置 |
JP2012028694A (ja) | 2010-07-27 | 2012-02-09 | Panasonic Corp | 半導体装置 |
JP5771937B2 (ja) * | 2010-10-13 | 2015-09-02 | 日亜化学工業株式会社 | 樹脂パッケージ及びその製造方法、樹脂パッケージを用いた発光装置 |
JP2012084810A (ja) | 2010-10-14 | 2012-04-26 | Toppan Printing Co Ltd | Led素子用リードフレーム基板及び発光素子 |
JP5886584B2 (ja) | 2010-11-05 | 2016-03-16 | ローム株式会社 | 半導体発光装置 |
JP5766976B2 (ja) | 2011-02-28 | 2015-08-19 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP2012190970A (ja) | 2011-03-10 | 2012-10-04 | Panasonic Corp | 発光素子用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP2012195430A (ja) | 2011-03-16 | 2012-10-11 | Sanken Electric Co Ltd | 発光ダイオード及びその製造方法 |
KR101116951B1 (ko) * | 2011-03-21 | 2012-03-14 | 희성전자 주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
JP5781801B2 (ja) | 2011-03-29 | 2015-09-24 | シチズン電子株式会社 | Led発光装置 |
KR101806550B1 (ko) * | 2011-06-14 | 2017-12-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 |
KR101253501B1 (ko) * | 2011-07-27 | 2013-04-11 | 주식회사 루멘스 | 발광소자 패키지 및 이를 구비하는 백라이트 유닛 |
KR101905520B1 (ko) * | 2011-08-25 | 2018-10-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
KR101641744B1 (ko) * | 2011-10-07 | 2016-07-21 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 백라이트 유닛 |
CN103367615B (zh) | 2012-04-06 | 2018-02-02 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置用封装成形体及使用了它的发光装置 |
CN103367344B (zh) | 2012-04-11 | 2016-04-27 | 光宝电子(广州)有限公司 | 连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条 |
KR101957884B1 (ko) | 2012-05-14 | 2019-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치 |
KR101886157B1 (ko) | 2012-08-23 | 2018-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 조명시스템 |
JP6102187B2 (ja) | 2012-10-31 | 2017-03-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP6107136B2 (ja) | 2012-12-29 | 2017-04-05 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
TW201434134A (zh) | 2013-02-27 | 2014-09-01 | Everlight Electronics Co Ltd | 發光裝置、背光模組及照明模組 |
US9728685B2 (en) | 2013-02-28 | 2017-08-08 | Nichia Corporation | Light emitting device and lighting device including same |
US9748164B2 (en) | 2013-03-05 | 2017-08-29 | Nichia Corporation | Semiconductor device |
JP6291713B2 (ja) | 2013-03-14 | 2018-03-14 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子実装用基体及びそれを備える発光装置、並びにリードフレーム |
JP6221403B2 (ja) | 2013-06-26 | 2017-11-01 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6484396B2 (ja) | 2013-06-28 | 2019-03-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置 |
JP6237174B2 (ja) | 2013-12-05 | 2017-11-29 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
-
2014
- 2014-04-25 JP JP2014090906A patent/JP6484396B2/ja active Active
- 2014-06-24 CN CN201410287335.6A patent/CN104253203B/zh active Active
- 2014-06-25 KR KR1020140078076A patent/KR102227798B1/ko active IP Right Grant
- 2014-06-26 EP EP14174566.1A patent/EP2819192B1/en active Active
- 2014-06-26 US US14/315,332 patent/US9406856B2/en active Active
- 2014-06-27 TW TW103122392A patent/TWI616003B/zh active
-
2016
- 2016-06-27 US US15/194,530 patent/US9647190B2/en active Active
-
2017
- 2017-04-03 US US15/477,119 patent/US9991432B2/en active Active
-
2018
- 2018-05-02 US US15/968,806 patent/US10305011B2/en active Active
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108735885A (zh) * | 2017-04-21 | 2018-11-02 | 日亚化学工业株式会社 | 光源装置 |
CN111443230A (zh) * | 2019-01-17 | 2020-07-24 | 英飞凌科技股份有限公司 | 具有可布线模制引线框的电流传感器设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104253203B (zh) | 2018-03-06 |
US20180254394A1 (en) | 2018-09-06 |
TWI616003B (zh) | 2018-02-21 |
US20150001559A1 (en) | 2015-01-01 |
JP6484396B2 (ja) | 2019-03-13 |
US20160308104A1 (en) | 2016-10-20 |
US9406856B2 (en) | 2016-08-02 |
US9991432B2 (en) | 2018-06-05 |
US10305011B2 (en) | 2019-05-28 |
KR20150002501A (ko) | 2015-01-07 |
US20170207377A1 (en) | 2017-07-20 |
EP2819192B1 (en) | 2019-03-13 |
US9647190B2 (en) | 2017-05-09 |
JP2015029052A (ja) | 2015-02-12 |
TW201511366A (zh) | 2015-03-16 |
KR102227798B1 (ko) | 2021-03-15 |
EP2819192A1 (en) | 2014-12-31 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104253203A (zh) | 发光装置用封装件及使用了它的发光装置 | |
CN104051593B (zh) | 发光元件安装用基体和具备其的发光装置以及引线框 | |
US9281460B2 (en) | Light emitting device package and light emitting device having lead-frames | |
CN103915542B (zh) | 发光装置用封装体、具备其的发光装置及具备该发光装置的照明装置 | |
JP6323217B2 (ja) | 発光装置 | |
US8431952B2 (en) | Light emitting device | |
KR20210040335A (ko) | 발광 장치 | |
JP6064396B2 (ja) | 発光装置 | |
CN106024768A (zh) | 发光装置 | |
JP2008160091A (ja) | 発光装置 | |
KR20150042954A (ko) | 측면발광 발광 장치 및 그 제조 방법 | |
JP6610703B2 (ja) | 発光装置用パッケージ | |
JP6414609B2 (ja) | 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |