CN103367344B - 连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条 - Google Patents

连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条 Download PDF

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Abstract

本发明是有关于一种连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条，其一种连板料片，包含一导线架连板及多个绝缘壳体连结条。导线架连板包括一框体及多个导线架单元，导线架单元呈矩阵式排列于框体内，且每一导线架单元包括一第一架体、一与第一架体相间隔的第二架体，及一连接结构。绝缘壳体连结条互相间隔地形成于导线架连板上，且每一绝缘壳体连结条沿第一方向包覆位于同一排的导线架单元并延伸覆盖相邻该排导线架单元两端的框体的一部分，而且至少露出每一导线架单元的第一架体的底面及第二架体的底面。

Description

连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条
技术领域
本发明涉及一种无引脚封装用的连板料片，特别是涉及一种用于封装发光二极管芯片的四方形平面无引脚(QuadFlatNo-lead，QFN)连板料片及其所形成的发光二极管封装品及灯条。
背景技术
现有以QFN封装方式来封装发光二极管(LED)芯片时，是先将一金属板刻蚀形成多个呈矩阵式排列的导线架单元，并利用模制成型(molding)的方式将对应每一导线架单元的绝缘壳体形成于金属板上，而形成连板料片，其中每一导线架单元用以设置芯片。连板料片经裁切后可以形成多个单体，每一单体包含单一导线架单元及绝缘壳体。
然而现有的用于QFN封装的连板料片，所有对应各导线架单元的绝缘壳体都相连在一起，形成一整片大面积的塑料结构。由于塑料材料与金属材料的热膨胀系数不同，在绝缘壳体的成型工艺，已容易造成连板料片的翘曲，再加上封装过程长时间的烘烤，更加剧板翘问题，如此会导致封装良率不佳，且影响封装品的信赖性。
此外，通常LED芯片需配合荧光层以形成白光，在封装涂布荧光层时，需要点亮芯片以动态调整荧光层的荧光材料的含量及分布区域，由于现有的连板料片其中的导线架单元是相连在一起，也就是所有导线架单元都电性相连，无法直接在连板料片上对封装单体进行检测，因而需要将连板料片切割形成独立的封装单体后，才能对封装单体进行检测。
由此可见，上述现有的无引脚封装用的连板料片在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型结构的连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。
发明内容
本发明的目的在于，克服现有的无引脚封装用的连板料片存在的缺陷，而提供一种新型结构的连板料片，所要解决的技术问题是在提供一种不易翘曲的四方形平面无引脚封装用的连板料片，非常适于实用。
本发明的另一目的在于，克服现有的无引脚封装用的连板料片存在的缺陷，而提供一种新型结构的连板料片，所要解决的技术问题是在提供一种可于连板料片上进行检测的四方形平面无引脚封装用的连板料片，从而更加适于实用。
本发明的再一目的在于，克服现有的无引脚封装用的连板料片存在的缺陷，而提供一种新型结构的发光二极管封装品，所要解决的技术问题是在提供一种四方形平面无引脚封装式的发光二极管的封装品，从而更加适于实用。
本发明的还一目的在于，克服现有的无引脚封装用的连板料片存在的缺陷，而提供一种新型结构的发光二极管灯条，所要解决的技术问题是在提供一种连接多个发光二极管封装品的灯条，从而更加适于实用。
本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的其包含：一导线架连板及多个绝缘壳体连结条；该导线架连板包括一框体及多个导线架单元，所述导线架单元沿相互垂直的一第一方向及一第二方向呈矩阵式排列于该框体内，且每一导线架单元包括一第一架体、一与该第一架体相间隔的第二架体，及一连接结构；该连接结构沿该第一方向及该第二方向其中至少一个方向延伸，使所述导线架单元沿至少一个方向与其相邻的导线架单元相连接且使相邻该框体的导线架单元与该框体连接；所述绝缘壳体连结条互相间隔地形成于该导线架连板上，且每一绝缘壳体连结条沿该第一方向包覆位于同一排的导线架单元并延伸覆盖相邻该排导线架单元两端的该框体的一部分，而且至少露出每一导线架单元的第一架体的底面及第二架体的底面。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的连板料片，其中所述的其每一导线架单元的第一架体及第二架体是沿该第二方向间隔排列，而每一导线架单元的连接结构由多个连接条构成，且所述连接条分别由该第一架体及该第二架体平行该第二方向的两侧面沿该第一方向往外延伸。
前述的连板料片，其中所述的其每一绝缘壳体连结条具有多个缺口，每一缺口对应露出相邻的两导线架单元的第二架体之间的连接条，且相邻的两第二架体之间的连接条被断开。
前述的连板料片，其中所述的其每一绝缘壳体连结条具有多个凹杯结构，每一凹杯结构对应露出每一导线架单元的第一架体及第二架体的部分顶面。
前述的连板料片，其中所述的其每一绝缘壳体连结条具有多个填充部，每一填充部分别对应填充每一导线架单元的第一架体及第二架体之间的间隙，且每一填充部由对应凹杯结构露出的部分凸出第一架体的顶面及第二架体的顶面且凸出的部分往两侧延伸而覆盖第一架体的部分顶面及第二架体的部分顶面。
前述的连板料片，其中所述的其该框体具有一外框部及多个延伸部，所述延伸部由该外框部往相对靠近所述导线架单元的方向延伸，并与相邻的导线架单元连接，每一延伸部形成有至少一个贯穿孔，每一绝缘壳体连结条的两端分别覆盖对应的延伸部且填充其贯穿孔。
前述的连板料片，其中所述的其每一导线架单元的第一架体具有一第一基部及一第一凸出部，该第一基部与该绝缘壳体连结条结合，且该第一凸出部沿该第二方向凸露出该绝缘壳体连结条；每一导线架单元的第二架体具有一第二基部及一第二凸出部，该第二基部与该绝缘壳体连结条结合，且该第二凸出部朝相反于该第一凸出部的方向凸露出该绝缘壳体连结条。
前述的连板料片，其中所述的其每一导线架单元还包括多个凹陷结构，分别形成于第一架体位于第一凸出部的底面周围至少一部分区域及第二架体位于第二凸出部的底面周围至少一部分区域。
前述的连板料片，其中所述的其每一导线架单元还包括多个阶梯结构，分别形成于第一架体位于第一基部的底面周围至少一部分区域及第二架体位于第二基部的底面周围至少一部分区域。
本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的其包含：一导线架单元、一绝缘壳体及至少一设于该导线架单元并与该导线架单元电连接的芯片；该导线架单元包括一第一架体、一第二架体，及多个连接条；该第一架体及该第二架体是沿一直线方向间隔排列，且所述连接条分别由该第一架体及该第二架体平行该直线方向的两侧面往外延伸；该绝缘壳体包覆该导线架单元，并至少露出该导线架单元的第一架体的底面及第二架体的底面，而且连接于该第一架体的连接条的端面与该绝缘本体的侧面切齐，且该绝缘壳体具有多个缺角，而分别使连接于该第二架体的连接条凸露出该绝缘壳体。
本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。
前述的发光二极管封装品，其中所述的该绝缘壳体具有一凹杯结构，该凹杯结构对应露出该导线架单元的第一架体及第二架体的部分顶面以供设置所述芯片，该凹杯结构的高度介于0.5倍至1.5倍的所述芯片的厚度。
前述的发光二极管封装品，其中所述的该绝缘壳体具有一凹杯结构，该凹杯结构对应露出该导线架单元的第一架体及第二架体的部分顶面以供设置所述芯片，该发光二极管封装品还包含一透镜体，与该绝缘壳体连接且覆盖该凹杯结构及所述芯片。
前述的发光二极管封装品，其中所述的该绝缘壳体具有一凹杯结构，该凹杯结构对应露出该导线架单元的第一架体及第二架体的部分顶面以供设置所述芯片，该发光二极管封装品还包含一透光体，填充于该凹杯结构，该透光体的顶面实质上与该绝缘壳体的顶面共平面。
前述的发光二极管封装品，其中所述的该发光二极管封装品还包含一透镜体，且该绝缘壳体与该透镜体由可透光材料一体成型。
本发明的目的及解决其技术问题另外还采用以下技术方案来实现。依据本发明提出的该发光二极管灯条还包含多个导线架单元及一绝缘壳体连结条；所述导线架单元沿一第一方向排列，且每一导线架单元包括一第一架体、一第二架体，及一连接结构，该第一架体及该第二架体是沿一与该第一方向垂直的第二方向间隔排列，而每一导线架单元的连接结构由多个连接条构成，且所述连接条分别由该第一架体及该第二架体平行该第二方向的两侧面沿该第一方向往外延伸，其中位于相邻的两第一架体之间的连接条相连接，而位于相邻的两第二架体之间的连接条被断开；该绝缘壳体连结条沿该第一方向包覆所述导线架单元，而且至少露出每一导线架单元的第一架体的底面及第二架体的底面，该绝缘壳体连结条具有多个缺口，每一缺口对应露出相邻的两第二架体之间的连接条；所述芯片对应设置于每一导线架单元并与对应的该导线架单元电连接。
本发明与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知，本发明的主要技术内容如下：能够减少应力残留及因金属材料与绝缘材料的热膨胀系数差异造成的板翘问题，而且可以减少绝缘材料的用量以节省材料成本，使每一导线架单元的电性独立，以能在连板料片上进行检测，方便封装检测的工作，提高单颗发光二极管封装品的色坐标位置的准确率，可以阻挡水气由底部入侵，延伸部及贯穿孔可以增加绝缘壳体连结条与框体的结合性，阶梯结构可供绝缘壳体连结条填充以包覆第一基部及第二基部的底面的周围，并露出底面，以增加绝缘壳体连结条与导线架单元的结合性。而且凹陷结构可供焊料填充，以增加导线架单元与电路板的焊接强度。
借由上述技术方案，本发明连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条至少具有下列优点及有益效果：本发明的连板料片能够减少应力残留及因金属材料与绝缘材料的热膨胀系数差异造成的板翘问题，而且可以减少绝缘材料的用量以节省材料成本。进一步地，可使每一导线架单元的电性独立，以在连板料片上进行检测，方便封装检测的工作。此外，可通过检测的结果实时调整荧光材料的含量及分布区域，提高单颗发光二极管封装品的色坐标位置的准确率。
综上所述，本发明其一种连板料片，包含一导线架连板及多个绝缘壳体连结条。导线架连板包括一框体及多个导线架单元，导线架单元呈矩阵式排列于框体内，且每一导线架单元包括一第一架体、一与第一架体相间隔的第二架体，及一连接结构。绝缘壳体连结条互相间隔地形成于导线架连板上，且每一绝缘壳体连结条沿第一方向包覆位于同一排的导线架单元并延伸覆盖相邻该排导线架单元两端的框体的一部分，而且至少露出每一导线架单元的第一架体的底面及第二架体的底面。本发明在技术上有显着的进步，并具有明显的积极效果，诚为一新颖、进步、实用的新设计。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和其它目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明如下。
附图说明
图1是说明本发明连板料片的一较佳实施例的立体图。
图2是图1的局部区域放大图。
图3是图2的俯视图。
图4是图3的背面视图。
图5是说明该较佳实施例的填充部的截面示意图。
图6是说明本发明发光二极管封装品的第一较佳实施例的立体图。
图7是说明该第一较佳实施例的俯视图。
图8是说明该第一较佳实施例的仰视图。
图9是说明该第一较佳实施例的剖视图。
图10是说明本发明发光二极管封装品的第二较佳实施例的立体图。
图11是说明本发明发光二极管封装品的第三较佳实施例的立体图。
图12是说明本发明发光二极管灯条的一较佳实施例的立体图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的连板料片、发光二极管封装品及发光二极管灯条其具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
在本发明被详细描述之前，要注意的是，在以下的说明内容中，类似的元件是以相同的编号来表示。
参阅图1至图4，本发明连板料片的一较佳实施例用以封装发光二极管芯片9(参阅图6)，连板料片包含：一导线架连板100及多个绝缘壳体连结条200，为了方便说明起见，图1至图4中右边第一排的绝缘壳体连结条200未示出，且在图3及图4中，绝缘壳体连结条200的区域以底纹表示，用以与导线架连板100做区隔。
导线架连板100包括一框体10及多个导线架单元1，是由一金属板刻蚀而成，所有导线架单元1沿相互垂直的一第一方向I及一第二方向II呈矩阵式排列于框体10内，且每一导线架单元1包括一第一架体11、一与第一架体11相间隔的第二架体12，及一连接结构，在本实施例，每一导线架单元1的第一架体11及第二架体12是沿第二方向II间隔排列，而每一导线架单元1的连接结构由多个连接条13构成，且连接条13分别由第一架体11及第二架体12平行第二方向II的两侧面沿第一方向I往外延伸。也就是说，在本实施例，连接结构沿第一方向I延伸，使导线架单元1沿第一方向I与其相邻的导线架单元1相连接且使相邻框体10的导线架单元1与框体10连接。
绝缘壳体连结条200以模制成型方式互相间隔地形成于导线架连板100上，且每一绝缘壳体连结条200沿第一方向I包覆位于同一排的导线架单元1并延伸覆盖相邻该排导线架单元1两端的框体10的一部分(即框体10的延伸部102，下文中再详述)。每一导线架单元1的第一架体11具有一第一基部111及一第一凸出部112，第一基部111与绝缘壳体连结条200结合，且第一凸出部112沿第二方向II凸露出绝缘壳体连结条200。每一导线架单元1的第二架体12具有一第二基部121及一第二凸出部122，第二基部121与绝缘壳体连结条200结合，且第二凸出部122朝相反于第一凸出部112的方向凸露出绝缘壳体连结条200。而且第一架体11还具有位于相反两侧的一顶面113及一底面114，第二架体12也具有一顶面123及一底面124，第一架体11的顶面113及第二架体12的顶面123用以供芯片9电连接，而第一架体11的底面114及第二架体12的底面124用以供焊接于一电路板(未图标)。
每一导线架单元1还包括多个阶梯结构141，分别形成于第一架体11位于第一基部111的底面114周围的一部分区域及第二架体12位于第二基部121的底面124周围的一部分区域。每一导线架单元1还包括多个凹陷结构142，分别形成于第一架体11位于第一凸出部112的底面114周围的一部分区域及第二架体12位于第二凸出部122的底面124周围的一部分区域，位于第一架体11和第二架体12的凹陷结构142可对称设置。阶梯结构141可供绝缘壳体连结条200填充以包覆底面114、124的周围，并露出底面114、124，以增加绝缘壳体连结条200与导线架单元1的结合性。而且凹陷结构142可供焊料(未图示)填充，以增加与电路板的焊接强度。再者，每一导线架单元1还包括分别形成于第一架体11的顶面113及第二架体12的顶面123的两个盲孔15，盲孔15位于绝缘壳体连结条200所覆盖的位置，借此增加绝缘壳体连结条200和导线架单元1的结合性。在本实施例，第一架体11的顶面113及第二架体12的顶面123分别形成一个盲孔15且形状为弯弧状，但是在其它等效的实施结构第一架体11的顶面113及第二架体12的顶面123也可以分别形成多个盲孔15且形状也可以改变不以弯弧状为限。
此外，导线架连板100的框体10具有一外框部101及多个延伸部102，延伸部102由外框部101往相对靠近导线架单元1的方向延伸，并与相邻的导线架单元1连接，每一延伸部102形成有至少一个贯穿孔103，在本实施例为一个，但是每一延伸部102也可形成多个贯穿孔103。每一绝缘壳体连结条200的两端分别覆盖对应的延伸部102且填充其贯穿孔103，借由延伸部102及贯穿孔103可以增加绝缘壳体连结条200与框体10的结合性。
在本实施例，每一绝缘壳体连结条200具有多个凹杯结构21，每一凹杯结构21对应露出每一导线架单元1的第一架体11及第二架体12的部分顶面113、123，以供设置芯片9(参阅图6)，而且每一绝缘壳体连结条200具有多个填充部22(另配合参阅图5)，每一填充部22分别对应填充每一导线架单元1的第一架体11及第二架体12之间的间隙，且每一填充部22由对应凹杯结构21露出的部分凸出第一架体11的顶面113及第二架体12的顶面123且凸出的部分往两侧延伸而覆盖第一架体11的部分顶面113及第二架体12的部分顶面123，借此可以阻挡水气由底部入侵。当然，若用于封装覆晶式芯片，则填充部22不高于第一架体11的顶面113及第二架体12的顶面123。
绝缘壳体连结条200互相间隔而不连接(即绝缘壳体连结条200仅沿第一方向I延伸，每一绝缘壳体连结条200在第二方向II是不相互连结的)，可以避免绝缘材料大面积连接，减少应力残留以及因金属材料与绝缘材料的热膨胀系数差异造成的板翘问题，而且可以减少绝缘材料的用量以节省材料成本。再者，在本实施例中，绝缘壳体连结条200是以塑料材料与填充材料的混合物制成，填充材料可以是玻璃纤维、碳纤维、氮化硼、氧化镁、氧化锌、二氧化硅、二氧化钛、氧化铝、碳化硅、滑石、云母、碳酸钙、碳酸钡、碳酸镁等，填充材料含量至少60wt％，而以80wt％以上较佳，能够降低绝缘材料与金属材料之间的热膨胀系数的差异，进一步减少板翘问题。在其它实施例中，绝缘壳体连结条200可以是硅胶(silicone)材料。
在本实施例，每一绝缘壳体连结条200还具有多个缺口201，每一缺口201对应露出相邻的两导线架单元1的第二架体12之间的连接条13，且相邻的两第二架体12之间的连接条13被断开。缺口201用以在绝缘壳体连结条200成形后方便单独切割第二架体12之间的连接条13，借此使每一导线架单元1的第二架体12电性独立，即两两导线架单元1之间的电性不相连，以能对封装单体进行检测。值得注意的是，封装单体可以在连板料片上实时检测(如光学特性等)，并不需要切割后再进行检测，有助于点测(点亮测试)后实时修正发光元件的色坐标位置。在本实施例中，绝缘壳体连结条200沿第一方向I设置是配合与导线架单元1的连接结构延伸方向一致，以能断开第二架体12之间的连接条13，使第二架体12的电性独立，且保留第一架体11之间的连接条13，以强化绝缘壳体连结条200的结构强度，避免绝缘壳体连结条200断裂。而且，由于绝缘壳体连结条200平行第一方向I的两侧在成形时已经与相邻的绝缘壳体连结条200分开，而且导线架单元1沿着第二方向II并不相连，所以要切割形成封装单体时，只需沿第二方向II同时切割绝缘壳体连结条200及第一架体11之间的连接条13即可，沿第一方向I不需要切割而能减少切割工艺所产生的毛边，且降低刀具磨耗的成本。然而，绝缘壳体连结条200也是可以沿第二方向II设置，同样可以达到减少板翘问题的功效，但是需要增加切割程序。再者，导线架单元1的连接结构也可以再包括沿第二方向II延伸的连接条(未图示)，也就是说，导线架单元1的连接结构也可以沿第一方向I及第二方向II两个方向延伸，除了使沿第一方向I的每一导线架单元1相互连接外，也使沿第二方向II的导线架单元1相互连接，增加连板料片的支撑强度，但是也需要增加切割程序。
前述连板料片可在设置芯片9及荧光层(未图示)后，进一步形成一透镜体3(例如图6所示)，或是在凹杯结构21中填充透光材料(例如硅胶)形成透光体4(例如图10所示)，或者可先在导线架单元1设置芯片9后再以透光材料(例如硅胶)进行模制成型，一体形成包含绝缘壳体2与透镜体3(例如图11所示)的绝缘壳体连结条(未图示)，经过检测后，再进行切割程序，以形成灯条300(例如图12所示)或独立的封装品(例如图6、图10、图11所示)。这里，荧光层可以直接涂布在芯片9上，再形成一透镜体3在芯片9上，或者荧光层可与透光材料均匀混合后再填入凹杯结构21中，皆可达到混光的效果。
参阅图6至图8，为本发明发光二极管封装品的第一较佳实施例，包含：一导线架单元1、一绝缘壳体2、一透镜体3及二芯片9。其一的芯片9可以是齐纳二极管(Zenerdiode)，以对另一芯片9进行ESD保护。
导线架单元1(即为前述连板料片中的导线架单元1)，包括一第一架体11、一第二架体12及多个连接条13。第一架体11及第二架体12是沿一直线方向II(相当于前述的第二方向II)间隔排列，且连接条13分别由第一架体11及第二架体12平行直线方向II的两侧面往外延伸(即沿第一方向I延伸)。导线架单元1的其它具体结构如前述连板料片的实施例的说明，不再重述。
绝缘壳体2即由前述连板料片的绝缘壳体连结条200切割而成，以模制成型方式与导线架单元1结合，而且切割绝缘壳体连结条200时一并切断连接于第一架体11之间的连接条13，使得连接于第一架体11的连接条13的端面与绝缘壳体2的两侧面23切齐，此外，原本绝缘壳体连结条200的缺口201处即对应形成各绝缘壳体2的缺角24，也就是说，绝缘壳体2具有两个缺角24，而分别使连接于第二架体12的连接条13凸露出绝缘壳体2。再者，绝缘壳体2具有一凹杯结构21及一填充部22，凹杯结构21对应露出导线架单元1的第一架体11及第二架体12的部分顶面113、123(参阅图3)供设置芯片9，填充部22即为前述连板料片中的填充部22，不再重述。芯片9即设于导线架单元1并与导线架单元1电连接。透镜体3覆盖凹杯结构21及芯片9。芯片9也可仅设置一个或两个以上，并不以本实施例为限。
参阅图9，在本实施例，凹杯结构21为浅杯型式，其高度h介于0.5倍至1.5倍的芯片9的厚度t，可依据所设置的芯片9的厚度t而定，凹杯结构21概呈下窄上宽，如中空截头锥形，锥角约70度。借由凹杯结构21的高度h不高于芯片9厚度t的1.5倍，以减少绝缘壳体2所受到芯片9照射的照光量，能够减缓绝缘材料的劣化，增加绝缘壳体2的使用寿命及可靠度。此外，经过测试，本封装品除了有良好的出光均匀性外，也具有良好的信赖度。
参阅图10，为本发明发光二极管封装品的第二较佳实施例，与前述封装品的第一较佳实施例大致相同，只是在第二较佳实施例中，绝缘壳体2的凹杯结构21的高度大于芯片9厚度的1.5倍，即凹杯结构21深度较深，为深杯型式，可以反射较多的芯片9的侧向光线，可较第一较佳实施例的浅杯结构具有更佳的出光均匀性。凹杯结构21内由透光体4填充以密封芯片9，而透光体4的顶面41实质上与绝缘壳体2的顶面25共平面。在另一实施例中，凹杯结构21不填入透光体4，且凹杯结构21上覆盖一光学透镜，也可使发光二极管封装品产生较佳的出光均匀性。
参阅图11，为本发明发光二极管封装品的第三较佳实施例，其外观结构与前述封装品的第一较佳实施例大致相同，只是第三较佳实施例的绝缘壳体2与透镜体3由可透光材料一体成型，而第一及第二较佳实施例的绝缘壳体2均不透光。也就是说，制作第三较佳实施例的工艺步骤是先将芯片9设置于导线架单元1后，再以透光的材料模制成型包含绝缘壳体2及透镜体3的绝缘壳体连结条(未图示)，在本实施例，盲孔15位于透镜体3的轮廓边缘且环绕芯片9，借此以增加透镜体3和导线架单元1的结合性。而其切割程序即与第一较佳实施例相同。经过测试，本实施例的出光均匀性也良好。
参阅图12，本发明发光二极管灯条300的一较佳实施例是以单一的绝缘壳体连结条200(参阅图1)为基础下所形成，本实施例是以前述发明发光二极管封装品的第一较佳实施例在未分割前的结构为例说明，也就是说灯条300即为多个相连的封装品所构成，其所包含的封装品个数可以视需求而定，也就是就单一的绝缘壳体连结条200也可以切割出多个灯条。同理，前述封装品的第二较佳实施例多个相连的结构及封装品的第三较佳实施例多个相连的结构也可形成一灯条。
综上所述，本发明连板料片的较佳实施例，借由形成多个沿第二方向II相间隔而不相连的绝缘壳体连结条200，能够减少应力残留及因金属材料与绝缘材料的热膨胀系数差异造成的板翘问题，而且可以减少绝缘材料的用量以节省材料成本。进一步地，导线架单元1的连接结构(连接条13)的延伸方向与绝缘壳体连结条200的延伸方向一致，可以减少切割程序，从而降低刀具磨耗的成本。而且绝缘壳体连结条200具有缺口201以露出连接第二架体12之间的连接条13，方便先将缺口201处的连接条13断开，使每一导线架单元1的电性独立，可在连板料片上直接进行检测，方便封装检测的工作，有助于点测后实时修正发光二极管封装品的色坐标位置，提高单颗发光二极管封装品的色坐标位置的准确率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (15)

1.一种连板料片,其特征在于其包含：一导线架连板及多个绝缘壳体连结条；该导线架连板包括一框体及多个导线架单元，所述导线架单元沿相互垂直的一第一方向及一第二方向呈矩阵式排列于该框体内，且每一导线架单元包括一第一架体、一与该第一架体相间隔的第二架体，及一连接结构；该连接结构沿该第一方向及该第二方向其中至少一个方向延伸，使所述导线架单元沿至少一个方向与其相邻的导线架单元相连接且使相邻该框体的导线架单元与该框体连接；所述绝缘壳体连结条互相间隔地形成于该导线架连板上，且每一绝缘壳体连结条沿该第一方向包覆位于同一排的导线架单元并延伸覆盖相邻该排导线架单元两端的该框体的一部分，而且至少露出每一导线架单元的第一架体的底面及第二架体的底面。
2.如权利要求1所述的连板料片,其特征在于其每一导线架单元的第一架体及第二架体是沿该第二方向间隔排列，而每一导线架单元的连接结构由多个连接条构成，且所述连接条分别由该第一架体及该第二架体平行该第二方向的两侧面沿该第一方向往外延伸。
3.如权利要求2所述的连板料片,其特征在于其每一绝缘壳体连结条具有多个缺口，每一缺口对应露出相邻的两导线架单元的第二架体之间的连接条，且相邻的两第二架体之间的连接条被断开。
4.如权利要求1所述的连板料片,其特征在于其每一绝缘壳体连结条具有多个凹杯结构，每一凹杯结构对应露出每一导线架单元的第一架体及第二架体的部分顶面。
5.如权利要求4所述的连板料片,其特征在于其每一绝缘壳体连结条具有多个填充部，每一填充部分别对应填充每一导线架单元的第一架体及第二架体之间的间隙，且每一填充部由对应凹杯结构露出的部分凸出第一架体的顶面及第二架体的顶面且凸出的部分往两侧延伸而覆盖第一架体的部分顶面及第二架体的部分顶面。
6.如权利要求1所述的连板料片,其特征在于其该框体具有一外框部及多个延伸部，所述延伸部由该外框部往相对靠近所述导线架单元的方向延伸，并与相邻的导线架单元连接，每一延伸部形成有至少一个贯穿孔,每一绝缘壳体连结条的两端分别覆盖对应的延伸部且填充其贯穿孔。
7.如权利要求1所述的连板料片,其特征在于其每一导线架单元的第一架体具有一第一基部及一第一凸出部，该第一基部与该绝缘壳体连结条结合，且该第一凸出部沿该第二方向凸露出该绝缘壳体连结条；每一导线架单元的第二架体具有一第二基部及一第二凸出部，该第二基部与该绝缘壳体连结条结合，且该第二凸出部朝相反于该第一凸出部的方向凸露出该绝缘壳体连结条。
8.如权利要求7所述的连板料片,其特征在于其每一导线架单元还包括多个凹陷结构，分别形成于第一架体位于第一凸出部的底面周围至少一部分区域及第二架体位于第二凸出部的底面周围至少一部分区域。
9.如权利要求8所述的连板料片,其特征在于其每一导线架单元还包括多个阶梯结构，分别形成于第一架体位于第一基部的底面周围至少一部分区域及第二架体位于第二基部的底面周围至少一部分区域。
10.一种发光二极管封装品,其包含一导线架单元、一绝缘壳体及至少一设于该导线架单元并与该导线架单元电连接的芯片；
其特征在于：该导线架单元包括一第一架体、一第二架体，及多个连接条；该第一架体及该第二架体是沿一直线方向间隔排列，且所述连接条分别由该第一架体及该第二架体相反两侧垂直该直线方向往外延伸；该绝缘壳体包覆该导线架单元，并至少露出该导线架单元的第一架体的底面及第二架体的底面，而且连接于该第一架体的连接条的端面与该绝缘壳体的侧面为一体切割形成，且该绝缘壳体具有多个分别对应连接于该第二架体的连接条的缺角，而分别使连接于该第二架体断开的连接条凸伸出所述缺角处。
11.如权利要求10所述的发光二极管封装品,其特征在于该绝缘壳体具有一凹杯结构，该凹杯结构对应露出该导线架单元的第一架体及第二架体的部分顶面以供设置所述芯片，该凹杯结构的高度介于0.5倍至1.5倍的所述芯片的厚度。
12.如权利要求10所述的发光二极管封装品,其特征在于该绝缘壳体具有一凹杯结构，该凹杯结构对应露出该导线架单元的第一架体及第二架体的部分顶面以供设置所述芯片，该发光二极管封装品还包含一透镜体,与该绝缘壳体连接且覆盖该凹杯结构及所述芯片。
13.如权利要求10所述的发光二极管封装品,其特征在于该绝缘壳体具有一凹杯结构，该凹杯结构对应露出该导线架单元的第一架体及第二架体的部分顶面以供设置所述芯片，该发光二极管封装品还包含一透光体,填充于该凹杯结构，该透光体的顶面与该绝缘壳体的顶面共平面。
14.如权利要求10所述的发光二极管封装品,其特征在于该发光二极管封装品还包含一透镜体，且该绝缘壳体与该透镜体由可透光材料一体成型。
15.一种发光二极管灯条,其特征在于该发光二极管灯条还包含多个导线架单元、一绝缘壳体连结条及芯片；所述导线架单元沿一第一方向排列，且每一导线架单元包括一第一架体、一第二架体，及一连接结构，该第一架体及该第二架体是沿一与该第一方向垂直的第二方向间隔排列，而每一导线架单元的连接结构由多个连接条构成，且所述连接条分别由该第一架体及该第二架体平行该第二方向的两侧面沿该第一方向往外延伸，其中位于相邻的两第一架体之间的连接条相连接，而位于相邻的两第二架体之间的连接条被断开；该绝缘壳体连结条沿该第一方向包覆所述导线架单元，而且至少露出每一导线架单元的第一架体的底面及第二架体的底面，该绝缘壳体连结条具有多个缺口，每一缺口对应露出相邻的两第二架体之间的连接条；所述芯片对应设置于每一导线架单元并与对应的该导线架单元电连接。
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Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6107136B2 (ja) * 2012-12-29 2017-04-05 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを備える発光装置、並びにその発光装置を備える照明装置
JP6484396B2 (ja) 2013-06-28 2019-03-13 日亜化学工業株式会社 発光装置用パッケージ及びそれを用いた発光装置
CN103700757A (zh) * 2013-12-02 2014-04-02 深圳市蓝科电子有限公司 贴片式led引线框架及其制造方法
CN103742807A (zh) * 2014-01-10 2014-04-23 江门市俊光线路板有限公司 一种便于检测的led灯条软板
US10177292B2 (en) 2014-05-23 2019-01-08 Everlight Electronics Co., Ltd. Carrier, carrier leadframe, and light emitting device
TWI553264B (zh) * 2014-05-23 2016-10-11 億光電子工業股份有限公司 承載支架及其製造方法以及從該承載支架所製得之發光裝置及其製造方法
US9812616B2 (en) * 2014-07-31 2017-11-07 Seoul Viosys Co., Ltd. Light-emitting diode
DE102015107515A1 (de) 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Bearbeiten eines Leiterrahmens und Leiterrahmen
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
JP6337873B2 (ja) * 2015-11-30 2018-06-06 日亜化学工業株式会社 パッケージ、パッケージ中間体、発光装置及びそれらの製造方法
JP6332253B2 (ja) * 2015-12-09 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
JP6332251B2 (ja) * 2015-12-09 2018-05-30 日亜化学工業株式会社 パッケージの製造方法及び発光装置の製造方法、並びにパッケージ及び発光装置
KR102479946B1 (ko) * 2016-04-06 2022-12-22 해성디에스 주식회사 반도체 패키지 기판 및 그 제조방법
JP2017201689A (ja) * 2016-05-05 2017-11-09 億光電子工業股▲ふん▼有限公司Ｅｖｅｒｌｉｇｈｔ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． キャリア、キャリアリードフレーム、及び発光デバイス
CN105977361A (zh) * 2016-06-30 2016-09-28 昆山初本电子科技有限公司 一种led封装方法
CN106025004A (zh) * 2016-06-30 2016-10-12 昆山初本电子科技有限公司 一种led芯片涂布保护材料的方法
KR20190009680A (ko) * 2017-07-19 2019-01-29 주식회사 루멘스 엘이디 패키지
US10892211B2 (en) * 2017-08-09 2021-01-12 Semtech Corporation Side-solderable leadless package
CN108538997B (zh) * 2018-03-29 2020-05-05 开发晶照明（厦门）有限公司 表面贴装型支架和多芯片光电器件
CN114352956B (zh) * 2021-12-07 2022-09-30 东莞市欧思科光电科技有限公司 Led灯带的制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201274296Y (zh) * 2008-06-20 2009-07-15 深圳市成光兴实业发展有限公司 一种大功率食人鱼led封装结构
CN102144306A (zh) * 2008-09-03 2011-08-03 日亚化学工业株式会社 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6256200B1 (en) * 1999-05-27 2001-07-03 Allen K. Lam Symmetrical package for semiconductor die
TW507482B (en) * 2000-06-09 2002-10-21 Sanyo Electric Co Light emitting device, its manufacturing process, and lighting device using such a light-emitting device
CN101944567B (zh) * 2006-12-28 2012-12-05 日亚化学工业株式会社 发光装置
US7923739B2 (en) * 2009-06-05 2011-04-12 Cree, Inc. Solid state lighting device
CN102473827A (zh) * 2010-01-29 2012-05-23 株式会社东芝 Led封装及其制造方法
JP4951090B2 (ja) * 2010-01-29 2012-06-13 株式会社東芝 Ｌｅｄパッケージ
US8648359B2 (en) * 2010-06-28 2014-02-11 Cree, Inc. Light emitting devices and methods
JP2012114286A (ja) * 2010-11-25 2012-06-14 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ
JP2012142426A (ja) * 2010-12-28 2012-07-26 Toshiba Corp Ｌｅｄパッケージ及びその製造方法
US8405181B2 (en) * 2011-03-16 2013-03-26 Intellectual Discovery Co., Ltd. High brightness and high contrast plastic leaded chip carrier LED
CN103367619B (zh) * 2012-03-30 2015-12-02 光宝电子(广州)有限公司 金属支架结构及发光二极管结构
KR101957884B1 (ko) * 2012-05-14 2019-03-13 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 조명 장치
US10026676B2 (en) * 2012-12-11 2018-07-17 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor lead frame package and LED package

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN201274296Y (zh) * 2008-06-20 2009-07-15 深圳市成光兴实业发展有限公司 一种大功率食人鱼led封装结构
CN102144306A (zh) * 2008-09-03 2011-08-03 日亚化学工业株式会社 发光装置、树脂封装体、树脂成形体及它们的制造方法

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