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Die Offenlegungsschrift
DE 10 2013 215 650 A1 führt in ihrem Absatz [0001] aus, dass es bekannt sei, optoelektronische Bauelemente mit optoelektronischen Halbleiterchips mit Gehäusen auszubilden, die eingebettete Leiterrahmenabschnitte aus Kupfer aufweisen. Bei solchen optoelektronischen Bauelementen kann vorgesehen sein, den optoelektronischen Halbleiterchip auf einen Leiterrahmenabschnitt anzuordnen und in ein Vergussmaterial einzubetten.
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Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe kann darin gesehen werden, ein effizientes Konzept bereitzustellen, welches ein effizientes Bearbeiten eines Leiterrahmens sowie einen effizient bearbeiteten Leiterrahmen und eine effizient hergestellte optoelektronische Leuchtvorrichtung ermöglicht.
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Diese Aufgabe wird mittels des jeweiligen Gegenstands der unabhängigen Ansprüche gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von jeweils abhängigen Unteransprüchen.
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Nach einem Aspekt wird ein Verfahren zum Bearbeiten eines zumindest einen elektrisch leitenden Kontaktabschnitt aufweisenden Leiterrahmens bereitgestellt, umfassend die folgenden Schritte:
- – Bilden einer Vertiefung in dem zumindest einen elektrisch leitenden Kontaktabschnitt, so dass ein erster elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt und ein zweiter elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt gebildet werden, die mittels der Vertiefung voneinander abgegrenzt sind,
- – Bilden eines einen den Leiterrahmen zumindest teilweise einbettenden Gehäuserahmen aufweisendes Gehäuses aus einem Gehäusewerkstoff, wobei das Bilden des Gehäuses ein Einbringen von Gehäusewerkstoff in die Vertiefung umfasst, so dass zwischen dem ersten und dem zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt ein mittels des in die Vertiefung eingebrachten Gehäusewerkstoffs gebildeter Gehäuserahmenabschnitt gebildet wird, um den ersten und den zweiten elektrischen leitenden Unterkontaktabschnitt mittels des Gehäuserahmenabschnitts mechanisch zu stabilisieren.
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Nach noch einem Aspekt wird ein Leiterrahmen bereitgestellt, umfassend:
- – zumindest einen elektrisch leitenden Kontaktabschnitt,
- – wobei eine Vertiefung in dem zumindest einen elektrisch leitenden Kontaktabschnitt gebildet ist,
- – so dass ein erster elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt und ein zweiter elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt gebildet sind, die mittels der Vertiefung von einander abgegrenzt sind,
- – wobei der Leiterrahmen zumindest teilweise in einem Gehäuserahmen eines Gehäuses aus einem Gehäusewerkstoff eingebettet ist,
- – wobei der Gehäuserahmen einen Gehäuserahmenabschnitt umfasst, der mittels eines zwischen dem ersten und dem zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt in die Vertiefung eingebrachten Gehäusewerkstoffs gebildet ist, um den ersten und den zweiten elektrischen leitenden Unterkontaktabschnitt mittels des Gehäuserahmenabschnitts mechanisch zu stabilisieren.
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Gemäß einem weiteren Aspekt wird eine optoelektronische Leuchtvorrichtung bereitgestellt, umfassend ein optoelektronisches Halbleiterbauteil und den erfindungsgemäßen Leiterrahmen, wobei das Halbleiterbauteil auf dem einen des ersten und des zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitts angeordnet ist, wobei eine elektrisch leitende Verbindung zwischen dem optoelektronische Halbleiterbauteil und dem anderen des ersten und des zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitts gebildet ist.
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Die Erfindung umfasst also insbesondere und unter anderem den Gedanken, in einem Bearbeitungsprozess eines Leiterrahmens eine Vertiefung in dem zumindest einen elektrisch leitenden Kontaktabschnitt zu bilden. Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass beim Bilden des Gehäuserahmens Gehäusewerkstoff in diese Vertiefung eingebracht werden kann. Dadurch kann sich dann in vorteilhafter Weise ein Gehäuserahmenabschnitt aus dem eingebrachten Gehäusewerkstoff bilden. Dieser bewirkt in vorteilhafter Weise eine mechanische Stabilisierung des ersten und des zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitts. Dadurch ist also in vorteilhafter Weise eine effiziente Bearbeitung des Leiterrahmens ermöglicht.
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Insbesondere ist es dadurch in vorteilhafter Weise ermöglicht, dass ein freitragender erster und/oder ein freitragender zweiter elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt realisiert werden können. Dadurch kann weiterhin der technische Vorteil bewirkt werden, dass eine größere Designfreiheit beim Leiterrahmendesign ermöglicht ist. Insbesondere können dadurch auch komplexe Leiterrahmendesigns realisiert werden. Insbesondere müssen elektrisch leitende (Unter)Kontaktabschnitte nicht mehr notwendigerweise in einem Gehäuse verankert werden.
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Insbesondere ist dadurch in vorteilhafter Weise eine Miniaturisierung ermöglicht. Das heißt also insbesondere, dass eine gleiche Funktionalität auf einem reduzierten Raum realisiert werden kann. Dies ist insbesondere bei sogenannten Multichip-Packages vorteilhaft.
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Insbesondere wird dadurch der technische Vorteil bewirkt, dass ein vereinfachtes Lötpaddesign realisiert werden kann. Die Pads, also der erste und der zweite elektrische leitende Unterkontaktabschnitt, können optimal positioniert werden. Es ist keine Rücksichtnahme auf eine korrekte Verankerung im Gehäuse notwendig.
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Insbesondere werden dadurch kundenfreundlichere und zuverlässigere, da angepasste, Lötpadgrößen realisiert.
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Ein Leiterrahmen im Sinne der vorliegenden Erfindung kann auch als ein Leadframe bezeichnet werden. Ein erster elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt kann insbesondere als ein erster elektrisch leitender Leiterrahmenabschnitt bezeichnet werden. Analog kann ein zweiter elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt als ein zweiter elektrisch leitender Leiterrahmenabschnitt bezeichnet werden. Ein Kontaktabschnitt (also der elektrisch leitende Kontaktabschnitt, der erste elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt und der zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt) kann insbesondere als ein Lötpad bezeichnet werden.
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Die Vertiefung bewirkt also insbesondere, dass der elektrisch leitende Kontaktabschnitt in einen ersten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt und in einen zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt unterteilt wird.
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Das Bilden der Vertiefung bewirkt noch nicht, dass der erste und der zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt voneinander getrennt sind. Diese sind weiterhin über die Vertiefung miteinander in Verbindung. Das heißt also, dass der erste elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt und der zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt nach dem Bilden der Vertiefung noch elektrisch miteinander verbunden sind. Denn die Vertiefung weist insbesondere einen Bodenbereich auf, der mittels des Materials des elektrisch leitenden Kontaktabschnitts gebildet ist.
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Die Vertiefung weist als insbesondere einen Boden auf, über dem diese elektrisch leitende Verbindung hergestellt ist.
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Das Bilden der Vertiefung umfasst insbesondere ein Abtragen von Material des Leiterrahmens. Das heißt also insbesondere, dass eine Aussparung im Leiterrahmen gebildet wird. Das heißt also insbesondere, dass die Vertiefung auch als eine Aussparung oder als eine Materialaussparung bezeichnet werden kann.
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Die Vertiefung verläuft insbesondere durchgehend von einer Kante des elektrisch leitenden Kontaktabschnitts zu einer weiteren Kante des elektrisch leitenden Kontaktabschnitts. Die weitere Kante ist insbesondere der einen Kante gegenüberliegend angeordnet. Die weitere Kante trifft insbesondere mit der einen Kante in einer Ecke aufeinander. Die weitere Kante ist also insbesondere mit der einen Kante in einer Ecke aufeinander treffend gebildet. Eine Kante kann auch als ein Rand bezeichnet werden.
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Nach einer Ausführungsform umfasst das Bilden des Gehäuses einen Formprozess. Das heißt, dass das Gehäuse mittels eines Formprozesses gebildet wird. Ein Formprozess kann auch als ein Moldprozess bezeichnet werden.
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Das Gehäuse kann nach einer Ausführungsform mittels eines Vergussprozesses, insbesondere mittels eines Spritzgussprozesses gebildet werden. Das heißt also insbesondere, dass das Bilden des Gehäuses vorzugsweise einen Vergussprozess, insbesondere einen Spritzgussprozess, umfasst.
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Der Gehäusewerkstoff umfasst zum Beispiel einen oder mehrere der folgenden Materialien oder ist aus einem oder mehreren der folgenden Materialien gebildet: Silikon(e), Epoxid(e), Polyphthalamid(e) (PPA), Polycyclohexylendimethylenterephthalat (PCT).
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Der Leiterrahmen umfasst nach einer Ausführungsform ein elektrisch leitfähiges Metall, zum Beispiel Kupfer, oder ist aus einem elektrisch leitfähigen Metall, zum Beispiel Kupfer, gebildet. Somit ist insbesondere der Kontaktabschnitt aus einem elektrisch leitfähigen Metall, insbesondere aus Kupfer, gebildet oder umfasst ein solches Metall, insbesondere Kupfer.
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Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Bilden des Gehäuserahmenabschnitts ein Bilden eines außerhalb der Vertiefung angeordneten Klebstoffbarriereabschnitts umfasst, so dass der Gehäuserahmenabschnitt einen außerhalb der Vertiefung angeordneten Klebstoffbarriereabschnitt umfasst.
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Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine Klebstoffbarriere effizient hergestellt werden kann. Üblicherweise wird in nachfolgenden Prozessschritten ein optoelektronisches Halbleiterbauteil auf den ersten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt oder den zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt angeordnet. Dies insbesondere mittels eines Klebstoffs. Das heißt also insbesondere, dass nach einer Ausführungsform das Halbleiterbauteil auf den ersten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt oder den zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt mittels eines Klebstoffs geklebt wird. Die Klebstoffbarriere, also der Klebstoffbarriereabschnitt, verhindert in vorteilhafter Weise, dass dieser aufgebrachte Klebstoff verläuft oder in einen Bereich des Leiterrahmens fließt, in den der Klebstoff nicht fließen soll.
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Das heißt also insbesondere, dass die Klebstoffbarriere, also der Klebstoffbarriereabschnitt, als ein Damm wirkt. Der Gehäuserahmenabschnitt umfassend den Klebstoffbarriereabschnitt kann zum Beispiel im Querschnitt eine Pilzform aufweisen. Eine Pilzform weist insbesondere einen länglichen Abschnitt auf, hier den Gehäuserahmenabschnitt zwischen dem ersten und dem zweiten Unterkontaktabschnitt, also den in die Vertiefung eingebrachten Gehäusewerkstoff. Die Pilzform weist insbesondere einen sich an den länglichen Abschnitt anschließenden bogenförmigen Abschnitt auf, also den Klebstoffbarriereabschnitt.
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In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass bei mehreren elektrisch leitenden Kontaktabschnitten diese zumindest teilweise mittels zumindest eines mechanischen Stabilisierungselements verbunden sind, das beim Bilden des Gehäuses zumindest teilweise in den Gehäuserahmen eingebettet wird.
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Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass eine effiziente mechanische Stabilisierung der mehreren elektrisch leitenden Kontaktabschnitte erzielt werden kann. Das mechanische Stabilisierungselement bewirkt insbesondere, dass zwei Kontaktabschnitte hierüber miteinander verbunden sind. Beispielsweise kann das zumindest eine mechanische Stabilisierungselement bereits beim Herstellen des Leiterrahmens gebildet werden. Das heißt also, dass das mechanische Stabilisierungselement integral mit dem Leiterrahmen gebildet wird.
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Nach einer Ausführungsform sind mehrere mechanische Stabilisierungselemente vorgesehen, die mehrere elektrisch leitenden Kontaktabschnitte miteinander verbinden.
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Nach einer Ausführungsform sind mehrere elektrisch leitende Kontaktabschnitte vorgesehen. Der Leiterrahmen umfasst also zum Beispiel mehrere elektrisch leitende Kontaktabschnitte, zum Beispiel vier oder 6 Kontaktabschnitte. Ausführungsformen, die im Zusammenhang mit einem Leiterrahmen umfassend einen elektrischen leitenden Kontaktabschnitt gemacht werden, gelten analog für Ausführungsformen umfassend einen Leiterrahmen umfassend mehrere elektrisch leitende Kontaktabschnitte und umgekehrt. Das heißt also insbesondere, dass im Fall von mehreren Kontaktabschnitten diese analog zu Ausführungsformen umfassend einen Kontaktabschnitt entsprechend bearbeitet werden. Das heißt also insbesondere, dass in den elektrisch leitenden Kontaktabschnitten jeweils eine Vertiefung gebildet wird, sodass jeweils ein erster elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt und ein zweiter elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt gebildet werden, die mittels der jeweiligen Vertiefung voneinander abgegrenzt sind. Analog gilt der Schritt des Bildens des Gehäuserahmens auch für den Fall der mehreren Kontaktabschnitte.
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In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass das zumindest eine mechanische Stabilisierungselement nach dem Bilden des Gehäuses entfernt wird.
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Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass der Leiterrahmen leichter wird.
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Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Entfernen ein Ätzen umfasst.
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Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass das mechanische Stabilisierungselement effizient entfernt werden kann.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass folgender Schritt durchgeführt wird: ein voneinander Trennen des ersten und des zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitts, so dass der erste und der zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt voneinander elektrisch isoliert werden.
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Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass der erste und der zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt voneinander elektrisch isoliert werden können. Dadurch kann in vorteilhafter Weise das elektrooptische Halbleiterbauteil über diese beiden elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitte elektrisch kontaktiert werden, sodass das optoelektronische Halbleiterbauteil betrieben werden kann.
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In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Trennen ein Ätzen umfasst.
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Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass der erste und der zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt effizient voneinander getrennt werden können.
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In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Bilden der Vertiefung ein Ätzen umfasst.
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Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass die Vertiefung effizient gebildet werden kann.
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In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass ein Bereich, der frei von einem Ätzen bleiben soll, mit einem Ätzschutz, zum Beispiel mit einer Ätzschutzschicht, zum Beispiel mit einer Folie oder zum Beispiel mit einem Lack, versehen wird.
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Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass verhindert werden kann, dass Bereiche, die nicht geätzt werden sollen, geätzt werden.
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In einer anderen Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Ätzen ein Trockenätzen und/oder ein Nassätzen umfasst.
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Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass ein effizientes Ätzen durchgeführt werden kann.
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Nach einer Ausführungsform ist vorgesehen, dass das Trockenätzen ein Chlorätzen umfasst und/oder wobei das Nassätzen ein Ätzen mittels HCl und FeCl umfasst.
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Dadurch wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass ein besonders effizientes Trocken – respektive Nassätzen ermöglicht ist.
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Gemäß einer weiteren Ausführungsform ist vorgesehen, dass der elektrisch leitende Kontaktabschnitt vor dem Bilden des Gehäuses teilweise mit einem Metall beschichtet wird, um eine Metallbeschichtung zu bilden, wobei ein zu ätzender Bereich frei von der Metallschichtbeschichtung bleibt.
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Durch das Vorsehen einer Metallbeschichtung kann insbesondere der technische Vorteil bewirkt werden, dass eine effiziente elektrische Kontaktierung des Halbleiterbauteils oder anderer weiterer elektronischer Bauteile erzielt werden kann. Dadurch, dass der zu ätzende Bereich frei von der Metallbeschichtung bleibt, wird insbesondere der technische Vorteil bewirkt, dass ein selektives Ätzen durchgeführt werden kann. Selektives Ätzen heißt insbesondere, dass nur der Bereich geätzt wird, der keine Metallbeschichtung aufweist, also frei von der Metallbeschichtung ist. Das Vorsehen von unterschiedlichen Oberflächen (Oberflächen mit einer Metallbeschichtung und Oberflächen frei von einer Metallbeschichtung) weist also insbesondere den Vorteil auf, dass ein selektives Ätzen ermöglicht ist.
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Nach einer Ausführungsform ist der Leiterrahmen mittels des erfindungsgemäßen Verfahrens hergestellt. Ausführungsformen betreffend den Leiterrahmen ergeben sich in analoger Weise aus entsprechenden Ausführungsformen des Verfahrens und umgekehrt. Dies gilt analog für die optoelektronische Leuchtvorrichtung.
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Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil ist nach einer Ausführungsform eine Leuchtdiode, auch lichtemittierende Diode genannt. Im Englischen wird eine Leuchtdiode auch als "Light Emitting Diode (LED)" bezeichnet. Die Leuchtdiode ist zum Beispiel eine organische oder eine anorganische Leuchtdiode.
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Nach einer Ausführungsform ist die Leuchtdiode eine Laserdiode.
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Das Halbleiterbauteil ist nach einer Ausführungsform als ein Halbleiterchip ausgebildet. Das heißt also insbesondere, dass die Leuchtdiode vorzugsweise als ein Leuchtdiodenchip, insbesondere als ein Laserchip, ausgebildet ist.
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Ein optoelektronisches Halbleiterbauteil umfasst nach einer Ausführungsform eine lichtemittierende Fläche. Das heißt also insbesondere, dass im Betrieb des Halbleiterbauteils Licht mittels der lichtemittierenden Fläche emittiert wird. Anstelle oder zusätzlich von Licht kann auch elektromagnetische Strahlung emittiert werden, die nicht im sichtbaren Bereich liegt, also zum Beispiel im infraroten oder im ultravioletten Spektralbereich.
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Die elektrisch leitende Verbindung ist nach einer Ausführungsform ein Bonddraht.
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Der erste elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt kann zum Beispiel als ein Lötpad bezeichnet werden. Der zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt kann zum Beispiel als ein Lötpad bezeichnet werden.
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Über den ersten und den zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt ist nach einer Ausführungsform eine elektrische Kontaktierung des optoelektronischen Halbleiterbauteils bewirkt oder hergestellt.
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Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, werden klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden, wobei
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1 einen Leiterrahmen,
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2 und 3 jeweils einen Leiterrahmen in verschiedenen Ansichten,
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4–15 jeweils einen Leiterrahmen in unterschiedlichen Ansichten zu verschiedenen Zeitpunkten des Verfahrens zum Bearbeiten eines Leiterrahmens,
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16–22 den bearbeiteten Leiterrahmen umfassend mehrere optoelektronische Halbleiterbauteile in verschiedenen Ansichten,
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23 und 24 jeweils einen Ätzschritt und
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25 ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Bearbeiten eines Leiterrahmens
zeigen.
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Im Folgenden können für gleiche Merkmale gleiche Bezugszeichen verwendet werden. Des Weiteren sind der Übersicht halber nicht in sämtlichen Zeichnungen sämtliche Bezugszeichen für die einzelnen Elemente eingezeichnet.
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1 zeigt einen Leiterrahmen 101 umfassend mehrere Lötpads 103. Die Lötpads 103 weisen jeweils mehrere Verankerungselemente 105 in Form von Vorsprüngen auf. Diese Verankerungselemente 105 dienen als Verankerung der Lötpads 103 in ein Gehäuse (nicht dargestellt). Das heißt also, dass die Verankerungselemente 105 die Lötpads 103 in dem Gehäuse verankern. Ein solches Gehäuse kann zum Beispiel mittels eines Vergussprozesses, insbesondere eines Spritzgussprozesses, hergestellt werden.
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Das Lötpad mit dem Bezugszeichen 107 weist ein ungünstiges Aspektverhältnis auf, insofern es sich hier um ein langes, schmales Lötpad handelt. Daher ist hier zusätzlich zu den beiden Verankerungen 105 an der bezogen auf die Papierebene oberen Seite des Lötpads 107 noch ein Verankerungsabschnitt 109 an der bezogen auf die Papierebene unteren Seite des Lötpads 107 vorgesehen, der das Lötpad 107 verlängert, damit ein am Verankerungsabschnitt 109 gebildetes Verankerungselement 105 das Lötpad 107 in dem Gehäuse verankern kann. Ein solch zusätzlicher Verankerungsabschnitt 109 führt zu einem erhöhten Platzbedarf, was dann letztlich zu größeren Bauteilen führt.
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2 zeigt ein RGBW-Bauteil 201 in einer Draufsicht von oben. 3 zeigt das Bauteil 201 der 2 in einer Draufsicht von unten. Hierbei stehen die Buchstaben "R, G, B, W" für "Rot, Grün, Blau, Weiß". Das heißt also, dass das Bauteil 201 rotes Licht, grünes Licht, blaues Licht, weißes Licht emittieren kann. Diese Emission unterschiedlicher Wellenlängen wird durch mehrere Leuchtdiodenchips 203 bewirkt, die auf den Lötpads 103 angeordnet sind. Das heißt also, dass vier Leuchtdiodenchip 203 jeweils auf einem Lötpad 103 angeordnet sind. Das Lötpad 103 wirkt somit als eine Elektrode für eine elektrische Kontaktierung des entsprechenden Leuchtdiodenchips 203. Ein weiteres Lötpad 103 ist dann als eine Gegenelektrode vorgesehen, die mit dem Leuchtdiodenchip 203 über einen Bonddraht elektrisch verbunden ist.
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Auf einem Lötpad 103 kann sich zum Beispiel auch ein Temperatursensor 207 befinden, der mit einem weiteren Lötpad 103 ebenfalls über einen Bonddraht 205 elektrisch kontaktiert sein kann.
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Die Lötpads 103 sind voneinander elektrisch isoliert. Je nach elektrischer Kontaktierung bilden die Lötpads 103 somit eine Kathode oder eine Anode für die Leuchtdiodenchips 203 respektive kontaktieren eine Anode oder Kathode der Leuchtdiodenchips 203.
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Der Leiterrahmen 101 ist in einem Gehäuse 209 eingebettet, was zum Beispiel mittels eines Vergussprozesses hergestellt sein kann.
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Wie die in 2 und 3 dargestellten Ansichten des Bauteils 201 zeigen, muss jedes der Lötpads 103 für sich im Gehäuse 209 verankert oder eingebettet sein. Dies mittels der Verankerungselemente 105. Somit müssen also die Verankerungselemente 105 der einzelnen Lötpads 103 jedes für sich genommen im Gehäuse 209 eingebettet sein. Dies führt zu entsprechend großen Lötpads 103, selbst wenn die eigentliche Fläche, die für die elektrische Kontaktierung des Leuchtdiodenchips 203 benötigt wird, nicht so groß sein muss.
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Dies führt dazu, dass das Bauteil 201 nicht beliebig miniaturisiert werden kann. Insbesondere führt dies zu Designeinschränkungen.
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4 zeigt einen Leiterrahmen 400 in einer schrägen Draufsicht auf eine Oberseite des Leiterrahmens 400. 5 zeigt eine Draufsicht von oben auf den Leiterrahmen 400. 6 zeigt eine Draufsicht auf die Unterseite des Leiterrahmens 400.
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Der Leiterrahmen 400 umfasst mehrere elektrisch leitende Kontaktabschnitte 401, die auch als elektrisch leitende Leiterrahmenabschnitte bezeichnet werden können.
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Die Kontaktabschnitte 401 sind zum Beispiel aus Kupfer gebildet oder umfassen Kupfer.
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Der Leiterrahmen 400 umfasst sechs elektrisch leitende Kontaktabschnitte 401. In nicht gezeigten Ausführungsbeispielen kann vorgesehen sein, dass mehr oder weniger als sechs elektrisch leitende Kontaktabschnitte 400 vorgesehen sind.
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Analog zu den 1 bis 3 weisen die elektrisch leitenden Kontaktabschnitte 401 jeweils Verankerungselemente 403 auf, die eine Verankerung der elektrisch leitenden Kontaktabschnitte 401 in einem noch nicht hergestellten Gehäuse bewirken.
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Die elektrisch leitenden Kontaktabschnitte 401 weisen jeweils eine Oberseite 405 und eine der Oberseite 405 gegenüberliegende Unterseite 601 auf.
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Es sind vier Stabilisierungselemente 407 vorgesehen, wobei jeweils zwei Stabilisierungselemente drei der sechs Kontaktabschnitte 401 miteinander verbinden. Diese Stabilisierungselemente 407 bewirken eine mechanische Stabilisierung der einzelnen elektrisch leitenden Kontaktabschnitte 401 untereinander oder gegeneinander.
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7 bis 9 zeigen jeweils den Leiterrahmen 400 zu einem bezogen auf die 4 bis 6 späteren Zeitpunkt in einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Bearbeiten eines Leiterrahmens. Hierbei zeigt 7 analog zu 4 eine schräge Draufsicht auf die Oberseite 405. 8 zeigt analog zu 5 eine Draufsicht von oben auf die Oberseite 405. 9 zeigt analog zu 6 eine Draufsicht von unten auf die Unterseite 601.
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Es ist vorgesehen, dass jeweils eine Vertiefung 701 in den elektrisch leitenden Kontaktabschnitten 401 gebildet wird. Somit wird also jeder der elektrisch leitenden Kontaktabschnitte 401 in einen ersten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt 703 und in einen zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt 705 unterteilt. Es sind also ein erster elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt 703 und ein zweiter elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt 705 gebildet, die mittels der Vertiefung 701 voneinander abgegrenzt sind. Da die Vertiefung 701 aber kein Durchbruch ist, sondern lediglich einer Materialaussparung entspricht, sind die beiden ersten und zweiten Unterkontaktabschnitte 703, 705 noch elektrisch miteinander verbunden über entsprechendes Material des elektrisch leitenden Kontaktabschnitts 401. Das heißt also, dass teilweise Material vom elektrisch leitenden Kontaktabschnitt 401 abgetragen wurde oder entfernt wurde, um die Vertiefung 701 zu bilden. Die beiden Unterkontaktabschnitte 703, 705 sind also noch mittels der Vertiefung 701 miteinander verbunden.
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Zum Beispiel kann vorgesehen sein, dass die Vertiefung 701 geätzt wird. Zum Beispiel kann (auch losgelöst von diesem konkreten Ausführungsbeispiel) 50% der Dicke des elektrisch leitenden Kontaktabschnitts 401 im Bereich der Vertiefung 701 abgetragen sein. Wie tief oder wie viel hier Material abgetragen wird, ist insbesondere eine Abwägung zwischen einer notwendigen Stabilisierung des Leiterrahmens 400 und möglichst viel Gehäusewerkstoff zwischen den Unterkontaktabschnitten 703, 705.
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Nach diesem Strukturierungsschritt, also nach dem Bilden der Vertiefung 701, ist ein Bilden eines Gehäuses 1001 vorgesehen. Dies zeigen beispielhaft die 10 bis 12, wobei die entsprechenden Ansichten der 10 bis 12 respektive den Ansichten der 7 bis 9 oder 4 bis 6 entsprechen.
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9 zeigt, dass die Rückseite 601 in dem Schritt des Bildens der Vertiefung 701 nicht strukturiert oder bearbeitet wird. Die Rückseite 601 bleibt als während des Bildens der Vertiefung 701 unstrukturiert.
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Das Gehäuse 1001 ist aus einem Gehäusewerkstoff gebildet, der zum Beispiel eine Vergussmasse, zum Beispiel Silikon, sein kann. Das heißt also, dass das Gehäuse 1001 mittels eines Vergussprozesses, insbesondere eines Spritzgussprozesses, oder zum Beispiel mittels eines Dispensens oder Spritzgießens gebildet werden kann.
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Das Gehäuse 1001 weist einen Gehäuserahmen 1003 auf. Der Gehäuserahmen 1003 weist einen Gehäuserahmenabschnitt 1005 auf. Dieser Gehäuserahmenabschnitt 1005 wird gebildet, indem beim Bilden des Gehäuses 1001, also beispielsweise bei einem Spritzgussprozess, Gehäusewerkstoff in die Vertiefung 701 eingebracht wird. Das heißt also, dass der Gehäuserahmenabschnitt 1005 mittels des in die Vertiefung 701 zwischen dem ersten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt 703 und dem zweiten elektrisch leitenden Kontaktabschnitt 705 eingebrachten Gehäusewerkstoffs gebildet wird.
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Dieser Gehäuserahmenabschnitt 1005 bewirkt eine mechanische Stabilisierung des ersten und des zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitts 703, 705. Somit muss also nicht jeder der ersten und zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitte 703, 705 eine eigene Verankerung in einem Randbereich des Gehäuses 1001 aufweisen.
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Ferner ist vorgesehen, dass der Gehäuserahmenabschnitt 1005 mit einem Klebstoffbarriereabschnitt 1605 gebildet wird, wie dies im Zusammenhang mit 16 zu sehen ist. Dieser Klebstoffbarriereabschnitt 1605 ist außerhalb der Vertiefung 701 gebildet und weist eine parabel- oder kreisförmige Form auf, ähnlich einer Pilzform. Der Klebstoffbarriereabschnitt 1605 bewirkt, dass ein auf die Oberseite 405 der Unterkontaktabschnitte 703, 705 aufgebrachter Klebstoff nicht verläuft.
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Die mechanischen Stabilisierungselemente 407 sind zumindest teilweise in dem Gehäuserahmenabschnitt 1005 eingebettet.
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13 bis 15 zeigen jeweils den Leiterrahmen 400 zu einem späteren Zeitpunkt in dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Bearbeiten eines Leiterrahmens relativ zu dem in den 10 bis 12 gezeigten Leiterrahmen 400. 13 zeigt eine Draufsicht von schräg unten auf die Unterseite 601. 14 zeigt eine Draufsicht von oben auf die Unterkontaktabschnitte 703, 705. 15 zeigt eine Draufsicht von unten auf die Unterseite 601.
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Hier ist vorgesehen, dass nun der Leiterrahmen 400 von seiner Unterseite 601 strukturiert wird. Insbesondere ist hier vorgesehen, dass die ersten und zweiten Unterkontaktabschnitte 703, 705 voneinander getrennt werden, indem zum Beispiel die Vertiefung 701 weggeätzt wird, also der Boden der Vertiefung 701 weggeätzt wird. Insbesondere ist bei dieser Strukturierung vorgesehen, dass die Stabilisierungselemente 407 entfernt werden. Dies beispielsweise mittels eines Ätzprozesses. Das Bezugszeichen 1501 zeigt symbolisch auf die nun entfernte und somit nicht mehr vorhandene Vertiefung 701.
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Aufgrund dieser Strukturierung (, auf die in 16 symbolisch das Bezugszeichen 1607 zeigt,) wird bewirkt, dass der erste elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt 703 und der zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt 705 voneinander elektrisch isoliert sind. Die voneinander isolierten Unterkontaktabschnitte 703, 705 können somit also zur Kontaktierung einer Anode und einer Kathode eines optoelektronischen Halbleiterbauteils verwendet werden.
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16 bis 22 zeigt jeweils eine optoelektronische Leuchtvorrichtung 1701 in verschiedenen Ansichten.
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16 zeigt eine Ansicht von schräg unten auf die optoelektronische Leuchtvorrichtung 1701, wobei die Leuchtvorrichtung 1701 abgeschnitten dargestellt ist. 17 zeigt eine Draufsicht von oben auf die Leuchtvorrichtung 1701. 18 zeigt eine Draufsicht von schräg oben auf die Leuchtvorrichtung 1701. 19 zeigt eine Draufsicht von oben auf die Leuchtvorrichtung 1701. 20 zeigt eine Draufsicht von unten auf die Leuchtvorrichtung 1701. 21 und 22 zeigen jeweils eine Draufsicht von schräg oben auf die Leuchtvorrichtung 1701, wobei die Leuchtvorrichtung 1701 abgeschnitten dargestellt ist. In 21 ist das Gehäuse 1001 transparent dargestellt, um die einzelnen vergossenen oder eingebetteten Elemente besser sehen zu können. In 22 ist das Gehäuse 1001 nicht mehr transparent dargestellt, was im Wesentlichen einer realen Ansicht entspricht.
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Die optoelektronische Leuchtvorrichtung 1701 umfasst den gemäß den 13 bis 15 bearbeiteten Leiterrahmen 400 umfassend das Gehäuse 1001. Auf einer Oberseite 405 eines erste oder zweiten Unterkontaktabschnitts 703, 705 ist jeweils ein optoelektronisches Halbleiterbauteil 1601 angeordnet. Hierbei sind drei Halbleiterbauteile 1601 jeweils auf einem zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt 705 angeordnet. Drei Halbleiterbauteile 1601 sind jeweils auf einem ersten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt angeordnet. Somit umfasst die Leuchtvorrichtung 1701 sechs Halbleiterbauteile 1601. In nicht gezeigten Ausführungsformen kann vorgesehen sein, dass mehr oder weniger als sechs Halbleiterbauteile vorgesehen sind.
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Die optoelektronischen Halbleiterbauteile 1601 weisen eine hier nicht im Detail dargestellte lichtemittierende Fläche auf, mittels welcher Licht emittiert werden kann. Diese lichtemittierende Fläche ist der Oberseite 405 abgewandt.
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Der jeweilige Unterkontaktabschnitt 703, 705, auf welchem die Halbleiterbauteile 1601 angeordnet sind, bewirkt also eine elektrische Kontaktierung des entsprechenden Halbleiterbauteils 1601, zum Beispiel eine Kontaktierung der Kathode oder der Anode des jeweiligen Halbleiterbauteils 1601. Entsprechend bewirkt dann ein weiterer erster respektive zweiter elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt 703, 705 eine elektrische Kontaktierung der Kathode oder Anode des jeweiligen Halbleiterbauteils 1601. Für diese elektrische Kontaktierung ist eine elektrische Verbindung zwischen dem ersten respektive zweiten Unterkontaktabschnitt 703, 705 zum denjenigen Unterkontaktabschnitt 703, 705 vorgesehen, auf welchem das jeweilige Halbleiterbauteil 1601 angeordnet ist. Diese elektrische Kontaktierung wird zum Beispiel mittels eines Bonddrahts 1603 gebildet.
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In 20 sind zwei der elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitte 703, 705 mit dem Bezugszeichen 2001 versehen. Diese Unterkontaktabschnitte 2001 sind freitragende Unterkontaktabschnitte. Das heißt also, dass diese nicht mit Verankerungselementen 403 im Gehäuserahmen 1003 verankert sind. Diese freitragenden Unterkontaktabschnitte 2001 können insbesondere erfindungsgemäß dadurch realisiert werden, dass während des Bearbeitungsverfahrens eine mechanische Stabilisierung zwischen dem ersten und dem zweiten Unterkontaktabschnitt 703, 705 mittels des Gehäuserahmenabschnitts 1005 gebildet wurde. Der Gehäuserahmenabschnitt 1005 stabilisiert die beiden Unterkontaktabschnitte 2001, so dass diese selbst nicht mehr im Gehäuserahmen 1003 mittels Verankerungselementen 403 verankert werden müssen.
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23 und 24 zeigen jeweils einen Ätzschritt der Unterseite 601 der Unterkontaktabschnitte 703, 705.
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Gemäß 23 kann zum Beispiel vorgesehen sein, dass eine Ätzschutzschicht 2301 auf die Unterseite 601 aufgebracht ist, wobei der zu ätzende Bereich freigelassen wird. Ein Pfeil mit dem Bezugszeichen 2303 zeigt auf diesen freigelassenen Bereich, der im Rahmen eines selektiven Ätzens weggeätzt wird, um die Vertiefung 701 aufzutrennen, um die Unterkontaktabschnitte 703, 705 voneinander elektrisch zu isolieren.
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Die Ätzschutzschicht 2301 kann zum Beispiel aus NiPdAu gebildet sein oder NiPdAu umfassen.
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Gemäß 24 ist ein Ätzprozess umfassend zwei Schritte symbolisch dargestellt. Hier ist vorgesehen, dass auf die Ätzschutzschicht 2301 ein Fotolack 2401 aufgebracht ist, wobei hier die Ätzschutzschicht 2301 durchgängig gebildet ist. Hingegen ist der Fotolack 2401 derart aufgebracht, dass der zu ätzende Bereich 2303 freigelassen wird.
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25 zeigt ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens zum Bearbeiten eines zumindest einen elektrisch leitenden Kontaktabschnitt aufweisenden Leiterrahmens, umfassend die folgenden Schritte:
- – Bilden 2501 einer Vertiefung in dem zumindest einen elektrisch leitenden Kontaktabschnitt, so dass ein erster elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt und ein zweiter elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt gebildet werden, die mittels der Vertiefung voneinander abgegrenzt sind,
- – Bilden 2503 eines einen den Leiterrahmen zumindest teilweise einbettenden Gehäuserahmen aufweisendes Gehäuses aus einem Gehäusewerkstoff, wobei das Bilden des Gehäuses ein Einbringen von Gehäusewerkstoff in die Vertiefung umfasst, so dass zwischen dem ersten und dem zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt ein mittels des in die Vertiefung eingebrachten Gehäusewerkstoffs gebildeter Gehäuserahmenabschnitt gebildet wird, um den ersten und den zweiten elektrischen leitenden Unterkontaktabschnitt mittels des Gehäuserahmenabschnitts mechanisch zu stabilisieren.
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Gemäß einem Schritt 2505 ist ferner vorgesehen, dass der erste und der zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt voneinander getrennt werden, sodass der erste und der zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt voneinander elektrisch isoliert werden.
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Die Erfindung umfasst also insbesondere und unter anderem den Gedanken, mittels zweier zusätzlicher Strukturierungsschritte separate Lötpads, also erste und zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitte, erst nach einem Bilden des Gehäuses, also insbesondere nach einem Übermolden des Leadframes, zu erzeugen. Dadurch können in vorteilhafter Weise freitragende elektrisch leitende Unterkontaktabschnitte, also freitragende Lötpads, erzeugt werden. Ferner können dadurch zusätzliche Stabilisierungsstrukturen (Stabilisierungselemente) vor dem Bilden des Gehäuses, also zum Beispiel vor dem Molden, verwendet werden, insofern diese zusätzlichen Stabilisierungsstrukturen nach dem Bilden des Gehäuses wieder entfernt werden können, zum Beispiel mittels eines Ätzens. Dadurch können komplexere und diffizilere Leadframestrukturen ermöglicht sein.
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Es kann somit in vorteilhafter Weise ein 6-Chip-Design mit freitragenden Lötpads realisiert werden. Als Startpunkt kann zum Beispiel ein an sich bekanntes QFN-Leadframe-Design (Der Leiterrahmen umfassend einen oder mehrere elektrisch leitende Kontaktabschnitte) dienen. "QFN" steht für Quad Flat No Leads Package. Bei diesem Ausgangsdesign sind einige der Lötpads noch zusammengefasst, das heißt also, dass der elektrisch leitende Kontaktabschnitt noch nicht in einen ersten und einen zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitt unterteilt ist. Das heißt also, dass die Anode und die Kathode einige der Lötpads noch kurzgeschlossen sind. Insbesondere können noch zusätzliche Stabilisierungsverbinder, Stabilisierungselemente, eingebaut werden. Insbesondere kann auch zusätzlich oder anstelle vorgesehen sein, dass mehrere Anoden miteinander und/oder mehrere Kathoden miteinander kurzgeschlossen sind. Hier bilden dann der erste und der zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitt jeweils eine Anode oder jeweils eine Kathode, die vor dem Trennen des ersten und des zweiten elektrischen Unterkontaktabschnitts noch kurzgeschlossen sind.
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Es ist dann insbesondere ein zusätzlicher Strukturierungsschritt (der erfindungsgemäße Schritt des Bildens einer Vertiefung) vorgesehen. Dieser zusätzliche Strukturierungsschritt muss nicht notwendigerweise als separater Schritt durchgeführt werden, sondern kann nach einer Ausführungsform in einem Halbätzschritt integriert werden, wenn der Leadframe (Leiterrahmen) hergestellt wird. Durch diese zusätzliche Strukturierung (Vertiefung) werden die späteren separaten Lötpads (erster und zweiter elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt) definiert und es findet in vorteilhafter Weise eine Vorbereitung einer späteren Trennung dieser Lötpads statt. Wie tief hier ein Material abgetragen wird, ist insbesondere eine Abwägung zwischen einer notwendigen Stabilisierung des Leadframes und möglichst viel Gehäusewerkstoff, also zum Beispiel Moldcompound oder Vergussmasse oder Spritzgussmasse, zwischen den Lötpads.
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Daran schließt sich insbesondere ein Bilden des Gehäuses an. Das heißt also, dass sich insbesondere ein Molden des Leadframes anschließt. Die zuvor erzeugten Materialaussparungen (Vertiefungen) werden nun ebenfalls mit einem Gehäusewerkstoff, zum Beispiel mit einem Moldcompound oder Vergussmasse oder Spritzgussmasse, gefüllt. Je nachdem, wie gut eine Adhäsion zwischen dem Leadframematerial und dem Gehäusewerkstoff, also zum Beispiel dem Moldcompound, ist, können hier Klebstoffbarrieren (auch Kleberbarrieren genannt) gebildet werden, die zum Beispiel eine Pilzform, auf Englisch "Mushroom"-Struktur, aufweisen können. Dies kann insbesondere dann vorteilhaft sein, um die separierten Lötpads im Verbund zu halten. Das Vorsehen einer Klebstoffbarriere weist insbesondere den Vorteil auf, dass ein aufgebrachter Klebstoff durch die Klebstoffbarrieren schlechter auf benachbarte Lötpads fließen kann. Der aufgebrachte Klebstoff wird an den Klebstoffbarrieren gestoppt. Weiterhin vergrößern Klebstoffbarrieren in vorteilhafter Weise einen in der Regel kleinen Weg des Gehäusewerkstoffs durch die Lötpads. Ein Risiko eines sogenannten „incomplete fill“, also eines unvollständigen Füllens, wird reduziert.
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Das Bilden des Gehäuses, also zum Beispiel das Molding, stabilisiert den Leadframeverbund soweit, dass nun die zusätzlichen Verstrebungen (mechanische Stabilisierungselemente) und die ersten und zweiten Unterkontaktabschnitte voneinander getrennt werden können. Das heißt also, dass mittels eines zusätzlichen Strukturierungsschritts nun diese Stabilisierungsstrukturen (Stabilisierungselemente) entfernt und die einzelnen Lötpads (erste und zweite Unterkontaktabschnitte) separiert werden.
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Dieser zusätzliche Strukturierungsschritt, also insbesondere das Bilden der Vertiefung und/oder das Entfernen der Stabilisierungsstrukturen und/oder das Separieren der einzelnen Lötpads, kann zum Beispiel Folgendes umfassen:
Die Strukturen können sowohl mittels Fotolithografie als auch mit strukturierter Bondpadmetallisierung (kein Plating, also Metallbeschichtung, an den Stellen, an denen geätzt werden soll) und selektiver Chemie gebildet werden. Das Strukturieren selbst kann zum Beispiel durch nass- oder trockenchemische Ätzverfahren durchgeführt werden.
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Nasschemisch kann zum Beispiel folgenden Ätzvorgang umfassen: H2O + HCl + FeCl. Hierbei ist insbesondere vorgesehen, dass ein Kontakt dieser chemischen Stoffe mit einem Silikon, also insbesondere mit einem Vergusswerkstoff, also einem Gehäusewerkstoff, vermieden wird.
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Trockenchemisch kann zum Beispiel ein Chlorätzen umfassen. Zum Beispiel kann ein Chlorätzen Folgendes umfassen: N2 + CCl4 mit CF4 als Zusatz. Dies hängt insbesondere von einer benötigten Strukturform ab.
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Je nach verwendeter Chemie oder verwendetem Ätzverfahren kann vorgesehen sein, dass CuCl- oder CuCl2-Emission als Signal für das Stoppen des Ätzprozesses dienen. Zum Schutz der Vorderseite 405 kann, falls notwendig, nach einer Ausführungsform eine Folie oder ein Lack verwendet werden.
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Vorstehend ausgeführt wurden die Vertiefungen auf der Vorderseite 405 gebildet. In einer nicht gezeigten Ausführungsform ist vorgesehen, dass die Vertiefungen auf der Rückseite 601 gebildet werden. In diesem Fall ist dann vorgesehen, dass die weitere Strukturierung, also das Aufbrechen oder Trennen der ersten und zweiten elektrisch leitenden Unterkontaktabschnitte von der Oberseite 405 durchgeführt wird. Die Ausführungen, die im Zusammenhang mit dem Bilden der Vertiefung von der Vorderseite oder Oberseite 405 gemacht sind, gelten analog für das Bilden der Vertiefung von der Rückseite oder Unterseite 601.
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Erfindungsgemäße Vorteile sind insbesondere darin zu sehen, dass nun isolierte, also freitragende Leadframepads, also erste und zweite elektrisch leitende Unterkontaktabschnitte, realisiert werden können. Dadurch wird eine größere Designfreiheit bei einem Leadframedesign erzielt. Somit können komplexe Leadframedesigns realisiert werden. Denn die Lötpads müssen nicht mehr jedes für sich verankert werden. Insbesondere können Leadframestabilisierungsstrukturen (mechanische Stabilisierungselemente) verwendet werden, die später, also nach einem Bilden des Gehäuses, wieder einfach entfernt werden können. Insbesondere wird eine Integration zusätzlicher Bauteile erleichtert. Dadurch können zum Beispiel komplexe integrierte Schaltungen („integrated circuits“, IC) realisiert werden.
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Somit kann also eine Miniaturisierung erzielt werden. Das heißt also, dass eine gleiche Funktionalität auf reduziertem Raum realisiert werden kann. Dies ist insbesondere bei Multichip-Packages, also bei mehreren optoelektronischen Halbleiterbauteilen, sinnvoll und vorteilhaft.
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Insbesondere ist dadurch ein vereinfachtes Lötpaddesign ermöglicht. Die Lötpads können optimal positioniert werden. Es muss keine Rücksichtnahme auf eine korrekte Verankerung genommen werden. Dadurch können kundenfreundlichere und zuverlässigere, da angepasste, Lötpadgrößen realisiert werden.
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Obwohl die Erfindung im Detail durch das bevorzugte Ausführungsbeispiel näher illustriert und beschrieben wurde, so ist die Erfindung nicht durch die offenbarten Beispiele eingeschränkt und andere Variationen können vom Fachmann hieraus abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
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Bezugszeichenliste
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- 101
- Leiterrahmen
- 103
- Lötpad
- 105
- Verankerungselement
- 107
- Lötpad
- 109
- Verankerungselement
- 201
- RGBW-Bauteil
- 203
- Leuchtdiodenchip
- 205
- Bonddraht
- 207
- Temperatursensor
- 209
- Gehäuse
- 400
- Leiterrahmen
- 401
- elektrisch leitender Kontaktabschnitt
- 403
- Verankerungselement
- 405
- Oberseite
- 407
- Stabilisierungselement
- 601
- Unterseite
- 701
- Vertiefung
- 703
- erster elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt
- 705
- zweiter elektrisch leitender Unterkontaktabschnitt
- 1001
- Gehäuse
- 1003
- Gehäuserahmen
- 1005
- Gehäuserahmenabschnitt
- 1501
- nicht mehr vorhandene Vertiefung
- 1601
- optoelektronisches Halbleiterbauteil
- 1603
- Bonddraht
- 1605
- Klebstoffbarriereabschnitt
- 1607
- Strukturierung
- 1701
- optoelektronische Leuchtvorrichtung
- 2001
- freitragende Kontaktabschnitte
- 2301
- Ätzschutzschicht
- 2303
- zu ätzender Bereich
- 2401
- Fotolack
- 2501
- Bilden einer Vertiefung
- 2503
- Bilden eines Gehäuses
- 2505
- Trennen
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ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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Zitierte Patentliteratur
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- DE 102013215650 A1 [0001]