IT202100017231A1 - Procedimento per fabbricare substrati per dispositivi a semiconduttore, substrato e dispositivo a semiconduttore corrispondenti - Google Patents

Procedimento per fabbricare substrati per dispositivi a semiconduttore, substrato e dispositivo a semiconduttore corrispondenti Download PDF

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Description

DESCRIZIONE dell?invenzione industriale dal titolo:
?Procedimento per fabbricare substrati per dispositivi a semiconduttore, substrato e dispositivo a semiconduttore corrispondenti?
TESTO DELLA DESCRIZIONE
Campo tecnico
La descrizione si riferisce alla fabbricazione dei dispositivi a semiconduttore.
Una o pi? forme di attuazione si possono applicare alla fabbricazione di leadframe prestampati (pre-molded) per dispositivi a semiconduttore.
Sfondo
I dispositivi a semiconduttore possono comprendere uno o pi? chip o die a semiconduttore disposti (attaccati) su un substrato come un leadframe.
Per i dispositivi a semiconduttore si usano comunemente package di plastica. Tali package possono comprendere un leadframe che fornisce un substrato di base di un materiale elettricamente conduttivo come rame, dimensionato e sagomato per alloggiare chip o die a semiconduttore e che fornisce pad di collegamento (contatti) per questi chip o die.
La designazione ?leadframe? (o ?lead frame?) ? attualmente utilizzata (vedere, per esempio, l?USPC Consolidated Glossary of the United States Patent and Trademark Office) per indicare una struttura di metallo che fornisce supporto per un chip o die di un circuito integrato e contatti elettrici per interconnettere il circuito integrato nel die o chip ad altri componenti o contatti elettrici.
I leadframe vengono convenzionalmente creati utilizzando tecnologie come la tecnologia di fotoincisione. Con questa tecnologia, materiale di metallo (per esempio, rame) sotto forma di lamina o nastro viene inciso sui lati superiore e inferiore per creare vari pad e contatti.
I cosiddetti leadframe ?prestampati? (pre-molded) includono resina elettricamente isolante come una resina epossidica, per esempio, stampata su una struttura di leadframe in metallo sculturata, ossia con scolpiture (per esempio, fotoinciso) utilizzando, per esempio, uno strumento di stampaggio piatto.
Gli spazi lasciati nel materiale metallico inciso sono riempiti dalla resina di prestampaggio e il leadframe risultante ha uno spessore totale che ? lo stesso spessore del leadframe inciso originale.
Dopo il prestampaggio (con la resina stampata solidificata mediante, per esempio, indurimento a caldo o UV), ? possibile applicare processi di sbavatura e asportazione di materiale in eccesso per fornire superfici metalliche superiori/inferiori pulite del leadframe.
Tali leadframe prestampati sono utilizzati in un?ampia variet? di dispositivi a semiconduttore.
Taluni leadframe prestampati (per esempio, per l?uso in dispositivi a semiconduttore di potenza in package Quad-Flat No-lead o QFN) possono includere pi? die pad per disporre chip o die a semiconduttore e componenti associati.
Questi die pad sono destinati ad essere infine isolati l?uno dall?altro. Tuttavia, sono utili barre di collegamento per accoppiare meccanicamente questi pad a un frame di metallo (per esempio, rame) nel leadframe e/o ad altri die pad nel leadframe mentre la resina di prestampaggio viene stampata sulla struttura di metallo sculturata del leadframe.
Queste barre di collegamento sono utili per evitare fenomeni negativi come lo spostamento indesiderato dei die pad o la presenza di bave (flashing) della resina di prestampaggio sulle superfici metalliche del leadframe.
Le barre di collegamento vengono quindi rimosse, per esempio durante un successivo processo di (semi) incisione applicato al leadframe prestampato per formare fianchi bagnabili per la saldatura.
Questa lavorazione pu? tuttavia lasciare certi difetti difficili da controllare in produzione e possono avere come conseguenza problemi di qualit? o scarto di parti a livello di scheda del clienti.
Scopo e sintesi
Scopo di una o pi? forme di attuazione ? contribuire ad evitare gli inconvenienti sopra evidenziati.
Secondo una o pi? forme di attuazione, tale scopo pu? essere raggiunto mediante un procedimento avente le caratteristiche riportate nelle rivendicazioni che seguono.
Una o pi? forme di attuazione si riferiscono a un leadframe (prestampato) corrispondente.
Una o pi? forme di attuazione si riferiscono a un dispositivo a semiconduttore corrispondente. Un dispositivo QFN di potenza pu? essere esemplificativo di tale dispositivo.
Le rivendicazioni sono parte integrante dell?insegnamento tecnico qui fornito relativamente alle forme di attuazione.
Una o pi? forme di attuazione propongono un progetto per i lati inferiore e superiore in metallo (per esempio, rame) di un leadframe che fornisce barre di collegamento temporanee (sacrificali) che possono essere rimosse senza influire negativamente sul contorno dei die pad sul lato posteriore o inferiore del package del dispositivo, per esempio.
Una o pi? forme di attuazione non implicano fasi di processo addizionali rispetto alla fabbricazione di leadframe prestampati convenzionali.
Una o pi? forme di attuazione possono fornire un leadframe prestampato per pi? die pad comprendente barre di collegamento dei die pad con una porzione a ponte in corrispondenza del lato posteriore (o inferiore) del leadframe. Tale porzione a ponte ? disposta lontana dai die pad da essa collegati e pu? essere rimossa durante la lavorazione successiva (come una seconda fase di semincisione dopo lo stampaggio) senza effetti svantaggiosi sul contorno dei die pad.
Una o pi? forme di attuazione riducono efficacemente lo scarto di parti dovuto a difetti dei die pad. L?ispezione visiva di un dispositivo a semiconduttore (un package QFN di potenza, per esempio) comprendente un leadframe prestampato secondo forme di attuazione identificher? quindi dei die pad (del die a bassa tensione, per esempio) con un contorno rettangolare regolare (praticamente perfetto) con una porzione concava (cavit?) nello stampato che espone due lati del ponte ?aperti? a seguito della rimozione di una barra di collegamento.
Breve descrizione delle figure
Verranno ora descritte una o pi? forme di attuazione, a titolo puramente esemplificativo, con riferimento alle figure allegate, in cui:
le Figure 1A e 1B sono viste in pianta di un leadframe prestampato,
la Figura 1C mostra le viste delle Figure 1A e 1B mutualmente sovrapposte,
la Figura 2 ? una vista della porzione di Figura 1C indicata dalla freccia II riprodotta in scala ingrandita, la Figura 3 ? una vista in sezione trasversale lungo la linea III-III di Figura 2,
la Figura 4 ? una vista di un leadframe prestampato sostanzialmente corrispondente alla Figura 1C, dopo la rimozione di un elemento di collegamento come qui discusso, la Figura 5 ? una vista della porzione di Figura 4 indicata dalla freccia V riprodotta in scala ingrandita, e la Figura 6 ? una vista in sezione trasversale lungo la linea VI-VI in Figura 5.
Numeri e simboli corrispondenti nelle diverse figure si riferiscono generalmente a parti corrispondenti se non diversamente indicato. Le figure sono disegnate per illustrare chiaramente gli aspetti rilevanti delle forme di attuazione e non sono necessariamente disegnate in scala. I bordi delle caratteristiche disegnate nelle figure non indicano necessariamente la fine dell?estensione della caratteristica.
Descrizione dettagliata
Nella descrizione che segue vengono illustrati vari dettagli specifici al fine di permettere una comprensione approfondita di vari esempi di attuazione secondo la descrizione. Le forme di attuazione possono essere ottenute senza uno o pi? dei dettagli specifici, o con altri procedimenti, componenti, materiali, ecc. In altri casi, strutture, materiali od operazioni noti non sono illustrati o descritti in dettaglio per non confondere vari aspetti delle forme di attuazione.
Il riferimento a ?una forma di attuazione? o ?una sola forma di attuazione? nella struttura della presente descrizione intende indicare che una particolare configurazione, struttura o caratteristica descritta in relazione alla forma di attuazione ? compresa in almeno una forma di attuazione. Pertanto, espressioni come ?in una forma di attuazione?, ?in una sola forma di attuazione?, o simili, che possono essere presenti in vari punti della presente descrizione non si riferiscono necessariamente esattamente ad una sola e alla stessa forma di attuazione. Inoltre, configurazioni, strutture o caratteristiche particolari possono essere combinate in qualsiasi modo adeguato in una o pi? forme di attuazione.
I titoli/riferimenti qui utilizzati sono forniti solo per comodit? e quindi non definiscono l?ambito di protezione o lo scopo delle forme di attuazione
I dispositivi a semiconduttore come, per esempio, i dispositivi di potenza, comprendono un substrato (leadframe) su cui sono montati chip o die a semiconduttore e altri componenti elettrici con colla per saldatura o altri processi, con fili e/o ?ribbon? che forniscono il collegamento elettrico ai chip a semiconduttore.
Un incapsulamento di resina di stampaggio (una resina epossidica, per esempio) incorpora questi elementi in un corpo principale (di plastica) del dispositivo a semiconduttore.
Un substrato o leadframe 12 viene prodotto a partire da una lamina o striscia di materiale metallico (rame), per esempio, cui viene impartita una conformazione ?sculturata? mediante, per esempio, la tecnologia della fotoincisione.
Nei leadframe prestampati, una resina di prestampaggio viene stampata sulla struttura di metallo sculturata (con scolpiture) del leadframe per riempire gli spazi lasciati liberi al suo interno. Il leadframe ?prestampato? risultante ha lo stesso spessore del foglio o della lamina di materiale metallico originale.
Un?ulteriore lavorazione (per esempio una seconda fase di incisione) pu? essere applicata al leadframe prestampato per rimuovere rame addizionale per vari motivi, per esempio per fornire fianchi bagnabili per saldare o collegare barre.
I leadframe prestampati possono includere due o pi? die pad (ovvero aree su cui si prevede di attaccare chip a semiconduttore e/o altri componenti) e possono presentare un disegno complesso.
Questo rende difficile il collegamento a barre esterne nel leadframe, specialmente se si persegue la massimizzazione del numero di pad.
La stabilit?, ovvero il fatto di evitare deformazioni/spostamenti indesiderati durante il prestampaggio, e risparmiare spazio per pad addizionali sono fattori che suggeriscono la formazione di barre di collegamento temporanee (sacrificali) tra die pad adiacenti in corrispondenza del lato inferiore o posteriore della struttura di metallo sculturata del leadframe.
Queste barre vengono infine rimosse, per esempio mediante una reazione chimica durante una seconda fase di incisione, in modo che i die pad siano alla fine isolati (meccanicamente ed elettricamente) l?uno dall?altro.
Questa lavorazione pu? essere rilevata mediante ispezione visiva del lato posteriore o inferiore del leadframe prestampato, con spazi vuoti (cavit?) visibili dove ? stato rimosso il metallo (per esempio, rame) esponendo cos? la resina di prestampaggio.
A meno che non sia diversamente indicato, la lavorazione di leadframe come discussa in precedenza ? convenzionale nel settore, il che rende superfluo fornire qui una descrizione pi? dettagliata.
Un problema riscontrato nell?eseguire operazioni come discusse in precedenza ? legato alle tolleranze intrinseche in processi come l?incisione, che alla fine hanno un impatto sulla forma (contorno) finale dei die pad.
Per esempio, un?incisione insufficiente in modo indesiderato pu? comportare il residuare di materiale metallico che eccede (cio? sporge in modo indesiderabile) dalla forma rettangolare desiderata di un die pad.
In alternativa, in caso di incisione eccessiva, il materiale metallico pu? essere rimosso in modo indesiderato dalla periferia del die pad, determinando nuovamente una forma rettangolare del die pad iregorlare in modo indesiderato.
Vale a dire:
in caso di incisione insufficiente, pu? rimanere attaccato materiale metallico indesiderato, e
in caso di incisione eccessiva, pu? essere rimosso pi? materiale di quanto desiderato.
In entrambi i casi, la forma del die pad mostrer? sporgenze o intagli incontrollati indesiderati che sono considerati difetti del leadframe prestampato.
Questi difetti sono visibili sulle superfici del die pad e deviazioni da una forma desiderata (per esempio sostanzialmente rettangolare) possono influenzare negativamente la resistenza del package e/o l?affidabilit? del giunto di saldatura.
? possibile tentare di ovviare a tali inconvenienti controllando pi? accuratamente i parametri del secondo processo di incisione, per esempio, e/o modificando la maschera di incisione e saldatura in corrispondenza del substrato (per esempio, una scheda a circuito stampato o PCB) su cui il prodotto a semiconduttore ? montato.
Queste soluzioni possono aumentare in modo indesiderato il costo di fabbricazione del leadframe e del dispositivo a semiconduttore corrispondente senza superare completamente gli inconvenienti discussi in precedenza.
Le Figure 1A e 1B sono viste in pianta (rispettivamente, a livello del lato superiore o frontale e a livello del lato inferiore o posteriore) di una porzione del leadframe prestampato 12.
Come discusso in precedenza (e come comunque convenzionale nella tecnica), il leadframe 12 comprende una struttura di metallo (per esempio, rame) sculturata ossia con scolpiture - formata mediante incisione di una lamina o striscia di metallo - comprendente una pluralit? di die pad su cui uno o pi? chip a semiconduttore e componenti associati sono destinati ad essere montati, per esempio mediante un materiale di attacco di die.
Per semplicit? e facilit? di spiegazione, la descrizione e le figure si riferiscono alla presenza di (solo) due die pad, indicati rispettivamente con 12A e 12B. Come evidenziato, una o pi? forme di attuazione possono essere vantaggiosamente applicate a leadframe comprendenti un numero maggiore (tre o pi?) di die pad.
Come illustrato solo nella Figura 1A, i die pad 12A e 12B sono destinati ad ospitare, attaccati su di essi, chip o die a semiconduttore o, eventualmente, componenti come nastri o ?ribbon?, questo ? particolarmente il caso di un dispositivo di potenza.
Gli esperti del settore riconosceranno comunque che forme di attuazione che sono qui discusse sono sostanzialmente ?trasparenti? rispetto alla natura e alla configurazione dei componenti come C, R1, R2 destinati ad essere montati sui die pad come 12A, 12B.
Negli esempi qui descritti, si presume che i due die pad 12A e 12B siano (temporaneamente) collegati mediante una barra di collegamento sacrificale (o, vantaggiosamente, pi? barre di collegamento sacrificali) mentre la resina di prestampaggio 14 ? stampata sulla struttura metallica del leadframe 12 per fornire un leadframe prestampato come ? comunque convenzionale nel settore.
Le barre di collegamento sacrificali vengono quindi rimosse almeno parzialmente in modo da isolare alla fine i due die pad 12A e 12B.
Gli esempi illustrati si riferiscono per semplicit? e facilit? di spiegazione ad una simile barra di collegamento comprendente:
rispettive estensioni 120A, 120B dei die pad (elettricamente conduttivi) 12A, 12B, in corrispondenza di una delle superfici (la superficie frontale o superiore, per esempio) del leadframe 12, e
un elemento a ponte (elettricamente conduttivo) 120C che accoppia le estensioni 120A, 120B, l?elemento a ponte 120C essendo fornito sulla superficie opposta (qui la superficie posteriore o inferiore, per esempio) del leadframe 12.
L?elemento 120C si estende a ponte tra le estensioni 120A, 120B essendo di fatto un solo pezzo con le stesse fornendo cos? un collegamento meccanico ed elettrico (temporaneo) tra i die pad 12A, 12B.
Anche in questo caso, sebbene sia qui per semplicit? illustrato un singolo gruppo di due estensioni 120A, 120B dai die pad 13A, 12B e un elemento di collegamento 120C che si estende a ponte tra di esse, nel leadframe 12 ? possibile prevedere una pluralit? di tali gruppi in posizioni in cui si desidera che pi? die pad come 12A, 12B siano collegati (temporaneamente) durante il prestampaggio.
La relazione spaziale tra le estensioni 120A, 120B (su un lato del leadframe) e l?elemento a ponte 120C (sull?altro lato del leadframe) ? ulteriormente esemplificata in Figura 1C.
La Figura 1C riproduce sostanzialmente la vista in pianta del leadframe 12 a livello della superficie posteriore o inferiore come illustrato nella Figura 1B con la disposizione delle parti metalliche del leadframe 12 in corrispondenza della superficie frontale o superiore del leadframe 12 riprodotta in linee tratteggiate.
Questa relazione spaziale ? ulteriormente esemplificata nella vista ingrandita della Figura 2 con la vista in sezione trasversale della Figura 3 che mostra in ulteriore dettaglio le posizioni relative delle estensioni 120A, 120B e del ponte 120C tra di esse.
Si comprender? che:
la vista in sezione trasversale di Figura 3 ? presa lungo la linea III-III di Figura 2, tale linea presentando una curva di 90? in corrispondenza dell?estensione 120A (con una porzione terminale dell?elemento a ponte 120C situata in una posizione corrispondente sul lato opposto del leadframe 12); e
nella vista in sezione trasversale della Figura 3 la superficie inferiore o posteriore del leadframe 12 ? rivolta verso l?alto mentre la superficie superiore o frontale ? rivolta verso il basso.
Inoltre, pur conservando il collegamento tra di loro, le estensioni 120A e 120B e l?elemento a ponte 120C possono essere formati e dimensionati con un certo grado di libert?.
Vantaggiosamente, le estensioni 120A, 120B sono formate in posizioni vicine in modo tale che le estremit? distali di queste estensioni si trovino a breve distanza tra di loro.
Una forma rettilinea o sostanzialmente rettilinea (quadrangolare) si ? rivelata vantaggiosa per le estensioni 120A, 120B.
Analogamente, una forma lineare (per esempio rettangolare) con bordi arrotondati ? risultata vantaggiosa per l?elemento di collegamento a ponte 120C.
La vista in sezione trasversale della Figura 3 illustra la possibilit? per il materiale di incapsulamento prestampato di penetrare nella struttura di metallo (per esempio, rame) sculturata del leadframe 12 riempiendo gli spazi vuoti al suo interno.
Le Figure 1A a 1C, 2 e 3 sono quindi esemplificative dello stampaggio di materiale elettricamente isolante come 14 su una struttura laminare sculturata di materiale elettricamente conduttivo per produrre un leadframe 12 comprendente una pluralit? di die pad 12A, 12B configurati per avere componenti di dispositivo a semiconduttore C, R1, R2 montati su di essi.
Il leadframe 12 ha una prima superficie e una seconda superficie opposte e una coppia (o pi? coppie) di die pad 12A, 12B. Come illustrato, tali die pad 12A, 12B sono accoppiati mediante (almeno una) formazione di accoppiamento sacrificale destinata ad essere almeno parzialmente rimossa; questo avviene dopo che questa formazione di accoppiamento sacrificale o queste formazioni di accoppiamento sacrificali ha/hanno contribuito a contrastare lo spostamento indesiderato dei die pad mentre il materiale elettricamente isolante (cio? la resina di prestampaggio 14) viene stampato sulla struttura laminare sculturata di materiale elettricamente conduttivo del leadframe 12.
In tal modo, i die pad 12A, 12B possono essere infine disaccoppiati come desiderato.
Come illustrato, una prima estensione 120A del primo die pad 12A e una seconda estensione 120B del secondo die pad 12B sono previste in corrispondenza di una prima superficie (per esempio la superficie frontale o superiore) della struttura laminare, scultutrata di materiale elettricamente conduttivo, per esempio durante la fabbricazione di quella struttura di metallo (per esempio, rame) come ? comunque convenzionale nel settore (per esempio, mediante fotoincisione).
Come illustrato, le estensioni 120A e 120B sono fornite (formate) in corrispondenza di posizioni vicine della prima superficie del leadframe 12.
Come illustrato, una formazione (elettricamente conduttiva) 120C ? fornita in corrispondenza della seconda superficie (per esempio, la superficie posteriore o inferiore) della struttura laminare, sculturata, del leadframe 12. Di nuovo, questo pu? avvenire durante la fabbricazione di tale struttura di metallo (per esempio, rame), come ? comunque convenzionale nel settore.
Come ? visibile in Figura 3, per esempio, la formazione 120C si estende a ponte tra la prima estensione 120A e la seconda estensione 120B fornendo cos? una formazione di accoppiamento sacrificale (barra di collegamento) dei die pad 12A, 12B.
Come illustrato, la prima estensione 120A e la seconda estensione 120B sono vantaggiosamente fornite come estensioni a dito e/o vantaggiosamente hanno estremit? distali situate a una certa distanza dai die pad 12A, 12B con l?elemento o la formazione 120C che si estende a ponte tra queste estremit? distali.
Come risultato, la formazione 120C finisce per trovarsi a una certa distanza dai die pad 12A, 12B.
Vantaggiosamente, la prima estensione 120A e la seconda estensione 120B sono fornite come estensioni mutuamente convergenti dai die pad 12A, 12B.
Come discusso, la formazione di accoppiamento sacrificale/le formazioni di accoppiamento sacrificali come 120A, 120B, 120C viene rimossa/vengono rimosse almeno parzialmente per isolare i die pad 12A, 12B dopo lo stampaggio (e la solidificazione, per esempio mediante indurimento a caldo o UV) del materiale prestampato isolante 14 che penetra (vedere, per esempio, Figura 3) negli spazi vuoti della struttura di metallo laminare, sculturata, del leadframe 12.
Tale rimozione almeno parziale pu? comportare la rimozione almeno parziale (per es., durante un?ulteriore fase di incisione per formare, per esempio, fianchi bagnabili per saldatura) della formazione 120C che si estende a ponte tra la prima estensione 120A e la seconda estensione 120B.
Passando per semplicit? alla Figura 6, si pu? notare che:
a seguito della rimozione della formazione a ponte 120C (il cui contorno ? mostrato con una linea tratteggiata), i die pad 12A, 12B mostrano ancora, in posizioni vicine della superficie frontale o superiore del leadframe (rivolta verso il basso in Figura 6) una prima estensione 120A e una seconda estensione 120B,
invece, la superficie posteriore o inferiore del leadframe 12 ha una porzione concava (cavit?) 120C? che si estende a ponte (in corrispondenza della superficie posteriore o inferiore del leadframe 12) tra la prima estensione 120A e la seconda estensione 120B (queste ultime essendo fornite sulla superficie frontale o superiore del lead frame).
Come esemplificato nelle viste delle Figure 4 e 5, la rimozione della formazione o elemento a ponte 120C (mediante incisione ?secondaria?, per esempio) lascia nella cavit? 120C superfici N molto ?pulite? verso le parti metalliche circostanti.
I die pad 12A, 12B vengono cos? separati senza creare difetti indesiderati (per esempio, sporgenze dovute a insufficiente incisione o intagli dovuti ad eccessiva incisione) nel loro contorno.
Come esemplificato nelle viste delle Figure 4 e 5, l?elemento a ponte 120C viene cos? rimosso senza influenzare negativamente il profilo dei die pad 12A, 12B. Vale a dire, non si producono difetti sulle superfici esposte dei die pad 12A, 12B, per effetto della rimozione della barra di collegamento rappresentata dall?elemento a ponte 120C.
Si comprender? che le estensioni dei die pad 120A, 120B fornite sulla superficie opposta (qui frontale o superiore) non sono in alcun modo influenzate dalla rimozione dell?elemento a ponte (barra di collegamento) 120C.
Fermi restando i principi sottostanti, i dettagli e le forme di attuazione potranno variare, anche in modo significativo, rispetto a quanto sopra descritto, a titolo meramente esemplificativo, senza discostarsi dall?ambito di protezione.
L?ambito di protezione ? determinato dalle rivendicazioni allegate.

Claims (11)

RIVENDICAZIONI
1. Procedimento, comprendente:
stampare materiale elettricamente isolante (14) su una struttura laminare sculturata (con scolpiture) di materiale elettricamente conduttivo per produrre un leadframe (12) comprendente una pluralit? di die pad (12A, 12B) configurati per avere componenti di dispositivo a semiconduttore (C, R1, R2) montati su di essi, il leadframe (12) avendo una prima superficie e una seconda superficie opposte,
fornire in almeno una coppia di die pad (12A, 12B) nella pluralit? di die pad una prima estensione (120A) e una seconda estensione (120B) in corrispondenza di posizioni vicine della prima superficie del leadframe (12), fornire nella struttura laminare sculturata di materiale elettricamente conduttivo, in corrispondenza della seconda superficie del leadframe, una formazione a ponte (120C) che accoppia detta prima estensione (120A) e detta seconda estensione (120B), in cui la prima estensione (120A) e la seconda estensione (120B) pi? la formazione a ponte (120C) tra di loro forniscono una formazione di accoppiamento (120A, 120B, 120C) di detta coppia di die pad nella pluralit? di die pad (12A, 12B), e
dopo lo stampaggio del materiale elettricamente isolante (14) sulla struttura laminare sculturata di materiale elettricamente conduttivo, rimuovere almeno parzialmente la formazione a ponte (120C) tra la prima estensione (120A) e la seconda estensione (120B) per disaccoppiare i die pad (12A, 12B) in detta almeno una coppia di die pad.
2. Procedimento secondo la rivendicazione 1, in cui la pluralit? di die pad (12A, 12B) ? configurata per avere componenti di dispositivo a semiconduttore (C, R1, R2) montati su di essa in corrispondenza di detta prima superficie del leadframe (12).
3. Procedimento secondo la rivendicazione 1 o la rivendicazione 2, comprendente:
fornire la prima estensione (120A) e la seconda estensione (120B) con estremit? distali poste distanziate dai die pad (12A, 12B) nell?almeno una coppia di die pad nella pluralit? di die pad (12A, 12B), e
fornire la formazione a ponte (120C) tra dette estremit? distali della prima estensione (120A) e della seconda estensione (120B), in cui la formazione a ponte (120C) ? distanziata dai die pad (12A, 12B) nell?almeno una coppia di die pad nella pluralit? di die pad (12A, 12B).
4. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 1 a 3, comprendente fornire la prima estensione (120A) e la seconda estensione (120B) come estensioni a dito dai die pad (12A, 12B) nell?almeno una coppia di die pad nella pluralit? di die pad (12A, 12B).
5. Procedimento secondo una qualsiasi delle rivendicazioni precedenti, comprendente fornire la prima estensione (120A) e la seconda estensione (120B) come estensioni mutualmente convergenti dai die pad (12A, 12B) nell?almeno una coppia di die pad nella pluralit? di die pad (12A, 12B).
6. Leadframe prestampato (12) per dispositivi a semiconduttore, comprendente:
materiale elettricamente isolante (14) stampato su una struttura laminare sculturata di materiale elettricamente conduttivo, il leadframe (12) comprendendo una pluralit? di die pad (12A, 12B) configurati per avere componenti di dispositivo a semiconduttore (C, R1, R2) montati su di essi, il leadframe (12) avendo una prima superficie e una seconda superficie opposte,
in cui:
almeno una coppia di die pad nella pluralit? di die pad (12A, 12B) presenta, in corrispondenza di posizioni vicine della prima superficie del leadframe (12), una prima estensione (120A) e una seconda estensione (120B), e
la seconda superficie del leadframe (12) ha una porzione concava (120C?) che si estende a ponte tra detta prima estensione (120A) e detta seconda estensione (120B).
7. Leadframe prestampato (12) secondo la rivendicazione 6, in cui la pluralit? di die pad (12A, 12B) ? configurata per avere componenti di dispositivo a semiconduttore (C, R1, R2) montati su di essa in corrispondenza della prima superficie del leadframe (12).
8. Leadframe prestampato (12) secondo la rivendicazione 6 o la rivendicazione 7, in cui:
la prima estensione (120A) e la seconda estensione (120B) hanno estremit? distali distanziate dai die pad (12A, 12B) nell?almeno una coppia di die pad nella pluralit? di die pad (12A, 12B), e
detta porzione concava (120C?) ? distanziata dai die pad (12A, 12B) nell?almeno una coppia di die pad nella pluralit? di die pad (12A, 12B).
9. Leadframe prestampato (12) secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 6 a 8, in cui la prima estensione (120A) e la seconda estensione (120B) comprendono estensioni a dito dai die pad (12A, 12B) nell?almeno una coppia di die pad nella pluralit? di die pad (12A, 12B).
10. Leadframe prestampato (12) secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 6 a 9, in cui la prima estensione (120A) e la seconda estensione (120B) comprendono estensioni mutualmente convergenti dai die pad (12A, 12B) nell?almeno una coppia di die pad nella pluralit? di die pad (12A, 12B).
11. Dispositivo a semiconduttore, comprendente:
un leadframe prestampato (12) secondo una qualsiasi delle rivendicazioni 6 a 10, e
componenti di dispositivo a semiconduttore (C, R1, R2) disposti sui die pad (12A, 12B) nell?almeno una coppia di die pad nella pluralit? di die pad (12A, 12B).
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Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016106311A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Analog Devices Inc. Kavitätspackage mit kompositsubstrat
US20180096861A1 (en) * 2015-05-13 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of machining a lead frame, and lead frame

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102016106311A1 (de) * 2015-04-10 2016-10-13 Analog Devices Inc. Kavitätspackage mit kompositsubstrat
US20180096861A1 (en) * 2015-05-13 2018-04-05 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method of machining a lead frame, and lead frame

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