JP6176101B2 - 樹脂パッケージ及び発光装置 - Google Patents
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Description
本発明は、樹脂パッケージ及び発光装置に関する。
ケースに設けられた開口の底面にＬＥＤチップが配置された発光装置において、開口の反射面が湾曲状であり、ケースの底面に所定の高さの素子搭載部を設けた発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
図９は、特許文献１に記載された従来の発光装置１００を示す縦断面図である。
図９に示す発光装置１００では、発光素子３００は、樹脂製の反射ケース２００の素子搭載部２１０に実装されているので、放熱性に問題があった。
そこで、本発明は、発光素子から発生した熱の放熱性が良好で、発光素子から発せられた光の発光効率を向上させることができる樹脂パッケージ及び発光装置を提供することを目的とする。
前記課題を解決するため、本発明の樹脂パッケージは、上面に開口を有する凹部が設けられた樹脂成形体と、前記凹部の底面において、少なくとも一部が前記樹脂成形体から露出される第１リード及び第２リードと、を有する樹脂パッケージであって、前記凹部の内側面は、湾曲部と、該湾曲部より下側の段差部と、を有し、前記第１リードは、発光素子が載置される突起部を有し、該突起部の上面は、前記段差部の上端よりも高い位置にあることを特徴とする。
本発明に係る樹脂パッケージ及び発光装置によれば、発光素子から発生した熱の放熱性が良好で、発光素子から発せられた光の発光効率を向上させることができる。
以下、図１〜図４を参照して本発明の第１実施形態に係る樹脂パッケージ及び発光装置を説明する。
ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための樹脂パッケージ１を例示するものであって、実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。なお、各図に示す部材の大きさや厚さや位置関係等は、説明を明確にするため一部誇張して記載してある。
また、実施形態を説明するのにあたって、便宜上、樹脂成形体２の封止部材５が配置された側を上方向、樹脂成形体２の上面２ｇの幅の長い側を長手方向、その上面２ｇの幅の狭い側を短手方向とする。
ただし、以下に示す実施形態は、本発明の技術的思想を具体化するための樹脂パッケージ１を例示するものであって、実施形態に記載されている構成部品の寸法、材質、形状、その相対的配置等は特に特定的な記載がない限り、本発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではなく、単なる説明例に過ぎない。なお、各図に示す部材の大きさや厚さや位置関係等は、説明を明確にするため一部誇張して記載してある。
また、実施形態を説明するのにあたって、便宜上、樹脂成形体２の封止部材５が配置された側を上方向、樹脂成形体２の上面２ｇの幅の長い側を長手方向、その上面２ｇの幅の狭い側を短手方向とする。
≪樹脂パッケージ≫
図１及び図２に示すように、樹脂パッケージ１は、発光素子４が載置可能な凹部２ａを備えている。凹部２ａの底面１ａに、第１リード３１と第２リード３２と、を有して構成されるリード３が設置されている。
図１及び図２に示すように、樹脂パッケージ１は、発光素子４が載置可能な凹部２ａを備えている。凹部２ａの底面１ａに、第１リード３１と第２リード３２と、を有して構成されるリード３が設置されている。
図３及び図４に示すように、樹脂成形体２の内側面２ｃは、湾曲部２ｅと、それより下側の段差部２ｄとを有している。底面１ａに露出された第１リード３１は突起部３１ａを有しており、突起部３１ａの上面３１ｂが素子載置面となる。この突起部３１ａの上面３１ｂは、段差部２ｄの上端よりも高い位置にある。
≪樹脂成形体≫
図４に示すように、樹脂成形体２は、第１リード３１及び第２リード３２の一部を内包するように一体成形した絶縁性の樹脂材料である。樹脂成形体２は、例えば、平面視形状が長方形で、外形が略直方体であり、上面２ｇの中央部に開口２ｆを有する凹部２ａを有する。
凹部２ａは、底面２ｂと、内側面２ｃと、から形成されている。
図４に示すように、樹脂成形体２は、第１リード３１及び第２リード３２の一部を内包するように一体成形した絶縁性の樹脂材料である。樹脂成形体２は、例えば、平面視形状が長方形で、外形が略直方体であり、上面２ｇの中央部に開口２ｆを有する凹部２ａを有する。
凹部２ａは、底面２ｂと、内側面２ｃと、から形成されている。
凹部２ａの内側面２ｃには、内側面２ｃの下側内周端から上方向に段差を付けて形成された段差部２ｄと、段差部２ｄから内側面２ｃの上端部に亘って湾曲した湾曲部２ｅと、が形成されている。
段差部２ｄは、凹部２ａの底面２ｂから上方向に高さＨ１で設けられた部位である。樹脂成形体２は、この段差部２ｄの上端が湾曲部２ｅの下側に形成されている。段差部２ｄは、断面視形状が直線状（凹部２ａの底面２ｂに対して略垂直な面）になるように形成されている。つまり、金型の側面を直線状にすることによって形作られるものである。リード３を挟持する面に対して、断面視形状が直線となる側面の金型とすることで、リード３を強固に挟持することができるため、リード３と金型との間に成形樹脂が入り込みにくくすることができる。これにより、バリが発生するのを抑制することができる。
湾曲部２ｅは、段差部２ｄの上端よりも上側の内側面２ｃであり、断面視において湾曲するように形成された傾斜面である。第１実施形態では、段差部２ｄの上端から樹脂成形体２の上面２ｇ（内側面２ｃの上端部）に亘って形成された傾斜した面（湾曲面２ｅ）である。このような湾曲部２ｅは、発光素子４から発せられた光を上方向に向けて反射する反射面として機能する。湾曲部２ｅは、縦断面視して段差部２ｄから開口２ｆの開口縁に向かって拡径して形成されている。
凹部２ａの内側面２ｃの上端が樹脂成形体２の上面２ｇにまで達する場合、その上端近傍は、樹脂成形体２の上面２ｇに対して垂直又はそれに近い角度となるような形状とすることができる。このように、凹部２ａの内側面２ｃの上端部は、縦断面視して曲面よりもストレートに近い形状に形成されていることにより、光の反射方向を上方向に指向させることができる。このため、導光板への入光効率を向上させることができると共に、入光部近傍の見栄えをよくすることが可能となる。つまり、内側面２ｃの上端において、湾曲していない部分（直線部）を有している。このような直線部を、湾曲部２ｅの接線方向となるように延長させることで、湾曲部２ｅと直線部とを、自然な連続面として得ることができる。このように、湾曲部２ｅの上側に直線部を設けることで、導光板の入光部への光入射効率を向上させることができる。また、入光部近傍の見栄えを改善することができる。直線部の下端（湾曲部の上端）は、発光素子４の上面よりも上側に位置するのが好ましく、さらに好ましくは、樹脂成形体２の上面２ｇに近い位置とするのがより好ましい。このようにすることにより、さらに、導光板の入光部への光入射効率を向上させることができる。
≪リード≫
リード３は、発光素子４と外部電源とを電気的に接続するためのリード端子であり、正負一対の電極として機能するように少なくとも２つのリード３（第１リード３１と第２リード３２）を有する。
リード３は、発光素子４と外部電源とを電気的に接続するためのリード端子であり、正負一対の電極として機能するように少なくとも２つのリード３（第１リード３１と第２リード３２）を有する。
図４に示すように、第１リード３１は、発光素子４が載置されると共に、外部電源等に電気的に接続するためのリード端子であり、樹脂成形体２にインサート成形されている。第１リード３１は、略板状部材を適宜に折曲形成されてなり、樹脂成形体２に埋設されると共に、凹部２ａの底面１ａに露出されるインナリード部３１ｅと、樹脂成形体２の外側に配置されるアウタリード部３１ｆとを有している。
第１リード３１のインナリード部３１ｅには、突起部３１ａと、ワイヤ領域を含む平面部３１ｃとが形成されている。
突起部３１ａは、樹脂成形体２の段差部２ｄの上面より上側に発光素子４を位置させるためのものであり、第１リード３１の上面側に一体形成されている。突起部３１ａは、平面視で凹部２ａの略中央において、ワイヤ接続部を含む平坦部から上方向に突出して形成された略四角柱形状の突起である（図１参照）。
突起部３１ａの上面３１ｂは、発光素子４が実装される素子載置面であり、凹部２ａ内において、第１リード３１の最も高い位置に形成された水平面からなる。突起部３１ａの基端（すなわち平面部３１ｃ）から突起部３１ａの上面３１ｂ（素子搭載部）までの高さＨ２は、段差部２ｄにおける高さＨ１以上の高さに形成されている。
突起部３１ａの上面３１ｂは、発光素子４が実装される素子載置面であり、凹部２ａ内において、第１リード３１の最も高い位置に形成された水平面からなる。突起部３１ａの基端（すなわち平面部３１ｃ）から突起部３１ａの上面３１ｂ（素子搭載部）までの高さＨ２は、段差部２ｄにおける高さＨ１以上の高さに形成されている。
ワイヤ接続部を含む平面部３１ｃは、一端が発光素子４に接続されたワイヤ６の他端が接合される部位であり、平らに形成されている。樹脂パッケージ１の凹部２ａの底面２ｂにおいて、この第１及び第２リード３１，３２の平面部３１ｃと、これらの間に設けられる樹脂成形体２の底面２ｂとは、略同一平面上になるように配置されている。
図４に示すように、第２リード３２は、第１リード３１と同様に、樹脂成形体２に埋設されるインナリード部３２ｂと、樹脂成形体２の外側に配置されるアウタリード部３２ｃとを有する。
インナリード部３２ｂには、一端が発光素子４に接続されたワイヤ６の他端に接合されるワイヤ接続部３２ａが、樹脂成形体２の底面２ｂ及び第１リード３１の平面部（ワイヤ接続部）３１ｃと同一平面上に設けられている。
インナリード部３２ｂには、一端が発光素子４に接続されたワイヤ６の他端に接合されるワイヤ接続部３２ａが、樹脂成形体２の底面２ｂ及び第１リード３１の平面部（ワイヤ接続部）３１ｃと同一平面上に設けられている。
≪発光装置≫
発光装置Ｓは、リード３を備えた樹脂パッケージ１と、リード３の突起部３１ａに載置される発光素子４と、リード３に接続するワイヤ６と、樹脂成形体２の凹部２ａ内を充填する封止部材５と、を備えている。発光装置Ｓは、例えば、液晶バックライトや、照明装置等の光源として使用される。
発光装置Ｓは、リード３を備えた樹脂パッケージ１と、リード３の突起部３１ａに載置される発光素子４と、リード３に接続するワイヤ６と、樹脂成形体２の凹部２ａ内を充填する封止部材５と、を備えている。発光装置Ｓは、例えば、液晶バックライトや、照明装置等の光源として使用される。
≪発光素子≫
発光素子４は、光を発散する半導体素子であり、例えば、窒化ガリウム系化合物半導体などが挙げられる。発光素子４は、第１リード３１の突起部３１ａの上面にダイボンド部材(図示省略)によって実装されている。発光素子４は、平面視して凹部２ａの中央部に配置され、断面視して段差部２ｄよりも高い位置に配置されている。なお、発光素子４は、光を発する素子であればよく、輝度や発光色や材料や形状や個数やその種類等は特に限定されず、使用する用途等によって適宜に選定して使用すればよい。
発光素子４は、光を発散する半導体素子であり、例えば、窒化ガリウム系化合物半導体などが挙げられる。発光素子４は、第１リード３１の突起部３１ａの上面にダイボンド部材(図示省略)によって実装されている。発光素子４は、平面視して凹部２ａの中央部に配置され、断面視して段差部２ｄよりも高い位置に配置されている。なお、発光素子４は、光を発する素子であればよく、輝度や発光色や材料や形状や個数やその種類等は特に限定されず、使用する用途等によって適宜に選定して使用すればよい。
≪封止部材≫
封止部材５は、突起部３１ａの上面３１ｂに設けた発光素子４を被覆して凹部２ａ内に充填される透光性を有する絶縁性部材である。封止部材５は、樹脂成形体２の上面２ｇとほぼ同じ高さまで設けられている。封止部材５は、例えば、蛍光物質を含有した熱硬化性樹脂ベースの複合材料で構成され、発光装置Ｓの色調調整を行うものである。また、封止部材５は、発光素子４を、外力や埃、水分などから保護すると共に、発光素子４の耐熱性、耐候性、耐光性を良好なものとする。また、封止部材５には、所望外の波長をカットする目的で有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させたり、配光や色ムラを制御する目的で拡散材やフィラーを含有させたりすることができる。封止部材５は、例えば、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、変性シリコーン樹脂、ポリアミド等の耐候性に優れた透明樹脂や、ガラス等の材料からなる。
封止部材５は、突起部３１ａの上面３１ｂに設けた発光素子４を被覆して凹部２ａ内に充填される透光性を有する絶縁性部材である。封止部材５は、樹脂成形体２の上面２ｇとほぼ同じ高さまで設けられている。封止部材５は、例えば、蛍光物質を含有した熱硬化性樹脂ベースの複合材料で構成され、発光装置Ｓの色調調整を行うものである。また、封止部材５は、発光素子４を、外力や埃、水分などから保護すると共に、発光素子４の耐熱性、耐候性、耐光性を良好なものとする。また、封止部材５には、所望外の波長をカットする目的で有機や無機の着色染料や着色顔料を含有させたり、配光や色ムラを制御する目的で拡散材やフィラーを含有させたりすることができる。封止部材５は、例えば、エポキシ樹脂、ユリア樹脂、シリコーン樹脂、変性エポキシ樹脂、変性シリコーン樹脂、ポリアミド等の耐候性に優れた透明樹脂や、ガラス等の材料からなる。
ワイヤ６は、発光素子４と、第１リード３１及び第２リード３２とを接続するためのものであり、Ａｕ、Ａｇ、Ａｌ，Ｃｕなどの導電性金属材料によって構成される。
≪樹脂パッケージの製造方法≫
次に、図１〜図４を参照しながら本発明の第１実施形態に係る樹脂パッケージ１の製造方法を説明する。
まず、第１リード３１及び第２リード３２となる部分を含んだリードフレームを準備する。このようなリードフレームは、板状のリードフレームを、加工されて得ることができる。平面形状の加工は、プレス、パンチ、ブラスト、エッチング等の方法によって行うことができる。また、突起部３１ａの加工、すなわち、凹凸加工は、平面形状の加工と同様の方法で行ってもよく、あるいは、あらかじめ突起部３１ａ、又は、突起部３１ａを含む厚膜部が形成された異形条のリードフレームを用いてもよい。
次に、図１〜図４を参照しながら本発明の第１実施形態に係る樹脂パッケージ１の製造方法を説明する。
まず、第１リード３１及び第２リード３２となる部分を含んだリードフレームを準備する。このようなリードフレームは、板状のリードフレームを、加工されて得ることができる。平面形状の加工は、プレス、パンチ、ブラスト、エッチング等の方法によって行うことができる。また、突起部３１ａの加工、すなわち、凹凸加工は、平面形状の加工と同様の方法で行ってもよく、あるいは、あらかじめ突起部３１ａ、又は、突起部３１ａを含む厚膜部が形成された異形条のリードフレームを用いてもよい。
一枚のリードフレームには、後に樹脂パッケージ１の第１リード３１及び第２リード３２となる部分が含まれており、樹脂成形、発光素子載置、封止部材形成などの種々の工程を経て、最終的に切断して発光装置Ｓとされるまでの工程においては、樹脂パッケージ１の集合体として取り扱われる。尚、説明の便宜上、１つの樹脂パッケージ単位で以下説明をする。
一枚のリードフレームには、後に樹脂パッケージ１の第１リード３１及び第２リード３２となる部分が含まれており、樹脂成形、発光素子載置、封止部材形成などの種々の工程を経て、最終的に切断して発光装置Ｓとされるまでの工程においては、樹脂パッケージ１の集合体として取り扱われる。尚、説明の便宜上、１つの樹脂パッケージ単位で以下説明をする。
上記のようなリード３を上下金型内に挟持するようにセットする。上金型は、樹脂成形体２の凹部２ａに対応する凸部を有している。さらに、上金型の凸部の頂面には、第１リード３１の突起部３１ａに対応する凹部２ａを有している。
上金型の凸部の側面は、樹脂成形体２の内側面２ｃに対応する形状をしており、湾曲部２ｅと、段差部２ｄとを有している。上金型の凸部の頂面から連続する側面が、樹脂成形体２の段差部２ｄに対応するよう、その断面視は直線状になっている。このような上金型形状とすることで、上金型の湾曲部がリード３と直接的に接することがないため、上金型とリード３との間に隙間が形成されにくい。そのため、バリの形成が抑制される。また、上金型の凸部の頂面から連続する側面の長さ（凸部頂面からの長さ）は、上金型の凸部の頂面に設けられた凹部の深さ（凸部頂面からの深さ）よりも短くなっている。これにより、樹脂成形体２の凹部２ａの内側面２ｃの段差部２ｄの上端よりも、リード３の突起部３１ａの上面の方が高い位置にある樹脂パッケージ１を得ることができる。
上下金型及びリード３で囲まれた空洞内に、溶融された成形樹脂が充填され、その後冷却し、金型から取り出されて樹脂パッケージ１の集合体が得られる。得られた樹脂パッケージ１は、上面に開口を有する凹部２ａが設けられた樹脂成形体２と、凹部２ａの底面２ｂに２つのリード３が露出されている。凹部２ａの内側面２ｃは、湾曲部２ｅと、湾曲部２ｅより下側に段差部２ｄと、を有しており、第１リード３１の突起部３１ａの上面は、段差部２ｄの上端よりも高い位置にある。
≪樹脂パッケージを用いた発光装置の製造方法≫
上記のように得られた樹脂パッケージ１（集合体）の、凹部２ａ内に発光素子４を載置する。詳細には凹部２ａの底面２ｂに露出された第１リード３１の突起部３１ａの上面３１ｂに、ダイボンド部材(図示省略)を介在して発光素子４を固定する。
上記のように得られた樹脂パッケージ１（集合体）の、凹部２ａ内に発光素子４を載置する。詳細には凹部２ａの底面２ｂに露出された第１リード３１の突起部３１ａの上面３１ｂに、ダイボンド部材(図示省略)を介在して発光素子４を固定する。
次に、ワイヤ６，６の一端部を発光素子４に接続し、他端部を平坦部（ワイヤ接続部３１ｃ，３２ａ）にそれぞれ接続する（ワイヤ６の接続は、先に平坦部に接続後に、発光素子４に接続してもよい）。この後、凹部２ａ内に封止部材５を充填する。その後、樹脂パッケージ１に沿うように、アウタリード部３１ｆを折り曲げ、樹脂パッケージ１を支えているハンガーリードから脱離させることで発光装置Ｓを得ることができる。
このようにして設けられた発光装置Ｓは、図４に示すように、発光素子４が、凹部２ａの底面１ａから高さＨ２の突起部３１ａの上面３１ｂに設けられて、段差部２ｄの高さＨ１よりも高い位置に配置されている。このため、その発光素子４が発光すると、発光素子４から発した光は、上方向へ効率よく反射される。その結果、発光装置Ｓは、所望方向に広範囲に明るく照射することができ、発光効率を向上させて高光度に照射することができる。
さらに、発光素子４は、第１リード３１に一体形成された突起部３１ａの上面３１ｂに設けられているので、第１リード３１を介在して効率よく放熱することができる。
［第２実施形態］
なお、本発明は、前記第１実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の改造及び変更が可能であり、本発明はこれら改造及び変更された発明にも及ぶことは勿論である。
次に、本発明の第２実施形態を図５及び図６に基づいて説明する。なお、既に説明した構成は同じ符号を付してその説明を省略する。
図５は、本発明の第２実施形態に係る樹脂パッケージに発光素子を実装した状態を示す概略平面図である。図６は、図５の樹脂パッケージを用いた発光装置のＣ−Ｃ断面図である。
なお、本発明は、前記第１実施形態に限定されるものではなく、その技術的思想の範囲内で種々の改造及び変更が可能であり、本発明はこれら改造及び変更された発明にも及ぶことは勿論である。
次に、本発明の第２実施形態を図５及び図６に基づいて説明する。なお、既に説明した構成は同じ符号を付してその説明を省略する。
図５は、本発明の第２実施形態に係る樹脂パッケージに発光素子を実装した状態を示す概略平面図である。図６は、図５の樹脂パッケージを用いた発光装置のＣ−Ｃ断面図である。
図５及び図６に示すように、樹脂パッケージ１Ａは、第１リード３１Ａの突起部３１Ａａ及びその周辺のリード３Ａの上面が底面と、それよりも高い位置ある樹脂成形体２Ａの底面２Ａｂ（湾曲底面）と、それぞれ高さの異なる面を備えた底面を有する。
図６に示すように、第１リード３１Ａ側においては、樹脂成形体２Ａの段差部２Ａｄがリード３Ａの突出部の近傍にまで形成されている。また、第１リード３１Ａと第２リード３２Ａの間の樹脂成形体２Ａは、第２リード３２Ａの上面が露出される部分を介して、第２リード３２Ａ側の湾曲部２Ａｅが延長した形状、すなわち、第２リード３２Ａ側の端部のほうが、第１リード３１Ａ側の端部よりも高くなった湾曲部２Ａｅの一部となっている。
このように、凹部２Ａａの底面２Ａｂを、単一な平面ではなく、凹凸を有する底面２Ａｂとすることができる。ここでは、凹部２Ａａの内側面２Ａｃの段差部２Ａｄの上端と同じ高さの上面２Ａｇを有する樹脂成形体２Ａの湾曲部底面を図示している。なお、これに限らず、段差部２Ａｄの上端と異なる高さの樹脂成形体の湾曲部底面であってもよい。
また、リード３Ａは、正負一対の２つのリード３Ａ（第１リード３１Ａ及び第２リード３２Ａ）のうちの少なくとも１つに素子搭載部３１Ａｂが形成されてあれば、その形状は、特に限定されない。
第１実施形態では、図１に示すように、アウタリード部３１ｆ，３２ｃが曲げられているが、図６に示すように、リード３Ａの上面側に樹脂成形体２Ａが形成され、リード３Ａの側面の裏面側が露出するような形態でもよい。このようにリード３Ａを樹脂成形体２Ａの下面において大面積で露出させることにより放熱性に優れた樹脂パッケージ１Ａ及び発光装置ＳＡとすることができる。また、図６ではアウタリード部３１Ａｆ，３２Ａｃは樹脂成形体２Ａの外側面から突出しているが、これに限らず、樹脂成形体２Ａと同一面となるようにしてもよい。
第１実施形態では、図１に示すように、アウタリード部３１ｆ，３２ｃが曲げられているが、図６に示すように、リード３Ａの上面側に樹脂成形体２Ａが形成され、リード３Ａの側面の裏面側が露出するような形態でもよい。このようにリード３Ａを樹脂成形体２Ａの下面において大面積で露出させることにより放熱性に優れた樹脂パッケージ１Ａ及び発光装置ＳＡとすることができる。また、図６ではアウタリード部３１Ａｆ，３２Ａｃは樹脂成形体２Ａの外側面から突出しているが、これに限らず、樹脂成形体２Ａと同一面となるようにしてもよい。
樹脂成形体２Ａの凹部２Ａａは、開口２Ａｆの内側面２Ａｃに、湾曲部２Ａｅよりも上側にさらに段差部を設けてもよい。図６では、断面視において溝２Ａｈとなるような段差部２Ａｄを設けている。
[第３実施形態]
第３実施形態を図７を用いて説明する。なお、既に説明した構成は同じ符号を付してその説明を省略する。
図７に示すように、発光装置ＳＢは、樹脂成形体２と第１リード３１Ｂ及び第２リード３２Ｂとを有する樹脂パッケージ１Ｂと、発光素子４Ｂと、を備えている。樹脂パッケージ１Ｂは、凹部２ａの内側面２ｃに湾曲部２ｅと、湾曲部２ｅより下側の段差部２ｄと、を有しており、第１リード３１Ｂの上面３１Ｂｂ上に発光素子４Ｂが載置されている。そして、発光素子４Ｂは、段差部２ｄの上端の高さＨ１よりも高い位置である、凹部２ａの底面１ａから高さＨ３の位置に、発光層４１Ｂを有している。第１リード３１Ｂは、突起部３１ａ（図４参照）を有していない点が第１実施形態の第１リード３１（図４参照）と異なる点である。
第３実施形態を図７を用いて説明する。なお、既に説明した構成は同じ符号を付してその説明を省略する。
図７に示すように、発光装置ＳＢは、樹脂成形体２と第１リード３１Ｂ及び第２リード３２Ｂとを有する樹脂パッケージ１Ｂと、発光素子４Ｂと、を備えている。樹脂パッケージ１Ｂは、凹部２ａの内側面２ｃに湾曲部２ｅと、湾曲部２ｅより下側の段差部２ｄと、を有しており、第１リード３１Ｂの上面３１Ｂｂ上に発光素子４Ｂが載置されている。そして、発光素子４Ｂは、段差部２ｄの上端の高さＨ１よりも高い位置である、凹部２ａの底面１ａから高さＨ３の位置に、発光層４１Ｂを有している。第１リード３１Ｂは、突起部３１ａ（図４参照）を有していない点が第１実施形態の第１リード３１（図４参照）と異なる点である。
このように構成された発光素子４Ｂは、、発光素子４Ｂを構成する半導体層４２Ｂ，４３Ｂ及び基板４４Ｂのうち、発光層４１Ｂよりも下側に位置する半導体層４２Ｂや基板４４Ｂの厚みを調整することで得ることができる。窒化ガリウム系化合物半導体を発光層４１Ｂとする発光素子４Ｂの場合は、成長基板としてのサファイアやＳｉＣ（炭化ケイ素）の厚みを厚くしたり、その上に成長させたｎ型半導体層の厚みを厚くすることができる。
また、発光素子４Ｂは、成長基板ではない基板を貼り合わせたものを用いてもよい。例えば、成長基板上にｎ型半導体層、発光層（活性層）、ｐ型半導体層が形成された発光素子を準備し、そのｐ型半導体層に別の基板を貼り合わせる。次いで、成長基板を剥がすことで、得ることができる発光素子であってもよい。この場合、ｐ型半導体層の上に発光層、ｎ型半導体層が位置するようになる。
更に、このｐ型半導体層に基板が張り合わせられた発光素子のｎ型半導体層に別の基板を貼り合わせた後に、ｐ型半導体層に貼り合わせられていた基板を剥がした発光素子とすることもできる。この場合、もとの成長基板と同じ位置に成長基板ではない基板が位置するようになる。このように、貼り合わせる基板として、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、ＣｕＷ（銅タングステン合金）などの金属や、サファイア、ＳｉＣなどを用いることができる。
更に、このｐ型半導体層に基板が張り合わせられた発光素子のｎ型半導体層に別の基板を貼り合わせた後に、ｐ型半導体層に貼り合わせられていた基板を剥がした発光素子とすることもできる。この場合、もとの成長基板と同じ位置に成長基板ではない基板が位置するようになる。このように、貼り合わせる基板として、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、ＣｕＷ（銅タングステン合金）などの金属や、サファイア、ＳｉＣなどを用いることができる。
[第４実施形態]
第４実施形態を図８を用いて説明する。なお、既に説明した構成は同じ符号を付してその説明を省略する。
図８に示すように、発光装置ＳＣは、樹脂成形体２と第１リード３１Ｃ及び第２リード３２Ｃとを有する樹脂パッケージ１Ｃと、発光素子４Ｃと、を備えている。樹脂パッケージ１Ｃは、凹部２ａの内側面２ｃに湾曲部２ｅと、湾曲部２ｅより下側の段差部２ｄと、を有しており、第１リード３１Ｃ上に発光素子４Ｃが載置されている。第１リード３１Ｃは、突起部３１Ｃａを有しており、その突起部３１Ｃａの上面３１Ｃｂに発光素子４Ｃが載置されている。そして、突起部３１Ｃａの上面３１Ｃｂ（素子搭載部）が、段差部２ｄの高さＨ１よりも低い高さＨ４の位置にあり、その上に載置された発光素子４Ｃの発光層４１Ｃが、段差部２ｄよりも高い位置にある。第１リード３１Ｃは、凹部２ａの底面２ｂよりも突出する突起部３１Ｃａがある点で第１実施形態の第１リード３１（図４参照）と同じであるが、その上面３１Ｃｂが段差部２ｄよりも低い位置に設置されている点で第１実施形態の第１リード３１（図４参照）と異なる。
第４実施形態を図８を用いて説明する。なお、既に説明した構成は同じ符号を付してその説明を省略する。
図８に示すように、発光装置ＳＣは、樹脂成形体２と第１リード３１Ｃ及び第２リード３２Ｃとを有する樹脂パッケージ１Ｃと、発光素子４Ｃと、を備えている。樹脂パッケージ１Ｃは、凹部２ａの内側面２ｃに湾曲部２ｅと、湾曲部２ｅより下側の段差部２ｄと、を有しており、第１リード３１Ｃ上に発光素子４Ｃが載置されている。第１リード３１Ｃは、突起部３１Ｃａを有しており、その突起部３１Ｃａの上面３１Ｃｂに発光素子４Ｃが載置されている。そして、突起部３１Ｃａの上面３１Ｃｂ（素子搭載部）が、段差部２ｄの高さＨ１よりも低い高さＨ４の位置にあり、その上に載置された発光素子４Ｃの発光層４１Ｃが、段差部２ｄよりも高い位置にある。第１リード３１Ｃは、凹部２ａの底面２ｂよりも突出する突起部３１Ｃａがある点で第１実施形態の第１リード３１（図４参照）と同じであるが、その上面３１Ｃｂが段差部２ｄよりも低い位置に設置されている点で第１実施形態の第１リード３１（図４参照）と異なる。
第４実施形態も、第３実施形態と同様に、発光素子４Ｃを構成する半導体層４２Ｃ，４３Ｃ及び基板４４Ｃのうち、発光層４１Ｃの下側に位置する半導体層４２Ｃや基板４４Ｃの厚みを調整することで得ることができる。第４実施形態の発光素子４Ｃは、第３実施形態の発光素子４Ｂ（図７参照）と比して、それらの厚みを薄くすることができる。
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ 樹脂パッケージ
１ａ 底面
２，２Ａ 樹脂成形体
２ａ，２Ａａ 凹部
２ｃ，２Ａｃ 内側面
２ｄ，２Ａｄ 段差部
２ｅ，２Ａｅ 湾曲部
２ｆ，２Ａｆ 開口
２ｇ，２Ａｇ 上面
３，３Ａ リード（リードフレーム）
４，４Ｂ，４Ｃ 発光素子
３１，３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ 第１リード（リードフレーム）
３１ａ，３１Ａａ，３１Ｃａ 突起部
３１ｂ，３１Ｂｂ，３１Ｃｂ 上面
３１ｃ 平面部（ワイヤ接続部）
３２ａ ワイヤ接続部
３２，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ 第２リード（リードフレーム）
４１Ｂ，４１Ｃ 発光層
Ｈ１ 段差部の高さ
Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４ 素子搭載部の高さ
Ｓ，ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ 発光装置
１ａ 底面
２，２Ａ 樹脂成形体
２ａ，２Ａａ 凹部
２ｃ，２Ａｃ 内側面
２ｄ，２Ａｄ 段差部
２ｅ，２Ａｅ 湾曲部
２ｆ，２Ａｆ 開口
２ｇ，２Ａｇ 上面
３，３Ａ リード（リードフレーム）
４，４Ｂ，４Ｃ 発光素子
３１，３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ 第１リード（リードフレーム）
３１ａ，３１Ａａ，３１Ｃａ 突起部
３１ｂ，３１Ｂｂ，３１Ｃｂ 上面
３１ｃ 平面部（ワイヤ接続部）
３２ａ ワイヤ接続部
３２，３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ 第２リード（リードフレーム）
４１Ｂ，４１Ｃ 発光層
Ｈ１ 段差部の高さ
Ｈ２，Ｈ３，Ｈ４ 素子搭載部の高さ
Ｓ，ＳＡ，ＳＢ，ＳＣ 発光装置
Claims (9)
- 上面に開口を有する凹部が設けられた樹脂成形体と、前記凹部の底面において、少なくとも一部が前記樹脂成形体から露出される第１リード及び第２リードと、
を有する樹脂パッケージであって、
前記凹部の内側面は、湾曲部と、前記湾曲部より下側の段差部と、を有し、
前記第１リードは、平坦部と、発光素子が載置されると共に前記平坦部よりも厚みが厚い突起部と、を有し、
前記突起部の上面は、前記段差部の上端よりも高い位置にあることを特徴とする樹脂パッケージ。 - 前記樹脂成形体は、前記第１及び第２リードの間において、前記第１リード及び前記第２リードの上面よりも高い上面を有する請求項１に記載の樹脂パッケージ。
- 前記内側面は、前記湾曲部よりも上側に、断面視において前記湾曲部の接線方向に延長される直線部を有する請求項１又は請求項２に記載の樹脂パッケージ。
- 前記第１リード及び前記第２リードの下面が前記樹脂成形体から露出する請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の樹脂パッケージ。
- 上面に開口を有する凹部が設けられた樹脂成形体と、前記凹部の底面において、少なくとも一部が前記樹脂成形体から露出される第１リード及び第２リードと、を有する樹脂パッケージと、前記第１リードに載置される発光素子と、を備えた発光装置であって、
前記凹部の内側面は、湾曲部と、前記湾曲部より下側の段差部と、を有し、
前記第１リードは、平坦部と、前記発光素子が載置されると共に前記平坦部よりも厚みが厚い突起部と、を有し、
前記発光素子は、前記段差部の上端よりも高い位置に、発光層を有することを特徴とする発光装置。 - 前記突起部の上面は、前記段差部の上端よりも高い位置にある請求項５に記載の発光装置。
- 前記内側面は、前記湾曲部よりも上側に、断面視において前記湾曲部の接線方向に延長される直線部を有する請求項５又は請求項６のいずれか一項に記載の発光装置。
- 前記直線部は、その下端が前記発光素子の上面よりも上側に位置する請求項７に記載の発光装置。
- 前記第１リード及び前記第２リードの下面が前記樹脂成形体から露出する請求項５乃至請求項８のいずれか一項に記載の発光装置。
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|---|---|---|---|---|
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| KR101831249B1 (ko) * | 2015-10-14 | 2018-02-23 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 조명 장치 |
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| DE102016121510A1 (de) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leiterrahmen, optoelektronisches Bauelement mit einem Leiterrahmen und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements |
| JP6583297B2 (ja) * | 2017-01-20 | 2019-10-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置用複合基板および発光装置の製造方法 |
| US10411169B2 (en) * | 2017-02-03 | 2019-09-10 | Nichia Corporation | Light emitting device having leads in resin package |
| CN111987212A (zh) * | 2017-06-27 | 2020-11-24 | 亿光电子工业股份有限公司 | 一种封装支架结构及包含该封装支架机构的发光装置 |
| KR102408302B1 (ko) * | 2017-07-18 | 2022-06-14 | 루미레즈 엘엘씨 | 리드 프레임 및 절연 재료를 포함하는 발광 디바이스 |
| JP7096473B2 (ja) * | 2017-09-20 | 2022-07-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| DE10229067B4 (de) * | 2002-06-28 | 2007-08-16 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2005039193A (ja) | 2003-06-26 | 2005-02-10 | Kyocera Corp | 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置 |
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| JP2008004640A (ja) * | 2006-06-20 | 2008-01-10 | Toyoda Gosei Co Ltd | 発光装置 |
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| JP2007173875A (ja) | 2007-03-28 | 2007-07-05 | Kyocera Corp | 発光装置 |
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| KR101064049B1 (ko) * | 2010-02-18 | 2011-09-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 반도체 발광소자 및 그 제조방법, 발광소자 패키지 |
| US20130009190A1 (en) * | 2010-04-07 | 2013-01-10 | Yuhichi Memida | Light emitting device and method for manufacturing same |
| DE102010021791A1 (de) * | 2010-05-27 | 2011-12-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und eines Verbunds |
| DE102010026343A1 (de) * | 2010-07-07 | 2012-03-29 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines Bauelements |
| JP2012094689A (ja) * | 2010-10-27 | 2012-05-17 | Stanley Electric Co Ltd | 発光装置および発光装置の製造方法 |
| JP5919903B2 (ja) * | 2011-03-31 | 2016-05-18 | 三菱化学株式会社 | 半導体発光装置用パッケージ及び該パッケージを有してなる半導体発光装置並びにそれらの製造方法 |
| KR101812168B1 (ko) * | 2011-04-19 | 2017-12-26 | 엘지전자 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 이용한 발광 장치 |
| JP2014232781A (ja) * | 2013-05-28 | 2014-12-11 | 日立金属株式会社 | Ｌｅｄ用リードフレームおよびそれを用いたｌｅｄパッケージ |
-
2013
- 2013-12-17 JP JP2013260657A patent/JP6176101B2/ja active Active
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