DE202016008796U1 - Lichtemittierende Vorrichtungseinheit - Google Patents

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Abstract

Eine lichtemittierende Vorrichtungseinheit, umfassend:eine erste Leiterplatte (LF1);eine zweite Leiterplatte (LF2), die von der ersten Leiterplatte (LF1) in einer ersten Achse (y) getrennt ist;ein Körper (110) der Einheit mit einem Hohlraum (C), der einen Abschnitt der zweiten Leiterplatte (LF2) freilegt, wobei der Körper (110) der Einheit eine Isolierschicht (114) beinhaltet, die zwischen der ersten Leiterplatte (LF1) und der zweiten Leiterplatte (LF2) angeordnet ist, wobei der Körper (110) der Einheit einen ersten Abschnitt beinhaltet, der auf der Isolierschicht und zwischen der Zener-Diode (140) und der lichtemittierenden Diode (120) angeordnet ist;eine lichtemittierende Diode (120), die auf dem freiliegenden Abschnitt der zweiten Leiterplatte (LF2) angeordnet ist;eine Zener-Diode (140), die auf der ersten Leiterplatte (LF1) angeordnet ist,einen ersten Draht (136) mit einem ersten Ende, das mit der Zener-Diode (140) verbunden ist, und einem zweiten Ende, das mit der zweiten Leiterplatte (LF2) verbunden ist,dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlraum (C) eine geneigte Oberfläche (112) aufweist, die einen ersten spitzen Winkel (θ2) mit einer oberen Oberfläche der zweiten Leiterplatte (LF2) bildet, so dass der Hohlraum (C) eine Breite (W) aufweist, die mit zunehmendem Abstand von der oberen Oberfläche der zweiten Leiterplatte (LF2) zunimmt,wobei ein Loch (TH2, TH3) in der geneigten Oberfläche (112) des Hohlraums (C) ausgebildet ist, um einen Abschnitt der ersten Leiterplatte (LF1) freizulegen,wobei die Zener-Diode (140) in dem Loch (TH2, TH3) angeordnet ist und auf dem freigelegten Abschnitt der ersten Leiterplatte (LF1) angeordnet ist,wobei der erste Abschnitt Folgendes beinhaltet:eine erste Oberfläche korrespondierend zur geneigten Oberfläche (112), wobei die erste Oberfläche der lichtemittierenden Diode (120) zugewandt ist; undeine zweite Oberfläche, die durch das Loch (TH2, TH3) gebildet wird, wobei die zweite Oberfläche der Zener-Diode (140) zugewandt ist, wobei die zweite Oberfläche in einem zweiten spitzen Winkel (θ1) mit einer Oberfläche des freiliegenden Abschnitts der ersten Leiterplatte (LF1) geneigt ist,wobei der erste Draht (136) auf dem ersten Abschnitt des Vorrichtungskörpers (110) angeordnet ist und sein zweites Ende mit dem Abschnitt der zweiten Leiterplatte (LF2) verbunden ist, der durch den Hohlraum (C) freigelegt ist.

Description

  • Ausführungsformen beziehen sich auf lichtemittierende Vorrichtungseinheiten.
  • [Technischer Hintergrund]
  • Lichtemittierende Vorrichtungen wie Leuchtdioden (LEDs) oder Laserdioden (LDs) mit Verbindungshalbleitern der Gruppe III-V oder II-VI können durch die Entwicklung von Vorrichtungswerkstoffen und Dünnschichtwachstumstechnik verschiedene Lichtfarben wie z.B. rotes, grünes und blaues Licht sowie ultraviolettes Licht realisieren und auch weißes Licht mit hoher Lichtausbeute durch Verwendung eines fluoreszierenden Materials oder durch Kombination von Farben realisieren. Diese lichtemittierenden Vorrichtungen zeichnen sich durch geringen Stromverbrauch, eine semipermanente Lebensdauer, schnelle Ansprechgeschwindigkeit, gute Sicherheit und umweltfreundliche Eigenschaften im Vergleich zu bestehenden Lichtquellen wie z.B. Leuchtstofflampen und Glühlampen aus.
  • Dementsprechend wurde die Anwendung von lichtemittierenden Vorrichtungen auf ein Sendemodul einer optischen Kommunikationsvorrichtung, eine lichtemittierende Diodenhintergrundbeleuchtung, die eine Kaltkathoden-Leuchtstofflampe (CCFL) ersetzen kann, die eine Hintergrundbeleuchtung einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung (LCD) darstellt, eine weiße lichtemittierende Diodenbeleuchtungsvorrichtung, die eine Leuchtstofflampe oder eine Glühlampe ersetzen kann, einen Fahrzeugscheinwerfer und eine Signallampe erweitert.
  • Wenn solche lichtemittierenden Vorrichtungen in Form einer Einheit realisiert werden, kann die Einführung von Außenluft, wie z.B. Feuchtigkeit von außen, in die Einheit der lichtemittierenden Vorrichtung die Zuverlässigkeit beeinträchtigen.
  • [Technische Aufgabe]
  • Ausführungsformen bieten eine lichtemittierende Vorrichtungseinheit mit erhöhter Zuverlässigkeit, Steifigkeit und Effizienz der Lichtextraktion.
  • [Technische Lösung]
  • Um das vorstehend beschriebene Ziel zu erreichen, kann eine Ausführungsform eine lichtemittierende Vorrichtungseinheit mit einer ersten und zweiten Leiterplatte, eine zwischen der ersten und zweiten Leiterplatte angeordnete Isolationsschicht, um die erste und zweite Leiterplatte elektrisch voneinander zu isolieren, einen Körper der Einheit, der konfiguriert ist, um einen Abschnitt einer Vorderoberfläche von der ersten und/oder zweiten Leiterplatte freizulegen, eine lichtemittierende Vorrichtung, die auf der freiliegenden Vorderoberfläche von der ersten und/oder zweiten Leiterplatte angeordnet ist und erste und zweite Elektroden aufweist, die elektrisch mit der jeweiligen ersten und zweiten Leiterplatte verbunden sind, beinhalten, und eine Zener-Diode, die auf der ersten Leiterplatte so angeordnet ist, dass sie von der lichtemittierenden Vorrichtung beabstandet ist, wobei der Körper der Einheit dazwischen angeordnet ist, wobei der Körper der Einheit einen Hohlraum zusammen mit der freiliegenden Vorderoberfläche der ersten und/oder zweiten Leiterplatte definiert, wobei der Hohlraum eine geneigte Oberfläche aufweist, die konfiguriert ist, um das von der lichtemittierenden Vorrichtung emittierte Licht zu reflektieren, und ein unteres Ende der geneigten Oberfläche ist um einen vorbestimmten Abstand von der lichtemittierenden Vorrichtung beabstandet, die auf einer Bodenfläche des Hohlraums angeordnet ist, und wobei der zwischen der Zener-Diode und der lichtemittierenden Vorrichtung angeordnete Körper der Einheit eine Dicke aufweist, die größer ist als eine Dicke der Zener-Diode oder eine Dicke der lichtemittierenden Vorrichtung.
  • Beispielsweise kann die lichtemittierende Vorrichtungseinheit weiterhin einen ersten Draht beinhalten, dessen eines Ende elektrisch mit der ersten Elektrode der lichtemittierenden Vorrichtung und dessen anderes Ende elektrisch mit der ersten Leiterplatte verbunden ist.
  • Beispielsweise kann die lichtemittierende Vorrichtungseinheit ferner einen zweiten Draht beinhalten, dessen eines Ende elektrisch mit der zweiten Elektrode der lichtemittierenden Vorrichtung und dessen anderes Ende elektrisch mit der zweiten Leiterplatte verbunden ist.
  • Beispielsweise kann die zweite Elektrode der lichtemittierenden Vorrichtung direkt elektrisch mit der zweiten Leiterplatte verbunden sein.
  • Beispielsweise kann die freiliegende Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte einen ersten Vorrichtungsbereich beinhalten, in dem die lichtemittierende Vorrichtung angeordnet ist.
  • Beispielsweise kann die freiliegende Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte weiterhin einen ersten Bondbereich beinhalten, der elektrisch mit dem verbleibenden Ende des zweiten Drahtes verbunden ist und der sich in der Nähe des ersten Vorrichtungsbereichs befindet.
  • Beispielsweise kann der Körper der Einheit eine erste Nut beinhalten, die konfiguriert ist, um den ersten Bondbereich freizulegen.
  • Beispielsweise kann die erste Leiterplatte einen zweiten Bondbereich beinhalten, der nicht vom Körper der Einheit abgedeckt ist und freigelegt ist und der mit dem verbleibenden Ende des ersten Drahtes verbunden ist.
  • Beispielsweise kann der Körper der Einheit eine zweite Nut beinhalten, die konfiguriert ist, um den zweiten Bondbereich freizulegen.
  • Beispielsweise kann der Körper der Einheit ein erstes Sackloch beinhalten, das konfiguriert ist, um den zweiten Bondbereich freizulegen.
  • Beispielsweise kann der Körper der Einheit konfiguriert sein, um einen Abschnitt der Isolationsschicht abzudecken und einen verbleibenden Abschnitt freizulegen, und die lichtemittierende Vorrichtungseinheit kann ferner einen ersten Lötbereich beinhalten, der zwischen der ersten Elektrode der lichtemittierenden Vorrichtung und der ersten Leiterplatte, die sich in der Nähe des verbleibenden Abschnitts der Isolationsschicht befindet, und einen zweiten Lötbereich, der zwischen der zweiten Elektrode der lichtemittierenden Vorrichtung und der zweiten Leiterplatte, die sich in der Nähe des verbleibenden Abschnitts der Isolationsschicht befindet, angeordnet ist.
  • Beispielsweise kann die lichtemittierende Vorrichtungseinheit weiterhin einen dritten Draht beinhalten, dessen eines Ende elektrisch mit der Zener-Diode und das andere Ende elektrisch mit der zweiten Leiterplatte verbunden ist.
  • Beispielsweise kann die freiliegende Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte einen dritten Bondbereich beinhalten, der mit dem verbleibenden Ende des dritten Drahtes verbunden ist.
  • Beispielsweise kann der Körper der Einheit eine dritte Nut beinhalten, die konfiguriert ist, um den dritten Bondbereich freizulegen.
  • Beispielsweise kann die erste Leiterplatte einen zweiten Vorrichtungsbereich beinhalten, in dem die Zener-Diode angeordnet ist.
  • Beispielsweise kann der Körper der Einheit ein zweites Sackloch beinhalten, das konfiguriert ist, um einen Abschnitt freizulegen, der mit dem einen Ende des dritten Drahtes verbunden werden soll.
  • Beispielsweise kann das zweite Sackloch nur einen Anteil der Zener-Diode freilegen, die mit dem einen Ende des dritten Drahtes verbunden ist, oder es kann den zweiten Vorrichtungsbereich freilegen.
  • Beispielsweise können in der Vorderoberfläche der ersten Leiterplatte der zweite Bondbereich und der zweite Vorrichtungsbereich voneinander beabstandet angeordnet oder eng miteinander verbunden sein.
  • Beispielsweise kann mindestens ein Anteil der Isolationsschicht, der mit dem Körper der Einheit bedeckt ist, eine erste planare Fläche aufweisen, die gleich oder größer ist als eine zweite planare Fläche eines freiliegenden verbleibenden Anteils der Isolationsschicht, der nicht durch den Körper der Einheit abgedeckt ist.
  • Beispielsweise kann der Körper der Einheit den Hohlraum zusammen mit der freiliegenden Vorderoberfläche der ersten und/oder zweiten Leiterplatte definieren und die geneigte Oberfläche beinhalten, die konfiguriert ist, um das von der lichtemittierenden Vorrichtung abgegebene Licht zu reflektieren, und die lichtemittierende Vorrichtung kann innerhalb des Hohlraums angeordnet sein.
  • Beispielsweise kann die geneigte Oberfläche ein Reflexionsvermögen aufweisen, das höher ist als das Reflexionsvermögen der freiliegenden Vorderoberfläche von der ersten und/oder zweiten Leiterplatte.
  • Beispielsweise kann der vorgegebene Abstand 30 µm betragen, die Dicke des zwischen der Zener-Diode und der lichtemittierenden Vorrichtung angeordneten Körpers der Einheit kann größer als 50 µm und gleich oder kleiner als 200 µm sein, und die geneigte Oberfläche kann eine konkave Form, eine konvexe Form oder eine Stufenform zum Hohlraum hin aufweisen.
  • Beispielsweise kann der Körper der Einheit weiterhin einen gestuften Abschnitt beinhalten, der zwischen dem unteren Ende der geneigten Oberfläche und der Bodenfläche des Hohlraums angeordnet ist.
  • Beispielsweise kann die lichtemittierende Vorrichtung erste und zweite leitende Halbleiterschichten und eine aktive Schicht beinhalten, die zwischen den ersten und zweiten leitenden Halbleiterschichten angeordnet ist, und eine erste Höhe von der Bodenfläche des Hohlraums zu einer Oberseite des gestuften Abschnitts kann kleiner als eine zweite Höhe von der Bodenfläche des Hohlraums zur aktiven Schicht sein.
  • Beispielsweise kann die erste Leiterplatte einen ersten Seitenabschnitt beinhalten, der von einer Seitenfläche des Körpers der Einheit vorsteht, und die zweite Leiterplatte kann einen zweiten Seitenabschnitt beinhalten, der von einer Seitenfläche gegenüber der einen Seitenfläche des Körpers der Einheit vorsteht.
  • Beispielsweise können eine Oberseite der ersten Leiterplatte, eine Oberseite der zweiten Leiterplatte und eine Oberseite der Isolierschicht auf derselben horizontalen Ebene angeordnet sein.
  • Beispielsweise können eine erste Dicke der ersten Leiterplatte, eine zweite Dicke der Isolationsschicht und eine dritte Dicke der zweiten Leiterplatte gleich sein.
  • Beispielsweise kann ein Mindestwert einer Summe aus der ersten, zweiten oder dritten Dicke und einer vierten Dicke des Körpers der Einheit, die auf der Isolationsschicht und der ersten Leiterplatte angeordnet ist, 250 µm betragen.
  • Der Körper der Einheit kann ein Isoliermaterial beinhalten, und die Isolierschicht und der Körper der Einheit können integral miteinander ausgebildet sein.
  • [Vorteilhafte Effekte]
  • Eine lichtemittierende Vorrichtungseinheit gemäß Ausführungsformen kann eine Erhöhung der Zuverlässigkeit erreichen, indem sie die Länge eines Weges verlängert, entlang dessen Außenluft von außen in einen Hohlraum eingeleitet wird, und kann eine Erhöhung der strukturellen Steifigkeit bei gleichzeitiger Reduzierung der Dicke von Leiterplatten erreichen.
  • Figurenliste
    • 1 veranschaulicht eine Draufsicht auf eine lichtemittierende Vorrichtungseinheit gemäß einer Ausführungsform.
    • 2 veranschaulicht eine Frontansicht der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit.
    • 3 veranschaulicht eine Rückansicht der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit.
    • 4 veranschaulicht eine linke Seitenansicht der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit.
    • 5 veranschaulicht eine rechte Seitenansicht der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit.
    • 6a und 6b veranschaulichen Draufsichten, die Ausführungsformen der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit veranschaulichen.
    • 7 veranschaulicht eine Unteransicht einer Ausführungsform der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit.
    • 8 veranschaulicht eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A', die in 6a dargestellt ist.
    • 9 veranschaulicht eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B', die in 6a dargestellt ist.
    • 10a und 10b veranschaulichen Querschnittsansichten einer Ausführungsform der in den FIGn dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungen. 1, 6a, 6b, 8 und 9.
    • 11 veranschaulicht eine vergrößerte Querschnittsansicht einer Ausführungsform des in 8 dargestellten Abschnitts „K“.
    • 12 veranschaulicht eine Querschnittsansicht entlang der in den FIGn dargestellten Linie C-C'. 6a und 6b.
    • 13 veranschaulicht eine Querschnittsansicht entlang der in den 6a und 6b dargestellten Linie D-D'.
    • 14 veranschaulicht eine Draufsicht auf eine lichtemittierende Vorrichtungseinheit gemäß einer weiteren Ausführungsform.
    • 15 veranschaulicht eine Draufsicht auf die in 14 dargestellte lichtemittierende Vorrichtungseinheit.
    • 16 veranschaulicht eine Draufsicht auf eine lichtemittierende Vorrichtungseinheit gemäß einer weiteren Ausführungsform.
    • 17 veranschaulicht eine Draufsicht auf die in 16 dargestellte lichtemittierende Vorrichtungseinheit.
    • 18 veranschaulicht eine Querschnittsansicht entlang der Linie E-E', dargestellt in 17.
    • 19 veranschaulicht eine vergrößerte Querschnittsansicht einer Ausführungsform des in 18 dargestellten Abschnitts „M“.
    • 20 veranschaulicht eine vergrößerte Querschnittsansicht einer weiteren Ausführungsform des in 18 dargestellten Abschnitts „M“.
    • 21 veranschaulicht eine vergrößerte Querschnittsansicht eines Vergleichsbeispiels des in 8 dargestellten Abschnitts „K“.
  • [Beste Ausführungsart]
  • Im Folgenden werden Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beiliegenden Zeichnungen detailliert beschrieben, um die Offenbarung konkret zu beschreiben und das Verständnis der Offenbarung zu erleichtern. Die hier offenbarten Ausführungsformen können jedoch in verschiedene andere Formen geändert werden, und der Umfang der Offenbarung sollte nicht so ausgelegt werden, dass er sich auf die Ausführungsformen beschränkt. Die hier offenbarten Ausführungsformen sind vorgesehen, um die Offenbarung für die Durchschnittsfachmänner vollständiger zu beschreiben.
  • In der Beschreibung der Ausführungsformen kann eine Vorrichtung, wenn sie als „auf“ oder „unter“ einer anderen Vorrichtung bezeichnet wird, direkt „auf“ oder „unter“ der anderen Vorrichtung sein oder indirekt mit dazwischenliegenden Vorrichtungen gebildet werden. Es versteht sich auch, dass „auf“ oder „unter“ der Vorrichtung in Bezug auf die Zeichnungen beschrieben werden können.
  • Darüber hinaus können relative Begriffe wie z. B. „erste“, „zweite“, „auf/obere“ und „unter/untere/untere/untere“, die in der folgenden Beschreibung verwendet werden, verwendet werden, um einen Stoff oder eine Vorrichtung mit einem anderen Stoff oder einer anderen Vorrichtung zu unterscheiden, ohne dass eine physikalische oder logische Beziehung oder Sequenz zwischen diesen Stoffen oder Vorrichtungen erforderlich ist oder enthalten ist.
  • Obwohl die lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten 100A, 100B und 100C gemäß Ausführungsformen mit dem kartesischen Koordinatensystem beschrieben werden, können sie natürlich auch mit anderen Koordinatensystemen beschrieben werden. Beim kartesischen Koordinatensystem können die x-Achse, die y-Achse und die z-Achse orthogonal zueinander sein oder sie können einander kreuzen.
  • 1 veranschaulicht eine Draufsicht auf eine lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100A gemäß einer Ausführungsform, 2 veranschaulicht eine Frontansicht der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A, 3 veranschaulicht eine Rückansicht der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A, 4 veranschaulicht eine linke Seitenansicht der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A, 5 veranschaulicht eine rechte Seitenansicht der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A, 6a veranschaulicht eine Draufsicht, die eine Ausführungsformen der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A veranschaulicht, 6b veranschaulicht eine Draufsicht, die eine andere Ausführungsform der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A veranschaulicht, 7 veranschaulicht eine Unteransicht einer Ausführungsform der in 1 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A, 8 veranschaulicht eine Querschnittsansicht entlang der Linie A-A', dargestellt in 6a, und 9 veranschaulicht eine Querschnittsansicht entlang der Linie B-B', dargestellt in 6a.
  • Im Folgenden wird die lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100A gemäß einer Ausführungsform mit Bezug auf die 1 bis 9 beschrieben, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt. Das heißt, die in 1 dargestellte lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100A kann Draufsichten und Querschnittsansichten aufweisen, die von den Draufsichten und den in den 6a, 6b, 8 und 9 dargestellten Querschnittsansichten abweichen. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100A, die in den 6a und 6b dargestellt ist, kann eine perspektivische Ansicht und Querschnittsansichten aufweisen, die sich von der perspektivischen Ansicht und den in den 1, 8 und 9 dargestellten Querschnittsansichten unterscheiden, und die lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100A, die in den 8 und 9 dargestellt ist, kann eine perspektivische Ansicht und Draufsichten aufweisen, die sich von der perspektivischen Ansicht und den in den 1, 6a und 6b dargestellten Draufsichten unterscheiden.
  • Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100A gemäß einer Ausführungsform kann zwei Leiterplatten LF1 und LF2, einen Körper 110 der Einheit, eine Isolationsschicht 114, eine lichtemittierende Vorrichtung 120, erste bis dritte Drähte 132, 134 und 136, eine Zener-Diode (ZD) 140 und ein Formelement 150 beinhalten.
  • Die beiden Leiterplatten LF1 und LF2 können so angeordnet sein, dass sie elektrisch voneinander getrennt sind. Zu diesem Zweck kann die Isolationsschicht 114 zwischen den beiden Leiterplatten LF1 und LF2 angeordnet sein, um die beiden Leiterplatten LF1 und LF2 elektrisch voneinander zu isolieren. Die beiden Leiterplatten LF1 und LF2 können so angeordnet sein, dass sie entlang der y-Achse voneinander beabstandet sind.
  • Die Isolationsschicht 114 kann mindestens eines von SiO2, TiO2, ZrO2, Si3N4, Al2O3 oder MgF2 beinhalten, aber die Ausführungsform ist nicht auf das Material der Isolationsschicht 114 beschränkt.
  • Darüber hinaus können die Isolationsschicht 114 und der Körper 110 der Einheit getrennte Schichten sein, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt. Das heißt, wenn der Körper 110 der Einheit ein Isoliermaterial mit einer elektrischen Isolationseigenschaft beinhaltet, können die Isolationsschicht 114 und der Körper 110 der Einheit integral miteinander ausgebildet sein.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 120 kann auf einer beliebigen Leiterplatte zwischen den beiden Leiterplatten angeordnet sein. Im Folgenden wird in der Beschreibung der 1 bis 15 die Leiterplatte, auf der die lichtemittierende Vorrichtung 120 angeordnet ist, als „zweite Leiterplatte LF2“ und die Leiterplatte, auf der die lichtemittierende Vorrichtung 120 nicht angeordnet ist, als „erste Leiterplatte LF1“ bezeichnet. Hier kann die zweite Leiterplatte LF2 einen ersten Vorrichtungsbereich DA1 beinhalten. Der erste Vorrichtungsbereich DA1 kann definiert werden als ein Bereich, in dem die lichtemittierende Vorrichtung 120 angeordnet sein kann, von der Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte LF2, der nicht durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist und der freigelegt ist. Da der erste Vorrichtungsbereich DA1 ein freiliegender Bereich ist, um die Anordnung der lichtemittierenden Vorrichtung 120 darauf zu ermöglichen, kann deren Oberfläche durch die Größe der lichtemittierenden Vorrichtung 120 bestimmt sein.
  • Unter Bezugnahme auf die 2 bis 4 und 6a bis 8 kann die erste Leiterplatte LF1 einen ersten Seitenabschnitt LF1-S beinhalten. Der erste Seitenabschnitt LF1-S kann so geformt sein, dass er von einer Seitenfläche S1 zwischen mehreren Seitenflächen des Körpers 110 der Einheit vorsteht. Darüber hinaus, bezugnehmend auf 1 bis 3 und 5 bis 8, kann die zweite Leiterplatte LF2 einen zweiten Seitenabschnitt LF2-S beinhalten. Der zweite Seitenabschnitt LF2-S kann so geformt sein, dass er von der Seitenfläche S2 gegenüber der Seitenfläche S1 des Körpers 110 der Einheit vorsteht. Die Ausführungsform ist jedoch nicht auf die spezifische Form des ersten und zweiten Seitenabschnitts LF1-S und LF2-S beschränkt.
  • Darüber hinaus kann, wie in 7 dargestellt, sowohl die erste Leiterplatte LF1 als auch die zweite Leiterplatte LF2 von einer unteren Oberfläche S3 des Körpers 110 der Einheit freigelegt sein.
  • Sowohl die erste als auch die zweite Leiterplatte LF1 und LF2 kann mit einem leitfähigen Material wie beispielsweise einem Metall aus Titan (Ti), Kupfer (Cu), Nickel (Ni), Gold (Au), Chrom (Cr), Tantal (Ta), Platin (Pt), Zinn (Sn), Silber (Ag) und Phosphor (P) oder Legierungen davon gebildet sein und kann in einer einzigen Schicht oder in mehreren Schichten gebildet sein.
  • In der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A gemäß der in 1 dargestellten Ausführungsform kann die lichtemittierende Vorrichtung 120 eine horizontale lichtemittierende Diode sein, ohne Einschränkung darauf. Das heißt, die lichtemittierende Vorrichtung 120 kann eine vertikale lichtemittierende Diode vom Bond-Typ oder eine lichtemittierende Diode vom Flip-Chip-Bonding-Typ sein. So kann beispielsweise im Gegensatz zur lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A gemäß der Ausführungsform, bei der der Körper 110 der Einheit die gesamte Oberseite der Isolationsschicht 114 bedeckt, bei den lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten 100B und 100C gemäß anderer Ausführungsformen der Körper 110 der Einheit einen Teil der Isolationsschicht 114 freilegen. Beispielsweise kann in der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100C, in der der Körper 110 der Einheit einen Teil der Isolationsschicht 114 freilegt, wie nachfolgend beschrieben, eine darin enthaltene lichtemittierende Vorrichtung 120C eine lichtemittierende Diode vom Flip-Chip-Bonding-Typ sein.
  • Darüber hinaus kann die lichtemittierende Vorrichtung 120 eine lichtemittierende Diode sein, die beispielsweise rotes, grünes, blaues oder weißes Licht emittiert, aber die Ausführungsform ist nicht darauf beschränkt. Alternativ kann die lichtemittierende Vorrichtung 120 eine ultraviolette (UV) lichtemittierende Diode sein, die ultraviolettes Licht emittiert, ohne Einschränkung darauf.
  • 10a veranschaulicht eine Querschnittsansicht einer Ausführungsform 120A der lichtemittierenden Vorrichtung 120, die in jeder der 1, 6a, 6b, 8 und 9 dargestellt ist.
  • Unter Bezugnahme auf 10a kann die lichtemittierende Vorrichtung 120A ein Substrat 122A, eine lichtemittierende Struktur 124A, eine erste Elektrode 128A und eine zweite Elektrode 129A beinhalten.
  • Das Substrat 122A kann auf dem ersten Vorrichtungsbereich DA1 in der freiliegenden Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte LF2 angeordnet sein. Das Substrat 122A kann aus einem Material gebildet sein, das für das Wachstum von Halbleitermaterialien geeignet ist, beispielsweise einem Trägerwafer. Darüber hinaus kann das Substrat 122A aus einem Material mit ausgezeichneter Wärmeleitfähigkeit gebildet sein. Das Substrat 122A kann ein Material sein, das mindestens eines der Materialien Saphir (Al2O3), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga2O3 oder GaAs beinhaltet, aber die Ausführungsform ist nicht auf das Material des Substrats 122A beschränkt. Darüber hinaus kann das Substrat 122A ein konkaves und konvexes Muster (nicht dargestellt) aufweisen, das in seiner Oberseite ausgebildet ist.
  • Um die Differenz der Wärmeausdehnungskoeffizienten (CTEs) zu verringern und die Gitterfehlanpassung zwischen dem Substrat 122A und der lichtemittierenden Struktur 124A zu verbessern, kann eine Pufferschicht (oder eine Übergangsschicht) (nicht dargestellt) weiterhin zwischen denselben 122A und 124A angeordnet sein. Die Pufferschicht kann mindestens ein Material beinhalten, ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Al, In, N und Ga, ohne Einschränkung darauf. Darüber hinaus kann die Pufferschicht ein- oder mehrschichtig ausgebildet sein.
  • Die lichtemittierende Struktur 124A kann auf dem Substrat 122A angeordnet sein. Die lichtemittierende Struktur 124A kann eine erste leitende Halbleiterschicht 124A-1, eine aktive Schicht 124A-2 und eine zweite leitende Halbleiterschicht 124A-3 beinhalten, die nacheinander auf dem Substrat 122A angeordnet sind.
  • Die erste leitende Halbleiterschicht 124A-1 ist auf dem Substrat 122A angeordnet. Die erste leitende Halbleiterschicht 124A-1 kann beispielsweise aus Verbindungshalbleitern der Gruppe III-V oder der Gruppe II-VI gebildet und mit einem ersten leitenden Dotierstoff dotiert sein. Wenn die erste leitende Halbleiterschicht 124A-1 eine Halbleiterschicht vom n-Typ ist, kann das erste leitende Dotierungsmittel ein Dotierungsmittel vom n-Typ sein, das Si, Ge, Sn, Se oder Te beinhaltet, ohne Einschränkung darauf.
  • So kann beispielsweise die erste leitende Halbleiterschicht 124A-1 ein Halbleitermaterial mit einer Zusammensetzungsgleichung aus AlxInyGa(1-x-y)N (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y ≤ 1) beinhalten. Die erste leitfähige Halbleiterschicht 124A-1 kann ein oder mehrere von GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN, AlGaN, InAlGaN, AlInN, AlGaAs, InGaAs, AlInGaAs, GaP, AlGaP, InGaP, AlInGaP und InP beinhalten.
  • Die aktive Schicht 124A-2 kann zwischen der ersten leitenden Halbleiterschicht 124A-1 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 124A-3 angeordnet sein. Die aktive Schicht 124A-2 ist eine Schicht, in der Elektronen (oder Löcher), die durch die erste leitende Halbleiterschicht 124A-1 und Löcher (oder Elektronen), die durch die zweite leitende Halbleiterschicht 124A-3 eingeführt werden, einander begegnen, um Licht zu emittieren, das Energie hat, die durch das intrinsische Energieband eines Materials bestimmt wird, das die aktive Schicht 124A-2 bildet. Die aktive Schicht 124A-2 kann mindestens eine von einer einzelnen Wellstruktur, einer Multiwellstruktur, einer einzelnen Quantenwellstruktur, einer Multiquantenwellstruktur (MOW), einer Quantendrahtstruktur oder einer Quantenpunktstruktur aufweisen.
  • Die Wellschicht/Sperrschicht der aktiven Schicht 124A-2 kann eine oder mehrere gepaarte Strukturen von InGaN/GaN, InGaN/InGaN, GaN/AlGaN, InAlGaN/GaN, GaAs(InGaAs)/AlGaAs und GaP(InGaP)/AlGaP aufweisen, ohne Einschränkung darauf. Die Wellschicht kann aus einem Material gebildet sein, dessen Bandlückenenergie niedriger ist als die Bandlückenenergie der Barriereschicht.
  • Auf und/oder unter der aktiven Schicht 124A-2 kann eine leitende plattierte Schicht (nicht dargestellt) gebildet sein. Die leitfähige plattierte Schicht kann aus Halbleitern mit einer Bandlückenenergie gebildet sein, die höher ist als die Bandlückenenergie der Barriereschicht der aktiven Schicht 124A-2. So kann beispielsweise die leitfähige plattierte Schicht GaN, AlGaN, InAlGaN oder eine Übergitterstruktur beinhalten. Darüber hinaus kann die leitfähige plattierte Schicht vom n-Typ oder p-Typ dotiert sein.
  • Die Ausführungsform ist nicht auf das Wellenlängenband des von der aktiven Schicht 124A-2 emittierten Lichts beschränkt.
  • Die zweite leitende Halbleiterschicht 124A-3 kann auf der aktiven Schicht 124A-2 angeordnet sein. Die zweite leitfähige Halbleiterschicht 124A-3 kann aus Verbindungshalbleitern und beispielsweise aus Verbindungshalbleitern der Gruppe III-V oder Gruppe II-VI gebildet sein. So kann beispielsweise die zweite leitfähige Halbleiterschicht 124A-3 ein Halbleitermaterial mit einer Zusammensetzungsgleichung von InxAlyGa(1-x-y)N beinhalten (0≤x≤1, 0≤y<1, 0≤x+y<1). Die zweite leitende Halbleiterschicht 124A-3 kann mit einem zweiten leitenden Dotierstoff dotiert werden. Wenn die zweite leitende Halbleiterschicht 124A-3 eine p-Halbleiterschicht ist, kann das zweite leitende Dotierungsmittel ein p-Dotierungsmittel sein und beispielsweise Mg, Zn, Ca, Sr oder Ba beinhalten.
  • Die erste leitende Halbleiterschicht 124A-1 kann als n-Halbleiterschicht und die zweite leitende Halbleiterschicht 124A-3 als p-Halbleiterschicht ausgebildet sein. Alternativ kann die erste leitende Halbleiterschicht 124A-1 als p-Halbleiterschicht und die zweite leitende Halbleiterschicht 124A-3 als n-Halbleiterschicht ausgebildet sein.
  • Die lichtemittierende Struktur 124A kann so ausgebildet sein, dass sie eine von einer n-p-Übergangsstruktur, einer p-n-Übergangsstruktur, einer n-p-n-Übergangsstruktur, einer n-p-n-Übergangsstruktur und einer p-n-p-Übergangsstruktur aufweist.
  • Die erste Elektrode 128A kann auf der ersten leitenden Halbleiterschicht 124A-1 angeordnet sein, die durch Mesa-Ätzen freigelegt wird. Das heißt, die erste leitende Halbleiterschicht 124A-1 kann durch Mesa-Ätzen eines Abschnitts der zweiten leitenden Halbleiterschicht 124A-3, der aktiven Schicht 124A-2 und der ersten leitenden Halbleiterschicht 124A-1 freigelegt werden.
  • Wenn die erste Elektrode 128A ein ohmsches Kontaktmaterial beinhalten kann, um eine ohmsche Funktion zu erfüllen, ist es möglicherweise nicht notwendig, eine separate ohmsche Schicht zu verwenden (nicht dargestellt). Alternativ kann eine separate ohmsche Schicht auf oder unter der ersten Elektrode 128A angeordnet sein.
  • Die zweite Elektrode 129A kann auf der zweiten leitenden Halbleiterschicht 124A-3 angeordnet und mit der zweiten leitenden Halbleiterschicht 124A-3 elektrisch verbunden sein. Die zweite Elektrode 129A kann eine transparente Elektrodenschicht beinhalten (nicht dargestellt). Die transparente Elektrodenschicht kann eine transparente leitfähige Oxidschicht (TCO) sein. So kann beispielsweise die transparente Elektrodenschicht mindestens eines von Indiumzinnoxid (ITO), Indiumzinkoxid (IZO), Indiumzinnoxid (IZTO), Indiumaluminiumzinkoxid (IAZO), Indiumgalliumzinkoxid (IGZO) beinhalten, Indium-Gallium-Zinnoxid (IGTO), Aluminium-Zinkoxid (AZO), Antimon-Zinnoxid (ATO), Gallium-Zinkoxid (GZO), IrOx, RuOx, RuOx/ITO, Ni/IrOx/Au oder Ni/IrOx/Au/ITO, ohne Einschränkung.
  • Die zweite Elektrode 129A kann ohmsche Eigenschaften aufweisen und ein Material für den ohmschen Kontakt mit der zweiten leitenden Halbleiterschicht 124A-3 beinhalten. Wenn die zweite Elektrode 129A eine ohmsche Funktion erfüllt, darf keine separate ohmsche Schicht (nicht dargestellt) gebildet sein.
  • Jede der ersten und zweiten Elektroden 128A und 129A kann aus einem Material gebildet sein, das das von der aktiven Schicht 124A-2 emittierte Licht nicht absorbieren, sondern übertragen kann und das auf der ersten und zweiten leitenden Halbleiterschicht 124A-1 und 124A-3 in hoher Qualität gewachsen sein kann. So kann beispielsweise jede der ersten und zweiten Elektroden 128A und 129A aus einem Metall gebildet sein und aus Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf oder ausgewählten Kombinationen davon gebildet sein.
  • 10b veranschaulicht eine Querschnittsansicht einer weiteren Ausführungsform 120B der lichtemittierenden Vorrichtung 120, die in jeder der 1, 6a, 6b, 8 und 9 dargestellt ist.
  • Unter Bezugnahme auf 10b kann die lichtemittierende Vorrichtung 120B ein Trägersubstrat 122B, eine Reflexionsschicht 126, eine lichtemittierende Struktur 124B und eine erste Elektrode 128B beinhalten.
  • Das Trägersubstrat 122B trägt die lichtemittierende Struktur 124B. Das Trägersubstrat 122B kann aus einem Metall oder einem Halbleitermaterial gebildet sein. Darüber hinaus kann das Trägersubstrat 122B aus einem Material mit hoher elektrischer und thermischer Leitfähigkeit gebildet sein. So kann beispielsweise das Trägersubstrat 122B ein Metallmaterial sein, das mindestens eines der Metallmaterialien Kupfer (Cu), Kupfer (Cu)-Legierung, Gold (Au), Nickel (Ni), Molybdän (Mo) oder Kupfer-Wolfram (Cu-W) beinhaltet, oder es kann ein Halbleiter sein, der mindestens einen der Halbleiter Si, Ge, GaAs, ZnO oder SiC beinhaltet.
  • Die Reflexionsschicht 126 kann auf dem Trägersubstrat 122B angeordnet sein. Das Trägersubstrat 122B kann eine Rolle übernehmen, die derjenigen der zweiten Elektrode 129A entspricht, die in 10a dargestellt ist.
  • Die Reflexionsschicht 126 dient der Reflexion von Licht, das von der aktiven Schicht 124B-2 der lichtemittierenden Struktur 124B emittiert wird und auf das Trägersubstrat 122B gerichtet ist, anstatt nach oben emittiert zu werden. Das heißt, die Reflexionsschicht 126 kann das von der lichtemittierenden Struktur 124B eingebrachte Licht reflektieren und so die Effizienz der Lichtextraktion der lichtemittierenden Vorrichtung 120B erhöhen. Die Reflexionsschicht 126 kann aus einem Lichtreflexionsmaterial, beispielsweise einem Metall oder einer Legierung gebildet sein, die mindestens eines der Metalle Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au oder Hf beinhaltet, aber die Ausführungsform ist nicht darauf beschränkt.
  • Die reflektierende Schicht 126 kann in mehreren Schichten aus einem lichtdurchlässigen leitfähigen Material wie Metall oder Legierung oder IZO, IZTO, IAZO, IGZO, IGZO, IGTO, AZO oder ATO gebildet sein und beispielsweise aus IZO/Ni, AZO/Ag, IZO/Ag/Ni oder AZO/Ag/Ni.
  • Obwohl nicht veranschaulicht, kann eine ohmsche Schicht (nicht veranschaulicht) zwischen der reflektierenden Schicht 126 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 124B-3 angeordnet sein. In diesem Fall kann die ohmsche Schicht in ohmschem Kontakt mit der zweiten leitenden Halbleiterschicht 124B-3 stehen, wodurch die gleichmäßige Stromversorgung der lichtemittierenden Struktur 124B unterstützt wird.
  • Im Falle von 10b ist die lichtemittierende Vorrichtung 120B mit der Reflexionsschicht 126 dargestellt, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt. Das heißt, die Reflexionsschicht 126 kann in einigen Fällen entfallen.
  • Die lichtemittierende Struktur 124B kann auf der Reflexionsschicht 126 angeordnet sein. Die lichtemittierende Struktur 124B kann eine zweite leitende Halbleiterschicht 124B-3, eine aktive Schicht 124B-2 und eine erste leitende Halbleiterschicht 124B-1 beinhalten, die nacheinander auf der reflektierenden Schicht 126 angeordnet sind. Hier können die erste leitende Halbleiterschicht 124B-1, die aktive Schicht 124B-2 und die zweite leitende Halbleiterschicht 124B-3, die in 10b dargestellt sind, die gleichen Funktionen wie die der ersten leitenden Halbleiterschicht 124A-1, der aktiven Schicht 124A-2 und der zweiten leitenden Halbleiterschicht 124A-3, die in 10a dargestellt sind, ausführen, so dass eine diesbezüglich wiedererholende Beschreibung unterlassen wird.
  • Die erste Elektrode 128B kann auf der ersten leitenden Halbleiterschicht 124A-1 der lichtemittierenden Struktur 124B angeordnet sein. Die erste Elektrode 128B kann eine Rolle übernehmen, die derjenigen der ersten Elektrode 128A entspricht, die in 10a dargestellt ist. Die erste Elektrode 128B kann eine vorbestimmte Musterform aufweisen. Die Oberseite der ersten leitenden Halbleiterschicht 124B-1 kann mit einem Muster (nicht dargestellt) mit Rauheit versehen sein, um die Effizienz der Lichtextraktion zu erhöhen. Um die Effizienz der Lichtextraktion zu erhöhen, kann außerdem die Oberseite der ersten Elektrode 128B mit einem Muster (nicht dargestellt) mit Rauheit versehen sein.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 120, die in jeder der 1, 6a, 6b, 8 und 9 dargestellt ist, kann die in 10a oder 10b dargestellte Struktur wie vorstehend beschrieben aufweisen, aber die Ausführungsformen sind nicht darauf beschränkt. Das heißt, es ist zu beachten, dass die lichtemittierende Vorrichtung 120, die in der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A der Ausführungsform enthalten ist, eine andere Struktur aufweisen kann als die in 10a oder 10b dargestellte Struktur.
  • Die ersten Elektroden 128A und 128B der lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A und 120B, die entsprechend in den 1, 6a, 6b, 8, 9, 10a und 10b dargestellt sind, können elektrisch mit der ersten Leiterplatte LF1 verbunden sein, und die zweiten Elektroden 129A und 129B können elektrisch mit der zweiten Leiterplatte LF2 verbunden sein.
  • 11 veranschaulicht eine vergrößerte Querschnittsansicht einer Ausführungsform K1 des in 8 dargestellten Abschnitts „K“.
  • Unter Bezugnahme auf die 8 und 11 kann der Körper 110 der Einheit eine erste Grenze 114-1 zwischen dem ersten Leiterplatte LF1 und der Isolationsschicht 114 und eine zweite Grenze 114-2 zwischen der zweiten Leiterplatte LF2 und der Isolationsschicht 114 abdecken. Zu diesem Zeitpunkt kann der Körper 110 der Einheit, wie in 8 dargestellt, nur einen Bereich bis zur zweiten Grenze 114-2 abdecken, und wie in 11 dargestellt, kann der Körper 110 der Einheit einen Bereich bis zu einem Nullpunkt P0 der zweiten Leiterplatte LF2 über die zweite Grenze 114-2 hinaus abdecken.
  • Darüber hinaus können die ersten Elektroden 128A und 128B und die zweiten Elektroden 129A und 122B der lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A und 120B gemäß den Ausführungsformen über Drähte elektrisch mit dem ersten und zweiten Leiterplatte LF1 und LF2 verbunden sein, wobei die Ausführungsformen jedoch nicht darauf beschränkt sind.
  • Der erste Draht 132 dient zum elektrischen Verbinden der ersten Elektroden 128A und 128B der lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A und 120B mit der ersten Leiterplatte LF1. Zu diesem Zweck kann ein Ende des ersten Drahtes 132 elektrisch mit den ersten Elektroden 128A und 128B der lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A und 120B verbunden sein, und das andere Ende davon kann elektrisch mit der ersten Leiterplatte LF1 verbunden sein. In diesem Fall kann die Vorderoberfläche der ersten Leiterplatte LF1 einen zweiten Bondbereich BA2 beinhalten. Der zweite Bondbereich BA2 kann ein Bereich sein, der elektrisch mit dem anderen Ende des ersten Drahtes 132 auf der Vorderoberfläche der ersten Leiterplatte LF1 verbunden ist, der nicht durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist und der freigelegt ist. So kann beispielsweise der zweite Bondbereich BA2 durch ein erstes Sackloch TH1 gemäß 6a (oder ein drittes Sackloch TH3 gemäß 6b) freigelegt sein, das im Körper 110 der Einheit inkludiert ist. Da der zweite Bondbereich BA2 ein Bereich für das Verbinden des ersten Drahtes 132 ist, kann der zweite Bondbereich BA2 eine Oberfläche aufweisen, die größer ist als die für das Drahtbonden erforderliche Mindestoberfläche.
  • Darüber hinaus kann das erste Sackloch TH1 (oder das dritte Sackloch TH3) vom ersten Vorrichtungsbereich DA1 beabstandet sein, wie in den 1, 6a und 6b dargestellt, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt.
  • Wenn die lichtemittierende Vorrichtung 120 eine horizontale Bindungsstruktur aufweist, wie in 10a dargestellt, dient der zweite Draht 134 dazu, die zweite Elektrode 129A der lichtemittierenden Vorrichtungen 120 und 120A elektrisch mit dem zweiten Leiterplatte LF2 zu verbinden. Zu diesem Zweck kann ein Ende des zweiten Drahtes 134 elektrisch mit der zweiten Elektrode 129A der lichtemittierenden Vorrichtungen 120 und 120A und das andere Ende davon elektrisch mit dem zweiten Leiterplatte LF2 verbunden sein. In diesem Fall kann die Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte LF2, die freigelegt ist und nicht durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist, einen ersten Bondbereich BA1 beinhalten. Der erste Bondbereich BA1 kann einen Bereich der Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte LF2 beinhalten, der elektrisch mit dem anderen Ende des zweiten Drahtes 134 verbunden ist. Der erste Bondbereich BA1 kann durch eine erste Nut H1 freigelegt sein, die im Körper 110 der Einheit enthalten ist. Darüber hinaus wird auf die FIGn verwiesen. 1, 6a und 6b kann der erste Bondbereich BA1 in der Nähe des ersten Vorrichtungsbereichs DA1 angeordnet sein, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt. Das heißt, der erste Bondbereich BA1 kann so angeordnet sein, dass er sich vom ersten Vorrichtungsbereich DA1 erstreckt.
  • Darüber hinaus mag die lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100A nach einer weiteren Ausführungsform, wenn die lichtemittierende Vorrichtung 120 eine vertikale Bindungsstruktur aufweist, wie in 10b dargestellt, den zweiten Draht 134 nicht beinhalten. In diesem Fall, im Gegensatz zur Darstellung jeder der 1, 6a und 6b kann das Trägersubstrat 122B, das als zweite Elektrode in der lichtemittierenden Vorrichtung 120B dient, ohne Draht direkt mit dem zweiten Leiterplatte LF2 elektrisch verbunden sein.
  • Indessen kann die Zener-Diode 140 auf dem ersten Leiterplatte LF1 angeordnet sein, um die Spannung zu erhöhen, der die lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100A standhalten kann. Die dritte Leitung 136 dient zur elektrischen Verbindung der Zener-Diode 140 und des zweiten Leiterplattes LF2 miteinander. Zu diesem Zweck kann ein Ende des dritten Drahtes 136 elektrisch mit der Zener-Diode 140 und das andere Ende davon elektrisch mit dem zweiten Leiterplatte LF2 verbunden sein. In diesem Fall kann die Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte LF2 einen dritten Bondbereich BA3 beinhalten. Der dritte Bondbereich BA3 kann einen Bereich enthalten, der elektrisch mit dem anderen Ende des dritten Drahtes 136 verbunden ist, von der Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte LF2. Der dritte Bondbereich BA3 kann durch eine dritte Nut H3 freigelegt sein, die im Körper 110 der Einheit enthalten ist. Darüber hinaus wird auf die FIGn verwiesen. 1, 6a und 6b kann der dritte Bondbereich BA3 in der Nähe des ersten Vorrichtungsbereichs DA1 angeordnet sein, wobei die Ausführungsform nicht darauf beschränkt ist. Das heißt, der dritte Bondbereich BA3 kann so angeordnet sein, dass er sich vom ersten Vorrichtungsbereich DA1 erstreckt.
  • Jede der oben beschriebenen ersten und dritten Nuten H1 und H3 kann in eine geneigte Oberfläche 112 des Körpers 110 der Einheit an der zweiten Leiterplatte LF2 eingelassen sein. So kann beispielsweise die erste Nut H1 entlang der y-Achse in der geneigten Oberfläche 112 an der Grenze zwischen dem ersten Vorrichtungsbereich DA1 und dem ersten Bondbereich BA1 der zweiten Leiterplatte LF2 ausgespart werden. Darüber hinaus kann die dritte Nut H3 entlang der -x-Achse in der geneigten Oberfläche 112 an der Grenze zwischen dem ersten Vorrichtungsbereich DA1 und dem dritten Bondbereich BA3 der zweiten Leiterplatte LF2 vertieft sein.
  • Jeder der oben beschriebenen ersten und dritten Bondbereiche BA1 und BA3 sind Bereiche für das Bonden der zweiten und dritten Drähte 134 und 136 und können daher eine Oberfläche aufweisen, die größer ist als die für das Drahtbonden erforderliche Mindestoberfläche. Ein Beispiel für die jeweiligen Größen des ersten und dritten Bondbereichs BA1 und BA3 wird später beschrieben.
  • Darüber hinaus kann die Vorderoberfläche der ersten Leiterplatte LF1 weiterhin einen zweiten Vorrichtungsbereich DA2 beinhalten. Der zweite Vorrichtungsbereich DA2 kann definiert werden als ein Bereich, der zur Anordnung der Zener-Diode 140 der Vorderoberfläche der ersten Leiterplatte LF1 zugewiesen wird. Der zweite Vorrichtungsbereich DA2 wird freigelegt, um die Zener-Diode 140 darauf zu platzieren, und somit kann dessen Oberfläche durch die Größe der Zener-Diode 140 bestimmt werden. Ein Beispiel für die Größe des zweiten Vorrichtungsbereichs DA2 wird später beschrieben.
  • Darüber hinaus können der zweite Bondbereich BA2 und der zweite Vorrichtungsbereich DA2 auf der Vorderoberfläche der ersten Leiterplatte LF1 so angeordnet sein, dass sie, wie in 6a dargestellt, voneinander beabstandet sind oder wie in 6b dargestellt, miteinander in Kontakt stehen und miteinander verbunden werden. Ohne diesen Unterschied ist das in 6b dargestellte lichtemittierende Vorrichtungsgehäuse identisch mit dem in 6a dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungsgehäuse, so dass eine Beschreibung der gleichen Teile weggelassen wird und nur Unterschiede zwischen diesen beschrieben werden.
  • Darüber hinaus kann der Körper 110 der Einheit unter Bezugnahme auf 6a auch ein zweites Sackloch TH2 beinhalten. Das zweite Sackloch TH2 kann dazu dienen, einen Abschnitt freizulegen, mit dem ein Ende des dritten Drahtes 136 zu verbinden ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform, wie in 6a dargestellt, kann der zweite Vorrichtungsbereich DA2 durch das zweite Sackloch TH2 freigelegt werden. Alternativ kann, wie in 6b dargestellt, der zweite Vorrichtungsbereich DA2 durch das dritte Sackloch TH3 freigelegt werden. In diesem Fall kann die Zener-Diode 140 durch das zweite Sackloch TH2 (oder das dritte Sackloch TH3) freigelegt werden.
  • Im Falle von 6a sind die ersten und zweiten Sacklöcher TH1 und TH2 separat so ausgebildet, dass sie voneinander beabstandet sind. Im Gegensatz dazu weist der in 6b dargestellte Körper 110 der Einheit das dritte Sackloch TH3 auf, das durch integrale Verbindung der ersten und zweiten Sacklöcher TH1 und TH2 gemäß 6a erfasst wird.
  • Nach einer anderen Ausführungsform, im Gegensatz zur Darstellung der 1, 6a und 6b, mag das zweite Sackloch TH2 (oder das dritte Sackloch TH3) nicht den gesamten zweiten Vorrichtungsbereich DA2 freigeben, sondern nur einen Teil der Zener-Diode 140, mit dem ein Ende des dritten Drahtes 136 verbunden ist.
  • Darüber hinaus kann das zweite Sackloch TH2 (oder das dritte Sackloch TH3) so angeordnet sein, dass es vom ersten Vorrichtungsbereich DA1 beabstandet ist, wie in den 1, 6a und 6b, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt.
  • Darüber hinaus kann unter Bezugnahme auf 6a das erste Sackloch TH1 um einen ersten vorgegebenen Abstand D1 vom ersten Vorrichtungsbereich DA1 beabstandet sein, und das zweite Sackloch TH2 kann um einen zweiten vorgegebenen Abstand D2 vom ersten Vorrichtungsbereich DA1 beabstandet sein. Darüber hinaus kann unter Bezugnahme auf 6b das dritte Sackloch TH3 um den zweiten vorgegebenen Abstand D2 (oder den ersten vorgegebenen Abstand D1) vom ersten Vorrichtungsbereich DA1 beabstandet sein. Hier können ein erster Mindestabstand, der der Mindestwert des ersten vorgegebenen Abstandes D1 ist, und ein zweiter Mindestabstand, der der Mindestwert des zweiten vorgegebenen Abstandes D2 ist, gleich oder verschieden voneinander sein.
  • Unter Bezugnahme auf 6a kann es schwierig sein, das erste Sackloch TH1 zu bilden, wenn der erste vorgegebene Abstand D1 kleiner als 50µm ist. Wenn beispielsweise das erste Sackloch TH1 durch einen Injektionsprozess gebildet wird, kann es schwierig sein, den Injektionsprozess durchzuführen, wenn der erste vorbestimmte Abstand D1 kleiner als 50µm ist. Daher kann der erste vorgegebene Abstand D1 50 µm oder mehr betragen, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt. Ebenso kann es schwierig sein, das zweite Sackloch TH2 zu bilden, wenn der zweite vorbestimmte Abstand D2 kleiner als 50µm ist. Wenn beispielsweise das zweite Sackloch TH2 durch einen Injektionsprozess gebildet wird, kann es schwierig sein, den Injektionsprozess durchzuführen, wenn der zweite vorbestimmte Abstand D2 kleiner als 50µm ist. Daher kann der zweite vorgegebene Abstand D2 50 µm oder mehr betragen, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt.
  • Unter Bezugnahme auf 6b kann es schwierig sein, das dritte Sackloch TH3 zu bilden, wenn der zweite vorbestimmte Abstand D2 (oder der erste vorbestimmte Abstand D1) kleiner als 50 µm ist. Wenn beispielsweise das dritte Sackloch TH3 durch einen Injektionsprozess gebildet wird, kann es schwierig sein, den Injektionsprozess durchzuführen, wenn der zweite vorbestimmte Abstand D2 (oder der erste vorbestimmte Abstand D1) kleiner als 50 µm ist. Daher kann der zweite vorbestimmte Abstand D2 (oder der erste vorbestimmte Abstand D1) 50 µm oder mehr betragen, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt.
  • 12 veranschaulicht eine Querschnittsansicht entlang der Linie C-C', die in den 6a und 6b, und 13 veranschaulicht eine Querschnittsansicht entlang der in den 6a und 6b veranschaulichten Linie D-D'.
  • Im Allgemeinen kann das von der lichtemittierenden Vorrichtung der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit abgegebene Licht von der Zener-Diode absorbiert werden, was die Gesamtmenge des von der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit emittierten Lichts reduzieren kann.
  • Im Falle der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A gemäß der Ausführungsform, die sich auf 12 bezieht, kann jedoch eine erste Dicke t1 des zwischen der Zener-Diode 140 und der lichtemittierenden Vorrichtung 120 angeordneten Körpers 110 der Einheit größer sein als die Dicke T1 der lichtemittierenden Vorrichtung 120 oder die Dicke T2 der Zener-Diode 140. Da die Zener-Diode 140 durch den Körper 110 der Einheit verdeckt ist, wird das von der lichtemittierenden Vorrichtung 120 abgegebene Licht in diesem Fall nicht von der Zener-Diode 140 absorbiert, was die Effizienz der Lichtextraktion der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A erhöhen kann.
  • Die erste Dicke t1 kann größer sein als die Dicke T2 der Zener-Diode 140. Wenn die Dicke T2 der Zener-Diode 140 im Bereich von 50µm bis 100µm liegt, kann die erste Dicke t1 größer als 50µm sein. Wenn die erste Dicke t1 größer als 200µm ist, kann außerdem die untere Oberfläche des Hohlraums C, die ein geringeres Reflexionsvermögen als die der geneigten Oberfläche 112 aufweist, übermäßig freigelegt sein, was die Effizienz der Lichtextraktion beeinträchtigen kann. Somit kann die erste Dicke t1 größer als 50µm und gleich oder kleiner als 200µm sein, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt. Darüber hinaus kann in 6a das erste Sackloch TH1 eine Form aufweisen, die es ermöglicht, den ersten Draht 132 mit dem zweiten Bondbereich BA2 zu verbinden, und das zweite Sackloch TH2 kann eine Form aufweisen, die es ermöglicht, den dritten Draht 136 mit der Zener-Diode 140 zu verbinden. Darüber hinaus kann in 6b das dritte Sackloch TH3 eine Form aufweisen, die es ermöglicht, den ersten Draht 132 mit dem zweiten Bondbereich BA2 zu verbinden und den dritten Draht 136 mit der Zener-Diode 140 zu verbinden. Beispielsweise, unter Bezugnahme auf 12, kann das zweite Sackloch TH2 (oder das dritte Sackloch TH3) vertikal in einer Richtung gebildet sein, die parallel zur Dickenrichtung (z.B. die z-Achse) der ersten Leiterplatte LF1 ist, aber kann geformt sein, um geneigt zu sein mittels eines ersten Neigungswinkels 01 aus der Richtung, die parallel zur Dickenrichtung der ersten Leiterplatte LF1 ist. Obwohl nicht veranschaulicht, kann das erste Sackloch TH1 vertikal in der Richtung gebildet sein, die parallel zur Dickenrichtung der ersten Leiterplatte LF1 verläuft, oder es kann so geformt sein, dass es um den ersten Neigungswinkel 01 geneigt ist, wie das zweite Sackloch TH2.
  • Wenn die ersten bis dritten Sacklöcher TH1, TH2 und TH3 geneigt sind, können der erste und dritte Draht 132 und 136 leichter in die ersten bis dritten Sacklöcher TH1, TH2 und TH3 eingeführt werden.
  • Indessen, gemäß einer Ausführungsform, in gleicher Weise wie die in den 1, 6a, 6b, 8, 11 und 12 veranschaulichte lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100A, kann der Körper 110 der Einheit die gesamte Isolationsschicht 114 abdecken, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt.
  • Das heißt, nach einer anderen Ausführungsform kann der Körper 110 der Einheit nur einen Teil der Isolationsschicht 114 bedecken. Somit kann der Körper 110 der Einheit gemäß der Ausführungsform mindestens einen Teil der Isolationsschicht 114 abdecken.
  • 14 veranschaulicht eine Draufsicht auf die lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100B gemäß einer weiteren Ausführungsform, und 15 veranschaulicht eine Draufsicht auf die in 14 veranschaulichte lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100B.
  • Mit den Ausnahmen, dass der Körper 110 der Einheit nicht die gesamte Isolationsschicht 114 abdeckt, sondern einen Teil der Isolationsschicht 114 abdeckt und den verbleibenden Teil davon freilegt und dass der zweite Bondbereich BA2 nicht durch das erste Sackloch TH1, sondern durch eine zweite Nut H2 freigelegt wird, ist die lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100B, die in den 14 und 15 dargestellt ist, im Wesentlichen identisch mit der in den 1 und 6a dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A, und somit wird eine Beschreibung, die sich auf die gleichen Teile bezieht, unterlassen und im Folgenden werden nur Unterschiede dazwischen beschrieben.
  • Das heißt, die Vorderansicht, die Rückansicht, die linke Seitenansicht, die rechte Seitenansicht und die Unteransicht der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100B sind jeweils gleichbedeutend mit der Vorderansicht von 2, der Rückansicht von 3, der linken Seitenansicht von 4, der rechten Seitenansicht von 5 und der Unteransicht von 7, so dass eine wiederholte Beschreibung davon unterlassen wird.
  • Wie in den 14 und 15 dargestellt, wenn die Isolationsschicht 114 nicht vollständig durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist, sondern teilweise freigelegt ist, kann der Körper 110 der Einheit die zweite Nut H2 beinhalten, die den zweiten Bondbereich BA2 der ersten Leiterplatte FL1 freilegt. Das heißt, der zweite Bondbereich BA2 kann durch das erste Sackloch TH1 freigelegt sein, wie in den 1 und 6a dargestellt, kann durch das dritte Sackloch TH3 freigelegt sein, wie in 6b dargestellt, oder kann durch die zweite Nut H2 freigelegt sein, wie in den 14 und 15 dargestellt. Die Ausführungsformen sind jedoch nicht darauf beschränkt. Das heißt, es ist zu vermerken, dass nach einer weiteren Ausführungsform, selbst wenn ein Anteil der Isolationsschicht 114 freigelegt ist, wie in den 14 und 15 dargestellt, so kann der zweite Bondbereich BA2 durch das erste Sackloch TH1 freigelegt werden, wie in den 1 und 6a dargestellt (oder das dritte Sackloch TH3, das in 6b dargestellt ist).
  • Ähnlich wie bei den vorstehend beschriebenen ersten und dritten Nuten H1 und H3 kann die zweite Nut H2 in die geneigte Oberfläche 112 des Körpers 110 der Einheit am ersten Leiterplatte LF1 eingelassen werden. So kann beispielsweise die zweite Nut H2 entlang der -y-Achse in der geneigten Oberfläche 112 ausgespart werden, um den zweiten Bondbereich BA2 der ersten Leiterplatte LF1 freizulegen. Der oben beschriebene zweite Bondbereich BA2 ist ein Bereich für das Verbinden des ersten Drahtes 132 und kann daher eine Oberfläche aufweisen, die größer ist als die minimale Oberfläche, die für das Drahtbonden erforderlich ist. Ein Beispiel für die Größe des zweiten Bondbereichs BA2 wird später beschrieben.
  • 16 veranschaulicht eine perspektivische Draufsicht auf die lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100C gemäß noch einer weiteren Ausführungsform, 17 veranschaulicht eine Draufsicht auf die in 16 dargestellte lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100C und 18 veranschaulicht eine Querschnittsansicht entlang der in 17 dargestellten Linie E-E'.
  • Mit der Ausnahme, dass die lichtemittierende Vorrichtung 120 nicht über Drähte mit der ersten und zweiten Leiterplatte LF1 und LF2 elektrisch verbunden ist, sondern direkt mit der ersten und zweiten Leiterplatte LF1 und LF2, dass der erste Bondbereich BA1 und der zweite Draht 134 weggelassen werden und dass der dritte Bondbereich BA3 und der zweite Vorrichtungsbereich DA2 an unterschiedlichen Positionen angeordnet sind, ist die in den 16 und 17 dargestellte lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100C im Wesentlichen identisch mit der in den 14 und 15 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtung 100B, und somit entfällt eine Beschreibung, die sich auf die gleichen Teile bezieht, und nur Unterschiede dazwischen werden im Folgenden beschrieben.
  • Darüber hinaus sind die Vorderansicht, die Rückansicht, die linke Seitenansicht, die rechte Seitenansicht und die Unteransicht der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100C jeweils identisch mit der Vorderansicht von 2, der Rückansicht von 3, der linken Seitenansicht von 4, der rechten Seitenansicht von 5 und der Unteransicht von 7, so dass eine wiederholte Beschreibung entfällt.
  • 19 veranschaulicht eine vergrößerte Querschnittsansicht einer Ausführungsform M1 des in 18 dargestellten Abschnitts „M“ und 20 eine vergrößerte Querschnittsansicht einer weiteren Ausführungsform M2 des in 18 dargestellten Abschnitts „M“.
  • Im Falle der lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten 100A und 100b gemäß den oben beschriebenen Ausführungsformen können die lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A und 120B eine horizontale Bondstruktur, wie in 10a dargestellt, oder eine vertikale Bondstruktur, wie in 10b dargestellt, aufweisen.
  • Gemäß der noch weiteren Ausführungsform, wenn der Körper 10 der Einheit nicht die gesamte Isolationsschicht 114 abdeckt, sondern nur einen Teil der Isolationsschicht 114, kann die lichtemittierende Vorrichtung 120C eine Flip-Chip-Bonding-Typ Struktur aufweisen, wie in den 17 bis 20 dargestellt.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 120C mit einer Flip-Chip-Bonding-Typ Struktur kann ein Substrat 122C, eine lichtemittierende Struktur 124C und erste und zweite Elektroden 128C und 129C beinhalten. Hier spielen das Substrat 122C, die lichtemittierende Struktur 124C und die ersten und zweiten Elektroden 128C und 129C die gleichen Rollen wie das Substrat 122A, die lichtemittierende Struktur 124A und die ersten und zweiten Elektroden 128A und 129A, die in 10a dargestellt sind, und somit entfällt eine wiederholte Beschreibung derselben. Das heißt, die erste leitende Halbleiterschicht 124C-1, die aktive Schicht 124C-2 und die zweite leitende Halbleiterschicht 124C-3 erfüllen die gleichen Rollen wie die erste leitende Halbleiterschicht 124A-1, die aktive Schicht 124A-2 und die zweite leitende Halbleiterschicht 124A-3, die jeweils in 10a dargestellt sind.
  • Da jedoch die lichtemittierende Vorrichtung 100C in den 19 und 20 eine Flip-Chip-Bonding-Typ Struktur aufweist, kann das von der aktiven Schicht 124C-2 emittierte Licht durch die erste Elektrode 128C, die erste leitende Halbleiterschicht 124C-1 und das Substrat 122C abgegeben werden. Zu diesem Zweck können die erste Elektrode 128C, die erste leitende Halbleiterschicht 124C-1 und das Substrat 122C aus Materialien gebildet sein, die Licht übertragen. Zu diesem Zeitpunkt können die zweite leitende Halbleiterschicht 124C-3 und die zweite Elektrode 129C aus Materialien gebildet sein, die Licht übertragen oder kein Licht übertragen, oder Materialien, die Licht reflektieren, aber die Ausführungsform ist nicht auf bestimmte Materialien beschränkt.
  • Darüber hinaus können sowohl die erste Elektrode 128C als auch die zweite Elektrode 129C aus Materialien gebildet sein, die das von der aktiven Schicht 124C-2 emittierte Licht nicht absorbieren können, aber das Licht reflektieren oder übertragen können, und die so gewachsen sein können, dass sie eine hohe Qualität auf der ersten und zweiten leitenden Halbleiterschicht 124C-1 und 124C-3 aufweisen. So kann beispielsweise sowohl die erste 128C als auch die zweite Elektrode 129C aus einem Metall gebildet sein und aus Ag, Ni, Al, Rh, Pd, Ir, Ru, Mg, Zn, Pt, Au, Hf gebildet sein oder ausgewählten Kombinationen davon.
  • Darüber hinaus kann die lichtemittierende Vorrichtungseinheit100C gemäß der noch weiteren Ausführungsform weiterhin einen ersten Lötabschnitt 162 und einen zweiten Lötabschnitte 164 beinhalten.
  • Der erste Lötabschnitt 162 kann zwischen der ersten Elektrode 128C der lichtemittierenden Vorrichtung 120C und dem ersten Leiterplatte LF1 angeordnet sein und die erste Elektrode 128C und den ersten Leiterplatte LF1 elektrisch miteinander verbinden. Hier kann sich die erste Leiterplatte LF1, auf dem der erste Lötabschnitt 162 angeordnet ist, in der Nähe des verbleibenden Abschnitts der Isolationsschicht 114 befinden, der nicht durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist und der freigelegt ist.
  • Darüber hinaus kann der zweite Lötabschnitt 164 zwischen der zweiten Elektrode 129C der lichtemittierenden Vorrichtung 120C und der zweiten Leiterplatte LF2 angeordnet sein und die zweite Elektrode 129C und die zweite Leiterplatte LF2 elektrisch miteinander verbinden. Hier kann sich die zweite Leiterplatte LF2, auf der der zweite Lötbereich 164 angeordnet ist, in der Nähe des verbleibenden Abschnitts der Isolationsschicht befinden, der nicht durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist und der freigelegt ist.
  • Sowohl der erste Lötabschnitt 162 als auch der zweite Lötabschnitt 164 kann Lotpaste oder eine Lotkugel sein.
  • Die lichtemittierende Vorrichtung 120C, die in den 19 und 20 dargestellt ist, ist nur als Beispiel angegeben, und die Ausführungsform ist nicht darauf beschränkt. Das heißt, die lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100C kann verschiedene andere Formen von lichtemittierenden Vorrichtungen beinhalten, die eine Flip-Chip-Bonding-Typ Struktur haben, im Gegensatz zu der, die in den 19 und 20 dargestellt ist.
  • Indessen kann in jeder der vorstehend beschriebenen lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten 100A, 100B und 100C sowohl der erste Vorrichtungsbereich DA1 als auch der zweite Vorrichtungsbereiche DA2 je nach Zweck und Absicht eine polygonale, kreisförmige oder oval planare Form aufweisen, aber die Ausführungsform ist nicht auf die Form des ersten Vorrichtungsbereichs DA1 und des zweiten Vorrichtungsbereichs DA2 beschränkt. Zum Beispiel, wie in den 1, 6a, 6b und 14 bis 17 dargestellt, kann sowohl der ersten Vorrichtungsbereich DA1 als auch der zweite Vorrichtungsbereich DA2 eine rechteckig planare Form mit abgerundeten Ecken aufweisen.
  • Darüber hinaus kann die geneigte Oberfläche 112 des Körpers 110 der Einheit in den lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten 100A, 100B und 100C gemäß den Ausführungsformen einen Hohlraum C zusammen mit der freiliegenden Vorderoberfläche der ersten und/oder zweiten Leiterplatte LF1 oder LF2 definieren und das von den lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A, 120B und 120C emittierte Licht reflektieren. Das heißt, die geneigte Oberfläche 112 des Körpers 110 der Einheit kann den Hohlraum C zusammen mit der Vorderoberfläche der ersten und/oder zweiten Leiterplatte LF1 oder LF2 definieren, die nicht durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist und die freigelegt ist.
  • Darüber hinaus kann die geneigte Oberfläche 112 am Umfang der lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A, 120B und 120C angeordnet sein. Die lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A und 120B können im ersten Vorrichtungsbereich DA1 der freiliegenden Vorderoberfläche des zweiten Leiterplattes LF2 innerhalb des Hohlraums C und die lichtemittierende Vorrichtung 120C über den freiliegenden Vorderoberflächen der ersten und zweiten Leiterplatte LF1 und LF2 angeordnet sein, die innerhalb des Hohlraums C freiliegen.
  • Darüber hinaus kann die Form des Hohlraums C von oben gesehen eine kreisförmige, polygonale, ovale, becherförmige oder konkave Behälterform sein, und die geneigte Oberfläche 112 des Körpers 110 der Einheit kann orthogonal zu oder geneigt zu mindestens einer freiliegenden Vorderoberfläche (oder freiliegenden Vorderoberfläche) der ersten oder zweiten Leiterplatte LF1 oder LF2 sein. Unter Bezugnahme auf 8 kann beispielsweise der zweite Winkel θ2 zwischen der geneigten Oberfläche 112 und der Oberseite der zweiten Leiterplatte LF2 ein spitzer Winkel sein. Das heißt, der zweite Winkel θ2 kann größer als 0° und kleiner als 90° sein und kann beispielsweise 30° oder kleiner sein, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt.
  • Wenn die geneigte Oberfläche 112 des Körpers der Einheit C relativ zur Bodenfläche des Hohlraums C geneigt ist (d.h. die Oberseite der zweiten Leiterplatte LF2 gemäß 8 und die Oberseite der ersten Leiterplatte LF1 gemäß 11), kann die Breite W des Hohlraums C mit zunehmendem Abstand von der Bodenfläche des Hohlraums C (d.h. in der +z- Achse) vergrößert werden. Das heißt, die Breite W des Hohlraums C kann an der Bodenfläche des Hohlraums C, auf dem die lichtemittierende Vorrichtung 120 angeordnet ist, die kleinste und an der Oberseite des Körpers 110 der Einheit die größte sein.
  • Darüber hinaus kann die geneigte Oberfläche 112 das von den lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A, 120B und 120C abgegebene Licht reflektieren. In diesem Fall kann das Reflexionsvermögen der geneigten Oberfläche 112 größer sein als das Reflexionsvermögen der freiliegenden Vorderoberfläche von der ersten und/oder der zweiten Leiterplatte LF1 oder LF2. So kann beispielsweise mindestens die eine Leiterplatte FL1 oder die zweite Leiterplatte LF2, die nicht durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist und die freigelegt ist, aus einem reflektierenden Material, beispielsweise Silber (Ag), gebildet sein, um das von der lichtemittierenden Vorrichtung 120 abgegebene Licht zu reflektieren, und die geneigte Oberfläche 112 kann aus einem Harzmaterial gebildet sein, wie beispielsweise Polyphthalamid (PPA), mit einer höheren Reflexion als die erste Leiterplatte LF1 oder die zweite Leiterplatte LF2.
  • Darüber hinaus kann die geneigte Oberfläche 112 des Körpers 110 der Einheit eine konkave Form, eine konvexe Form oder eine Stufenform in Richtung des Hohlraums C aufweisen. So kann beispielsweise die geneigte Oberfläche 112 eine konvexe Form in Richtung des Hohlraums C aufweisen, wie in 18 dargestellt, kann eine Stufenform in Richtung des Hohlraums C aufweisen, wie in 19 dargestellt, oder kann eine konkave Form in Richtung des Hohlraums C aufweisen, wie in 20 dargestellt.
  • Es ist zu vermerken, dass diese verschiedenen Formen der geneigten Oberfläche 112 auch auf die lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten 100A und 100B aufgebracht werden können.
  • Darüber hinaus kann der Körper 110 der Einheit weiterhin einen gestuften Abschnitt 118 beinhalten. Wie beispielsweise in 20 dargestellt, kann der gestufte Abschnitt 118 zwischen dem unteren Ende 112-1 der geneigten Oberfläche 112-1 und der Bodenfläche des Hohlraums C (z.B. der Oberseite der ersten Leiterplatte LF1) angeordnet sein. Hierbei ist zu beachten, dass der in 20 dargestellte Stufenabschnitt 118 auch in der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A oder 100B gemäß einer Ausführungsform oder einer anderen Ausführungsform angeordnet sein kann. Darüber hinaus ist zu vermerken, dass der in 20 dargestellte Stufenabschnitt 118 auch zwischen dem unteren Ende der geneigten Oberfläche 112 und der Oberseite der zweiten Leiterplatte LF2 angeordnet sein kann.
  • Darüber hinaus kann eine erste Höhe h1 von der Bodenfläche des Hohlraums C, d.h. der Oberseite der ersten oder zweiten Leiterplatte LF1 oder LF2, die nicht durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist und die freigelegt ist, zur Oberseite des gestuften Abschnitts 118 kleiner als eine zweite Höhe h2 von der Bodenfläche des Hohlraums C zur aktiven Schicht 124C-2 sein. So kann beispielsweise die erste Höhe h1 des in 20 dargestellten Stufenabschnitts 118 50 µm und die zweite Höhe h2 von der Bodenfläche des Hohlraums C bis zur aktiven Schicht 124A-2 oder 124B-2 in 10a oder 10b 100 µm bis 150 µm betragen, aber die Ausführungsform ist nicht darauf beschränkt.
  • Unterdessen kann der Körper 110 der Einheit als siliziumbasierte Wafer-Level Einheit, ein Siliziumsubstrat oder ein Siliciumcarbid-(SiC)-Substrat oder Aluminiumnitrid-(AlN)-Substrat mit hoher Isolierung oder Wärmeleitfähigkeit ausgebildet sein, aus einem Harzmaterial wie Polyphthalamid (PPA) mit hohem Reflexionsgrad oder aus Epoxid-Formmasse (EMC), wobei die Ausführungsform nicht auf das Material des Körpers 110 der Einheit beschränkt ist. Wenn der Körper 110 der Einheit aus Kunststoff besteht, kann eine Verfärbung verhindert werden.
  • Darüber hinaus können die lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten 100A, 100B und 100C eine erhöhte Effizienz der Lichtextraktion erreichen, da der Abstand zwischen der geneigten Oberfläche 112 und den lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A, 120B und 120C in Breitenrichtung verringert wird. Dies liegt daran, dass je kleiner der Abstand, desto kleiner die Fläche der Bodenfläche des Hohlraums C und desto größer die Fläche der geneigten Oberfläche 112 ist, und dass der Reflexionsgrad der geneigten Oberfläche 112 größer ist als der Reflexionsgrad der Bodenfläche des Hohlraums C, wie vorstehend beschrieben. Dabei kann die Breitenrichtung eine Richtung sein, die die Dickenrichtung der lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A, 120B und 120C kreuzt, und kann beispielsweise eine Richtung sein, die orthogonal zur Dickenrichtung der lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A, 120B und 120C ist.
  • So können beispielsweise das untere Ende der geneigten Oberfläche 112, das der Seitenfläche des Hohlraums C entspricht, und die auf der Bodenfläche des Hohlraums C angeordneten lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A, 120B und 120C um einen vorgegebenen Abstand voneinander beabstandet sein. Hier kann der vorgegebene Abstand mindestens einer der Abstände D3 entlang der y-Achse oder D4 entlang der x-Achse sein, wie in den 6a, 6b, 8, 15, und 17 bis 20 dargestellt. Wenn die Abstände D3 und D4 kleiner als 30µm sind, kann der erste Vorrichtungsbereich DA1 die Verarbeitungsfehler aufweisen, z.B. kann der erste Vorrichtungsbereich DA1 nicht zu einer gewünschten Oberfläche geformt werden. Daher kann unter Berücksichtigung einer Fertigungstoleranz jeder der Abstände D3 und D4 30µm oder mehr betragen. Wie vorstehend beschrieben, wenn jeder der Abstände D3 und D4 kleiner ist, kann die Oberfläche der geneigten Oberfläche 112 größer sein als die Oberfläche der Bodenfläche des Hohlraums C, was die Effizienz der Lichtextraktion erhöhen kann. Daher kann jeder der Abstände D3 und D4 30µm betragen, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt.
  • Wenn die Länge des ersten Bondbereichs BA1 entlang sowohl der x-Achse als auch der y-Achse Null ist, kann es sein, dass das andere Ende des zweiten Drahtes 134 keine ausreichende Oberfläche für das Verbinden der zweiten Leiterplatte LF2 aufweist. Wenn die Länge des ersten Bondbereichs BA1 sowohl entlang der x-Achse als auch der y-Achse größer als 400 µm ist, kann außerdem die untere Oberfläche des Hohlraums C, die ein geringeres Reflexionsvermögen als die der geneigten Oberfläche 112 aufweist, übermäßig freigelegt werden, was die Effizienz der Lichtextraktion beeinträchtigen kann. Somit kann die Länge des ersten Bondbereichs BA1 entlang sowohl der x-Achse als auch der y-Achse größer als 0µm und gleich oder größer als 400µm sein, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt.
  • Wenn die Länge des dritten Bondbereichs BA3 entlang sowohl der x-Achse als auch der y-Achse Null ist, weist das andere Ende des dritten Drahtes 136 möglicherweise keine ausreichende Oberfläche auf, um mit der zweiten Leiterplatte LF2 verbunden zu werden. Wenn die Länge des dritten Bondbereichs BA3 entlang sowohl der x-Achse als auch der y-Achse größer als 400 µm ist, kann außerdem die untere Oberfläche des Hohlraums C, die ein geringeres Reflexionsvermögen als die der geneigten Oberfläche 112 aufweist, übermäßig freigelegt werden, was die Effizienz der Lichtextraktion beeinträchtigen kann. Somit kann die Länge des dritten Bondbereichs BA3 entlang sowohl der x-Achse als auch der y-Achse größer als 0µm und gleich oder größer als 400µm sein, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt.
  • Wenn beispielsweise die Länge der lichtemittierenden Vorrichtung 120 entlang sowohl der x-Achse als auch der y-Achse von 100µm bis 1000µm und die Länge des ersten Vorrichtungsbereichs DA1 entlang sowohl der x-Achse als auch der y-Achse kleiner als 150µm ist, kann der Oberflächenbereich des Anteils von der Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte LF2, in dem die lichtemittierende Vorrichtung 120 angeordnet ist, reduziert werden. Wenn die Länge des ersten Vorrichtungsbereichs DA1 entlang sowohl der x-Achse als auch der y-Achse größer als 1050 µm ist, kann außerdem die untere Oberfläche des Hohlraums C, die ein geringeres Reflexionsvermögen als die der geneigten Oberfläche 112 aufweist, übermäßig freigelegt werden, was die Effizienz der Lichtextraktion beeinträchtigen kann. Somit kann die Länge des ersten Vorrichtungsbereichs DA1 entlang sowohl der x-Achse als auch der y-Achse zwischen 150µm und 1050µm liegen, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt.
  • Darüber hinaus wird der Mindestwert der Länge des zweiten Vorrichtungsbereichs DA2 entlang sowohl der x-Achse als auch der y-Achse in Abhängigkeit von der Größe der Zener-Diode 140 bestimmt. Wenn die Länge des zweiten Vorrichtungsbereichs DA2 entlang sowohl der x-Achse als auch der y-Achse größer als 400 µm ist, kann außerdem die untere Oberfläche des Hohlraums C, die ein geringeres Reflexionsvermögen als das der geneigten Oberfläche 112 aufweist, übermäßig freigelegt werden, was die Effizienz der Lichtextraktion beeinträchtigen kann. Somit kann der Maximalwert der Länge des zweiten Vorrichtungsbereichs DA2 entlang sowohl der x-Achse als auch der y-Achse 400µm betragen, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt.
  • Nachstehend wird die lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100A gemäß der Ausführungsform und eine lichtemittierende Vorrichtungseinheit gemäß einem Vergleichsbeispiel im Folgenden mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben.
  • 21 veranschaulicht eine vergrößerte Querschnittsansicht eines Vergleichsbeispiels K2 des in 8 dargestellten Abschnitts „K“.
  • Bezogen auf die 1, 6a und 6b bedeckt der Körper 110 der Einheit die gesamte Vorderoberfläche der ersten Leiterplatte LF1 und deckt die gesamte Vorderoberfläche der Isolationsschicht 114 ab, während das erste bis dritte Sacklöcher TH1, TH2 und TH3 freigelegt ist.
  • Unter Bezugnahme auf 11 deckt der Körper 110 der Einheit die erste Leiterplatte LF1 und die Isolationsschicht 114 ab. Zu diesem Zeitpunkt kann der Körper 110 der Einheit einen Bereich bis zum Nullpunkt PO der Oberseite LFT2 der zweiten Leiterplatte LF2 abdecken. Im Gegensatz dazu deckt der Körper 110 der Einheit unter Bezugnahme auf 21 nur einen Bereich bis zum ersten Punkt PI auf der Oberseite des ersten Leiterplattes LF1 ab, während er einen Anteil der Isolationsschicht 114 und den ersten Leiterplatte LF1 freilegt.
  • Somit ist der dritte Winkel θ3 zwischen der geneigten Oberfläche 112 und der Oberseite der in 11 dargestellten zweiten Leiterplatte LF2 kleiner als der vierte Winkel θ4 zwischen der geneigten Oberfläche 112 und der Oberseite der ersten Leiterplatte LF1, wie in 21 dargestellt. Dies bedeutet, dass die Oberfläche der in 11 dargestellten geneigten Oberfläche 112 größer ist als die Oberfläche der in 21 dargestellten geneigten Oberfläche 112. So kann beispielsweise der dritte Winkel θ3 größer als 0° und kleiner als 90° sein. Darüber hinaus ist der fünfte Winkel θ5 zwischen der geneigten Oberfläche 112 und der Oberseite der zweiten Leiterplatte LF2, wie in 13 dargestellt, kleiner als der vierte Winkel θ4 zwischen der geneigten Oberfläche 112 und der Oberseite der ersten Leiterplatte LF1, wie in 21 dargestellt. Dies bedeutet, dass die Oberfläche der in 11 dargestellten geneigten Oberfläche 112 größer ist als die Oberfläche der in 21 dargestellten geneigten Oberfläche 112. So kann beispielsweise der fünfte Winkel θ5 größer als 0° und kleiner als 90° sein.
  • Darüber hinaus kann der dritte Winkel θ3 zwischen der geneigten Oberfläche 112 und der Oberseite der zweiten Leiterplatte LF2 entlang der in 11 dargestellten Hauptachse (z.B. der y-Achse) kleiner sein als der fünfte Winkel θ5 zwischen der geneigten Oberfläche 112 und der Oberseite der zweiten Leiterplatte LF2 entlang der Nebenachse (z.B. der x-Achse) gemäß 13. So kann beispielsweise der dritte Winkel θ3 30° und der fünfte Winkel θ5 45° betragen, aber die Ausführungsform ist nicht darauf beschränkt.
  • Darüber hinaus, wenn der dritte Winkel θ3 kleiner wird als der vierte Winkel θ4 und/oder der fünfte Winkel θ5 kleiner wird als der vierte Winkel θ4, d.h. wenn sich die vom Körper 110 der Einheit abgedeckte Fläche vergrößert, vergrößert sich die Fläche der geneigten Oberfläche 112. Auf diese Weise erhöht sich mit abnehmender Fläche der nicht durch den Körper 110 der Einheit abgedeckten zweiten Leiterplatte LF2 und zunehmender Fläche der geneigten Oberfläche 112 die Lichtreflexionsfähigkeit der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A, was die Effizienz der Lichtextraktion erhöht. Denn das Reflexionsvermögen der geneigten Oberfläche 112 ist größer als das Reflexionsvermögen jeder der ersten und zweiten Leiterplatte LF1 und LF2.
  • Darüber hinaus kann unter Bezugnahme auf 21 Außenluft, wie z.B. Feuchtigkeit, von außen in Pfeilrichtung PH2 über die zweite Grenze 114-2 zwischen der Isolationsschicht 114 und dem zweiten Leiterplatte LF2 in den Hohlraum C der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit eindringen. Dadurch kann die Zuverlässigkeit der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit beeinträchtigt werden.
  • Wie in 11 dargestellt, kann jedoch, wenn der Körper 110 der Einheit so angeordnet ist, dass er sowohl die erste als auch die zweite Grenze 114-1 und 114-2 abdeckt, die Länge des Weges, entlang dem Außenluft von außen in den Hohlraum C der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A in Pfeilrichtung PH1 über die zweite Grenze 114-2 eingeleitet wird, erhöht werden, und der Einführungsweg wird verwunden. Das heißt, im Vergleich zur in 21 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit kann die in 11 dargestellte lichtemittierende Vorrichtungseinheit 100A die Länge des Einführungsweges PH1 der Außenluft in den Hohlraum C weiter vergrößern und dazu führen, dass der Einführungsweg PH1 verwundener ist, was das Eindringen der Außenluft erschwert. Daher kann die Zuverlässigkeit der in 11 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A im Vergleich zur in 21 dargestellten lichtemittierenden Vorrichtungseinheit verbessert werden.
  • Darüber hinaus ist der Körper 110 der Einheit bei der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit gemäß dem in 21 dargestellten Vergleichsbeispiel so angeordnet, dass er einen Teil der ersten Leiterplatte LF1 freilegt und die gesamte Isolationsschicht 114 freilegt. Wenn also die Dicken der ersten und zweiten Leiterplatte LF1 und LF2 nicht teilweise gesichert sind, können die erste und zweite Leiterplatte LF1 und LF2 nicht ausreichend steif sein. Um dies zu verhindern, müssen beispielsweise die Dicken der ersten und zweiten Leiterplatte LF1 und LF2 größer als 250µm sein.
  • Andererseits, wenn die erste planare Fläche, die im Folgenden beschrieben wird, gleich oder größer als die zweite planare Fläche ist, insbesondere bei der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A gemäß dem Ausführungsbeispiel nach 11, dann ist der Körper 110 der Einheit so angeordnet, dass er die gesamte Vorderoberfläche der ersten Leiterplatte LF1 abdeckt, mit Ausnahme des durch die ersten und zweiten Sacklöcher TH1 und TH2 (oder das dritte Sackloch TH3) freigelegten Abschnitts, um die gesamte Vorderoberfläche der Isolationsschicht 114 abzudecken und einen Abschnitt der Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte LF2 abzudecken. Mit zunehmender Fläche des Körpers 110 der Einheit kann der Körper 110 der Einheit die Steifigkeit der ersten und zweiten Leiterplatte LF1 und LF2 ergänzen, wodurch die Dicken der ersten und zweiten Leiterplatte LF1 und LF2 reduziert werden können. Somit, gemäß dem Ausführungsbeispiel, auch wenn die Dicken der ersten und zweiten Leiterplatte LF1 und LF2 reduziert sind, da der Körper 110 der Einheit auf der ersten Leiterplatte LF1 und der Isolationsschicht 114 angeordnet ist, d.h. da die erste planare Fläche gleich oder größer als die zweite planare Fläche ist, kann die strukturelle Steifigkeit der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A erhöht werden. So kann beispielsweise gemäß dem Ausführungsbeispiel, selbst wenn die Dicken der ersten und zweiten Leiterplatten LF1 und LF2 250µm oder weniger betragen, die Steifigkeit der ersten und zweiten Leiterplatte LF1 und LF2 sichergestellt werden.
  • Beispielsweise mit Bezug auf 8, wenn die zweite Dicke t2 der ersten Leiterplatte LF1, die dritte Dicke t3 der Isolationsschicht 114 und die vierte Dicke t4 der zweiten Leiterplatte LF2 gleich sind, kann der Mindestwert der Summe der zweiten, dritten oder vierten Dicke t2, t3 oder t4 und der fünften Dicke t5 des Körpers 110 der Einheit, der auf der Isolationsschicht 114 und der ersten Leiterplatte LF1 angeordnet ist, 250 µm betragen, aber das Ausführungsbeispiel ist darauf nicht beschränkt.
  • Darüber hinaus können die zweiten, dritten und vierten Dicken t2, t3 und t4 gleich oder verschieden voneinander sein.
  • Im Folgenden wird die planare Fläche der Isolationsschicht 114, die durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist, als „erste planare Fläche“ und die planare Fläche der Isolationsschicht 114, die nicht durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist und die freigelegt ist, als „zweite planare Fläche“ bezeichnet.
  • Unter Bezugnahme auf 15 oder 17 kann die erste planare Fläche des Abschnitts der Isolationsschicht 114, die durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist, durch die folgende Gleichung 1 dargestellt werden, und die zweite planare Fläche des verbleibenden Abschnitts der Isolationsschicht 114, die durch den Körper 110 der Einheit freigelegt ist, kann durch die folgende Gleichung 2 dargestellt werden.
    Gleichung 1 TA1 = ( x11 + x12 ) × Δ y
    Figure DE202016008796U1_0001
    Gleichung 2 TA2 = x2 × Δ y
    Figure DE202016008796U1_0002
  • Hier bezeichnen TA1 und TA2 die ersten bzw. zweite planaren Fläche, x11 bezeichnet die Länge eines oberen Endabschnitts der Isolationsschicht 114, der vom Körper 110 der Einheit entlang der x-Achse abgedeckt wird, x12 bezeichnet die Länge eines unteren Endabschnitts der Isolationsschicht 114, der durch den Körper 110 der Einheit entlang der x-Achse abgedeckt ist, x2 bezeichnet die Länge eines Abschnitts der Isolationsschicht 114, der nicht durch den Körper 110 der Einheit abgedeckt ist und entlang der x-Achse freiliegt, und Δy bezeichnet die Länge der Isolationsschicht 114 entlang der y-Achse. Im Falle der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A gemäß der Ausführungsform ist x2 „0“.
  • Zusätzlich, bezogen auf die 15 und 17, ist der Körper 110 der Einheit als Freilegung eines mittleren Abschnitts der Isolationsschicht 114 dargestellt. Somit kann der Abstand x11 oder x12 vom Spitzenende der freiliegenden Isolationsschicht 114 zum Rand des Hohlraums C größer als „0“ sein, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt. Gemäß einer anderen Ausführungsform können x11 oder x12 „0“ sein.
  • Wie vorstehend beschrieben, solange der freiliegende Abschnitt der Bodenfläche des Hohlraums C (d.h. die die freiliegende Vorderoberfläche der ersten und/oder zweiten Leiterplatte LF1 oder LF2) minimiert wird, wodurch die Oberfläche der geneigten Oberfläche 112 vergrößert wird, um die Effizienz der Lichtextraktion zu erhöhen, und solange die Länge des Einführungsweges der Außenluft vergrößert wird, um die Zuverlässigkeit zu erhöhen und die Steifigkeit der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit zu sichern, kann der Körper 110 der Einheit die gesamte Isolationsschicht 114 bedecken, wie in der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A gemäß der Ausführungsform, oder kann nur einen Anteil der Isolationsschicht 114 bedecken, wie in der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100B und 100C gemäß den anderen Ausführungsformen. Zu diesem Zweck kann die erste planare Fläche TA1 gleich oder größer als die zweite planare Fläche TA2 sein, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt. Darüber hinaus wird bei der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A gemäß der Ausführungsform, da der Körper 110 der Einheit die gesamte Isolationsschicht 114 bedeckt und es keine freiliegende Isolationsschicht 114 gibt, die nicht mit dem Körper 110 der Einheit bedeckt ist, die zweite planare Fläche zu „0“. Daher ist auch bei der lichtemittierenden Vorrichtungseinheit 100A gemäß der Ausführungsform zu erkennen, dass die erste planare Fläche größer ist als die zweite planare Fläche.
  • Abschließend ist im Vergleich zu dem Fall, in dem die erste planare Fläche kleiner ist als die zweite planare Fläche, da, wenn die erste planare Fläche gleich oder größer als die zweite planare Fläche ist, wie in der Ausführungsform, die Oberfläche der geneigten Oberfläche 112, die ein Reflexionsvermögen aufweist, das größer als das Reflexionsvermögen der Bodenfläche des Hohlraums C ist, zunimmt, die Effizienz der Lichtextraktion erhöht werden kann und die Steifigkeit der Leiterplatten LF1 und LF2 erhöht werden kann.
  • Darüber hinaus dürfen in den lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten 100A, 100B und 100C gemäß den oben beschriebenen Ausführungsformen, z.B. bezogen auf 11, die Oberseite LFT1 der ersten Leiterplatte LF1, die Oberseite LFT2 der zweiten Leiterplatte LF2 und die Oberseite 114T der Isolationsschicht 114 nicht gestuft, sondern in derselben Ebene angeordnet sein, aber die Ausführungsform ist darauf nicht beschränkt. Das heißt, gemäß einer weiteren Ausführungsform können die Oberseite LPT1 der ersten Leiterplatte LF1, die Oberseite LFT2 der zweiten Leiterplatte LF2 und die Oberseite 114T der Isolationsschicht 114 im Gegensatz zur Abbildung gestuft sein.
  • Indessen entfällt aus Gründen der Übersichtlichkeit die Darstellung des Formelements 150 in den 1, 6a, 6b, 9, und 14 bis 17. Wie jedoch in den 8, 11, 12, 13 und 18 bis 20, können die lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten 100A, 100B und 100C gemäß den Ausführungsformen auch das Formelement 150 beinhalten. Das Formelement 150 kann die lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A, 120B und 120C umgeben und schützen.
  • Das Formelement 150 kann beispielsweise aus einem transparenten Polymerharz, wie beispielsweise Silizium (Si), gebildet sein und kann Phosphor beinhalten und daher die Wellenlänge des von den lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A, 120B und 120C emittierten Lichts ändern. Die Phosphor(verbindung)en können eine fluoreszierende Substanz beinhalten, die als Wellenlängenänderungsmaterial dient, das in der Lage ist, das von den lichtemittierenden Vorrichtungen 120, 120A, 120B und 120C emittierte Licht in weißes Licht umzuwandeln, beispielsweise eine der fluoreszierenden Substanzen auf YAG-Basis, TAG-Basis, Silikat-Basis, Sulfid-Basis oder NitridBasis, aber die Ausführungsform ist nicht auf die Art der Phosphore beschränkt.
  • Die fluoreszierenden Substanzen auf YGA-Basis und TAG-Basis können ausgewählt und verwendet werden aus (Y, Tb, Lu, Sc, La, Gd, Sm)3 (Al, Ga, In, Si, Fe)5 (O, S)12 :Ce, und die fluoreszierende Substanz auf Silikatbasis kann ausgewählt und verwendet werden aus (Sr, Ba, Ca, Mg)2SiO4: (Eu, F, Cl).
  • Darüber hinaus kann die fluoreszierende Substanz auf Sulfidbasis ausgewählt und verwendet werden aus (Ca, Sr)S:Eu, (Sr, Ca, Ba)(Al, Ga)2S4: Eu, und die nitritbasierten Phosphore sind mindestens ein Material aus (Sr, Ca, Si, Al, 0)N:Eu (e.g. CaAlSiN4:Eu β-SiAlON:Eu) oder Ca-α SiAlON:Eu-basiert (Cax, My)(Si, Al)12(O, N)16 (hier ist M mindestens ein Material aus Eu, Tb, Yb oder Er, 0,05<(x+y)<0,3, 0,02<X<0,27 und 0,03<Y<0,3).
  • Rote Phosphore können nitritbasierte Phosphore einschließlich N (z.B. CaAlSiN3:Eu) beinhalten. Solche roten Phosphore auf Nitridbasis können eine höhere Zuverlässigkeit aufweisen, um äußeren Einflüssen wie Hitze und Feuchtigkeit standzuhalten, und eine geringere Verfärbungsmöglichkeit als Phosphore auf Sulfidbasis.
  • Die lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten 100A, 100B und 100C können ferner eine Linse (nicht dargestellt) beinhalten, die auf dem Formelement 150 angeordnet ist. Die Linse (nicht dargestellt) kann die Lichtverteilung der lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten 100A, 100B und 100C anpassen.
  • Eine Vielzahl von lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten gemäß den Ausführungsformen kann auf einem Substrat angeordnet werden, um eine Anordnung zu bilden, und optische Elemente, wie eine Lichtleiterplatte, eine Prismenplatte und eine Diffusionsschicht, können auf dem optischen Pfad der lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten angeordnet sein. Die lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten, das Substrat und die optischen Elemente können als Hintergrundbeleuchtungseinheit fungieren.
  • Darüber hinaus können eine Anzeigevorrichtung, eine Indikatorvorrichtung und eine Beleuchtungsvorrichtung mit den lichtemittierenden Vorrichtungseinheiten gemäß den Ausführungsformen verwirklicht werden.
  • Hier kann die Anzeigevorrichtung eine untere Abdeckung, einen Reflektor, der auf der unteren Abdeckung angeordnet ist, ein lichtemittierendes Modul, das zum Emittieren von Licht konfiguriert ist, eine Lichtleitplatte, die vor dem Reflektor angeordnet ist, um das vom lichtemittierenden Modul emittierte Licht nach vorne zu leiten, optische Platten, die Prismenplatten, die vor der Lichtleitplatte angeordnet sind, eine Anzeigetafel, die vor den optischen Platten angeordnet ist, eine Bildsignalausgangsschaltung, die mit der Anzeigetafel verbunden ist, um ein Bildsignal an die Anzeigetafel zu liefern, und einen Farbfilter, der vor der Anzeigetafel angeordnet ist, beinhalten. Hier können die untere Abdeckung, der Reflektor, das lichtemittierende Modul, die Lichtleitplatte und die optischen Platten eine Hintergrundbeleuchtungseinheit bilden.
  • Darüber hinaus kann die Beleuchtungsvorrichtung ein Lichtquellenmodul mit einem Substrat und einer lichtemittierenden Vorrichtungseinheit gemäß den Ausführungsformen, einen Wärmestrahler, der zum Ableiten von Wärme aus dem Lichtquellenmodul konfiguriert ist, und eine Stromversorgungseinheit beinhalten, die zum Verarbeiten oder Umwandeln eines von außen bereitgestellten elektrischen Signals konfiguriert ist, um dieses dem Lichtquellenmodul zuzuführen. So kann beispielsweise die Beleuchtungsvorrichtung eine Lampe, eine Scheinwerferlampe oder eine Straßenleuchte beinhalten.
  • Die Stirnlampe kann ein lichtemittierendes Modul beinhalten, das auf einem Substrat angeordnete lichtemittierende Vorrichtungseinheiten beinhaltet, einen Reflektor, der das vom lichtemittierenden Modul emittierte Licht in eine bestimmte Richtung, beispielsweise in eine Vorwärtsrichtung, reflektiert, eine Linse, die das vom Reflektor reflektierte Licht nach vorne bricht, und einen Schatten, der einen Teil des Lichts, das vom Reflektor reflektiert und auf die Linse gerichtet wurde, blockiert oder reflektiert, um das von einem Designer gewünschte Lichtverteilungsmuster zu erreichen.
  • Obwohl Ausführungsformen vorstehend beschrieben wurden, ist die vorstehende Beschreibung lediglich exemplarisch und soll die Offenbarung nicht einschränken, und es wird für den Fachmann ersichtlich sein, dass verschiedene Modifikationen und Anwendungen, die vorstehend nicht veranschaulicht werden, ohne von den wesentlichen Merkmalen der Ausführungsformen abzuweichen, vorgenommen werden können. So können beispielsweise die in den Ausführungsformen beschriebenen jeweiligen Komponentenvorrichtungen auf verschiedene Weise modifiziert werden. Darüber hinaus sind die mit diesen Änderungen und Ergänzungen verbundenen Unterschiede so zu interpretieren, dass sie in den Umfang der Offenlegung fallen, der durch die begleitenden Ansprüche definiert ist.
  • [Ausführungsarten der Erfindung]
  • Die Ausführungsarten für die Implementierung von Ausführungsformen wurden im oben beschriebenen „Beste Ausführungsart“ ausreichend beschrieben.
  • [Industrielle Anwendbarkeit]
  • Eine lichtemittierende Vorrichtungseinheit gemäß Ausführungsformen kann in einer Anzeigevorrichtung, einer Anzeigevorrichtung und einer Beleuchtungsvorrichtung verwendet werden.

Claims (35)

  1. Eine lichtemittierende Vorrichtungseinheit, umfassend: eine erste Leiterplatte (LF1); eine zweite Leiterplatte (LF2), die von der ersten Leiterplatte (LF1) in einer ersten Achse (y) getrennt ist; ein Körper (110) der Einheit mit einem Hohlraum (C), der einen Abschnitt der zweiten Leiterplatte (LF2) freilegt, wobei der Körper (110) der Einheit eine Isolierschicht (114) beinhaltet, die zwischen der ersten Leiterplatte (LF1) und der zweiten Leiterplatte (LF2) angeordnet ist, wobei der Körper (110) der Einheit einen ersten Abschnitt beinhaltet, der auf der Isolierschicht und zwischen der Zener-Diode (140) und der lichtemittierenden Diode (120) angeordnet ist; eine lichtemittierende Diode (120), die auf dem freiliegenden Abschnitt der zweiten Leiterplatte (LF2) angeordnet ist; eine Zener-Diode (140), die auf der ersten Leiterplatte (LF1) angeordnet ist, einen ersten Draht (136) mit einem ersten Ende, das mit der Zener-Diode (140) verbunden ist, und einem zweiten Ende, das mit der zweiten Leiterplatte (LF2) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlraum (C) eine geneigte Oberfläche (112) aufweist, die einen ersten spitzen Winkel (θ2) mit einer oberen Oberfläche der zweiten Leiterplatte (LF2) bildet, so dass der Hohlraum (C) eine Breite (W) aufweist, die mit zunehmendem Abstand von der oberen Oberfläche der zweiten Leiterplatte (LF2) zunimmt, wobei ein Loch (TH2, TH3) in der geneigten Oberfläche (112) des Hohlraums (C) ausgebildet ist, um einen Abschnitt der ersten Leiterplatte (LF1) freizulegen, wobei die Zener-Diode (140) in dem Loch (TH2, TH3) angeordnet ist und auf dem freigelegten Abschnitt der ersten Leiterplatte (LF1) angeordnet ist, wobei der erste Abschnitt Folgendes beinhaltet: eine erste Oberfläche korrespondierend zur geneigten Oberfläche (112), wobei die erste Oberfläche der lichtemittierenden Diode (120) zugewandt ist; und eine zweite Oberfläche, die durch das Loch (TH2, TH3) gebildet wird, wobei die zweite Oberfläche der Zener-Diode (140) zugewandt ist, wobei die zweite Oberfläche in einem zweiten spitzen Winkel (θ1) mit einer Oberfläche des freiliegenden Abschnitts der ersten Leiterplatte (LF1) geneigt ist, wobei der erste Draht (136) auf dem ersten Abschnitt des Vorrichtungskörpers (110) angeordnet ist und sein zweites Ende mit dem Abschnitt der zweiten Leiterplatte (LF2) verbunden ist, der durch den Hohlraum (C) freigelegt ist.
  2. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach Anspruch 1, wobei der erste Abschnitt eine erste Grenze (114-1) zwischen der ersten Leiterplatte (LF1) und der Isolierschicht (114) und eine zweite Grenze (114-2) zwischen der zweiten Leiterplatte (LF2) und der Isolierschicht (114) abdeckt.
  3. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach Anspruch 2, wobei der erste Abschnitt sich über die erste Grenze (114-1) und die zweite Grenze (114-2) hinaus erstreckt.
  4. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der zweite spitze Winkel (θ1) größer ist als der erste spitze Winkel (θ2).
  5. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei der Körper (110) der Einheit eine dritte Oberfläche in dem Loch (TH2, TH3) beinhaltet, wobei die zweite Oberfläche und die dritte Oberfläche einander gegenüberliegen, wobei eine Höhe eines höchsten Punktes der dritten Oberfläche in Bezug auf eine obere Oberfläche der ersten Leiterplatte (FL1) größer ist als eine erste Dicke (t1) des ersten Abschnitts.
  6. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach Anspruch 5, wobei die dritte Oberfläche in einem vorbestimmten Winkel geneigt ist, der sich vom ersten spitzen Winkel (θ2) unterscheidet.
  7. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 6, ferner umfassend einen zweiten Draht (132), wobei ein erstes Ende des zweiten Drahtes (132) mit der lichtemittierenden Diode (120) verbunden ist und ein zweites Ende des zweiten Drahtes (132) in das Loch (TH3) eingesetzt und mit der ersten Leiterplatte (LF1) verbunden ist.
  8. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 7, ferner umfassend einen dritten Draht (134), wobei ein erstes Ende des dritten Drahtes (134) mit der lichtemittierenden Diode (120) verbunden ist und das zweite Ende des dritten Drahtes (134) mit dem freiliegenden Abschnitt der zweiten Leiterplatte (LF2) verbunden ist.
  9. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 8, wobei der erste spitze Winkel (θ2) 30° oder weniger beträgt.
  10. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 9, ferner umfassend ein Formelement (150), das in dem Hohlraum (C) angeordnet ist, wobei das Formelement (150) die lichtemittierende Diode (120) umgibt und schützt, und wobei das Formelement (150) Phosphor beinhaltet.
  11. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 10, wobei die Zener-Diode (140) in einem Bereich (DA2) der ersten Leiterplatte (LF1) angeordnet ist, die durch das Loch (TH2, TH3) freigelegt ist, wobei der Bereich (DA2) der ersten Leiterplatte (LF1), die durch das Loch (TH2, TH3) freigelegt ist, eine Länge von höchstens 400 µm entlang der ersten Achse (y) aufweist.
  12. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 11, wobei ein Abstand (D2) zwischen dem in der geneigten Oberfläche (112) des Hohlraums (C) ausgebildeten Loch (TH2, TH3) und einem Bereich (DA1) der zweiten Leiterplatte (LF2), in dem die lichtemittierende Vorrichtung (120) angeordnet ist, 50 µm oder mehr beträgt.
  13. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 12, wobei eine Innenkante der dem Loch (TH2, TH3) am nächsten liegenden geneigten Oberfläche (112) von der Leuchtdiode (120) in der ersten Achse (y) um einen Abstand (D3) größer oder gleich 30 µm beabstandet ist.
  14. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 5 bis 13, wobei die geneigte Oberfläche (112) eine Reflexion aufweist, die höher ist als die Reflexion der freiliegenden Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte (LF2).
  15. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach Anspruch 14, wobei die erste Dicke (t1) des ersten Abschnitts größer ist als eine Höhe (T2) der Zener-Diode (140).
  16. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 14, wobei der freiliegende Abschnitt der zweiten Leiterplatte einen ersten Vorrichtungsbereich (DA1) und einen dritten Bondbereich (BA3) beinhaltet, der sich von dem ersten Vorrichtungsbereich (DA1) in einer zweiten Achse (x) erstreckt, wobei die lichtemittierende Diode (120) auf dem ersten Vorrichtungsbereich (DA1) angeordnet ist, wobei die lichtemittierende Diode (120) in Richtung der zweiten Achse (x) von einem unteren Ende der geneigten Oberfläche mittels eines ersten Abstandes (D4) beabstandet ist, wobei der dritte Bondbereich (BA3), in dem das zweite Ende des ersten Drahtes (136) angeordnet ist, von einer imaginären Linie beabstandet ist, die mit einem ersten Abstand (D4) entlang einer Seite der lichtemittierenden Diode (120) verläuft.
  17. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach Anspruch 15, wobei das zweite Ende des ersten Drahtes (136) weiter entfernt angeordnet ist als mindestens der erste Abstand (D4) von der imaginären Linie, die entlang der Seite der lichtemittierenden Diode (120) verläuft.
  18. Eine lichtemittierende Vorrichtungseinheit, umfassend: eine erste Leiterplatte (LF1); eine zweite Leiterplatte (LF2), die von der ersten Leiterplatte (LF1) in einer ersten Achse (y) getrennt ist; einen Körper (110) der Einheit mit einem Hohlraum (C), der einen Abschnitt der zweiten Leiterplatte (LF2) freilegt, wobei der Körper (110) der Einheit eine Isolierschicht (114) beinhaltet, die zwischen der ersten Leiterplatte (LF1) und der zweiten Leiterplatte (LF2) angeordnet ist, wobei der Körper (110) der Einheit einen ersten Abschnitt beinhaltet, der auf der Isolationsschicht und zwischen der Zener-Diode (140) und der lichtemittierenden Diode (120) angeordnet ist; eine lichtemittierende Diode (120), die auf dem freiliegenden Abschnitt der zweiten Leiterplatte (LF2) angeordnet ist; eine Zener-Diode (140), die auf der ersten Leiterplatte (LF1) angeordnet ist, einen ersten Draht (136) mit einem ersten Ende, das mit der Zener-Diode (140) verbunden ist, und einem zweiten Ende, das mit der zweiten Leiterplatte (LF2) verbunden ist, dadurch gekennzeichnet, dass der Hohlraum (C) eine geneigte Oberfläche (112) aufweist, die einen ersten spitzen Winkel (θ2) mit einer oberen Oberfläche der zweiten Leiterplatte (LF2) bildet, so dass der Hohlraum (C) eine Breite (W) aufweist, die mit zunehmendem Abstand von der oberen Oberfläche der zweiten Leiterplatte (LF2) zunimmt, wobei ein Loch (TH2, TH3) in der geneigten Oberfläche (112) des Hohlraums (C) ausgebildet ist, um einen Abschnitt der ersten Leiterplatte (LF1) freizulegen, wobei die Zener-Diode (140) in dem Loch (TH2, TH3) angeordnet ist und auf dem freigelegten Abschnitt der ersten Leiterplatte (LF1) angeordnet ist, wobei der erste Abschnitt eine erste Oberfläche beinhaltet, die der geneigten Oberfläche (112) entspricht, wobei die erste Oberfläche der lichtemittierenden Diode (120) zugewandt ist, wobei der erste Draht (136) auf dem ersten Abschnitt des Vorrichtungskörpers (110) angeordnet ist, wobei der freiliegende Abschnitt der zweiten Leiterplatte (LF2) einen ersten Vorrichtungsbereich (DA1) und einen dritten Bondbereich (BA3) umfasst, der von dem ersten Vorrichtungsbereich (DA1) entlang einer zweiten Achse (x) verlängert ist, wobei die lichtemittierende Diode (120) auf dem ersten Vorrichtungsbereich (DA1) angeordnet ist, wobei die lichtemittierende Diode (120) in Richtung der zweiten Achse (x) von einem unteren Ende der geneigten Oberfläche mittels eines ersten Abstandes (D4) beabstandet ist, wobei der dritte Bondbereich (BA3), in dem das zweite Ende des ersten Drahtes (136) angeordnet ist, von einer imaginären Linie beabstandet ist, die entlang einer Seite der lichtemittierenden Diode (120) mit dem ersten Abstand (D4) verläuft.
  19. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach Anspruch 18, wobei das zweite Ende des ersten Drahtes (136) weiter entfernt angeordnet ist als mindestens der erste Abstand (D4) von der imaginären Linie, die entlang der Seite der lichtemittierenden Diode (120) verläuft.
  20. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 18 oder 19, wobei der erste Abschnitt eine erste Grenze (114-1) zwischen dem ersten Leiterplatte (LF1) und der Isolierschicht (114) und eine zweite Grenze (114-2) zwischen dem zweiten Leiterplatte (LF2) und der Isolierschicht (114) abdeckt.
  21. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach Anspruch 20, wobei der erste Abschnitt sich über die erste Grenze (114-1) und die zweite Grenze (114-2) hinaus erstreckt.
  22. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 18 bis 21, ferner umfassend einen zweiten Draht (132), wobei ein erstes Ende des zweiten Drahtes (132) mit der lichtemittierenden Diode (120) verbunden ist und ein zweites Ende des zweiten Drahtes (132) in das Loch (TH3) eingesetzt und mit der ersten Leiterplatte (LF1) verbunden ist.
  23. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 18 bis 22, ferner umfassend einen dritten Draht (134), wobei ein erstes Ende des dritten Drahtes (134) mit der lichtemittierenden Diode (120) verbunden ist und das zweite Ende des dritten Drahtes (134) mit dem freiliegenden Abschnitt der zweiten Leiterplatte (LF2) verbunden ist.
  24. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 18 bis 23, wobei der erste spitze Winkel (θ2) 30° oder weniger beträgt.
  25. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 18 bis 24, ferner umfassend ein Formelement (150), das in dem Hohlraum (C) angeordnet ist, wobei das Formelement (150) die lichtemittierende Diode (120) umgibt und schützt, und wobei das Formelement (150) Phosphor beinhaltet.
  26. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 18 bis 25, wobei die Zener-Diode (140) in einem Bereich (DA2) der ersten Leiterplatte (LF1) angeordnet ist, der durch das Loch (TH2, TH3) freigelegt ist, wobei der Bereich (DA2) der ersten Leiterplatte (LF1), der durch das Loch (TH2, TH3) freigelegt ist, eine Länge von höchstens 400 µm entlang der ersten Achse (y) aufweist.
  27. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 18 bis 26, wobei ein Abstand (D2) zwischen dem in der geneigten Oberfläche (112) des Hohlraums (C) ausgebildeten Loch (TH2, TH3) und einem Bereich (DA1) der zweiten Leiterplatte (LF2), in dem die lichtemittierende Vorrichtung (120) angeordnet ist, 50 µm oder mehr beträgt.
  28. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 18 bis 27, wobei eine Innenkante der dem Loch (TH2, TH3) am nächsten liegenden geneigten Oberfläche (112) von der Leuchtdiode (120) in der ersten Achse (y) um einen Abstand (D3) größer oder gleich 30 µm beabstandet ist.
  29. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 18 bis 28, wobei der erste Abschnitt ferner umfasst: eine zweite Oberfläche, die durch das Loch (TH2, TH3) gebildet wird, wobei die zweite Oberfläche der Zener-Diode (140) zugewandt ist, wobei die zweite Oberfläche in einem zweiten spitzen Winkel (θ1) mit einer Oberfläche des freigelegten Abschnitts des ersten Leiterplattes (LF1) geneigt ist.
  30. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach dem Anspruch 29, wobei der zweite spitze Winkel (θ1) größer ist als der erste spitze Winkel (θ2).
  31. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach dem Anspruch 30, wobei der Körper (110) der Einheit eine dritte Oberfläche in dem Loch (TH2, TH3) beinhaltet, wobei die zweite Oberfläche und die dritte Oberfläche einander gegenüberliegen, wobei eine Höhe eines höchsten Punktes der dritten Oberfläche in Bezug auf eine obere Oberfläche der ersten Leiterplatte (LF1) größer ist als eine erste Dicke (t1) des ersten Abschnitts.
  32. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach Anspruch 31, wobei die dritte Oberfläche in einem vorbestimmten Winkel geneigt ist, der sich vom ersten spitzen Winkel (θ2) unterscheidet.
  33. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 18 bis 32, wobei die geneigte Oberfläche (112) eine Reflexion aufweist, die höher ist als die Reflexion der freiliegenden Vorderoberfläche der zweiten Leiterplatte (LF2).
  34. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 31 bis 33, wobei die erste Dicke (t1) des ersten Abschnitts größer ist als eine Höhe (T2) der Zener-Diode (140).
  35. Die lichtemittierende Vorrichtungseinheit nach einem der Ansprüche 1 bis 6 oder 18 bis 21, wobei der Körper (110) der Einheit ferner ein weiteres Loch (TH1) und einen zweiten Draht (132) umfasst, wobei das andere Loch (TH1) von dem Loch (TH2) beabstandet ist und einen anderen Abschnitt der Oberseite der ersten Leiterplatte (LF1) freilegt, wobei ein zweites Ende des zweiten Drahtes (132) in das andere Loch (TH1) eingesetzt ist, und ein zweites Ende des zweiten Drahtes (132) in Verbindung mit dem anderen freiliegenden Abschnitt der Oberseite der ersten Leiterplatte (LF1) steht.
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