KR20110067388A - 발광 다이오드 및 그의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 휘도 및 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드는 내부에 소정 공간이 마련되는 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 하부 중앙에 실장되어 광을 발생시키는 발광 다이오드 칩; 상기 리드 프레임의 하부 일측에 실장되어 상기 발광 다이오드 칩을 전기적 충격으로부터 보호하기 위한 제너 다이오드; 상기 발광 다이오드 칩 및 제너 다이오드에 전원을 공급하기 위한 리드 전극; 상기 리드 프레임의 내부 중앙에 형성되어, 상기 발광 다이오드와 제너 다이오드를 격리시키는 격벽; 상기 발광 다이오드 칩으로부터 출사되는 광의 색을 변화시키기 위한 형광체를 포함하는 몰딩제가 상기 격벽 내부에 디스펜싱되어 형성되는 형광 몰딩부; 및 상기 리드 프레임 내부에 투명 몰딩제가 디스펜싱되어 형성되는 투명 몰딩부;를 포함한다.
발광 다이오드, 리드 프레임, 제너 다이오드, 광 효율, 격벽

Description

발광 다이오드 및 그의 제조방법{Light emitting diodes and method for manufacturing the same}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 휘도 및 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
발광 다이오드(Light Emitting Diode: LED)는 리드 프레임과 반도체의 p-n 접합구조를 가지는 발광 다이오드 칩을 포함하며, 발광 다이오드 칩에 순방향 전압을 가해지면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 전자와 정공의 재결합에 따른 에너지의 차이로 광을 방출한다.
이러한, 발광 다이오드는 우수한 단색성 피크 파장을 가지며, 광 효율성이 우수하고 소형화가 가능하다는 장점으로 인해 다양한 디스플레이 장치, 핸드폰, 차량용 조명 및 경관 조명등의 소자로 널리 사용되고 있다.
최근에 들어 발광 다이오드는 조명장치 또는 액정표시장치의 백라이트 광원으로 사용되고 있는 형광램프를 대처할 수 있는 고출력, 고효율 광원으로서 개발이 이루어지고 있으며, 전자기기 및 정보통신기기의 슬림화의 추세에 따라, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board: PCB)에 직접 실장되는 표면실장소자(Surface Mount Device: SMD의 형태로 제조되고 있다.
도 1은 일반적인 발광 다이오드를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 일반적인 발광 다이오드는 단면이 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 컵 형상을 가지도록 형성된 리드 프레임(10)과, 발광 다이오드 칩(40)에 전원을 공급하기 위한 리드 전극(20)과, 상기 리드 프레임(10)의 하부에 실장되어 리드 전극(20)으로부터 공급되는 전류를 이용하여 광을 발생시키는 발광 다이오드 칩(40)과, 상기 발광 다이오드 칩을 전기적 충격으로부터 보호하기 위한 제너 다이오드(30)와, 리드 프레임(10) 내부에 디스펜싱되어 상기 발광 다이오드 칩(40)을 습기 및 외부 요인들로부터 보호하고, 출사되는 광을 원하는 색으로 형성시키기 위한 몰딩부(50)를 포함한다.
발광 다이오드 칩(40)이 청색 발광 칩이고, 리드 프레임(10)에 디스펜싱된 몰딩제가 경화되어 형성되는 몰딩부(50)가 황색 형광체를 포함하는 경우, 발광 다이오드 칩(40)에서 발생된 청색 광은 황색의 형광체에 여기되어 최종적으로 발광 다이오드에서는 백색광이 출사되게 된다.
일반적인 발광 다이오드는 정전기 또는 역전압과 같은 전기적 충격에 취약한 것으로 알려져 있다. 이러한 취약성을 보완하기 위해, 발광 다이오드에 제너 다이오드(30)를 실장하고, 상기 제너 다이오드(30)와 발광 다이오드 칩(40)을 전도성 와이어(미도시)를 통해 병렬로 연결하여 전기적 충격으로부터 발광 다이오드 칩(40)을 보호한다. 발광 다이오드 칩(40)을 전기적 충격으로부터 보호하는 정전압 다이오드인 제너 다이오드(30)는 PN 접합의 항복(Breakdown) 영역에서의 정전압 동 작 특성을 통해 발광 다이오드 칩(40)을 보호한다.
이러한, 일반적인 발광 다이오드의 제조방법을 살펴보면, 리드 전극(20)을 포함하는 리드 프레임(10)의 하부 상에 발광 다이오드 칩(40)과, 상기 발광 다이오드 칩(40)을 전기적 충격으로부터 보호하기 위한 제너 다이오드(30)를 실장시킨다.
발광 다이오드 칩(40)의 전극에 전류를 인가할 수 있도록 발광 다이오드 칩(40)에 형성된 전극과 리드 전극(20)을 전도성 와이어(conductibility wire)로 연결시킨다. 또한, 제너 다이오드(30)에 형성된 전극과 리드 전극(20)을 전도성 와이어로 연결시킨다.
그리고, 형광체가 혼합된 몰딩 물질을 디스펜싱 장치를 이용하여 발광 다이오드 칩(40)이 실장된 리드 프레임(10)에 디스펜싱 한다. 이후 디스펜싱된 몰딩 물질을 경화시켜 몰딩부(50)를 형성하여 발광 다이오드를 제조하게 된다.
상술한 제조방법을 통해 제조되는 일반적인 발광 다이오드는 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 제너 다이오드(30)와 발광 다이오드 칩(40)이 리드 프레임(10) 내에 수평방향으로 나란하게 실장되는데, 발광 다이오드 칩(40)에서 발광되는 광 중에서 측면 방향으로 출사되는 광을 제너 다이오드(30)가 흡수하거나 산란시키게 된다.
발광 다이오드 칩(40)에서 측면 방향으로 출사되는 광은 전체 광량 중에서 20% 정도를 차지하므로, 제너 다이오드(30)로 인해 발광 다이오드 칩(40)에서 출사되는 측 광이 흡수하거나 산란되는 현상으로 인해 발광 다이오드에서 출사되는 광의 휘도 및 광 효율이 저하되는 문제점이 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 리드 프레임 내부에 발광 다이오드 칩과 제너 다이오드를 격리시키는 격벽을 형성하여, 제너 다이오드로 인한 광 흡수 현상을 방지함으로써 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
실시 예에 따른 본 발명은 리드 프레임 내에서 광을 반사시키는 몰딩제로 제너 다이오드를 매립하여 제너 다이오드로 인한 광 흡수 현상을 방지함으로써 광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 및 그의 제조방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드는 내부에 소정 공간이 마련되는 리드 프레임; 상기 리드 프레임의 하부 중앙에 실장되어 광을 발생시키는 발광 다이오드 칩; 상기 리드 프레임의 하부 일측에 실장되어 상기 발광 다이오드 칩을 전기적 충격으로부터 보호하기 위한 제너 다이오드; 상기 발광 다이오드 칩 및 제너 다이오드에 전원을 공급하기 위한 리드 전극; 상기 리드 프레임의 내부 중앙부에 형성되어, 상기 발광 다이오드와 제너 다이오드를 격리시키는 격벽; 상기 발광 다이오드 칩으로부터 출사되는 광의 색을 변화시키기 위한 형광체를 포함하는 몰딩제가 상기 격벽 내부에 디스펜싱되어 형성되는 형광 몰딩부; 및 상기 리드 프레임 내부에 투명 몰딩제가 디스펜싱되어 형성되는 투명 몰딩부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드의 상기 격벽은 상기 리드 프레임의 측벽과 인접한 일 측이 수직하게 형성되고, 상기 발광 다이오드와 인접한 타 측이 소정 각도로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드의 상기 격벽은 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 형상을 가지며, 내부에 상기 발광 다이오드 칩 및 상기 형광 몰딩부가 실장되는 소정 공간이 마련되는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드는 상기 리드 프레임의 측벽과 상기 격벽 사이의 공간에 디스펜싱되어 상기 제너 다이오드를 매립시키고, 상기 발광 다이오드 칩에서 발생되는 광을 반사시키는 반사 몰딩부를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드의 제조방법은 리드 프레임의 중앙부에서 소정 공간을 가지도록 형성된 격벽 내부에 발광 다이오드를 실장시키는 단계; 상기 리드 프레임의 측벽과 상기 격벽 사이의 공간에 제너 다이오드를 실장시키는 단계; 상기 발광 다이오드 칩과 제너 다이오드를 리드 전극에 콘택시키는 단계; 및 상기 발광 다이오드 칩을 덮도록 상기 격벽 내부 공간에 형광 물질이 포함된 제 1 몰딩제를 디스펜싱한 후, 경화시켜 형광 몰딩부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드의 제조방법은 상기 제너 다이오드를 덮도록 상기 리드 프레임의 측벽과 상기 격벽 사이의 공간에 광을 반사시키는 제 2 몰딩제를 디스펜싱한 후, 경화시켜 반사 몰딩부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
실시 예에 따른 본 발명은 리드 프레임 내에서 발광 다이오드 칩과 수평하게 배치되는 제너 다이오드로 인한 광 흡수 및 광 산란 현상을 방지할 수 있다. 이를 통해, 발광 다이오드에서 출사되는 광의 휘도 및 광 효율을 향상시킬 수 있다.
실시 예에 따른 본 발명은 리드 프레임 내에 광을 반사시키는 반사 몰딩부를 형성하여 제너 다이오드를 매립함으로써, 리드 프레임 내에서 전반사되는 광을 출사면 방향으로 반사시킬 수 있다. 이를 통해, 발광 다이오드에서 출사되는 광의 휘도 및 광 효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예에 따른 발광 다이오드 및 그의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 다이오드를 나타내는 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 다이오드는 내부에 소정 공간이 마련되는 리드 프레임(110)과, 광을 발생시키는 발광 다이오드 칩(140)과, 상기 발광 다이오드 칩을 전기적 충격으로부터 보호하기 위한 제너 다이오드(130)와, 상기 발광 다이오드 칩(140) 및 제너 다이오드(130)에 전원을 공급하기 위한 리드 전극(120)과, 상기 리드 프레임(110) 내부에 형성되어 상기 발광 다이오드(140)와 제너 다이오드(130)를 격리시키는 격벽(160)과, 상기 격벽(160) 내부에 디스펜싱되어 형성되는 형광 몰딩부(150)와, 리드 프레임(110) 내부에 디스펜싱되어 형성되는 투명 몰딩부(170)를 포함한다.
또한, 발광 다이오드는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 발광 다이오드 칩(140)과 리드 전극(120)을 연결하는 전도성 와이어(122, conductibility wire)를 포함하며, 상기 전도성 와이어(122)를 통해 발광 다이오드 칩(140)의 전극과 리드 전극(120)이 연결되어 발광 다이오드 칩(140)에 전원이 공급된다. 또한, 제너 다이오드(130)의 전극과 리드 전극(120)이 전도성 와이어(122)로 연결되며, 발광 다이오드 칩(140)과 제너 다이오드(130)는 병렬로 연결되게 된다.
상기 리드 프레임(110)은 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 측벽을 포함하는 컵 형상을 가지며, 내부에 소정 공간이 마련된다. 이러한, 리드 프레임(110)의 하단부 일측에는 제너 다이오드(130)가 실장되고, 중앙부에는 후술되는 격벽(160)이 형성되고, 광을 발생시키는 발광 다이오드 칩(140)이 실장된다.
발광 다이오드 칩(140)에서 측면 방향으로 출사되는 광은 전체 광량 중에서 20% 정도를 차지하게 되는데, 제너 다이오드(130)가 발광 다이오드 칩(140)과 나란히 배치되는 구조에서는 발광 다이오드 칩(140)에서 출사되는 측 광이 제너 다이오드(130)로 인해 흡수하거나 산란되어 휘도 및 광 효율이 낮아질 수 있다. 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 다이오드는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 후술되는 격벽(160)을 포함하는 발광 다이오드를 구성한다.
상기 격벽(160)은 상기 리드 프레임(110) 내부 중앙부에 형성되며, 내부에 상기 발광 다이오드 칩(140) 및 상기 형광 몰딩부(150)가 실장되는 소정 공간을 가지도록 형성된다. 상기 격벽(160)은 상기 리드 프레임(110)의 측벽과 인접한 일 측은 수직하게 형성되고, 상기 발광 다이오드(140)와 인접한 타 측은 소정 각도로 경사지도록 형성된다. 따라서, 상기 격벽(160)은 단면이 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 형상을 가지며, 상기 발광 다이오드 칩(140)과 제너 다이오드(130)를 격리시키는 역할을 한다.
또한, 상기 격벽(160)은 발광 다이오드(140)와 제너 다이오드(130)를 격리시키므로, 발광 다이오드 칩(140)에서 발생된 광 중에서 측면으로 출사되는 광이 상기 제너 다이오드(130)로 인해 흡수되거나 산란되는 현상을 차단하는 역할을 한다. 따라서, 상기 격벽(160)으로 인해 발광 다이오드에서 출사되는 광의 휘도 및 광 효율을 증가시킬 수 있다.
여기서, 상기 리드 프레임(110) 및 격벽(160)은 광을 반사시킬 수 있는 합성 수지 재질로 형성될 수 있다.
상기 발광 다이오드 칩(140)은 상기 리드 프레임(110)의 하단부 구체적으로, 상기 리드 프레임(110)의 중앙부에 형성되는 격벽(160) 내부에 형성된 공간에 배치되며, 리드 전극(120)으로부터 공급되는 전류를 이용하여 광을 발생시킨다. 상기 발광 다이오드 칩(140)은 GaAs, AlGaAs, GaN, InGaInP 등의 화합물 반도체(compound semiconductor)를 이용하여 형성되며, 전류가 인가되면 구성된 물질의 특성에 따른 파장의 광을 발생시킨다.
일 예로서, 발광 다이오드 칩(140)이 청색광을 발생시키는 경우, 발광 다이 오드 칩(140)은 사파이어 기판 상에 형성되는 N형 GaN 층과, 상기 N형 GaN 층 표면의 일측 상에 형성되는 N-메탈층과, 상기 N-메탈이 형성된 영역 이외에 형성되는 활성층과, 상기 활성층 상에 형성되는 P형 GaN 층과, 상기 P형 GaN 층 상에 형성되는 P-메탈층을 포함하여 구성된다. 여기서, 상기 활성층은 P 메탈을 통해 전송되는 정공과 N 메탈을 통해 전송되는 전자가 결합하여 광을 발생시키는 층이다.
상기 제너 다이오드(130)는 상기 발광 다이오드 칩(140)을 전기적 충격으로부터 보호하기 위한 것으로, 상기 전도성 와이어(122)를 통해 리드 전극(120)과 연결되며, 상기 리드 프레임(110)의 하부 일측 즉, 상기 리드 프레임(110)의 측벽과 상기 격벽(160) 사이에 마련된 공간에 실장된다.
상술한 설명에서는 발광 다이오드 칩(140)을 전기적 충격으로 보호하기 위한 구성으로 제너 다이오드(130)를 포함하는 것으로 설명하였지만, 제너 다이오드(130)를 대체하여 바리스터(Varistor), 어벨렌시 다이오드, 쇼트키 다이오드가 적용될 수도 있다.
상기 형광 몰딩부(150)는 형광 물질을 포함하는 높은 광 투과성을 가지는 투명한 물질 일 예로서, 에폭시(epoxy) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열의 형광 몰딩제가 상기 격벽(160) 내부의 공간에 디스펜싱된 후, 경화되어 형성된다. 이러한, 형광 몰딩부(150)는 발광 다이오드 칩(140)에서 출사되는 광을 원하는 색으로 형성시키고, 상기 발광 다이오드 칩(140)을 외부의 요인으로부터 보호하는 역할을 수행한다.
여기서, 형광 몰딩부(150)는 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 형 광 물질은 발광 다이오드 칩(140)에서 발생되는 광의 색광에 따라서 달라질 수 있다. 일 예로서, 발광 다이오드 칩(140)이 청색 발광 칩이고, 형광 몰딩부(150)가 황색 형광체를 포함하는 경우, 발광 다이오드 칩(140)에서 발생된 청색 광은 황색의 형광체에 여기되어 최종적으로 발광 다이오드에서는 백색광이 출사되게 된다.
상기 투명 몰딩부(170)는 발광 다이오드 칩(140)에서 발생된 광의 광 추출 효율을 향상시키고, 제너 다이오드(130) 및 발광 다이오드 칩(140)을 외부 요인으로부터 보호하기 위한 것으로, 높은 광 투과성을 가지는 투명한 물질 일 예로서, 에폭시(epoxy) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열의 몰딩제가 상기 리드 프레임(110)의 내부 공간에 디스펜싱된 후, 경화되어 형성된다. 여기서, 투명 몰딩부(170)는 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 복수의 층으로 형성되는 경우, 발광 다이오드 칩(140)에서 광 출사면으로 갈수록 굴절율이 낮아지도록 형성될 수 있다.
상술한 구성을 포함하는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 다이오드는 리드 프레임(110) 내에서 발광 다이오드 칩(140)과 나란히 배치되는 제너 다이오드(130)로 인한, 광 흡수 및 산란 현상을 방지하여 발광 다이오드에서 출사되는 광의 휘도 및 광 효율을 향상시킬 수 있다.
이하, 도 4를 참조하여 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 다이오드에 대하여 설명하기로 한다.
도 4를 참조한 설명에 앞서, 도 4에 도시된 발광 다이오드는, 리드 프레임(210) 내에 형성되는 반사 몰딩부(280)를 제외한 다른 구성은 도 2에 도시된 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 다이오드와 동일한 구성을 포함하므로, 반사 몰딩부(280)를 제외한 다른 구성들에 대한 상세한 설명은 도 2의 설명을 참조하기로 한다.
도 4를 참조하면, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 다이오드는 내부에 소정 공간이 마련되는 리드 프레임(210)과, 광을 발생시키는 발광 다이오드 칩(240)과, 상기 발광 다이오드 칩을 전기적 충격으로부터 보호하기 위한 제너 다이오드(230)와, 상기 발광 다이오드 칩(240) 및 제너 다이오드(230)에 전원을 공급하기 위한 리드 전극(220)과, 상기 리드 프레임(210) 내부의 중앙부에 형성되어 상기 발광 다이오드(240)와 제너 다이오드(230)를 격리시키는 격벽(260)과, 상기 격벽(260) 내부에 디스펜싱되어 형성되는 형광 몰딩부(250)와, 상기 리드 프레임(110)의 측벽과 상기 격벽(260) 사이의 공간에 형성되는 반사 몰딩부(280)와, 리드 프레임(210) 내부에 디스펜싱되어 형성되는 투명 몰딩부(270)를 포함한다.
여기서, 상기 발광 다이오드 칩(240)과 리드 전극(220)은 상기 전도성 와이어(122)를 연결되고, 제너 다이오드(230)의 전극과 리드 전극(220)은 전도성 와이어(122)로 연결된다.
상기 리드 프레임(210)은 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 측벽을 포함하는 컵 형상을 가지며, 내부에 소정 공간이 마련된다. 이러한, 리드 프레임(210)의 하단부 일측에는 제너 다이오드(230)가 실장되고, 중앙부에는 상기 격벽(260)이 형성되고, 광을 발생시키는 발광 다이오드 칩(240)이 실장된다.
상기 격벽(260)은 상기 리드 프레임(210) 내부 중앙부에 형성되며, 내부에 상기 발광 다이오드 칩(240) 및 상기 형광 몰딩부(250)가 실장되는 소정 공간을 가지도록 형성된다.
상기 격벽(260)은 상기 리드 프레임(210)의 측벽과 인접한 일 측은 수직하게 형성되고, 상기 발광 다이오드(240)와 인접한 타 측은 소정 각도로 경사지도록 형성된다. 따라서, 상기 격벽(260)은 단면이 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 형상을 가지며, 상기 발광 다이오드 칩(240)과 제너 다이오드(230)를 격리시키는 역할을 한다. 또한, 발광 다이오드 칩(240)에서 발생된 광 중에서 측면으로 출사되는 광이 상기 제너 다이오드(230)로 인해 흡수되거나 산란되는 현상을 차단하는 역할을 한다.
상기 제너 다이오드(230)는 상기 리드 프레임(210)의 하부 일측 즉, 상기 리드 프레임(210)의 측벽과 상기 격벽(260) 사이에 마련된 공간에 실장된다.
상기 반사 몰딩부(280)는 광을 반사시킬 수 있는 물질 예를 들면, 백색 몰딩제가 상기 리드 프레임(210)의 측벽과 상기 격벽(260) 사이의 공간에 디스펜싱된 후, 경화되어 형성되며, 상기 제너 다이오드(230)가 외부에 노출되지 않도록 매립 시킨다. 여기서, 반사 몰딩부(280)는 광을 반사할 수 있는 백색 몰딩제로 형성되므로, 발광 다이오드 칩(240)에서 발생된 후, 리드 프레임(210) 내부에서 전반사된 광을 출사면 방향으로 반사시키는 역할을 수행한다. 또한, 제너 다이오드(230)를 매립시켜 외부의 요인으로부터 보호하는 역할을 수행한다.
상술한 구성을 포함하는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 다이오드는 상기 격벽(260) 및 반사 몰딩부(280)를 통해 발광 다이오드 칩(240)의 측면 방향으로 출사되는 광이 제너 다이오드(230)에 흡수 또는 산란되는 형상을 방지하고, 리드 프레임(210) 내에서 전반사된 광을 출사면 방향으로 반사시켜, 발광 다이오드에서 출사되는 광의 휘도 및 광 효율을 증가시킬 수 있다.
상술한 설명에서는 리드 전극(120, 220)이 리드 프레임(110, 210)의 측면에 배치되는 구조를 가지는 발광 다이오드를 일 예로 설명하였으나, 리드 전극(120, 220)이 리드 프레임(110, 210)의 배면에 형성되는 플립(flip) 칩(chip) 구조에서도 본 발명의 실시 예들이 동일하게 적용될 수 있다.
이하, 도 5a 내지 도 5d를 참조하여, 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 다이오드의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
도 5a에 도시된 바와 같이, 단면이 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 컵 형상을 가지도록 형성되고, 리드 전극(120)을 포함하는 리드 프레임(110)에 격벽(160)을 형성한다.
여기서, 격벽(160)은 후술되는 제조공정에서 리드 프레임(110)에 실장되는 제너 다이오드(130)와 발광 다이오드(140)를 격리시키기 위해 형성되는 것으로, 상기 리드 프레임(210) 내부 중앙부에 형성된다. 이때, 상기 격벽(160)은 내부에 상기 발광 다이오드 칩(140) 및 상기 형광 몰딩부(150)가 실장되는 소정 공간을 가지도록 형성된다.
상기 격벽(160)은 상기 리드 프레임(110)의 측벽과 인접한 일 측은 수직하게 형성되고, 상기 발광 다이오드(140)와 인접한 타 측은 소정 각도로 경사지도록 형성된다. 따라서, 상기 격벽(260)은 단면이 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 형상을 가진다. 이러한, 격벽(160)을 통해 상기 발광 다이오드 칩(140)과 제너 다이오드(130)를 격리될 수 있으며, 발광 다이오드 칩(140)에서 발생된 광 중에서 측면으로 출사되는 광이 상기 제너 다이오드(130)로 인해 흡수되거나 산란되는 현상을 차단할 수 있다.
상술한 설명에서는 리드 프레임(110)과 격벽(160)이 별도의 제조공정을 통해 형성되는 것으로 설명하였으나, 다른 예로서, 상기 격벽(160)은 리드 프레임(110)의 형성 시 함께 형성될 수 있다.
이어서, 도 5b에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(110)의 중앙부에서 소정 공간을 가지도록 형성된 격벽(160) 내부에 발광 다이오드(140)를 실장시키고, 상기 리드 프레임(110)의 측벽과 상기 격벽(160) 사이의 공간에 제너 다이오드(130)를 실장시킨다. 이후, 발광 다이오드 칩(140) 및 제너 다이오드(130)의 P형 전극과 N형 전극을 전도성 와이어(122)를 통해 리드 전극(120)에 콘택(contact)시킨다.
여기서, 상기 발광 다이오드 칩(140)은 청색 광을 발광하는 경우, 사파이어 기판 상에 N형 GaN 층을 형성하고, 상기 N형 GaN 층 표면의 일측 상에 N-메탈을 형성한 이후, 상기 N-메탈이 형성된 영역 이외에 광을 발생시키는 활성층을 형성한다. 이후, 상기 활성층 상에 P형 GaN 층을 형성하고, 상기 P형 GaN 층 상에 P-메탈을 형성하여 제조될 수 있다.
이어서, 도 5c에 도시된 바와 같이, 격벽(160) 내부 공간에 상기 형광 몰딩부(150)를 형성하여 발광 다이오드 칩(140)에서 출사되는 광을 원하는 색으로 형성시키고, 상기 발광 다이오드 칩(140)을 외부의 요인으로부터 보호하게 된다.
일 예로서, 형광 물질을 포함하는 높은 광 투과성을 가지는 투명한 물질 일 예로서, 에폭시(epoxy) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열의 물질로 이루어진 제 1 몰딩제(형광 몰딩제)를 디스펜싱 장치(미도시)를 이용하여 발광 다이오드 칩(140)이 실장된 격벽(160) 내부 공간에 디스펜싱 한다. 이때, 제 1 몰딩제는 상기 격벽(160)의 상단부 높이까지 디스펜싱 한다.
이후, 격벽(160) 내부 공간에 디스펜싱된 제 1 몰딩제를 고온 가열 공정 또는 자외선(UV) 조사 공정을 통해 경화시켜 형광 몰딩부(150)를 형성한다.
이어서, 형광 몰딩부(150)가 형성된 리드 프레임(110)을 경화 장비에서 출고시킨 후, 도 5d에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(110)의 내부 공간에 상기 투명 몰딩부(170)를 형성하여 발광 다이오드 칩(140)에서 발생된 광의 광 추출 효율을 향상시키고, 제너 다이오드(130) 및 발광 다이오드 칩(140)을 외부 요인으로부터 보호하게 된다.
일 예로서, 투명 몰딩부(170)를 형성 시, 높은 광 투과성을 가지는 투명한 물질 일 예로서, 에폭시(epoxy) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열의 제 2 몰딩제(투명 몰딩제)를 디스펜싱 한다. 이때, 상기 제 2 몰딩제는 상기 제너 다이오드(130), 격벽(160) 및 상기 형광 몰딩부(150)를 덮도록 리드 프레임(110)의 상단부 높이까지 디스펜싱 한다.
이후, 리드 프레임(110)의 내부에 디스펜싱된 제 2 몰딩제를 고온 가열 공정 또는 자외선(UV) 조사 공정을 통해 경화시켜 투명 몰딩부(170)를 형성한다. 이때, 여기서, 투명 몰딩부(170)는 단층 또는 복수의 층으로 형성될 수 있으며, 복수의 층으로 형성되는 경우, 발광 다이오드 칩(140)에서 광 출사면으로 갈수록 굴절율이 낮아지도록 형성될 수 있다.
상술한 제조공정을 통해 발광 다이오드를 제조하면, 리드 프레임(110) 내부에 형성되어 상기 발광 다이오드(140)와 제너 다이오드(130)를 격리시키는 격벽(160)을 통해 발광 다이오드 칩(140)의 측면 방향으로 출사되는 광이 제너 다이오드(130)에 흡수 또는 산란되는 형상을 방지할 수 있다. 이를 통해, 발광 다이오드에서 출사되는 광의 휘도 및 광 효율을 증가시킬 수 있다.
이하, 이하, 도 6a 내지 도 6e를 참조하여, 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 다이오드의 제조방법에 대하여 설명하기로 한다.
본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 다이오드의 제조방법 리드 프레임(210) 내에 형성되는 반사 몰딩부(280)를 형성하는 공정을 제외한 다른 공정은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 다이오드의 제조방법과 동일하므로, 반사 몰딩부(280)를 형성하는 제조공정을 제외한 다른 제조공정에 대한 상세한 설명은 도 5a 내지 도 5d의 설명을 참조하기로 한다.
도 6a에 도시된 바와 같이, 단면이 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 컵 형상을 가지도록 형성되고, 리드 전극(220)을 포함하는 리드 프레임(210)에 격벽(260)을 형성한다. 여기서, 격벽(260)은 제너 다이오드(230)와 발광 다이오드(240)를 격리시키기 위해 형성되는 것으로, 상기 리드 프레임(210) 내부의 중앙부에 형성된다.
이어서, 도 6b에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(210)의 중앙부에서 소정 공 간을 가지도록 형성된 격벽(260) 내부에 발광 다이오드(240)를 실장시키고, 상기 리드 프레임(210)의 측벽과 상기 격벽(260) 사이의 공간에 제너 다이오드(230)를 실장시킨다. 이후, 발광 다이오드 칩(240) 및 제너 다이오드(230)의 P형 전극과 N형 전극을 전도성 와이어(122)를 통해 리드 전극(220)에 콘택 시킨다.
이어서, 도 6c에 도시된 바와 같이, 격벽(260) 내부 공간에 형광 물질을 포함하여 높은 광 투과성을 가지는 투명한 물질 일 예로서, 에폭시(epoxy) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열의 물질로 이루어진 제 1 몰딩제(형광 몰딩제)를 디스펜싱한 후, 경화시켜, 형광 몰딩부(250)를 형성한다.
이어서, 도 6d에 도시된 바와 같이, 상기 리드 프레임(210)의 측벽과 상기 격벽(260) 사이의 공간에 광을 반사시킬 수 있는 물질 예를 들면, 제 2 몰딩제(백색의 반사 몰딩제) 디스펜싱한 후, 경화시켜 반사 몰딩부(280)를 형성한다.
상기 반사 몰딩부(280)를 통해 상기 제너 다이오드(230)가 외부에 노출되지 않도록 매립 시킨다. 여기서, 반사 몰딩부(280)는 광을 반사할 수 있는 백색 몰딩제로 형성되므로, 발광 다이오드 칩(240)에서 발생된 후, 리드 프레임(210) 내부에서 전반사된 광을 출사면 방향으로 반사시킬 수 있고, 또한, 제너 다이오드(230)를 매립시켜 외부의 요인으로부터 보호할 수 있다.
이어서, 도 6e에 도시된 바와 같이, 리드 프레임(210)의 내부 공간에 높은 광 투과성을 가지는 투명한 물질 일 예로서, 에폭시(epoxy) 계열 또는 실리콘(silicone) 계열의 제 3 몰딩제(투명 몰딩제)를 디스펜싱한 후, 경화시켜 투명 몰딩부(270)를 형성한다. 상술한 바와 같이, 상기 투명 몰딩부(270)를 형성하여 발 광 다이오드 칩(240)에서 발생된 광의 광 추출 효율을 향상시키고, 제너 다이오드(230) 및 발광 다이오드 칩(240)을 외부 요인으로부터 보호할 수 있다.
상술한 제조공정을 통해 발광 다이오드를 제조하면, 리드 프레임(210) 내부에 형성되어 상기 발광 다이오드(240)와 제너 다이오드(230)를 격리시키는 격벽(260)을 통해 발광 다이오드 칩(140)의 측면 방향으로 출사되는 광이 제너 다이오드(130)에 흡수 또는 산란되는 형상을 방지할 수 있다.
또한, 반사 몰딩부(280)를 통해 리드 프레임(210) 내에서 전반사된 광을 출사면 방향으로 반사시켜 발광 다이오드에서 출사되는 광의 휘도 및 광 효율을 증가시킬 수 있다.
상술한 본 발명의 실시 예들에 따른 발광 다이오드의 제조방법은 리드 전극(120, 220)이 리드 프레임(110, 210)의 측면에 배치되는 구조뿐만 아니라, 리드 전극(120, 220)이 리드 프레임(110, 210)의 배면에 배치되는 플립(flip) 칩(chip) 구조에서도 동일하게 적용될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술분야의 당 업자는 상술한 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
도 1은 일반적인 발광 다이오드를 개략적으로 나타내는 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 다이오드를 나타내는 단면도.
도 3은 본 발명의 실시 예들에 따른 발광 다이오드의 패턴을 나타내는 도면.
도 4는 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 다이오드를 나타내는 단면도.
도 5a 내지 도 5d는 도 2에 도시된 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 발광 다이오드의 제조방법을 나타내는 도면.
도 6a 내지 도 6e는 도 4에 도시된 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 발광 다이오드의 제조방법을 나타내는 도면.
<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>
110: 리드 프레임 120: 리드 전극
130: 제너 다이오드 140: 발광 다이오드 칩
150: 형광 몰딩부 160: 격벽
170: 투명 몰딩부 280: 반사 몰딩부

Claims (10)

  1. 내부에 소정 공간이 마련되는 리드 프레임;
    상기 리드 프레임의 하부 중앙에 실장되어 광을 발생시키는 발광 다이오드 칩;
    상기 리드 프레임의 하부 일측에 실장되어 상기 발광 다이오드 칩을 전기적 충격으로부터 보호하기 위한 제너 다이오드;
    상기 발광 다이오드 칩 및 제너 다이오드에 전원을 공급하기 위한 리드 전극;
    상기 리드 프레임의 내부 중앙부에 형성되어, 상기 발광 다이오드와 제너 다이오드를 격리시키는 격벽;
    상기 발광 다이오드 칩으로부터 출사되는 광의 색을 변화시키기 위한 형광체를 포함하는 몰딩제가 상기 격벽 내부에 디스펜싱되어 형성되는 형광 몰딩부; 및
    상기 리드 프레임 내부에 투명 몰딩제가 디스펜싱되어 형성되는 투명 몰딩부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 격벽은
    상기 리드 프레임의 측벽과 인접한 일 측이 수직하게 형성되고, 상기 발광 다이오드와 인접한 타 측이 소정 각도로 경사지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 격벽은
    하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지는 형상을 가지며, 내부에 상기 발광 다이오드 칩 및 상기 형광 몰딩부가 실장되는 소정 공간이 마련되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 격벽은
    상기 발광 다이오드에서 출사되는 광을 반사시키는 합성 수지 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 리드 프레임의 측벽과 상기 격벽 사이의 공간에 디스펜싱되어 상기 제너 다이오드를 매립시키고, 상기 발광 다이오드 칩에서 발생되는 광을 반사시키는 반사 몰딩부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  6. 리드 프레임의 중앙부에서 소정 공간을 가지도록 형성된 격벽 내부에 발광 다이오드를 실장시키는 단계;
    상기 리드 프레임의 측벽과 상기 격벽 사이의 공간에 제너 다이오드를 실장시키는 단계;
    상기 발광 다이오드 칩과 제너 다이오드를 리드 전극에 콘택시키는 단계; 및
    상기 발광 다이오드 칩을 덮도록 상기 격벽 내부 공간에 형광 물질이 포함된 제 1 몰딩제를 디스펜싱한 후, 경화시켜 형광 몰딩부를 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제너 다이오드를 덮도록 상기 리드 프레임의 측벽과 상기 격벽 사이의 공간에 광을 반사시키는 제 2 몰딩제를 디스펜싱한 후, 경화시켜 반사 몰딩부를 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 리드 프레임의 내부 공간에 제 3 몰딩제를 디스펜싱한 후, 경화시켜 투명 몰딩부를 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 격벽은 상기 발광 다이오드와 제너 다이오드를 격리시키도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 격벽은 상기 리드 프레임의 측벽과 인접한 일 측이 수직하게 형성되고, 상기 발광 다이오드와 인접한 타 측이 소정 각도로 경사지도록 형성되어, 단면이 하단부에서 상단부로 갈수록 넓어지도록 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드의 제조방법.
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CN113285006A (zh) * 2021-03-30 2021-08-20 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管芯片及其制造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140132516A (ko) * 2013-05-08 2014-11-18 엘지이노텍 주식회사 발광 소자, 발광 모듈 및 조명 시스템
US10424704B2 (en) 2015-07-16 2019-09-24 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting device package
US10998476B2 (en) 2015-07-16 2021-05-04 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting device package
CN113285006A (zh) * 2021-03-30 2021-08-20 华灿光电（浙江）有限公司 发光二极管芯片及其制造方法

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