KR20090082622A - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 Download PDF

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Abstract

발광 다이오드 패키지는 칩이 실장되는 전극 패드와, 상기 칩이 노출된 윈도우을 갖는 하우징과, 상기 윈도우을 형성하는 하우징 벽 및 전극 리드를 포함한다.상기 전극 리드는 상기 전극 패드에서 신장되어 상기 하우징을 관통하여 상기 하우징의 제 1 방향에 노출된다. 상기 제 1 방향의 하우징 벽은 제 1 부분 및 상기 제 1 부분보다 두껍고 상기 전극 리드를 덮는 제 2 부분을 포함한다. 상기 하우징 벽의 내면이 경사지게 형성되는 경우, 상기 제 1 부분의 경사각이 상기 제 2 부분의 경사각보다 크게 형성될 수 있다.

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로서 더 구체적으로는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 양공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광시키는 전자부품이다.
특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합을 통해 전자와 정공이 이동하면서 재결합한다. 그 결과, 전자와 정공이 독립적으로 존재할 때보다 에너지가 낮아지고 에너지 차이에 해당하는 빛을 방출한다.
이러한 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 조사할 수 있음으로 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화기기 등에 사용된다.
정보 통신기기의 소형화, 슬림화 추세에 따라 발광 다이오드도 인쇄회로기판(Printed Circuit Board;PCB)에 직접 실장하기 위하여 표면실장소자(Surface Mount Device;이하, SMD)형으로 만들어 지고 있다.
이러한 SMD 방식의 발광 다이오드 패키지는 그 사용도에 따라 탑뷰(Top view)방식과 사이드 뷰(Side view) 방식으로 제조된다. 사이드 뷰 방식의 발광 다이오드 패키지는 주로 휴대폰에 사용되는 액정 디스플레이용 백라이트 유닛으로 사용되고 있다.
SMD 방식의 발광 다이오드 패키지는 크기가 매우 작고 패키지 몸체를 관통하여 외부로 노출된 복수개의 전극 리드들을 가지며, 이 전극 리드들은 발광 다이오드 패키지의 외부면을 따라 구부려져 있다. 따라서, 전극 리드의 구부려진 구조로 인한 신뢰성 저하를 방지하고 크기 대비 발광 효율을 향상시킬 필요가 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 전극 리드의 구부려진 구조로 인한 신뢰성 저하가 억제되고 광효율이 우수한 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 크기 대비 발광효율이 높은 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데 있다.
상기 과제를 해결하기 위하여 본 발명은 전극 리드와 접하는 부분이 두꺼운 하우징 벽을 갖는 발광 다이오드 패키지를 제공한다. 이 발광 다이오드 패키지는 칩이 실장되는 전극 패드와, 상기 칩이 노출된 윈도우을 갖는 하우징과, 상기 윈도우을 형성하는 하우징 벽 및 전극 리드를 포함한다.
상기 전극 리드는 상기 전극 패드에서 신장되어 상기 하우징을 관통하여 상기 하우징의 제 1 방향에 노출된다. 상기 제 1 방향의 하우징 벽은 제 1 부분 및 상기 제 1 부분보다 두껍고 상기 전극 리드를 덮는 제 2 부분을 포함한다. 상기 하우징 벽의 내면이 경사지게 형성되는 경우, 상기 제 1 부분의 경사각이 상기 제 2 부분의 경사각보다 크게 형성될 수 있다.
본 발명의 일 양태에서 상기 하우징의 제 측면에 복수개의 전극 리드가 노출된다. 상기 전극 리드들은 상기 전극 패드로부터 신장된 부분이며, 상기 제 1 방향의 하우징 벽은 상기 전극 리드들을 각각 덮는 복수개의 제 2 부분을 포함한다.
본 발명의 일 양태에서 상기 리드들은 상기 하우징의 후방으로 구부려져 상 기 하우징의 제 1 방향 외부면 상에 배치된다.
본 발명의 일 양태에서 상기 하우징의 외부면은 상기 하우징 벽의 외부면과 상기 하우징 벽의 외부면 후방의 리드 수용면을 포함할 수 있다. 상기 리드 수용면은 상기 하우징 벽 외부면 후방에 하부 리세스를 형성하고, 상기 전극 리드는 상기 하부 리세스에 배치된다.
본 발명의 일 양태에서, 상기 전극 리드는 상기 하우징의 제 1 방향 외부면을 지나 상기 제 1 방향 측방의 제 2 방향 외부면 상에 배치될 수 있다. 이 때, 상기 제 2 방향 외부면은 상기 제 1 방향의 외부면과 유사하게 하우징 벽 외부면 후방에 측부 리세스를 형성하는 리드 수용면을 가지고, 상기 전극 리드 전극은 상기 측부 리세스에 배치될 수 있다.
본 발명의 일 양태에서 하우징 벽의 외부면에 상기 전극 리드가 돌출되며 형성된 홈이 더 형성될 수 있으며, 전극 리드는 상기 홈으로부터 상기 하우징의 외부면 상으로 신장될 수 있다. 이 때, 상기 홈 내에 노출된 상기 전극 리드의 표면은 상기 홈 주변의 하우징 벽 외부면과 동일면 상에 위치하거나, 상기 하우징 벽 외부면보다 다소 돌출될 수도 있다.
본 발명에 따르면, 전극 리드를 덮는 하우징 벽 부분이 다른 부분보다 두껍게 형성되 상기 전극 리드가 상기 하우징 벽에 인접한 부분에서 구부려지더라도 상기 하우징과 상기 전극 리드 사이의 기밀성이 유지될 수 있다.
또한, 상기 하우징을 구성하는 물질에 의해 상기 전극 리드가 고정될 수 있 기 때문에 윈도우 내부의 전극 패드가 상기 전극 리드 부근에서 변형되는 것을 막을 수 있다.
나아가서, 상기 전극 리드가 상기 하우징 외부의 리세스에 배치됨으로써 발광 다이오드 패키지의 크기를 축소할 수 있고, 리세스를 갖지 않는 패키지와 동일한 크기로 발광 다이오드 패키지가 제작되는 경우 광 출사 영역의 면적을 상대적으로 키울 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 발광 다이오드 패키지(100)는 윈도우(120)을 갖는 하우징(110)과 상기 하우징(110) 내에 형성된 전극 패드(130)과 상기 전극 패드(130)에서 신장되어 상기 하우징(110)을 통하여 외부로 노출된 전극 리드(140)을 포함한다. 상기 전극 패드(130)는 발광 다이오드 칩이 실장되는 제 1 전극 패드(132)와 상기 발광 다이오드 칩과 전기적으로 연결되는 제 2 전극 패드(134)를 포함할 수 있다.
상기 제 1 전극 패드(132)는 상기 발광 다이오드 칩의 양극과 직접 접하거나 본딩 와이어에 의해 전기적으로 연결될 수 있으며, 상기 제 2 전극 패드(134)는 상기 발광 다이오드 칩의 음극과 본딩 와이어에 의해 전기적으로 연결될 수 있다.
상기 제 1 전극 패드(132)와 상기 제 2 전극 패드(134)는 각각 상기 발광 다이오드 칩의 양극 및 음극에 접속되거나, 상보적으로 상기 발광다이오드 칩의 음극 과 양극에 각각 접속될 수도 있다.
상기 발광 다이오드 칩은 상기 윈도우(120)를 통해 외부로 노출될 수 있으며, 상기 제 1 전극 패드(132)와 상기 제 2 전극 패드(134)의 일부분도 상기 윈도우(120)를 통해 외부로 노출될 수 있다.
상기 윈도우(120) 내에 광 투과성 몰드 수지가 채워질 수 있으며, 특정 파장의 빛에 대해 투명한 수지가 상기 윈도우(120) 내에 채워질 수 있다.
상기 몰드 수지는 특정 파장의 빛을 흡수하여 다른 파장으로 방출하는 형광체를 더 포함할 수 있다.
상기 윈도우(120)는 장축과 단축을 가질 수 있고 하부면이 인쇄회로기판와 같은 접속 수단에 접하여 장치에 실장될 수 있다. 상기 전극 리드(140)은 상기 윈도우(120)의 단축 방향의 하우징, 예컨대 하우징의 하부를 통해 외부로 노출될 수 있다. 상기 하우징의 하부 측벽을 통해 외부로 노출된 전극 리드(140)는 상기 하우징의 후방을 향해 상기 하우징의 하부면 상에 배치되고, 단부는 상기 윈도우(120)의 장축 방향으로 신장되고 구부러져 상기 하우징의 측면 상에 배치될 수 있다.
도시된 것과 같이, 상기 하우징은 측면 및 하부에 상기 전극 리드(140)가 수용될 수 있는 리세스를 가질 수 있으며, 상기 전극 리드(140)은 상기 리세스에 배치되어 장치에 접촉하는 상기 하우징의 실장면과 거의 동일한 면을 가질 수 있다.
제조과정에서 또는 발광 다이오드 패키지가 실장되는 장치의 구조에 따라 상기 전극 리드(140)는 상기 하우징의 실장면보다 돌출될 수도 있다.
또한, 상기 전극 리드(140)가 상기 하우징을 돌출하면서 홈이 형성될 수도 있으며 상기 전극 리드(140)은 상기 홈으로부터 후방으로 신장될 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 정면을 나타낸 도면이다.
도 2를 참조하면, 빛이 출사되는 발광 다이오드 패키지의 정면은 하우징 벽(112)에 의해 정의되는 윈도우(120)를 보여준다. 상기 윈도우(120) 내에 발광 다이오드 칩과 전기적으로 연결되는 리드 전극(130)이 노출될 수 있다. 상기 발광 다이오드 패키지의 일 측 하우징 벽, 예컨대, 장치에 접하여 장착되는 상기 발광 다이오드 패키지의 하부 하우징 벽은 제 1 두께(T1)의 제 1 부분(114)과 상기 제 1 부분(114)보다 두꺼운 제 2 두께(T2)의 제 2 부분(116)을 포함한다.
도 1에 도시된 것과 같이 상기 발광 다이오드 패키지는 상기 전극 패드(130)에서 하우징의 측벽을 통해 외부로 노출되는 복수개의 리드 전극(140)을 포함할 수 있다. 상기 리드 전극들(140)은 서로 평행하게 상기 하우징의 일 측벽을 통해 외부로 노출될 수 있다.
상기 리드 전극들(140)은 상기 하부 하우징 벽의 제 2 부분(116)에 인접한 상기 하우징의 측벽을 통해 외부로 노출될 수 있다. 상기 하우징 벽의 두꺼운 제 2 부분들(116)이 상기 리드 전극들(140)을 각각 덮는다. 따라서, 상기 하우징 내부에서 상기 하우징을 형성하는 사출물과 접하는 상기 리드 전극(140)의 길이가 길어 상기 리드 전극(140)과 상기 하우징의 계면 특성이 향상될 수 있다.
상기 하우징 벽의 내벽은 경사지게 형성되어 칩에서 발광되는 빛이 반사되도록 하고 패키지로부터 출사되는 빛의 효율을 높일 수 있다. 이 때, 상기 제 1 부분 의 내벽(114s)은 대향하는 하우징의 내벽(118s)과 대칭 구조를 가질 수 있다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 하우징 부분을 설명하기 위한 도면들이다.
도 3a는 상기 발광 다이오드 패키지의 상부에서 바라본 도면이고, 도 3b는 상기 하우징의 배면에서 바라본 도면이고, 도 3c는 상기 하우징의 측면에서 바라본 도면이다.
도 3a 내지 도 3c를 참조하면, 상기 하우징의 하부면은 상기 하우징 벽의 외부면(112a)와 상기 하우징 벽의 외부면(112a) 후방에 하부 리세스(160)을 포함하는 리드 수용면(152a)을 포함할 수 있다. 상기 하부 리세스(160)는 상기 하우징의 양측 가장자리에 각각 형성될 수 있다.
상기 하우징의 양측면은 상기 하우징 벽의 외부면(112b)과 상기 하우징 벽의 외부면 후방에 측부 리세스(162)를 형성하는 리드 수용면(152b)를 포함한다. 따라서, 상기 하우징은 상기 하우징 벽의 양측 외부면(112b) 사이의 거리가 양측 리드 수용면(152b) 사이의 거리보다 큰 부분을 포함한다.
상기 하부 리세스들(160) 사이에는 상기 하부 하우징 벽(112a)와 동일평면에 위치하는 지지면(152)이 형성되어 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드 패키지가 실장되는 경우, 상기 하부 하우징 벽(112a)와 상기 지지면(152)이 장치에 결합될 수 있다.
도시되지는 않았지만, 상기 하우징을 관통하여 상기 하우징의 하부로 돌출되는 전극 리드는 상기 하부 리세스(160)을 따라 하우징의 후방으로 신장되고, 그 단 부는 일 측방으로 신장되고 구부러져 상기 측부 리세스(162)에 배치될 수 있다.
도 4는 도 1의 I-I'따라 취해진 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도이다.
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 배면을 나타낸 이다.
도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 하우징 벽의 제 2 부분(116)의 두께(T2)는 그 대향하는 하우징벽(112)의 두께(T1)보다 두껍게 형성된다. 여기서 상기 하우징 벽의 제 1 부분(114)의 두께는 상기 제 2 부분(116)에 대향하는 하우징 벽(112)의 두께(T1)와 같거나 다를 수 있으나 상기 제 2 부분(116)의 두께(T2)는 상기 제 1 부분(114)의 두께보다 두껍다.
또한, 상기 하우징 벽의 제 2 부분(116) 내면(116s)의 경사각(θ1)은 대향하는 하우징 벽(112) 내면(118s)의 경사각(θ2)보다 완만하게 형성될 수 있다.
상기 전극 리드(140)은 상기 전극 패드(134)로부터 신장되어 상기 하우징을 관통하여 외부로 노출되고, 제 1 꺾인 부분(140b)을 형성하며 상기 하부 리세스(160)에 배치된다. 또한, 상기 전극 리드(140)은 상기 하우징의 하부면을 지나 제 2 꺾인 부분(142b)을 형성하며 상기 하우징의 측부 리세스(162)에 배치된다.
본 발명에서, 상기 하우징 벽의 제 2 부분(116)의 두께(T2)가 다른 부분보다 상대적으로 두껍기 때문에 제 1 꺾인 부분(140b) 부근의 상기 전극 리드(140)가 상기 하우징 벽(116)으로부터 떨어지는 것을 방지할 수 있으며, 상기 전극 리드(140)과 상기 하우징 벽(116)의 접촉면을 유지할 수 있다.
또한, 본 발명에서, 상기 하우징(110)은 하부 리세스(160) 및 측부 리세스(162)를 가지고, 상기 전극 리드(140)은 상기 하부 리세스(160) 및 상기 측부 리세스(162)에 배치된다. 따라서, 상기 전극 리드(140)가 하우징의 외부로 돌출된 것에 비해 점유 영역을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 사시도
도 2는 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 정면을 나타낸 도면
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 하우징 부분을 설명하기 위한 도면
도 4는 도 1의 I-I'따라 취해진 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 단면도
도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 배면을 나타낸 도면.

Claims (9)

  1. 칩이 실장되는 전극 패드;
    상기 칩이 노출된 윈도우을 갖는 하우징;
    상기 윈도우을 형성하는 하우징 벽;
    상기 전극 패드에서 신장되어 상기 하우징을 관통하여 상기 하우징의 제 1 방향에 노출된 전극 리드를 포함하되,
    상기 제 1 방향의 하우징 벽은 제 1 부분 및 상기 제 1 부분보다 두껍고 상기 전극 리드를 덮는 제 2 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 하우징의 제 1 방향에 노출된 복수개의 전극 리드를 포함하되,
    상기 제 1 방향의 상기 하우징 벽은 상기 전극 리드들을 각각 덮는 복수개의 제 2 부분을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제 1 부분의 내부면의 경사각은 상기 제 2 부분의 내부면의 경사각보다 큰 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 전극 리드는 상기 하우징을 관통한 부분에서 상기 하우징의 외부면 상으로 구부려진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 전극 리드는 상기 하우징의 후방으로 구부려진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 전극 리드의 단부는 측방으로 더 신장되어 제 2 방향의 상기 하우징 외부면 상으로 구부려진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 하우징의 제 1 방향의 외부면은:
    상기 하우징 벽의 외부면; 및
    상기 하우징 벽 후방에 하부 리세스를 형성하는 리드 수용면을 포함하되,
    상기 전극 리드는 상기 리드 수용면 상으로 구부려져 상기 리세스에 배치된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 청구항 7에 있어서,
    상기 전극 리드는 상기 제 1 방향 외부면 및 상기 제 1 방향 외부면 측방의 제 2 방향 외부면 상에 배치된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 제 2 방향 외부면은:
    상기 하우징 벽의 외부면; 및
    상기 하우징 벽의 외부면 후방에 측부 리세스를 형성하는 리드 수용면을 가지되,
    상기 전극 리드는 상기 하부 리세스를 지나 상기 측부 리세스에 배치된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2011077750A1 (ja) 2009-12-25 2011-06-30 株式会社Ihi 磁石体及び磁石体を用いたドラッグデリバリー制御装置
JP5734581B2 (ja) * 2010-05-21 2015-06-17 シャープ株式会社 半導体発光装置
CN102918118A (zh) 2010-06-01 2013-02-06 株式会社Ihi 荧光色素材料及其使用方法
EP2657223B1 (en) 2010-12-21 2017-06-28 IHI Corporation Metal-salen complex compound and production method for same
JP5978572B2 (ja) * 2011-09-02 2016-08-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN103178198A (zh) * 2011-12-23 2013-06-26 深圳路明半导体照明有限公司 一种金属反射腔体的贴片式led支架
JP6034175B2 (ja) * 2012-01-10 2016-11-30 ローム株式会社 Ｌｅｄモジュール
KR102486035B1 (ko) * 2016-01-28 2023-01-06 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 소자 패키지 및 이를 구비한 발광 장치
CN109461705B (zh) * 2018-11-13 2021-10-15 中国电子科技集团公司第十三研究所 陶瓷封装外壳

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004193537A (ja) * 2003-02-21 2004-07-08 Nichia Chem Ind Ltd 発光装置およびそれを用いた面状光源
KR100999794B1 (ko) * 2003-11-03 2010-12-08 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100665216B1 (ko) 2005-07-04 2007-01-09 삼성전기주식회사 개선된 측벽 반사 구조를 갖는 측면형 발광다이오드
JP4715422B2 (ja) * 2005-09-27 2011-07-06 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR100775574B1 (ko) 2006-04-20 2007-11-15 알티전자 주식회사 고효율 발광 다이오드 패키지
JP2008010562A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Nippon Leiz Co Ltd 光源装置および平面照明装置
KR100813633B1 (ko) * 2006-07-11 2008-03-14 알티전자 주식회사 사이드 뷰 발광다이오드 패키지
KR100801226B1 (ko) 2006-07-20 2008-02-11 김교훈 차량용 보조 공기 정화기

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