KR20080041794A - 발광 다이오드 패키지 - Google Patents

발광 다이오드 패키지 Download PDF

Info

Publication number
KR20080041794A
KR20080041794A KR1020060109842A KR20060109842A KR20080041794A KR 20080041794 A KR20080041794 A KR 20080041794A KR 1020060109842 A KR1020060109842 A KR 1020060109842A KR 20060109842 A KR20060109842 A KR 20060109842A KR 20080041794 A KR20080041794 A KR 20080041794A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
package
lead frame
led chip
trench
light emitting
Prior art date
Application number
KR1020060109842A
Other languages
English (en)
Inventor
박현주
신현수
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020060109842A priority Critical patent/KR20080041794A/ko
Publication of KR20080041794A publication Critical patent/KR20080041794A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48257—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a die pad of the item

Landscapes

  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로서, 한 쌍 이상의 리드 단자로 형성된 리드 프레임과, 상기 리드 프레임의 일부를 내측에 수용하고, 빛이 방사되도록 오픈된 방사창을 가지도록 형성된 패키지와, 상기 패키지 내부에 위치하는 리드 프레임 상에 실장된 LED 칩과, 상기 LED 칩과 상기 리드 프레임의 통전을 위한 전극 연결부 및 상기 패키지 내부에 충진된 몰딩재를 포함하고, 상기 리드 프레임은 상기 패키지와 접하는 표면 및 상기 패키지 내부에 수용되어 LED 칩이 실장되는 표면에 형성된 하나 이상의 트렌치를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
발광다이오드, 패키지, 광추출, 수분침투, 리드프레임

Description

발광 다이오드 패키지{LIGHT EMITTING DIODE PACKAGE}
도 1은 일반적인 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 개략도.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 상세히 나타낸 단면도.
도 3은 도 1의 I-I'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 상세히 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 리드 프레임 구조를 상세히 나타낸 개략도.
도 5는 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
120 : 패키지 130 : 리드 프레임
130a, 130b : 리드 단자 140 : LED 칩
145 : 전도성 접합제 150 : 와이어
160 : 몰딩재 200 : 트렌치
300 : 반사막
본 발명은 발광 다이오드 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는 리드프레임의 일부가 내측에 수용된 패키지에 있어서, 형광체로 인한 광의 흡수를 최소화하는 동시에 패키지 내로 침투되는 수분의 양을 최소화할 수 있는 발광 다이오드 패키지에 관한 것이다.
일반적으로 발광 다이오드(Light Emitting Diode : LED)는 반도체의 p-n 접합구조를 이용하여 주입된 소수캐리어(전자 또는 정공)를 만들어내고, 이들의 재결합에 의하여 발광시키는 전자부품이다. 즉, 특정 원소의 반도체에 순방향 전압을 가하면 양극과 음극의 접합 부분을 통해 전자와 정공이 이동하면서 서로 재결합하는데 전자와 정공이 떨어져 있을 때 보다 작은 에너지가 되므로 이때 발생하는 에너지의 차이로 인해 빛을 방출한다.
이러한 발광 다이오드는 저전압으로 고효율의 광을 조사할 수 있음으로 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화기기 등에 사용된다.
특히, 정보 통신기기의 소형화, 슬림화 추세에 따라 기기의 각종 부품인 저항, 콘덴서, 노이즈 필터 등은 더욱 소형화되고 있으며, 발광 다이오드도 인쇄회로기판(Printed Circuit Board : PCB)에 직접 실장하기 위하여 표면실장소자(Surface Mount Device, 이하, SMD라 한다)형으로 만들어지고 있다.
이러한 SMD 방식의 발광 다이오드 패키지는 그 사용도에 따라 탑뷰(Top view) 방식과 사이드뷰(Side view) 방식으로 제조되고 있다.
그러면, 이하 도 1 및 도 2를 참조하여 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
우선, 도 1은 일반적인 발광 다이오드 패키지의 구조를 나타낸 개략도로서, 몰딩 에폭시 수지 등의 합성수지재로 이루어진 패키지(120)를 가지며, 상기 패키지(120)의 소정면은 빛이 방사되기 용이하도록 오픈된 방사창이 형성되고, 다른 면에는 인쇄회로기판(도시하지 않음)에 장착되도록 리드 프레임(130)을 형성하는 한 쌍 또는 그 이상의 리드 단자(130a, 130b)가 돌출되어 있다. 또한, 상기와 같이 구성된 패키지(120)의 내부에는 LED 칩(140)이 그 발광면이 상기 방사창을 향하도록 배치되며, 와이어(150)를 통해 상기 리드 프레임(130)과 LED 칩(140)이 전기적으로 연결되어 있다.
이하, 도 2를 참조하여 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지에 대하여 보다 구체적으로 설명하기로 한다.
도 2는 도 1의 I-I'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 상세히 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 종래 기술에 따른 발광 다이오드 패키지는, 한 쌍의 또는 그 이상의 리드 단자(130a, 130b)로 형성된 리드 프레임(130)과, 상기 리드 프레임(130)의 일부를 내측에 수용하도록 패키지(120)와, 상기 패키지(120) 내부의 리 드 프레임(130) 상에 실장된 LED 칩(140)과, 상기 패키지(120) 내부에 충진되어 상기 LED 칩(140) 및 와이어(150)를 보호하는 몰딩재(160)로 이루어진다.
특히, 상기 LED 칩(140)을 보호하기 위한 몰딩재(160)는 구현하려는 LED 칩(140)의 색상에 따라 투명 재료나 형광체가 포함되어 있는 투광성 수지로 이루어져 있다.
한편, 일반적으로 LED 칩의 특성을 결정하는 일반적인 기준은 색(color), 휘도, 휘도의 세기 범위등이며, 이러한 LED 칩의 특성은 1차적으로 LED 칩에 사용되는 화합물 반도체의 재료에 의해 결정되지만, 2차원적인 요소로 칩을 실장하기 위한 리드 프레임 및 패키지의 구조에 의해서도 큰 영향을 받는다. 특히, 이러한 리드 프레임 및 패키지의 구조는 LED 소자의 신뢰성에 큰 영향을 미치게 된다.
그런데, 상술한 발광 다이오드 패키지는 그 구조에 따라 넓은 휘도 분포를 갖을 뿐만 아니라, LED 칩을 패키지의 몰딩재 내에 실장하고 있기 때문에 몰딩재 내부의 흡수에 의하여 LED 칩 자체에서 발광하는 광도에 비하여 몰딩재를 거쳐 발광하는 광도가 낮아져 광효율이 떨어지게 되는 문제가 있다.
또한, 상술한 발광 다이오드 패키지의 LED 칩(140)은, 도 2에 도시된 바와 같이, 한 쌍의 리드 단자(130a, 130b)로 이루어진 리드 프레임(130)의 일부가 내측에 수용되도록 몰딩 에폭시 수지 등의 사출물이 몰드(mold)되어 형성된 패키지(120) 내에 위치되어 있다.
그러나, 상기와 같이, 상기 리드 프레임(130)의 일부가 사출물에 의해 몰드된 패키지(120)의 내측에 수용되게 형성되면, 상기 리드 프레임(130)과 상기 패키 지(120)가 접하는 계면에 틈(gap)이 발생되고, 그 틈은 상기 패키지(120) 외부의 수분이 패키지(120) 내부로 침투하게 되는 수분 침투 경로(화살표 참조) 역할을 하는 문제가 있다.
이와 같이, 상기 패키지(120) 내부로 수분이 침투되면 수분에 취약한 특성을 갖는 LED 칩(140)에 악 영향을 주어 발광 다이오드 패키지의 신뢰성이 떨어진다. 즉, 수분으로부터 발광 다이오드 패키지의 품질 안정성을 확보하기 어려운 문제가 있다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 상기 패키지와 접하는 리드 프레임 표면 및 패키지 내에 수용되는 리드 프레임 표면에 하나 이상의 트렌치를 구비함으로써, 수분 침투의 경로를 길게 하여 상기 패키지와 리드프레임의 접합 계면으로 수분이 침투되는 것을 최소화할 수는 동시에 몰딩재로 흡수되는 광의 반사율을 향상시켜 광 추출 효율을 향상시킬 수 있는 발광 다이오드 패키지를 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 한 쌍 이상의 리드 단자로 형성된 리드 프레임과, 상기 리드 프레임의 일부를 내측에 수용하고, 빛이 방사되도록 오픈된 방사창을 가지도록 형성된 패키지와, 상기 패키지 내부에 위치하는 리드 프레 임 상에 실장된 LED 칩과, 상기 LED 칩과 상기 리드 프레임의 통전을 위한 전극 연결부 및 상기 패키지 내부에 충진된 몰딩재를 포함하고, 상기 리드 프레임은 상기 패키지와 접하는 표면 및 상기 패키지 내부에 수용되어 LED 칩이 실장되는 표면에 형성된 하나 이상의 트렌치를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지를 제공한다.
또한, 상기 본 발명의 발광 다이오드 패키지에서, 상기 전극 연결부는 상기 LED 칩과 리드 단자를 전기적으로 연결하기 연결 수단으로 사용되므로, 전도성 접합제 또는 와이어로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지에서, 상기 LED 칩은, 상기 LED 칩과 리드 프레임 사이 계면에 위치하는 전도성 접합제에 의해 상기 리드 프레임 상에 고정된 것이 바람직하다.
즉, 본 발명은 상기 전도성 접합제를 통해 상 LED 칩이 리드 프레임 상에 안정적으로 고정되는 동시에 LED 칩이 와이어 등과 같은 별도의 연결 배선 없이 리드 프레임의 리드 단자와 전기적으로 연결되므로, 와이어에 의하여 발광면이 손실되는 것을 방지할 수 있다. 이때, 상기 전도성 접합제는 투명한 도전성 물질 또는 은으로 이루어진 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지에서, 상기 트렌치는 상기 패키지와 접하는 리드 프레임의 상면 또는 하면에 형성되는 것이 바람직하며, 상기 패키지와 접하는 리드 프레임의 상면과 하면에 동시에 형성될 경우엔, 이웃하는 트렌치와 이격되게 형성되는 것이 바람직하다. 이는 상기 트렌치로 인해 리드 프레 임의 두께가 두꺼워지고, 트렌치를 형성할 때 리드 프레임에 손상이 가는 것을 방지하기 위함이다.
또한, 상기 본 발명의 발광 다이오드 패키지에서, 상기 트렌치는 상기 리드 프레임과 일체로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 발광 다이오드 패키지에서, 상기 트렌치는 홈의 형상으로 이루어지는 것이 바람직하며, 더욱 구체적으로 상기 홈의 깊이는, 상기 리드 프레임의 두께보다 작게 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 본 발명의 발광 다이오드 패키지에서, 상기 몰딩재는, 상기 패키지에 실장된 LED 칩을 보호하는 동시에 LED 칩에서 발광하는 광을 외부로 투과시키기 위해 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나로 이루어짐이 바람직하다.
이하 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 병기하였다.
이제 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지에 대하여 도 3 및 앞서 설명한 도 1을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
도 3은 도 1의 I-I'선을 따라 잘라 도시한 도면으로서, 본 발명에 따른 발광 다이오드 패키지의 구조를 상세히 나타낸 단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드 패키지는, 중앙에 캐비티(cavity)가 형성된 투명 합성수지재 또는 불투명 합성수지재 중 어느 하나로 이루어진 패키지(120)를 가지며, 상기 패키지(120)의 소정면은 빛이 방사되기 용이하도록 오픈된 방사창이 형성되고, 다른 면에는 인쇄회로기판(도시하지 않음)에 장착되도록 리드프레임(130)을 형성하는 한 쌍의 리드 단자(130a, 130b)의 일부분이 돌출되어 있다. 한편, 도시하지는 않았지만 상기 리드 단자는 한 쌍 이상 형성될 수 있으며, 돌출되는 개수 역시 소자의 특성 및 공정 조건에 따라 변경 가능하다.
그리고, 상기와 같이 구성된 패키지(120)의 내부에는 상기 LED 칩(140)이 그 발광면이 상기 패키지(120)의 방사창을 향하도록 배치되며, 전극 연결부인 전도성 접합제(144) 또는 와이어(150)에 의해 상기 리드 프레임(130)을 구성하는 한 쌍의 리드 단자(130a, 130b)와 LED 칩(140)이 전기적으로 연결되어 있다.
보다 상세하게, 상기 LED 칩(140)은 전극 연결부인 전도성 접합제(145)를 통해 상기 리드 프레임(130)을 구성하는 한 쌍의 리드 단자(130a, 130b) 중 어느 하나의 리드 단자(130a) 상에 전기적으로 연결되게 실장되어 있으며, 다른 하나의 리드 단자(130b)와는 와이어(150)를 통해 전기적으로 연결되어 있다. 즉, 상기 LED 칩(140)과 리드 프레임(130)은 그 사이 계면에 형성된 전도성 접합제(145)를 통해 전기적으로 연결되는 동시에 리드 프레임(130)의 리드 단자(130a) 상에 LED 칩(140)이 고정된다.
따라서, 본 발명은 상기 전도성 접합제(145)를 통해 상기 LED 칩(140)을 리드 프레임(130) 상에 안정적으로 고정하는 동시에 종래와 달리 LED 칩(140)의 일부가 와이어 등과 같은 별도의 연결 배선 없이 리드 프레임(130)의 리드 단자(130a)와 전기적으로 연결되므로, 와이어(150)에 의하여 발광면이 손실되는 것을 최소화할 수 있다. 이때, 상기 전도성 접합제(145)는 투명한 도전성 물질 또는 은으로 이루어진 것이 바람직하다.
그리고, 상기 LED 칩(140)은 리드프레임(130) 상에 실장되어 있으며, 상기 LED 칩(140)이 실장된 패키지(120) 내부에는 LED 칩(140) 및 와이어(150)를 보호하는 몰딩재(160)가 충진되어 있다. 여기서, 상기 몰딩재(160)는, 상기 패키지(120)에 실장된 LED 칩(140)에서 발광하는 광을 외부로 투과시키기 위해 투명 에폭시, 실리콘 또는 형광체 혼합물 중 선택된 어느 하나로 이루어짐이 바람직하다.
특히, 본 발명에 따른 리드 프레임(130)은 상기 패키지(120)와 접하는 표면 및 상기 패키지 내부에 수용되어 LED 칩(140)이 실장되는 표면에 하나 이상의 트렌치(200)가 형성되어 있다.
상기 트렌치(200)는, 상기 LED 칩(140)으로부터 발광하여 상기 몰딩재(160)로 흡수되는 광을 트렌치(200)의 내벽을 통해 상기 패키지(120)의 방사창을 향하도록 반사시켜 광 추출 효율을 향상시키는 역할 및 상기 리드 프레임(130)과 패키지(120)가 접하는 계면에 형성된 틈으로 패키지(120) 외부에 존재하는 수분이 내부로 침투되는 것을 차단하는 역할을 한다. 또한, 상기 리드 프레임(130)과 패키 지(120)가 접하는 리드 프레임(130)의 표면에 형성된 트렌치(200)는 상기 패키지(120)와 리드 프레임(130)을 고정하는 역할을 할 수 있다.
보다 상세하게, 상기 트렌치(200)는 상기 리드 프레임(130)과 일체로 형성되어 있으며, 홈의 형상을 가진다. 다시 말해, 본 발명은 종래 패키지(120)와 접하는 평탄한 리드 프레임(130, 도 2 참조)의 표면을 통해 침투되던 수분의 침투 경로를 리드 프레임(130)과 일체로 형성되어 홈의 형상을 갖는 트렌치(200)의 내벽을 통해 길게 형성함으로써, 즉, 상기 패키지(120)와 접하는 리드 프레임(130)의 표면이 수분 침투의 저항면을 갖게 하여 수분 침투를 최소화한다.
또한, 상기 트렌치(200)를 이루는 홈의 깊이는, 상기 리드 프레임(130)의 두께보다 작게 형성되는 것이 바람직하며, 이는 리드 프레임(130)의 두께가 두꺼워지는 것을 방지하기 위함이다.
한편, 본 실시예에 따른 도 3에서는 상기 패키지(120)와 접하는 리드 프레임(130)에 형성된 트렌치(200)를 상기 패키지(120)과 접하는 리드프레임(130)의 상면에 형성된 것을 도시하고 있으나, 이는 이에 한정되지 않고, 상기 패키지(120)와 접하는 리드 프레임(130)의 상면 또는 하면 중 어느 면에든 형성될 수 있다. 이는 표면실장형 LED 소자의 특성과 공정 특성 및 그 조건에 따라 조절하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 트렌치(200)가 패키지(120)와 접하는 리드 프레임(130)의 상면과 하면에 동시에 형성될 경우엔, 이웃하는 트렌치(200)와 이격되게 형성되는 것이 바람직하다. 이는 상기 트렌치(200)로 인해 리드 프레임(130)의 두께가 두꺼워지는 것을 방지하기 위함이다.
한편, 본 발명은 도 5에 도시된 바와 같이, 상기 패키지(120)의 내부 측벽에 형성된 반사막(300)을 더 구비하여 상기 LED 칩(140)으로부터 발광하는 광이 몰딩재(160)로 흡수되어 소멸되는 것을 더욱 방지할 수 있다.
여기서, 도 5는 본 발명의 일 실시예의 변형예에 따른 발광 다이오드 패키지를 나타낸 단면도이다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만, 당해 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
상기한 바와 같이, 본 발명은, 상기 패키지 내에 수용되는 리드 프레임 표면에 하나 이상의 트렌치를 구비함으로써, 트렌치 내에 몰딩재를 수용하여 몰딩재로 흡수되는 광의 일부를 트렌치의 내벽을 통해 반사시켜 고 휘도의 발광 다이오드 패키지를 제공할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 패키지와 접하는 리드 프레임의 표면에 수분 침투 경 로를 길게 하는 트렌치를 구비함으로써, 상기 패키지와 리드 프레임이 접하는 계면을 통해 패키지 내부로 침투되는 수분의 양을 최소화하고, 상기 리드 프레임으로부터 상기 패키지를 몰드 공정 시, 안정되게 고정시킬 수 있다.
따라서, 본 발명은 고온고습 보존, 고온고습 동작 또는 on/off 검사, 온습도 주기 등의 항목에서 품질 안정성을 확보하여 발광 다이오드 패키지의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.

Claims (9)

  1. 한 쌍 이상의 리드 단자로 형성된 리드 프레임;
    상기 리드 프레임의 일부를 내측에 수용하고, 빛이 방사되도록 오픈된 방사창을 가지도록 형성된 패키지;
    상기 패키지 내부에 위치하는 리드 프레임 상에 실장된 LED 칩;
    상기 LED 칩과 상기 리드 프레임의 통전을 위한 전극 연결부; 및
    상기 패키지 내부에 충진된 몰딩재;를 포함하고,
    상기 리드 프레임은 상기 패키지와 접하는 표면 및 상기 패키지 내부에 수용되어 LED 칩이 실장되는 표면에 형성된 하나 이상의 트렌치를 갖는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 전극 연결부는, 상기 LED 칩과 리드 단자를 전기적으로 연결하기 위한 전도성 접합제 또는 와이어로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 전도성 접합제는, 투명한 도전성 물질 또는 은으로 이루어진 것을 특징 으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 LED 칩은, 상기 LED 칩과 리드 프레임 사이 계면에 위치하는 전도성 접합제에 의해 상기 리드 프레임 상에 고정된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 트렌치 중 상기 패키지와 접하는 리드 프레임의 표면에 형성되는 트렌치는, 상기 리드 프레임의 상면 또는 하면에 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 리드프레임의 상면에 형성된 트렌치는, 하면에 형성된 트렌치와 이격되어 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  7. 제1항 또는 제5항에 있어서,
    상기 트렌치는, 상기 리드 프레임과 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 트렌치의 깊이는, 상기 리드 프레임의 두께보다 작은 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 몰딩재는, 투명 에폭시, 실리콘 및 형광체 혼합물로 이루어진 그룹 중 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 패키지.
KR1020060109842A 2006-11-08 2006-11-08 발광 다이오드 패키지 KR20080041794A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060109842A KR20080041794A (ko) 2006-11-08 2006-11-08 발광 다이오드 패키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060109842A KR20080041794A (ko) 2006-11-08 2006-11-08 발광 다이오드 패키지

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20080041794A true KR20080041794A (ko) 2008-05-14

Family

ID=39648750

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060109842A KR20080041794A (ko) 2006-11-08 2006-11-08 발광 다이오드 패키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20080041794A (ko)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100270576A1 (en) * 2009-04-23 2010-10-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package
CN102104105A (zh) * 2009-12-16 2011-06-22 三星电机株式会社 用于光学元件的封装基板及其制备方法
CN102760824A (zh) * 2011-04-29 2012-10-31 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
KR20130022051A (ko) * 2011-08-24 2013-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR20130114872A (ko) * 2012-04-10 2013-10-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
US8698185B2 (en) 2010-02-17 2014-04-15 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light unit having improved electrode and chip structures with concave/convex shapes
KR20140057929A (ko) * 2012-11-05 2014-05-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20150007735A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
EP3361519A1 (en) * 2009-12-01 2018-08-15 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
CN114335288A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 广东良友科技有限公司 一种多层引线框的led封装器件及其制备方法

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8492912B2 (en) 2009-04-23 2013-07-23 Samsung Electronics Co., Ltd. Light emitting diode package
US20100270576A1 (en) * 2009-04-23 2010-10-28 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Light emitting diode package
US10388840B1 (en) 2009-12-01 2019-08-20 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
EP3361519A1 (en) * 2009-12-01 2018-08-15 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US10749092B2 (en) 2009-12-01 2020-08-18 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US10446730B2 (en) 2009-12-01 2019-10-15 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
US10230036B2 (en) 2009-12-01 2019-03-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and method of manufacturing the same
CN102104105A (zh) * 2009-12-16 2011-06-22 三星电机株式会社 用于光学元件的封装基板及其制备方法
US8603842B2 (en) 2009-12-16 2013-12-10 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing package substrate for optical element
US8698185B2 (en) 2010-02-17 2014-04-15 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light unit having improved electrode and chip structures with concave/convex shapes
CN102760824A (zh) * 2011-04-29 2012-10-31 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构
KR20130022051A (ko) * 2011-08-24 2013-03-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR20130114872A (ko) * 2012-04-10 2013-10-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
KR20140057929A (ko) * 2012-11-05 2014-05-14 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 이를 구비한 조명 시스템
KR20150007735A (ko) * 2013-07-12 2015-01-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지
CN114335288A (zh) * 2021-12-30 2022-04-12 广东良友科技有限公司 一种多层引线框的led封装器件及其制备方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20080041794A (ko) 발광 다이오드 패키지
KR100855065B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR100775574B1 (ko) 고효율 발광 다이오드 패키지
KR101361575B1 (ko) 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR100969144B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR20090039261A (ko) 발광다이오드 패키지
KR100769720B1 (ko) 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드
KR20090044306A (ko) 발광다이오드 패키지
KR100643919B1 (ko) 렌즈를 구비한 발광 다이오드 패키지
KR100604408B1 (ko) 발광 다이오드 패키지
KR100815227B1 (ko) 표면실장형 발광 다이오드 소자
KR20090040097A (ko) 발광다이오드 패키지
KR101367381B1 (ko) Ｌｅｄ 패키지
JP5406691B2 (ja) 半導体発光装置
KR100748241B1 (ko) 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드 및 그 제조방법
KR20120020459A (ko) 발광 다이오드
KR20080081747A (ko) 표면실장형 발광다이오드 소자
KR101337602B1 (ko) 발광소자
KR100749666B1 (ko) 방열돌기를 갖는 측면 발광형 ｌｅｄ 패키지
KR20090047888A (ko) 발광다이오드 패키지
KR20090047879A (ko) 발광다이오드 패키지
KR20090047306A (ko) 발광다이오드 패키지
KR100888815B1 (ko) 발광다이오드 패키지
KR20070025008A (ko) 렌즈 장착식 발광다이오드 패키지
KR20080019873A (ko) 표면실장형 발광다이오드 소자

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E601 Decision to refuse application