DE102005013264B4 - Herstellverfahren für eine Festkörperelementvorrichtung - Google Patents

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Abstract

Herstellverfahren für eine Festkörperelementvorrichtung, wobei das Verfahren aufweist:Anordnen einer Glasplatte aus einem Glasmaterial mit niedrigem Schmelzpunkt parallel zu einem Befestigungssubstrat (3), auf dem ein Festkörperelement (2) befestigt ist, und dannHeißpressen der Glasplatte, so dass das Glasmaterial mit dem Befestigungssubstrat (3) verbunden wird, um einen anorganischen Versiegelungsabschnitt (6) zu bilden, der das Festkörperelement (2) versiegelt,wobei das Festkörperelement (2) eine Mehrfachschichtelektrode (27) sowie einen Verbindungsabschnitt (5) aufweist, der mit einem auf dem Befestigungssubstrat (3) ausgebildeten Leiterbahnabschnitt (4) verbunden ist,wobei das Festkörperelement (2) eine Halbleiterschicht (21-25), die auf einem Substrat (20) ausgebildet ist, aufweist,wobei die Halbleiterschicht eine erste Schicht (23), die einem Emissionsbereich des Festkörperelementes (2) entspricht, und eine zweite Schicht (25) aufweist, durch die der ersten Schicht (23) Strom von der Mehrfachschichtelektrode (27) zugeführt wird;wobei eine Lichtaustrittsoberfläche, durch die von der ersten Schicht (23) emittiertes Licht nach außen austritt, auf der Seite des Substrats (20) angeordnet ist;wobei die Mehrfachschichtelektrode (27) ein erstes leitendes Material (27A) aufweist, das in ohmschem Kontakt mit der zweiten Schicht (25) steht;die Mehrfachschichtelektrode (27) einen oder mehrere Bereiche aufweist, die das erste leitende Material (27A) aufweisen und einen Teil einer Oberfläche der zweiten Schicht (25) bedecken;ein zweites leitendes Material (27B, 27D) einen anderen Teil der Oberfläche der zweiten Schicht (25) bedeckt;das zweite leitende Material (27B, 27D) verschieden von dem ersten leitenden Material (27A) ist und einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der näher bei dem der Halbleiterschicht (21-25) als bei dem des ersten leitenden Materials (27A) liegt.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Herstellverfahren für eine Festkörperelementvorrichtung. In der Festkörperelementvorrichtung werden die durch Wärmeverspannung hervorgerufene Separation einer Elektrode und die Reduktion der Verbindungsfestigkeit verhindert, so dass Licht effizient vom Inneren der Vorrichtung austritt.
  • Einschlägiger Stand der Technik dazu findet sich in der Druckschrift US 2002 / 0 093 023 A1 „III-Phosphide and III-Arsenide Flip Chip Light-Emitting Devices“, in der Druckschrift DE 102 21 504 A1 „Mehrchip-LED-Halbleiteranordnung“, in der Druckschrift US 2002 / 0 063 256 A1 „Method and Structure for forming an Electrode on a Light Emitting Device“, in der Druckschrift DE 10 2004 029 216 A1 „Flip-Chip-Nitridhalbleiter-Leuchtdiode“, in der Druckschrift DE 101 62 223 A1 „Light-Emitting Device and Production thereof“, in der Druckschrift US 6 614 056 B1 „Scalable LED with improved Current Spreading Structures“, in der Druckschrift DE 199 21 987 A1 „Licht-abstrahlende Halbleitervorrichtung mit Gruppe-III-Element-Nitrid-Verbindungen“ und in der nachveröffentlichen Druckschrift EP 2 596 948 A2 „Method of making a semiconductor device“.
  • Eine bekannte Festkörperelementvorrichtung ist eine Lichtemissionsvorrichtung, bei der eine LED (Lichtemissionsdiode) als Festkörperelement auf einem Substrat mit einem Leitungsrahmen oder einem Leiterbahnmuster befestigt ist. Bei der das LED-Element verwendenden Lichtemissionsvorrichtung ist es wichtig, dass innerhalb des LED-Elementes eingeschlossenes Licht zur Verbesserung der externen Abstrahlungseffizienz reduziert wird, damit eine Vorrichtung mit hoher Leuchtkraft oder hoher Ausgabe vorliegt.
  • Eines der LED-Elemente ist ein LED-Element in der Chipwendebauart („Flip-Chip-Type“), bei der eine Halbleiterschicht auf einem transparenten Substrat wie etwa aus Saphir ausgebildet ist, und Licht aus der Seite des transparenten Substrates austritt. Das LED-Element in Chipwendebauart zeigt eine ausgezeichnete äußere Abstrahlungseffizienz, da es keinen optischen Verlust in der Halbleiterschicht oder einer Passivierungsschicht erzeugt. Bei der Vorrichtungsbefestigung wird das LED-Element in der Chipwendebauart mit einem Leiterbahnelement wie etwa einem Leitungsrahmen innerhalb eines Rückflussofens bei einer Temperatur von 250 bis 300°C gewendet verbunden.
  • In letzter Zeit wurde als für die elektrische Verbindung des LED-Elementes verwendetes Lötmittel ein bleifreies Lötmittel im Hinblick auf Umweltschutzerwägungen erforscht. Das bleifreie Lötmittel weist einen höheren Schmelzpunkt als ein bleienthaltendes Lötmittel auf, weswegen sich das Problem ergibt, dass die Emissionseffizienz aufgrund eines Anstiegs bei den Wärmeverspannungen beim Chipwendeverbinden des LED-Elementes verringert wird.
  • Die Druckschrift JP H11 - 150 297 A (Druckschrift 1) offenbart ein Nitridhalbleiterlichtemissionselement, bei dem die p-Elektrode zur Verbesserung der Emissionseffizienz eines derartigen LED-Elementes in Chipwendebauart mehrfach geschichtet ist.
  • Das Nitridhalbleiterlichtemissionselement setzt sich aus einer ersten positiven Elektrode, die in ohmschem Kontakt mit einer Halbleiterschicht auf p-GaN-Basis steht, und einer auf der ersten positiven Elektrode ausgebildeten zweiten positiven Elektrode zusammen. Die zweite positive Elektrode beinhaltet eine Schicht aus Gold oder Platin, die in Kontakt mit der ersten positiven Elektrode steht, damit eine unmittelbar unter der zweiten positiven Elektrode angeordnete Lichtemissionsschicht zur Emission von Licht befähigt wird (vergleiche Absatz [0012] und 1 von Druckschrift 1).
  • Gemäß Druckschrift 1 ergibt sich jedoch das Problem, dass die Elektrodenschicht von der Halbleiterschicht aufgrund einer Differenz bei dem Wärmeausdehnungskoeffizient zwischen diesen unter Hochtemperaturbedingungen wie etwa beim Rückflussvorgang separiert (abgeschält) werden kann, da die erste und die zweite positive Elektrode in einer kontinuierlichen ebenen Fläche ausgebildet werden.
  • Demzufolge liegt der vorliegenden Erfindung die Aufgabe zugrunde, ein Herstellverfahren für eine Festkörperelementvorrichtung unter Verwendung eines Festkörperelementes bereitzustellen, welche die Separation ihrer Elektrodenschicht aufgrund einer Differenz beim Wärmeausdehnungskoeffizient vermeiden kann.
  • Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß jeweils durch das in dem beigefügten unabhängigen Anspruch definierte Verfahren gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen davon finden sich in den abhängigen Ansprüchen.
  • Beispiele und bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachstehend unter Bezugnahme auf die Zeichnung beschrieben.
  • Es zeigen:
    • 1 eine Schnittansicht einer Lichtemissionsvorrichtung als Festkörperelementvorrichtung bei einem ersten Beipiel;
    • 2 eine Schnittansicht eines LED-Elementes aus 1;
    • 3A eine Unteransicht des LED-Elementes aus 2, gesehen von einer Elektrodenausbildungsoberfläche des LED-Elementes aus;
    • 3B eine Schnittansicht entlang der Linie A-A aus 2;
    • 3C eine Unteransicht einer Abwandlung einer p-Mehrfachschichtelektrode 27 aus 3B;
    • 4 eine Schnittansicht eines LED-Elementes bei einem zweiten Beispiel;
    • 5A eine Schnittansicht einer Abwandlung (Lichtaustrittsstruktur) des LED-Elementes aus 4;
    • 5B eine Draufsicht des LED-Elementes aus 5A, gesehen von einer Position B in 5A aus;
    • 6A eine Schnittansicht eines LED-Elementes bei einem dritten Beispiel;
    • 6B eine Draufsicht des LED-Elementes aus 6A, gesehen von einer Position B in 6A aus;
    • 7A eine Schnittansicht eines LED-Elementes bei einem vierten Beispiel;
    • 7B eine Draufsicht des LED-Elementes aus 7A, gesehen aus einer Position B in 7A aus;
    • 8 eine Schnittansicht eines LED-Elementes bei einem fünften Beispiel;
    • 9A eine Unteransicht eines LED-Elementes (gesehen von seiner Elektrodenausbildungsoberfläche aus) bei einem sechsten Beispiel;
    • 9B eine Schnittansicht entlang einer Linie C-C aus 9A;
    • 10 eine Unteransicht eines LED-Elementes (gesehen von seiner Elektrodenausbildungsoberfläche aus) bei einem siebten Beispiel;
    • 11A eine Schnittansicht eines LED-Elementes (das auf einem Al2O3-Substrat 32 befestigt ist) bei einem achten Beispiel;
    • 11B eine Draufsicht des Al2O3-Substrats 32 aus 11A mit einem darauf ausgebildeten Schaltungsmuster;
    • 12A eine Schnittansicht eines LED-Elementes bei einem neunten Beispiel;
    • 12B eine Draufsicht des LED-Elementes aus 12A;
    • 12C ein Diagramm zur Darstellung von kritischen Winkeln;
    • 13 eine Schnittansicht eines LED-Elementes (das auf einem Al2O3-Substrat 32 befestigt ist) bei einem zehnten Beispiel;
    • 14 eine Draufsicht eines LED-Elementes (gesehen von seiner Elektrodenausbildungsoberfläche aus) bei einem elften Beispiel; und
    • 15 eine Draufsicht eines LED-Elementes (gesehen von seiner Elektrodenausbildungsoberfläche aus) bei einem zwölften Beispiel.
  • [Erstes Beispiel]
  • (Zusammensetzung der Lichtemissionsvorrichtung 1)
  • 1 zeigt eine Schnittansicht einer Lichtemissionsvorrichtung als einer Festkörperelementvorrichtung bei dem ersten Beispiel.
  • Die Lichtemissionsvorrichtung 1 setzt sich zusammen aus: einem LED-Element 2 in Chipwendebauart als Festkörperelement aus einem Halbleiter auf GaN-Basis; einem Al2O3-Substrat 3, auf dem das LED-Element 2 befestigt ist; einem Schaltungsmuster 4, das aus Wolfram/Nickel/Gold (W/Ni/Au) zusammengesetzt und auf dem Al2O3-Substrat 3 ausgebildet ist; einem Goldkontaktkügelchen 5, das als Verbindungsabschnitt zur Verbindung zwischen dem LED-Element 2 und dem Schaltungsmuster 4 ausgebildet ist; und einem Glasversiegelungsmaterial 6, das das LED-Element 2 versiegelt und mit dem Al2O3-Substrat 3 verbunden ist.
  • Das Al2O3-Substrat 3 ist mit einer Durchverbindung 3A zur elektrischen Verbindung zwischen den Schaltungsmustern 4 versehen, die aus Wolfram-Nickel sind und an der vorderen Oberfläche und der Rückoberfläche des Substrates metallisiert sind.
  • Das Glasversiegelungsmaterial 6 ist aus einem Glas mit niedrigem Schmelzpunkt und rechteckig mit einer oberen Fläche 6A und einer Seitenfläche 6B durch Schneiden mit einem Rohchipschneideelement ausgebildet, nachdem es unter Verwendung einer mit dem Al2O3-Substrat 3 zu verbindenden Gussform heißgepresst wurde.
  • (Zusammensetzung des LED-Elementes 2)
  • 2 zeigt eine Schnittansicht des LED-Elementes aus 1.
  • Das LED-Element 2 setzt sich zusammen aus: einem Saphirsubstrat (Al2O3) 20; sowie auf dem Saphirsubstrat 20 sequentiell aufgewachsen: eine AIN-Pufferschicht 21, eine n-GaN-Mantelschicht 22, eine Mehrfachschicht 23 mit einer Lichtemissionsschicht, eine p-AlGaN-Mantelschicht 24, und eine p-GaN-Kontaktschicht 25. Zudem ist es mit einer n-Elektrode 26, die auf einem Teil der n-GaN-Mantelschicht 22 ausgebildet ist, die durch Entfernen der p-GaN-Kontaktschicht 25 durch die n-GaN-Mantelschicht 22 durch einen Ätzvorgang freigelegt ist, sowie mit einer p-Mehrfachschichtelektrode 27 versehen, die auf der Oberfläche der p-GaN-Kontaktschicht 25 ausgebildet ist.
  • (Zusammensetzung der p-Mehrfachschichtelektrode 27)
  • Die p-Mehrfachschichtelektrode 27 setzt sich zusammen aus: einer Rhodiumschicht (Rh) 27A, die als ein Gitter auf der Oberfläche der p-GaN-Kontaktschicht 25 ausgebildet ist; einer Wolframschicht (W) 27B, die auf der Oberfläche der p-GaN-Kontaktschicht 25 und der Rhodiumschicht (Rh) 27A ausgebildet ist; und einer Goldschicht 27C, die auf der Oberfläche der Wolframschicht (W) 27B ausgebildet ist.
  • (Herstellung des LED-Elementes 2)
  • Bei der Herstellung des LED-Elementes 2 wird zunächst das Saphirsubstrat 20 als Wafer bereitgestellt. Dann werden auf dem Saphirsubstrat 20 durch ein bekanntes Verfahren die AIN-Pufferschicht 21, die n-GaN-Mantelschicht 22, die Mehrfachschicht 23 mit einer Lichtemissionsschicht, die p-AlGaN-Mantelschicht 24, die p-GaN-Kontaktschicht 25 und die n-Elektrode 26 ausgebildet.
  • Sodann wird die Rhodiumschicht (Rh) 27A auf der Oberfläche der p-GaN-Kontaktschicht 25 durch einen Abscheidevorgang ausgebildet. Danach wird ein Photoresistlack auf der Oberfläche der Rhodiumschicht (Rh) 27A ausgebildet. Danach wird eine Resistlackmaske in einer Gitterform auf dem Photoresistlack angeordnet, und der Photoresistlack wird entwickelt. Dann wird der entwickelte Teil der Rhodiumschicht (Rh) 27A durch einen Ätzvorgang entfernt. Sodann wird die Resistlackmaske von der Oberfläche der gitterstrukturierten Rhodiumschicht (Rh) 27A entfernt. Danach wird die Wolframschicht (W) 27B darauf durch einen Abscheidevorgang zum Bedecken der gitterstrukturierten Rhodiumschicht (Rh) 27A ausgebildet. Dann wird die Goldschicht 27C auf der Wolframschicht (W) 27B durch einen Abscheidevorgang ausgebildet. Sodann wird das Saphirsubstrat 20 mit den Halbleiterschichten auf GaN-Basis in 0,3 mm × 0,3 mm große Rohchips unterteilt. Somit wird das LED-Element 2 erhalten.
  • (p-Mehrfachschichtelektrode 27)
  • 3A zeigt eine Unteransicht des LED-Elementes aus 2, gesehen von der Elektrodenausbildungsoberfläche des LED-Elementes aus. 3B zeigt eine Schnittansicht entlang der Linie A-A aus 2. 3C zeigt eine Unteransicht einer Abwandlung der p-Mehrfachschichtelektrode 27 aus 3B.
  • Die p-Mehrfachschichtelektrode 27 ist gemäß 3A mit der auf der Oberfläche ausgebildeten Goldschicht 27C bedeckt. Die von der Wolframschicht (W) 27B umgebene gitterstrukturierte Rhodiumschicht (Rh) 27A ist unter der Goldschicht 27C gemäß 3B ausgebildet. Die gitterstrukturierte Rhodiumschicht (Rh) 27A setzt sich aus einer in rechteckigen Punkten ausgebildeten Vielzahl von Regionen zusammen. Die Regionen emittieren Licht, wenn Strom durch die Goldschicht 2C zugeführt wird.
  • Die gitterstrukturierte Rhodiumschicht (Rh) 27A kann derart ausgebildet sein, dass die Bereiche miteinander gemäß 3C verbunden sind. Die Verbindungsart kann derart sein, dass ein Teil der Bereiche regulär oder irregulär verbunden ist.
  • (Herstellung der Lichtemissionsvorrichtung 1)
  • Zunächst wird das Al2O3-Substrat 3 mit der Durchverbindung 3A bereitgestellt. Eine Wolframpaste (W) wird auf die Oberfläche des Al2O3-Substrats 3 gemäß dem Schaltungsmuster 4 siebgedruckt. Sodann wird das Al2O3-Substrat 3 mit der darauf gedruckten Wolframpaste bei 1000°C oder höher wärmebehandelt, so dass das Wolfram auf dem Substrat 3 verbunden ist. Danach wird eine Nickelplattierung und eine Goldplattierung auf dem Wolfram ausgebildet, um das Schaltungsmuster 4 zu bilden. Danach wird das LED-Element 2 durch das Goldkontaktkügelchen 5 mit dem Schaltungsmuster 4 auf der vorderen Oberfläche des Al2O3-Substrats 3 elektrisch verbunden. Sodann wird eine Glasplatte mit niedrigem Schmelzpunkt parallel zu dem Al2O3-Substrat 3 mit darauf befestigtem LED-Element 2 parallel angeordnet, und der Heißpressvorgang wird bei einem Druck von 60 kgf (5,88 MPa) und einer Temperatur von 600°C in einer Stickstoffatmosphäre ausgeführt. Das Glas mit niedrigem Schmelzpunkt wird mit dem Al2O3-Substrat 3 durch darin enthaltene Oxide verbunden. Danach wird das mit dem Glas mit niedrigem Schmelzpunkt integrierte Al2O3-Substrat 3 durch ein Rohchipschneideelement in Rohchips unterteilt, und dadurch wird die rechteckige Lichtemissionsvorrichtung 1 separiert.
  • (Betrieb der Lichtemissionsvorrichtung 1)
  • Wenn eine Spannung durch Verbinden des Schaltungsmusters 4 mit einer (nicht gezeigten) Energieversorgungsquelle verbunden wird, strahlt das LED-Element 2 blaues Licht mit einer Wellenlänge von 460 nm ab, während innerhalb der Mehrfachschicht 23 Licht in ebener Form emittiert wird. Das blaue Licht dringt in das Saphirsubstrat 20 von der Mehrfachschicht 23 durch die n-GaN-Mantelschicht 22 und die AIN-Pufferschicht 21 ein, wobei es in das Glasversiegelungsmaterial 6 von dem Saphirsubstrat 20 eintritt, und aus der oberen Fläche 6A und der Seitenfläche 6B nach außen austritt.
  • (Wirkungen des ersten Beispiels)
  • Bei dem vorstehend beschriebenen ersten Beispiel wird die gitterstrukturierte Rhodiumschicht (Rh) 27A auf der Oberfläche der p-GaN-Kontaktschicht 25 ausgebildet. Dadurch kann die p-GaN-Kontaktschicht 25 mit der p-Mehrfachschichtelektrode 27 in ohmschen Kontakt stehen, und eine gute Verbindungseigenschaft kann dazwischen erhalten werden.
  • Zudem ist die Rhodiumschicht (Rh) 27A gitterstrukturiert, und Wolfram ist mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von etwa 5 × 10-6/°C ausgebildet, was gleich dem der Schichten auf GaN-Basis (der p-AlGaN-Mantelschicht 24 und der p-GaN-Kontaktschicht 25) des LED-Elementes 2 im Vergleich zu einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 8 × 10-6/°C von Rhodium ist. Dadurch kann eine durch eine Differenz beim Wärmeausdehnungskoeffizienten von der Goldschicht (15 × 10-6/°C) mit dem größten Wärmeausdehnungskoeffizienten der Bestandteile verursachte Wärmeverspannung reduziert werden. Daher kann eine Separation (Abschälen) der Elektrodenschicht selbst unter Hochtemperaturverbindungen wie etwa bei einem Glasversiegelungsvorgang und einem Rückflussvorgang vermieden werden. Somit kann ein stabiler Stromfluss in die Mehrfachschicht 23 durchgeführt werden.
  • Ferner kann durch Befestigen des LED-Elementes 2 auf dem Al2O3-Substrat 3 mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten gleich dem LED-Element 2 eine durch eine Differenz im Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem LED-Element 2 und dem Al2O3-Substrat 3 verursachte Wärmeverspannung reduziert werden. Da bei dem vorliegenden Beispiel das LED-Element 2 derart aufgebaut ist, dass die Schichten auf GaN-Basis auf dem Saphirsubstrat 20 (mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 7 × 10-6/°C) ausgebildet sind, kann der gesamte Wärmeausdehnungskoeffizient des LED-Elementes 2 als dem Saphirsubstrat 20 gleich angesehen werden. Indem somit die Verspannung reduziert wird, kann die Separation dazwischen selbst unter Hochtemperaturbedingungen wie etwa bei einem Glasversiegelungsvorgang vermieden werden.
  • Obwohl bei dem ersten Beispiel die Rhodiumschicht (Rh) 27A gitterstrukturiert ist, kann sie ebenso als Netz oder punktiertes Muster in Abweichung von der in 3C gezeigten Abwandlung ausgebildet sein. Ein anderes Elektrodenmaterial für einen ohmschen Kontakt kann Chrom (Cr) mit einer starken Verbindungsfestigkeit sein. Die Musterungsstruktur ist besonders effektiv bei der ohmschen Elektrode für Halbleiterschichten auf GaN-Basis, da sie keine ausreichende Verbindungsfestigkeit wie Halbleiter auf GaAs- oder AlInGaP-Basis aufweisen können, bei denen ihr Elektrodenelement in die Halbleiterschicht diffundiert und eine intermetallische Verbindung dazwischen ausgebildet wird. Die Musterungsstruktur ist außerdem für andere Halbleiter effektiv, bei denen das Elektrodenmaterial wahrscheinlich nicht in die Halbleiterschicht diffundiert. Dieselbe Wirkung kann erhalten werden, selbst wenn das Elektrodenmaterial wahrscheinlich in die Halbleiterschicht diffundiert.
  • Vorzugsweise wird das Elektrodenmaterial wie etwa Rhodium eher durch einen Sputtervorgang als durch eine Elektronenstrahlabscheidung abgeschieden, was ausreichend ist, so dass die Verbindungsfestigkeit mit der Oberfläche der Halbleiter auf GaN-Basis verbessert wird.
  • (Abwandlung des ersten Beispiels)
  • Eine Abwandlung der Lichtemissionsvorrichtung 1 kann eine Lichtemissionsvorrichtung in Wellenlängenumwandlungsbauart sein, bei der ein Leuchtmittel enthaltendes Epoxydharz als Versiegelungsmaterial anstelle des Glasversiegelungsmaterials 6 verwendet wird. Das Leuchtmittel kann beispielsweise Ce:YAG (Yttrium-Aluminium-Granat) sein. Dabei wird das Leuchtmittel durch Licht von 460 nm zur Abstrahlung eines gelb angeregten Lichts von 520 bis 550 nm angeregt. Das gelb angeregte Licht wird mit dem blauen Licht zur Erzeugung von weißem Licht gemischt.
  • [Zweites Beispiel]
  • (Zusammensetzung des LED-Elementes 2)
  • 4 zeigt eine Schnittansicht eines LED-Elementes bei dem zweiten Beispiel.
  • Das LED-Element 2 gemäß dem zweiten Beispiel unterscheidet sich von dem ersten Beispiel dahingehend, dass ein GaN-Substrat 28 (mit einem Brechungsindex von n = 2,4) anstelle des Saphirsubstrats 20 verwendet wird, und dass ein Glas mit hohem Brechungsindex auf Bi-Basis mit einem Brechungsindex von 1,85 verwendet wird. Das GaN-Substrat 28 wird mit einer durch Entfernen des Eckenabschnitts durch einen Schneide- oder Poliervorgang oder ähnlichem ausgebildeten Neigung 28A ausgebildet. Bei dem vorliegenden Beispiel sind gleiche Teile durch dieselben Bezugszeichen wie die beim ersten Beispiel verwendeten angegeben.
  • (Wirkungen des zweiten Beispiels)
  • Bei dem zweiten Beispiel tritt zu den Wirkungen des ersten Beispiels aufgrund der Verwendung des GaN-Substrats 28 hinzu, dass in der Mehrfachschicht 23 erzeugtes Licht die Grenzfläche zwischen dem GaN-Substrat 28 und dem (in 4 nicht gezeigten) Glasversiegelungsmaterial ohne einen optischen Verlust erreichen kann. Da zudem das Versiegelungsmaterial einen hohen Brechungsindex aufweist, und das LED-Element 2 nicht rechteckig sondern mit der Neigung 28A ausgebildet ist, kann in dem LED-Element 2 eingeschlossenes Licht reduziert werden. Dadurch kann die äußere Abstrahlungseffizienz des LED-Elementes 2 bedeutend verbessert werden. Außerdem kann aufgrund der auf dem GaN-Substrat 28 ausgebildeten Neigung 28A von der Mehrfachschicht 23 in Richtung der p-Mehrfachschichtelektrode 27 emittiertes und auf der p-Mehrfachschichtelektrode 27 reflektiertes blaues Licht nach außen austreten. Somit kann die äußere Abstrahlungseffizienz verbessert werden.
  • Da zudem das Versiegelungsmaterial des LED-Elementes 2 aus Glas ausgebildet ist, verschlechtert sich das Versiegelungsmaterial nicht aufgrund von Licht oder von dem LED-Element 2 erzeugter Wärme, und eine Hochbrechungsindexcharakteristik kann erhalten werden. Im Falle des harten Versiegelungsmaterials Glas ist das Auftreten eines Risses aufgrund einer Wärmeverspannung im Vergleich zu Harzen wahrscheinlich. Selbst wenn eine Wärmekontraktion von Glas beim Abkühlungsvorgang nach der Vorrichtungsversiegelung eine große innere Verspannung verursacht, kann jedoch die Neigung 28A die Lokalisierung der Verspannung in dem Glas vermeiden. Somit kann die Lichtemissionsvorrichtung 1 einen Gehäuseriss unter Offerierung einer guten Zuverlässigkeit vermeiden.
  • (Abwandlung)
  • 5A zeigt eine Schnittansicht einer Abwandlung (Lichtaustrittsstruktur) des LED-Elementes aus 4. 5B zeigt eine Draufsicht des LED-Elementes aus 5A, gesehen von Position B aus 5A.
  • Das LED-Element 2 ist mit einem konvexen Abschnitt 22A versehen, bei dem eine Nut 22a auf der Oberfläche des GaN-Substrats 28 durch einen Schneidevorgang ausgebildet ist. Außerdem ist das GaN-Substrat 28 mit einer Neigung 28B versehen, die durch Schneiden des Eckabschnitts durch einen Schneidevorgang oder Poliervorgang oder ähnliches ausgebildet ist. Zudem ist eine kontinuierliche Silberschicht 27 in der p-Mehrfachschichtelektrode 27 anstelle der Wolframschicht 27B ausgebildet.
  • Bei dem somit ausgebildeten LED-Element 2 steigt die Fläche der Lichtaustrittsoberfläche, da das GaN-Substrat 28 eine unebene Lichtaustrittsoberfläche aufweist. Dadurch kann die Lichtaustrittscharakteristik des LED-Elementes 2 verbessert werden. Außerdem kann von der Mehrfachschicht 23 in Richtung der p-Mehrfachschichtelektrode 27 emittiertes und auf der p-Mehrfachschichtelektrode 27 reflektiertes blaues Licht gut nach außen austreten. Somit kann die äußere Abstrahlungseffizienz verbessert werden.
  • [Drittes Beispiel]
  • (Zusammensetzung des LED-Elementes 2)
  • 6 zeigt eine Schnittansicht eines LED-Elementes bei dem dritten Beispiel. 6B zeigt eine Draufsicht des LED-Elementes aus 6A, gesehen aus Position B in 6A.
  • Das LED-Element 2 setzt sich aus dem GaN-Substrat 28 zusammen, wobei die Nut 22a durch Schneiden auf der Lichtaustrittsoberfläche ausgebildet ist, wie in Zusammenhang mit 5A beschrieben ist, und wobei die p-Mehrfachschichtelektrode 27 mit der Wolframschicht (W) 27B gitterstrukturiert ist.
  • (Wirkungen gemäß dem dritten Beispiel)
  • Aufgrund der gitterstrukturierten Wolframschicht (W) 27B kann bei dem dritten Beispiel die Separation der Elektrodenschicht vermieden werden. Zudem weist das p-GaN einen hohen spezifischen Widerstand auf, was die Ausbildung eines Emissionsbereichs gemäß der Struktur von ohmschen Elektroden erlaubt, und die unebene Oberfläche wird gemäß dem Emissionsbereich ausgebildet. Daher kann die Lichtaustrittscharakteristik aus der Halbleiterschicht auf GaN-Basis verbessert werden.
  • [Viertes Beispiel]
  • (Zusammensetzung des LED-Elementes 2)
  • 7A zeigt eine Schnittansicht eines LED-Elementes bei dem vierten Beispiel. 7B zeigt eine Draufsicht des LED-Elementes aus 7A, gesehen aus Position B in 7A.
  • Das LED-Element 2 gemäß dem vierten Beispiel unterscheidet sich von dem ersten Beispiel dahingehend, dass das Saphirsubstrat 20 von dem LED-Element 2 gemäß dem ersten Beispiel unter Verwendung von Laserlicht separiert ist, und anstatt dessen eine wärmehärtende Harzschicht 29 mit einem Brechungsindex von
    n = 2,1 100 µm dick auf der Oberfläche der n-GaN-Mantelschicht 22 ausgebildet ist.
  • Die wärmehärtende Harzschicht 29 ist mit einem konvexen Abschnitt 29A bereitgestellt, bei dem hexagonal konvexe Flächen in einem Zickzackmuster strukturiert sind. Zudem ist die Rhodiumschicht (Rh) 27A in hexagonalen Abschnitten (oder Inseln) auf der p-GaN-Kontaktschicht 25 in einem Zickzackmuster strukturiert ausgebildet. Gemäß 7B ist der konvexe Abschnitt 29A (hexagonal konvexe Flächen) der wärmehärtenden Harzschicht 29 gemäß der Rhodiumschicht (Rh) 27A (hexagonale Inseln) angeordnet.
  • Die wärmehärtende Harzschicht 29 ist derart ausgebildet, dass eine Schicht von wärmehärtendem Harz im Voraus durch einen Gießvorgang wie etwa einen Druckgussvorgang gemäß den hexagonal konvexen Flächen des konvexen Abschnitts 29A strukturiert ist, und die strukturierte Schicht auf der Oberfläche der n-GaN-Mantelschicht 22 verbunden ist.
  • Alternativ kann anstelle der Verwendung der Schicht aus wärmehärtendem Harz die wärmehärtende Harzschicht 29 auf der Oberfläche der n-GaN-Mantelschicht 22 durch Injizieren des wärmehärtenden Harzes in eine Gussform ausgebildet sein. Dabei ist die Gussform mit der Struktur gemäß den hexagonal konvexen Flächen des konvexen Abschnitts 29A versehen.
  • Das LED-Element 2 mit der somit ausgebildeten wärmehärtenden Harzschicht 29 ist mit Silikonharz versiegelt.
  • (Wirkungen gemäß dem vierten Beispiel)
  • Bei dem vierten Beispiel wird die wärmehärtende Harzschicht 29 mit einem Brechungsindex nahe dem der Halbleiterschicht auf GaN-Basis verwendet, und die wärmehärtende Harzschicht 29 wird mit dem konvexen Abschnitt 29A versehen. Dadurch kann die Lichtausstoßoberfläche mit dem hohen Brechungsindex und dem vergrößerten Oberflächenbereich leicht ausgebildet werden, ohne dass ein Verarbeitungsvorgang wie etwa ein Schneidevorgang oder ein Poliervorgang auf der Oberfläche der n-GaN-Mantelschicht 22 benötigt wird.
  • Da außerdem der konvexe Abschnitt 29A (hexagonal konvexe Flächen) der wärmehärtenden Harzschicht 29 gemäß der Rhodiumschicht (Rh) 27A (hexagonale Inseln) angeordnet ist, kann von der Mehrfachschicht 23 unmittelbar über der Rhodiumschicht (Rh) 27A imitiertes blaues Licht die Lichtausstoßoberfläche mit dem vergrößerten Bereich erreichen. Dadurch erhöht sich das Licht, das nach außen austreten kann, im Vergleich zu dem Fall, wenn Licht aus einer ebenen Lichtaustrittsoberfläche austritt.
  • Der konvexe Abschnitt 29A kann gemäß 5B ausgebildet sein, und die konvexe Fläche kann gekrümmt sein. Die konvexen Flächen können in einer anderen Struktur als dem Zickzackmuster angeordnet sein. Die wärmehärtende Harzschicht 29 kann mit einer aufgerauten Oberfläche versehen sein, welche eine größere Oberfläche als eine ebene Oberfläche zulässt, anstatt dass der konvexe Abschnitt 29A verwendet wird.
  • [Fünftes Beispiel]
  • (Zusammensetzung des LED-Elementes 2)
  • 8 zeigt eine Schnittansicht eines LED-Elementes bei dem fünften Beispiel.
  • Das LED-Element 2 gemäß dem fünften Beispiel unterscheidet sich von dem vierten Beispiel dahingehend, dass die p-Mehrfachschichtelektrode 27 derart aufgebaut ist, dass die Silberschicht 27D und die Goldschicht 27C als getrennte Elektrodenbereiche in einem Gittermuster wie auch die Rhodiumschicht (Rh) 27A ausgebildet sind.
  • Die Rhodiumschicht (Rh) 27A weist eine derartig geringe Dicke auf, dass die Transmission (Durchlass) von aus der Mehrfachschicht 23 emittiertem Licht derart ermöglicht wird, dass das durchgelassene Licht auf der Silberschicht 27D mit guter Reflexionseffizienz reflektiert wird.
  • (Wirkungen des fünften Beispiels)
  • Bei dem fünften Beispiel tritt zu den Wirkungen des vierten Beispiels hinzu, dass die durch eine Differenz bei dem Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen der p-Mehrfachschichtelektrode 27 und der Halbleiterschicht auf GaN-Basis verursachte Wärmeverspannung reduziert werden kann. Daher kann die Separation (das Abscheren) der Elektrodenschicht selbst unter Hochtemperaturbedingungen wie etwa bei einem Glasversiegelungs- und Rückflussvorgang vermieden werden. Somit kann ein stabiler Stromfluss in die Mehrfachschicht 23 durchgeführt werden.
  • Durch Einstellen des Reflexionsvermögens an der Elektrodenschicht zwischen der Rhodiumschicht (Rh) 27A und der Silberschicht 27D kann das Reflexionsvermögen verbessert werden. Dadurch kann die externe Abstrahlungseffizienz verbessert werden.
  • [Sechstes Beispiel]
  • (Zusammensetzung des LED-Elementes 2)
  • 9A zeigt eine Unteransicht eines LED-Elementes (gesehen von seiner Elektrodenausbildungsoberfläche) bei dem sechsten Beispiel. 9B zeigt eine Schnittansicht entlang der Linie C-C aus 9A.
  • Das LED-Element 2 ist gemäß 9A mit einer n-Elektrode 26 aus Ti/Pt, einer p-Kontaktelektrodenschicht 30 als eine p-Kontaktelektrode aus ITO (Indiumzinnoxid) mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten im Wesentlichen gleich dem des LED-Elementes 2 (aus einem Halbleiter auf GaN-Basis), und teilweise auf der n-Elektrode 26 und der p-Kontaktelektrodenschicht 30 ausgebildeten Goldkontaktflächenelektroden 31 versehen. Das LED-Element 2 weist eine Größe von etwa 300 µm im Quadrat auf. Das ITO ist durch eine Elektronenstrahlabscheidung dünn ausgebildet.
  • 9B zeigt in teilweise vergrößerter Ansicht den Fall, bei dem das LED-Element 2 gemäß dem sechsten Beispiel auf die Lichtemissionsvorrichtung 1 gemäß dem in 1 gezeigten ersten Beispiel angewendet wird. Bei dem sechsten Beispiel ist das Schaltungsmuster 4 aus W/Ni/Ag auf der Vorrichtungsbefestigungsseite und aus W/Ni/Au auf der Rückseite des Substrates 32 ausgebildet, wobei beide Seiten des Schaltungsmusters 4 durch das Wolframmuster (W) in der Durchverbindung 3A verbunden sind. Die Goldkontaktflächenelektrode 31 weist im Wesentlichen dieselbe Größe wie das Goldkontaktkügelchen 5 auf.
  • Bei dem sechsten Beispiel ist das LED-Element 2 auf dem Schaltungsmuster 4 durch Ultraschallwärmekompression des Goldkontaktkügelchens 5 befestigt und mit einem Glas mit niedrigem Schmelzpunkt mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 7 × 10-6/°C versiegelt.
  • (Wirkungen gemäß dem sechsten Beispiel)
  • Bei dem sechsten Beispiel ist die Goldkontaktflächenelektrode 31 teilweise auf der p-Kontaktelektrodenschicht 30 mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten im Wesentlichen gleich dem des LED-Elementes 2 ausgebildet, und das LED-Element 2 ist durch das Goldkontaktkügelchen 5 auf dem Schaltungsmuster 4 des Al2O3-Substrates 32 mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten im Wesentlichen gleich dem des LED-Elementes 2 befestigt und mit Glas versiegelt. Daher wird die p-Kontaktelektrodenschicht 30 wahrscheinlich nicht von der Halbleiterschicht 200 auf GaN-Basis separiert, und die Wärmeverspannung kann absorbiert werden, während eine Wärmedeformation der Goldkontaktflächenelektrode 31 und des Goldkontaktkügelchens 5 erlaubt ist.
  • Bei Experimenten der Erfinder wurde das LED-Element 2 auf Substraten mit verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten befestigt, d.h. auf einem Al2O3-Substrat und einem glasenthaltenden Al2O3-Substrat (mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 12 × 10-6/°C), und mit Glas versiegelt. Im Ergebnis wurde im Vergleich zu dem Al2O3-Substrat bestätigt, dass einige der glasenthaltenden Al2O3-Substrate einen Anstieg (0,3 V im Durchschnitt) bei der Durchlassspannung als Folge der Separation der Elektrode und einem Fehler bei dem Emissionsmuster verursachen. Da somit das LED-Element 2 einen Wärmeausdehnungskoeffizienten im Wesentlichen gleich dem des Al2O3-Substrats 32 aufweist, wird die durch eine Differenz beim Wärmeausdehnungskoeffizienten verursachte Wärmeverspannung selbst bei einer hohen Temperatur nicht erzeugt, d.h. bei 500 bis 600°C beim Glasversiegelungsvorgang. Daher kann eine glasversiegelte LED in guter Qualität erhalten werden, und die Ausbeute kann verbessert werden.
  • Um eine gute Durchlassspannung und ein gutes Emissionsmuster ohne eine Elektrodenseparation bei dem LED-Element 2 mit einer derartigen Größe zu erzielen, ist es wünschenswert, dass das Befestigungssubstrat 32 einen Wärmeausdehnungskoeffizienten im Wesentlichen gleich dem des LED-Elementes 2 (7 × 10-6/°C) aufweist, d.h. 5 × 10-6 bis 10 × 10-6/°C.
  • Und da zudem die Goldkontaktflächenelektrode 31 teilweise auf der p-Mehrfachschichtelektrode 27 ausgebildet ist, kann die erzeugte Wärmeverspannung reduziert werden. Außerdem kann die bei der Befestigung erzeugte Wärmeverspannung durch Befestigen des LED-Elementes 2 auf dem Substrat mit einem im Wesentlich dazu gleichen Wärmeausdehnungskoeffizienten reduziert werden.
  • Ferner weist die ITO-Elektrode (p-Kontaktelektrodenschicht 30) eine Verbindungskraft mit GaN auf, die größer als die von Rhodium (Rh) ist, und daher tritt eine Separation durch Verspannung wahrscheinlich nicht auf. Somit kann die glasversiegelte LED in guter Qualität stabil hergestellt werden.
  • Bei der Glasversieglung wird ein Glasmaterial mit einer relativ hohen Viskosität bei hoher Temperatur mit dem Al2O3-Substrat unter Druck verbunden. Dadurch kann eine elektrische Verschaltungseinrichtung wie etwa ein Golddraht kollabieren, was zu einer elektrischen Verbindungstrennung oder einem Kurzschluss führen kann. Um dies zu vermeiden, wird das LED-Element 2 mit gewendetem Chip befestigt, und die ITO-Elektrode 30 des LED-Elements 2 wird auf der Seite des Befestigungssubstrats 32 ausgebildet. Obwohl die ITO-Elektrode 30 als transparente Elektrode bekannt ist, die eine Verbesserung beim Lichtaustritt erlaubt, wird sie verwendet, weil sie einen Wärmeausdehnungskoeffizienten (7,7-8,5 × 10-6/°C) im Wesentlichen gleich dem LED-Element 2 sowie eine große Verbindungskraft mit GaN aufweist. Daher tritt aufgrund des ITO die Separation der Elektrode selbst bei einem Glasversiegelungsvorgang bei einer Temperatur über 500°C wahrscheinlich nicht auf.
  • Alternativ kann das Elektrodenmaterial AZO (ZnO:AI), IZO (In2O3-ZnO, 90-10 Gew.-%) abgesehen von dem ITO sein. Zudem können andere leitende Metalloxyde verwendet werden, die Eigenschaften wie die Kontaktelektrodenschicht aufweisen, und einen Wärmeausdehnungskoeffizienten im Wesentlichen gleich dem LED-Element 2 besitzen, und die über eine derartige Verbindungskraft mit der Halbleiterschicht verfügen, welche die Separation der Elektrode vermeiden kann. Obwohl bei den vorstehend beschriebenen Beispielen das LED-Element 2 derart ausgebildet ist, dass die Schichten auf GaN-Basis auf dem Saphirsubstrat (mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 7 × 10-6/°C) aufgewachsen sind, kann es derart ausgebildet sein, dass die Schichten auf GaN-Basis auf einem Siliziumkarbid- oder GaN-Substrat (mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 5 × 10-6/°C) aufgewachsen sind, und das ITO ist darauf als die p-Kontaktelektrodenschicht 30 ausgebildet.
  • Obwohl bei dem sechsten Beispiel ITO als Kontaktelektrodenschicht mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten gleich der Vorrichtung verwendet wird, kann Rhodium (Rh) (mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 8 × 10-6/°C) anstelle des ITO verwendet werden. Wenn Rhodium verwendet wird, kann die Lichtaustrittscharakteristik verbessert werden, da es außerdem als Lichtreflektionsschicht dient. Alternativ kann eine Au/Co-Schicht verwendet werden, auf der eine Passivierungsschicht aus SiO2 oder SiN oder ähnlichem zum Schutz der Peripherie ausgebildet wird.
  • Bei Experimenten der Erfinder wurde bestätigt, dass die Separation der Elektrode nicht erzeugt wird, wenn das LED-Element 2, das nicht auf dem Befestigungssubstrat befestigt ist, einer Wärmebehandlung bei 600°C in der bekannten Struktur unterworfen wird, bei der die Rhodiumschicht auf der gesamten Oberfläche der p-GaN-Kontaktschicht 25 ausgebildet ist, und bei der die Goldschicht für eine Verbindungskontaktfläche auf der gesamten Oberfläche der Rhodiumschicht ausgebildet ist. Wenn jedoch das LED-Element 2 auf dem glasenthaltenden Al2O3-Substrat befestigt und mit Glas versiegelt ist, ist es aufgrund der bei der Befestigung erzeugten Wärmeverspannung schwierig, die Separation der Elektrodenschicht sicher zu vermeiden. Falls daher die Verbindungskraft mit der p-GaN-Kontaktschicht 25 gering ist, und die Differenz im Wärmeausdehnungskoeffizienten groß ist, ist es erforderlich, dass die Goldschicht für eine Verbindungskontaktfläche teilweise in einer Größe nach Bedarf ausgebildet ist, und dass das Befestigungssubstrat einen Wärmeausdehnungskoeffizienten im Wesentlichen gleich dem des LED-Elements 2 aufweist.
  • Die Goldkontaktflächenelektrode 31 kann abgesehen von Au aus Ag ausgebildet sein. Dadurch kann die Lichtabsorption durch die Kontaktflächenelektrode reduziert werden.
  • [Siebtes Beispiel]
  • (Zusammensetzung des LED-Elementes 2)
  • 10 zeigt eine Unteransicht eines LED-Elementes (gesehen von seiner Elektronenausbildungsoberfläche) gemäß dem siebten Beispiel.
  • Das LED-Element 2, das ein Chip mit großer Ausdehnung von 1000 µm im Quadrat ist, ist mit einer n-Elektrode 26, die aus einer Vielzahl von auf der n-GaN-Mantelschicht 22 ausgebildeten Goldkontaktflächenelektroden 31 zusammengesetzt ist, sowie einer p-Kontaktelektrodenschicht 30 versehen, die aus ITO ausgebildet ist, und auf der eine Vielzahl von Goldkontaktflächenelektroden 31 ausgebildet sind.
  • Die n-Elektrode 26 ist wie ein zwischen Streifen der p-Kontaktelektrodenschicht 30 zwischengelagerter Kamm ausgebildet, so dass die Stromausbreitungseigenschaft zur p-GaN-Schicht verbessert ist, und sie weist zwei darauf ausgebildete Goldkontaktflächenelektroden 31 auf.
  • Die p-Kontaktelektrodenschicht 30 ist in einem Bereich mit Ausnahme der n-Elektrode ausgebildet, und sie weist achtzehn in vorgegebenen Intervallen darauf ausgebildete Goldkontaktflächenelektroden 31 auf.
  • (Wirkungen gemäß dem siebten Beispiel)
  • Bei dem siebten Beispiel wird selbst bei dem im Vergleich zu einem LED-Element 2 mit normaler Größe signifikant durch Wärmeverspannung beeinflussten LED-Element 2 mit starker Ausdehnung die p-Kontaktelektrodenschicht 30 wahrscheinlich nicht von der Halbleiterschicht 200 auf GaN-Basis separiert, wie bei dem sechsten Beispiel. Daher kann eine homogene Emission erhalten werden, ohne eine Unebenheit bei der Emission innerhalb des Emissionsbereichs zu erzeugen.
  • [Achtes Beispiel]
  • (Zusammensetzung des LED-Elementes 2)
  • 11A zeigt eine Schnittansicht eines LED-Elementes (das auf einem Al2O3-Substrat 32 befestigt ist) bei dem achten Beispiel. 11B zeigt eine Draufsicht des Al2O3-Substrats 32 aus 11A mit einem darauf ausgebildeten Schaltungsmuster.
  • Bei dem achten Beispiel ist gemäß 11A ein Dickschichtabschnitt 4A aus Ni durch nicht elektrische Abscheidung 15 µm dick integriert mit dem auf dem Al2O3-Substrat 32 ausgebildeten Schaltungsmuster 4 ausgebildet. Der Dickschichtabschnitt 4A ist mit einer auf der Nickeloberfläche ausgebildeten 0,5 µm dicken (nicht gezeigten) Goldschicht versehen.
  • Im Übrigen ist das LED-Element 2 nicht mit dem Goldkontaktkügelchen 5 versehen. Die anderen Bestandteile sind dieselben wie bei dem sechsten Beispiel, und deren Beschreibung wird weggelassen.
  • (Wirkungen gemäß dem achten Beispiel)
  • Bei dem achten Beispiel ist der durch nicht elektrische Abscheidung anstelle des Goldkontaktkügelchens 5 ausgebildete Dickschichtabschnitt 4A aus Ni mit dem Schaltungsmuster 4 integriert. Daher tritt zu den Wirkungen des sechsten Beispiels hinzu, dass der Verbindungsabschnitt integriert ausgebildet werden kann. Insbesondere, wenn Mehrfachverbindungsabschnitte verwendet werden, wie es in 11B gezeigt ist, kann die Positionierung oder Lagesteuerung der Verbindungsabschnitte mit einem Vorrichtungsbefestigungsbereich 210 erleichtert werden, sowie der Vorgang zur Ausbildung des Goldkontaktkügelchens 5 eliminiert werden. Somit kann die Massenproduktivität der Lichtemissionsvorrichtung 1 verbessert werden.
  • [Neuntes Beispiel]
  • (Zusammensetzung des LED-Elementes 2)
  • 12A zeigt eine Schnittansicht eines LED-Elementes gemäß dem neunten Beispiel. 12B zeigt eine Draufsicht des LED-Elementes aus 12A. 12C zeigt ein Diagramm zur Darstellung von kritischen Winkeln.
  • Das LED-Element 2 in Chipwendebauart ist gemäß 12A zusammengesetzt aus: dem Saphirsubstrat 20; einer aus einer Halbleiterverbindung auf GaN-Basis ausgebildeten n-GaN-Schicht 201; einer auf der n-GaN-Schicht 201 ausgebildeten Lichtemissionsschicht 202; einer p-GaN-Schicht 203; einer n-Elektrode 26, die auf einem Teil der durch Entfernen der p-GaN-Schicht 203 durch die n-GaN-Schicht 201 durch einen Ätzvorgang freigelegte n-GaN-Schicht 201 ausgebildet ist; einem ITO (Indiumzinnoxid) 240, das auf der p-GaN-Schicht 203 ausgebildet ist, und einen Brechungsindex (n = 1,8) kleiner dem des Halbleiters auf GaN-Basis (n = 2,4) aufweist; sowie einer aus Rhodium ausgebildete p-Rh-Elektrode 205 mit einem hohen Brechungsindex. Die n-GaN-Schicht 201, die Lichtemissionsschicht 202 und die p-GaN-Schicht 203 setzen die Halbleiterschicht 200 auf GaN-Basis zusammen. Eine (nicht gezeigte) Goldkontaktflächenelektrodenschicht zum Kontaktieren mit Verbindungshügeln bei der Befestigung ist auf einer gegebenen Verbindungsposition der p-Rh-Elektrode 205 teilweise ausgebildet.
  • Bei dem neunten Beispiel dient das Saphirsubstrat 20 als ein lichtdurchlässiger Abschnitt, der eine Lichtdurchlasscharakteristik für eine Emissionswellenlänge von aus der Lichtemissionsschicht 202 emittiertem blauen Licht aufweist. Das ITO 204 und die p-Rh-Elektrode 205 sind auf der unter der Lichtemissionsschicht 202 angeordneten Befestigungsoberflächenseite angeordnet, und setzen einen Lichtreflexionsabschnitt zusammen, wobei die Endfläche des LED-Elementes 2 freigelegt ist. Das ITO 204 arbeitet als leitende Totalreflexionsschicht, während sie eine Lichtdurchlasscharakteristik aufweist.
  • Die Halbleiterschicht auf GaN-Basis kann durch ein bekanntes Verfahren ausgebildet werden, d.h. metallorganische chemische Gasphasenabscheidung (MOCVD), Molekularstrahlepitaxie (MBE), Hydridgasphasenepitaxie (HVPE), Zerstäuben, Ionenplattieren, Elektronenduschen oder ähnlichem. Das LED-Element 2 kann als Homo-, Hetero- oder Doppelheterostruktur ausgebildet sein. Das LED-Element 2 kann eine Quantentopstruktur (Einzel- oder Multiquantentopstruktur) enthalten.
  • 12B zeigt eine Draufsicht des LED-Elementes 2, wobei 12A einem entlang einer Linie D-D geschnittenen Schnittansicht entspricht. Die Darstellung zeigt, dass die p-Rh-Elektrode 205 die n-Elektrode 26 umgebend ausgebildet ist, und die Lichtemissionsschicht 202 emittiert Licht in dem Bereich, wo die p-Rh-Elektrode 205 ausgebildet ist.
  • 12C zeigt ein Diagramm zur Darstellung des Verhaltens von blauem Licht innerhalb der Halbleiterschicht 200 auf GaN-Basis gemäß dem neunten Beispiel. Von dem aus der Lichtemissionsschicht 202 in die Halbleiterschicht 200 auf GaN-Basis emittierten Licht wird der in die Grenzfläche zwischen dem Saphirsubstrat 20 und der Halbleiterschicht 200 auf GaN-Basis in einem größeren Winkel als ein kritischer Winkel auf der Grundlage der Differenz von deren Brechungsindizes eindringende Lichtanteil nicht nach außen abgestrahlt und in der Halbleiterschicht 200 auf GaN-Basis als in Schichtrichtung ausgebreitetes Licht einbehalten. Das in der Schichtrichtung ausgebreitete Licht pflanzt sich fort, während es zwischen dem ITO 204 und dem Saphirsubstrat 20 oder zwischen der p-Rh-Elektrode 205 und dem Saphirsubstrat 20 reflektiert wird. Das meiste Licht breitet sich in der Schichtrichtung aus, ohne die p-Rh-Elektrode 205 aufgrund des ITO 204 zu erreichen.
  • (Wirkungen gemäß dem neunten Beispiel)
  • Da bei dem neunten Beispiel das ITO 204 mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten gleich der Halbleiterschicht zwischen der p-GaN-Schicht 203 und der p-Rh-Elektrode 205 angeordnet ist, wird die Elektrodenschicht wahrscheinlich nicht von der p-GaN-Schicht 203 separiert.
  • Ferner ist das in der Schichtrichtung ausgebreitete Licht, das in die Grenzfläche unter einem größeren Winkel als ein kritischer Winkel basierend auf den Brechungsindexverhältnissen von GaN und ITO zu der p-Rh-Elektrode 205 eindringt, der Totalreflexion unterworfen. Daher erreicht es die p-Rh-Elektrode 205 nicht und wird in der Schicht einbehalten, ohne aus der Halbleiterschicht 200 auf GaN Basis nach außen abgestrahlt zu werden. Dadurch kann der Metallabsorptionsverlust vermieden werden, der erzeugt wird, wenn in der Schichtrichtung ausgebreitetes Licht auf der p-Rh-Elektrode 205 reflektiert wird. Dies kann die Dämpfung des in der Schichtrichtung ausgebreiteten Lichts auf kurze Distanz vermeiden.
  • Obwohl in 12A die GaN-Schicht zur Beschreibung dick dargestellt ist, ist sie tatsächlich eine dünne Schicht von mehreren Mikrometern. Deswegen weist das in Schichtrichtung ausgebreitete Licht eine große Durchschnittszahl an Reflexionen auf. Selbst wenn ein Metall mit einem hohen Reflexionsvermögen von 90 % verwendet wird, muss der Einfluss durch Absorptionsverluste hoch sein. Somit können die Absorptionsverluste signifikant reduziert werden.
  • Als solches kann das in der Schichtrichtung ausgebreitete und zwischen dem Saphirsubstrat 20 und dem ITO 204 reflektierte Licht von der Seitenfläche des LED-Elementes 2 nach außen abgestrahlt werden. Die äußere Abstrahlungseffizienz kann somit verbessert werden.
  • Obwohl bei dem neunten Beispiel das ITO 204 als transparentes Dielektrika als Schicht mit niedrigem Brechungsindex zwischen der Halbleiterschicht 200 auf GaN-Basis und der p-Rh-Elektrode 205 angeordnet ist, können andere Schichten mit geringem Brechungsindex wie etwa InGaN (n = 2,1), In2O3-SnO2:90-10 Gew.-%, sowie AZO (ZnO:AI)-IZO (In2O3-ZnO):90-10 Gew.-% verwendet werden. Vorzugsweise wird jedoch ein Material mit geringem Brechungsindex gewählt, so dass das in Schichtrichtung ausgebreitete Licht auf der Grundlage von Totalreflexion ansteigt.
  • Das ITO weist eine größere Bindungskraft mit GaN als mit Rh auf. Zudem ist die Oberfläche des ausgebildeten ITO aufgeraut. Daher steigt die Bindungskraft des Rh mit dem ITO.
  • Daher tritt die Separation der Elektrodenschicht im Vergleich zu einer unmittelbar mit GaN verbundenen Rhodiumschicht wahrscheinlich nicht auf.
  • Außerdem ist das als p-Elektrode verwendete Material mit hohem Reflexionsvermögen nicht auf Rhodium beschränkt, und ein anderes Material wie etwa Ag kann verwendet werden. Es sei jedoch angemerkt, dass die Schichtdicke im Falle eines Materials mit einem großen Wärmeausdehnungskoeffizienten nicht mehr als nötig ansteigt.
  • Wenn die Befestigungsoberfläche für die Wendechipbefestigung des LED-Elementes 2 ein hohes Reflexionsvermögen aufweist, kann alternativ das Material mit hohem Reflexionsvermögen weggelassen werden, ohne die vorstehend beschriebene Kombination aus transparentem Dielektrika und Material mit hohem Reflexionsvermögen zu verwenden. Im Falle eines Verbindungshalbleiters auf GaAs-Basis kann beispielsweise eine aus einer Mehrfachschicht mit Materialien verschiedener Brechungsindizes zusammengesetzte Bragg-Reflexionsschicht verwendet werden, wenn das Material mit hohem Reflexionsvermögen weggelassen wird.
  • Obwohl bei dem neunten Beispiel das LED-Element 2 aus der auf dem Saphirsubstrat 20 aufgewachsenen Halbleiterschicht 200 auf GaN-Basis zusammengesetzt ist, kann das LED-Element 2 ein GaN-Substrat aufweisen, oder das Saphirsubstrat 20 kann nach dem Aufwachsen der Halbleiterschicht 200 auf GaN-Basis abgehoben werden. Selbst im Falle des Abhebens des Saphirsubstrats 20 ist in der Form im Wesentlichen enthalten, dass die Halbleiterschicht auf dem Saphirsubstrat 20 ausgebildet ist, und von einer entsprechenden Lichtemissionsschicht emittiertes Licht nach außen austritt. Zudem kann das LED-Element 2 aus einem von GaN verschiedenen Material ausgebildet sein.
  • [Zehntes Beispiel]
  • (Zusammensetzung des LED-Elementes 2)
  • 13 zeigt eine Schnittansicht eines (auf einem Al2O3-Substrat 32 befestigten) LED-Elementes gemäß dem zehnten Beispiel.
  • Bei dem vorliegenden Beispiel ist anstelle des gemäß dem sechsten Beispiel verwendeten Goldkontaktkügelchens 5 eine Ni-Schicht 33 15 µm dick durch nicht elektrisches Plattieren auf dem auf der Oberfläche des Al2O3-Substrats 32 ausgebildeten Schaltungsmuster 4 ausgebildet. Eine (nicht gezeigte) Goldschicht ist 0,5 µm dick auf der Oberfläche der Ni-Schicht 33 ausgebildet.
  • (Wirkungen gemäß dem zehnten Beispiel)
  • Da bei dem zehnten Beispiel die dicke Ni-Schicht 33 durch nicht elektrisches Plattieren auf der Seite des LED-Elementes 2 integriert ausgebildet ist, kann der dicke Abschnitt gemäß der Form der n-Elektrode 26 und der p-Kontaktelektrodenschicht 30 leicht ausgebildet werden. Dadurch kann die Leistungsfähigkeit des Herstellungsvorgangs verbessert werden. Außerdem kann die Befestigungseigenschaft durch die auf der Seite des LED-Elementes 2 ausgebildeten Ni-Schicht 33 verbessert werden, wo eine hohe Genauigkeit beim Positionieren des Schaltungsmuster 4 und des LED-Elementes 2 erforderlich ist. Dadurch kann die Ausbeute verbessert werden.
  • [Elftes Beispiel]
  • (Zusammensetzung des LED-Elementes 2)
  • 14 zeigt eine Draufsicht eines (von seiner Elektrodenausbildungsoberfläche gesehenen) LED-Elementes gemäß dem elften Beispiel.
  • Bei dem elften Beispiel ist eine n-Elektrode 26 radial vom Zentrum des LED-Elementes 2 ausgebildet, und die p-Kontaktelektrodenschicht 30 ist auf der die n-Elektrode 26 umgebende p-GaN-Schicht ausgebildet. Die bei dem neunten Beispiel beschriebene Ni-Schicht 33 ist auf der n-Elektrode 26 und der p-Kontaktelektrodenschicht 30 ausgebildet. Die n-Elektrode 26 ist radial auf einem Teil der durch Entfernen der p-GaN-Schicht durch Ätzen in diagonaler Richtung der Elektrodenausbildungsoberfläche freigelegten n-GaN-Schicht ausgebildet. Dadurch kann die Stromverteilungseigenschaft der p-GaN-Schicht verbessert werden.
  • (Wirkungen gemäß dem elften Beispiel)
  • Bei dem elften Beispiel tritt zu den Wirkungen gemäß dem neunten Beispiel hinzu, dass die Stromverteilungseigenschaft durch die radial von dem Zentrum des LED-Elementes 2 ausgebildete n-Elektrode 26 verbessert werden kann. Die durch nicht elektrisches Plattieren ausgebildete Ni-Schicht 33 weist bezüglich ihren Dimensionen einen Freiheitsgrad auf. Daher können die Befestigungskontaktflächenelektroden (die Ni-Schicht 33) an einer geeigneten Position und in geeigneter Form ausgebildet werden, selbst wenn das Elektrodenmuster nach vorstehender Beschreibung ausgebildet wird. Im Einzelnen ist die n-Elektrodenkontaktfläche 33 im Zentrum des LED-Elementes 2 angeordnet, und die p-Elektrodenkontaktflächen 33 sind auf vier Seiten der p-Kontaktelektrodenschicht 30 ausgebildet, so dass sie bei der Befestigung Stabilität zeigen, und sie sind verkleinert, um einen Kurzschluss mit der n-Elektrode 26 selbst bei einer leichten Deformation bei der Befestigung zu vermeiden.
  • [Zwölftes Beispiel]
  • (Zusammensetzung des LED-Elementes 2)
  • 15 zeigt eine Draufsicht eines (von ihrer Elektrodenausbildungsoberfläche gesehenen) LED-Elementes gemäß dem zwölften Beispiel.
  • Bei dem zwölften Beispiel ist die Ni-Schicht 33 auf der n-Elektrode 26 ausgebildet, und eine Vielzahl von rechteckigen (oder quadratischen) Ni-Schichten 33 sind in vorgegebenen Intervallen wie Inseln auf der p-Kontaktelektrodenschicht 30 mit Ausnahme der n-Elektrode 26 ausgebildet.
  • (Wirkungen gemäß dem zwölften Beispiel)
  • Bei dem zwölften Beispiel tritt bezüglich des zehnten Beispiels hinzu, dass die Verbindungsfläche der p-Kontaktelektrodenschicht 30 mit dem Schaltungsmuster 4 erhöht werden kann. Dadurch kann die Stromführungseigenschaft und die Wärmeabstrahlungseigenschaft des LED-Elementes 2 verbessert werden. Da hierbei die Ni-Schicht 33 (Befestigungskontaktflächen) mit einem hohen Wärmeausdehnungskoeffizienten nicht kontinuierlich sondern wie Inseln bezüglich der anderen Bestandteile ausgebildet ist, kann die bei einer hohen Temperatur erzeugte Wärmeverspannung reduziert werden.
  • Die Festkörperelementvorrichtungen gemäß vorstehender Beschreibung werden auf die Lichtemissionsvorrichtung 1 unter Verwendung des LED-Elementes 2 als Festkörperelement angewendet. Das Festkörperelement oder die Festkörperelementvorrichtung ist jedoch nicht auf die Lichtemissionsvorrichtung 1 beschränkt. Sie kann beispielsweise auf eine Festkörperelementvorrichtung angewendet werden, bei der ein Lichtempfangselement als Festkörperelement auf einem Substrat befestigt und mit Glas versiegelt ist. Das Versiegelungsmaterial ist nicht auf ein transparentes Material beschränkt und kann ein anorganisches Material sein, das durch Kristallisation leicht vernebelt ist, sowie eine Lichtdurchlasscharakteristik aufweist. Es kann zudem ein von dem anorganischen Material verschiedenes Harzmaterial sein, falls es eine Temperatur überdauern kann, bei der eine Wärmeverspannung wie etwa bei einem Rückflussvorgang ein Problem sein kann.
  • So umfasst ein Festkörperelement eine auf einem Substrat ausgebildete Halbleiterschicht, wobei die Halbleiterschicht eine erste Schicht, die einem Emissionsbereich des Festkörperelementes entspricht, und eine zweite Schicht umfasst, durch die der ersten Schicht Strom zugeführt wird; eine Lichtaustrittsoberfläche, durch die von der ersten Schicht emittiertes Licht nach außen austritt, wobei die Lichtaustrittsoberfläche auf der Seite des Substrats angeordnet ist; sowie eine Elektrode mit einer Vielzahl von Bereichen, die aus einem leitenden Material ausgebildet ist, und die in ohmschen Kontakt mit der zweiten Schicht steht.

Claims (9)

  1. Herstellverfahren für eine Festkörperelementvorrichtung, wobei das Verfahren aufweist: Anordnen einer Glasplatte aus einem Glasmaterial mit niedrigem Schmelzpunkt parallel zu einem Befestigungssubstrat (3), auf dem ein Festkörperelement (2) befestigt ist, und dann Heißpressen der Glasplatte, so dass das Glasmaterial mit dem Befestigungssubstrat (3) verbunden wird, um einen anorganischen Versiegelungsabschnitt (6) zu bilden, der das Festkörperelement (2) versiegelt, wobei das Festkörperelement (2) eine Mehrfachschichtelektrode (27) sowie einen Verbindungsabschnitt (5) aufweist, der mit einem auf dem Befestigungssubstrat (3) ausgebildeten Leiterbahnabschnitt (4) verbunden ist, wobei das Festkörperelement (2) eine Halbleiterschicht (21-25), die auf einem Substrat (20) ausgebildet ist, aufweist, wobei die Halbleiterschicht eine erste Schicht (23), die einem Emissionsbereich des Festkörperelementes (2) entspricht, und eine zweite Schicht (25) aufweist, durch die der ersten Schicht (23) Strom von der Mehrfachschichtelektrode (27) zugeführt wird; wobei eine Lichtaustrittsoberfläche, durch die von der ersten Schicht (23) emittiertes Licht nach außen austritt, auf der Seite des Substrats (20) angeordnet ist; wobei die Mehrfachschichtelektrode (27) ein erstes leitendes Material (27A) aufweist, das in ohmschem Kontakt mit der zweiten Schicht (25) steht; die Mehrfachschichtelektrode (27) einen oder mehrere Bereiche aufweist, die das erste leitende Material (27A) aufweisen und einen Teil einer Oberfläche der zweiten Schicht (25) bedecken; ein zweites leitendes Material (27B, 27D) einen anderen Teil der Oberfläche der zweiten Schicht (25) bedeckt; das zweite leitende Material (27B, 27D) verschieden von dem ersten leitenden Material (27A) ist und einen Wärmeausdehnungskoeffizienten aufweist, der näher bei dem der Halbleiterschicht (21-25) als bei dem des ersten leitenden Materials (27A) liegt.
  2. Herstellverfahren nach Anspruch 1, wobei das erste leitende Material (27A) Rhodium oder Chrom ist.
  3. Herstellverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei das zweite leitende Material (27B) Wolfram ist.
  4. Herstellverfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Mehrfachschichtelektrode (27) genau einen Bereich aufweist, und das zweite leitende Material (27D) Silber ist.
  5. Herstellverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei die Mehrfachschichtelektrode (27) ferner eine Goldschicht (27C) aufweist, die das erste leitende Material (27A) und das zweite leitende Material (27B, 27D) bedeckt.
  6. Herstellverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, wobei die Halbleiterschicht (21-25) eine Halbleiterverbindung auf der Basis von GaN aufweist.
  7. Herstellverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei das Befestigungssubstrat (3) einen thermischen Ausdehnungskoeffizienten hat, der gleich dem des Festkörperelements (2) ist.
  8. Herstellverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, wobei das Festkörperelement (2) eine Lichtemissionsdiode ist.
  9. Herstellverfahren nach Anspruch 8, ferner mit Unterteilen des mit dem Befestigungssubstrat (3) verbundenen anorganischen Versiegelungsabschnitts (6) durch ein Rohchipschneideelement, um eine rechteckige Lichtemissionsvorrichtung (1) zu erhalten.
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Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9000461B2 (en) * 2003-07-04 2015-04-07 Epistar Corporation Optoelectronic element and manufacturing method thereof
US20150295154A1 (en) 2005-02-03 2015-10-15 Epistar Corporation Light emitting device and manufacturing method thereof
US20060231737A1 (en) * 2005-04-15 2006-10-19 Asahi Glass Company, Limited Light emitting diode element
JP4792802B2 (ja) * 2005-04-26 2011-10-12 住友電気工業株式会社 Ｉｉｉ族窒化物結晶の表面処理方法
JP2007158131A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体光素子
US20070007558A1 (en) * 2005-06-27 2007-01-11 Mazzochette Joseph B Light emitting diode package and method for making same
KR100629521B1 (ko) * 2005-07-29 2006-09-28 삼성전자주식회사 Ｌｅｄ 패키지 및 그 제조방법과 이를 이용한 ｌｅｄ어레이 모듈
US20070120270A1 (en) * 2005-11-23 2007-05-31 Kuroda Roger T Flip chip hermetic seal using pre-formed material
KR20080106402A (ko) 2006-01-05 2008-12-05 일루미텍스, 인크. Ｌｅｄ로부터 광을 유도하기 위한 개별 광학 디바이스
KR101030659B1 (ko) * 2006-03-10 2011-04-20 파나소닉 전공 주식회사 발광 소자
US8373195B2 (en) 2006-04-12 2013-02-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
US7863639B2 (en) * 2006-04-12 2011-01-04 Semileds Optoelectronics Co. Ltd. Light-emitting diode lamp with low thermal resistance
TWI301679B (en) * 2006-04-14 2008-10-01 High Power Optoelectronics Inc Semiconductor light emitting device and method of fabricating the same
US7955531B1 (en) 2006-04-26 2011-06-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Patterned light extraction sheet and method of making same
US7521727B2 (en) * 2006-04-26 2009-04-21 Rohm And Haas Company Light emitting device having improved light extraction efficiency and method of making same
US7573074B2 (en) * 2006-05-19 2009-08-11 Bridgelux, Inc. LED electrode
US7439548B2 (en) * 2006-08-11 2008-10-21 Bridgelux, Inc Surface mountable chip
TWI318013B (en) * 2006-09-05 2009-12-01 Epistar Corp A light emitting device and the manufacture method thereof
TWM308495U (en) * 2006-09-08 2007-03-21 Lingsen Precision Ind Ltd Microelectromechanical module package structure
JP4905009B2 (ja) * 2006-09-12 2012-03-28 豊田合成株式会社 発光装置の製造方法
JP2010506402A (ja) 2006-10-02 2010-02-25 イルミテックス， インコーポレイテッド Ｌｅｄのシステムおよび方法
JP5251050B2 (ja) * 2006-10-05 2013-07-31 三菱化学株式会社 ＧａＮ系ＬＥＤチップおよび発光装置
US8158990B2 (en) * 2006-10-05 2012-04-17 Mitsubishi Chemical Corporation Light emitting device using GaN LED chip
EP2087563B1 (de) 2006-11-15 2014-09-24 The Regents of The University of California Leuchtdiode mit strukturierter leuchtstoff-umwandlungsschicht
TW201448263A (zh) 2006-12-11 2014-12-16 Univ California 透明發光二極體
JP5223102B2 (ja) * 2007-08-08 2013-06-26 豊田合成株式会社 フリップチップ型発光素子
KR20100122485A (ko) 2008-02-08 2010-11-22 일루미텍스, 인크. 발광체층 쉐이핑을 위한 시스템 및 방법
JP2009302239A (ja) * 2008-06-12 2009-12-24 Alps Electric Co Ltd 光源モジュール
JP5361569B2 (ja) * 2008-06-26 2013-12-04 京セラ株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP5272613B2 (ja) * 2008-09-25 2013-08-28 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子及びその製造方法
KR101497953B1 (ko) * 2008-10-01 2015-03-05 삼성전자 주식회사 광추출 효율이 향상된 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및 발광 장치의 제조 방법
TW201034256A (en) 2008-12-11 2010-09-16 Illumitex Inc Systems and methods for packaging light-emitting diode devices
KR101064091B1 (ko) * 2009-02-23 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP5237854B2 (ja) * 2009-02-24 2013-07-17 パナソニック株式会社 発光装置
US8449128B2 (en) 2009-08-20 2013-05-28 Illumitex, Inc. System and method for a lens and phosphor layer
US8585253B2 (en) 2009-08-20 2013-11-19 Illumitex, Inc. System and method for color mixing lens array
DE102009042434A1 (de) * 2009-09-22 2011-09-08 Osram Gesellschaft mit beschränkter Haftung Leuchtvorrichtung, Lampe mit der Leuchtvorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Leuchtvorrichtung
WO2011043441A1 (ja) * 2009-10-07 2011-04-14 京セラ株式会社 発光装置
KR20150098246A (ko) * 2010-09-01 2015-08-27 샤프 가부시키가이샤 발광 소자 및 그 제조 방법, 발광 장치의 제조 방법, 조명 장치, 백라이트, 표시 장치 및 다이오드
JP5919284B2 (ja) * 2010-10-12 2016-05-18 コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェＫｏｎｉｎｋｌｉｊｋｅ Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｎ．Ｖ． エピ応力が低減された発光デバイス
CN102054913B (zh) * 2010-11-09 2013-07-10 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法、发光装置
CN102054914B (zh) 2010-11-09 2013-09-04 映瑞光电科技(上海)有限公司 发光二极管及其制造方法、发光装置
KR101761834B1 (ko) * 2011-01-28 2017-07-27 서울바이오시스 주식회사 웨이퍼 레벨 발광 다이오드 패키지 및 그것을 제조하는 방법
TWI411136B (zh) * 2011-05-10 2013-10-01 Lextar Electronics Corp 半導體發光結構
US9714745B2 (en) 2011-06-29 2017-07-25 Martin Professional Aps Color mixing illumination device
US9269858B2 (en) * 2011-08-31 2016-02-23 Micron Technology, Inc. Engineered substrates for semiconductor devices and associated systems and methods
US20150001570A1 (en) * 2011-09-02 2015-01-01 King Dragon International Inc. LED Package and Method of the Same
US9117941B2 (en) * 2011-09-02 2015-08-25 King Dragon International Inc. LED package and method of the same
JP5945409B2 (ja) * 2011-12-09 2016-07-05 スタンレー電気株式会社 半導体素子とその製造方法
JP5806608B2 (ja) * 2011-12-12 2015-11-10 株式会社東芝 半導体発光装置
JP2013143520A (ja) * 2012-01-12 2013-07-22 Sony Corp 撮像装置および撮像装置の製造方法
JPWO2013132762A1 (ja) * 2012-03-09 2015-07-30 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光素子およびその製造方法
DE102012213343B4 (de) * 2012-07-30 2023-08-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUTEILs MIT SAPHIR-FLIP-CHIP
JP6024506B2 (ja) 2013-02-18 2016-11-16 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ 族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
KR102123039B1 (ko) 2013-07-19 2020-06-15 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 발광 장치 및 그 제조 방법
KR102096053B1 (ko) * 2013-07-25 2020-04-02 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치의 제조방법
TWI583019B (zh) * 2015-02-17 2017-05-11 新世紀光電股份有限公司 Light emitting diode and manufacturing method thereof
US9450163B1 (en) * 2015-05-26 2016-09-20 Cree, Inc. Surface mount device with stress mitigation measures
DE102015214219A1 (de) * 2015-07-28 2017-02-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauelements und ein Bauelement
JP6520663B2 (ja) * 2015-11-27 2019-05-29 日亜化学工業株式会社 素子載置用基板及び発光装置
JP6547661B2 (ja) * 2016-03-09 2019-07-24 豊田合成株式会社 発光装置
JP6824501B2 (ja) * 2017-02-08 2021-02-03 ウシオ電機株式会社 半導体発光素子
WO2018151097A1 (ja) * 2017-02-15 2018-08-23 ナルックス株式会社 拡散素子
TWI648854B (zh) * 2017-06-14 2019-01-21 穩懋半導體股份有限公司 用以減少化合物半導體晶圓變形之改良結構
CN109244204B (zh) * 2017-07-11 2021-08-03 英属开曼群岛商錼创科技股份有限公司 微型发光元件与显示装置
US10916682B2 (en) 2017-07-11 2021-02-09 PlayNitride Inc. Micro light-emitting device and display apparatus
TWI632673B (zh) * 2017-07-11 2018-08-11 錼創科技股份有限公司 微型發光元件與顯示裝置
KR102410809B1 (ko) 2017-08-25 2022-06-20 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
JP6773104B2 (ja) * 2018-02-28 2020-10-21 日亜化学工業株式会社 発光素子及び発光装置
US10784407B2 (en) 2018-04-23 2020-09-22 Asahi Kasei Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light emitting element and nitride semiconductor light emitting device
JP6844606B2 (ja) * 2018-12-28 2021-03-17 日亜化学工業株式会社 発光素子及びその製造方法ならびに発光装置
KR102275360B1 (ko) * 2019-01-22 2021-07-09 안상정 반도체 발광소자
US11592166B2 (en) 2020-05-12 2023-02-28 Feit Electric Company, Inc. Light emitting device having improved illumination and manufacturing flexibility
JPWO2022004393A1 (de) * 2020-07-02 2022-01-06
US11876042B2 (en) 2020-08-03 2024-01-16 Feit Electric Company, Inc. Omnidirectional flexible light emitting device

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11150297A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
DE19921987A1 (de) 1998-05-13 1999-11-18 Toyoda Gosei Kk Licht-Abstrahlende Halbleitervorrichtung mit Gruppe-III-Element-Nitrid-Verbindungen
US20020063256A1 (en) 2000-11-24 2002-05-30 Highlink Technology Corporation Method and structure for forming an electrode on a light emitting device
US20020093023A1 (en) 1997-06-03 2002-07-18 Camras Michael D. III-Phosphide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
DE10162223A1 (de) 2000-12-21 2002-08-01 Lumileds Lighting Us Light-Emitting Sevice and Production Thereof
DE10221504A1 (de) 2001-05-15 2002-11-28 Lumileds Lighting Us Mehrchip-LED-Halbleiteranordnung
US6614056B1 (en) 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
DE102004029216A1 (de) 2004-01-19 2005-08-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Flip-Chip-Nitrid-Halbleiter-Leuchtdiode
EP2596948A2 (de) 2003-03-10 2013-05-29 Toyoda Gosei Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS50150390A (de) 1974-05-22 1975-12-02
JP2776040B2 (ja) 1990-04-27 1998-07-16 凸版印刷株式会社 有機薄膜ｅｌ素子
JP3461632B2 (ja) * 1995-08-28 2003-10-27 三菱電機株式会社 半導体レーザ装置
JPH118414A (ja) 1997-06-18 1999-01-12 Sony Corp 半導体装置および半導体発光装置
US6936859B1 (en) * 1998-05-13 2005-08-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
JP4449113B2 (ja) 1999-09-10 2010-04-14 ソニー株式会社 ２次元表示装置
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
JP2002314143A (ja) * 2001-04-09 2002-10-25 Toshiba Corp 発光装置
JP2002366051A (ja) * 2001-06-08 2002-12-20 Sanyo Electric Co Ltd 集積回路チップ及びこれを用いた表示装置
TW543128B (en) * 2001-07-12 2003-07-21 Highlink Technology Corp Surface mounted and flip chip type LED package
JP4239508B2 (ja) 2002-08-01 2009-03-18 日亜化学工業株式会社 発光素子
JP3795007B2 (ja) 2002-11-27 2006-07-12 松下電器産業株式会社 半導体発光素子及びその製造方法
JP4889193B2 (ja) 2003-07-23 2012-03-07 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020093023A1 (en) 1997-06-03 2002-07-18 Camras Michael D. III-Phosphide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
JPH11150297A (ja) 1997-11-14 1999-06-02 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体発光素子
DE19921987A1 (de) 1998-05-13 1999-11-18 Toyoda Gosei Kk Licht-Abstrahlende Halbleitervorrichtung mit Gruppe-III-Element-Nitrid-Verbindungen
US6614056B1 (en) 1999-12-01 2003-09-02 Cree Lighting Company Scalable led with improved current spreading structures
US20020063256A1 (en) 2000-11-24 2002-05-30 Highlink Technology Corporation Method and structure for forming an electrode on a light emitting device
DE10162223A1 (de) 2000-12-21 2002-08-01 Lumileds Lighting Us Light-Emitting Sevice and Production Thereof
DE10221504A1 (de) 2001-05-15 2002-11-28 Lumileds Lighting Us Mehrchip-LED-Halbleiteranordnung
EP2596948A2 (de) 2003-03-10 2013-05-29 Toyoda Gosei Co., Ltd. Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung
DE102004029216A1 (de) 2004-01-19 2005-08-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd., Suwon Flip-Chip-Nitrid-Halbleiter-Leuchtdiode

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