DE112014002241T5 - Lumineszenzdiodenmodul mit durch Lötpaste verbundener Lumineszenzdiode und Lumineszenzdiode - Google Patents

Lumineszenzdiodenmodul mit durch Lötpaste verbundener Lumineszenzdiode und Lumineszenzdiode Download PDF

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Joon Sup Lee
Daewoong Suh
Won Young Roh
Min Woo Kang
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Abstract

Eine Lumineszenzdiode und ein Lumineszenzdiodenmodul sind offenbart. Das Lumineszenzdiodenmodul enthält eine Leiterplatte und eine Lumineszenzdiode, die mit derselben durch eine Lötpaste verbunden ist. Die Lumineszenzdiode enthält ein erstes Elektrodenpad, das mit einer Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist, und ein zweites Elektrodenpad, das mit einer Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs verbunden ist, wobei jedes Elektrodenpad des ersten Elektrodenpads und des zweiten Elektrodenpads zumindest fünf Paar Ti/Ni-Schichten oder zumindest fünf Paar Ti/Cr-Schichten und die oberste Schicht aus Au enthält. Folglich wird eine Diffusion eines Metallelements, wie beispielsweise Sn, in der Lötpaste verhindert, um ein zuverlässiges Lumineszenzdiodenmodul zu liefern.

Description

  • [Technisches Gebiet]
  • Die vorliegende Erfindung betrifft eine Lumineszenzdiode und ein Lumineszenzdiodenmodul und genauer ein Lumineszenzdiodenmodul mit einer Lumineszenzdiode, die über eine Lötpaste mit einem Substrat, wie beispielsweise eine Leiterplatte und dergleichen, gebondet ist.
  • [Hintergrund der Erfindung]
  • Seit der Entwicklung von auf Galliumnitrid (GaN) basierenden Lumineszenzdioden (LEDs) werden die auf GaN basierenden LEDs in verschiedenen Anwendungsbereichen verwendet, die Naturfarben-LED-Displayvorrichtungen, LED-Verkehrsschilder, weiße LEDs und dergleichen enthalten.
  • Im Allgemeinen wird eine auf GaN basierende LED durch Aufwachsen von Epitaxialschichten auf ein Substrat, wie beispielsweise ein Saphirsubstrat, gebildet und enthält eine N-leitende Halbleiterschicht, eine P-leitende Halbleiterschicht und eine zwischen denselben angeordnete aktive Schicht. Ein N-Elektrodenpad wird auf der N-leitenden Halbleiterschicht ausgebildet und ein P-Elektrodenpad wird auf der P-leitenden Halbleiterschicht ausgebildet. Die Lumineszenzdiode ist mit einer externen Leistungsquelle durch die Elektrodenpads elektrisch verbunden. Bei Betrieb fließt Strom von dem P-Elektrodenpad zu dem N-Elektrodenpad durch die Halbleiterschichten.
  • Andererseits wird eine Flip-Chip-Lumineszenzdiode verwendet, um einen Lichtverlust durch das P-Elektrodenpad während des Verbesserns der Wärmeableitungseffizienz zu verhindern, und eine Vielfalt von Elektrodenstrukturen wurde vorgeschlagen, um die Stromaufweitung in einer großen Flip-Chip-Lumineszenzdiode zu unterstützen (siehe US-Patent Nr. 6,486,499 ). Beispielsweise wird eine reflektierende Elektrode auf der P-leitenden Halbleiterschicht ausgebildet und Fortsätze zur Stromaufweitung werden auf einem freiliegenden Bereich der N-leitenden Halbleiterschicht gebildet, der durch Ätzen der P-leitenden Halbleiterschicht und der aktiven Schicht ausgebildet wird.
  • Die reflektierende Elektrode, die auf der P-leitenden Halbleiterschicht ausgebildet ist, reflektiert Licht, das in der aktiven Schicht erzeugt wird, um die Lichtextraktionseffizienz zu verbessern, während die Stromaufweitung in der P-leitenden Halbleiterschicht ermöglicht wird. Andererseits unterstützen die Fortsätze, die mit der N-leitenden Halbleiterschicht verbunden sind, die Stromaufweitung in der N-leitenden Halbleiterschicht, um eine gleichmäßige Erzeugung von Licht über einer breiten aktiven Fläche zu ermöglichen. Insbesondere erfordert eine Lumineszenzdiode mit einer großen Fläche von ca. 1 mm2 oder mehr, die für hohe Leistung verwendet wird, eine Stromaufweitung nicht nur in der P-leitenden Halbleiterschicht, sondern auch in der N-leitenden Halbleiterschicht.
  • Eine herkömmliche Technik setzt jedoch lineare Fortsätze mit einem hohen Widerstand ein und weist somit eine Begrenzung der Stromaufweitung auf. Da die reflektierende Elektrode auf der P-leitenden Halbleiterschicht restriktiv platziert wird, wird zudem eine erhebliche Menge Licht in die Pads und die Fortsätze absorbiert, anstatt durch die reflektierende Elektrode reflektiert zu werden, wobei dadurch ein erheblicher Lichtverlust verursacht wird.
  • Andererseits ist bei einem Endprodukt die Lumineszenzdiode in der Form eines LED-Moduls vorgesehen. Im Allgemeinen enthält das LED-Modul eine Leiterplatte und ein auf der Leiterplatte montiertes LED-Package, wobei die Lumineszenzdiode in Chip-Form innerhalb des LED-Packages montiert ist. Ein herkömmlicher LED-Chip wird auf einem Submount, einem Lead-Frame bzw. Leiterrahmen oder einer Leiterelektrode über Silberpaste oder AuSn-Lot montiert und verpackt, um ein LED-Package zu bilden, das wiederum auf einer Leiterplatte oder dergleichen über die Lötpaste montiert wird. Folglich werden die Pads auf dem LED-Chip von der Lötpaste entfernt platziert und durch ein relativ stabiles Bondingmaterial, wie beispielsweise Silberpaste oder AuSn-Lot, gebondet.
  • In letzter Zeit erfolgten Studien, um eine Technologie zum Herstellen eines LED-Moduls durch direktes Bonden von Pads einer Lumineszenzdiode mit einer Leiterplatte über eine Lötpaste zu entwickeln. Beispielsweise wird ein LED-Modul durch direktes Montieren eines LED-Chips auf einer PCB anstelle des Verpackens des LED-Chips oder durch Herstellen eines sogenannten Wafer-Level-LED-Packages bzw. LED-Packages auf Wafer-Ebene gefolgt durch das Montieren des LED-Packages auf einer Leiterplatte hergestellt. Da die Pads bei diesen LED-Modulen direkt an die Lötpaste angrenzen, diffundieren Metallelemente, wie beispielsweise Zinn (Sn), in der Lötpaste in die Lumineszenzdiode durch die Pads ein und können einen Kurzschluss in der Lumineszenzdiode erzeugen und dadurch eine Vorrichtungsstörung verursachen.
  • [Offenbarung]
  • [Technisches Problem]
  • Ausführungsformen der Erfindung liefern ein LED-Modul, das eine Lumineszenzdiode enthält, die mit einem Substrat über eine Lötpaste gebondet ist.
  • Ausführungsformen der Erfindung liefern eine Lumineszenzdiode, die zum Verhindern einer Diffusion von Metallelementen der Lötpaste fähig ist, und ein LED-Modul, das dieselbe enthält.
  • Ausführungsformen der Erfindung liefern eine Lumineszenzdiode mit einer verbesserten Stromaufweitungsleistung.
  • Ausführungsformen der Erfindung liefern eine Lumineszenzdiode, die zum Verbessern der Lichtextraktionseffizienz durch Verbesserung des Reflexionsvermögens fähig ist.
  • Ausführungsformen der Erfindung liefern eine Lumineszenzdiode, die eine Vereinfachung eines Herstellungsprozesses während des Verbesserns der Stromaufweitungsleistung ermöglicht, ein LED-Modul, das dieselbe enthält, und ein Verfahren zum Herstellen derselben.
  • [Technische Lösung]
  • Nach einem Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält eine Lumineszenzdiode Folgendes: eine Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs; eine Vielzahl von Mesas, die auf der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs platziert sind und jeweils eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs enthalten; ein erstes Elektrodenpad, das mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; und ein zweites Elektrodenpad, das mit der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs von jeder Mesa elektrisch verbunden ist. Jedes Elektrodenpad des ersten Elektrodenpads und des zweiten Elektrodenpads enthält eine Lot-Sperrschicht und eine Oxidations-Sperrschicht.
  • Ein LED-Modul enthält eine Leiterplatte und die Lumineszenzdiode, die mit der Leiterplatte gebondet ist. Hier werden das erste und zweite Elektrodenpad der Lumineszenzdiode jeweils mit entsprechenden Pads über Lötpaste gebondet. Im Gegensatz zu einem typischen AuSn-Lot, besteht die Lötpaste aus einem Gemisch aus einer Metalllegierung und einem organischen Material und wird durch Wärmebehandlung ausgehärtet, um eine Bondingfunktion durchzuführen. Im Gegensatz zu Metallelementen in einem typischen AuSn-Lot, ist es wahrscheinlich, dass folglich Metallelemente, wie beispielsweise Sn, in der Lötpaste diffundieren.
  • Da jedes Elektrodenpad des ersten und zweiten Elektrodenpads die Lot-Sperrschicht enthält, ist es möglich zu verhindern, dass Metallelemente, wie beispielsweise Sn, in der Lötpaste in die Lumineszenzdiode eindiffundieren.
  • Die Lumineszenzdiode kann ferner reflektierende Elektrodenstrukturen, die jeweils auf den Mesas platziert sind; und eine Stromaufweitungsschicht enthalten, die die Vielzahl von Mesas und die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bedeckt und Öffnungen enthält, die jeweils in oberen Bereichen der Mesas platziert werden, während dieselben die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen, wobei die Stromaufweitungsschicht einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bildet und gegen die Vielzahl von Mesas isoliert ist. Hier ist das erste Elektrodenpad mit der Stromaufweitungsschicht elektrisch verbunden und das zweite Elektrodenpad mit den reflektierenden Elektrodenstrukturen elektrisch verbunden.
  • Da die Stromaufweitungsschicht die Vielzahl von Mesas und die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bedeckt, weist die Lumineszenzdiode eine verbesserte Stromaufweitungsleistung auf.
  • Jede reflektierende Elektrodenstruktur kann einen reflektierenden Metallabschnitt, einen abdeckenden Metallabschnitt und einen Oxidationsverhinderungs-Metallabschnitt enthalten. Zudem kann der reflektierende Metallabschnitt eine schräge Seitenfläche aufweisen, so dass eine Oberseite des reflektierenden Metallabschnitts eine schmälere Fläche als eine Unterseite desselben aufweist, und der abdeckende Metallabschnitt kann die Oberseite und Seitenfläche des reflektierenden Metallabschnitts bedecken. Ferner bedeckt der Oxidationsverhinderungs-Metallabschnitt den abdeckenden Metallabschnitt. Eine Entspannungsschicht kann an einer Schnittstelle zwischen dem reflektierenden Metallabschnitt und dem abdeckenden Metallabschnitt ausgebildet werden. Die Entspannungsschicht baut eine Spannung aufgrund einer Differenz des Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen unterschiedlichen Metallschichten ab.
  • Ferner kann die Vielzahl von Mesas eine längliche Form aufweisen, die sich in eine Richtung erstreckt, und zueinander parallel sein und die Öffnungen der Stromaufweitungsschicht können platziert werden, um in Richtung der gleichen Enden der Vielzahl von Mesas vorgespannt zu sein.
  • Bei einigen Ausführungsformen enthält die Stromaufweitungsschicht ein reflektierendes Metall. Zudem kann die Stromaufweitungsschicht ein Reflexionsvermögen von 65% bis 75% aufweisen. Mit dieser Struktur ist es möglich, eine Lichtreflexion durch die Stromaufweitungsschicht zusätzlich zu einer Lichtreflexion durch die reflektierenden Elektroden zu liefern, wodurch Licht, das durch Seitenwände der Vielzahl von Mesas und die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs geht, reflektiert werden kann.
  • Die Lumineszenzdiode kann ferner eine obere Isolierschicht enthalten, die zumindest einen Teil der Stromaufweitungsschicht bedeckt und Öffnungen enthält, die die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen, wobei das zweite Elektrodenpad auf der oberen Isolierschicht platziert und mit den reflektierenden Elektrodenstrukturen verbunden wird, die durch die Öffnungen der oberen Isolierschicht freiliegend sind.
  • Die Lumineszenzdiode kann ferner eine Antidiffusions-Verstärkungsschicht enthalten, die zwischen den reflektierenden Elektrodenstrukturen und dem zweiten Elektrodenpad platziert wird. Die Antidiffusions-Verstärkungsschicht kann verhindern, dass Metallelemente, die durch das zweite Elektrodenpad diffundieren, in die Lumineszenzdiode gelangen. Die Antidiffusions-Verstärkungsschicht kann aus dem gleichen Material wie die Stromaufweitungsschicht gebildet werden.
  • Die Lumineszenzdiode kann ferner eine untere Isolierschicht enthalten, die zwischen der Vielzahl von Mesas und der Stromaufweitungsschicht platziert ist und die Stromaufweitungsschicht gegen die Vielzahl von Mesas isoliert. Die untere Isolierschicht kann Öffnungen enthalten, die jeweils in den oberen Bereichen der Mesas platziert sind und die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen.
  • Des Weiteren können die Öffnungen der Stromaufweitungsschicht eine größere Breite als die Öffnungen der unteren Isolierschicht aufweisen, um zu ermöglichen, dass alle Öffnungen der unteren Isolierschicht durch dieselben freiliegend sind.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann die Lumineszenzdiode ferner eine obere Isolierschicht enthalten, die zumindest einen Teil der Stromaufweitungsschicht bedeckt und Öffnungen enthält, die die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen, wobei die obere Isolierschicht Seitenwände der Öffnungen der Stromaufweitungsschicht bedecken kann.
  • Die untere Isolierschicht kann eine Siliziumoxidschicht enthalten und die obere Isolierschicht kann eine Siliziumnitridschicht enthalten. Die obere Isolierschicht, die aus der Siliziumnitridschicht gebildet ist, kann verhindern, dass Metallelemente der Lötpaste durch dieselbe diffundieren.
  • Die Lumineszenzdiode kann ferner ein Substrat und einen Wellenlängen-Konverter enthalten, der eine Unterseite des Substrates bedeckt. Das Substrat kann ein Wachstumssubstrat zum Aufwachsen von Halbleiterschichten sein. Des Weiteren kann der Wellenlängen-Konverter die Unterseite und eine Seitenfläche des Substrates bedecken.
  • Die Lot-Sperrschicht kann eine Metallschicht enthalten, die aus zumindest einem Metall gebildet wird, das aus der aus Cr, Ti, Ni, Mo, TiW und W bestehenden Gruppe ausgewählt wird, und die Oxidations-Sperrschicht kann eine Schicht aus Au, Ag oder einem organischen Material enthalten.
  • Bei einigen Ausführungsformen kann die Lötpaste zumindest einen Teil einer Seitenfläche von jedem Elektrodenpad des ersten Elektrodenpads und des zweiten Elektrodenpads bedecken.
  • Die Lötpaste kann eine Unterseite der Lumineszenzdiode neben dem ersten Elektrodenpad und dem zweiten Elektodenpad berühren. Die Lumineszenzdiode kann ferner eine obere Isolierschicht enthalten, die auf der Unterseite derselben platziert ist, und die Lötpaste kann die obere Isolierschicht berühren. Des Weiteren kann die Lötpaste eine Seitenfläche der Lumineszenzdiode teilweise bedecken.
  • Die Lötpaste kann Sn und andere Metalle enthalten. Bei einer Ausführungsform kann Sn in einer Menge von 50 Gew.-% oder mehr basierend auf dem Gesamtgewicht der Lötpaste vorhanden sein. Bei einer anderen Ausführungsform kann Sn in einer Menge von 60 Gew.-% oder mehr, beispielsweise 90 Gew.-% oder mehr, basierend auf dem Gesamtgewicht der Lötpaste vorhanden sein.
  • Nach einem anderen Aspekt der Erfindung enthält eine Lumineszenzdiode Folgendes: eine Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs; eine Vielzahl von Mesas, die auf der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs platziert sind und jeweils eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs enthalten; reflektierende Elektrodenstrukturen, die jeweils auf den Mesas platziert sind; eine Antidiffusions-Verstärkungsschicht, die auf jeder reflektierenden Elektrodenstruktur platziert ist; ein erstes Elektrodenpad, das mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; und ein zweites Elektrodenpad, das mit der Antidiffusions-Verstärkungsschicht elektrisch verbunden ist.
  • Ein LED-Modul enthält eine Leiterplatte und die Lumineszenzdiode, die mit der Leiterplatte gebondet ist. Hier sind das erste und zweite Elektrodenpad der Lumineszenzdiode jeweils mit entsprechenden Pads über Lötpaste gebondet.
  • Die Lumineszenzdiode kann ferner eine Stromaufweitungsschicht enthalten, die die Vielzahl von Mesas und die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bedeckt, Öffnungen enthält, die jeweils in oberen Bereichen der Mesas platziert sind und die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen, einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bildet und gegen die Vielzahl von Mesas isoliert ist. Das erste Elektrodenpad ist mit der Stromaufweitungsschicht elektrisch verbunden.
  • Die Antidiffusions-Verstärkungsschicht kann aus dem gleichen Material wie die Stromaufweitungsschicht gebildet sein. Folglich kann die Antidiffusions-Verstärkungsschicht zusammen mit der Stromaufweitungsschicht durch den gleichen Prozess gebildet werden.
  • Die Stromaufweitungsschicht kann Cr, Al, Ni, Ti oder Au enthalten.
  • Die Lötpasten können Pb-haltige Lötlegierungen, wie beispielsweise Sn-Pb oder Sn-Pb-Ag, oder Pb-freie Lötlegierungen, wie beispielsweise Sn-Ag-, Sn-Bi-, Sn-Zn-, Sn-Sb- oder Sn-Ag-Cu-Legierungen, enthalten.
  • Die Lötpaste kann Sn in einer Menge von 50 Gew.-% oder mehr, 60 Gew.-% oder mehr oder 90 Gew.-% oder mehr basierend auf dem Gesamtgewicht von Metallen enthalten.
  • Nach einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung enthält ein Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode Folgendes: Ausbilden einer Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs, einer aktiven Schicht und einer Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs auf einem Substrat; Ausbilden einer Vielzahl von Mesas auf der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs durch Bemustern (Patterning) der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs und der aktiven Schicht; Ausbilden von reflektierenden Elektrodenstrukturen auf der Vielzahl von Mesas, um jeweils einen ohmschen Kontakt mit der Vielzahl von Mesas zu bilden; Ausbilden einer Stromaufweitungsschicht, die die Vielzahl von Mesas und die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bedeckt, Öffnungen enthält, die jeweils in oberen Bereichen der Mesas platziert sind und die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen, einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bildet und gegen die Vielzahl von Mesas isoliert ist; und Ausbilden eines ersten Elektrodenpads, das mit der Stromaufweitungsschicht elektrisch verbunden ist, und eines zweiten Elektrodenpads, das mit den reflektierenden Elektrodenstrukturen elektrisch verbunden ist.
  • Bei einigen Ausführungsformen können das erste Elektrodenpad und das zweite Elektrodenpad jeweils eine Lot-Sperrschicht und eine Oxidations-Sperrschicht enthalten. Die Lot-Sperrschicht kann eine Metallschicht sein, die aus zumindest einem Metall ausgebildet wird, das aus der aus Cr, Ti, Ni, Mo, TiW und W bestehenden Gruppe ausgewählt wird, und die Oxidations-Sperrschicht kann eine Au-, Ag- oder organische Schicht enthalten.
  • Das LED-Herstellungsverfahren kann ferner das Ausbilden einer Antidiffusions-Verstärkungsschicht auf der reflektierenden Elektrodenstruktur enthalten.
  • Die Antidiffusions-Verstärkungsschicht kann zusammen mit der Stromaufweitungsschicht ausgebildet werden und das zweite Elektrodenpad kann mit der Antidiffusions-Verstärkungsschicht verbunden werden.
  • Das LED-Herstellungsverfahren kann vor dem Ausbilden der Stromaufweitungsschicht ferner das Ausbilden einer unteren Isolierschicht enthalten, die die Vielzahl von Mesas und die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bedeckt und Öffnungen, die die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs freilegen, und Öffnungen enthält, die jeweils in oberen Bereichen der Mesas platziert werden und die reflektierenden Elektroden freilegen.
  • Das LED-Herstellungsverfahren kann ferner das Ausbilden einer oberen Isolierschicht auf der Stromaufweitungsschicht enthalten. Die obere Isolierschicht kann Öffnungen enthalten, die die reflektierenden Elektroden freilegen, und kann Seitenwände der Öffnungen der Stromaufweitungsschicht bedecken.
  • Die untere Isolierschicht kann eine Siliziumoxidschicht enthalten und die obere Isolierschicht kann eine Siliziumnitridschicht enthalten.
  • Nachdem das erste Elektrodenpad und das zweite Elektrodenpad ausgebildet werden, kann das Substrat durch Schleifen oder Läppen teilweise entfernt werden, um dünn zu werden. Danach wird das Substrat unterteilt, um einzelne LED-Chips zu liefern, die gegeneinander isoliert sind. Als Nächstes kann ein Wellenlängen-Konverter auf die LED-Chips aufgetragen werden und der LED-Chip mit dem Wellenlängen-Konverter wird auf einer Leiterplatte über Lötpaste montiert, wobei dadurch ein LED-Modul bereitgestellt wird.
  • Der Wellenlängen-Konverter kann durch Auftragen eines phosphorhaltigen Harzes auf den LED-Chip gefolgt durch Aushärten oder durch Sprühen von Phosphorpulver auf den LED-Chip über eine Aerosolsprühvorrichtung ausgebildet werden.
  • [Vorteilhafte Effekte]
  • Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung liefern eine Lumineszenzdiode, die fähig ist, eine Diffusion von Metallelementen der Lötpaste zu verhindern, und ein LED-Modul, das dieselbe enthält. Zudem liefern Ausführungsformen der Erfindung eine Lumineszenzdiode mit einer verbesserten Stromaufweitungsleistung, insbesondere eine Flip-Chip-Lumineszenzdiode. Ferner liefern Ausführungsformen der Erfindung eine Lumineszenzdiode, die ein verbessertes Reflexionsvermögen unter Verwendung einer Stromaufweitungsschicht aufweist und somit eine verbesserte Lichtextraktionseffizienz aufweist. Des Weiteren weist eine Lumineszenzdiode nach den Ausführungsformen der Erfindung eine einfache Mesastruktur auf und ermöglicht dadurch eine Vereinfachung eines LED-Herstellungsprozesses. Andererseits kann eine Lötpaste Oberseiten der Elektrodenpads von einer Flip-Chip-Lumineszenzdiode bedecken, während dieselbe zumindest einen Teil der Seitenflächen derselben bedeckt. Des Weiteren kann die Lötpaste eine Unterseite der Lumineszenzdiode neben den Elektrodenpads berühren, wodurch Wärme, die in der Lumineszenzdiode erzeugt wird, durch die Lötpasten abgeführt werden kann. Ferner kann die Lötpaste zumindest einen Teil der Seitenfläche der Lumineszenzdiode bedecken, um Licht zu reflektieren, das durch die Seitenfläche der Lumineszenzdiode emittiert wird, wobei dadurch eine Lichtausbeute verbessert wird.
  • [Beschreibung der Zeichnungen]
  • 1 ist eine schematische Seitenschnittansicht eines Lumineszenzdiodenmoduls nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • Die 2 bis 11 sind Ansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen, wobei (a) eine Draufsicht ist und (b) eine Schnittansicht ist, die entlang einer Linie A-A in jeder Figur der 2 bis 10 genommen wurde.
  • Die 12 bis 14 sind Ansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen, wobei (a) eine Draufsicht ist und (b) eine Schnittansicht ist, die entlang einer Linie A-A genommen wurde.
  • Die 15 bis 17 sind Ansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen, wobei (a) eine Draufsicht ist und (b) eine Schnittansicht ist, die entlang einer Linie A-A genommen wurde.
  • 19 ist eine Rasterelektronenmikroskopie-Schnittansicht (REM-Schnittansicht) eines LED-Moduls, das durch ein Verfahren nach einer Ausführungsform der Erfindung hergestellt wurde.
  • [Beste Ausführungsform]
  • Nachstehend werden Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung in Bezug auf die beiliegenden Zeichnungen detaillierter beschrieben werden. Es sollte klar sein, dass die folgenden Ausführungsformen nur zur Veranschaulichung aufgeführt sind, um jemandem mit Fähigkeiten in der Technik ein umfassendes Verständnis der Erfindung zu liefern. Daher ist die vorliegende Erfindung nicht auf die folgenden Ausführungsformen beschränkt und kann in verschiedenen Weisen ausgeführt werden. Ferner können Breiten, Längen und Stärken bestimmter Elemente, Schichten oder Merkmale zur Klarheit übertrieben sein und ähnliche Komponenten werden überall in den beiliegenden Zeichnungen durch ähnliche Bezugsnummern angegeben werden.
  • 1 ist eine schematische Seitenschnittansicht eines Lumineszenzdiodenmoduls nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • In Bezug auf 1 enthält ein LED-Modul eine Leiterplatte 51 mit Pads 53a, 53b und eine Lumineszenzdiode 100, die mit der Leiterplatte 51 über Lötpasten 55 gebondet ist. Die Lumineszenzdiode 100 enthält eine Halbleiterschicht 23 eines ersten leitfähigen Typs, eine Mesa M, ein erstes Elektrodenpad 43a und ein zweites Elektrodenpad 43b. Zudem kann die Lumineszenzdiode 100 eine obere Isolierschicht 41 auf einer Unterseite derselben enthalten. Die Mesa M kann eine aktive Schicht (nicht gezeigt) und eine Halbleiterschicht (nicht gezeigt) eines zweiten leitfähigen Typs enthalten. Ferner kann die Lumineszenzdiode ein Substrat 21 und einen Wellenlängen-Konverter 45 enthalten.
  • Die Leiterplatte ist ein Substrat mit einer gedruckten Schaltung, die auf demselben ausgebildet ist, und kann jedes Substrat enthalten, das zum Bereitstellen eines LED-Moduls fähig ist.
  • In der verwandten Technik wird ein LED-Chip auf einer Leiterplatte mit einem Leiterrahmen oder Leiterelektroden auf derselben montiert und verpackt, um ein LED-Package zu liefern, das wiederum auf einer Leiterplatte montiert wird. Umgekehrt werden bei dieser Ausführungsform das erste und zweite Elektrodenpad 43a, 43b, die auf dem LED-Chip ausgebildet sind, über die Lötpasten direkt auf der Leiterplatte 51 montiert.
  • Die Lumineszenzdiode wird auf der Leiterplatte umgedreht in einer Flip-Chip-Struktur platziert und eine Unterseite des Substrates 21, das heißt, eine Oberfläche des Substrates gegenüber der Mesa M, wird mit dem Wellenlängen-Konverter 45 bedeckt. Der Wellenlängen-Konverter 45 kann nicht nur die Unterseite des Substrates 21, sondern auch eine Seitenfläche des Substrates 21 bedecken. Hier kann das Substrat 21 ein Wachstumssubstrat zum Aufwachen von auf GaN basierenden Halbleiterschichten, beispielsweise ein bemustertes Saphirsubstrat (PSS; engl. patterned sapphire substrate), sein. Ferner kann eine Vielzahl von Mesas M auf der Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs platziert werden, um voneinander getrennt zu sein.
  • Die Lötpasten 55 dienen zum Bonden des ersten Elektrodenpads 43a und des zweiten Elektrodenpads 43b mit den Pads 53a, 53b auf der Leiterplatte. Die Lötpasten 55 können Unterseiten des ersten Elektrodenpads 43a und zweiten Elektrodenpads 43b bedecken und zumindest einen Teil der Seitenflächen des ersten und zweiten Elektrodenpads 43a, 43b bedecken, wie in 1 gezeigt. Ferner können die Lötpasten 55 die obere Isolierschicht 41 berühren, die auf der Unterseite der Lumineszenzdiode 100 platziert ist. Die Lötpasten 55 können die Unterseite der Lumineszenzdiode 100 direkt berühren und ermöglichen dadurch eine Wärmeableitung von der Lumineszenzdiode 100 durch die Lötpasten 55. Des Weiteren können die Lötpasten 55 einen Teil einer Seitenfläche der Lumineszenzdiode 100 bedecken. Die Lötpasten 55 können einen Teil der Seitenfläche des Substrates bedecken. Mit dieser Struktur kann die Lumineszenzdiode 100 Licht, das von der Seitenfläche derselben emittiert wird, unter Verwendung der Lötpasten 55 reflektieren und dadurch die Effizienz des Lichts verbessern, das von der Lumineszenzdiode 100 emittiert wird.
  • Wie hierin verwendet, bedeutet der Ausdruck „Lötpaste” bei der Beschreibung einer Struktur eine endgültige Bondingschicht, die aus einer Paste gebildet ist, die ein Gemisch aus Metallpulver, Flussmittel und einem organischen Material ist. Bei der Beschreibung des Verfahrens zum Herstellen eines LED-Moduls bedeutet der Ausdruck „Lötpaste” jedoch eine Paste, die ein Gemisch aus Metallpulver, Flussmittel und einem organischen Material ist.
  • Als eine endgültige Bondingschicht enthält die Lötpaste 55 Sn und andere Metalle. Sn kann in einer Menge von 50 Gew.-% oder mehr basierend auf dem Gesamtgewicht von Metallen in der Lötpaste vorhanden sein. Bei einer anderen Ausführungsform ist Sn in einer Menge von 60 Gew.-% oder mehr basierend auf dem Gesamtgewicht von Metallen in der Lötpaste vorhanden. Bei einer weiteren Ausführungsform ist Sn in einer Menge von 90 Gew.-% oder mehr basierend auf dem Gesamtgewicht von Metallen in der Lötpaste vorhanden.
  • Die Lötpaste 55 kann beispielsweise Sn/Pb in Mengen von 63 Gew.-%/37 Gew.-% enthalten oder Sn/Pb/Ag in Mengen von 62 Gew.-%/36 Gew.-%/2 Gew.-% enthalten. Die Lötpaste 55 kann eine Pb-freie Legierung sein. Beispielsweise kann die Lötpaste 55 Sn/Ag in Mengen von 96,5 Gew.-%/3,5 Gew.-% enthalten. Die Lötpaste 55 kann ferner Sn/Ag/Cu in Mengen von 96,5 Gew.-%/3 Gew.-%/0,5 Gew.-%, 95,8 Gew.-%/3,5 Gew.-%/0,7 Gew.-%, 95,5 Gew.-%/3,8 Gew.-%/0,7 Gew.-%, 95,5 Gew.-%/3,9 Gew.-%/0,6 Gew.-% oder 95,5 Gew.-%/4,0 Gew.-%/0,5 Gew.-% enthalten. Bei einer anderen Ausführungsform kann die Lötpaste 55 Sn und Sb in Mengen von 95 Gew.-% bzw. 5 Gew.-% enthalten.
  • 1 zeigt schematisch das LED-Modul nach der Ausführungsform zur Einfachheit der Beschreibung und die Struktur und Komponenten der Lumineszenzdiode werden durch die folgende Beschreibung eines Verfahrens zum Herstellen einer Lumineszenzdiode offensichtlicher werden.
  • Die 2 bis 11 sind Ansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen, wobei (a) eine Draufsicht ist und (b) eine Schnittansicht ist, die entlang einer Linie A-A in jeder Figur der 2 bis 10 genommen wurde.
  • In Bezug auf 2 werden eine Halbleiterschicht 23 eines ersten leitfähigen Typs, eine aktive Schicht 25 und eine Halbleiterschicht 27 eines zweiten leitfähigen Typs auf ein Substrat 21 aufgewachsen. Das Substrat 100 ist ein Substrat, das zum Aufwachsen von auf GaN basierenden Halbleiterschichten fähig ist, und kann beispielsweise ein Saphirsubstrat, ein Siliziumkarbidsubstrat, ein Galliumnitridsubstrat (GaN-Substrat), ein Spinellsubstrat oder dergleichen sein. Insbesondere kann das Substrat ein bemustertes Substrat sein.
  • Die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs kann beispielsweise eine auf GaN basierende n-leitende Schicht sein und die Halbleiterschicht 27 des zweiten leitfähigen Typs kann beispielsweise eine auf GaN basierende p-leitende Schicht enthalten. Zudem kann die aktive Schicht 25 eine Einzelquantententopf-Struktur oder eine Mehrfachquantentopf-Struktur enthalten und eine Topfschicht (well layer) und eine Sperrschicht enthalten. Die Topfschicht kann kompositorische Elemente aufweisen, die abhängig von einer erwünschten Wellenlänge des Lichts ausgewählt werden, und kann beispielsweise InGaN enthalten.
  • Eine vorläufige Isolierschicht 29 kann auf der Halbleiterschicht 27 des zweiten leitfähigen Typs ausgebildet werden. Die vorläufige Isolierschicht 29 kann aus SiO2 durch beispielsweise chemische Gasphasenabscheidung ausgebildet werden.
  • Dann wird ein Fotolackmuster 30 ausgebildet. Das Fotolackmuster 30 weist Öffnungen 30a zum Ausbilden reflektierender Elektrodenstrukturen auf. Die Öffnungen 30a werden derart ausgebildet, dass eine Unterseite jeder Öffnung eine schmälere Breite als ein Einlass derselben aufweist. Ein Fotolack vom negativen Typ ermöglicht die Bildung des Fotolackmusters 30, das die Öffnungen 30a mit solch einer Form aufweist.
  • In Bezug auf 3 wird die vorläufige Oxidationsschicht 29 unter Verwendung des Fotolackmusters 30 als Ätzmaske geätzt. Die vorläufige Oxidationsschicht 29 kann durch Nassätzen geätzt werden. Folglich wird die vorläufige Oxidationsschicht 29 in den Öffnungen 30a des Fotolackmusters 30 geätzt, um Öffnungen 29a der vorläufigen Oxidationsschicht 29 zu bilden, die die Halbleiterschicht 27 des zweiten leitfähigen Typs freilegen. Die Öffnungen 29a weisen im Allgemeinen eine ähnliche oder größere Fläche als eine Bodenfläche der Öffnungen 30a des Fotolackmusters 30 auf.
  • In Bezug auf 4 werden die reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 unter Verwendung der Lift-off-Technologie ausgebildet. Die reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 können einen reflektierenden Metallabschnitt 31, einen abdeckenden Metallabschnitt 32 und einen Oxidationsverhinderungs-Metallabschnitt 33 enthalten. Der reflektierende Metallabschnitt 31 kann eine reflektierende Schicht enthalten und eine Entspannungsschicht kann zwischen dem reflektierenden Metallabschnitt 31 und dem abdeckenden Metallabschnitt 32 ausgebildet werden. Die Entspannungsschicht baut eine Spannung aufgrund einer Differenz des Wärmeausdehnungskoeffizienten zwischen dem reflektierenden Metallabschnitt 31 und dem abdeckenden Metallabschnitt 32 ab.
  • Der reflektierende Metallabschnitt 31 kann aus beispielsweise Ni/Ag/Ni/Au ausgebildet werden und eine Gesamtstärke von ca. 1600 Å aufweisen. Wie gezeigt, kann der reflektierende Metallabschnitt 31 eine schräge Seitenfläche, das heißt, eine Struktur aufweisen, bei der eine Bodenfläche eine größere Fläche als eine Oberseite aufweist. Solch ein reflektierender Metallabschnitt 31 kann durch Elektronenstrahlverdampfung ausgebildet werden.
  • Der abdeckende Metallabschnitt 32 bedeckt die Oberseite und Seitenfläche des reflektierenden Metallabschnitts 31, um den reflektierenden Metallabschnitt 31 zu schützen. Der abdeckende Metallabschnitt 32 kann durch Zerstäubung oder durch Elektronenstrahlverdampfung (beispielsweise planetarische Elektronenstrahlverdampfung) ausgebildet werden, bei der das Substrat 21 in einem geneigten Zustand während der Vakuumbedampfung gedreht wird. Der abdeckende Metallabschnitt 32 kann Ni, Pt, Ti oder Cr enthalten und kann durch Niederschlagen bzw. Aufdampfen von beispielsweise ungefähr 5 Paar Ni/Pt oder ungefähr 5 Paar Ni/Ti ausgebildet werden. Alternativ kann der abdeckende Metallabschnitt 32 TiW, W oder Mo enthalten.
  • Die Entspannungsschicht kann aus einem Material ausgebildet werden, das auf verschiedene Weisen abhängig von den Metallmaterialien der reflektierenden Schicht und der abdeckenden Metallschicht 32 ausgewählt wird. Wenn die reflektierende Schicht beispielsweise aus Al oder Al-Legierungen besteht und der abdeckende Metallabschnitt 32 aus W, TiW oder Mo besteht, kann die Entspannungsschicht eine einzelne Schicht aus Ag, Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd oder Cr oder eine Verbundschicht aus Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd oder Au sein. Wenn die reflektierende Schicht 142 aus Al oder Al-Legierungen besteht und die abdeckende Metallschicht 32 aus Cr, Pt, Rh, Pd oder Ni besteht, kann die Entspannungsschicht ferner eine einzelne Schicht aus Ag oder Cu oder eine Verbundschicht aus Ni, Au, Cu oder Ag sein.
  • Wenn die reflektierende Schicht aus Ag oder Ag-Legierungen besteht und der abdeckende Metallabschnitt 32 aus W, TiW oder Mo besteht, kann die Entspannungsschicht eine einzelne Schicht aus Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd oder Cr oder eine Verbundschicht aus Cu, Ni, Pt, Ti, Rh, Pd, Cr oder Au sein. Wenn die reflektierende Schicht aus Ag oder Ag-Legierungen besteht und der abdeckende Metallabschnitt 32 aus Cr oder Ni besteht, kann die Entspannungsschicht ferner eine einzelne Schicht aus Cu, Cr, Rh, Pd, TiW oder Ti oder eine Verbundschicht aus Ni, Au oder Cu sein.
  • Ferner enthält der Oxidationsverhinderungs-Metallabschnitt 33 Au, um eine Oxidation des abdeckenden Metallabschnitts 32 zu verhindern, und kann aus beispielsweise Au/Ni oder Au/Ti gebildet sein. Ti weist eine gute Adhäsion an einer Oxidschicht, wie beispielsweise SiO2, auf, und wird somit bevorzugt. Der Oxidationsverhinderungs-Metallabschnitt 33 kann durch Zerstäubung oder durch Elektronenstrahlverdampfung (beispielsweise planetarische Elektronenstrahlverdampfung) ausgebildet werden, bei der das Substrat 21 in einem geneigten Zustand während der Vakuumbedampfung gedreht wird.
  • Nach dem Aufdampfen der reflektierenden Metallstrukturen 35 wird das Fotolackmuster 30 entfernt und somit bleiben die reflektierenden Metallstrukturen 35 auf der Halbleiterschicht 27 des zweiten leitfähigen Typs, wie in 4 gezeigt.
  • In Bezug auf 5 wird eine Vielzahl von Mesas M, die voneinander getrennt sind, auf der Halbleiterschicht 21 des ersten leitfähigen Typs gebildet. Jede Mesa der Vielzahl von Mesas M enthält die aktive Schicht 25 und die Halbleiterschicht 27 des zweiten leitfähigen Typs. Die aktive Schicht 25 wird zwischen der Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs und der Halbleiterschicht 27 des zweiten leitfähigen Typs platziert. Andererseits wird die reflektierende Elektrodenstruktur 35 auf jeder Mesa M platziert.
  • Die Vielzahl von Mesas M kann durch Bemustern der Halbleiterschicht 27 des zweiten leitfähigen Typs und der aktiven Schicht 25 ausgebildet werden, um die Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs freizulegen. Die Vielzahl von Mesas M kann unter Verwendung der Fotolack-Reflow-Technologie ausgebildet werden, um schräge Seitenflächen aufzuweisen. Das schräge Profil der Seitenfläche der Mesa M verbessert die Extraktionseffizienz von Licht, das in der aktiven Schicht 25 erzeugt wird.
  • Wie gezeigt, können die mehrfachen Mesas M eine längliche Form aufweisen und parallel zueinander ausgebildet werden. Solch eine Form vereinfacht die Bildung der mehrfachen Mesas M mit der gleichen Form in einer Vielzahl von Chipbereichen auf dem Substrat 21.
  • Andererseits bedecken die reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 den meisten Bereich einer Oberseite der Mesa M und weisen im Wesentlichen die gleiche Form wie die Form der Mesas M in Draufsicht auf.
  • Im Zuge des Ätzens der Halbleiterschicht 27 des zweiten leitfähigen Typs und der aktiven Schicht 25 wird die vorläufige Oxidationsschicht 29, die darauf bleibt, auch teilweise geätzt und entfernt. Andererseits kann auf jeder Mesa M, obwohl die vorläufige Oxidationsschicht 29 nahe einer Kante der reflektierenden Elektrodenstruktur 35 bleiben kann, die vorläufige Oxidationsschicht 29 durch Nassätzen oder dergleichen entfernt werden. Alternativ kann die vorläufige Oxidationsschicht 29 vor Ausbildung der Mesas M entfernt werden.
  • In Bezug auf 6 kann nach Ausbildung der mehrfachen Mesas M die Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs dem Ätzen unterzogen werden, um LED-Flächen in Chipeinheiten zu unterteilen. Folglich ist die Oberseite des Substrates 21 nahe der Kante der Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs freiliegend.
  • Wie in 6 gezeigt, kann die Vielzahl von Mesas M in einem oberen Bereich der Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs restriktiv platziert werden. Insbesondere kann die Vielzahl von Mesas M in Insel-Formen auf dem oberen Bereich der Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs platziert werden. Alternativ können sich die Mesas M in eine Richtung erstrecken, um eine Kante einer Oberseite der Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs zu erreichen. Das heißt, Kanten der Unterseiten der Vielzahl von Mesas M in der einen Richtung können sich mit Kanten der Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs in der einen Richtung decken.
  • In Bezug auf 7 wird eine untere Isolierschicht 37 ausgebildet, um die Vielzahl von Mesas M und die Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs zu bedecken. Die untere Isolierschicht 37 enthält Öffnungen 37a, 37b, um eine elektrische Verbindung mit der Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs und der Halbleiterschicht 27 des zweiten leitfähigen Typs in spezifischen Bereichen durch dieselbe zu ermöglichen. Beispielsweise kann die untere Isolierschicht 37 Öffnungen 37b, die die Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs freilegen, und Öffnungen 37a enthalten, die die reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 freilegen.
  • Die Öffnungen 37a werden in oberen Bereichen der Mesas M restriktiv platziert, um in Richtung des gleichen Endes der Mesas vorgespannt zu sein. Andererseits können die Öffnungen 37b in einem Bereich zwischen den Mesas M und nahe der Kante des Substrates 21 platziert werden und eine längliche Form aufweisen, die sich entlang der Mesa M erstreckt.
  • Die untere Isolierschicht 37 kann aus Oxiden, wie beispielsweise SiO2, Nitriden, wie beispielsweise SiNx, oder Isoliermaterialien, wie beispielsweise MgF2, durch chemische Gasphasenabscheidung (CVD; engl. chemical vapor deposition) oder dergleichen ausgebildet werden. Die untere Isolierschicht 37 kann zu einer Dicke bzw. Stärke von beispielsweise 4000 Å bis 12000 Å ausgebildet werden. Die untere Isolierschicht 37 kann aus einer einzelnen Schicht oder mehreren Schichten bestehen. Zudem kann die untere Isolierschicht 37 als ein verteilter Bragg-Reflektor (DBR; engl. distributed Bragg reflector) ausgebildet werden, in dem niedrigbrechende Materialschichten und hochbrechende Materialschichten abwechselnd übereinander geschichtet sind. Beispielsweise kann eine reflektierende Isolierschicht mit einem hohen Reflexionsvermögen durch Stapeln von beispielsweise SiO2/TiO2-Schichten oder SiO2/Nb2O5-Schichten ausgebildet werden.
  • In Bezug auf 8 wird eine Stromaufweitungsschicht 39 auf der unteren Isolierschicht 37 ausgebildet. Die Stromaufweitungsschicht 39 bedeckt die Vielzahl von Mesas M und die Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs. Zudem enthält die Stromaufweitungsschicht 39 Öffnungen 39a, die jeweils in den oberen Bereichen der Mesas M platziert werden und die reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 freilegen. Die Stromaufweitungsschicht 39 kann einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs durch die Öffnungen 37b der unteren Isolierschicht 37 bilden. Die Stromaufweitungsschicht 39 ist gegen die Vielzahl von Mesas M und die reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 durch die untere Isolierschicht 37 isoliert.
  • Alle Öffnungen 39a der Stromaufweitungsschicht 39 weisen eine breitere Fläche als die Öffnungen 37a der unteren Isolierschicht 37 auf, um zu verhindern, dass die Stromaufweitungsschicht 39 mit den reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 verbunden wird. Folglich weisen die Öffnungen 39a Seitenwände auf, die auf der unteren Isolierschicht 37 platziert sind.
  • Die Stromaufweitungsschicht 39 wird im Wesentlichen über der Gesamtheit der Oberseite des Substrates mit Ausnahme der Öffnungen 39a ausgebildet. Folglich kann sich Strom leicht durch die Stromaufweitungsschicht 39 ausbreiten. Die Stromaufweitungsschicht 39 kann eine hochreflektierende Metallschicht, wie beispielsweise eine Al-Schicht, enthalten und die hochreflektierende Metallschicht kann auf einer Bondingsschicht, wie beispielsweise eine Ti-, Cr- oder Ni-Schicht, ausgebildet werden. Zudem kann eine Schutzschicht mit einer Struktur einer einzelnen Schicht oder Verbundschicht aus Ni, Cr, Au und dergleichen auf der hochreflektierenden Metallschicht ausgebildet werden. Die Stromaufweitungsschicht 39 kann eine vielschichtige Struktur aus beispielsweise Cr/Al/Ni/Ti/Ni/Ti/Au/Ti aufweisen.
  • In Bezug auf 9 wird eine obere Isolierschicht 41 auf der Stromaufweitungsschicht 39 ausgebildet. Die obere Isolierschicht 41 enthält eine Öffnung 41a, die die Stromaufweitungsschicht 39 freilegt, und Öffnungen 41b, die die reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 freilegen. Die Öffnung 41a kann eine längliche Form in einer senkrechten Richtung in Bezug auf die Längsrichtung der Mesa M aufweisen und eine breitere Fläche als die Öffnungen 41b aufweisen. Die Öffnungen 41b legen die reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 frei, die durch die Öffnungen 39a der Stromaufweitungsschicht 39 und die Öffnungen 37a der unteren Isolierschicht 37 freiliegend sind. Die Öffnungen 41b weisen eine schmälere Fläche als die Öffnungen 39a der Stromaufweitungsschicht 39 und eine breitere Fläche als die Öffnungen 37a der unteren Isolierschicht 37 auf. Folglich können Seitenwände der Öffnungen 39a der Stromaufweitungsschicht 39 durch die obere Isolierschicht 41 bedeckt werden.
  • Die obere Isolierschicht 41 kann aus Siliziumnitrid gebildet werden, um eine Diffusion von Metallelementen von der Lötpaste zu verhindern, und kann eine Stärke von 1 μm bis 2 μm aufweisen. Wenn die obere Isolierschicht 41 eine Stärke von weniger als 1 μm aufweist, ist es schwierig, eine Diffusion der Metallelemente der Lötpaste zu verhindern.
  • In Bezug auf 10 werden ein erstes Elektrodenpad 43a und ein zweites Elektrodenpad 43b auf der oberen Isolierschicht 41 ausgebildet. Das erste Elektrodenpad 43a ist mit der Stromaufweitungsschicht 39 durch die Öffnung 41a der oberen Isolierschicht 41 verbunden und das zweite Elektrodenpad 43b ist mit den reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 durch die Öffnungen 41b der oberen Isolierschicht 41 verbunden. Das erste Elektrodenpad 43a und das zweite Elektrodenpad 43b werden beim Montieren der Lumineszenzdiode auf der Leiterplatte über Lötpasten verwendet. Um einen Kurzschluss des ersten Elektrodenpads 43a und des zweiten Elektrodenpads 43b durch die Lötpasten zu verhindern, beträgt folglich ein Abstand D zwischen den Elektrodenpads vorzugweise ungefähr 300 μm oder mehr.
  • Das erste und zweite Elektrodenpad 43a, 43b können zur gleichen Zeit durch den gleichen Prozess, beispielsweise Fotolithographie und Ätz-Technologie oder Lift-off-Technologie, ausgebildet werden. Jedes Elektrodenpad des ersten und zweiten Elektrodenpads 43a, 43b kann eine Lot-Sperrschicht und eine Oxidations-Sperrschicht enthalten. Die Lot-Sperrschicht verhindert eine Diffusion von Metallelementen der Lötpaste und die Oxidations-Sperrschicht verhindert eine Oxidation der Lot-Sperrschicht. Die Lot-Sperrschicht kann Cr, Ti, Ni, Mo, TiW oder W enthalten und die Oxidations-Sperrschicht kann Au, Ag oder ein organisches Material enthalten.
  • Beispielsweise kann die Lot-Sperrschicht fünf Paar Ti/Ni-Schichten oder fünf Paar Ti/Cr-Schichten enthalten und die Oxidations-Sperrschicht kann Au enthalten. Mit dieser Struktur ist es möglich, eine Diffusion von Metallelementen der Lötpaste während des Verringerns einer Gesamtstärke des ersten und zweiten Elektrodenpads 43a, 43b auf weniger als 2 μm oder weniger als 1 μm zu verhindern.
  • Danach wird eine Unterseite des Substrates 21 durch Schleifen und/oder Läppen teilweise entfernt, um die Stärke des Substrates 21 zu verringern. Als Nächstes wird das Substrat 21 in einzelne Chipeinheiten unterteilt, wobei dadurch separate Lumineszenzdioden geliefert werden. Das Substrat 21 kann von den LED-Chips vor oder nach der Unterteilung in die einzelnen LED-Chipeinheiten entfernt werden.
  • In Bezug auf 11 wird ein Wellenlängen-Konverter 45 auf allen separaten Lumineszenzdioden ausgebildet. Der Wellenlängen-Konverter 45 kann durch Auftragen eines phosphorhaltigen Harzes auf die Lumineszenzdiode unter Verwendung einer Drucktechnik ausgebildet werden oder durch Sprühen von Phosphorpulver auf das Substrat 21 unter Verwendung einer Aerosolsprühvorrichtung ausgebildet werden. Insbesondere kann eine Aerosol-Abscheidung einen gleichmäßigen Phosphorfilm auf der Lumineszenzdiode bilden, wobei dadurch die Farbgleichmäßigkeit des von der Lumineszenzdiode emittierten Lichts verbessert wird. Folglich wird nach Vollendung der Lumineszenzdiode nach den Ausführungsformen der Erfindung die Lumineszenzdiode mit den entsprechenden Pads 55 der Leiterplatte 51 über die Lötpasten gebondet, wie in 1 gezeigt, wobei dadurch ein endgültiges LED-Modul geliefert wird.
  • Die 12 bis 14 sind Ansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen, wobei (a) eine Draufsicht ist und (b) eine Schnittansicht ist, die entlang einer Linie A-A genommen wurde.
  • In Bezug auf 12 ähnelt das LED-Herstellungsverfahren nach dieser Ausführungsform im Allgemeinen dem LED-Herstellungsverfahren nach der Ausführungsform, die in Bezug auf die 2 bis 11 beschrieben wurde, mit der Ausnahme des Ausbildens einer Antidiffusions-Verstärkungsschicht 40.
  • Bei dem LED-Herstellungsverfahren nach dieser Ausführungsform wird eine untere Isolierschicht 37 durch den Prozess ausgebildet, der in Bezug auf die 2 bis 7 beschrieben wurde. Dann wird eine Stromaufweitungsschicht 39 ausgebildet, wie in Bezug auf 8 beschrieben wurde. Hier wird während der Ausbildung der Stromaufweitungsschicht 39 eine Antidiffusions-Verstärkungsschicht 40 auf den reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 ausgebildet. Die Antidiffusions-Verstärkungsschicht 40 kann aus dem gleichen Material durch den gleichen Prozess wie die der Stromaufweitungsschicht 39 ausgebildet werden und von der Stromaufweitungsschicht 39 beabstandet werden.
  • In Bezug auf 13 wird eine obere Isolierschicht 41 ausgebildet, wie in Bezug auf 9 beschrieben wurde. Hier legen die Öffnungen 41b der oberen Isolierschicht 41 die Antidiffusions-Verstärkungsschicht 40 frei.
  • In Bezug auf 14 werden das erste und zweite Elektrodenpad 43a, 43b ausgebildet, wie in Bezug auf 10 beschrieben wurde. Das zweite Elektrodenpad 43b wird mit der Antidiffusions-Verstärkungsschicht 40 verbunden. Folglich wird die Antidiffusions-Verstärkungsschicht 40 zwischen der reflektierenden Metallstruktur 35 und dem zweiten Elektrodenpad 43b platziert und verhindert eine Diffusion von Metallelementen der Lötpaste zu der reflektierenden Metallstruktur 35.
  • Das Substrat wird dann in einzelne LED-Chipeinheiten unterteilt und der Wellenlängen-Konverter 45 wird ausgebildet, wie in Bezug auf 11 beschrieben wurde.
  • Die 15 bis 17 sind Ansichten, die ein Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach einer anderen Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulichen, wobei (a) eine Draufsicht ist und (b) eine Schnittansicht ist, die entlang einer Linie A-A genommen wurde.
  • Bei den obigen Ausführungsformen werden die Mesas M nach der Ausbildung der reflektierenden Elektrodenstruktur 35 ausgebildet. Hingegen werden bei dieser Ausführungsform die Mesas M vor der Ausbildung der reflektierenden Elektrodenstruktur 35 ausgebildet.
  • In Bezug auf 15 werden eine Halbleiterschicht 23 eines ersten leitfähigen Typs, eine aktive Schicht 25 und eine Halbleiterschicht 27 eines zweiten leitfähigen Typs auf ein Substrat 21 aufgewachsen, wie in Bezug auf 2 beschrieben wurde. Dann wird eine Vielzahl von Mesas M durch einen Bemusterungsprozess ausgebildet. Die Mesas M ähneln denen, die in Bezug auf 5 beschrieben wurden, und folglich wird eine detaillierte Beschreibung derselben hierin ausgelassen.
  • In Bezug auf 16 wird eine vorläufige Oxidationsschicht 29 ausgebildet, um die Halbleiterschicht 23 des ersten leitfähigen Typs und die Vielzahl von Mesas M zu bedecken. Die vorläufige Oxidationsschicht 29 kann aus dem gleichen Material durch den gleichen Prozess ausgebildet werden, wie in Bezug auf 2 beschrieben wurde. Ein Fotolackmuster 30 mit Öffnungen 30a wird auf der vorläufigen Oxidationsschicht 29 ausgebildet. Die Öffnungen 30a des Fotolackmusters 30 werden innerhalb oberer Bereiche der Mesas M platziert. Das Fotolackmuster 30 gleicht dem Fotolackmuster, das in Bezug auf 1 beschrieben wurde, mit der Ausnahme, dass das Fotolackmuster 30 auf dem Substrat ausgebildet wird, das die auf demselben ausgebildeten Mesas M aufweist, und folglich wird eine detaillierte Beschreibung desselben hierin ausgelassen.
  • In Bezug auf 17 wird die vorläufige Oxidationsschicht 29 unter Verwendung des Fotolackmusters 30 als Ätzmaske geätzt, wodurch Öffnungen 29a, die die Halbleiterschicht 27 des zweiten leitfähigen Typs freilegen, ausgebildet werden.
  • In Bezug auf 18 werden danach reflektierende Elektrodenstrukturen 35 jeweils auf den Mesas M durch eine Lift-off-Technik ausgebildet, wie in Bezug auf 4 detailliert beschrieben wurde. Dann können Lumineszenzdioden durch Prozesse hergestellt werden, die denen ähneln, die in Bezug auf die 6 bis 11 beschrieben wurden.
  • Da die Mesas M vor den reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 ausgebildet werden, kann bei dieser Ausführungsform die vorläufige Oxidationsschicht 29 auf Seitenflächen der Mesas M und auf einem Bereich zwischen den Mesas M bleiben. Dann wird die vorläufige Oxidationsschicht 29 mit der unteren Isolierschicht 39 bedeckt und zusammen mit der unteren Isolierschicht 39 dem Bemustern unterzogen.
  • Wie bei dieser Ausführungsform, kann die Reihenfolge der Prozesse bei der Herstellung der Lumineszenzdiode auf verschiedene Weisen modifiziert werden. Beispielsweise kann ein Prozess zum Isolieren von LED-Bereichen (ISO-Prozess) vor der Ausbildung der Mesas M oder vor der Ausbildung der reflektierenden Elektrodenstrukturen 35 durchgeführt werden.
  • 19 ist eine Rasterelektronenmikroskopie-Schnittansicht (REM-Schnittansicht) eines LED-Moduls, das durch ein Verfahren nach einer Ausführungsform der Erfindung hergestellt wurde. Hier zeigt (b) eine REM-Schnittansicht einer Lötpaste an einer Seite der REM-Schnittansicht von (a).
  • In Bezug auf die 19(a) und (b) ist eine Lumineszenzdiode 100 mit einer Leiterplatte 51 mit Pads 53 über Lötpasten 55 gebondet. Die Lötpasten 55 bonden Elektrodenpads 43 mit den Pads 53 auf der Leiterplatte 51. Zudem sind die Lötpasten 55 nicht nur zwischen den Elektrodenpads 43 und den Pads 53, sondern auch auf einem Teil der Seitenflächen der Elektrodenpads 43 platziert und berühren auch die obere Isolierschicht 41. Wie in der Figur gezeigt, bedeckt zudem ein Teil der Lötpasten 55 einen Abschnitt einer Seitenfläche der Lumineszenzdiode 100.

Claims (33)

  1. Lumineszenzdiodenmodul, aufweisend: eine Leiterplatte; und eine Lumineszenzdiode, die mit der Leiterplatte gebondet ist, wobei die Lumineszenzdiode Folgendes aufweist: eine Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs; eine Vielzahl von Mesas, die auf der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs platziert sind und jeweils eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs enthalten; ein erstes Elektrodenpad, das mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; und ein zweites Elektrodenpad, das mit der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs jeder Mesa elektrisch verbunden ist, wobei das erste Elektrodenpad und das zweite Elektrodenpad jeweils mit entsprechenden Pads auf der Leiterplatte über eine Lötpaste gebondet sind und jedes Elektrodenpad des ersten Elektrodenpads und zweiten Elektrodenpads eine Lot-Sperrschicht und eine Oxidations-Sperrschicht aufweist.
  2. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 1, wobei die Lumineszenzdiode ferner Folgendes aufweist: reflektierende Elektrodenstrukturen, die jeweils auf den Mesas platziert sind; und eine Stromaufweitungsschicht, die die Vielzahl von Mesas und die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bedeckt und Öffnungen enthält, die jeweils in oberen Bereichen der Mesas platziert sind, während dieselben die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen, wobei die Stromaufweitungsschicht einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bildet und gegen die Vielzahl von Mesas isoliert ist, wobei das erste Elektrodenpad mit der Stromaufweitungsschicht elektrisch verbunden ist und das zweite Elektrodenpad mit den reflektierenden Elektrodenstrukturen elektrisch verbunden ist.
  3. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 2, wobei jede reflektierende Elektrodenstruktur einen reflektierenden Metallabschnitt, einen abdeckenden Metallabschnitt und einen Oxidationsverhinderungs-Metallabschnitt aufweist, wobei der reflektierende Metallabschnitt eine schräge Seitenfläche derart aufweist, dass eine Oberseite des reflektierenden Metallabschnitts eine schmälere Fläche als eine Unterseite desselben aufweist, der abdeckende Metallabschnitt die Oberseite und Seitenfläche des reflektierenden Metallabschnitts bedeckt, eine Entspannungsschicht an einer Schnittstelle zwischen dem reflektierenden Metallabschnitt und dem abdeckenden Metallabschnitt ausgebildet ist.
  4. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 2, wobei die Vielzahl von Mesas eine längliche Form aufweisen, die sich in eine Richtung erstreckt, und parallel zueinander sind und die Öffnungen der Stromaufweitungsschicht platziert werden, um in Richtung der gleichen Enden der Vielzahl von Mesas vorgespannt zu sein.
  5. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 2, wobei die Stromaufweitungsschicht ein reflektierendes Metall aufweist.
  6. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 2, wobei die Lumineszenzdiode ferner eine obere Isolierschicht aufweist, die zumindest einen Teil der Stromaufweitungsschicht bedeckt und Öffnungen enthält, die die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen, und das zweite Elektrodenpad auf der oberen Isolierschicht platziert ist und mit den reflektierenden Elektrodenstrukturen elektrisch verbunden ist, die durch die Öffnungen der oberen Isolierschicht freiliegend sind.
  7. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 6, wobei die Lumineszenzdiode ferner Folgendes aufweist: eine Antidiffusions-Verstärkungsschicht, die zwischen den reflektierenden Elektrodenstrukturen und dem zweiten Elektrodenpad platziert ist.
  8. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 7, wobei die Antidiffusions-Verstärkungsschicht aus dem gleichen Material wie die Stromaufweitungsschicht gebildet ist.
  9. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 2, wobei die Lumineszenzdiode ferner eine untere Isolierschicht aufweist, die zwischen der Vielzahl von Mesas und der Stromaufweitungsschicht platziert ist und die Stromaufweitungsschicht gegen die Vielzahl von Mesas isoliert, wobei die untere Isolierschicht Öffnungen enthält, die jeweils in den oberen Bereichen der Mesas platziert sind und die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen.
  10. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 9, wobei die Öffnungen der Stromaufweitungsschicht eine größere Breite als die Öffnungen der unteren Isolierschicht aufweisen, um zu ermöglichen, dass alle Öffnungen der unteren Isolierschicht durch dieselben freiliegend sind.
  11. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 10, wobei die Lumineszenzdiode ferner eine obere Isolierschicht aufweist, die zumindest einen Teil der Stromaufweitungsschicht bedeckt und Öffnungen enthält, die die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen, wobei die obere Isolierschicht Seitenwände der Öffnungen der Stromaufweitungsschicht bedeckt.
  12. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 11, wobei die untere Isolierschicht eine Siliziumoxidschicht aufweist und die obere Isolierschicht eine Siliziumnitridschicht aufweist.
  13. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 1, wobei die Lumineszenzdiode ferner Folgendes aufweist: ein Substrat; und einen Wellenlängen-Konverter, der eine Unterseite des Substrates bedeckt.
  14. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 1, wobei die Lot-Sperrschicht eine Metallschicht aufweist, die aus zumindest einem Metall gebildet wird, das aus der aus Cr, Ti, Ni, Mo, TiW und W bestehenden Gruppe ausgewählt wird, und die Oxidations-Sperrschicht eine Schicht aus Au, Ag oder einem organischen Material aufweist.
  15. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 1, wobei die Lötpaste zumindest einen Teil einer Seitenfläche jedes Elektrodenpads des ersten Elektrodenpads und des zweiten Elektrodenpads bedeckt.
  16. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 1, wobei die Lötpaste eine Unterseite der Lumineszenzdiode neben dem ersten Elektrodenpad und dem zweiten Elektrodenpad berührt.
  17. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 16, wobei die Lumineszenzdiode ferner eine obere Isolierschicht aufweist, die auf der Unterseite derselben platziert ist, und die Lötpaste die obere Isolierschicht berührt.
  18. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 17, wobei die Lötpaste eine Seitenfläche der Lumineszenzdiode teilweise bedeckt.
  19. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 1, wobei die Lötpaste Sn und andere Metalle enthält und Sn in einer Menge von 50 Gew.-% oder mehr basierend auf dem Gesamtgewicht der Lötpaste vorhanden ist.
  20. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 19, wobei Sn in einer Menge von 90 Gew.-% oder mehr basierend auf dem Gesamtgewicht der Lötpaste vorhanden ist.
  21. Lumineszenzdiodenmodul, aufweisend: eine Leiterplatte; und eine Lumineszenzdiode, die mit der Leiterplatte gebondet ist, wobei die Lumineszenzdiode Folgendes aufweist: eine Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs; eine Vielzahl von Mesas, die auf der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs platziert sind und jeweils eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs enthalten; reflektierende Elektrodenstrukturen, die jeweils auf den Mesas platziert sind; eine Antidiffusions-Verstärkungsschicht, die auf jeder reflektierenden Elektrodenstruktur platziert ist; ein erstes Elektrodenpad, das mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; und ein zweites Elektrodenpad, das mit der Antidiffusions-Verstärkungsschicht elektrisch verbunden ist, wobei das erste Elektrodenpad und das zweite Elektrodenpad jeweils mit entsprechenden Pads auf der Leiterplatte über Lötpaste gebondet sind.
  22. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 21, wobei die Lumineszenzdiode ferner eine Stromaufweitungsschicht aufweist, die die Vielzahl von Mesas und die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bedeckt, Öffnungen enthält, die jeweils in oberen Bereichen der Mesas platziert sind und die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen, einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bildet und gegen die Vielzahl von Mesas isoliert ist; und das erste Elektrodenpad mit der Stromaufweitungsschicht elektrisch verbunden ist.
  23. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 22, wobei die Antidiffusions-Verstärkungsschicht aus dem gleichen Material wie die Stromaufweitungsschicht gebildet ist.
  24. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 23, wobei die Stromaufweitungsschicht Cr, Al, Ni, Ti oder Au aufweist.
  25. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 21, wobei die Lötpaste 50 Gew.-% oder mehr Sn basierend auf dem Gesamtgewicht von Metallen aufweist.
  26. Lumineszenzdiodenmodul nach Anspruch 21, wobei die Lötpaste Sn-Ag-Cu-Legierungen aufweist.
  27. Lumineszenzdiode, aufweisend: eine Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs; eine Vielzahl von Mesas, die auf der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs platziert sind und jeweils eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs enthalten; ein erstes Elektrodenpad, das mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; und ein zweites Elektrodenpad, das mit der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs jeder Mesa elektrisch verbunden ist, wobei jedes Elektrodenpad des ersten Elektrodenpads und zweiten Elektrodenpads eine Lot-Sperrschicht und eine Oxidations-Sperrschicht aufweist.
  28. Lumineszenzdiode, aufweisend: eine Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs; eine Vielzahl von Mesas, die auf der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs platziert sind und jeweils eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs enthalten; reflektierende Elektrodenstrukturen, die jeweils auf den Mesas platziert sind; eine Antidiffusions-Verstärkungsschicht, die auf jeder reflektierenden Elektrodenstruktur platziert ist; ein erstes Elektrodenpad, das mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs elektrisch verbunden ist; und ein zweites Elektrodenpad, das mit der Antidiffusions-Verstärkungsschicht elektrisch verbunden ist.
  29. Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode, aufweisend: Ausbilden einer Halbleiterschicht eines ersten leitfähigen Typs, einer aktiven Schicht und einer Halbleiterschicht eines zweiten leitfähigen Typs auf einem Substrat; Ausbilden einer Vielzahl von Mesas auf der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs durch Bemustern der Halbleiterschicht des zweiten leitfähigen Typs und der aktiven Schicht gefolgt durch Ausbilden von reflektierenden Elektrodenstrukturen auf der Vielzahl von Mesas, um jeweils einen ohmschen Kontakt mit der Vielzahl von Mesas zu bilden; Ausbilden einer Stromaufweitungsschicht, wobei die Stromaufweitungsschicht die Vielzahl von Mesas und die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bedeckt, Öffnungen enthält, die jeweils in oberen Bereichen der Mesas platziert sind und die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen, einen ohmschen Kontakt mit der Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bildet und gegen die Vielzahl von Mesas isoliert ist; und Ausbilden eines ersten Elektrodenpads, das mit der Stromaufweitungsschicht elektrisch verbunden ist, und eines zweiten Elektrodenpads, das mit den reflektierenden Elektrodenstrukturen elektrisch verbunden ist, wobei jedes Elektrodenpad des ersten Elektrodenpads und des zweiten Elektrodenpads eine Lot-Sperrschicht und eine Oxidations-Sperrschicht aufweist.
  30. Lumineszenzdiode nach Anspruch 29, ferner aufweisend: Ausbilden einer Antidiffusions-Verstärkungsschicht auf den reflektierenden Elektrodenstrukturen, wobei die Antidiffusions-Verstärkungsschicht zusammen mit der Stromaufweitungsschicht ausgebildet wird und das zweite Elektrodenpad mit der Antidiffusions-Verstärkungsschicht verbunden wird.
  31. Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach Anspruch 29, ferner aufweisend: vor dem Ausbilden der Stromaufweitungsschicht, Ausbilden einer unteren Isolierschicht, wobei die untere Isolierschicht die Vielzahl von Mesas und die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs bedeckt, Öffnungen, die die Halbleiterschicht des ersten leitfähigen Typs freilegen, und Öffnungen enthält, die jeweils in oberen Bereichen der Mesas platziert sind und die reflektierenden Elektrodenstrukturen freilegen.
  32. Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach Anspruch 31, ferner aufweisend: Ausbilden einer oberen Isolierschicht auf der Stromaufweitungsschicht, wobei die obere Isolierschicht Öffnungen enthält, die die reflektierenden Elektroden freilegen, und Seitenwände der Öffnungen der Stromaufweitungsschicht bedeckt.
  33. Verfahren zum Herstellen einer Lumineszenzdiode nach Anspruch 32, wobei die untere Isolierschicht eine Siliziumoxidschicht aufweist und die obere Isolierschicht eine Siliziumnitridschicht aufweist.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015109413A1 (de) * 2015-06-12 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Konversions-Halbleiterchips und Verbund von Konversions-Halbleiterchips
EP3736868A1 (de) * 2019-05-09 2020-11-11 InnoLux Corporation Elektronische vorrichtung

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20140130618A (ko) 2013-05-01 2014-11-11 서울바이오시스 주식회사 솔더 페이스트를 통해 접착된 발광 다이오드를 갖는 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드
DE102014102292A1 (de) * 2014-02-21 2015-08-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements
KR102405588B1 (ko) * 2015-03-11 2022-06-08 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 발광 모듈
CN113345988A (zh) * 2015-10-01 2021-09-03 克利公司 包括倒装芯片发光二极管的发光设备
US9851056B2 (en) * 2015-10-16 2017-12-26 Seoul Viosys Co., Ltd. Compact light emitting diode chip and light emitting device having a slim structure with secured durability
US10126831B2 (en) * 2015-10-16 2018-11-13 Seoul Viosys Co., Ltd. Compact light emitting diode chip, light emitting device and electronic device including the same
KR102471670B1 (ko) * 2016-02-11 2022-11-29 서울바이오시스 주식회사 고출력 발광 다이오드 및 그것을 갖는 발광 모듈
EP3474337A4 (de) 2016-06-20 2019-06-12 LG Innotek Co., Ltd. Halbleiterbauelement
US10340415B2 (en) 2016-09-01 2019-07-02 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device and semiconductor device package including the same
US11569416B2 (en) 2016-09-10 2023-01-31 Suzhou Lekin Semiconductor Co., Ltd. Light emitting semiconductor device
EP3514840A4 (de) 2016-09-13 2019-08-21 LG Innotek Co., Ltd. Halbleiterbauelement und halbleiterbauelementgehäuse damit
US10903395B2 (en) 2016-11-24 2021-01-26 Lg Innotek Co., Ltd. Semiconductor device having varying concentrations of aluminum
CN106972088B (zh) * 2017-05-25 2019-03-08 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种led金属电极结构及其制备方法
WO2019013539A1 (ko) * 2017-07-12 2019-01-17 서울바이오시스 주식회사 유체 처리 장치
KR102390828B1 (ko) 2017-08-14 2022-04-26 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자
US11923481B2 (en) 2018-01-29 2024-03-05 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11387389B2 (en) 2018-01-29 2022-07-12 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
US11031527B2 (en) 2018-01-29 2021-06-08 Creeled, Inc. Reflective layers for light-emitting diodes
CN109087980B (zh) * 2018-07-25 2020-04-21 天津三安光电有限公司 一种发光二极管
US10879441B2 (en) 2018-12-17 2020-12-29 Cree, Inc. Interconnects for light emitting diode chips
US11387392B2 (en) * 2018-12-25 2022-07-12 Nichia Corporation Light-emitting device and display device
CN111463329B (zh) * 2019-01-18 2021-09-17 北京北方华创微电子装备有限公司 一种led芯片及其制作方法
US10985294B2 (en) 2019-03-19 2021-04-20 Creeled, Inc. Contact structures for light emitting diode chips
US11245055B2 (en) * 2019-05-28 2022-02-08 Facebook Technologies, Llc LED arrays having a reduced pitch
US11094848B2 (en) 2019-08-16 2021-08-17 Creeled, Inc. Light-emitting diode chip structures
CN111373553B (zh) * 2019-12-30 2022-01-07 重庆康佳光电技术研究院有限公司 一种发光器件及其制备方法、显示装置
TWI751809B (zh) 2020-11-18 2022-01-01 隆達電子股份有限公司 增進接合良率的發光二極體結構
US20230369553A1 (en) * 2022-04-22 2023-11-16 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting module and display device including the same
CN115000269B (zh) * 2022-06-07 2024-03-01 淮安澳洋顺昌光电技术有限公司 一种发光二极管及发光二极管封装件

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
CN100459189C (zh) * 2003-11-19 2009-02-04 日亚化学工业株式会社 半导体元件
KR101007135B1 (ko) * 2003-12-01 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광장치
BRPI0616227A2 (pt) * 2005-09-19 2011-06-14 Koninkl Philips Electronics Nv dispositivo emissor de luz de cor variÁvel, sistema de iluminaÇço de cor variÁvel, rede de sistema de iluminaÇço de cor variÁvel, conjunto de dispositivo emissor de luz de cor variÁvel, controlador para um sistema de iluminaÇço de cor variÁvel , e , mÉtodo para controlar um dispositivo emissor de luz de cor variÁvel
JP2007266396A (ja) * 2006-03-29 2007-10-11 Showa Denko Kk フリップチップ型半導体発光素子、フリップチップ型半導体発光素子の実装方法、フリップチップ型半導体発光素子の実装構造、発光ダイオードランプ
US7998761B2 (en) * 2006-01-09 2011-08-16 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting diode with ITO layer and method for fabricating the same
US20080136019A1 (en) * 2006-12-11 2008-06-12 Johnson Michael E Solder Bump/Under Bump Metallurgy Structure for High Temperature Applications
US8368100B2 (en) * 2007-11-14 2013-02-05 Cree, Inc. Semiconductor light emitting diodes having reflective structures and methods of fabricating same
KR20100055750A (ko) * 2008-11-18 2010-05-27 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US20110014734A1 (en) * 2009-07-20 2011-01-20 Lu Lien-Shine Method for fabricating flip chip gallium nitride light emitting diode
US8183579B2 (en) * 2010-03-02 2012-05-22 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. LED flip-chip package structure with dummy bumps
US9070851B2 (en) * 2010-09-24 2015-06-30 Seoul Semiconductor Co., Ltd. Wafer-level light emitting diode package and method of fabricating the same
KR20120091839A (ko) * 2011-02-10 2012-08-20 삼성전자주식회사 플립칩 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
US10074778B2 (en) * 2011-03-22 2018-09-11 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode package and method for manufacturing the same
KR20120119395A (ko) * 2011-04-21 2012-10-31 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
US9269878B2 (en) * 2011-05-27 2016-02-23 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device and light emitting apparatus
KR101892928B1 (ko) * 2011-10-10 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 발광 모듈 및 이를 구비한 라이트 유닛
US8851736B2 (en) * 2011-08-30 2014-10-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting module with heatsink plate having coupling protrusions
KR101691589B1 (ko) * 2011-09-16 2017-01-02 서울바이오시스 주식회사 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
CN106058000B (zh) * 2011-09-16 2019-04-23 首尔伟傲世有限公司 发光二极管及制造该发光二极管的方法
CN102437065A (zh) * 2011-12-19 2012-05-02 南通富士通微电子股份有限公司 高可靠芯片级封装方法
TW201347141A (zh) * 2012-05-04 2013-11-16 Chi Mei Lighting Tech Corp 發光二極體結構及其製造方法
KR20140130618A (ko) 2013-05-01 2014-11-11 서울바이오시스 주식회사 솔더 페이스트를 통해 접착된 발광 다이오드를 갖는 발광 다이오드 모듈 및 발광 다이오드
WO2015016561A1 (en) 2013-07-29 2015-02-05 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode, method of fabricating the same and led module having the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015109413A1 (de) * 2015-06-12 2016-12-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Konversions-Halbleiterchips und Verbund von Konversions-Halbleiterchips
US10424698B2 (en) 2015-06-12 2019-09-24 Osram Opto Semiconductors Gmbh Method for producing optoelectronic conversion semiconductor chips and composite of conversion semiconductor chips
EP3736868A1 (de) * 2019-05-09 2020-11-11 InnoLux Corporation Elektronische vorrichtung
US11527688B2 (en) 2019-05-09 2022-12-13 Innolux Corporation Electronic device

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