DE102019207928A1 - Leuchtdiode und lichtemittierende vorrichtung mit einer solchen diode - Google Patents

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Sang Won Woo
Ye Seul KIM
Tae Jun PARK
Duk Il SUH
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Abstract

Es wird eine Leuchtdiode und eine lichtemittierende Vorrichtung mit einer solchen offenbart. Die Leuchtdiode umfasst: eine Halbleiterschicht vom n-Typ; ein Mesa, das auf der Halbleiterschicht vom n-Typ angeordnet ist, um einen Abschnitt einer Oberseite der Halbleiterschicht vom n-Typ freizulegen, und das eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht vom p-Typ aufweist, die auf der aktiven Schicht angeordnet ist; ein erstes Bondpad, das elektrisch mit der Halbleiterschicht vom n-Typ verbunden ist; ein zweites Bondpad zum Drahtbonden, das elektrisch mit der Halbleiterschicht vom p-Typ verbunden ist; und eine erste Isolierschicht, die zumindest teilweise zwischen einem freiliegenden Bereich der durch die Mesa freiliegenden n-Halbleiterschicht und dem zweiten Bondpad angeordnet ist, wobei die erste Isolierschicht einen Abschnitt eines Bereichs der p-Halbleiterschicht zwischen dem zweiten Bondpad und einem Abschnitt des freiliegenden Bereichs der durch die Mesa freiliegenden n-Halbleiterschicht bedeckt und dem zweiten Bondpad am nächsten liegt, und entlang einer Kante der p-Halbleiterschicht angrenzend an die freiliegende n-Halbleiterschicht angeordnet ist.

Description

  • QUERVERWEIS AUF VERWANDTE ANMELDUNGEN
  • Diese Anmeldung beansprucht den Vorzug und die Priorität der am 30. Mai 2018 eingereichten koreanischen Patentanmeldung Nr. 10-2018-0061742 und der am 20. März 2019 eingereichten 10-2019-0032000 , deren gesamte Offenbarungen hierin durch Bezugnahme aufgenommen werden.
  • GEBIET
  • Beispielhafte erfindungsgemäße Ausführungsformen beziehen sich auf eine Leuchtdiode und eine diese enthaltende lichtemittierende Vorrichtung. Insbesondere beziehen sich beispielhafte erfindungsgemäße Ausführungsformen auf eine Leuchtdiode, die eine hohe Lichtleistung bei gleichzeitig guter Zuverlässigkeit bei hoher Feuchtigkeit aufweist, und eine lichtemittierende Vorrichtung, die diese umfasst.
  • HINTERGRUND
  • Anorganische Leuchtdioden auf Halbleiterbasis werden in verschiedenen Bereichen eingesetzt, darunter Beleuchtung, Displays, Fahrzeugscheinwerfer und dergleichen, und deren Anwendungsbereiche in der Technik werden ständig erweitert.
  • Die Leuchtdiode weist eine Struktur auf, in der eine p-Halbleiterschicht und eine n-Halbleiterschicht einander zugewandt angeordnet sind, wobei eine aktive Schicht dazwischen angeordnet ist. Zusätzlich werden Elektroden auf der n-Halbleiterschicht bzw. der p-Halbleiterschicht gebildet, um die Leuchtdiode mit Strom zu versorgen und so Licht zu erzeugen.
  • Solche Leuchtdioden werden unter verschiedenen Bedingungen eingesetzt und müssen eine sichere Nutzung auch unter ungünstigen Bedingungen gewährleisten. Da Leuchtdioden insbesondere anfällig für Feuchtigkeit sind, müssen die Leuchtdioden einen beschleunigten Test unter Bedingungen mit hoher Temperatur und hoher Luftfeuchtigkeit bestehen.
  • Unterdessen wird in der Regel eine Schutzschicht verwendet, um die Leuchtdiode vor Feuchtigkeit zu schützen. Die Schutzschicht bedeckt die Leuchtdiode, um zu verhindern, dass Halbleiterschichten oder transparente Elektroden freigelegt werden. Dadurch verhindert die Schutzschicht, dass die Leuchtdiode durch äußere Einflüsse wie Feuchtigkeit beschädigt wird.
  • Da die Schutzschicht jedoch in einem optischen Lichtweg der Leuchtdiode angeordnet ist, absorbiert die Schutzschicht einen Teil des Lichts und reduziert so die Lichtleistung der Leuchtdiode. So weist beispielsweise eine Leuchtdiode ohne Schutzschicht eine etwa 5% bis 10% höhere Lichtleistung auf als eine Leuchtdiode mit einer transparenten Schutzschicht aus SiO2.
  • Es besteht daher Bedarf an einer Leuchtdiode und einer lichtemittierenden Vorrichtung, die eine hohe Lichtleistung bei gleichzeitig guter Zuverlässigkeit unter Bedingungen mit hoher Luftfeuchtigkeit aufweisen.
  • ÜBERBLICK
  • Beispielhafte erfindungsgemäße Ausführungsformen stellen eine Leuchtdiode zur Verfügung, die eine Verringerung der Lichtabgabe durch eine Schutzschicht verhindern und gleichzeitig eine gute Zuverlässigkeit auch unter hohen Feuchtigkeitsbedingungen gewährleisten kann, sowie eine lichtemittierende Vorrichtung, die diese umfasst.
  • Gemäß den beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen umfasst eine Leuchtdiode: eine Halbleiterschicht vom n-Typ; eine Mesa, die auf der Halbleiterschicht vom n-Typ angeordnet ist, um einen Abschnitt einer Oberseite der Halbleiterschicht vom n-Typ freizulegen, und das eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht vom p-Typ aufweist, die auf der aktiven Schicht angeordnet ist; ein erstes Bondpad, das elektrisch mit der Halbleiterschicht vom n-Typ verbunden ist; ein zweites Bondpad zum Drahtbonden, das elektrisch mit der Halbleiterschicht vom p-Typ verbunden ist; und eine erste Isolierschicht, die zumindest teilweise zwischen einem freiliegenden Bereich der durch die Mesa freiliegenden n-Halbleiterschicht und dem zweiten Bondpad angeordnet ist, wobei die erste Isolierschicht einen Abschnitt eines Bereichs der p-Halbleiterschicht zwischen dem zweiten Bondpad und einem Abschnitt des freiliegenden Bereichs der n-Halbleiterschicht, der durch die Mesa freiliegend und dem zweiten Bondpad am nächsten liegt, abdeckt und entlang eines Randes der p-Halbleiterschicht benachbart zur freiliegenden n-Halbleiterschicht angeordnet ist.
  • Gemäß den beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung: eine Halbleiterschicht vom n-Typ; eine Mesa, die auf der Halbleiterschicht vom n-Typ angeordnet ist, um einen Abschnitt einer Oberseite der Halbleiterschicht vom n-Typ freizulegen, und das eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht vom p-Typ aufweist, die auf der aktiven Schicht angeordnet ist; ein erstes Bondpad, das elektrisch mit der Halbleiterschicht vom n-Typ verbunden ist; ein zweites Bondpad, das elektrisch mit der Halbleiterschicht vom p-Typ verbunden ist; einen Bonddraht, der mit dem zweiten Bondpad verbunden ist; und eine Anti-Metall-Migrationsschicht, die zwischen der freiliegenden n-Halbleiterschicht und dem zweiten Bondpad angeordnet ist, wobei die Anti-Metall-Migrationsschicht von dem zweiten Bondpad getrennt ist, um dem ersten Bondpad gegenüber zu liegen, und entlang einer Kante der p-Halbleiterschicht angeordnet ist, die benachbart zu dem Bonddraht angeordnet ist.
  • Gemäß den beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung: eine Basis; erste und zweite Leitungen, die angrenzend an die Basis angeordnet sind; die an der Basis angebrachte Leuchtdiode; Bonddrähte, die die Leuchtdiode elektrisch mit der ersten und zweiten Leitung verbinden; und ein Formteil, das die Leuchtdiode und die Bonddrähte bedeckt, wobei die Leuchtdiode eine transparente Elektrode beinhaltet, die auf der p-Halbleiterschicht angeordnet ist, die Bonddrähte mit dem ersten bzw. zweiten Bondpad verbunden sind, und das Formteil an das erste und zweite Bondpad der Leuchtdiode, die transparente Elektrode und die erste Isolierschicht angrenzt, während es teilweise an die n-Halbleiterschicht angrenzt, die durch die Mesa freigelegt ist.
  • Die beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen stellen eine Leuchtdiode zur Verfügung, von der eine Schutzschicht entfernt wird, um die Lichtleistung zu erhöhen, und bei der eine erste Isolierschicht um das zweite Bondpad zum Drahtbonden herum angeordnet ist, wodurch die Zuverlässigkeit unter Bedingungen hoher Luftfeuchtigkeit verbessert wird.
  • Das zuvor Gesagte und andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden sich aus der folgenden Beschreibung ergeben.
  • Figurenliste
    • 1 ist eine schematische Draufsicht auf eine Leuchtdiode gemäß einer beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
    • 2A, 2B und 2C sind Querschnittsansichten, gesehen entlang der Linien A-A', B-B' und C-C' von 1.
    • 3 ist eine schematische Schnittansicht einer Modifikation der Leuchtdiode gemäß der beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
    • 4 ist eine schematische Schnittansicht einer weiteren Modifikation der Leuchtdiode gemäß der beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
    • 5 ist eine schematische Schnittansicht einer weiteren Modifikation der Leuchtdiode gemäß der beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
    • 6 ist eine schematische Schnittansicht einer weiteren Modifikation der Leuchtdiode gemäß der beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
    • 7 ist eine schematische Schnittansicht einer weiteren Modifikation der Leuchtdiode gemäß der beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
    • 8 ist eine schematische Schnittansicht einer weiteren Modifikation der Leuchtdiode gemäß der beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
    • 9 ist eine schematische Draufsicht einer Leuchtdiode gemäß einer weiteren beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
    • 10A und 10B sind Querschnittsansichten, gesehen entlang der Linien D-D' und E-E' von 9.
    • 11 ist eine schematische Draufsicht einer Leuchtdiode gemäß einer weiteren beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
    • 12A und 12B sind Querschnittsansichten, gesehen entlang der Linien F-F' und G-G' von 11.
    • 13 ist eine schematische Schnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
    • 14A ist ein Rasterelektronenmikroskop (REM)-Bild einer lichtemittierenden Vorrichtung eines Vergleichsbeispiels nach einer Zuverlässigkeitsprüfung bei hoher Temperatur/Feuchtigkeit.
    • 14B ist ein optisches Bild einer lichtemittierenden Vorrichtung eines erfinderischen Beispiels nach einer Zuverlässigkeitsprüfung bei hoher Temperatur/Feuchtigkeit.
    • 15A ist ein Diagramm, das die Schwankungen der Durchlassspannung in Abhängigkeit von der Zeit bei der Zuverlässigkeitsprüfung von lichtemittierenden Geräten bei hoher Temperatur und Luftfeuchtigkeit anhand von Vergleichs- und Erfindungsbeispielen darstellt.
    • 15B ist eine Grafik, die die Schwankungen der Lichtleistung in Abhängigkeit von der Zeit bei der Zuverlässigkeitsprüfung von lichtemittierenden Geräten bei hoher Temperatur und Luftfeuchtigkeit anhand von Vergleichsbeispielen und Erfindungsbeispielen darstellt.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG
  • Im Folgenden werden beispielhafte erfindungsgemäße Ausführungsformen unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungsfiguren ausführlich beschrieben. Die folgenden Ausführungsformen sind als Beispiel aufgeführt, um den Fachleuten die Erfindungsidee, auf der die vorliegende Erfindung beruht, vollständig zu vermitteln. Dementsprechend ist die vorliegende Erfindung nicht auf die hierin offenbarten Ausführungsformen beschränkt und kann auch in anderen Ausführungsformen umgesetzt werden. In den Zeichnungsfiguren können Breiten, Längen, Dicken und dergleichen von Elementen aus Gründen der Übersichtlichkeit und Beschreibung übertrieben werden. Wird ein Element als „oberhalb“ oder „auf“ einem anderen Element angeordnet bezeichnet wird, kann es direkt „oberhalb“ oder „auf“ dem anderen Element angeordnet werden, oder es können dazwischenliegende Elemente vorhanden sein. Über die gesamte Beschreibung bezeichnen gleiche Bezugsziffern gleiche Elemente mit gleichen oder ähnlichen Funktionen.
  • Gemäß den beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen umfasst eine Leuchtdiode: eine Halbleiterschicht vom n-Typ; eine Mesa, die auf der Halbleiterschicht vom n-Typ angeordnet ist, um einen Abschnitt einer Oberseite der Halbleiterschicht vom n-Typ freizulegen, und eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht vom p-Typ, die auf der aktiven Schicht angeordnet ist; ein erstes Bondpad, das elektrisch mit der Halbleiterschicht vom n-Typ verbunden ist; ein zweites Bondpad zum Drahtbonden, das elektrisch mit der Halbleiterschicht vom p-Typ verbunden ist; und eine erste Isolierschicht, die zumindest teilweise zwischen einem freiliegenden Bereich der durch die Mesa freiliegenden n-Halbleiterschicht und dem zweiten Bondpad angeordnet ist, wobei die erste Isolierschicht einen Abschnitt eines Bereichs der p-Halbleiterschicht zwischen dem zweiten Bondpad und einem Abschnitt des freiliegenden Bereichs der durch die Mesa freiliegenden n-Halbleiterschicht bedeckt, der dem zweiten Bondpad am nächsten liegt, und entlang einer Kante der p-Halbleiterschicht angrenzend an die freiliegende n-Halbleiterschicht angeordnet ist.
  • Mit der ersten Isolierschicht kann die Leuchtdiode die Lichtleistung verbessern, indem sie Schäden durch Metallmigration bei hoher Luftfeuchtigkeit durch Entfernen einer Schutzschicht verhindert, die den größten Teil der Mesa bedeckt, wodurch die Zuverlässigkeit verbessert wird.
  • Die erste Isolierschicht kann näher an der freiliegenden n-Halbleiterschicht angeordnet werden als das zweite Bondpad. Darüber hinaus kann die erste Isolierschicht die freiliegende n-Halbleiterschicht teilweise bedecken.
  • Die erste Isolierschicht kann eine größere Länge aufweisen als die Breite des zweiten Bondpads. Darüber hinaus kann die erste Isolierschicht eine Form aufweisen, die drei Seiten des zweiten Bondpads umgibt.
  • In einer beispielhaften Ausführungsform kann die Mesa eine längliche Form aufweisen, wobei das zweite Bondpad in Längsrichtung der Mesa in der Nähe eines distalen Endes der Mesa auf deren einer Seite angeordnet werden kann, so dass es dem ersten Bondpad an der Mesa gegenüberliegt, und die erste Isolierschicht kann einen Bereich der p-Halbleiterschicht zwischen dem zweiten Bondpad und dem distalen Ende der Mesa teilweise abdecken.
  • Die erste Isolierschicht kann eine Seitenfläche der Mesa in der Nähe ihres distalen Endes und der freiliegenden n-Halbleiterschicht bedecken.
  • Die erste Isolierschicht kann sich von einem Abschnitt nahe dem distalen Ende der Mesa entlang einer Kante der Mesa in deren Längsrichtung erstrecken. Ein Abschnitt der ersten Isolierschicht, der in Längsrichtung der Mesa angeordnet ist, kann größer als die Breite des zweiten Bondpads und kleiner als die Hälfte der maximalen Länge der Mesa sein. Mit dieser Struktur kann die Leuchtdiode die Zuverlässigkeit bei hoher Luftfeuchtigkeit gewährleisten und gleichzeitig den Lichtverlust durch die erste Isolierschicht reduzieren.
  • In anderen beispielhaften Ausführungsformen kann die Mesa eine Nut umfassen, die durch die p-Halbleiterschicht und die aktive Schicht gebildet wird, um die n-Halbleiterschicht freizulegen, und die erste Isolierschicht kann einen Abschnitt eines Bereichs der p-Halbleiterschicht bedecken, der zwischen der Nut und dem zweiten Bondpad angeordnet ist.
  • In weiteren beispielhaften Ausführungsformen kann die Leuchtdiode ferner eine von der ersten Isolierschicht getrennte zusätzliche Isolierschicht beinhalten, wobei die Mesa eine durch die p-Halbleiterschicht gebildete Nut und die aktive Schicht zum Freilegen der n-Halbleiterschicht umfassen kann, und die zusätzliche Isolierschicht einen Abschnitt eines Bereichs der p-Halbleiterschicht abdecken kann, der zwischen der Nut und dem zweiten Bondpad angeordnet ist.
  • Die zusätzliche Isolierschicht kann einen Teil einer Seitenwand der Nut bedecken.
  • Die Leuchtdiode kann ferner eine transparente Elektrode umfassen, die einen ohmschen Kontakt mit der p-Halbleiterschicht bildet, wobei das zweite Bondpad auf der transparenten Elektrode angeordnet sein kann, um elektrisch mit der transparenten Elektrode verbunden zu werden.
  • In einer beispielhaften Ausführungsform kann die transparente Elektrode einen Teil der ersten Isolierschicht bedecken.
  • Darüber hinaus können sich die transparente Elektrode und die erste Isolierschicht in einer ersten Breite w1 überlappen und die transparente Elektrode kann von einer Kante der p-Halbleiterschicht durch eine zweite Breite w2 getrennt sein, wobei die erste Breite w1 größer als die zweite Breite w2 ist und kleiner oder gleich 10 µm sein kann. So kann beispielsweise die erste Breite w1 5 µm und die zweite Breite w2 4 µm betragen.
  • Die Leuchtdiode kann ferner eine erste Verlängerung umfassen, die sich vom ersten Bondpad aus erstreckt. Die erste Verlängerung ist elektrisch mit der n-Halbleiterschicht verbunden. Die erste Verlängerung kann durch Löcher, die in der ersten Isolierschicht ausgebildet sind, elektrisch mit der n-Halbleiterschicht verbunden sein. Alternativ kann die erste Isolierschicht eine Vielzahl von voneinander getrennten Inseln umfassen und die erste Verlängerung kann elektrisch mit der n-Halbleiterschicht in einem Bereich zwischen den Inseln verbunden sein.
  • In einer weiteren beispielhaften Ausführungsform kann ein Teil der ersten Isolierschicht die transparente Elektrode bedecken. In einer weiteren beispielhaften Ausführungsform können eine Seitenfläche der ersten Isolierschicht und eine Seitenfläche der transparenten Elektrode einander gegenüberliegend angeordnet sein.
  • Gemäß den beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsformen umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung: eine Halbleiterschicht vom n-Typ; eine Mesa, die auf der Halbleiterschicht vom n-Typ angeordnet ist, um einen Abschnitt einer Oberseite der Halbleiterschicht vom n-Typ freizulegen, und die eine aktive Schicht und eine Halbleiterschicht vom p-Typ aufweist, die auf der aktiven Schicht angeordnet ist; ein erstes Bondpad, das elektrisch mit der Halbleiterschicht vom n-Typ verbunden ist; ein zweites Bondpad, das elektrisch mit der Halbleiterschicht vom p-Typ verbunden ist; einen Bonddraht, der mit dem zweiten Bondpad verbunden ist; und eine Anti-Metall-Migrationsschicht, die zwischen der freiliegenden n-Halbleiterschicht und dem zweiten Bondpad angeordnet ist, wobei die Anti-Metall-Migrationsschicht von dem zweiten Bondpad getrennt ist, um dem ersten Bondpad gegenüber zu liegen, und entlang einer Kante der p-Halbleiterschicht angeordnet ist, die benachbart zu dem Bonddraht angeordnet ist.
  • Eine Länge der Anti-Metall-Migrationsschicht kann kleiner als die Hälfte der gesamten Länge einer Kante der Mesa sein.
  • Unter Bedingungen hoher Luftfeuchtigkeit können Metallionen von einem Metalldraht, der an einer Anodenseite angeordnet ist, zu einer Kathodenseite wandern. Dadurch kann die Leuchtdiode unter Stromleckagen und Ausfällen durch Kurzschlüsse leiden. Mit der Anti-Metall-Migrationsschicht kann die Leuchtdiode jedoch die Migration von Metallionen verhindern und so einen Ausfall durch Kurzschluss unter hohen Feuchtigkeitsbedingungen verhindern.
  • In einer Ausführungsform kann der Bonddraht ein Silber-(Ag)-Draht sein.
  • Gemäß beispielhafter erfindungsgemäßer Ausführungsformen umfasst eine lichtemittierende Vorrichtung: eine Basis; erste und zweite Leitungen, die angrenzend an die Basis angeordnet sind; die an der Basis angebrachte Leuchtdiode; Bonddrähte, die die Leuchtdiode elektrisch mit der ersten und zweiten Leitung verbinden; und ein Formteil, das die Leuchtdiode und die Bonddrähte bedeckt, wobei die Leuchtdiode eine transparente Elektrode umfasst, die auf der p-Halbleiterschicht angeordnet ist, die Bonddrähte mit dem ersten bzw. zweiten Bondpad verbunden sind, und das Formteil an das erste und zweite Bondpad der Leuchtdiode, die transparente Elektrode und die erste Isolierschicht angrenzt, während es teilweise an die n-Halbleiterschicht angrenzt, die durch die Mesa freigelegt ist.
  • Darüber hinaus kann eine Kontaktfläche zwischen dem Formteil und der transparenten Elektrode größer sein als eine Kontaktfläche zwischen dem Formteil und anderen Komponenten der Leuchtdiode.
  • 1 ist eine schematische Draufsicht auf eine Leuchtdiode gemäß einer beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform und 2A, 2B und 2C sind Querschnittsansichten entlang der Linien A-A', B-B' und C-C' aus 1.
  • Bezugnehmend auf die 1, 2A, 2B und 2C kann eine Leuchtdiode 100 ein Substrat 21, eine lichtemittierende Struktur 30 mit einer Mesa M, eine Stromsperrschicht 29a, eine Stromsperrschicht 29b, eine erste Isolierschicht 31, eine transparente Elektrode 33, ein erstes Bondpad 35, eine erste Verlängerung 35a, ein zweites Bondpad 37 und eine zweite Verlängerung 37a umfassen.
  • Das Substrat 21 kann ein isolierendes oder leitfähiges Substrat sein. Darüber hinaus kann das Substrat 21 ein Wachstumssubstrat für das Wachstum der lichtemittierenden Struktur 30 sein und kann ein Saphirsubstrat, ein Siliziumkarbidsubstrat, ein Siliziumsubstrat, ein Galliumnitridsubstrat, ein Aluminiumnitridsubstrat oder andere umfassen. So kann beispielsweise das Substrat 21 ein Saphirsubstrat sein, insbesondere ein gemustertes Saphirsubstrat (PSS). Mit dieser Struktur kann das Substrat 21 eine Vielzahl von Vertiefungen umfassen, die an dessen Oberseite ausgebildet sind. Das Substrat 21 kann, ohne darauf beschränkt zu sein, im Allgemeinen eine längliche rechteckige Form aufweisen.
  • Die lichtemittierende Struktur 30 einschließlich der Mesa M ist auf dem Substrat 21 angeordnet. Die lichtemittierende Struktur 30 umfasst eine n-Halbleiterschicht 23, eine p-Halbleiterschicht 27, die auf der n-Halbleiterschicht 23 angeordnet ist, und eine aktive Schicht 25, die zwischen der n-Halbleiterschicht 23 und der p-Halbleiterschicht 27 angeordnet ist. Die Mesa M umfasst die p-Halbleiterschicht 27 und die aktive Schicht 25.
  • Die n-Halbleiterschicht 23, die aktive Schicht 25 und die p-Halbleiterschicht 27 können auf dem Substrat 21 in einer Kammer nach einem bekannten Verfahren wie MBE (Molekularstrahlepitaxie), MOCVD (metallorganische chemische Dampfabscheidung) oder anderen aufgewachsen werden. Die n-Halbleiterschicht 23 kann zusammen mit dem Substrat 21 so in Würfel geschnitten werden, dass sie die gleiche ebene Form wie das Substrat 21 aufweist, ohne darauf beschränkt zu sein. Alternativ kann die n-Halbleiterschicht 23 in einem Bereich des Substrats 21 angeordnet sein.
  • Die n-Halbleiterschicht 23, die aktive Schicht 25 und die p-Halbleiterschicht 27 können Nitridhalbleiter auf III-V-Basis umfassen, zum Beispiel einen Nitridhalbleiter wie (Al, Ga, In)N. Die n-Halbleiterschicht 23 kann n-artige Dotierstoffe enthalten (z.B. Si, Ge, Sn und dergleichen) und die p-Halbleiterschicht 27 kann p-artige Dotierstoffe enthalten (z.B. Mg, Sr, Ba und dergleichen). Die aktive Schicht 25 kann eine einzelne Quantentopfstruktur oder eine Multiquantentopfstruktur (MQW) aufweisen und die Zusammensetzung des Nitridhalbleiters für die aktive Schicht kann so eingestellt werden, dass die aktive Schicht Licht mit einer vorbestimmten Wellenlänge emittieren kann.
  • Die Mesa M ist in einem Bereich der n-Halbleiterschicht 23 so angeordnet, dass eine Oberseite der n-Halbleiterschicht 23 in einem Bereich freiliegt, in dem die Mesa M nicht gebildet ist. Die Mesa M kann durch Aufwachsen der n-Halbleiterschicht 23, der aktiven Schicht 25 und der p-Halbleiterschicht 27 auf dem Substrat 21 gebildet werden, gefolgt von einem teilweisen Ätzen der p-Halbleiterschicht 27 und der aktiven Schicht 25. Die Mesa M kann eine im Wesentlichen ähnliche Form wie das Substrat 21 aufweisen, ohne darauf beschränkt zu sein. Das heißt, die Mesa M kann eine im Wesentlichen rechteckige Form aufweisen, die in einer Richtung (Längsrichtung) verlängert ist, wie in 1 dargestellt. Weiterhin kann die Mesa M eine geneigte Seitenfläche aufweisen, ohne darauf beschränkt zu sein. Alternativ kann die Mesa M eine Seitenfläche senkrecht zur Oberseite der n-Halbleiterschicht 23 aufweisen. In dieser beispielhaften Ausführungsform kann die Mesa M einen eingerückten Abschnitt beinhalten, der an ihrer Seitenfläche ausgebildet ist, um die erste Verlängerung 35a, die nachfolgend beschrieben ist, daran zu platzieren.
  • Darüber hinaus kann die Mesa M ferner ein konkav-konvexes Muster (nicht dargestellt) umfassen, welches an der Seitenfläche ausgebildet ist. Das konkav-konvexe Muster kann durch Trockenätzen und/oder Nassätzen gebildet werden. Das konkav-konvexe Muster verbessert die Effizienz bei der Extraktion von Licht aus der aktiven Schicht 25.
  • Die transparente Elektrode 33 kann auf der p-Halbleiterschicht 27 angeordnet sein und einen ohmschen Kontakt mit der p-Halbleiterschicht 27 bilden. Die transparente Elektrode 33 kann ein Material mit Lichtdurchlässigkeit und elektrischer Leitfähigkeit umfassen, wie beispielsweise ein leitfähiges Oxid oder eine lichtdurchlässige Metallschicht. So kann beispielsweise die transparente Elektrode 33 mindestens eines von ITO (Indiumzinnoxid), ZnO (Zinkoxid), ZITO (Zink-Indium-Zinnoxid), ZIO (Zink-Indiumoxid), ZTO (Zink-Zinnoxid), GITO (Gallium-Indium-Zinnoxid), GIO (Gallium-Indiumoxid), GZO (Gallium-Zinkoxid), AZO (aluminiumdotiertes Zinkoxid), FTO (Fluor-Zinnoxid) oder eine Ni/Au-Stapelstruktur umfassen.
  • Das erste Bondpad 35 kann an der Mesa M angeordnet werden. Das erste Bondpad 35 ist von der p-Halbleiterschicht 27 elektrisch isoliert. Zu diesem Zweck kann die Stromsperrschicht 29b zwischen dem ersten Bondpad 35 und der p-Halbleiterschicht 27 angeordnet werden. Darüber hinaus kann die Stromsperrschicht 29b die Seitenfläche der Mesa M und die n-Halbleiterschicht 23, die um das erste Bondpad 35 herum freiliegen, teilweise bedecken. Die Stromsperrschicht 29b isoliert das erste Bondpad 35 elektrisch von der p-Halbleiterschicht 27 und verhindert gleichzeitig, dass der an dem ersten Bondpad 35 angeordnete Bonddraht mit der transparenten Elektrode 33 oder der p-Halbleiterschicht 27 kurzgeschlossen wird.
  • Die erste Verlängerung 35a kann sich vom ersten Bondpad 35 erstrecken. Die erste Verlängerung 35a kann sich hin zu einer Oberseite der freiliegenden n-Halbleiterschicht 23 erstrecken, um die n-Halbleiterschicht 23 zu kontaktieren. Die erste Verlängerung 35a und das erste Bondpad 35 können nach dem gleichen Verfahren aus dem gleichen Material gebildet werden. Die erste Verlängerung 35a kontaktiert die n-Halbleiterschicht 23 großflächig, um die Stromausbreitung zu unterstützen.
  • Wie in den Zeichnungen dargestellt, kann das zweite Bondpad 37 in der Nähe eines distalen Endes der Mesa M auf einer Seite in deren Längsrichtung so angeordnet werden, dass es dem ersten Bondpad 35 gegenüberliegt. Das zweite Bondpad 37 ist von den Kanten der Mesa M getrennt, so dass ein Teil der Mesa M zwischen dem zweiten Bondpad 37 und der um die Mesa M herum freiliegenden n-Halbleiterschicht 23 angeordnet ist.
  • Die zweite Verlängerung 37a erstreckt sich vom zweiten Bondpad 37 zum ersten Bondpad 35. Die zweite Verlängerung 37a und das zweite Bondpad 37 können nach dem gleichen Verfahren aus dem gleichen Material gebildet werden. Hier weist das zweite Bondpad 37 eine größere Breite auf als die zweite Verlängerung 37a, um eine Drahtkugel zu bilden, die als Pad für das Drahtbonden dient.
  • Das zweite Bondpad 37 kann ein metallisches Material, zum Beispiel Ti, Pt, Au, Cr, Ni, Al und dergleichen, umfassen und kann eine ein- oder mehrschichtige Struktur aufweisen. So kann beispielsweise das zweite Bondpad 37 mindestens eines, ausgewählt aus gestapelten Strukturen aus Ti-Schicht/Au-Schicht, Ti-Schicht/Pt-Schicht/Au-Schicht, Cr-Schicht/Au-Schicht, Cr-Schicht/Au-Schicht, Cr-Schicht/Pt-Schicht/Au-Schicht, Ni-Schicht/Au-Schicht, Ni-Schicht/Au-Schicht, Ni-Schicht/Pt-Schicht/Au-Schicht und Cr-Schicht/Al-Schicht/Cr-Schicht/Ni-Schicht/Au-Schicht, umfassen. Das zweite Bondpad 37 kann aus dem gleichen Material wie da erste Bondpad 35 gebildet sein.
  • Die Stromsperrschicht 29a kann unter dem zweiten Bondpad 37 und der zweiten Verlängerung 37a angeordnet werden. Insbesondere kann die Stromsperrschicht 29a zwischen der p-Halbleiterschicht 27 und der transparenten Elektrode 33 angeordnet sein. Die Stromsperrschicht 29a dient dazu, zu verhindern, dass der durch das zweite Bondpad 37 zugeführte elektrische Strom um das zweite Bondpad 37 oder die zweite Verlängerung 37a zu einer Überlastung führt. Dementsprechend kann die Stromsperrschicht 29a ein Isoliermaterial umfassen und aus einer einzigen Schicht oder mehreren Schichten bestehen. So kann beispielsweise die Stromsperrschicht 29a SiOx oder SiNx beinhalten oder einen verteilten Bragg-Reflektor, in dem Isoliermaterialschichten mit unterschiedlichen Brechungsindizes übereinander gestapelt sind. Die Stromsperrschicht 29a kann eine Lichtdurchlässigkeit oder eine Lichtreflexion aufweisen. Alternativ kann die Stromsperrschicht 29a einen selektiven Reflexionsgrad aufweisen.
  • Darüber hinaus kann die Stromsperrschicht 29a eine größere Fläche aufweisen als das zweite Bondpad 37 und die zweite Verlängerung 37a, so dass das zweite Bondpad 37 und die zweite Verlängerung 37a auf die Stromsperrschicht 29a begrenzt angeordnet sind.
  • Wie in 2A dargestellt, kann die transparente Elektrode 33 eine Öffnung aufweisen, die unter dem zweiten Bondpad 37 angeordnet ist und die Stromsperrschicht 29a freilegt, so dass das zweite Bondpad 37 die Stromsperrschicht 29a durch sie hindurch kontaktieren kann.
  • Die erste Isolierschicht 31 bedeckt einen Teil eines Bereichs der p-Halbleiterschicht 27 zwischen dem zweiten Bondpad 37 und der n-Halbleiterschicht 23, die um die Mesa M herum freiliegt. Die erste Isolierschicht 31 ist teilweise entlang der Kante der Mesa M angeordnet. Insbesondere kann die erste Isolierschicht 31 in länglicher Form entlang einer Kante der p-Halbleiterschicht 27 angeordnet werden, während sie einen Bereich der p-Halbleiterschicht 27 zwischen dem zweiten Bondpad 37 und einem Abschnitt des freiliegenden Bereichs der n-Halbleiterschicht 23, der durch die Mesa M freiliegt und dem zweiten Bondpad 37 am nächsten liegt, teilweise bedeckt. Darüber hinaus kann, wie in 1 dargestellt, die erste Isolierschicht 31 so angeordnet werden, dass sie drei Seiten des zweiten Bondpads 37 umschließt. Weiterhin kann die erste Isolierschicht 31, wie in 1 und 2A dargestellt, die Seitenfläche des Mesa M und den freiliegenden Bereich der n-Halbleiterschicht 23 teilweise bedecken. Im Allgemeinen kann die erste Isolierschicht 31 an einer vom zweiten Bondpad 37 getrennten und dem ersten Bondpad 35 zugewandten Stelle ausgebildet werden, d.h. an einer gegenüberliegenden Seite des ersten Bondpads 35.
  • Die erste Isolierschicht 31 ist so angeordnet, dass sie die Migration von Metallionen von einem auf dem zweiten Bondpad 37 gebildeten Bonddraht aufgrund eines elektromagnetischen Feldes blockiert. So kann die erste Isolierschicht 31 als Anti-Metall-Migrationsschicht bezeichnet werden. Unter Bedingungen hoher Luftfeuchtigkeit bildet sich auf der transparenten Elektrode 33 eine Feuchtigkeitsschicht, durch die Metallionen vom zweiten Bondpad 37 zur n-Halbleiterschicht 23 wandern können. Da unter abnehmendem Abstand zwischen dem zweiten Bondpad 37 und der freiliegenden n-Halbleiterschicht 23 ein stärkeres elektromagnetisches Feld erzeugt wird, ist die Bildung der ersten Isolierschicht 31 an einem Abschnitt erforderlich, der einem Migrationsweg von Metallionen am nächsten liegt. Darüber hinaus ist die erste Isolierschicht 31 länglich angeordnet, um den Migrationsweg der Metallionen ausreichend zu blockieren. Zu diesem Zweck ist es wünschenswert, dass die erste Isolierschicht 31 eine größere Breite als das zweite Bondpad 37 aufweist.
  • Andererseits ist, da die erste Isolierschicht 31 die Lichtleistung verschlechtern kann, die erste Isolierschicht 31 in einigen Bereichen eingeschränkt ausgebildet. Insbesondere kann die gesamte Länge der ersten Isolierschicht 31 kleiner als die Hälfte (1/2) der gesamten Länge der Kante der Mesa M sein, insbesondere ein Viertel (1/4) von deren gesamter Länge. Durch die Regulierung der Gesamtlänge der ersten Isolierschicht 31 kann die Leuchtdiode den Lichtverlust durch die erste Isolierschicht 31 reduzieren. Es versteht sich jedoch, dass sie durch die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Alternativ kann die erste Isolierschicht 31 den größten Teil der Kante der Mesa M abdecken und mit der Stromsperrschicht 29b verbunden werden.
  • Die transparente Elektrode 33 kann einen Teil der ersten Isolierschicht 31 bedecken, wie in 2A dargestellt. Das heißt, die erste Isolierschicht 31 kann unter der transparenten Elektrode 33 angeordnet werden. Wie in einer teilweise vergrößerten Querschnittsansicht von 2A dargestellt, können sich die erste Isolierschicht 31 und die transparente Elektrode 33 in einer ersten Breite w1 überlappen. Andererseits kann die transparente Elektrode 33 vom Rand der p-Halbleiterschicht 27 durch eine zweite Breite w2 getrennt werden. Im Allgemeinen ist die transparente Elektrode 33 vom Rand der p-Halbleiterschicht 27 getrennt und die zweite Breite w2 kann beispielsweise etwa 4 µm sein. Um eine Migration von Metallionen in einen Bereich unter der ersten Isolierschicht 31 effizient zu verhindern, ist es wünschenswert, dass sich die transparente Elektrode 33 und die erste Isolierschicht 31 ausreichend überlappen. Dementsprechend ist die erste Breite w1 größer als die zweite Breite w2 und kann beispielsweise etwa 5 µm oder mehr betragen. Andererseits kann die obere Grenze der zweiten Breite w2 begrenzt werden, um eine Stromverbreitung nahe dem Rand der p-Halbleiterschicht 27 zu ermöglichen. So kann beispielsweise die zweite Breite w2 kleiner als 10 µm sein.
  • Die erste Isolierschicht 31 kann zusammen mit der Stromsperrschicht 29a und der Stromsperrschicht 29b vor der Bildung der transparenten Elektrode 33 gebildet werden. Es versteht sich jedoch, dass sie durch die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt ist. Alternativ kann die erste Isolierschicht 31 aus einem anderen Material als die Stromsperrschicht 29a und die Stromsperrschicht 29b gebildet werden. Die erste Isolierschicht 31 kann beispielsweise aus Siliziumoxid oder Siliziumnitrid gebildet sein.
  • In dieser beispielhaften Ausführungsform können auf der p-Halbleiterschicht 27 angeordnete Isolierschichten auf die Stromsperrschicht 29a, die Stromsperrschicht 29b und die erste Isolierschicht 31 beschränkt werden. Dementsprechend ist der größte Teil der p-Halbleiterschicht 27 mit Ausnahme der transparenten Elektrode 33 nicht von anderen Materialschichten bedeckt, was den durch die Isolierschichten verursachten Lichtverlust reduziert.
  • Darüber hinaus bedeckt eine Schutzschicht die transparente Elektrode 33 in einer konventionellen Technik, wobei in dieser beispielhaften Ausführungsform keine Isolierschicht auf der transparenten Elektrode 33 angeordnet ist. Es versteht sich jedoch zu verstehen, dass andere Implementierungen möglich sind. Wie nachfolgend beschrieben, kann ein Teil der ersten Isolierschicht 31 die transparente Elektrode 33 bedecken.
  • 3 bis 8 sind schematische Schnittansichten verschiedener Modifikationen der Leuchtdiode 100 gemäß der beispielhaften Ausführungsform.
  • Zunächst erstreckt sich, bezugnehmend auf 3, bei der vorstehend beschriebenen Leuchtdiode 100 die erste Isolierschicht 31 bis zum Rand der um die Mesa M herum freiliegenden n-Halbleiterschicht 23, während bei dieser Modifikation die erste Isolierschicht 31 die freiliegende n-Halbleiterschicht 23 teilweise bedeckt, während sie einen Bereich der n-Halbleiterschicht 23 nahe von deren Rand freilegt. Da die erste Isolierschicht 31 vom Rand der n-Halbleiterschicht 23 getrennt ist, wird die Beschädigung der ersten Isolierschicht 31 durch einen Dicing-Prozess zur Trennung der Leuchtdiode verhindert.
  • Bezugnehmend auf 4 bedeckt bei dieser Modifikation ein Teil der ersten Isolierschicht 31 die transparente Elektrode 33. Dementsprechend kann die erste Isolierschicht 31 nach Bildung der transparenten Elektrode 33 gebildet werden. Da die erste Isolierschicht 31 die transparente Elektrode 33 bedeckt, kann die Migration von Metallionen vom zweiten Bondpad 37 zur n-Halbleiterschicht 23 effizienter blockiert werden.
  • Unter Bezugnahme auf 5 ist in dieser Modifikation eine Seitenfläche der ersten Isolierschicht 31 gegenüber einer Seitenfläche der transparenten Elektrode 33 angeordnet. Dementsprechend überlappen sich die erste Isolierschicht 31 und die transparente Elektrode 33 nicht. Die Seitenfläche der ersten Isolierschicht 31 kann an die Seitenfläche der transparenten Elektrode 33 angrenzen, ist aber nicht darauf beschränkt. Alternativ kann die Seitenfläche der ersten Isolierschicht 31 von der transparenten Elektrode 33 getrennt werden.
  • Bezugnehmend auf 6 ist die erste Isolierschicht 31 in dieser Modifikation beschränkt auf die p-Halbleiterschicht 27 angeordnet und bedeckt nicht die Seitenfläche der Mesa M oder der freiliegenden n-Halbleiterschicht 23. Obwohl die erste Isolierschicht 31 so angeordnet ist, dass sie die transparente Elektrode 33 nicht überlappt, kann zumindest ein Teil der ersten Isolierschicht 31 auf oder unter der transparenten Elektrode 33 angeordnet sein.
  • 7A, 7B und 7C sind schematische Draufsichten auf andere Modifikationen der Leuchtdiode gemäß der beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
  • Unter Bezugnahme auf 7A ist eine Leuchtdiode 100a gemäß dieser beispielhaften Ausführungsform im Allgemeinen der Leuchtdiode aus der 1 ähnlich, mit der Ausnahme, dass sich die erste Isolierschicht 31 weiter entlang der Kante der Mesa M erstreckt.
  • Die erste Isolierschicht 31 kann sich bis zu einem Abschnitt in der Nähe der Stromsperrschicht 29b entlang beider Kanten der Mesa M erstrecken. Die erste Isolierschicht 31 kann die transparente Elektrode 33 in einer im Wesentlichen konstanten Breite w1 überlappen, die von 5 µm bis 10 µm reichen kann, und insbesondere etwa 5 µm beträgt. Weiterhin kann die erste Isolierschicht 31 von der Stromsperrschicht 29b durch einen Abstand von etwa 2 µm bis 5 µm getrennt werden.
  • In dieser beispielhaften Ausführungsform ist die Stromsperrschicht 29b von der transparenten Elektrode 33 getrennt. Alternativ kann die Stromsperrschicht 29b auch die transparente Elektrode 33 überlappen.
  • Die erste Isolierschicht 31 bedeckt die n-Halbleiterschicht 23, die in der Nähe der Mesa M freiliegt, so dass die erste Verlängerung 35a über die erste Isolierschicht 31 hinausgeht. Wie in der Zeichnungsfigur dargestellt, kann die erste Isolierschicht 31 eine Vielzahl von Öffnungen 31a umfassen, die die n-Halbleiterschicht 23 freilegen, so dass die erste Verlängerung 35a über die Vielzahl von Öffnungen 31a elektrisch mit der n-Halbleiterschicht 23 verbunden werden kann. Die Öffnungen 31a können in konstanten Abständen angeordnet werden, ohne darauf beschränkt zu sein. Alternativ können die Öffnungen 31a in verschiedenen Abständen angeordnet werden. So können beispielsweise die Öffnungen 31a so angeordnet sein, dass die Intervalle mit zunehmendem Abstand vom ersten Bondpad 35 allmählich abnehmen und somit eine gleichmäßigere Stromausbreitung ermöglicht wird.
  • Bezugnehmend auf 7B ist eine Leuchtdiode 100b gemäß dieser beispielhaften Ausführungsform im Allgemeinen der Leuchtdiode100a von 1 ähnlich, mit der Ausnahme, dass die erste Isolierschicht 31 überdies einen Vorsprung umfasst, der an einem linken distalen Ende derselben ausgebildet ist und in Richtung der Stromsperrschicht 29b vorsteht. Mit dieser Struktur kann die Leuchtdiode 100b einen möglichst großen Überlappungsbereich zwischen der transparenten Elektrode 33 und der ersten Isolierschicht 31 sichern.
  • Bezugnehmend auf 7C ist eine Leuchtdiode 100c nach dieser beispielhaften Ausführungsform im Allgemeinen der Leuchtdiode 100a aus der 1 ähnlich, mit der Ausnahme, dass sich die erste Isolierschicht 31 auf die damit zu verbindende Stromsperrschicht 29b erstreckt. Die erste Isolierschicht 31 und die Stromsperrschicht 29b können nach dem gleichen Verfahren aus dem gleichen Material gebildet werden und sind miteinander verbunden, was eine Prozessvereinfachung ermöglicht.
  • 8 ist eine schematische Schnittansicht einer weiteren Modifikation der Leuchtdiode gemäß der beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
  • Unter Bezugnahme auf 8 ist eine Leuchtdiode 100d gemäß dieser Modifikation im Allgemeinen ähnlich zu der Leuchtdiode 100c aus 7C, mit der Ausnahme, dass die erste Isolierschicht 31, anstatt die Vielzahl von Öffnungen 31a zu haben, mit einer Vielzahl von Inseln 31b strukturiert ist.
  • Die Inseln 31b sind entlang der ersten Verlängerung 35a unter dieser angeordnet. Dementsprechend kann die erste Verlängerung 35a elektrisch mit der n-Halbleiterschicht 23 verbunden sein, die zwischen den Inseln 31b freiliegt.
  • Die Inseln 31b können die transparente Elektrode 33 mit der ersten Breite w1 wie bei der ersten Isolierschicht 31 überlappen. Die Inseln 31b können verschiedene Formen aufweisen, insbesondere eine Form mit einer geneigten Seitenfläche. Mit dieser Struktur kann verhindert werden, dass die erste Verlängerung 35a an der Seitenfläche der Inseln 31b abgetrennt wird.
  • Obwohl das linke distale Ende der ersten Isolierschicht 31 mit der Stromsperrschicht 29b in 8 verbunden ist, kann das linke distale Ende der ersten Isolierschicht 31 von dieser wie in den in 7A und 7B dargestellten Modifikationen, durch einen Abstand von etwa 2 µm bis etwa 5 µm getrennt werden.
  • Hierbei ist zu beachten, dass die oben in 3 bis 5 dargestellten Änderungen auch auf die in 7A, 7B, 7C und 8 dargestellten Änderungen angewendet werden können. Darüber hinaus können die in 3 bis 8 dargestellten Modifikationen auch auf verschiedene nachfolgend beschriebene beispielhafte Ausführungsformen angewendet werden. 9 ist eine schematische Draufsicht auf eine Leuchtdiode 200 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform und 10A und 10B sind Querschnittsansichten entlang der Linien D-D' und E-E' aus der 9.
  • Unter Bezugnahme auf 9, 10A und 10B ist die Leuchtdiode 200 gemäß dieser beispielhaften Ausführungsform im Allgemeinen der vorstehend beschriebenen Leuchtdiode 100 ähnlich, mit der Ausnahme, dass die Leuchtdiode 200 eine größere lichtemittierende Fläche aufweist und somit eine größere Anzahl von Erweiterungen 35a, 37b als die Leuchtdiode 100 umfasst. Überdies umfasst die Leuchtdiode 100 das erste Bondpad 35, das auf der p-Halbleiterschicht 27 angeordnet ist, während die Leuchtdiode 200 ein erstes Bondpad 35 umfasst, welches in einer Nut angeordnet ist, die auf der Mesa M ausgebildet ist.
  • Zunächst ist die Mesa M in einem Bereich der n-Halbleiterschicht 23 angeordnet, um die Oberseite der n-Halbleiterschicht 23 entlang der Mesa M freizulegen. Die Mesa M kann eine längliche rechteckige Form aufweisen und, wie in den Zeichnungsfiguren gezeigt, ein konkav-konvexes Muster auf ihrer Seitenfläche aufweisen.
  • Die Mesa M kann eine Nut umfassen, die die n-Halbleiterschicht 23 freilegt, und das erste Bondpad 35 kann in der Nut angeordnet sein. Die Leuchtdiode gemäß dieser beispielhaften Ausführungsform umfasst erste Verlängerungen 35a, die sich vom ersten Bondpad 35 zu einem zweiten Bondpad 37 erstrecken.
  • Das zweite Bondpad 37 ist nahe einem distalen Ende der Mesa M auf in Längsrichtung von deren einer Seite (auf einer Seite senkrecht zu deren Längsrichtung) so angeordnet, dass es dem ersten Bondpad 35 gegenüberliegt. In dieser beispielhaften Ausführungsform kann ein Abschnitt des freiliegenden Bereichs der n-Halbleiterschicht 23, der dem zweiten Bondpad 37 am nächsten liegt, nahe dem distalen Ende der Mesa M angeordnet werden.
  • Die erste Isolierschicht 31 bedeckt einen Teilbereich der p-Halbleiterschicht 27 zwischen dem zweiten Bondpad 37 und der freiliegenden n-Halbleiterschicht 23. Insbesondere kann sich die erste Isolierschicht 31 entlang einer Kante der Mesa M erstrecken, während sie einen Abschnitt der p-Halbleiterschicht zwischen dem zweiten Bondpad 37 und dem Abschnitt des freiliegenden Bereichs der n-Halbleiterschicht 23 bedeckt, der dem zweiten Bondpad 37 am nächsten liegt. Die erste Isolierschicht 31 hat eine größere Länge als die Breite des zweiten Bondpads 37. Andererseits kann sich die erste Isolierschicht 31 auch entlang der Kanten der Mesa parallel zu deren Längsrichtung erstrecken, um drei Seiten des zweiten Bondpads 37 zu umgeben, ohne darauf beschränkt zu sein. Alternativ dürfen die zur Längsrichtung parallelen Kanten der Mesa nicht mit der ersten Isolierschicht 31 abgedeckt werden. So erfährt beispielsweise in einer Struktur, in der die Kanten der Mesa M parallel zu deren Längsrichtung weiter vom zweiten Bondpad 37 entfernt sind, die Leuchtdiode auch ohne die erste Isolierschicht 31 keinen Kurzschluss. In dieser Struktur kann die erste Isolierschicht 31 nur in der Nähe des distalen Endes der Mesa auf einer Seite von dieser senkrecht zu deren Längsrichtung angeordnet werden.
  • Die n-Halbleiterschicht 23 wird durch Nuten zur Bildung der ersten Verlängerungen 35a freigelegt und es kann ein relativ starkes elektrisches Feld zwischen der n-Halbleiterschicht 23, die durch die Nuten freigelegt wird, und dem zweiten Bondpad 37 erzeugt werden. Dementsprechend kann die erste Isolierschicht 31 einen Abschnitt der p-Halbleiterschicht 27 bedecken, die zwischen den Nuten und dem zweiten Bondpad 37 angeordnet ist. In einer Struktur, in der das zweite Bondpad 37 näher an den Nuten angeordnet ist als die n-Halbleiterschicht 23, die entlang des Umfangs der Mesa M freiliegt, kann die nahe dem Rand der Mesa M angeordnete erste Isolierschicht 31 weggelassen und lediglich nahe den Nuten angeordnet werden.
  • Eine Stromsperrschicht 129a kann unter dem zweiten Bondpad 37 und der zweiten Verlängerung 37a und auch unter der transparenten Elektrode 33 wie in der vorstehend beschriebenen Stromsperrschicht 29a angeordnet werden.
  • Darüber hinaus kann eine Stromsperrschicht 129b teilweise in einem Bereich unter dem ersten Bondpad 35 angeordnet sein und die Seitenwände der Nuten um das erste Bondpad 35 herum abdecken.
  • Obwohl die erste Isolierschicht 31 in dieser beispielhaften Ausführungsform so dargestellt ist, dass sie unter der transparenten Elektrode 33 angeordnet ist und sich bis zu einem Rand der freiliegenden n-Halbleiterschicht 23 erstreckt, versteht es sich, dass verschiedene Implementierungen möglich sind, wie sie bezüglich 3 bis 6 beschrieben sind.
  • 11 ist eine schematische Draufsicht auf eine Leuchtdiode 300 gemäß einer weiteren beispielhaften Ausführungsform und 12A und 12B sind Querschnittsansichten, gesehen entlang der Linien F-F' und G-G' Aus der 11.
  • Bezugnehmend auf die 11, 12A und 12B ist die Leuchtdiode 300 der vorstehend beschriebenen Leuchtdiode 200 unter Bezugnahme auf 9 im Allgemeinen ähnlich, mit der Ausnahme, dass die Leuchtdiode 200 eine Vielzahl von Leuchtzellen R1C1 bis R2C3 umfasst, die auf einem Substrat 21 angeordnet sind, um elektrisch miteinander verbunden zu sein. Die folgende Beschreibung konzentriert sich auf verschiedene Merkmale der Leuchtdiode gemäß dieser beispielhaften Ausführungsform, um eine wiederholte Beschreibung zu vermeiden.
  • Unter Bezugnahme auf 11 kann das Substrat 21 eine rechteckige oder quadratische Form aufweisen. In den obigen Ausführungsformen weist das Substrat 21 im Allgemeinen eine längliche Form auf, während das Substrat 21 nach dieser beispielhaften Ausführungsform eine im Wesentlichen quadratische Form aufweist. Es versteht sich jedoch, dass andere Implementierungen möglich sind und die Größe und Form des Substrats 21 auf verschiedene Weise gewählt werden kann.
  • Die mehreren lichtemittierenden Zellen R1C1 bis R2C3 sind auf dem Substrat 21 angeordnet. Jede der lichtemittierenden Zellen umfasst eine n-Halbleiterschicht 23 und eine Mesa M, die auf der n-Halbleiterschicht 23 angeordnet ist. Wie vorstehend beschrieben, umfasst die Mesa M eine aktive Schicht 25 und eine p-Halbleiterschicht 27 und hat eine kleinere Fläche als die n-Halbleiterschicht 23.
  • Die mehreren lichtemittierenden Zellen R1C1 bis R2C3 können in einer Matrix über einen Mesa-geätzten Bereich und einen Zellisolationsbereich ISO angeordnet werden. Obwohl die lichtemittierenden Zellen in dieser beispielhaften Ausführungsform in einer 2x3-Matrix angeordnet sind, ist zu beachten, dass andere Implementierungen möglich sind und die lichtemittierenden Zellen in verschiedenen Matrizen einschließlich 2x2 oder mehr angeordnet werden können.
  • Lichtemittierende Zellen, die in der gleichen Reihe angeordnet sind, können sich die n-Halbleiterschicht 23 teilen. So können sich beispielsweise die in der ersten Reihe angeordneten lichtemittierenden Zellen R1C1, R1C2, R1C3 die n-Halbleiterschicht teilen und die in der zweiten Reihe angeordneten lichtemittierenden Zellen R2C1, R2C2, R2C3 können sich die n-Halbleiterschicht teilen.
  • Andererseits können die in derselben Spalte angeordneten lichtemittierenden Zellen voneinander getrennte n-Halbleiterschichten 23 aufweisen. So werden beispielsweise die n-Halbleiterschichten 23 der in der ersten Spalte angeordneten lichtemittierenden Zellen R1C1 und R2C1 durch den Zellisolationsbereich ISO voneinander isoliert, die n-Halbleiterschichten 23 der in der zweiten Spalte angeordneten lichtemittierenden Zellen R1C2 und R2C2 sind ebenfalls durch den Zellisolationsbereich ISO voneinander getrennt, und die n-Halbleiterschichten 23 der in der dritten Spalte angeordneten lichtemittierenden Zellen R1C3 und R2C3 sind ebenfalls durch den Zellisolationsbereich ISO voneinander getrennt.
  • In dieser beispielhaften Ausführungsform können sich die in der gleichen Reihe angeordneten lichtemittierenden Zellen die n-Halbleiterschicht 23 teilen und so eine Stromüberlastung entlang einer bestimmten Spalte verhindern. Das heißt, selbst wenn die Stromüberlastung durch eine bestimmte lichtemittierende Zelle in einer Reihe auftritt, kann elektrischer Strom durch die von den lichtemittierenden Zellen gemeinsam genutzte n-Halbleiterschicht 23 wieder verteilt werden, wodurch die Versorgung der lichtemittierenden Zellen mit elektrischem Strom in der nächsten Reihe durch gleichmäßige Stromverteilung ermöglicht wird.
  • Es versteht sich allerdings, dass andere Implementierungen möglich sind und auch lichtemittierende Zellen der gleichen Reihe durch den Zellisolationsbereich voneinander isoliert werden können.
  • An jeder der lichtemittierenden Zellen ist eine transparente Elektrode 33 angeordnet. Die transparenten Elektroden 33 haben im Wesentlichen die gleiche Form wie die p-Halbleiterschicht 27. Hierbei können die transparenten Elektroden 33 auch eine kleinere Fläche aufweisen als die p-Halbleiterschicht 27.
  • Andererseits kann jede der lichtemittierenden Zellen eine Nut umfassen, die durch die p-Halbleiterschicht 27 und die aktive Schicht 25 gebildet wird, um die n-Halbleiterschicht 23 freizulegen. Die Nuten sind von den transparenten Elektroden 33, der p-Halbleiterschicht 27 und der aktiven Schicht 25 umgeben. Wie in 11 dargestellt, kann die Nut eine längliche Form aufweisen, die sich von einer Seitenkante der lichtemittierenden Zelle zur anderen Seitenkante erstreckt. So können beispielsweise die Nuten bezüglich des Zellisolationsbereichs (ISO) eine längliche Form in senkrechter Richtung aufweisen, wie in 11 dargestellt.
  • Die in den lichtemittierenden Zellen gebildeten Rillen haben im Wesentlichen die gleiche Größe und damit haben auch die freiliegenden Bereiche der durch die Rillen freiliegenden Halbleiterschichten 23 vom n-Typ im Wesentlichen die gleiche Größe. Weiterhin haben die mehreren lichtemittierenden Zellen R1C1 bis R2C3 im Wesentlichen die gleiche Größe und damit haben die aktiven Schichten 25 im Wesentlichen die gleichen Lichterzeugungsbereiche. Das heißt, die aktiven Schichten 25 können die gleiche Form haben und die Nuten mit der gleichen Größe können ausgebildet sein, durch die aktiven Schichten 25 zu gelangen. Da die aktiven Schichten 25 die gleichen Lichterzeugungsbereiche aufweisen, kann der elektrische Strom gleichmäßig auf die lichtemittierenden Zellen verteilt werden. Dabei versteht es sich allerdings, dass auch andere Implementierungen möglich sind. Alternativ können die Bereiche der lichtemittierenden Zellen so eingerichtet werden, dass ein gleichmäßiges Licht erzeugt wird. So können beispielsweise die in der zweiten Spalte angeordneten lichtemittierenden Zellen R1C2, R2C2 eine größere Fläche aufweisen als die in der ersten und dritten Spalte angeordneten lichtemittierenden Zellen R1C1, R2C1, R1C3, R2C3, R2C3.
  • Obwohl, wie in 11 dargestellt, die Nuten in der lichtemittierenden Zelle R1C2 mit dem zweiten Bondpad 37 im Wesentlichen an den gleichen Stellen in den aktiven Schichten 25 gebildet werden können, kann die Lage der Nut durch das zweite Bondpad 37 leicht verändert werden. Das heißt, um einen Trennungsabstand zum zweiten Bondpad 37 zu gewährleisten, kann die an der lichtemittierenden Zelle R1C2 gebildete Nut eine etwas kürzere Länge aufweisen als die an den anderen lichtemittierenden Zellen gebildeten Nuten.
  • Die ersten und zweiten Bondpads 35, 37 können, wie in 11 dargestellt, in verschiedenen lichtemittierenden Zellen angeordnet sein. So kann beispielsweise das erste Bondpad 35 an der lichtemittierenden Zelle R2C2 und das zweite Bondpad 37 an der lichtemittierenden Zelle R1C2 angeordnet sein.
  • Wie bei der bezüglich 9 beschriebenen Leuchtdiode ist eine Stromsperrschicht 129b teilweise in einem Bereich unter dem ersten Bondpad 35 angeordnet und eine Stromsperrschicht 129c bedeckt eine Seitenwand der Mesa um das erste Bondpad 35. Darüber hinaus kann eine Stromsperrschicht 129a unter dem zweiten Bondpad 37 und den Verlängerungen 37a angeordnet werden. Die Stromsperrschicht 129a kann zwischen der transparenten Elektrode 33 und der p-Halbleiterschicht 27, wie in den Leuchtdioden gemäß den vorstehenden beispielhaften Ausführungsformen, angeordnet sein.
  • Jede der ersten Verlängerungen 35a erstreckt sich vom ersten Bondpad 35 und kontaktiert die n-Halbleiterschicht 23 in jeder der Nuten. Weiterhin können die Stromsperrschichten 129d in Inselform unter den ersten Erweiterungen 35a angeordnet werden.
  • Erste Elektrodenverbindungsabschnitte 37b verbinden die an benachbarten lichtemittierenden Zellen angeordneten zweiten Verlängerungen 37a elektrisch miteinander und zweite Elektrodenverbindungsabschnitte 36 verbinden die ersten Verlängerungen 35a elektrisch mit den zweiten Verlängerungen 37a benachbart zu den ersten Verlängerungen 35a. Um einen Kurzschluss durch die zweiten Elektrodenanschlussabschnitte 36 zu verhindern, können unter den zweiten Elektrodenanschlussabschnitten 36 Stromsperrschichten 129e angeordnet werden. Die ersten Elektrodenverbindungsabschnitte 37b sind von der n-Halbleiterschicht 23 isoliert. Zu diesem Zweck können die Stromsperrschichten unter den ersten Elektrodenanschlussabschnitten 37b angeordnet werden. Obwohl die erste Isolierschicht 31 in dieser beispielhaften Ausführungsform als unter den ersten Elektrodenanschlussabschnitten 37b angeordnet dargestellt ist, versteht es sich, dass auch andere Implementierungen möglich sind. Alternativ können auch andere Stromsperrschichten angeordnet werden und von der ersten Isolierschicht 31 getrennt sein.
  • In dieser beispielhaften Ausführungsform kann die erste Isolierschicht 31 um die lichtemittierende Zelle R1C2 herum angeordnet werden, wie in der mit Bezug auf 9 beschriebenen Leuchtdiode. Das heißt, die erste Isolierschicht 31 bedeckt einen Teil des Bereichs der p-Halbleiterschicht 27 zwischen der n-Halbleiterschicht 23, die von der Mesa M freiliegt, und dem zweiten Bondpad 37 an der lichtemittierenden Zelle R1C2. Wie in 11 dargestellt, kann sich die erste Isolierschicht 31 vom Rand der Mesa in der Nähe des zweiten Bondpads 37 bis zu einem Bereich zwischen den lichtemittierenden Zellen erstrecken. Die erste Isolierschicht 31 kann so angeordnet werden, dass sie drei Seiten des zweiten Bondpads 37 umgibt und die Seitenfläche der Mesa M und der freiliegenden n-Halbleiterschicht 23 teilweise bedeckt. Die erste Isolierschicht 31 kann wie in 3 bis 6 beschrieben modifiziert werden.
  • Darüber hinaus kann die erste Isolierschicht 31 weiter einen Abschnitt eines Bereichs der p-Halbleiterschicht 27 abdecken, der zwischen dem zweiten Bondpad 37 und der Nut angeordnet ist.
  • 13 ist eine schematische Schnittansicht einer lichtemittierenden Vorrichtung gemäß einer beispielhaften erfindungsgemäßen Ausführungsform.
  • Unter Bezugnahme auf 13 kann die lichtemittierende Vorrichtung gemäß dieser beispielhaften Ausführungsform eine Basis 210, erste und zweite Leitungen 221, 223, Bonddrähte 231, 233, einen Reflektor 211, die Leuchtdiode 100, Bonddrähte 231, 233 und ein Formteil 240 beinhalten.
  • Die Basis 210 kann aus verschiedenen Materialien, wie beispielsweise einem Kunststoffmaterial oder einem keramischen Material, gebildet sein und kann eine Leiterplatte oder ein geformter Leiterrahmen sein.
  • Die erste Leitung 221 und die zweite Leitung 223 sind an der Basis 210 befestigt. Die erste Leitung 221 und die zweite Leitung 223 können auf die Basis 210 gedruckte Schaltungen oder vom Leiterrahmen bereitgestellte Leitungen sein.
  • Die Leuchtdiode 100 kann auf dem Sockel 210 angebracht werden. Wie in 13 dargestellt, kann die Leuchtdiode 100 an der zweiten Leitung 223 angebracht werden, ohne darauf beschränkt zu sein. Alternativ kann die Leuchtdiode an der ersten Leitung 221 oder an der Basis 210 montiert werden, die von der ersten Leitung 221 und der zweiten Leitung 223 getrennt ist.
  • Der Bonddraht 231 ist mit dem ersten Bondpad 35 der Leuchtdiode 100 und der Bonddraht 233 mit dem zweiten Bondpad 37 verbunden. Wie in 13 dargestellt, kann der Bonddraht 233 einen an dem zweiten Bondpad 37 angeordneten Kugelabschnitt und einen sich davon erstreckenden Drahtabschnitt umfassen. Der erste Bonddraht 231 kann auch einen an dem ersten Bondpad 35 angeordneten Kugelabschnitt und einen sich davon erstreckenden Drahtabschnitt umfassen.
  • Der Kugelabschnitt des Bonddrahtes 233 ist ausschließlich in einem oberen Bereich des zweiten Bondpads 37 angeordnet, ohne darauf beschränkt zu sein. Alternativ kann der Kugelabschnitt des Bonddrahtes 233 zumindest teilweise von einer Seitenfläche des zweiten Bondpads 37 abweichen.
  • Die Bonddrähte 231, 233 können aus Kupfer oder Silber gebildet sein. Da ein Kupfer- oder Silberdraht wirtschaftlicher ist, als ein Golddraht, ermöglicht die Verwendung des Kupfer- oder Silberdrahtes eine Reduzierung der Herstellungskosten der lichtemittierenden Vorrichtung.
  • Die Anti-Metall-Migrationsschicht 31 der Leuchtdiode 100 kann entlang der Kante der p-Halbleiterschicht 27 zumindest an den Bonddraht 233 angrenzend angeordnet sein und kann Metalle daran hindern, entlang einer kurzen Entfernung zwischen dem Bonddraht 233 und der n-Halbleiterschicht 23 zu wandern.
  • Der Reflektor 211 ist an dem Sockel 210 angeordnet, um die Leuchtdiode 100 zu umgeben. Der Reflektor 211 kann eine geneigte Oberfläche aufweisen und dazu dienen, die Lichtausbeute der lichtemittierenden Vorrichtung durch Reflexion des von der Leuchtdiode 100 abgegebenen Lichts zu erhöhen.
  • Das Formteil 240 kann ein Wellenlängenumwandlungsmaterial enthalten und formt einen vom Reflektor 211 umgebenen Bereich. Dementsprechend umgibt das Formteil 240 die Bonddrähte 231, 233 und kann an die ersten und zweiten Bondpads 35, 37 angrenzen. Darüber hinaus grenzt der Formabschnitt 240 an die erste Verlängerung 35a, die sich von dem ersten Bondpad 35 erstreckt, und an die zweite Verlängerung 37a, die sich von dem zweiten Bondpad 37 erstreckt. Weiterhin kann das Formteil 240 an die erste Isolierschicht 31, die transparente Elektrode 33 und die Stromsperrschicht 29b grenzen. In einigen beispielhaften Ausführungsformen kann das Formteil 240 teilweise an die um die Mesa M herum freiliegende n-Halbleiterschicht 23 angrenzen. In dieser beispielhaften Ausführungsform grenzt das Formteil 240 durch die größte Kontaktfläche an verschiedene Komponenten der Leuchtdiode 100, insbesondere an die transparente Elektrode 33. Dementsprechend kann das von der Leuchtdiode 100 abgegebene Licht direkt durch die transparente Elektrode 33 in das Formteil 240 eindringen und so die Lichtausbeute der lichtemittierenden Vorrichtung verbessern.
  • Obwohl die lichtemittierende Vorrichtung gemäß dieser beispielhaften Ausführungsform so dargestellt ist, dass die Leuchtdiode 100 an der Basis 210 angeordnet ist, versteht es sich, dass die vorliegende Erfindung nicht auf die Leuchtdiode 100 beschränkt ist und die lichtemittierende Vorrichtung die Leuchtdioden 100a, 100b, 200 oder 300 oder andere daraus modifizierte Leuchtdiode umfassen kann. Darüber hinaus ist die erfindungsgemäße lichtemittierende Vorrichtung nicht auf die hierin beschriebene Gehäuseform beschränkt und kann in Form verschiedener Gehäuse oder lichtemittierender Module unter Verwendung von Bonddrähten realisiert werden.
  • Weiterhin kann die lichtemittierende Vorrichtung gemäß dieser beispielhaften Ausführungsform auf verschiedene Produkte angewendet werden, einschließlich Beleuchtungskörper, Displays, Fahrzeugscheinwerfer und dergleichen.
  • (Experimentelles Beispiel)
  • Eine Vielzahl von lichtemittierenden Vorrichtungen (erfinderisches Beispiel) wurden unter Verwendung von Leuchtdioden mit der Struktur der Leuchtdiode aus der 1 hergestellt, wobei die erste Isolierschicht 31 ausgebildet ist, um das zweite Bondpad 37 zu umgeben, und einer Zuverlässigkeitsprüfung unter Bedingungen von 60°C und 90% relativer Feuchte unterzogen wurde. Darüber hinaus wurde eine Vielzahl von lichtemittierenden Vorrichtungen (Vergleichsbeispiel) unter Verwendung von Leuchtdioden mit einer Struktur hergestellt, bei der die erste Isolierschicht 31 der Leuchtdiode aus der 1 weggelassen wird und wurde unter den gleichen Bedingungen wie das erfinderische Beispiel einem Zuverlässigkeitstest unterzogen. Bei den lichtemittierenden Vorrichtungen des Vergleichsbeispiels und des erfinderischen Beispiels wurden Silberdrähte als Bonddrähte verwendet.
  • Unter den lichtemittierenden Geräten des Vergleichsbeispiels litten viele Proben unter Stromleckagen und Betriebsstörungen, da die Zuverlässigkeitsprüfungen über einen langen Zeitraum durchgeführt wurden. Dazu im Gegensatz litten die lichtemittierenden Geräte des erfinderischen Beispiels nicht unter Stromleckagen und Betriebsstörungen.
  • 14A ist ein Rasterelektronenmikroskop (REM)-Bild um das zweite Bondpad 37 der lichtemittierenden Vorrichtung des Vergleichsbeispiels herum nach einer Prüfung der Zuverlässigkeit bei hoher Temperatur/Feuchtigkeit und 14B ist ein optisches Bild um das zweite Bondpad 37 der lichtemittierenden Vorrichtung des Erfindungsbeispiels herum nach einer Prüfung der Zuverlässigkeit bei hoher Temperatur/Feuchtigkeit.
  • Bezugnehmend auf 14A ist aus dem REM-Bild ersichtlich, dass Silberaggregate in den mit P1, P2 und P3 bezeichneten Abschnitten gebildet wurden. Die Silberaggregate konzentrierten sich um den Rand der Mesa in der Nähe der Drahtkugel. Im Gegensatz dazu wurden, wie in 14B dargestellt, im erfinderischen Beispiel, bei dem die erste Isolierschicht 31 um das zweite Bondpad 37 mit dem Bonddraht angeordnet ist, keine Silberaggregate beobachtet.
  • FIG: 15A ist eine Grafik, die die Schwankungen der Durchlassspannung in Abhängigkeit von der Zeit bei der Zuverlässigkeitsprüfung von lichtemittierenden Geräten bei hoher Temperatur und Luftfeuchtigkeit anhand von Vergleichs- und Erfindungsbeispielen darstellt. Die lichtemittierenden Vorrichtungen des Vergleichsbeispiels wiesen im Laufe der Zeit einen stärkeren Anstieg der Durchlassspannung auf als die lichtemittierenden Vorrichtungen des Erfindungsbeispiels. Obwohl der Grund für die Erhöhung der Durchlassspannung vermeintlich nicht erklärbar ist, wird angenommen, dass die Metallwanderung die elektrischen Eigenschaften der Leuchtdiode unter Bedingungen bei hoher Temperatur und Feuchte instabil macht.
  • 15B ist eine Grafik, die die Schwankung der Lichtleistung in Abhängigkeit von der Zeit bei der Zuverlässigkeitsprüfung von lichtemittierenden Geräten bei hoher Temperatur und Luftfeuchtigkeit anhand von Vergleichs- und Erfindungsbeispielen darstellt. Die lichtemittierenden Vorrichtungen des Vergleichsbeispiels zeigten im Laufe der Zeit einen schnelleren Rückgang der Lichtleistung als die lichtemittierenden Vorrichtungen des erfinderischen Beispiels in der Zuverlässigkeitsprüfung.
  • Obwohl hier bestimmte beispielhafte Ausführungsformen und Implementierungen beschrieben wurden, sind auch andere Ausführungsformen und Änderungen aus dieser Beschreibung ersichtlich. Dementsprechend beschränkt sich das erfinderische Konzept nicht auf solche beispielhaften Ausführungsformen, sondern auf den breiteren Anwendungsbereich der vorgelegten Ansprüche und verschiedene offensichtliche Abwandlungen und gleichwertige Anordnungen.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • KR 1020180061742 [0001]
    • KR 1020190032000 [0001]

Claims (26)

  1. Beansprucht wird:
  2. Eine Leuchtdiode, umfassend: eine Halbleiterschicht vom n-Typ; eine Mesa, die auf der n-Halbleiterschicht angeordnet ist, um einen Abschnitt einer Oberseite der n-Halbleiterschicht freizulegen, wobei die Mesa eine aktive Schicht und eine p-Halbleiterschicht umfasst, die auf der aktiven Schicht angeordnet ist; ein erstes Bondpad, das elektrisch mit der n-Halbleiterschicht verbunden ist; ein zweites Bondpad zum Drahtbonden, das elektrisch mit der p-Halbleiterschicht verbunden ist; und eine erste Isolierschicht, die zumindest teilweise zwischen einem freiliegenden Bereich der durch die Mesa freiliegenden n-Halbleiterschicht und dem zweiten Bondpad angeordnet ist, wobei die erste Isolierschicht einen Abschnitt eines Bereichs der p-Halbleiterschicht zwischen dem zweiten Bondpad und einem Abschnitt des freiliegenden Bereichs der n-Halbleiterschicht bedeckt, der durch die Mesa freiliegt und dem zweiten Bondpad am nächsten liegt, und entlang einer Kante der p-Halbleiterschicht benachbart zur freiliegenden n-Halbleiterschicht angeordnet ist.
  3. Leuchtdiode nach Anspruch 1, wobei die erste Isolierschicht näher an der freiliegenden n-Halbleiterschicht als das zweite Bondpad angeordnet ist.
  4. Leuchtdiode nach Anspruch 2, wobei die erste Isolierschicht die freiliegende n-Halbleiterschicht teilweise bedeckt.
  5. Leuchtdiode nach Anspruch 1, wobei die erste Isolierschicht eine größere Länge aufweist als das zweite Bondpad.
  6. Leuchtdiode nach Anspruch 4, wobei die erste Isolierschicht eine Form aufweist, die drei Seiten des zweiten Bondpads umgibt.
  7. Leuchtdiode nach Anspruch 1, wobei die Mesa eine längliche Form aufweist, das zweite Bondpad nahe einem distalen Ende der Mesa in Längsrichtung auf deren einer Seite angeordnet ist, so dass es dem ersten Bondpad gegenüberliegt, und die erste Isolierschicht einen Bereich der p-Halbleiterschicht zwischen dem zweiten Bondpad und dem distalen Ende der Mesa teilweise bedeckt.
  8. Leuchtdiode nach Anspruch 6, wobei die erste Isolierschicht eine Seitenfläche des Mesa nahe deren distalem Ende und die freiliegende n-Halbleiterschicht bedeckt.
  9. Leuchtdiode nach Anspruch 6, wobei sich die erste Isolierschicht von einem Abschnitt nahe dem distalen Ende der Mesa entlang einer Kante in deren Längsrichtung erstreckt.
  10. Leuchtdiode nach Anspruch 8, wobei ein Abschnitt der ersten Isolierschicht, der in Längsrichtung der Mesa angeordnet ist, größer als eine Breite des zweiten Bondpad und kleiner als eine Hälfte einer maximalen Länge der Mesa ist.
  11. Leuchtdiode nach Anspruch 1, wobei die Mesa eine Nut umfasst, die durch die p-Halbleiterschicht und die aktive Schicht gebildet ist, um die n-Halbleiterschicht freizulegen, und die erste Isolierschicht einen Abschnitt eines Bereichs der p-Halbleiterschicht abdeckt, der zwischen der Nut und dem zweiten Bondpad angeordnet ist.
  12. Leuchtdiode nach Anspruch 1, ferner umfassend: eine zusätzliche Isolierschicht, die von der ersten Isolierschicht getrennt ist, wobei die Mesa eine Nut umfasst, die durch die p-Halbleiterschicht und die aktive Schicht gebildet ist, um die n-Halbleiterschicht freizulegen, und wobei die zusätzliche Isolierschicht einen Abschnitt eines Bereichs der p-Halbleiterschicht bedeckt, der zwischen der Nut und dem zweiten Bondpad angeordnet ist.
  13. Leuchtdiode nach Anspruch 11, wobei die zusätzliche Isolierschicht einen Abschnitt einer Seitenwand der Nut bedeckt.
  14. Leuchtdiode nach Anspruch 1, ferner umfassend: eine transparente Elektrode, die einen ohmschen Kontakt mit der p-Halbleiterschicht bildet, wobei das zweite Bondpad auf der transparenten Elektrode angeordnet ist, die elektrisch mit der transparenten Elektrode verbunden werden soll.
  15. Leuchtdiode nach Anspruch 13, wobei die transparente Elektrode einen Abschnitt der ersten Isolierschicht bedeckt.
  16. Leuchtdiode nach Anspruch 14, wobei sich die transparente Elektrode und die erste Isolierschicht in einer ersten Breite w1 überlappen und die transparente Elektrode von einer Kante der p-Halbleiterschicht durch eine zweite Breite w2 getrennt ist, wobei die erste Breite w1 größer als die zweite Breite w2 ist, und wobei die erste Breite w1 kleiner oder gleich 10 µm ist.
  17. Leuchtdiode nach Anspruch 15, wobei die erste Breite w1 5 µm und die zweite Breite w2 4 µm beträgt.
  18. Leuchtdiode nach Anspruch 15, ferner umfassend: eine erste Verlängerung, die sich von dem ersten Bondpad erstreckt und elektrisch mit der n-Halbleiterschicht durch Löcher, die in der ersten Isolierschicht ausgebildet sind, verbunden ist.
  19. Leuchtdiode nach Anspruch 15, ferner umfassend: eine erste Verlängerung, die sich von dem ersten Bondpad erstreckt, wobei die erste Isolierschicht eine Vielzahl von voneinander getrennten Inseln umfasst und die erste Verlängerung elektrisch mit der Halbleiterschicht vom n-Typ in einem Bereich zwischen den Inseln verbunden ist.
  20. Leuchtdiode nach Anspruch 13, wobei ein Abschnitt der ersten Isolierschicht die transparente Elektrode bedeckt.
  21. Leuchtdiode nach Anspruch 13, wobei eine Seitenfläche der ersten Isolierschicht und eine Seitenfläche der transparenten Elektrode einander zugewandt angeordnet sind.
  22. Lichtemittierende Vorrichtung, umfassend: eine Halbleiterschicht vom n-Typ; eine Mesa, die auf der n-Halbleiterschicht angeordnet ist, um einen Abschnitt einer Oberseite der n-Halbleiterschicht freizulegen, und die eine aktive Schicht und eine p-Halbleiterschicht umfasst, die auf der aktiven Schicht angeordnet ist; ein erstes Bondpad, das elektrisch mit der n-Halbleiterschicht verbunden ist; ein zweites Bondpad, das elektrisch mit der p-Halbleiterschicht verbunden ist; einen Bonddraht, der mit dem zweiten Bondpad verbunden ist; und eine Anti-Metall-Migrationsschicht, die zwischen der freiliegenden n-Halbleiterschicht und dem zweiten Bondpad angeordnet ist, wobei die Anti-Metall-Migrationsschicht von dem zweiten Bondpad getrennt ist, das dem ersten Bondpad gegenüberliegt, und entlang einer Kante der p-Halbleiterschicht angeordnet ist, die benachbart zum Bonddraht angeordnet ist.
  23. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 21, worin eine Länge der Anti-Metall-Migrationsschicht kleiner als die Hälfte der gesamten Länge einer Kante der Mesa ist.
  24. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 21, wobei der Bonddraht ein Silberdraht ist.
  25. Lichtemittierende Vorrichtung, umfassend: eine Basis; erste und zweite Leitungen, die angrenzend an die Basis angeordnet sind; die Leuchtdiode nach Anspruch 1, die an der Basis angebracht ist; Bonddrähte, die die Leuchtdiode elektrisch mit der ersten und zweiten Leitung verbinden; und ein Formteil, das die Leuchtdiode und die Bonddrähte bedeckt, wobei die Leuchtdiode eine transparente Elektrode umfasst, die auf der p-Halbleiterschicht angeordnet ist, die Bonddrähte mit dem ersten bzw. zweiten Bondpad verbunden sind und das Formteil an die ersten und zweiten Bondpads der Leuchtdiode, der transparenten Elektrode und der ersten Isolierschicht angrenzt, während es teilweise an die von der Mesa freiliegende n-Halbleiterschicht angrenzt.
  26. Lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 24, wobei eine Kontaktfläche zwischen dem Formteil und der transparenten Elektrode größer ist als eine Kontaktfläche zwischen dem Formteil und anderen Komponenten der Leuchtdiode.
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Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20190189850A1 (en) * 2017-12-19 2019-06-20 Epistar Corporation Light-emitting device
CN111360346B (zh) * 2020-03-05 2021-09-24 中山市倍诚电子有限公司 一种便于安装的发光二极管装置
CN112086544A (zh) * 2020-09-25 2020-12-15 厦门三安光电有限公司 半导体发光元件和发光装置
CN113707779A (zh) * 2021-08-30 2021-11-26 安徽三安光电有限公司 发光二极管及发光装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180061742A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 재단법인 한국섬유기계융합연구원 크라이오 펌프용 극저온 온도 제어 시스템
KR20190032000A (ko) 2017-09-19 2019-03-27 주식회사 세일에프에이 다공특성이 우수한 유해가스 제거용 구리-망간 촉매산화물 및 이의 제조방법

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4886766B2 (ja) * 2008-12-25 2012-02-29 株式会社東芝 半導体発光素子
JP2010232642A (ja) * 2009-03-02 2010-10-14 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
US20130043502A1 (en) * 2010-05-31 2013-02-21 Panasonic Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
KR20120015651A (ko) * 2010-08-12 2012-02-22 서울옵토디바이스주식회사 개선된 광 추출 효율을 갖는 발광 다이오드
US8987772B2 (en) * 2010-11-18 2015-03-24 Seoul Viosys Co., Ltd. Light emitting diode chip having electrode pad
JP6176032B2 (ja) * 2013-01-30 2017-08-09 日亜化学工業株式会社 半導体発光素子
WO2016152397A1 (ja) * 2015-03-23 2016-09-29 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子
WO2016182248A1 (ko) * 2015-05-13 2016-11-17 서울바이오시스 주식회사 발광 소자
KR102460072B1 (ko) * 2015-09-10 2022-10-31 삼성전자주식회사 반도체 발광 소자
KR102386513B1 (ko) * 2016-08-05 2022-04-22 서울바이오시스 주식회사 발광소자
KR102390828B1 (ko) * 2017-08-14 2022-04-26 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 반도체 소자

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180061742A (ko) 2016-11-30 2018-06-08 재단법인 한국섬유기계융합연구원 크라이오 펌프용 극저온 온도 제어 시스템
KR20190032000A (ko) 2017-09-19 2019-03-27 주식회사 세일에프에이 다공특성이 우수한 유해가스 제거용 구리-망간 촉매산화물 및 이의 제조방법

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JP2019212903A (ja) 2019-12-12

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