KR20120015651A - 개선된 광 추출 효율을 갖는 발광 다이오드 - Google Patents

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Abstract

개선된 광추출 효율을 갖는 발광 다이오드가 개시된다. 이 발광 다이오드는,기판 상에 위치하고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체를 포함한다. 제1 전극 패드가 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속된다. 한편, 기판 상부에 제2 전극 패드가 위치하고, 절연 반사층이 발광 구조체의 일부를 덮고, 제2 전극 패드 아래에 위치하여, 제2 전극 패드를 발광 구조체로부터 이격시킨다. 또한, 적어도 하나의 상부 연장부가 제2 전극패드에 연결되어 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 접속된다. 나아가, 광 추출 요소들의 패턴이 제2 도전형 반도체층 상부에 위치한다. 이에 따라, 전류 분산 성능을 개선함과 아울러, 전극 패드에 의한 광 손실을 방지하고 나아가 광 방출 성능을 개선하여 광 추출 효율을 개선할 수 있다.

Description

개선된 광 추출 효율을 갖는 발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE WITH IMPROVED LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 개선된 광 추출 효율을 갖는 발광 다이오드에 관한 것이다.
질화갈륨(GaN) 계열의 발광 다이오드가 개발된 이래, GaN 계열의 LED는 현재 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 응용에 사용되고 있다.
질화갈륨 계열의 발광 다이오드는 일반적으로 사파이어와 같은 기판 상에 에피층들을 성장시키어 형성되며, N형 반도체층, P형 반도체층 및 이들 사이에 개재된 활성층을 포함한다. 한편, 상기 N형 반도체층 상에 N-전극 패드가 형성되고, 상기 P형 반도체층 상에 P-전극 패드가 형성된다. 상기 발광 다이오드는 상기 전극패드들을 통해 외부 전원에 전기적으로 연결되어 구동된다. 이때, 전류는 P-전극 패드에서 상기 반도체층들을 거쳐 N-전극 패드로 흐른다.
일반적으로 P형 반도체층은 높은 비저항을 가지므로, P형 반도체층 내에서 전류가 고르게 분산되지 못하고, 상기 P-전극 패드가 형성된 부분에 전류가 집중되며, 모서리를 통해 전류가 집중적으로 흐르는 문제점이 발생된다. 전류 밀집(current crowing)은 발광영역의 감소로 이어지고, 결과적으로 발광효율을 떨어뜨린다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, P형 반도체층 상에 비저항이 낮은 투명전극층을 형성하여 전류분산을 도모하는 기술이 사용된다. P-전극 패드로부터 유입된 전류가 투명전극층에서 분산되어 상기 P-형 반도체층으로 유입되기 때문에 발광 다이오드의 발광영역을 넓힐 수 있다. 그러나, 투명전극층은 광을 흡수하기 때문에 그 두께가 제한되며, 따라서 전류분산에 한계가 있다. 특히, 고출력을 위해 사용되는 약 1㎟ 이상의 대면적 발광 다이오드에서 투명전극층을 이용한 전류분산은 한계가 있다.
한편, 발광 다이오드 내의 전류 분산을 돕기 위해 전극 패드들로부터 연장된 연장부들이 사용되고 있다. 예컨대, 미국특허공보 제6,650,018호에는 전극 접촉부들(117, 127), 즉 전극 패드들로부터 다수의 연장부들이 서로 반대 방향으로 연장하여 전류 분산을 강화하는 것을 개시하고 있다. 이러한 다수의 연장부들을 사용함으로써 발광 다이오드의 넓은 영역에 걸쳐 전류를 분산시킬 수 있으나, 전극 패드들이 위치하는 부분에서 여전히 전류가 집중되는 전류 밀집 현상이 나타나고 있다.
나아가, 발광 다이오드의 크기가 대면적화함에 따라 발광 다이오드 내에 결함이 포함될 확률이 증가한다. 예컨대, 실전위(threading dislocation), 핀홀 등의 결함은 전류가 급격히 흐르는 통로를 제공하여 전류 분산을 방해한다.
한편, 발광 다이오드의 광 추출 효율을 개선하기 위해 패터닝된 사파이어 기판이 일반적으로 사용되고 있다. 사파이어 기판 상의 패턴은 활성층에서 생성된 광을 산란 또는 반사시킴으로써 광이 내부 전반사에 의해 발광 다이오드 내에서 손실되는 것을 감소시키고, 이에 따라 광 추출 효율을 향상시킨다.
사파이어 기판 상의 패턴을 이용하여 광 추출 효율 개선이 기대되지만, 질화갈륨계 화합물 반도체의 굴절률이 상대적으로 높기 때문에 내부 전반사에 의해 발광 다이오드 내부에서 광이 손실될 가능성이 여전히 존재한다.
더욱이, 전극 패드들은 일반적으로 광을 흡수하는 금속물질로 형성되기 때문에 전극 패드들로 향하는 광이 전극 패드들에 흡수되어 손실된다.
따라서, 광추출 효율을 개선하기 위한 노력이 계속해서 요구되고 있다.
미국특허공보 제6,650,018호
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 개선된 광 추출 효율을 갖는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 다른 과제는 전극 패드 근처에서 전류 밀집 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 넓은 면적의 발광 다이오드에서 전류를 고르게 분산시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 또 다른 과제는 전극 패드에 의한 광 손실을 감소시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 위치하고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체; 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극 패드; 상기 기판 상부에 위치하는 제2 전극 패드; 상기 발광 구조체의 일부를 덮고, 상기 제2 전극 패드 아래에 위치하여, 상기 제2 전극 패드를 상기 발광 구조체로부터 이격시키는 절연 반사층; 상기 제2 전극패드에 연결되어 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 접속된 적어도 하나의 상부 연장부; 및 상기 제2 도전형 반도체층 상부에 위치하는 광 추출 요소들의 패턴을 포함한다.
상기 절연 반사층에 의해 제2 전극 패드를 상기 발광 구조체로부터 이격시키므로, 제2 전극 패드 주위에 전류가 집중되는 것을 방지하여 전류 분산 성능을 개선할 수 있으며, 나아가, 제2 전극패드로 진행하는 광을 반사시킬 수 있어 제2 전극 패드에 의한 광 손실을 감소시킬 수 있다. 또한, 기판측에 대향하여 제2 도전형 반도체층 상부에 광 추출 요소들의 패턴을 배치함으로써, 상기 광 추출 요소들의 패턴에 의해 광이 외부로 쉽게 방출될 수 있어 광 추출 효율이 개선된다. 상기 광 추출 효소들의 패턴은 기판, 예컨대 사파이어 기판 상에 형성된 패턴과 조합하여 사용될 수 있다.
여기서, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 상기 제1 도전형 반도체층은 n형 질화물 반도체층이고, 상기 제2 도전형 반도체층은 p형 질화물 반도체층일 수 있다. 나아가, 상기 발광 다이오드는, 상기 p형 질화물 반도체층 상에 위치하는 투명 전극층을 더 포함할 수 있으며, 상기 상부 연장부는 상기 투명 전극층에 접속할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 광추출 요소들의 패턴은 상기 투명 전극층 상에 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 광추출 요소들의 패턴은 상기 투명 전극층의 상부 부분을 패터닝하여 형성될 수 있다.
한편, 상기 발광 다이오드는 상기 투명 전극층을 덮는 절연층을 더 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 절연층은 상기 투명 전극층을 노출시키는 개구부를 가질 수 있으며, 상기 상부 연장부는 상기 개구부를 통해 상기 투명 전극층에 접속할 수 있다.
나아가, 상기 개구부는 상기 제2 전극 패드로부터 떨어져 위치한다. 이에 따라, 상기 제2 전극 패드와 상기 개구부에 접속된 상부 연장부는 상기 절연층 상에 위치하는 연결부에 의해 연결된다. 상기 연결부가 절연층 상에 위치하므로, 상기 제2 전극 패드 주위에서 상부 연장부가 투명 전극층에 직접 접속되지 않으며, 따라서 제2 전극 패드 주위에서 전류가 집중되는 것을 더욱 방지할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 광추출 요소들의 패턴은 상기 절연층 상에 형성될 수 있다. 예컨대, 상기 광추출 요소들의 패턴은 상기 절연층의 상부 부분을 패터닝하여 형성될 수 있다.
한편, 상기 제1 도전형 반도체층은 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층이 메사 식각되어 노출된 영역을 가질 수 있으며, 상기 제2 전극 패드는 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역 상부에 위치할 수 있다. 이때, 상기 절연 반사층은 상기 제2 전극 패드와 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 위치한다. 이에 따라, 제2 전극 패드 아래에서 불필요하게 광이 발생되는 것을 방지할 수 있다.
이때, 상기 절연 반사층은 상기 메사 식각에 의해 노출된 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 측면들 중 적어도 일부를 덮을 수 있다. 따라서, 활성층에서 생성된 광이 메사 측면을 통해 제2 전극 패드로 진행하는 광을 상기 절연 반사층에 의해 반사시킬 수 있어 제2 전극 패드에 의한 광 손실을 방지할 수 있다.
한편, 연결부가 상기 상부 연장부와 상기 제2 전극 패드를 연결할 수 있으며, 상기 연결부는 절연층에 의해 상기 제2 도전형 반도체층으로부터 이격될 수 있다. 예컨대, 상기 연결부는 상기 절연 반사층에 의해 상기 메사 측면으로부터 절연될 수 있으며, 나아가 다른 절연층에 의해 상기 제2 도전형 반도체층(또는 투명 전극층)의 상부면으로부터 절연될 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층은 적어도 두 개의 발광 영역들을 정의하도록 분할될 수 있다. 또한, 상기 적어도 두 개의 발광 영역들 상에 각각 상기 제2 전극 패드에 연결된 상부 연장부가 위치할 수 있다.
상기 발광 구조체를 복수개의 발광 영역들로 분할함으로써 특정 위치에 핀홀이나 실전위 등의 결함이 있더라도 이들 결함에 전류가 과도하게 집중되는 것을 방지할 수 있으며, 따라서 넓은 영역에 걸쳐 전류를 고르게 분산시킬 수 있다.
상기 적어도 두 개의 발광 영역들은 상기 제1 전극 패드와 상기 제2 전극 패드를 가로지르는 선에 대해 대칭 구조를 가질 수 있다. 이에 따라, 상기 적어도 두개의 발광 영역들이 동일한 발광 특성을 나타낼 수 있다.
나아가, 상기 발광 다이오드는 상기 제1 전극 패드에 연결된 적어도 하나의 하부 연장부를 더 포함할 수 있다. 더욱이, 상기 하부 연장부 중 적어도 하나는 상기 적어도 두 개의 발광 영역들 사이에 위치할 수 있다.
종래의 발광 다이오드는 제2 전극 패드가 제2 도전형 반도체층 상에 위치하여 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 접속된다. 따라서, 제2 전극 패드 주위에 전류가 집중되어 전류 분산이 방해된다. 그러나, 본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 전극 패드가 발광 구조체로부터 절연 반사층에 의해 절연되므로, 제2 전극 패드 주위에 전류가 집중되는 것을 방지할 수 있다. 더욱이, 발광 구조체의 제2 도전형 반도체층 및 활성층을 메사 식각하여 제거한 부분에 제2 전극 패드를 형성함으로써, 제2 전극 패드 아래에서 불필요하게 광이 발생되는 것을 방지하여 발광 효율을 개선할 수 있다. 또한, 발광 구조체를 복수개의 발광 영역들로 분할함으로써 발광 영역들에 결정 결함에 전류가 과도하게 집중되는 것을 방지하여 고르게 전류를 분산시킬 수 있다. 나아가, 발광 구조체 상부에 광 추출 요소들의 패턴을 배치함으로써 광 추출 효율을 더욱 개선할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2a)~2c는 각각 도 1의 절취선 A-A, B-B 및 C-C를 따라 취해진 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도로, 도 1의 절취선 C-C를 따라 취해진 단면도이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2a~2c는 각각 도 1의 절취선 A-A, B-B 및 C-C를 따라 취해진 단면도들이다.
도 1, 도 2a 내지 2c를 참조하면, 상기 발광 다이오드는 기판(21), 발광 영역들(LE1, LE2)을 포함하는 발광 구조체, 절연 반사층(31), 제1 전극 패드(35) 및 제2 전극 패드(33), 상부 연장부들(33a)을 포함한다. 또한, 상기 발광 다이오드는 투명전극층(29), 절연층(32), 연결부들(33b), 제1 하부 연장부(35a) 및 제2 하부 연장부들(35b)을 포함할 수 있다. 나아가, 상기 발광 구조체는 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25), 및 제2 도전형 반도체층(27)을 포함한다.
상기 기판(11)은 패터닝된 사파이어 기판일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 제1 도전형 반도체층(23)이 상기 기판(21) 상에 위치하고, 상기 1 도전형 반도체층(23) 상에 제2 도전형 반도체층(27)이 위치하고, 제1 도전형 반도체층과 제2 도전형 반도체층 사이에 활성층(25)이 개재된다. 상기 제1 도전형 반도체층(23), 활성층(25) 및 제2 도전형 반도체층(27)은 질화갈륨 계열의 화합물 반도체 물질 즉, (Al, In, Ga)N으로 형성될 수 있다. 상기 활성층(25)은 요구되는 파장의 광, 예컨대 자외선 또는 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정된다.
상기 제1 도전형 반도체층(23)은 n형 질화물 반도체층일 수 있으며, 제2 도전형 반도체층(27)은 p형 질화물 반도체층일 수 있으며, 그 반대일 수도 있다.
상기 제1 도전형 반도체층(23) 및/또는 제2 도전형 반도체층(27)은, 도시한 바와 같이, 단일층으로 형성될 수 있으나, 다층 구조로 형성될 수도 있다. 또한, 활성층(25)은 단일 양자웰 또는 다중 양자웰 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 기판(21)과 제1 도전형 반도체층(23) 사이에 버퍼층(도시하지 않음)이 개재될 수 있다. 상기 반도체층들(23, 25, 27)은 MOCVD 또는 MBE 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 발광 구조체의 제2 도전형 반도체층(27) 및 활성층(23)은 적어도 두 개의 발광 영역들(LE1, LE2)을 정의하도록 분할될 수 있다. 이들 발광 영역들(LE1, LE2)은 대칭 구조를 갖도록 형성될 수 있으며, 이러한 분할 공정은 메사 식각 공정에 의해 수행될 수 있다. 상기 메사 식각 공정에 의해 상기 발광 구조체의 중앙을 가로지르는 영역의 제1 도전형 반도체층(23)이 노출되어 상기 제2 도전형 반도체층(27) 및 상기 활성층(25)이 두개의 영역들로 분할될 수 있다. 또한, 상기 메사 식각 공정에 의해 형성되는 발광 구조체의 측면들은 바람직하게 기판(21) 면에 대해 30~70도 범위 내의 경사각을 가질 수 있다.
한편, 상기 제2 도전형 반도체층(27) 상에 투명 전극층(29)이 위치할 수 있다. 투명전극층(29)은, ITO 또는 Ni/Au로 형성될 수 있으며, 제2 도전형 반도체층에 오믹콘택된다. 상기 투명 전극층(29) 상에 광 추출 요소들(LEE)의 패턴(LEE)이 위치한다. 예를 들어, 상기 광 추출 요소들은 대략 5㎛의 직경을 갖는 원 기둥 형상일 수 있으며, 이들 광 추출 요소들은 서로로부터 대략 30㎛ 이격될 수 있다. 광 추출 요소들은 활성층(25)에서 생성된 광이 투명 전극층(29) 측으로 진행할 때, 광을 산란 또는 반사시킴으로써 광의 방출을 도울 수 있다. 광추출 요소들의 패턴은 규칙적인 패턴일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 불규칙 패턴일 수 있다.
절연 반사층(31)이 메사 식각 공정에 의해 노출된 제1 도전형 반도체층(23) 상에 위치한다. 상기 절연 반사층(31)은 발광 구조체의 일부 영역 상에 위치하며, 메사 식각에 의해 노출된 메사 측면의 일부를 덮는다. 절연 반사층(31)은 굴절률이 서로 다른 재료층들을 반복 적층한 후 사진 식각 공정을 사용하여 패터닝함으로써 형성할 수 있으며, 상기 굴절률이 서로 다른 층들은 예컨대, SiO2, Si3N4, TiO2 및 Nb2O5에서 선택될 수 있다.
상기 절연 반사층(31)은 발광 구조체 상에 투명 전극층(29)을 형성한 후 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 절연 반사층(31)을 먼저 형성한 후, 투명 전극층(29)을 형성할 수도 있다.
한편, 절연층(32)이 상기 발광 구조체의 제2 도전형 반도체층(27)(또는 상기 투명전극층(29))을 덮을 수 있다. 절연층(32)은 또한 메사 식각에 의해 노출된 제2 도전형 반도체층(29) 및 활성층(25)의 측면을 덮을 수 있다. 나아가, 상기 절연층(32)은 상기 발광 영역들(LE1, LE2) 상의 투명전극층(29)을 노출시키는 개구부들(32a)을 갖는다. 상기 개구부들(321a)에 의해 상기 투명전극층(29)(또는 제2 도전형 반도체층(27))이 노출된다. 상기 절연층(32)은 활성층(25)에서 생성된 광이 투과할 수 있는 투명한 재료이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 SiO2로 형성될 수 있다.
상기 메사 식각되어 노출된 제1 도전형 반도체층 상에 제1 전극 패드(35) 및 제2 전극 패드(33)가 위치한다. 상기 제1 전극 패드(35)는 제1 도전형 반도체층(23)에 전기적으로 접속된다. 한편, 상기 제2 전극 패드(33)는 절연층(31)에 의해 제1 도전형 반도체층(23)으로부터 절연된다. 상기 제1 및 제2 전극 패드들(33, 35)은 와이어를 본딩하기 위한 본딩 패드들로서 와이어를 본딩할 수 있도록 상대적으로 넓은 면적을 갖는다. 상기 제1 전극 패드(35) 및 제2 전극 패드(33)는 제1 도전형 반도체층(23)의 노출된 영역 상에 한정되어 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 그 일부가 상기 제2 도전형 반도체층(27) 상부에 위치할 수도 있다.
상기 제2 전극 패드(33)와 상기 제1 도전형 반도체층(23) 사이에 상기 절연 반사층(31)이 위치하여 제1 도전형 반도체층(23)으로부터 제2 전극 패드(33)를 절연시킨다. 나아가, 상기 절연 반사층(31)은 메사 측면의 일부를 덮어 제2 전극 패드(33)가 메사 측면의 제2 도전형 반도체층(27) 또는 활성층(25)에 접하는 것을 방지한다.
한편, 상기 제2 도전형 반도체층(27)(또는 투명 전극층(29)) 상에 상부 연장부들(33a)이 위치한다. 상기 상부 연장부들(33a)은 각각 연결부들(33b)을 통해 제2 전극패드(33)에 연결될 수 있으며, 상기 상부 연장부들(33a)은 제2 도전형 반도체층(27)(또는 투명 전극층(29))에 전기적으로 접속된다. 상부 연장부들(33a)은 절연층(32)의 개구부들(32a)을 통해 투명 전극층(29)에 접속될 수 있다. 상부 연장부들(33a)은 제1 도전형 반도체층(27)에 전류를 고르게 분산시킬 수 있도록 배치된다. 한편, 상기 연결부들(33b)은 절연 반사층(31) 및/또는 절연층(32)에 의해 제2 도전형 반도체층(27) 및 활성층(25)으로부터 이격된다.
한편, 적어도 하나의 하부 연장부(35a)가 상기 제1 전극 패드(35)로부터 연장될 수 있다. 상기 하부 연장부(35a)는 제1 도전형 반도체층(23) 상에 위치하여 제1 도전형 반도체층(23)에 전기적으로 접속한다. 하부 연장부(35a)는 도시된 바와 같이, 분할된 발광 영역들 사이에 위치할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 발광 영역들의 바깥쪽에 위치할 수도 있다.
상기 전극 패드들(33, 35), 상부 연장부들(33a), 연결부들(33b) 및 하부 연장부(35a)는 동일한 금속 재료, 예컨대 Cr/Au로 동일 공정을 이용하여 함께 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상부 연장부들(33a)과 상기 제2 전극 패드(33)를 별개의 공정으로 형성할 수도 있으며, 서로 다른 재료로 형성할 수도 있다.
본 실시예에 있어서, 분할된 발광 영역들은 제1 전극 패드(35)와 제2 전극 패드(33)를 잇는 선, 예컨대 절취선 B-B에 대해 대칭구조를 갖는다. 상부 연장부들(33a) 또한 서로 대칭으로 배치되어 상기 발광 영역들은 동일한 발광 특성을 나타낼 수 있다. 따라서, 종래 두개의 발광 다이오드들을 병렬로 연결하여 사용하는 것에 비해 하나의 발광 다이오드 내에서 발광 영역을 두개로 분할하여 사용함으로써 발광 다이오드의 패키징 공정을 단순화할 수 있다. 더욱이, 발광 영역들을 분할함으로써 결함에 의해 전류가 집중되는 것을 완화할 수 있으며, 메사 식각에 의해 경사진 측면들을 형성함으로써 광 추출 효율을 증가시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제2 전극 패드(33)는 메사 식각되어 노출된 제1 도전형 반도체층(23) 상에 위치하고, 절연 반사층(31)이 이들 사이에 개재된다. 이러한 구조는 제2 전극 패드(33) 아래에서 광이 생성되는 것을 방지하고 제2 전극 패드(33)가 형성된 영역 이외의 영역에서 광이 생성되도록 함으로써 전류를 효율적으로 활용한다. 그러나 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 메사 식각되어 노출된 제1 도전형 반도체층(23)을 더 제거하여 기판을 노출시킬 수 있으며, 기판(21) 상에 절연 반사층(31)을 형성하고, 그 위에 제2 전극 패드(33)를 배치할 수도 있다. 또한, 상기 제2 전극 패드(33)는 제2 도전형 반도체층(27) 또는 투명 전극층(29) 상에 절연 반사층(31)을 개재하여 배치될 수도 있다.
도 3은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 단면도로, 도 1의 절취선 C-C를 따라 취해진 도 2c의 단면도에 대응한다.
도 3을 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 앞에서 설명한 발광 다이오드와 대체로 유사하므로 중복을 피하기 위해 차이점에 대해서 설명한다.
앞서, 도 1, 도 2a 내지 2c를 참조하여 설명한 발광 다이오드의 경우, 광 추출 요소들(LEE)의 패턴이 투명 전극층(29) 상에 위치한다. 이에 반해, 본 실시예에 따른 발광 다이오드의 경우, 광 추출 요소들(LEE)의 패턴이 절연층(32) 상에 위치한다. 상기 광 추출 요소들(LEE)은 절연층(32)의 상부 부분을 부분적으로 패터닝하여 형성할 수 있으며, 또는 절연층(32) 상에 다른 재료층을 형성한 후, 이를 패턴이하여 형성할 수 있다. 상기 광추출 요소들(LEE)은 예컨대 5㎛의 직경을 갖는 원 기둥 형상일 수 있으며, 이들 광 추출 요소들은 서로로부터 대략 30㎛ 이격될 수 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 1의 실시예에서, 제1 전극 패드(35) 및 제2 전극 패드(33)가 발광 다이오드의 장축 방향을 따라 배치되고, 발광 영역들이 발광 다이오드의 장축 방향을 따라 분할되는 것으로 도시되어 있으나, 본 실시예에 있어서는 전극패드들(53, 55)이 발광 다이오드의 단축 방향을 따라 배치되고, 발광 영역들이 발광 다이오드의 단축 방향을 따라 분할되어 있다. 또한, 분할된 발광 영역들은 대칭 구조를 가지며, 상부 연장부들(53a) 및 하부 연장부들(55a) 또한 대칭 구조로 배치되어 있다.
상기 제2 전극 패드(53) 아래에, 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이, 절연 반사층(51)이 위치하고, 투명 전극층 또는 절연층(52) 상에 광 추출 요소들(LEE)의 패턴이 위치한다.
여기서, 상기 상부 연장부들(55a)은 발광 다이오드의 바깥측으로 연장되어 발광 다이오드를 감싸는 형태로 배치되고, 또한, 발광 다이오드의 바깥쪽에서 내측으로 침입하는 연장부(53b)를 갖는다. 한편, 하부 연장부들(55a)은 발광 다이오드의 안쪽에서 바깥쪽으로 향해 연장하고 있다. 또한, 하부 연장부들(55a)은 각각 발광 영역들 내에서 상기 연장부(53b)를 감싸도록 두 갈래로 갈라질 수 있다.
상기 상부 연장부들(55a)과 상기 제2 전극 패드(53)는 연결부들(53b)에 의해 서로 연결된다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 4를 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 유사하나 하부 연장부들(65a) 및 상부 연장부들(63a)의 배치에 차이가 있다.
즉, 하부 연장부들(65a)이 발광 다이오드의 바깥쪽으로 연장된 후 발광 영역의 내측으로 침입하고, 상부 연장부들(63a)은 각 발광 영역 상에 두개의 연장부들을 포함하고, 이들 두개의 연장부들이 상기 내측으로 침입한 하부 연장부(65a)를 감싸도록 배치된다.
앞에서 본 발명의 몇몇 실시예들에 대해 설명하지만, 전극 패드들 및 연장부들의 배치에 대해서 다양한 실시예들 및 변형이 가능하다. 또한, 앞서 두개의 발광 영역들로 분할된 발광 다이오드를 예로서 설명하였지만, 더 많은 수의 발광 영역들로 분할될 수 있다.

Claims (17)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하고, 제1 도전형 반도체층, 활성층 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조체;
    상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극 패드;
    상기 기판 상부에 위치하는 제2 전극 패드;
    상기 발광 구조체의 일부를 덮고, 상기 제2 전극 패드 아래에 위치하여, 상기 제2 전극 패드를 상기 발광 구조체로부터 이격시키는 절연 반사층;
    상기 제2 전극패드에 연결되어 상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 접속된 적어도 하나의 상부 연장부; 및
    상기 제2 도전형 반도체층 상부에 위치하는 광 추출 요소들의 패턴을 포함하는 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층은 n형 질화물 반도체층이고, 상기 제2 도전형 반도체층은 p형 질화물 반도체층인 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 p형 질화물 반도체층 상에 위치하는 투명 전극층을 더 포함하고, 상기 상부 연장부는 상기 투명 전극층에 접속하는 발광 다이오드.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 광추출 요소들의 패턴은 상기 투명 전극층 상에 형성된 발광 다이오드.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 투명 전극층을 덮는 절연층을 더 포함하되,
    상기 절연층은 상기 투명 전극층을 노출시키는 개구부를 갖고,
    상기 상부 연장부는 상기 개구부를 통해 상기 투명 전극층에 접속하는 발광 다이오드.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 개구부는 상기 제2 전극 패드로부터 떨어져 위치하는 발광 다이오드.
  7. 청구항 5에 있어서,
    상기 광추출 요소들의 패턴은 상기 절연층 상에 형성된 발광 다이오드.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 도전형 반도체층은 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층이 메사 식각되어 노출된 영역을 갖고,
    상기 제2 전극 패드는 상기 제1 도전형 반도체층의 노출된 영역 상부에 위치하고,
    상기 절연 반사층은 상기 제2 전극 패드와 상기 제1 도전형 반도체층 사이에 위치하는 발광 다이오드.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 절연 반사층은 상기 메사 식각에 의해 노출된 상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층의 측면들 중 적어도 일부를 덮는 발광 다이오드.
  10. 청구항 8에 있어서,
    상기 상부 연장부와 상기 제2 전극 패드를 연결하는 연결부를 더 포함하되,
    상기 연결부는 절연층에 의해 상기 제2 도전형 반도체층으로부터 이격되는 발광 다이오드.
  11. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 도전형 반도체층 및 상기 활성층은 적어도 두 개의 발광 영역들을 정의하도록 분할되고,
    상기 적어도 두 개의 발광 영역들 상에 각각 상기 제2 전극 패드에 연결된 상부 연장부가 위치하는 발광 다이오드.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 적어도 두 개의 발광 영역들은 상기 제1 전극 패드와 상기 제2 전극 패드를 가로지르는 선에 대해 대칭 구조를 갖는 발광 다이오드.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 전극 패드에 연결된 적어도 하나의 하부 연장부를 더 포함하되, 상기 하부 연장부 중 적어도 하나는 상기 적어도 두 개의 발광 영역들 사이에 위치하는 발광 다이오드.
  14. 청구항 11에 있어서,
    상기 발광 영역들 내의 상기 제2 도전형 반도체층들 상에 각각 위치하는 투명 전극층들을 더 포함하고, 상기 제2 전극 패드에 연결된 상부 연장부들이 상기 투명 전극층들에 각각 접속하는 발광 다이오드.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 광추출 요소들의 패턴은 상기 투명 전극층들 상에 각각 형성된 발광 다이오드.
  16. 청구항 14에 있어서,
    상기 투명 전극층들을 덮는 절연층을 더 포함하되,
    상기 절연층은 상기 투명 전극층들을 노출시키는 개구부들을 갖고,
    상기 상부 연장부들은 상기 개구부들을 통해 상기 투명 전극층들에 각각 접속하는 발광 다이오드.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 광추출 패턴은 상기 절연층 상에 형성된 발광 다이오드.
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