KR101618800B1 - 전극패드들을 갖는 발광 다이오드 - Google Patents

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Abstract

전극패드들을 갖는 발광 다이오드가 개시된다. 이 발광 다이오드는, 기판, 상기 기판 상에 위치하는 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층 상에 위치하는 p형 반도체층, 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 개재된 활성층, 상기 p형 반도체층에 오믹콘택하는 투명전극층, 상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극패드, 상기 투명전극층 상에 위치하는 제2 전극패드, 상기 투명전극층과 상기 제2 전극패드 사이에 개재되어 상기 제2 전극패드를 상기 투명전극층으로부터 전기적으로 절연시키는 절연층, 및 상기 제2 전극패드에 연결되어 상기 p형 반도체층에 전기적으로 접속된 적어도 하나의 상부 연장부를 포함한다. 상기 절연층에 의해 상기 제2 전극패드가 상기 투명전극층으로부터 절연되므로, 상기 제2 전극패드 근처에서 전류가 집중되는 것을 방지할 수 있다.

Description

전극패드들을 갖는 발광 다이오드{LIGHT EMITTING DIODE HAVING ELECTRODE PADS}
본 발명은 발광 다이오드에 관한 것으로, 특히 전극패드들을 갖는 발광 다이오드에 관한 것이다.
질화갈륨(GaN) 계열의 발광 다이오드가 개발된 이래, GaN 계열의 LED는 현재 천연색 LED 표시소자, LED 교통 신호기, 백색 LED 등 다양한 응용에 사용되고 있다.
질화갈륨 계열의 발광 다이오드는 일반적으로 사파이어와 같은 기판 상에 에피층들을 성장시키어 형성되며, N형 반도체층, P형 반도체층 및 이들 사이에 개재된 활성층을 포함한다. 한편, 상기 N형 반도체층 상에 N-전극패드가 형성되고, 상기 P형 반도체층 상에 P-전극패드가 형성된다. 상기 발광 다이오드는 상기 전극패드들을 통해 외부 전원에 전기적으로 연결되어 구동된다. 이때, 전류는 P-전극패드에서 상기 반도체층들을 거쳐 N-전극패드로 흐른다.
일반적으로 P형 반도체층은 높은 비저항을 가지므로, P형 반도체층 내에서 전류가 고르게 분산되지 못하고, 상기 P-전극패드가 형성된 부분에 전류가 집중되며, 모서리를 통해 전류가 집중적으로 흐르는 문제점이 발생된다. 전류 밀집(current crowding)은 발광영역의 감소로 이어지고, 결과적으로 발광효율을 저하시킨다. 이러한 문제점을 해결하기 위해, P형 반도체층 상에 비저항이 낮은 투명전극층을 형성하여 전류분산을 도모하는 기술이 사용된다. P-전극패드로부터 유입된 전류가 투명전극층에서 분산되어 상기 P-형 반도체층으로 유입되기 때문에 발광 다이오드의 발광영역을 넓힐 수 있다.
그러나, 투명전극층은 광을 흡수하기 때문에 그 두께가 제한되며, 따라서 전류분산에 한계가 있다. 특히 고출력을 위해 사용되는 약 1㎟ 이상의 대면적 발광 다이오드에서 투명전극층을 이용한 전류분산은 한계가 있다.
한편, 발광 다이오드 내의 전류 분산을 돕기 위해 전극패드들로부터 연장된 연장부들이 사용되고 있다. 예컨대, 미국특허공보 제6,650,018호에는 전극 접촉부들(117, 127), 즉 전극패드들로부터 다수의 연장부들이 서로 반대 방향으로 연장하여 전류 분산을 강화하는 것을 개시하고 있다.
이러한 다수의 연장부들을 사용함으로써 발광 다이오드의 넓은 영역에 걸쳐 전류를 분산시킬 수 있으나, 전극패드들이 위치하는 부분에서 여전히 전류가 집중되는 전류 밀집 현상이 나타나고 있다.
한편, 발광 다이오드의 크기가 대면적화함에 따라 발광 다이오드 내에 결함이 포함될 확률이 증가한다. 예컨대, 실전위(threading dislocation), 핀홀 등의 결함은 전류가 급격히 흐르는 통로를 제공하여 전류 분산을 방해한다.
미국특허공보제6,650,018호
본 발명이 해결하려는 과제는 전극패드 근처에서 전류 밀집 현상이 발생되는 것을 방지할 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는 넓은 면적의 발광 다이오드에서 전류를 고르게 분산시킬 수 있는 발광 다이오드를 제공하는 것이다.
상기 과제를 해결하기 위해, 본 발명의 실시예들에 따른 발광 다이오드는, 기판; 상기 기판 상에 위치하는 n형 반도체층; 상기 n형 반도체층 상에 위치하는 p형 반도체층; 상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 개재된 활성층; 상기 p형 반도체층에 오믹콘택하는 투명전극층; 상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극패드; 상기 투명전극층 상에 위치하는 제2 전극패드; 상기 투명전극층과 상기 제2 전극패드 사이에 개재되어 상기 제2 전극패드를 상기 투명전극층으로부터 전기적으로 절연시키는 절연층; 및 상기 제2 전극패드에 연결되어 상기 p형 반도체층에 전기적으로 접속된 적어도 하나의 상부 연장부를 포함한다. 상기 절연층에 의해 상기 제2 전극패드가 상기 투명전극층으로부터 절연되므로, 상기 제2 전극패드 근처에서 전류가 집중되는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 발광 다이오드는 상기 상부 연장부와 상기 제2 전극패드를 연결하는 연결부를 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 연결부는 상기 절연층에 의해 상기 투명전극층으로부터 절연된다. 따라서, 상기 제2 전극패드 근처의 연결부에서도 또한 전류가 집중되는 것을 방지할 수 있다.
상기 절연층은 상기 투명전극층을 덮을 수 있다. 이때, 상기 절연층은 상기 투명전극층을 노출시키는 적어도 하나의 개구부를 가지며, 상기 적어도 하나의 상부 연장부는 상기 개구부를 통해 상기 p형 반도체층에 전기적으로 접속된다. 예컨대, 상기 적어도 하나의 상부 연장부는 상기 개구부를 통해 상기 투명전극층에 전기적으로 접속될 수 있다.
한편, 상기 제1 전극패드는 상기 제2 전극패드에 대향하여 상기 n형 반도체층 상에 위치할 수 있다. 나아가, 상기 발광 다이오드는 상기 제1 전극패드에서 상기 제2 전극패드를 향해 연장하고, 상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 하부 연장부를 더 포함할 수 있다. 덧붙여, 상기 제1 하부 연장부의 단부는 상기 제1 전극패드보다 상기 제2 전극패드에 더 가까울 수 있다.
또한, 상기 발광 다이오드는 상기 제1 전극패드에서 연장하는 제2 하부 연장부를 더 포함할 수 있다. 상기 제2 하부 연장부는 상기 기판의 가장자리를 따라 연장할 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 발광 다이오드는 상기 제1 전극패드에서 상기 제2 전극패드로 침입하는 만입부를 가질 수 있으며, 상기 만입부에 의해 상기 제1 도전형 반도체층이 노출될 수 있다. 또한, 상기 투명전극층은 상기 제1 전극패드와 상기 제2 전극패드를 가로지르는 선에 대해 대칭구조를 가질 수 있다.
나아가, 상기 만입부의 단부는 상기 발광 다이오드의 중심보다 상기 제2 전극패드에 더 가까울 수 있다. 따라서, 상기 발광 다이오드의 발광영역은 상기 만입부에 의해 실질적으로 분할되며, 이에 따라 상기 발광 다이오드의 넓은 영역에 걸쳐 전류가 분산될 수 있다.
한편, 상기 제1 하부 연장부는 상기 만입부 내에서 상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 접속할 수 있다. 또한, 상기 발광 다이오드는 적어도 두개의 상부 연장부들을 포함할 수 있으며, 상기 적어도 두개의 상부 연장부들은 상기 제1 전극패드와 제2 전극패드를 가로지르는 선에 대해 대칭구조를 가질 수 있다.
또한, 상기 상부 연장부들은 각각 연결부들에 의해 상기 제2 전극패드에 연결될 수 있으며, 상기 연결부들은 상기 절연층에 의해 상기 투명전극층으로부터 절연될 수 있다.
몇몇 실시예들에 있어서, 상기 제1 하부 연장부와 상기 상부 연장부들은 서로 평행할 수 있다.
상기 발광 다이오드는 상기 제1 전극패드와 상기 제2 전극패드를 가로지르는 면에 대해 대칭 구조를 가질 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따르면, 상기 제2 전극패드가 절연층에 의해 상기 투명전극층으로부터 절연되므로 제2 전극패드 근처에 전류가 집중되는 것을 방지할 수 있다. 나아가, 상기 제2 전극패드와 상부 연장부들을 연결하는 연결부들 또한 상기 절연층에 의해 투명전극층으로부터 절연되어 제2 전극패드 근처에 전류가 집중되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 대면적 발광 다이오드의 경우, 핀홀, 실전위 등의 반도체층 내 결함들에 전류가 집중되기 쉬우나, 상기 만입부에 의해 발광 영역을 실질적으로 복수개의 영역들로 분리함으로써 발광 다이오드의 각 영역들에 전류를 고르게 분산시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2a, 2b 및 2c는 각각 도 1의 절취선 A-A, B-B 및 C-C를 따라 취해진 단면도들이다.
도 3a 내지 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 평면도들이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 구성요소의 폭, 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2a, 2b 및 2c는 각각 도 1의 절취선 A-A, B-B 및 C-C를 따라 취해진 단면도들이다.
도 1, 도 2a 내지 2c를 참조하면, 상기 발광 다이오드는 기판(21), n형 반도체층(23), 활성층(25), p형 반도체층(27), 투명전극층(29), 절연층(31), 제1 전극패드(35), 제2 전극패드(33) 및 상부 연장부(33a)를 포함한다. 또한, 상기 발광 다이오드는 연결부들(33b), 제1 하부 연장부(35a) 및 제2 하부 연장부들(35b)을 포함할 수 있다. 상기 기판(11)은 특별히 한정되는 것은 아니며, 예컨대 사파이어 기판일 수 있다.
n형 반도체층(23)이 상기 기판(21) 상에 위치하고, 상기 n형 반도체층(23) 상에 p형 반도체층(27)이 위치하고, n형 반도체층과 p형 반도체층 사이에 활성층(25)이 개재된다. 상기 n형 반도체층(23), 활성층(25) 및 p형 반도체층(27)은 질화갈륨 계열의 화합물 반도체 물질 즉, (Al, In, Ga)N으로 형성될 수 있다. 상기 활성층(25)은 요구되는 파장의 광, 예컨대 자외선 또는 청색광을 방출하도록 조성 원소 및 조성비가 결정된다.
상기 n형 반도체층(23) 및/또는 p형 반도체층(27)은, 도시한 바와 같이, 단일층으로 형성될 수 있으나, 다층 구조로 형성될 수도 있다. 또한, 활성층(25)은 단일 양자웰 또는 다중 양자웰 구조를 가질 수 있다. 또한, 상기 기판(21)과 n형 반도체층(23) 사이에 버퍼층(도시하지 않음)이 개재될 수 있다. 상기 반도체층들(23, 25, 27)은 MOCVD 또는 MBE 기술을 사용하여 형성될 수 있다.
상기 p형 반도체층(27) 및 활성층(25)은 사진 및 식각 공정을 사용하여 상기 n형 반도체층(23)의 일부 영역이 노출되도록 패터닝될 수 있다. 이러한 공정은 일반적으로 메사 식각 공정으로 잘 알려져 있다. 상기 메사 식각 공정에 의해 도시된 바와 같이 제1 전극패드(35), 제1 하부 연장부(35a) 및 제2 하부 연장부들(35b)이 형성될 영역의 n형 반도체층(23)이 노출될 수 있다. 상기 메사 식각 공정에 의해 만입부(30b)가 형성되어 상기 p형 반도체층(27) 및 상기 활성층(25)이 실질적으로 두개의 영역들로 분할될 수 있다. 또한, 상기 메사 식각 공정에 의해 형성되는 측면들은 바람직하게 기판(21) 면에 대해 30~70도 범위 내의 경사각을 가질 수 있다.
한편, 상기 p형 반도체층(27) 상에 투명전극층(29)이 위치한다. 투명전극층(29)은, ITO 또는 Ni/Au로 형성될 수 있으며, p형 반도체층에 오믹콘택된다. 상기 투명전극층(29)은, 예컨대 도 3b에 잘 도시된 바와 같이, p형 반도체층(27) 상에 형성되며, 대칭 구조를 갖도록 형성된다. 이때, 상기 투명전극층(29)은 제2 전극패드(33)가 형성될 영역의 p형 반도체층(27)을 덮는다.
한편, 상기 절연층(31)이 상기 투명전극층(29)을 덮는다. 절연층(31)은 또한 메사 식각에 의해 노출된 p형 반도체층(27) 및 활성층(25)의 측면을 덮을 수 있다. 나아가, 상기 절연층(31)은 상기 투명전극층(29)을 노출시키는 개구부들(31a)을 갖는다. 상기 개구부들(31a)에 의해 상기 투명전극층(29)(또는 p형 반도체층(27))이 노출된다. 상기 절연층(31)은 활성층(25)에서 생성된 광이 투과할 수 있는 투명한 재료이면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대 SiO2로 형성될 수 있다.
한편, 상기 투명 전극층(29) 상에 제2 전극패드(33)가 위치한다. 상기 제2 전극패드(33)는 상기 만입부(30b) 근처의 상기 투명전극층(29) 상에 위치하며, 상기 절연층(31)에 의해 상기 투명전극층(29)으로부터 절연된다.
한편, 상기 투명전극층(29) 상에 상부 연장부들(33a)이 위치한다. 상기 상부 연장부들(33a)은 상기 절연층(31)의 개구부들(31a)을 통해 상기 투명전극층(29)에 접속될 수 있으며, 따라서 상기 p형 반도체층(27)에 전기적으로 접속된다. 상기 개구부들(31a)을 통해 상기 p형 반도체층(27)이 노출될 수도 있으며, 상기 상부 연장부들(33a)은 상기 p형 반도체층(27)에 직접 접속될 수도 있다. 상부 연장부들(33a)은 p형 반도체층(27)에 전류를 고르게 분산시킬 수 있도록 배치되며, 예컨대, 상기 상부 연장부들(33a)은 서로 평행하게 연장할 수 있다. 상기 상부 연장부들(33a)은 각각 연결부들(33b)을 통해 제2 전극패드(33)에 연결될 수 있다. 여기서, 상기 연결부들(33b)은 절연층(31)에 의해 투명전극층(27)으로부터 절연된다.
한편, 상기 메사 식각되어 노출된 n형 반도체층(23) 상에 제1 전극패드(35)가 위치할 수 있다. 상기 제1 전극패드(35)는 n형 반도체층(23)에 전기적으로 접속된다. 상기 제1 및 제2 전극패드들(33, 35)은 와이어를 본딩하기 위한 본딩 패드들로서 와이어를 본딩할 수 있도록 상대적으로 넓은 면적을 갖는다. 또한, 제1 하부 연장부(35a)가 상기 제1 전극패드(35)로부터 제2 전극패드(33)를 향해 연장할 수 있다. 상기 제1 하부 연장부(35a)는 n형 반도체층(23) 상에 위치하여 n형 반도체층(23)에 전기적으로 접속한다. 도시된 바와 같이, 상기 제1 하부 연장부(35a)는 상기 만입부(30b) 내에 위치하며, 상기 상부 연장부들(33a)과 평행할 수 있다. 나아가, 제2 하부 연장부들(35b)이 상기 제1 전극패드(35)로부터 연장할 수 있으며, 이들 제2 하부 연장부들(35b)은 상기 제1 전극패드(35)로부터 기판(21)의 가장자리를 따라 연장할 수 있다.
상기 전극패드들(33, 35), 상부 연장부들(33a), 연결부들(33b) 및 제1 및 제2 하부 연장부들(35a, 35b)은 동일한 금속 재료, 예컨대 Cr/Au로 동일 공정을 이용하여 함께 형성될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 예컨대, 상부 연장부들(33a)과 상기 제2 전극패드(33)를 별개의 공정으로 형성할 수도 있으며, 서로 다른 재료로 형성할 수도 있다.
본 실시예에 있어서, 상기 발광 다이오드는 제1 전극패드(35)와 제2 전극패드(33)를 가로지르는 선, 예컨대 도 1의 절취선 B-B에 대해 대칭구조를 가질 수 있다. 상기 투명전극층(29), 상기 상부 연장부들(33a)이 서로 대칭으로 배치될 수 있으며, 상기 제2 하부 연장부들(35b)이 서로 대칭으로 배치될 수 있다. 이에 따라, 상기 발광 다이오드는 상기 만입부(30b)의 양측에서 실질적으로 동일한 발광 특성을 나타낼 수 있다. 따라서, 발광 영역들이 실질적으로 두개의 영역들로 분할됨으로써 핀홀이나 실전위와 같은 결함에 전류가 집중되는 것을 완화하여 전류를 분산시킬 수 있다.
본 실시예에 있어서, 제1 전극패드(35)가 n형 반도체층(23) 상에 위치하는 것으로 설명하였지만, 상기 기판(21)이 도전성인 경우, 상기 제1 전극패드(35)는 기판(21)의 바닥면 또는 기판(21) 상에 위치할 수도 있다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 평면도들이다. 반도체층들(23, 25, 27), 투명전극층(29) 및 절연층(31)의 형성 방법은 일반적으로 잘 알려져 있으므로 구체적인 설명은 생략한다.
우선, 도 3a를 참조하면, 기판(21) 상에 n형 반도체층(23), 활성층(25) 및 p형 반도체층(27)을 포함하는 반도체층들이 형성된다. 이어서, 상기 반도체층들을 메사 식각하여 n형 반도체층(23)을 노출시킨다. 상기 반도체층들은 예컨대 30 내지 70도의 경사각으로 경사지게 형성될 수 있다. 이때, 도 1에 도시된 바와 같은 제1 전극패드(35)가 형성될 영역(30a), 제1 하부 연장부(35a)가 형성될 영역(30b) 및 제2 하부 연장부들(35b)이 형성될 영역(30c)의 n형 반도체층(23)이 노출된다. 상기 제1 하부 연장부(35a)가 형성될 영역(30b)이 상기 발광 다이오드의 내측으로 침입하는 만입부(30b)가 된다. 상기 만인부(30b)는 상기 제1 전극 패드가 형성될 영역(30a)으로부터 내측으로 침입하여 발광 영역을 실질적으로 두개의 영역들로 분할한다. 한편, 상기 제2 전극패드(도 1의 33)가 형성될 영역의 p형 반도체층 및 활성층은 식각되지 않고 남겨진다.
도 3b를 참조하면, 상기 p형 반도체층(27) 상에 투명전극층(29)이 형성된다. 상기 투명전극층(29)은 제2 전극패드(33)가 형성될 영역의 p형 반도체층(27)을 덮고, 상기 만입부(30c)를 지나는 선에 대해 대칭구조를 갖도록 형성될 수 있다. 투명전극층(29)은 ITO 또는 Ni/Au로 형성될 수 있으며, p형 반도체층(27)에 오믹콘택된다.
도 3c를 참조하면, 상기 투명전극층(29) 상에 절연층(31)이 형성된다. 상기 절연층(31)은 제2 전극패드(33)가 형성될 영역의 투명전극층(29)을 덮으며, 또한 메사식각에 의해 노출된 p형 반도체층(27) 및 활성층(23)의 측면들을 덮을 수 있다. 한편, 상긴 절연층(31)은 사진 및 식각 공정에 의해 패터닝되어 상기 투명전극층(29)을 노출시키는 개구부들(31a)이 형성된다. 상기 투명전극층(29)을 노출시키는 개구부들(31a)은 서로 평행하게 대칭으로 형성될 수 있다. 또한, 제1 전극패드(35), 제1 하부 연장부(35a) 및 제2 하부 연장부들(35b)이 형성될 영역의 n형 반도체층(23)이 또한 노출된다.
도 3d를 참조하면, 상기 노출된 n형 반도체층(23) 상에 제1 전극패드(35), 제1 하부 연장부(35a) 및 제2 하부 연장부들(35b)이 형성된다. 또한, 상기 절연층(31) 상에 제2 전극패드(33) 및 연결부들(33b)이 형성되고, 상기 개구부(31a)에 상부 연장부들(33a)이 형성된다.
상기 상부 연장부들(33a)은 상기 투명전극층(29)에 접속되며, 상기 제1 하부 연장부(35a)와 평행하게 형성될 수 있다. 이에 따라, 도 1에 도시된 바와 같은 발광 다이오드가 완성된다.
본 실시예에 있어서, 발광 영역이 만입부(30b)에 의해 실질적으로 두개의 영역들로 분리된 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니며, 더 많은 수의 영역들로 분리될 수도 있다. 또한, 메사 식각 공정 후에 투명전극층(29)이 형성되는 것으로 설명하였으나, 투명전극층(29)을 형성한 후에 메사 식각 공정이 수행될 수도 있다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 1의 실시예에서, 제1 전극패드(35) 및 제2 전극패드(33)가 발광 다이오드의 장축 방향을 따라 배치되고, 만입부(30b)가 발광 다이오드의 장축 방향을 따라 형성되는 도시되어 있으나, 본 실시예에 있어서는 전극패드들(53, 55)이 발광 다이오드의 단축 방향을 따라 배치되고, 만입부(60b)가 발광 다이오드의 단축 방향을 따라 형성되어 있다. 투명전극층(29), 상부 연장부들(53a) 및 하부 연장부들(55a)은 대칭 구조로 배치되어 있다.
여기서, 상기 상부 연장부들(53a)은 발광 다이오드의 바깥측으로 연장되어 발광 다이오드를 감싸는 형태로 배치되고, 또한, 발광 다이오드의 바깥쪽에서 내측으로 침입하는 연장부(53b)를 갖는다. 한편, 하부 연장부들(55a)은 발광 다이오드의 안쪽에서 바깥쪽으로 향해 연장하고 있다. 또한, 하부 연장부들(55a)은 각각 발광 영역들 내에서 상기 연장부(53b)를 감싸도록 두 갈래로 갈라질 수 있다.
한편, 상기 상부 연장부들(53a)은 절연층(31)의 개구부들(31a)을 통해 상기 투명전극층(29)에 접속하며, 연결부들(53b)에 의해 제2 전극패드(53)에 접속된다. 상기 연결부들(53b)은 절연층(31)에 의해 투명전극층(29)으로부터 절연된다.
본 실시예에 있어서, 제1 전극패드(55)에서 제2 전극패드(53)로 연장하는 제1 하부 연장부(도 1의 35a)는 생략된다.
도 5는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 발광 다이오드를 설명하기 위한 평면도이다.
도 5를 참조하면, 본 실시예에 따른 발광 다이오드는 도 4를 참조하여 설명한 발광 다이오드와 대체로 유사하나 하부 연장부들(65a) 및 상부 연장부들(63a)의 배치에 차이가 있다.
즉, 하부 연장부들(65a)이 발광 다이오드의 바깥쪽으로 연장된 후 내측으로 침입하고, 상부 연장부들(63a)은 각 투명전극층(29) 상에 두개의 연장부들을 포함하고, 이들 두개의 연장부들이 상기 내측으로 침입한 하부 연장부(65a)를 감싸도록 배치된다.
상기 상부 연장부들(63a)은 절연층(31)의 개구부들(31a)을 통해 투명전극층(29)에 접속하고, 연결부들(63b)에 의해 제2 전극패드(53)에 접속된다. 상기 연결부들(63b)은 절연층(31)에 의해 투명전극층(29)으로부터 절연된다.
앞에서 본 발명의 몇몇 실시예들에 대해 설명하지만, 전극패드들 및 연장부들의 배치에 대해서 다양한 실시예들 및 변형이 가능하다.
21: 기판, 23: n형 반도체층, 25: 활성층,
27: p형 반도체층, 29: 투명전극층,
30a: 제1 전극패드 형성 영역, 30b: 만입부,
30c: 제2 하부 연장부 형성 영역, 31: 절연층, 31a: 개구부,
33, 53: 제2 전극패드, 33a: 상부 연장부, 33b, 53b, 63b: 연결부,
35, 55: 제1 전극패드, 35a: 제1 하부 연장부,
35b: 제2 하부 연장부, 53b: 연장부, 55a, 65a: 하부 연장부,

Claims (14)

  1. 기판;
    상기 기판 상에 위치하는 n형 반도체층;
    상기 n형 반도체층 상에 위치하는 p형 반도체층;
    상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이에 개재된 활성층;
    상기 p형 반도체층에 오믹콘택하는 투명전극층;
    상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 전극패드;
    상기 투명전극층 상에 위치하는 제2 전극패드;
    상기 투명전극층과 상기 제2 전극패드 사이에 개재되어 상기 제2 전극패드를 상기 투명전극층으로부터 전기적으로 절연시키는 절연층; 및
    상기 제2 전극패드에 연결되어 상기 p형 반도체층에 전기적으로 접속된 적어도 하나의 상부 연장부를 포함하고,
    상기 절연층은 상기 투명전극층을 덮되, 상기 투명전극층을 노출시키는 적어도 하나의 개구부를 갖고,
    상기 적어도 하나의 상부 연장부는 상기 절연층의 개구부를 통해 상기 투명전극층에 접속된 발광 다이오드.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 상부 연장부와 상기 제2 전극패드를 연결하는 연결부를 더 포함하되,
    상기 연결부는 상기 절연층에 의해 상기 투명전극층으로부터 절연된 발광 다이오드.
  3. 삭제
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 전극패드는 상기 제2 전극패드에 대향하여 상기 n형 반도체층 상에 위치하는 발광 다이오드.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 전극패드에서 상기 제2 전극패드를 향해 연장하고, 상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속된 제1 하부 연장부를 더 포함하는 발광 다이오드.
  6. 청구항 5에 있어서,
    상기 제1 하부 연장부의 단부는 상기 제1 전극패드보다 상기 제2 전극패드에 더 가까운 발광 다이오드.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 전극패드에서 연장하는 제2 하부 연장부를 더 포함하되, 상기 제2 하부 연장부는 상기 기판의 가장자리를 따라 연장하는 발광 다이오드.
  8. 청구항 4에 있어서,
    상기 제1 전극패드에서 상기 제2 전극패드로 침입하는 만입부를 갖되,
    상기 만입부에 의해 상기 n형 반도체층이 노출되고,
    상기 투명전극층은 상기 제1 전극패드와 상기 제2 전극패드를 가로지르는 선에 대해 대칭구조를 갖는 발광 다이오드.
  9. 청구항 8에 있어서,
    상기 만입부의 단부는 상기 발광 다이오드의 중심보다 상기 제2 전극패드에 더 가까운 발광 다이오드.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 제1 전극패드에서 연장된 제1 하부 연장부를 더 포함하되,
    상기 제1 하부 연장부는 상기 만입부 내에서 상기 n형 반도체층에 전기적으로 접속하는 발광 다이오드.
  11. 청구항 10에 있어서,
    적어도 두개의 상부 연장부들을 포함하고,
    상기 적어도 두개의 상부 연장부들은 상기 제1 전극패드와 제2 전극패드를 가로지르는 선에 대해 대칭구조를 갖는 발광 다이오드.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 상부 연장부들과 상기 제2 전극패드를 연결하는 연결부들을 더 포함하되,
    상기 연결부들은 상기 절연층에 의해 상기 투명전극층으로부터 절연된 발광 다이오드.
  13. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 하부 연장부와 상기 상부 연장부들은 서로 평행한 발광 다이오드.
  14. 청구항 13에 있어서,
    상기 절연층은 상기 투명전극층을 덮되, 상기 투명전극층을 노출시키는 개구부들을 갖고,
    상기 상부 연장부들은 상기 절연층의 개구부들을 통해 상기 투명전극층에 접속된 발광 다이오드.
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