JP3921989B2 - 半導体発光素子 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
本発明は正負一対の電極が形成されている半導体発光素子に関し、特にAlxInyGa1−x−yN(0≦x、0≦y、x+y<1)からなる半導体発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
今日我々が生活するなかで信号機、駅や空港の行き先案内板、ビルの外壁に設置される大型ディスプレイさらには、携帯電話のバックライト光源など、発光素子を見かけないことはないと言っても過言ではない。このように半導体が積層されてなる発光素子や発光素子を応用した受光素子は欠かせないものになってきており、これらに求められる特性向上のニーズはとどまるところを知らない。
【0003】
なかでも青色発光素子は他の3原色となる赤、緑から遅れて開発されたもので、特性の向上やそれぞれの目的に適応した青色発光素子を求める声は最も強い。
【0004】
この青色発光素子としては、ガリウムを含む窒化物半導体素子が最も多く使われている。このGaN系半導体素子の構造としては、基本的に、サファイヤ基板上にGaNよりなるバッファ層と、SiドープGaNよりなるn型コンタクト層と、単一量子井戸構造、もしくは多重量子井戸構造のInGaN層を包含する活性層と、MgドープAlGaNよりなるp型クラッド層と、MgドープGaNよりなるp型コンタクト層とが順に積層され、さらにp型コンタクト層の一部がエッチングされて露出したn型コンタクト層の表面にはチタン/アルミニウムからなるn側オーミック電極が、p型コンタクト層の表面のほぼ全面にニッケル/金からなる透光性のp側オーミック電極が形成され、各オーミック電極の上にはボンディングパッド用のパッド電極が形成されている。このような半導体発光素子は、20mAにおいて、発光波長450nmで5mW、外部量子効率9.1%と非常に優れた特性を示す。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、発光出力や光の取り出し効率、及び寿命などの特性はまだ十分満足のいくレベルには達しておらず、さらなる特性の向上が必要とされている。そこで、本発明の目的は上記のような素子の特性に優れた半導体発光素子を提供するものである。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上述した問題を解決するために、本発明に係る半導体発光素子は、n型半導体層とp型半導体層との間に発光層を有し、p型半導体層の表面にp側電極が設けられ、p型半導体層側からのエッチングによって一部が露出されたn型半導体層の表面にn側電極が設けられている半導体発光素子であって、p側電極は、p型半導体層とオーミック接続されたp側オーミック電極と、p側オーミック電極の一部の上に接するよう設けられたワイヤボンディング用のp側パッド電極とからなり、p側パッド電極の中央部がp型半導体層上に接して設けられた絶縁層上に接して設けられており、オーミック電極は、p型半導体層の表面まで貫通する開口部を有し、前記パッド電極の外周部の少なくとも一部は、開口部の一部を含むオーミック電極の上に接して設けられ、その開口部を介して前記p型半導体層の表面に接していることを特徴とする。
さらに、本発明の別の形態に係る半導体発光素子は、以下の通りである。
本発明の半導体発光素子は、n型半導体層とp型半導体層との間に発光層を有し、p型半導体層の表面にp側電極が設けられ、p型半導体層側からのエッチングによって一部が露出されたn型半導体層の表面にn側電極が設けられている半導体発光素子であって、p側電極は、p型半導体層とオーミック接続されたp側オーミック電極と、p側オーミック電極の一部の上に接するよう設けられたワイヤボンディング用のp側パッド電極とからなり、p側パッド電極の中央部が前記p型半導体層上に接して設けられた絶縁層上に接して設けられるとともに、p側パッド電極の外周部の少なくとも一部がp側オーミック電極上に接して設けられていることを特徴とする。これにより、p側パッド電極にワイヤをボンディングさせるときなどにかかる負荷によって損傷されるのを防ぐことができるので、出力低下を抑制し、安定な半導体発光素子とすることができる。
【0007】
また、本発明の請求項2に記載の半導体発光素子は、半導体発光素子は平面形状が略四角形状であり、その1つの角部である第一角部にp側パッド電極が設けられ、第一角部と対向する第二角部にn側電極が設けられてなり、p側パッド電極は、前記p側オーミック電極の最外周部より内側に形成されている。これにより、p側オーミック電極に電流を流れやすくすることができ、発光層の電流密度を上げて層全体を効率よく利用して発光させることができる。
【0008】
本発明の請求項3に記載の半導体発光素子は、半導体発光素子が平面形状が略四角形状であり、その1つの角部である第一角部にp側パッド電極が設けられ、第一角部と対向する第二角部にn側電極が設けられてなり、p側パッド電極の外周部の一部は、p側オーミック電極の最外周部より外側に形成され、p側オーミック電極の最外周部より外側で絶縁層上と接している。これによりp側パッド電極にかかる外力によってp側オーミック電極の端部が破損するのを防いで、寿命特性を向上させることができる。
【0009】
本発明の請求項4に記載の半導体発光素子は、p側オーミック電極は、p型半導体層の表面まで貫通し、かつ周囲を電極によって囲まれた複数の開口部を有し、p側パッド電極の外周部の少なくとも一部は、複数の開口部の一部を含むp側オーミック電極の上に設けられ、その開口部を介してp型半導体層の表面に接している。これにより、p側パッド電極がp型半導体層の表面とを剥がれにくくすることができ、安定した半導体発光素子とすることができる。
【0010】
本発明の請求項5に記載の半導体発光素子は、p側オーミック電極の最外周部で囲まれp側パッド電極が形成されていない部分の面積をSとし、複数の開口部のうちの、p型パッド電極が形成されていない開口部の内周長の総和をLとすると、L/S≧0.024μm/μm2である。これにより、p型半導体層表面側から効率よく光を外部に放出させ、さらにVrの低い半導体発光素子とすることができる。
【0011】
本発明の請求項6に記載の半導体発光素子は、p側オーミック電極の複数の開口部は、各開口部がほぼ同じ形状である。これにより、開口部の形成が容易であるとともに、面内分布の均一な発光を有する半導体発光素子とすることができる。
【0012】
本発明の請求項7に記載の半導体発光素子は、p側オーミック電極の複数の開口部は、各開口部がほぼ同じ面積である。これにより、開口部が形成される位置による好ましい形状を選択でき、面内分布が均一な発光を有する半導体発光素子とすることができる。
【0013】
本発明の請求項8に記載の半導体発光素子は、絶縁層は、発光層からの光に対する反射率が、p側パッド電極よりも大きいものが好ましい。これにより、発光層からの光を無駄なく外部に伝搬させることができ、光の取り出し効率を上げることができる。
【0014】
本発明の請求項9に記載の半導体発光素子は、半導体層は少なくともガリウムを含む窒化物半導体である。これにより、紫外領域から可視光領域までの広い範囲の波長を有する半導体発光素子を実現させることができる。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明について説明するが、本発明の半導体発光素子は実施の形態に示された素子構造に限定されるものではない。
【0016】
本発明の実施の形態の半導体発光素子を図1に示す。図1は、半導体発光素子として、ガリウムを含む窒化物半導体(以下、窒化ガリウム系化合物半導体とする)を用いている。具体的には、サファイヤ基板上にn型半導体層、活性層、p型半導体層が順に積層されてなる窒化ガリウム系化合物半導体層の、p型半導体層及び活性層の一部をp型半導体層側から基板に向けてエッチングしてn型半導体層を露出させてある。そして、p型半導体層表面にはp側電極、エッチングにより露出されたn型半導体層表面にはn側電極がそれぞれを設けられている。各電極はp型及びn型半導体とそれぞれオーミック接触可能なp側及びn側オーミック電極と、このオーミック電極と導通し、かつ、ワイヤをボンディングさせるp側及びn側パッド電極が設けられている。
【0017】
ここで、本実施の形態における半導体発光素子は、p側パッド電極の中央部がp型半導体層表面に設けられた絶縁層上に設けられるとともに、外周部の少なくとも一部がp型半導体表面及びp側オーミック電極上に設けられていることを特徴とする。ここで、本明細書において、中央部とはp側パッド電極の端部から離れた内側で、ワイヤボンディング用のバンプが形成される部分を指し、外周部とはp側パッド電極の端部及びその近傍の内側部分の周縁部を指している。
【0018】
(p側パッド電極)
p側パッド電極は、ワイヤのボンディング時に熱的及び物理的に負荷が加えられる。このとき、p側パッド電極が図比較例 のようにp側オーミック電極上に形成されていると、p側パッド電極にかかる負荷がそのまま伝わってしまい、p側オーミック電極が損傷したり、剥がれたりすることがある。特にp側オーミック電極が透光性電極の場合、膜厚が非常に薄いので剥がれやすく損傷しやすい。そして、損傷したり剥がれたりすることで電気抵抗が上がって、発光出力の低下や発光効率(電流変換効率)の低下という問題が生じ、さらに寿命特性が悪化してしまうことがある。また、p側パッド電極は、p型半導体層の表面のほぼ全面を覆うように広く形成されるp側オーミック電極の一部の上に形成されるので、p側パッド電極近傍が特に上記の問題が生じやすく、発光の面内分布を劣化させることにもなる。
【0019】
これに対し、本実施の形態においては、負荷がかかるp側パッド電極の中央部を、p型半導体層上に形成された絶縁層上に接するよう設けることで、p側オーミック電極に負荷がかかりにくくしている。さらにp側パッド電極をこのように主として絶縁膜上に設ることで、p側オーミック電極の上方にバンプが形成されないようにして負荷がかかるのを防ぐのと同時に、p型半導体層の上にかかる負荷にを軽減させる緩衝層としても機能している。p型半導体層に負荷がかかった場合は、n型半導体層に比べて層厚の薄いp型半導体層とさらにその下にある活性層を含む発光層まで損傷してしまうおそれがあるが、絶縁層を設けてそれを緩衝層とすることで、そのような半導体層の破壊をも防ぐことができる。そして、導通のためには、負荷のかかりにくいp側パッド電極の外周部をp側オーミック電極上に接するように設けている。
【0020】
本実施の形態では、半導体発光素子は、平面形状が四角形状である。特に一辺の長さを等しくした方形が好ましいが、長方形等でも用いることができる。そして、p側パッド電極とn側電極は、それら素子形状に応じて好ましい位置を選択することができるが、効率よく活性層を発光させるためには、できるだけ離れた位置に形成させるのが好ましい。図1のような略正方形の場合は、1つの角部である第一角部にp側パッド電極が、そして第一角部と対向する第二角部にn側電極を設けるのが好ましい。このようにp側パッド電極とn電極との間の距離が大きくなるように半導体発光素子の対向する角部にそれぞれp側パッド電極及びn側電極を形成することで、素子内の活性層を含む発光層の広い範囲に電流を流すことができる。
【0021】
特に、本実施の形態においては、p側パッド電極を図1のようにp側オーミック電極の最外周部よりも内側に形成させることで、p側オーミック電極の最外周部が第一角部に形成されることになり、第一角部近傍も有効に発光させることができる。
【0022】
図1では、p側オーミック電極と絶縁層とが接するように形成されているので、p側パッド電極の外周部の全てがp側オーミック電極上に接している。このように両者が接することで、p側パッド電極はp型半導体層と直接接していないことで、通電時にp側パッド電極から発生する熱がp型半導体層に伝搬するのを抑えることができる。しかし、図1のようにp側オーミック電極と絶縁層とが接してなく、それらの間にp型半導体層が露出されていてもよい。このような構成とすることで、p側パッド電極の接触面積が大きくなり、強固に接着させることができる。
【0023】
また、本実施の形態において、p側パッド電極は、図2のように、その一部がp側オーミック電極の最外周部よりも外側になるように形成されていてもよい。そして、そのp側オーミック電極の最外周部の外側に位置する外周部でも、絶縁層上に接するように設けることができる。このような構成とすることで、p側オーミック電極の最外周部の一部が、p側パッド電極の下の絶縁層よりもさらに内側(素子表面の中心に近い側)になるよう形成されて、p側オーミック電極の最外周部を含む外周部がp側パッド電極の外周部と重なって接しているようになる。これにより、p側オーミック電極の最外周部がp側パッド電極とp型半導体層とに挟まれたようになるので、その部分が剥がれにくくなる。p側オーミック電極に外力が加わると、特に端部(外周)が剥がれやすいが、その外周の一部が露出しないようにすることで、剥がれにくくすることができる。しかも、特に負荷のかかりやすいp側パッド電極近傍においてp側オーミック電極の露出部分を減らせることで効果的である。また、図1に比べて広い面積で絶縁層が形成されているので、p側パッド電極形成時に位置がずれてショートを起こすのを防ぐことができ、あるいは、バンプの位置ズレが生じた場合でもp側オーミック電極の上方に負荷がかかりにくくすることができる。また、面積の大きな絶縁層とすることで、p型半導体層との接着性もよく、安定して形成させることができる。更にまた、この絶縁層は、p型半導体層表面だけでなく、端面にまで連続して形成されても問題はない。半導体発光素子の端面(断面)は、露出されるよりもむしろ保護膜を形成しておくのが好ましいので、本発明のように、p側パッド電極の下に形成される絶縁層がそのまま半導体層の端面まで連続して設けられていてもよい。
【0024】
また、上記の絶縁層は、図2において、p側パッド電極の中央部にのみ形成され、p側パッド電極は、中央部は絶縁層上に形成されるとともに、外周部はp側オーミック電極上に形成される部分と、p型半導体層の表面とに形成されていてもよい。このような構成であっても、p側オーミック電極の最外周部の一部がp側パッド電極とp型半導体層とに挟まれたようになっているので、その部分が剥がれにくくなるという効果が得られることに変わりはない。このような形状の場合は、p側パッド電極の外周部の、半導体素子の角部に近いところでp型半導体層の表面と接していることになり、その部分から電流を流すことも可能となるので、発光層を広く利用することができる。
【0025】
また、この図2において、p側オーミック電極と絶縁層とは、互いの端部で接するようになっているが、このようにすることでp側オーミック電極とp側パッド電極との接触面積を大きくして電流密度を高くすることが可能となる。しかし、両者が重なっていても問題はない。また、p側パッド電極の下部において互いの端部が離れているように形成され、その間でp型半導体が露出されていてもよい。そうするとその露出されたp型半導体層の表面と接触されることになり、p側パッド電極の下面側が凹凸状になって接着面積が大きくなり、剥がれにくくすることができる。
【0026】
上記に述べたように、本実施の形態において、p側パッド電極は、その中央部でワイヤボンディング時に負荷がかかる部分には絶縁層上に形成され、また、外周部はp側オーミック電極上、またはp側オーミック電極とp型半導体層との上に形成されることで、電極のそれぞれの特性を損なうことなく、安定した出力が得られる半導体発光素子とすることができる。
【0027】
n側電極については、p側電極と同様に、オーミック電極とパッド電極とを形成させるが、p側電極と違って、電極の下方に活性層を含む発光層が存在しないので、多少の負荷がかかっても素子の特性に悪影響を及ぼしにくいため、絶縁層は形成されていなくてもよい。むしろ、絶縁層を形成することで電極の高さが高くなり、活性層端面から放出される光を遮るなどの問題がおこることもあるので、形成しないほうが好ましい。
【0028】
p側パッド電極の好ましい材料としては、Ni、Co、Fe、Ti、Cu、Rh、Au、Ru、W、Zr、Mo、Ta、Pt及びこれらの酸化物、窒化物からなる群から選択される少なくとも一種を含む合金または多層膜があげられる。特に、Niの上にAuが積層された多層膜が、p側オーミック電極との密着性に優れ、しかもバンプとの接着力にも優れているため好ましい。
【0029】
p側パッド電極の総膜厚としては1000Å〜20000Åが好ましく、更に3000〜15000Åが好ましい。1000Åより薄いと、バンプを形成しにくく、また、形成できたとしても不安定で信頼性に欠けるものとなるため好ましくない。また、20000Åよりも厚く形成すると、突出することで取り扱い時に引っかかるなどしてかえって剥がれやすくなるので好ましくない。
【0030】
(p側オーミック電極)
本実施の形態において、p側オーミック電極は、図1及び図2のように、p側パッド電極よりも広い面積で形成される。p側オーミック電極をp型半導体層の表面のほぼ全面を覆うような広い面積で形成させることで、p側パッド電極からの電流をまずp型半導体層方向に向けて流れやすくし、そしてp型半導体層の広い範囲からn型半導体層に向けて流すことができるので、活性層を広く利用でき、発光効率を向上させることができる。p側パッド電極に投入された電流は電極の直下に向けて膜厚方向に流れやすいので、p側電極の面積が小さいと、活性層を有効に利用することができなくなるので、p側オーミック電極は広い範囲に設けるのが好ましい。
【0031】
p側オーミック電極の形状は、図1では、p側オーミック電極は、最外周部がp型半導体層の端部からほぼ一定の距離だけ離れるようにして形成されている。p型半導体層の端部から離れることで、素子の端部の結晶性の悪い部分に電流が流れるのを防ぐことができる。また、図2では、最外周部は、p側パッド電極が形成される第一角部に隣接する二辺については図1のようにp型半導体層の端部からほぼ一定の距離だけ離れるように形成され、第一角部近傍では、p側パッド電極と重ならないようにするため、p型半導体層の端部には沿わないような形状に形成されている。これにより、p側オーミック電極の最外周部の一部はp側パッド電極の下になるように重ねて形成されるので、その部分は負荷がかかっても剥がれにくくなる。
【0032】
また、本実施の形態の半導体発光素子は、p側オーミック電極に、p型半導体層の表面まで貫通する開口部を設けるのが好ましい。p側オーミック電極は、p側パッド電極の外周部においてp側パッド電極と接合されるが、この接合部は、図1及び図2のような単一平面のp側オーミック電極とすることで、容易に形成でき、しかも、電流を流れやすくすることができる。しかし、このような単一平面に限らず、図3または図4のように、p側パッド電極と接合される部分のp側オーミック電極に、p型半導体層の表面まで貫通する開口部を有することもできる。このようにすることで、p側パッド電極は、開口部を介してp型半導体層の表面と接することができる。この開口部は複数設けることが好ましく、それによりp側パッド電極とp側オーミック電極やp型半導体層の表面との接触面積が大きくなり、しかも立体的に接合されることになるので、単一平面同士で接続される図1や図2のような接続部に比べてより強固な接続が可能となる。しかも、p側パッド電極はp型半導体層とも接することができるので、p側オーミック電極が剥がれてそれとともにp側パッド電極が剥がれてしまうのを防ぐことができ、また、材料によっては、p側オーミック電極よりもp型半導体層と接着しやすい場合もあるので、さらに強固に接着されて安定した半導体発光素子とすることができる。
【0033】
さらに、このような開口部は、p側パッド電極との接合部だけでなく、ほぼ全面に渡って形成されているのが好ましい。例えば図5のように、複数の開口部を略均一に分散するように設けることができる。このようにp側オーミック電極に開口部を設けることで、その開口部から光を放出させることができる。図1〜図4のように、p型半導体層の表面の広い範囲のほぼ全面を覆ってp型半導体層側から光を放出させる場合は、p側オーミック電極を透光性にする必要がある。透光性にすることでp型半導体層のほぼ全面からの発光が可能であるが、透光性にするためには膜厚を薄くする必要があるため、耐久性に欠け、また、電気抵抗が高くなる。しかしながら、開口部を設けることで、膜厚を厚くして不透光性となっても用いることができる。そして、膜厚を厚くして抵抗を下げることで電流が流れやすくなり、Vfを低くすることができ、発光出力を向上させることができる。膜厚が薄い透光性のp側オーミック電極にも、開口部を設けることができる。透光性ではあっても、光は多少吸収されており、なにも形成されていない場合に比べると光の取り出し効率は低下するので、開口部を設けることで、発光出力を上げることができる。このように、本発明の開口部は、電極の膜厚によらず設けることができるが、その効果がより得られやすいのが、膜厚の厚いp側オーミック電極である。
【0034】
このように、開口部を設けることで、p側オーミック電極の膜厚を厚くして発光出力を向上させることができる。そして、本発明においては、このような膜厚の厚いp側オーミック電極を用いる場合であっても、p側パッド電極は必要である。本来、p側パッド電極は、膜厚が薄い透光性電極を用いる場合に、その上に直接ワイヤボンディングがしにくく、また、たとえ形成できたとしても耐久性が劣るなどの問題があり、主としてそれらを解決する目的で用いられるものである。本実施の形態のように、膜厚の厚いp側オーミック電極を形成させる場合は、膜厚だけをみるとp側パッド電極がなくても直接ワイヤボンディングが可能である。しかし、p側オーミック電極は、p型半導体層とオーミック接触させるためには熱を加えてアニールする必要があり、このアニールによってワイヤとの接着性が劣化してしまう。このような問題があるため、p型半導体層とオーミック接触するためのp側オーミック電極と、ワイヤと接触させるためのp側パッド電極とは、アニール工程の前と後とに分けて形成させる必要がある。このことにより、たとえ膜厚が厚くてもp側パッド電極を形成させるのが好ましい。
【0035】
このように、p側オーミック電極に開口部を設けることで、半導体発光素子の発光効率を向上させることができるので、例えば図5のように、p側パッド電極とp側オーミック電極の接合部には開口部を設けずに、それ以外のp側オーミック電極にのみ開口部を設けることもできる。
【0036】
また、膜厚を厚くして開口部を設ける場合、その開口部の形状や大きさ等を規定することによって、光の取り出し効率を高くし、発光効率を向上させることができる。特に、開口部とp側オーミック電極との境界、すなわち開口部の内周長を規定することで、より効果的に光を放出することが可能となる。本発明では、p側オーミック電極の最外周部で囲まれた面積をSとし、複数の開口部の内周長の総和をLとし、この両者の関係がL/S≧0.024μm/μm2を満たすようにすることで、効果的に発光出力を上げることができる。なお、S、Lとも、p側パッド電極と接合されて露出していない部分を除いたものとする。
【0037】
L/Sが小さくなる、つまり、p側オーミック電極の最外周部で囲まれた面積Sに対して、開口部の内周長の総和Lが小さくなると、p型半導体層側への出力が低下する。
【0038】
ここで、p側オーミック電極の最外周部に囲まれた面積Sが同じで、開口部の面積を変えて比較したグラフを図8(a)、(b)、(c)に示す。ここでは、開口部の数は同じで、各開口部の面積を大きくして開口率を上げて比較するものである。なお、開口部からの光の取り出し効率についての比較をするために、電極は膜厚を厚くして不透光性としてあるので、電極を透過する光は除外してある。図8(a)は、開口率を変化させたときの量子効率である。この図より、開口率を上げることで量子効率は高くなるものの、開口率が50%を越えたあたりからは、開口率に比例して効率が上がらない。これは、ある程度の開口率があると、光の取り出し効率はあまり変わらなくなるためである。図8(b)はVfを示すものである。この図より、開口率が上がることでVfも高くなることがわかる。開口率が高くなるということは、p側オーミック電極とp型半導体層との接触面積が少なくなるということなので、その接触面積に応じて電気抵抗が高くなるためである。このVfは開口率にほぼ比例して上昇している。そして、この量子効率とVfとから導かれる電力変換効率を図8(c)に示している。この図より、開口率を上げていくと、50%付近をピークに、下がっていくのがわかる。
【0039】
図9は、開口率が同じ、すなわち、開口部の総面積は同じで、内周長を変化させたときの電力変換効率を示すものである。開口部の面積が同じであることで、p型半導体層とp側オーミック電極との接触面積も同じであるので、Vf及び量子効率は同じであるのと考えられる。しかし、内周長を変化させることで、電力変換効率は図9のように変化するのである。この図より、開口率は同じでも、開口部の内周長を変化させることで、さらに高出力とすることができることがわかる。、そして、本発明では、L/S≧0.024μm/μm2を満たすような範囲とすることで、高出力の半導体発光素子とすることができる。L/Sが0.024μm/μm2より小さくなると、開口部を設けた効果が少なくなるので好ましくない。また、上限は特に定めていないが、実質的には1μm/μm2より大きくなると、開口部一つの大きさが非常に小さくなりすぎて実用的ではなくなる。
【0040】
上述のように、p型半導体層側からの出力効率が、開口部の面積よりも開口部の内周長によって大きく左右されるのは、電極とp型半導体層との境界において特に強く発光が観測されるためであり、その境界を多くする、すなわち内周長を長くすることで効率よく光を放出させることができる。境界をさらに多くするためには、開口部だけでなく、さらに、p側オーミック電極の最外周部を、直線ではなく屈折させた連続線によって半導体層の端部に沿うように設けることで、p側オーミック電極とp型半導体との境界を多くすることができるので、さらに出力を向上させることができる。
【0041】
上記のような複数の開口部は、ほぼ同じ形状となるように形成することで、複数の開口部を効率よく形成しやすくなる。さらに、面内分布も均一になりやすく、ムラのない発光を得ることができる。形状としては、方形、円形、3角形など、種々の形状を用いることができる。好ましくは方形であり、隣接する開口部と一定の距離間隔をあけて均一に分散させるように複数形成させることで、均一な発光が得られ易くなる。また、複数の開口部の面積をほぼ同じなるように形成することで、開口部が形成される位置によって、好ましい形状を選択することができる。
【0042】
p側オーミック電極の好ましい材料としては、Ni、Co、Fe、Ti、Cu、Rh、Au、Ru、W、Zr、Mo、Ta、Pt、Ag及びこれらの酸化物、窒化物からなる群から選択される少なくとも一種を含む合金または多層膜があげられる。これらは、400℃以上の温度でアニールすることにより、p型半導体層と良好なオーミック特性を得ることができる。特に、Niの上にAu、さらにその上にRhOが積層された多層膜が好ましい。p側オーミック電極の総膜厚としては50Å〜10000Åが好ましい。特に、透光性の電極として用いる場合は50Å〜400Åが好ましい。また、不透光性の電極として用いる場合は、1000Å〜5000Åが好ましい。
【0043】
(絶縁層)
本実施の形態において、p側パッド電極は、少なくとも中央部がp型半導体層の表面に形成された絶縁層上に形成されている。このような構成とすることで、ワイヤボンディング時にかかる負荷によってp型半導体層及びp側オーミック電極が破損するのを防ぐことができるので、信頼性の高い半導体発光素子とすることができる。
【0044】
また、絶縁層の材料として、活性層を含む発光層からの光を反射しやすいもの(屈折率が低く、透明であるもの)を用いるのが好ましく、特に、p側電極の反射率よりも高いものを用いるのが好ましい。p側パッド電極は、ワイヤボンディングのためのバンプが形成されるため、ある程度の厚みが必要であり、そのために光は透過しにくくなっている。そのため、p側パッド電極の下方にある活性層で発生した光は、p型半導体層の表面まで伝搬しても、そこから外部に放出されることはなく、反射されて素子内部を伝搬し、放出可能な部分から放出される。しかし、このとき、p型半導体層上にp側パッド電極が形成されていると、光が吸収されやすく発光効率が低下する。しかし、反射率が高い絶縁層、すなわち屈折率が低く透明な絶縁層を形成することで、p側パッド電極とp型半導体層の接触面積を少なくして光の吸収を抑制することができ、素子内部へ効率よく光を反射させて出力を向上させることができる。
【0045】
絶縁層の材料としては、SiO2、Al2O3,TiO2、ZrO2などが好ましく、膜厚は0.05μm〜2μmの範囲が好ましく、より好ましくは0.1μm〜1.5μmである。2μmよりも厚くなると、p側パッド電極とp型半導体層やp側オーミック電極との段差が大きくなって、かえって剥がれやすくなることがあるため好ましくない。また、0.05μmよりも薄くなると、p型半導体層にかかる負荷を吸収しきれなくなるので好ましくない。
【0046】
また、このようにp側パッド電極とp型半導体層との間に形成される絶縁層は、半導体発光素子の端面にまで連続して形成されていてもよい。特に活性層の断面(端面)まで連続するように設けることで、活性層を保護する保護膜として機能することができる。
【0047】
また、この絶縁膜は、p側オーミック電極の上にまで連続して形成されていてもよい。特に、絶縁層としてSiO2のような透光性のものを用いる場合、p側パッド電極とp型半導体層との間では、絶縁層は反射率の低いp側パッド電極に接しているために反射膜として機能するので、電極材料に光が到達するのを防ぐことができ、光の吸収を抑制することができるが、p側オーミック電極の上に設けられた場合、絶縁膜の表面は屈折率の低い空気と接していることになるので、反射膜としては機能せず、光の透過が可能な膜となる。これにより、p側オーミック電極が空気中の水分などによって劣化するのを防ぐ保護膜として、あるいは機械的な外力に対する緩衝層として機能させることができる。
【0048】
(半導体)
本発明の半導体発光素子は特にガリウムを含む窒化物半導体において顕著な効果を示す。ガリウムを含む窒化物半導体(窒化ガリウム系化合物半導体)とは、AlxInyGa1−x−yN(0≦x、0≦y、x+y<1)からなる半導体を意味し、ガリウムを含む窒化物半導体が半導体素子の一部を構成していればこれに含まれる。
【0049】
半導体の構造としては、MIS接合、PIN接合やpn接合などを有するホモ構造、ヘテロ構造あるいはダブルへテロ構成のものが好適に挙げられる。半導体層の材料やその混晶比によって発光波長を種々選択することができる。また、半導体活性層を量子効果が生ずる薄膜に形成させた単一量子井戸構造や多重量子井戸構造とすることでより出力を向上させることもできる。
【0050】
窒化ガリウム系化合物半導体を使用した場合、半導体用基板にはサファイヤ、スピネル、SiC、Si、ZnO、GaAs、GaN等の材料が好適に用いられる。結晶性の良い窒化物半導体を量産性よく形成させるためにはサファイヤ基板を利用することが好ましい。このサファイヤ基板上にHVPE法やMOCVD法などを用いて窒化物半導体を形成させることができる。サファイヤ基板上にGaN、AlN、GaAIN等の低温で成長させ非単結晶となるバッファ層を形成しその上にpn接合を有する窒化物半導体を形成させる。
【0051】
窒化ガリウム系化合物半導体を使用したpn接合を有する紫外領域を効率よく発光可能な発光素子例として、バッファ層上に、サファイヤ基板のオリフラ面と略垂直にSiO2をストライプ状に形成する。ストライプ上にHVPE法を用いてGaNをELOG(Epitaxial Lateral Over Growth GaN)成長させてもよい。続いて、MOCVD法により、n型窒化ガリウムで形成した第1のコンタクト層、n型窒化アルミニウム・ガリウムで形成させた第1のクラッド層、窒化インジウム・アルミニウム・ガリウムの井戸層と窒化アルミニウム・ガリウムの障壁層を複数積層させた多重量子井戸構造とされる活性層、p型窒化アルミニウム・ガリウムで形成した第2のクラッド層、p型窒化ガリウムで形成した第2のコンタクト層を順に積層させたダブルへテロ構成などの構成が挙げられる。
【0052】
窒化物半導体は、不純物をドープしない状態でn型導電性を示す。発光効率を向上させるなど所望のn型窒化物半導体を形成させる場合は、n型ドーパントとしてSi、Ge、Se、Te、C等を適宜導入することが好ましい。一方、p型窒化物半導体を形成させる場合は、p型ドーパントであるZn、Mg、Be、Ca、Sr、Ba等をドープさせることが好ましい。窒化物半導体は、p型ドーパントをドープしただけではp型化しにくいためp型ドーパント導入後に、炉による加熱やプラズマ照射等により低抵抗化させることが好ましい。
【0053】
前述のように、GaN系半導体は不純物をドープしない(アンドープの)場合、導電型はn型を示し、Mgなどのp型となる不純物をドープすることでp型を示すが、MgをドープしてGaN系半導体を成長させるだけでは良好なp型を示すGaN系半導体は得られず、基板上にn型の半導体層とMgをドープした半導体層を積層後、例えば600℃でアニーリングすることで、Mgが電気的に活性化し、低抵抗のp型のGaN系半導体を得ることができる。これは1つの考えとして、p型のGaN系半導体層に含まれる水素がアニーリングにより除去されることで、低抵抗化が起こるとも考えられている。このようにアニーリングにより低抵抗化する場合、低抵抗化する層は基板から最も離れた側に設けることで、水素が効率よく除去される。以下、本発明の実施例について詳述する。
【0054】
【実施例】
[実施例1]
図1に示すような半導体層を形成する。この半導体層は窒化ガリウム系化合物半導体であり、活性層を含む発光層からの発光ピークが紫外域にある400nmのInAlGaN半導体を有する窒化物半導体素子を用いる。より具体的には、洗浄させたサファイヤ基板上にTMG(トリメチルガリウム)ガス、TMI(トリメチルインジウム)ガス、窒素ガス及びドーパントガスをキャリアガスと共に流し、MOCVD法で窒化物半導体を成膜させることにより形成させることができる。ドーパントガスとしてSiH4とCp2Mgを切り替えることによってn型窒化物半導体やp型窒化物半導体となる層を形成させる。
【0055】
半導体素子の構造としてはサファイヤ基板上に、アンドープの窒化物半導体であるn型GaN層、Siドープのn型電極が形成されn型コンタクト層となるGaN層、アンドープの窒化物半導体であるn型GaN層、n型クラッド層となるSiが含有されたAlGaN層、次に発光層として井戸層を構成するAlInGaN層、井戸層よりもAl含有量が多いバリア層となるAlInGaN層を1セットとし5セット積層させた多重量子井戸構造としてある。発光層上にはMgがドープされたp型クラッド層としてAlGaN層、静電耐圧を高めるGaN層、Mgがドープされたp型コンタクト層であるGaN層を順次積層させた構成としてある。(なお、サファイヤ基板上には低温でGaN層を形成させバッファ層とさせてある。また、p型半導体は、成膜後400℃以上でアニールさせてある。)。
【0056】
詳細に記載すると、2インチφ、(0001)C面を主面とするサファイヤ基板上に、500℃にてGaNよりなるバッファ層を200Åの膜厚にて成長させた後、温度を1050℃にしてアンドープGaN層を5μmの膜厚にて成長させる。尚、この成長させる膜厚は、5μmに限定されるものではなく、バッファ層よりも厚い膜厚で成長させて、10μm以下の膜厚に調整することが望ましい。
【0057】
(n型半導体層)
次に、n型コンタクト層、およびn型窒化ガリウム系化合物半導体層を形成する。まず、1050℃で、同じく原料ガスTMG、アンモニアガス、不純物ガスにシランガスを用い、Siを4.5×1018/cm3ドープしたGaNよりなるn型コンタクト層を2.25μmの膜厚で成長させる。次に、シランガスのみを止め、1050℃で、TMG、アンモニアガスを用い、アンドープGaN層を75Åの膜厚で成長させ、続いて同温度にてシランガスを追加しSiを4.5×1018/cm3ドープしたGaN層を25Åの膜厚で成長させる。このようにして、75ÅのアンドープGaNからなるA層と、SiドープGaN層を有する25ÅのB層とからなるペアを成長させる。そしてペアを25層積層して2500Å厚として、超格子構造の多層膜よりなるn型窒化ガリウム系化合物半導体層を成長させる。
【0058】
(活性層)
次に、アンドープGaNよりなる障壁層を250Åの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、TMG、TMI、アンモニアを用いアンドープIn Ga Nよりなる井戸層を30Åの膜厚で成長させる。そして、障壁+井戸+障壁+井戸+……+障壁の順で障壁層を7層、井戸層を6層、交互に積層して、総膜厚1930Åの多重量子井戸構造よりなる活性層を成長させる。
【0059】
(p型半導体層)
次に、p側多層膜クラッド層及びp型コンタクト層からなるp型半導体層を形成する。まず、温度1050℃でTMG、TMA、アンモニア、Cp2Mg(シクロペンタジエニルマグネシウム)を用い、Mgを1×1020/cm3ドープしたp型Al0.2Ga0.8Nよりなる第3の窒化物半導体層を40Åの膜厚で成長させ、続いて温度を800℃にして、TMG、TMI、アンモニア、Cp2Mgを用い、Mgを1×1020/cm3ドープしたIn0.03Ga0.97Nよりなる第4の窒化物半導体層を25Åの膜厚で成長させる。そしてこれらの操作を繰り返し、第3+第4の順で交互に5層ずつ積層し、最後に第3の窒化物半導体層を40Åの膜厚で成長させた超格子構造の多層膜よりなるp側多層膜クラッド層を365Åの膜厚で成長させる。続いて1050℃で、TMG、アンモニア、Cp2Mgを用い、Mgを1×1020/cm3ドープしたp型GaNよりなるp側コンタクト層を700Åの膜厚で成長させる。反応終了後、温度を室温まで下げ、さらに窒素雰囲気中、ウエハを反応容器内において、700℃でアニールを行い、p型層をさらに低抵抗化する。
【0060】
次に、エッチングによりサファイヤ基板上の窒化物半導体に同一面側で、pn各コンタクト層表面を露出させる。具体的には、ウエハを反応容器から取り出し、表面に所定の形状のマスクを形成し、RIE(反応イオンエッチング)装置にてp型窒化ガリウム系化合物半導体層側からエッチングを行い、第二角部にn型コンタクト層の表面を露出させる。
【0061】
(p側オーミック電極、n側オーミック電極)
次に、p型層のほぼ全面を覆うように、膜厚110Åの透光性のp側オーミック電極(Ni/Au=60/50)を形成させる。なお、n型半導体層が露出された第二角部と対向する第一角部の絶縁層を設ける部分には、p側オーミック電極は形成させない。絶縁層は、図1に示すようにp側オーミック電極の最外周部よりも内側に形成させるので、この部分はp型半導体層からなるコンタクト層を露出させておく。また、このとき、n側オーミック電極も同時に形成させる。これにより同じ材料を用いて少ない工程で各電極を形成させることができるが、材料が異なる場合は、別工程で形成させてもよい。オーミック電極形成後、酸素を含む窒素雰囲気中(酸素含有量1%)、600℃で10分間アニールを行う。これにより、半導体層とオーミック接触させる。
【0062】
(絶縁層)
第一角部でp側オーミック電極を形成しなかった部分及び、p側オーミック電極の上でp側パッド電極の外周部と接続される部分を除く全面に、にSiO2よりなる絶縁層を膜厚5000Åで形成させる。
【0063】
(p側パッド電極、n側パッド電極)
絶縁層とその周辺のp側オーミック電極との上にp側パッド電極(Ni/Au=1000/6000)を膜厚7000Åで形成させる。また、n型半導体層からなるコンタクト層の表面のn側オーミック電極上にも、p側パッド電極と同様にNi/Au(1000/6000)からなるnパッド電極を形成する。同一の材料を用いることで工程を少なくすることができる。しかし、異なる材料を用いても何ら問題はない。パッド電極形成後、基板を約80μmになるまで研磨する。このように研磨して基板を薄くしておくことで、分割しやすくなる。出来上がった半導体ウエハにスクライブラインを引いた後、外力により分割させて、図1に示すような本発明の半導体発光素子を得る。得られた半導体発光素子は、Vfが3.5V、発光出力が10mW、となり、電流値20mAでの電力変換効率が約14.3%である。
【0064】
[実施例2]
実施例2は、図2に示すような半導体発光素子を形成させるものである。実施例1のp側オーミック電極の最外周部が、第一角部において図2のように内側(半導体層表面の中心に近くなるよう)になるよう形成させて、絶縁層を第一角部に形成し、p側パッド電極をp側オーミック電極と絶縁層上に接するように形成する以外は実施例1と同様に行い、図2に示すような本発明の半導体発光素子を得る。得られた半導体発光素子は、Vfが3.5V、発光出力が10mWとなり、電流値20mAでの電力変換効率が約14.3%である。
【0065】
[実施例3]
実施例3は、図3に示すような半導体発光素子を形成させるものである。実施例1のp側オーミック電極の最外周部が、第一角部において図2のように内側になるよう形成させて、さらにp側パッド電極が形成される位置に一辺が5μmの略四角形の開口部を20個形成させる。そして、絶縁層を第一角部に形成した後、p側パッド電極を絶縁層とp側オーミック電極に設けた開口部を覆うように形成する以外は実施例1と同様に行い、図3に示すような本発明の半導体発光素子を得る。得られた半導体発光素子は、Vfが3.5V、発光出力が10mA、電流値20mAでの電力変換効率が約14.3%である。
【0066】
[実施例4]
実施例4は、図4に示すような半導体発光素子を形成させるものである。実施例2のp側オーミック電極の最外周部が、第一角部において図4のように内側になるよう形成された部分に、一辺が5μmの略四角形の開口部を10個形成させる。そして、絶縁層を第一角部に形成した後、その上からp側オーミック電極の外周部の開口部を覆うようにp側パッド電極を形成する以外は実施例2と同様に行い、図4に示すような本発明の半導体発光素子を得る。得られた半導体発光素子は、Vfが3.5V、発光出力が10mA、電流値20mAでの電力変換効率が約14.3%である。
【0067】
[比較例1]
p型窒化物半導体上のほぼ全面にp側オーミック電極を透光性の電極として形成させた後に、その上の一部にp側パッド電極を形成させてある。具体的には、エッチング後、p型半導体層の表面のほぼ全面を覆うように、膜厚110Åの透光性のp側オーミック電極(Ni/Au=60/50)と、そのp側オーミック電極の上に膜厚0.5μmのAuよりなるp側パッド電極を半導体層の第一角部に形成する以外は実施例1と同様に行い、半導体発光素子を得る。得られる半導体発光素子のVfは3.5V、発光出力は9.5mW、電流値20mAでの電力変換効率は約13.6%である。p側パッド電極がp側オーミック電極上に形成されていることで、光の吸収が起こり、出力が低下しているものと考えられる。
【0068】
[実施例5]
実施例5は、図5に示すような半導体発光素子を形成させるものである。実施例3のp側オーミック電極に設けた開口部を、p側パッド電極と接合される部分だけでなく、ほぼ全面に渡って形成されるよう150個形成して、図5に示すような本発明の半導体発光素子を得る。ここでは、p側オーミック電極はNi/Au(100/1200)からなる不透光性の電極となるように形成されている。得られる半導体発光素子は、露出する開口部の内周長の総和Lは3000μm、p側オーミック電極の最外周部で囲まれ露出される面積Sは46000μm2であり、L/Sは0.065である。また、p側オーミック電極の最外周部で囲まれ露出される面積Sに対する開口部の面積の比率である開口率は6.25%であり、Vfは3.4V、発光出力は11.5mWであり、電流値20mAでの電力変換効率は約16.9%である。このように、p側オーミック電極の膜厚を厚くして開口部を設けることで、発光出力を高くすることができる。
【0069】
[実施例6]
実施例6は、図6に示すような半導体発光素子を形成させるものである。実施例4のp側オーミック電極に設けた開口部を、p側パッド電極と接合される部分には形成せず、それ以外の露出された部分にほぼ全面に渡って形成されるよう150個形成して、図6に示すような本発明の半導体発光素子を得る。実施例6では実施例5と同様にp側オーミック電極はNi/Au(100/1200)からなる不透光性の電極となるように形成されている。得られる半導体発光素子は、露出する開口部の内周長の総和Lは3000μm、p側オーミック電極の最外周部で囲まれ露出される面積Sは46000μm2であり、L/Sは0.065である。また、p側オーミック電極の最外周部で囲まれ露出される面積Sに対する開口部の面積の比率である開口率は6.25%であり、Vfは3.4V、発光出力は11.5mW、電流値20mAでの電力変換効率は約16.9%である。
【0070】
[実施例7]
実施例6において、開口部の大きさを一辺が2.5μmとし、開口率を同程度にするために開口部の数を600個とする以外は実施例6と同様に行い本発明の半導体発光素子を得る。得られる半導体発光素子の露出する開口部の内周長の総和Lは6000μm、p側オーミック電極の最外周部で囲まれ露出される面積Sは46000μm2であり、L/Sは0.13である。また、p側オーミック電極の最外周部で囲まれ露出される面積Sに対する開口部の面積の比率である開口率は6.25%であり、Vfは3.4V、発光出力は12mW、電流値20mAでの電力変換効率は約17.4%である。このようにp側オーミック電極の開口率が同じでも、開口部の内周長が長くなることで、発光出力を高くすることができる。
【0071】
[実施例8]
実施例6において、開口部の大きさを一辺が10μmとし、開口率を同程度にするために開口部の数を37個とする以外は実施例6と同様に行い本発明の半導体発光素子を得る。得られる半導体発光素子の露出する開口部の内周長の総和Lは1500μm、p側オーミック電極の最外周部で囲まれ露出される面積Sは46000μm2であり、L/Sは0.032である。また、p側オーミック電極の最外周部で囲まれ露出される面積Sに対する開口部の面積の比率である開口率は6.25%であり、Vfは3.4V、発光出力は11mW、電流値20mAでの電力変換効率は16.1%である。
【0072】
[実施例9]
実施例7において、L/Sが一定で、かつ、開口率を高くするために、開口部の大きさを一辺を3.8μmとし、開口部の数を1565個とする以外は実施例7と同様に行い本発明の半導体発光素子を得る。得られる半導体発光素子の露出する開口部の内周長の総和Lは6000μm、p側オーミック電極の最外周部で囲まれ露出される面積Sは46000μm2であり、L/Sは0.13と、実施例7と同等であるが、p側オーミック電極の最外周部で囲まれ露出される面積Sに対する開口部の面積の比率である開口率が約50%と高くなっている。このときのVfは3.5V、発光出力は20mW、電流値20mAでの電力変換効率は20%である。
【0073】
[比較例2]
実施例6において、開口部の大きさを一辺が20μmとし、開口率を同程度にするために開口部の数を9個とする以外は実施例6と同様に行い本発明の半導体発光素子を得る。得られる半導体発光素子の露出する開口部の内周長の総和Lは750μm、p側オーミック電極の最外周部で囲まれ露出される面積Sは46000μm2であり、L/Sは0.016である。また、p側オーミック電極の最外周部で囲まれ露出される面積Sに対する開口部の面積の比率である開口率は0.016%であり、Vfが3.4V、発光出力は10.3mW、電流値20mAでの電力変換効率は15.14%である。このように、開口率は同じであっても各開口部が面積が大きくなるよう形成されために内周長が短くなると、取り出し効率が悪くなるため発光出力が大幅に低下してしまう。
【0074】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明ではp側パッド電極の中央部が直接p型半導体層やp側オーミック電極上に形成されていないため、ワイヤボンディング時にかかる負荷によって損傷されにくくなるため、安定で信頼性の高い半導体発光素子を得ることができる。また、p側オーミック電極に開口部を設け、これを利用することでさらにp側オーミック電極とp側パッド電極との接合性を向上させるとともに、p側オーミック電極側からの光を取り出しやすくして発光出力及び電力変換効率を向上させることができる。また、絶縁層を用いることで、光の吸収をも抑えることができるので、さらに効率よく光を放出させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の一実施例に係わる半導体素子の平面図である。
(b)図1(a)のX−Yにおける断面図である。
(c)図1(b)の部分拡大図である。
【図2】(a)本発明の一実施例に係わる半導体素子の平面図である。
(b)図2(a)のX−Yにおける断面図である。
(c)図2(b)の部分拡大図である。
【図3】(a)本発明の一実施例に係わる半導体素子の平面図である。
(b)図3(a)のX−Yにおける断面図である。
(c)図3(b)の部分拡大図である。
【図4】(a)本発明の一実施例に係わる半導体素子の平面図である。
(b)図4(a)のX−Yにおける断面図である。
(c)図4(b)の部分拡大図である。
【図5】(a)本発明の一実施例に係わる半導体素子の平面図である。
(b)図5(a)のX−Yにおける断面図である。
(c)図5(b)の部分拡大図である。
【図6】(a)本発明の一実施例に係わる半導体素子の平面図である。
(b)図6(a)のX−Yにおける断面図である。
(c)図6(b)の部分拡大図である。
【図7】(a)比較例に係わる半導体素子の平面図である。
(b)図7(a)のX−Yにおける断面図である。
(c)図7(b)の部分拡大図である。
【図8】(a)p側オーミック電極の開口部の大きさを固定したときの開口率と量子効率との関係を示す図である。
(b)p側オーミック電極の開口部の大きさを固定したときの開口率とVfとの関係を示す図である。
(c)p側オーミック電極の開口部の大きさを固定したときの開口率と電力変換効率との関係を示す図である。
【図9】p側オーミック電極の開口部の開口率を固定したときの内周長と電力変換効率との関係を示す図である。
【符号の説明】
1・・・p側オーミック電極、
2・・・p側パッド電極、
3・・・n側オーミック電極、
4・・・n側パッド電極、
5・・・絶縁層、
6・・・開口部、
101・・・基板、
102・・・n型半導体層、
103・・・活性層、
104・・・p型半導体層。
Claims (9)
- n型半導体層とp型半導体層との間に発光層を有し、前記p型半導体層の表面にp側電極が設けられ、前記p型半導体層側からのエッチングによって一部が露出されたn型半導体層の表面にn側電極が設けられている半導体発光素子であって、
前記p側電極は、前記p型半導体層とオーミック接続されたp側オーミック電極と、該p側オーミック電極の一部の上に接するよう設けられたワイヤボンディング用のp側パッド電極とからなり、
前記p側パッド電極の中央部が前記p型半導体層上に接して設けられた絶縁層上に接して設けられており、
前記オーミック電極は、前記p型半導体層の表面まで貫通する開口部を有し、前記パッド電極の外周部の少なくとも一部は、前記開口部の一部を含むオーミック電極の上に接して設けられ、その開口部を介して前記p型半導体層の表面に接していることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記p側オーミック電極の開口部は、複数設けられる請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記半導体発光素子は、平面形状が略四角形状であり、その1つの角部である第一角部に前記p側パッド電極が設けられ、該第一角部と対向する第二角部に前記n側電極が設けられてなり、前記p側パッド電極は、前記p側オーミック電極の最外周部より内側に形成されている請求項1または請求項2記載の半導体発光素子。
- 前記半導体発光素子は、平面形状が略四角形状であり、その1つの角部である第一角部に前記p側パッド電極が設けられ、該第一角部と対向する第二角部に前記n側電極が設けられてなり、前記p側パッド電極の外周部の一部は、前記p側オーミック電極の最外周部より外側に形成され、該p側オーミック電極の最外周部より外側で前記絶縁層上に接して設けられている請求項1または請求項2記載の半導体発光素子。
- 前記p側オーミック電極の複数の開口部は、各開口部がほぼ同じ形状である請求項2乃至請求項4記載の半導体発光素子。
- 前記p側オーミック電極の複数の開口部は、各開口部がほぼ同じ面積である請求項2乃至請求項5記載の半導体発光素子。
- 前記絶縁層は、発光層からの光に対する反射率が、前記p側パッド電極よりも大きい請求項1乃至請求項6記載の半導体発光素子。
- 前記半導体層は少なくともガリウムを含む窒化物半導体であることを特徴とする請求項1乃至請求項7記載の半導体発光素子。
- 前記p側オーミック電極は、前記p型半導体層の表面のほぼ全面を覆うように設けられた請求項1乃至請求項8記載の半導体発光素子。
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