JP5719496B2 - 半導体発光素子及び発光装置、及び半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及び発光装置、及び半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5719496B2 JP5719496B2 JP2007163203A JP2007163203A JP5719496B2 JP 5719496 B2 JP5719496 B2 JP 5719496B2 JP 2007163203 A JP2007163203 A JP 2007163203A JP 2007163203 A JP2007163203 A JP 2007163203A JP 5719496 B2 JP5719496 B2 JP 5719496B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- light emitting
- light
- emitting structure
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 103
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 21
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 15
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 9
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 415
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 65
- 239000010408 film Substances 0.000 description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 description 28
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 25
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 20
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 19
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 18
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 13
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 10
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 description 10
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 description 7
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 6
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 4
- -1 compound compound Chemical class 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910007991 Si-N Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910006294 Si—N Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 3
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 3
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 3
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 3
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 2
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052596 spinel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011029 spinel Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010093 LiAlO Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020068 MgAl Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910006360 Si—O—N Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910021480 group 4 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021478 group 5 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000002248 hydride vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-AKLPVKDBSA-N lead-210 Chemical compound [210Pb] WABPQHHGFIMREM-AKLPVKDBSA-N 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- IBBMAWULFFBRKK-UHFFFAOYSA-N picolinamide Chemical compound NC(=O)C1=CC=CC=N1 IBBMAWULFFBRKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N selanylidenegallium;selenium Chemical compound [Se].[Se]=[Ga].[Se]=[Ga] VSZWPYCFIRKVQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Description
別の提案として、活性層からの発光に対して、n電極の高さを低くして遮光効果を抑えること(特許文献6)、n電極の側面を傾斜させて反射効果を高めること(特許文献7)などがある。また、発光構造内に凹凸構造を設けて、光取り出し効率を高めることも提案されている(特許文献8,9)。
前記第1電極の第2層と、前記第2電極の第2層と、が同一の金属層を有する積層構造をしており、該積層構造は、反射層、バリア層、パッド部用の金属層を順に積層したものであることが好ましい。
上述した半導体発光素子の製造方法であって、前記第1電極の第1層と、前記第2電極の第1層と、を同時に形成する半導体発光素子の製造方法。
上述した半導体発光素子の製造方法であって、前記第1電極の第2層と、前記第2電極の第2層と、を同時に形成する半導体発光素子の製造方法。
以上の各態様・形態を発光装置に適用する形態としては、(1)半導体発光素子が、載置部に設けられた発光装置、(2)発光装置が、半導体発光素子を封止する封止部材を有し、該封止部材が、発光素子の光の少なくとも一部を波長変換する光変換部材を有する、ものがある。
また、このような発光素子を用いた発光装置では、電気・光特性に優れたものが得られる。
図1を参照して、実施の形態1に係るLED100の具体例の構成について説明する。ここで、図1Aは、実施の形態1に係るLEDを電極配置面側からみた平面を、図1Bは、図1AのA−A線における断面を説明する概略図である。
図1の発光素子の構造は、基板10上に、バッファ層などの下地層21を介して、第1導電型層のn型窒化物半導体層22、発光部となる活性層23、第2導電型層のp型窒化物半導体層24が積層された積層構造からなる半導体構造20を有し、n型層22の一部が露出されてn電極(第1電極)30が設けられ、第1,2導電型層(とその間の活性層)が設けられた発光構造25の表面25tであるp型層24s上にp電極(第2電極)40が設けられた素子構造を有している。
以下、本実施形態及び本発明における各構成に詳述するが、本実施形態に限らず、他の実施形態への適用、並びに、各構成を適宜組み合わせる応用も可能である。
発光素子構造は、図1などに示すように、基板上に半導体構造20、特に各層が積層された積層構造が設けられてなるが、基板を除去するなど、基板の無い、加えて下記下地層など素子能動領域外の層の無い構造、基板中に導電型領域を設けるなどして基板を含む素子領域・構造とすることもできる。発光構造25は、図1の例では、第1,2導電型層22, 24とその間の活性層23が設けられた構造として示すように、半導体構造20による発光領域が設けられた構造となり、更に同一面側に第1,2電極30, 40を設ける電極構造である。この電極構造では、基板面内の素子領域内に第1電極30若しくは第1導電型層露出領域22sと、発光構造25の領域とが少なくとも配置された構造となる。発光構造25としては、このような活性層若しくは発光層を第1,2導電型層の間に設ける構造が好ましいが、その他にp−n接合部を発光部とする構造、p−i−n構造、mis構造、などの発光構造とすることもできる。また、素子構造中、若しくは各導電型層中に、一部半絶縁・絶縁性、i型層、逆導電型の層・領域が設けられていても良く、例えば電流注入域を制御する半絶縁・絶縁性,i型層などで形成される電流阻止層・領域、電極との接合用の逆導電型で形成される逆トンネル層などが設けられた構造でも良い。
本実施形態の図1の発光素子の具体的な半導体構造、積層構造20としては、基板10上に、下地層21として、膜厚20nmのGaNのバッファ層と、膜厚1μmのアンドープGaN層、を
その上の第1導電型層22(n型層)として、膜厚5μmのSi(4.5×1018/cm3)ドープGaNのn側コンタクト層と、コンタクト層と活性層との間の領域に、0.3μmのアンドープGaN層と、0.03μmのSi(4.5×1018/cm3)ドープGaN層と、5nmのアンドープGaN層と、4nmのアンドープGaN層と2nmのアンドープIn0.1Ga0.9N層とを繰り返し交互に10層ずつ積層された多層膜、を
n型層の上の活性層23として、膜厚25nmのアンドープGaNの障壁層と、膜厚3nmのIn0.3Ga0.7Nの井戸層とを繰り返し交互に6層ずつ積層し、最後に障壁層を
積層した多重量子井戸構造、を、
活性層の上の第2導電型層(p型層)として、4nmのMg(5×1019/cm3)ドープのAl0.15Ga0.85N層と2.5nmのMg(5×1019/cm3)ドープIn0.03Ga0.97N層とを繰り返し5層ずつ交互に積層し、最後に上記AlGaN層を積層したp側多層膜層と、膜厚0.12μmのMg(1×1020/cm3)ドープGaNのp側コンタクト層、を、
積層した構造(発光波長465nm,青色LED)を用いることができる。これらの層は、例えば、C面サファイア基板上にMOVPEでc軸成長した窒化物半導体結晶で形成することができる。
位置としてLEDチップを得る。
発光素子100の電極は、上記例で示すように、発光構造上25tに設けられる第2電極40と、発光構造25から離間した第1導電型層22s上に設けられる第1電極30を有する。このように、基板10の同一面側、すなわち、半導体構造上に、各導電型の電極が設けられることが好ましいが、半導体構造、それに加えて基板を挟んで対向する面上に各々電極が設けられる構造でも良い。また、基板10は、上記例の半導体層の成長基板に限らず、成長基板を研磨、LLO(Laser Lift Off)などで除去する形態、その成長基板が除去された半導体構造が別の担体となる部材、基板に設けられる形態でもよく、その際に担体部材と半導体構造間に他の層、例えば、導電性膜、光反射性膜、などが設けられる構造をとることもできる。上記発光素子の例では、半導体構造上の同一面側に第1,2電極が設けられ、該面側を主発光側とする構造となっている。
発光構造は、上述したように、発光素子領域中に、図1,2,8に示すように1つである形態、図3C,4〜6に示すように、一部が第1導電型層露出領域22s・第1電極形成領域22eで分離された発光構造部25A〜Cで構成されるものの何れでも良く、素子の面積、特性に応じて適宜選択される。発光構造25と第1電極10は図示するように1対1である必要はなく、第1電極30に挟まれた発光構造のように、2対1など他の関係でもよく、少なくとも発光構造部とそれに並設された第1電極30との組を有する構造であれば良い。
そのため、第1電極30面積・幅を増加させると、電極端と発光構造部側面との距離が短くなるため、下層側の透光性の第1層が発光構造の近くに配置され、その上の上層側の第2層が遠くに配置された構造とすることが好ましい。特に、各図で示すように、第1電極の外縁として発光構造が設けられる領域では、本発明の電極構造の効果が高まる。
具体的には、このような領域では、発光構造25の電極側の側面25sの少なくとも一部領域が、互いに対向する内壁を形成するような構造となり、該側面及び第1導電型層露出部から出射する光が閉じ込められ易い構造となっているため、本発明電極構造であることで、光閉じ込め、電極による光吸収・損失が低減できる構造できる。
また、後者における突出部の発光構造部側32aとその対向側32eの対比では、発光構造部側突出部32aから取り出された光は、上述したように、上層32が隣接する発光構造部から離間されて、光取り出し窓が大きくなる効果がある一方で、隣接する発光構造部への再入光、上層による光反射・吸収があるため、その突出部から取り出された光が、最終的に素子外部に取り出される割合が小さくなる。他方、その対向側では、そのような問題が低減されるため、下層による光制御、突出部による光取り出しが効果的に機能する。特に、その対向側32eが、電極30が隣接する発光構造部から開口された領域であると、その機能が高まり好ましく、更には、それが素子外周側であると、直接的に素子外部に取り出されるため最も好ましい。
上記電極30と発光構造25との間に、図1,2,3Bに示すように、突起部60などの光学的な機能、例えば反射,散乱,回折,出射口の機能、を有する構造部を設けることが好ましい。これは、上述したように、発光構造側面25sからの出射光が第2層表面に到達する光量を低減でき、すなわち光損失の原因となる第2層による遮光作用があるためである。このような光学的な構造部としては、第1導電型半導体層露出表面22s上に、透光性の絶縁膜、例えば保護膜50などによる凹凸構造など、光吸収・損失の低い、透光性の材料で形成されることが好ましく、また反射・散乱の機能に限れば金属性の突起部・凹凸部を設けることができる。好ましくは、該電極・発光構造間領域が狭い領域であるため、付加的な構造物を設けるよりも、半導体の積層構造から分離、具体的には発光構造から分離された半導体構造物により、設けられると精度良く、また高密度に形成でき、光学的機能を高められ、更に発光素子と同様な透光性の材料であるため、好ましい。
図1,2,3Aなどに示すように、各電極の外部接続部33, 43を開口させた開口部51w, 52wを設けて、他の素子領域のほぼ全面を覆う保護膜が形成されていても良い。保護膜は、素子構造側を主光取り出し側とする際には、透光性材料で形成される。また、開口部の形状は、図1,2に示すように、電極上面の一部が開口される形状であっても良く、図3Aに示すように電極の下層側(透光性膜)を覆い、開口部内に、保護膜端部から離間して電極の上層側が設けられる形態でも良く、比較的薄膜で形成される下層側の透光性を覆う形態であることが好ましい。保護膜材料としては、従来知られたもの、例えば、珪素の酸化物・窒化物、アルミニウムの酸化物など、発光素子の光・波長に応じて、適宜透光性の良い材料を用いると良い。膜厚としては、0.1〜3μm程度、好ましくは、0.2〜0.6μm程度で形成される。
上記実施形態1の具体例(図1)において、その第2層と同一幅・面積で第1層を設ける例、その第2層より小さい、例えば第2層外周から1μmほど内側が外周となる、第1層を設ける例、と比較すると、上記実施形態1の具体例の方が、順方向電圧が低く、光出力が同程度若しくは僅かに向上する傾向が観られる。このことから、上記具体例の第1層と同等な大きさの第2層を設けると、順方向電圧はほぼ同等であるが、光出力が急激に低下するものとなると考えられる。このため、大電流注入の高出力域、大面積の発光素子では顕著に差が現れると考えられ、特に電力効率を低下させる要因になると考えられる。
また、上記具体例では、100lm/W超の発光素子及び発光装置(図7Bに示す樹脂封止型のもの)が実現できるが、この比較例ではそれより低下し、100未満となるものがある。
実施形態2としては、上記実施形態1の具体例(図1)のLED形状が略正方形であるのに比して、図2に示すように、LEDの大きさを420μm×240μmとして、長方形状にする形態である。実施形態1と同様に、半導体構造を形成し、発光素子構造・突起部・電極形成領域を形成し、各電極を設け、基板露出、基板分割により形成できる。ここで、図2Aは、この発光素子の平面図の概略を、図2Bは2AのAA切断面における断面図の概略を示すものである。
上記図2の変形例としては、図8に示すような、より細長い発光素子とすることもできる。外形寸法は550μm×150μmで、長手形状の発光構造に対して、長手方向端部に外部接続部33を含む電極形成領域22eが設けられている。図1,2の例とは異なり、この電極形成領域22eは、電極を囲むような凹欠部とならずに一部発光構造が、長手方向で電極の側面一部に延在して設けられた形状となっている。さらに第1電極、第2電極は、それぞれ基点となる長手方向両端付近の外部接続部33,43から長手方向に延伸する延伸部34,44を有しており、互いの延伸部は発光構造を挟むように幅方向に対向して、並進するように設けられる。第1電極の延伸部は発光構造に隣接して設けられ、長手方向で第2電極の基点から離間する位置まで設けられ、第2電極延伸部も同様に第1電極の基点から離間する位置まで設けられている。尚、第1電極延伸部34が設けられている領域は、発光構造の幅が、他の領域、例えば外部接続部44との間の領域など延伸部34端部から長手方向外側の領域、の幅よりも狭く形成され、内側に凹んだ構造となっている。このように延伸部により、発光構造の長手方向への電流広がりを良好なものとできる。
図4に示す例では、発光構造25の内部に、電極形成領域22e及び第1電極30が2つ設けられた構造を有し、発光構造部25p間に第1電極が配置された発光構造を有している。従って、長手形状の発光構造部25A〜Bが、その幅方向に第1電極30(形成領域22e)と交互に配置された構造となっており、第1電極30は、幅広な外部接続部33, 43と、そこから長手方向に延伸する幅の狭い延伸部34, 44を有する構造となっている。これにより、長手形状の各発光構造部25A〜Bに対して、並設された第1電極30、主にその延伸部34を有する構造とでき、好適な電流広がり、発光を実現できる構造となっている。ここで、図4Aは、発光素子の平面図の概略であり、図4Bは図4AのAA断面図の概略である。ここでは、発光素子の外形寸法は、□1mm(1mm角)で、各電極の外部接続部など他の構造物の寸法は、素子の大きさに関わる発光構造及びそれに伴う延伸部を除いて、上記例と同様な寸法で形成できる。
この構造のように、各電極及びその延伸部若しくは外部接続部、発光構造部が複数設けられる発光素子構造でも本発明は好適に適用される。
実施形態4としては、図6に示すように、実施形態3の図4の例に比して、電極形成領域22e及び発光構造、構造部は、同様な形態である一方で、第2電極40の上層42延伸部44が、第1電極30の外部接続部34側の端部で開口した形状となっている。第1電極30で挟まれた内側構造部25Aでは、外側構造部25Bの外部接続部44から幅方向に延伸する1次延伸部42A-1と、そこから長手方向に延伸する2次延伸部42A-2が設けられている。また、第1電極30の構造、形成領域22eも異なる形態となっており、発光構造部25A, Bの長手方向の端部に外部接続部34が配置され、それを基点として、第2電極40の外部接続部44側へ一方向に延伸する延伸部44Bを備えた構造となっている。また、第2電極40の外部接続部44は、第1電極30と交互に配置された長手形状の発光構造部25A, Bに対して、1対1の関係でなく、外側の発光構造部25Bにそれぞれ設けられている。ここで、図6Aは、発光素子の平面図の概略である。また、この例の発光素子の寸法は、素子外形が□800μm(800μm角)であり、その他の構造物の寸法は、素子の大きさに関わる発光構造及びそれに伴う延伸部を除いて、上記例とほぼ同様である。
図5の例では、実施形態3,4(図4,6)と同様に、延伸部及び発光構造部を複数有する構造であり、異なる点としては、実施形態4(図6)の構造部25Aに設けられた第2電極延伸部42Aと同様に、1つの延伸部34, 44が屈曲する様な形状、枝分かれる形状の構造を有し、更に、複数の発光構造部25A, Bに対して、各電極に1つの外部接続部34, 44が設けられた素子構造を有している。各電極30, 40の延伸部は、発光構造部25A, Bに並設される(2次)延伸部34B-2, 42B-2(42A-2)と、その2次延伸部まで配線し、各延伸部(発光構造部25A, B)間を配線する(1次)延伸部34B-1, 42-1と、を有する構造であり、外部接続部34, 44を基点として、それぞれ1次、2次延伸部を備えて、1つの外部接続部に接続されている。また、第1電極30の内側発光構造部25Aに挟まれた延伸部34Aは、1次延伸部だけで構成されている。
以上の発光素子100を搭載する発光装置200について説明すると、図7A,Bに示すように、実装用の基体・領域201の発光素子実装部173に発光素子100が載置された構造となる。実装基体として例えば、発光素子用、受光素子用のステム(図7Bの210)、平面実装用セラミック基板、プラスチック基板等が挙げられる。具体的にはAlNからなる実装基体、金属性の実装基体を用いると放熱性の高い発光装置を得ることができ好ましい。半導体発光素子が実装される実装面173は金属材料からなることで、発光素子外に取り出された光を反射し、好適な光指向性の発光装置とすることができる。実装面などの発光素子が載置され、光が到達する装置内部の表面、反射面203では、金属材料が例えばリード電極210などに用いられ、その金属材料は本発光装置の発光波長の光を高反射率で反射することのできる金属材料が好ましい。具体的には、Ag、Al、Rh等が挙げられ、鍍金被膜など形成される。発光装置の例は、図4に示すように、装置の基体・筐体220に設けられた素子実装部173に接着層160を介して、第2の主面に反射層などのメタライズ層170、共晶ハンダ、接着層180を設けた半導体発光素子100を熱圧着などで実装して、各電極にワイヤ250などで、発光装置200のリード電極210(a,b)とそれぞれ接続して、発光素子を封止部材230で封止した構造を有している。尚、図中の符号122〜124、110は、上記発光素子の各層22〜23及び基板10に相当する。図7Aでは発光装置200の基体220に各電極リード210が貫入されて、発光素子が載置される領域に露出されて、その電極接続部にワイヤ250で電気的に接続された構造となっており、更に、その露出領域を発光素子と共に封止する透光性の封止部材230、若しくは気密封止などにより封止された構造を有する。図7Bの例では、封止部材230が装置の基材を兼ねた構造となっている。封止部材としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂などの耐候性に優れた透明樹脂や硝子などが用いられ、接着部材180にはこれらの樹脂材料の他、共晶ハンダなどの半田,共晶材料、Agペーストなどが用いられる。
また、図4,5の例では断面図に示すように、基板の半導体構造に対向する面側にメタライズ層として、反射層70が設けられている。図7の例では、更にその上に、接着層180が設けられている。反射層は設けることで、光の反射性が向上する傾向にあり、好ましく、基板の第2の主面が露出した発光素子でも良い。尚、接着部材は、基板のメタライズ層に、基板側接着層として設ける形態でも良い。
また、封止部材230中など、発光装置200の発光素子から装置の出射口、例えば図7のレンズ部、との間の光路上に、発光素子の光を少なくとも一部変換する光変換部材を有して、種々の発光色を得ることもできる。光変換部材としては、青色LEDの白色発光に好適に用いられるYAG系蛍光体、珪酸塩蛍光体、近紫外〜可視光を黄色〜赤色域に変換する窒化物蛍光体などが挙げられる。特に、高輝度且つ長時間の使用時においてはYAG・TAGなどのガーネット構造の蛍光体、例えば(Re1-xSmx)3(Al1-yGay)5O12:Ce(0≦x<1、0≦y≦1、但し、Reは、Y,Gd,La,Tbなど、が好適に用いられる。窒化物系蛍光体、オキシナイトライド蛍光体としては、Sr−Ca−Si−N:Eu、Ca−Si−N:Eu、Sr−Si−N:Eu、Sr−Ca−Si−O−N:Eu、Ca−Si−O−N:Eu、Sr−Si−O−N:Euなどがあり、一般式LXSiYN(2/3X+4/3Y):Eu若しくはLXSiYOZN(2/3X+4/3Y−2/3Z):Eu(Lは、Sr、Ca、SrとCaのいずれか。)で表される。また、これらの蛍光体、他の蛍光体などを適宜用いることにより、所望の発光色の発光装置とすることができる。
Claims (10)
- 第1導電型の半導体層,活性層,第2導電型の半導体層を順に有する発光構造と、該発光構造から露出された第1導電型の半導体層と、該第1導電型の半導体層,第2導電型の半導体層に各々設けられた第1電極,第2電極と、を有し、
前記第1導電型半導体層の露出表面に設けられた第1電極が、第1層と、該第1層上に第1層より幅の狭い若しくは面積の小さい第2層と、を有し、
前記発光構造の光に対して、前記第1電極の第1層が透光性を、前記第1電極の第2層が反射性を有し、該第2層は、前記第1層側を幅広とする台形状とし、
前記第1電極の第1層は、突出部を有しており、該突出部は、前記第1電極の第2層の外周の略全域に設けられており、
前記第1電極の第1層が、少なくとも隣接する発光構造の方向に、前記第1電極の第2層から突出した突出部を有しており、
前記発光構造と前記第1電極との間に、該発光構造の発光部より高い突起部を有しており、
前記突起部が前記発光構造と分離され、前記第1電極の第1層が、前記突起部の第1電極側の側面に延在し、前記第1電極の第2層が該突起部から離間しており、
前記第2導電型半導体層の露出表面に設けられた第2電極が、透光性を有する第1層と、反射性を有する第2層と、を備えた半導体発光素子。 - 第1導電型の半導体層,活性層,第2導電型の半導体層を順に有する発光構造と、該発光構造から露出された第1導電型の半導体層と、該第1導電型の半導体層,第2導電型の半導体層に各々設けられた第1電極,第2電極と、を有し、
前記第1導電型半導体層の露出表面に設けられた第1電極が、第1層と、該第1層上に第1層より幅の狭い若しくは面積の小さい第2層と、を少なくとも有し、前記第1電極の第1層が透光性を、前記第1電極の第2層が反射性を有すると共に、
前記電極形成面内において、前記発光構造間に前記第1電極が設けられ、該第1電極が、隣接する発光構造側面と前記第1電極の第1,2層端部との距離が、第1層より第2層が長くなるように設けられており、
前記第1電極の第2層は、前記第1電極の第1層側を幅広とする台形状とし、
前記第1電極の第1層は、突出部を有しており、該突出部は、前記第1電極の第2層の外周の略全域に設けられており、
前記発光構造と前記第1電極との間に、該発光構造の発光部より高い突起部を有しており、
前記突起部が前記発光構造と分離され、前記第1電極の第1層が、前記突起部の第1電極側の側面に延在し、前記第1電極の第2層が該突起部から離間しており、
前記第2導電型半導体層の露出表面に設けられた第2電極が、透光性を有する第1層と、反射性を有する第2層と、を備えた半導体発光素子。 - 前記第1電極の少なくとも一部が、前記第1導電型半導体層露出領域で前記発光構造内部へ凹んだ凹欠部に配置され、前記凹欠部が該第1電極の外周長の半分以上を囲む請求項1または2に記載の半導体発光素子。
- 前記第1電極が、外部接続部と、該外部接続部から延伸する延伸部と、を有し、該外部接続部及び延伸部は、前記第1導電型の半導体層と接続して設けられている請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記第1電極の第1層と、前記第2電極の第1層と、が同一の導電性金属酸化膜とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記第1電極の第2層と、前記第2電極の第2層と、が同一の金属層を有する積層構造をしており、該積層構造は、反射層、バリア層、パッド部用の金属層を順に積層したものである請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 請求項1〜6のいずれか1項に記載の半導体発光素子が、載置部に設けられた発光装置。
- 前記発光装置が、前記半導体発光素子を封止する封止部材を有し、該封止部材が、半導体発光素子の光の少なくとも一部を波長変換する光変換部材を有する請求項7記載の発光装置。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法であって、前記第1電極の第1層と、前記第2電極の第1層と、を同時に形成する半導体発光素子の製造方法。
- 請求項1〜9のいずれか一項に記載の半導体発光素子の製造方法であって、前記第1電極の第2層と、前記第2電極の第2層と、を同時に形成する半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007163203A JP5719496B2 (ja) | 2006-06-28 | 2007-06-20 | 半導体発光素子及び発光装置、及び半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006178652 | 2006-06-28 | ||
JP2006178652 | 2006-06-28 | ||
JP2007163203A JP5719496B2 (ja) | 2006-06-28 | 2007-06-20 | 半導体発光素子及び発光装置、及び半導体発光素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008034821A JP2008034821A (ja) | 2008-02-14 |
JP5719496B2 true JP5719496B2 (ja) | 2015-05-20 |
Family
ID=39123879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007163203A Active JP5719496B2 (ja) | 2006-06-28 | 2007-06-20 | 半導体発光素子及び発光装置、及び半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5719496B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7939836B2 (en) | 2007-07-18 | 2011-05-10 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting element |
JP5471882B2 (ja) * | 2010-06-24 | 2014-04-16 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体素子 |
KR101877396B1 (ko) * | 2011-09-07 | 2018-08-09 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP5990405B2 (ja) * | 2012-06-04 | 2016-09-14 | スタンレー電気株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
KR101926536B1 (ko) | 2012-07-06 | 2018-12-10 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 |
JP6011116B2 (ja) * | 2012-07-30 | 2016-10-19 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
KR102027301B1 (ko) | 2012-12-14 | 2019-10-01 | 서울바이오시스 주식회사 | 광추출 효율이 향상된 발광다이오드 |
JP6458463B2 (ja) * | 2013-12-09 | 2019-01-30 | 日亜化学工業株式会社 | 発光素子 |
KR102309670B1 (ko) * | 2014-12-24 | 2021-10-07 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자, 발광소자 패키지 및 조명시스템 |
JP2018046301A (ja) * | 2017-12-14 | 2018-03-22 | ローム株式会社 | 発光素子および発光素子パッケージ |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09232632A (ja) * | 1995-12-22 | 1997-09-05 | Toshiba Corp | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2001217456A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-10 | Sharp Corp | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
JP2001313420A (ja) | 2000-05-01 | 2001-11-09 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP3960815B2 (ja) * | 2002-02-12 | 2007-08-15 | シャープ株式会社 | 半導体発光素子 |
JP3956918B2 (ja) * | 2002-10-03 | 2007-08-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光ダイオード |
JP2004128321A (ja) | 2002-10-04 | 2004-04-22 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子 |
JP2005019530A (ja) | 2003-06-24 | 2005-01-20 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子 |
JP4572604B2 (ja) * | 2003-06-30 | 2010-11-04 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置 |
EP3166152B1 (en) * | 2003-08-19 | 2020-04-15 | Nichia Corporation | Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing its substrate |
US7033949B2 (en) * | 2003-12-29 | 2006-04-25 | Formosa Epitaxy Incorporation | Structure and manufacturing method for nitride-based light-emitting diodes |
KR100541102B1 (ko) * | 2004-02-13 | 2006-01-11 | 삼성전기주식회사 | 오믹 접촉을 개선한 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법 |
JP4977957B2 (ja) * | 2004-03-29 | 2012-07-18 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体発光素子 |
JP2006128296A (ja) | 2004-10-27 | 2006-05-18 | Kyocera Corp | 発光素子およびそれを用いた照明装置 |
-
2007
- 2007-06-20 JP JP2007163203A patent/JP5719496B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008034821A (ja) | 2008-02-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
USRE49298E1 (en) | Semiconductor light emitting element | |
US7947996B2 (en) | Semiconductor light emitting element | |
JP4882792B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5130730B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5719496B2 (ja) | 半導体発光素子及び発光装置、及び半導体発光素子の製造方法 | |
JP4148264B2 (ja) | 半導体素子及びその製造方法 | |
JP4453515B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5634003B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4572604B2 (ja) | 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置 | |
JP5326225B2 (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP4450199B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP4415575B2 (ja) | 半導体発光素子及びそれを用いた発光装置 | |
JP3921989B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
KR101798231B1 (ko) | 발광 소자 | |
EP2672530B1 (en) | Light emitting device | |
JP4581540B2 (ja) | 半導体発光素子とそれを用いた発光装置 | |
JP5983068B2 (ja) | 半導体発光素子及び発光装置 | |
KR102563266B1 (ko) | 발광소자 및 이를 구비한 광원 모듈 | |
JP2009200227A (ja) | 発光素子及び照明装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100603 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130115 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130903 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131203 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140121 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20141222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150323 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5719496 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |