JP5990405B2 - 発光素子及びその製造方法 - Google Patents
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Description
11 半導体構造層
13 n型半導体層
15 活性層
17 p型半導体層
19 凹部
21 n電極
23 p電極層
25 光反射層
27 バリア層
29 接合層
31 支持基板
33 成長基板
35 アンドープ層
37 半導体ウェハ
39 マスク層
41 犠牲層
43 ボイド
Claims (9)
- 支持基板と、
前記支持基板上に設けられた第1の電極と、
前記第1の電極上に形成され、前記第1の電極の表面から順に第1の導電型の第1の半導体層、活性層、及び第2の導電型の第2の半導体層を有する半導体構造層であって、前記半導体構造層の表面から前記第2の半導体層に至り、前記第2の半導体層をその底面において露出させる凹部を有する前記半導体構造層と、
前記凹部の底面上に設けられた第2の電極と、を含み、
前記凹部に面した前記第2の半導体層の側面は、前記第2の電極とは離間し、かつ光出射方向に向かって広がっている逆テーパ形状を有していることを特徴とする発光素子。 - 前記第2の電極が形成されている領域に対向する前記第1の半導体層の表面領域は絶縁性領域であることを特徴とする請求項1に記載の発光素子。
- 前記絶縁性領域は、前記第2の電極が形成されている領域に対向する前記第1の半導体層の表面領域上に絶縁層が形成された領域であることを特徴とする請求項2に記載の発光素子。
- 前記第2の電極は、前記第2の半導体層と接する下底が上底よりも長い台形断面を有していることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1に記載の発光素子。
- 前記凹部に面した前記第2の半導体層の前記側面は、前記支持基板上面に垂直な光軸に対して15°以上の角度を有していることを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1に記載の発光素子。
- 前記凹部には、前記第2の半導体層の前記側面を覆うように前記第2の半導体層よりも屈折率の低い材料が充填されていることを特徴とする請求項1乃至5のいずれか1に記載の発光素子。
- 成長基板上に、前記成長基板の上面から順に第1の導電型の第1の半導体層、活性層、第2の導電型の第2の半導体層を有する半導体構造層を形成する工程と、
前記半導体構造層上に第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上に第1の金属接合層を形成する工程と、
支持基板上に第2の金属接合層を形成する工程と、
前記第1の金属接合層と前記第2の金属接合層とを対向させつつ加熱圧着して共晶接合させる工程と、
前記成長基板を除去する工程と、
前記成長基板を除去することによって露出した光出射面上に、前記第1の半導体層が底部にて露出される凹部を形成する工程と、
前記凹部の底面上に第2の電極を形成する工程と、を含み、
前記凹部に面した前記第1の半導体層の側面は、前記第2の電極とは離間し、かつ光出射方向に向かって広がっている逆テーパ形状を有していることを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記第2の電極が形成されている領域と対向する前記第2の半導体層の表面領域を高抵抗化する工程を含むことを特徴とする請求項7に記載の発光素子の製造方法。
- 成長基板上に犠牲層を形成する工程と、
前記成長基板の上面から順に、前記犠牲層と共に閉じた空孔領域を形成する第1の導電型の第1の半導体層、活性層、第2の導電型の第2の半導体層を有する半導体構造層を形成する工程と、
前記半導体構造層上に第1の電極を形成する工程と、
前記第1の電極上に第1の金属接合層を形成する工程と、
支持基板上に第2の金属接合層を形成する工程と、
前記第1の金属接合層と前記第2の金属接合層とを対向させつつ加熱圧着して共晶接合させる工程と、
前記成長基板及び前記犠牲層を除去して、前記閉じた空孔領域に対応する部分である凹部を有する前記第1の半導体層の光出射面を露出させる工程と、
前記凹部の底面上に第2の電極を形成する工程と、を含み、
前記凹部に面した前記第1の半導体層の側面は、前記第2の電極とは離間し、かつ光出射方向に向かって広がっている逆テーパ形状を有していることを特徴とする発光素子の製造方法。
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