JP2006128202A - 発光素子およびそれを用いた照明装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 発光層1aを含むエピタキシャル成長させた窒化ガリウム系化合物半導体層1と、窒化ガリウム系化合物半導体層1の一方主面1b1の中央部に形成され、発光層1aを貫通した凹部7と、この凹部7の底部7aにおいて窒化ガリウム系化合物半導体層1の他方主面1c1側の層に電気的に接続された導電層3と、窒化ガリウム系化合物半導体層1の一方主面1b1の凹部7を除く領域に形成された導電性反射層2とを具備しており、凹部7は、側部に形成された、発光層1aに沿って伝搬してきた光を反射する斜面7bを有している発光素子L1である。凹部7の斜面7bにより発光層1aに沿って伝搬してきた光を反射して他方主面1c1側に取り出すことができるので、他方主面1c1側からの光取り出し効率がより大きく改善される。
【選択図】 図1
Description
1a・・・・・発光層
1a1・・・・端面
1b・・・・・第1導電型半導体層(p型半導体層)
1b1・・・・一方主面
1c・・・・・第2導電型半導体層(n型半導体層)
1c1・・・・他方主面
2・・・・・・導電性反射層
3・・・・・・導電層
4・・・・・・基板
5・・・・・・反射防止層
6a,6b・・バンプ電極
7・・・・・・凹部
7a・・・・・底部
7b・・・・・斜面
8・・・・・・反射部材
8a・・・・・反射面
9・・・・・・蛍光体
10・・・・・・絶縁性基台
11a,11b・・導体パターン
Claims (6)
- 発光層を含むエピタキシャル成長させた窒化ガリウム系化合物半導体層と、該窒化ガリウム系化合物半導体層の一方主面の中央部に形成され、前記発光層を貫通した凹部と、該凹部の底部において前記窒化ガリウム系化合物半導体層の他方主面側の層に電気的に接続された導電層と、前記窒化ガリウム系化合物半導体層の前記一方主面の前記凹部を除く領域に形成された導電性反射層とを具備しており、前記凹部は、側部に形成された、前記発光層に沿って伝搬してきた光を前記他方主面側に反射する斜面を有していることを特徴とする発光素子。
- 前記窒化ガリウム系化合物半導体層は円形状であることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記窒化ガリウム系化合物半導体層の前記他方主面が、前記窒化ガリウム系化合物半導体層をエピタキシャル成長させるために用いた基板が除去された面かまたはこの面がエッチングされて形成された新たな面であることを特徴とする請求項1記載の発光素子。
- 前記窒化ガリウム系化合物半導体層の前記他方主面に反射防止層が形成されていることを特徴とする請求項3記載の発光素子。
- 前記導電性反射層および前記導電層にバンプ電極が接続されていることを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の発光素子。
- 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の発光素子と、該発光素子の周囲に設けた、前記発光層に沿って出射される光を前記他方主面側に反射する反射面と、前記発光素子からの発光を受けて光を発する蛍光体および燐光体の少なくとも一方とを具備することを特徴とする照明装置。
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