JP4849866B2 - 照明装置 - Google Patents
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Description
とを具備しており、反射層は、波長選択性を有し、活性層の発光波長λ1に対しては透過性であり、発光波長λ1より長い波長λ2に対しては反射性であることから、活性層で発光した光を発光素子の表面でほとんど反射を繰り返すこと無く、発光素子の外部に出射させることができる。また、発光素子の外部へ取り出された出射光を励起光として蛍光体及び燐光体は発光するが、蛍光体及び燐光体が発した蛍光は出射光である活性層の発光波長λ1より短い波長λ2であるため、反射層があることにより、蛍光体及び燐光体で発光した蛍光は発光素子の内部に入射することが防止され、窒化ガリウム系化合物半導体層多層体の内部で、波長λ1の光と波長λ2の蛍光とが干渉することを防止することができる。また、反射層の反射効果により効率よく所望の一方向に蛍光を集中させることができる。
さらに、本発明の照明装置によれは、前記反射層は、化学式Ga1−x4−y4Iny4Alx4N(ただし、0<x4+y4<1、x4>x2、y4≧y2とする)からなる窒化ガリウム系半導体層と、化学式Ga1−x5−y5Iny5Alx5N(ただし、0<x5+y5<1、x5>x2、y5≧y2とする)からなる窒化ガリウム系半導体層とを、膜厚λ2/4ns(ただし、nsはそれぞれの窒化ガリウム系化合物半導体層の屈折率)で交互に積層した半導体多層膜から成ることから、窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長過程において反射層を形成することができ、特別なプロセス装置やプロセス工程などを加えることなく反射層を作製することができる。更に、窒化ガリウム系化合物半導体層の混晶比を変えることにより、所望の屈折率とバンドギャップを得ることができ、半導体不純物を含有させることによって導電性の反射層を得ることもできる。
の主面から効率良く光を取り出すことができる。
101:一導電型半導体層
102:活性層
103:逆導電型半導体層
108:反射層
112:蛍光体(燐光体)
Claims (3)
- 化学式Ga1−x1−y1Iny1Alx1N(ただし、0<x1+y1<1、x1>0、y1≧0とする)で表される一導電型半導体層、化学式Ga1−x2−y2Iny2Alx2N(ただし、0<x2+y2<1、x2>0、y2≧0とする)で表される活性層、及び化学式Ga1−x3−y3Iny3Alx3N(ただし、0<x3+y3<1、x3>0、y3≧0とする)で表される逆導電型半導体層を具備した窒化ガリウム系化合物半導体層多層体(ただし、x1,x3>x2,y1,y3>y2とする)と、前記窒化ガリウム系化合物半導体層多層体の前記一導電型半導体層側の主面に形成された反射層とを有する発光素子と、
該発光素子の外部に設けられ、前記活性層で発光した光を受けて光を発する蛍光体及び燐光体の少なくとも一方とを具備しており、
前記反射層は、波長選択性を有し、前記活性層の発光波長λ1に対しては透過性であり、前記発光波長λ1より長い波長λ2に対しては反射性である、化学式Ga1−x4−y4Iny4Alx4N(ただし、0<x4+y4<1、x4>x2、y4≧y2とする)からなる窒化ガリウム系半導体層と、化学式Ga1−x5−y5Iny5Alx5N(ただし、0<x5+y5<1、x5>x2、y5≧y2とする)からなる窒化ガリウム系半導体層とを、膜厚λ2/4ns(ただし、nsはそれぞれの窒化ガリウム系化合物半導体層の屈折率)で交互に積層した半導体多層膜から成るとともに、前記発光素子の前記一導電型半導体層側の主面が、前記半導体多層膜をエピタキシャル成長させるために用いた基板または該基板及びバッファ層が除去された面、もしくはこの面がエッチングされた新たな面であることを特徴とする照明装置。 - 前記発光素子は、前記一導電型半導体層側の主面に反射防止層が形成されていることを特徴とする請求項1記載の照明装置。
- 前記反射防止層は、表面に尖突起状の突起が多数形成されていることを特徴とする請求項2記載の照明装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005309483A JP4849866B2 (ja) | 2005-10-25 | 2005-10-25 | 照明装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005309483A JP4849866B2 (ja) | 2005-10-25 | 2005-10-25 | 照明装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007123311A JP2007123311A (ja) | 2007-05-17 |
JP4849866B2 true JP4849866B2 (ja) | 2012-01-11 |
Family
ID=38146871
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005309483A Expired - Fee Related JP4849866B2 (ja) | 2005-10-25 | 2005-10-25 | 照明装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4849866B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007043877A1 (de) * | 2007-06-29 | 2009-01-08 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement |
JP2009032958A (ja) * | 2007-07-27 | 2009-02-12 | Kyocera Corp | 発光素子及び照明装置 |
JP5634003B2 (ja) * | 2007-09-29 | 2014-12-03 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5271590B2 (ja) * | 2008-04-22 | 2013-08-21 | 株式会社小糸製作所 | 車両用灯具 |
JP4875185B2 (ja) | 2010-06-07 | 2012-02-15 | 株式会社東芝 | 光半導体装置 |
US8889439B2 (en) * | 2012-08-24 | 2014-11-18 | Tsmc Solid State Lighting Ltd. | Method and apparatus for packaging phosphor-coated LEDs |
JP2018190830A (ja) * | 2017-05-08 | 2018-11-29 | 豊田合成株式会社 | 半導体発光装置 |
JP7248441B2 (ja) * | 2018-03-02 | 2023-03-29 | シャープ株式会社 | 画像表示素子 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5813752A (en) * | 1997-05-27 | 1998-09-29 | Philips Electronics North America Corporation | UV/blue LED-phosphor device with short wave pass, long wave pass band pass and peroit filters |
JP4098568B2 (ja) * | 2001-06-25 | 2008-06-11 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP2004356271A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 面発光型半導体素子およびその製造方法 |
JP4160881B2 (ja) * | 2003-08-28 | 2008-10-08 | 松下電器産業株式会社 | 半導体発光装置、発光モジュール、照明装置、および半導体発光装置の製造方法 |
JP2005210066A (ja) * | 2003-12-25 | 2005-08-04 | Kyocera Corp | 薄膜発光素子およびその製造方法 |
-
2005
- 2005-10-25 JP JP2005309483A patent/JP4849866B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007123311A (ja) | 2007-05-17 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080415 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101221 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101221 |
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A521 | Written amendment |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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