JP2009238931A - 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2009238931A JP2009238931A JP2008081564A JP2008081564A JP2009238931A JP 2009238931 A JP2009238931 A JP 2009238931A JP 2008081564 A JP2008081564 A JP 2008081564A JP 2008081564 A JP2008081564 A JP 2008081564A JP 2009238931 A JP2009238931 A JP 2009238931A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- light
- type
- type semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Led Devices (AREA)
Abstract
【解決手段】透光性を有し、導電性基板或いは絶縁性の基板上に導電性のバッファ層を備えるなどしてn型電極2側となる基板11上に、n型半導体層12と発光層13とp型半導体層14とが順に積層され、p型半導体層14上にp型電極3が形成されて成る発光ダイオード1において、p型電極3を、p型半導体層14とオーミックコンタクト可能で電気伝導度が高い金属から成る第1の電極層15と、光を透過させるためにその第1の電極層15に形成された開口15aから前記第1の電極層15上に積層され、コンタクト抵抗は多少高くても、光を反射する材料から成る第2の電極層16と、前記第2の電極層16上に積層される多層反射膜層17とを備えて構成する。したがって、第2の電極層16によって反射率を高くし、第1の電極層15によって注入電流を大きくすることができる。
【選択図】図1
Description
図1は本発明の実施の一形態に係る半導体発光素子である発光ダイオード1の構造を示す断面図であり、図2はその平面図であり、図2において、図1の切断面を参照符号I−Iで示す。この発光ダイオード1は、矩形の一角が切り欠かかれてn型電極2となり、残余の領域がp型電極3となり、基板11側を光取出し面とするフリップチップ実装可能な発光ダイオードである。
図7は、本発明の実施の他の形態に係る半導体発光素子である発光ダイオード31の構造を示す断面図である。この発光ダイオード31は、前述の発光ダイオード1に類似し、対応する部分には同一の参照符号を付して示し、その説明を省略する。注目すべきは、この発光ダイオード31では、n型の導電性を有する基板30が用いられて、n型電極32が、前記基板30の各層12〜21が形成される面とは反対側の面に形成されることである。このように構成することで、該発光ダイオード31の厚み方向に電流を流すことができ、より均一かつ大きな電流を流すことができる。
2,32 n型電極
3 p型電極
11,30 基板
12 n型半導体層
13 発光層
14 p型半導体層
15 第1の電極層
15a 開口
16 第2の電極層
17 多層反射膜層
18 金属層
19,22 チタン層
20,23 ニッケル層
21,24 金層
Claims (7)
- n型電極側となり、透光性を有する基板上に、n型半導体層と発光層とp型半導体層とが順に積層され、前記p型半導体層上にp型電極が形成されて成る半導体発光素子において、
前記p型半導体層上に積層され、該p型半導体層と導電性を有し、開口を有する第1の電極層と、
前記開口から前記第1の電極層上に積層され、光を反射する材料から成る第2の電極層と、
前記第2の電極層上に積層される多層反射膜層とを備えて構成されることを特徴とする半導体発光素子。 - 前記第1の電極層は、前記p型半導体層上で30〜80%の面積を占めるメッシュ状に形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体発光素子。
- 前記第2の電極層は、前記第1の電極層上で、5〜20Åの厚さに形成されることを特徴とする請求項1または2記載の半導体発光素子。
- 前記多層反射膜層は、前記p型半導体層上の15〜85%の面積を覆うように島状に形成されていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記島状の多層反射膜層間から該多層反射膜層上は、金属材料によって覆われていることを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載の半導体発光素子。
- 前記請求項1〜5のいずれか1項に記載の半導体発光素子を用いることを特徴とする照明装置。
- n型電極側となり、透光性を有する基板上に、n型半導体層と発光層とp型半導体層とが順に積層され、前記p型半導体層上にp型電極が形成されて成る半導体発光素子の製造方法において、
前記p型半導体層上に、該p型半導体層と導電性を有し、開口を有する第1の電極層を積層する工程と、
前記開口から前記第1の電極層上に、光を反射する材料から成る第2の電極層を積層する工程と、
前記第2の電極層上に多層反射膜層を積層する工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008081564A JP2009238931A (ja) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008081564A JP2009238931A (ja) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009238931A true JP2009238931A (ja) | 2009-10-15 |
Family
ID=41252549
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008081564A Pending JP2009238931A (ja) | 2008-03-26 | 2008-03-26 | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2009238931A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013004546A (ja) * | 2011-06-10 | 2013-01-07 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
JP2017092477A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 発光デバイス |
CN107437551A (zh) * | 2016-05-25 | 2017-12-05 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
CN108400214A (zh) * | 2013-10-11 | 2018-08-14 | 世迈克琉明有限公司 | 半导体发光元件 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04340288A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-11-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 面形発光素子 |
JP2004071655A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
JP2005116794A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2006054420A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びに窒化物半導体発光素子を備えたフリップチップ構造の発光装置 |
WO2007105626A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光素子 |
JP2007258276A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子 |
-
2008
- 2008-03-26 JP JP2008081564A patent/JP2009238931A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04340288A (ja) * | 1991-01-28 | 1992-11-26 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 面形発光素子 |
JP2004071655A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子 |
JP2005116794A (ja) * | 2003-10-08 | 2005-04-28 | Mitsubishi Cable Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子 |
JP2006054420A (ja) * | 2004-08-11 | 2006-02-23 | Samsung Electro Mech Co Ltd | 窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びに窒化物半導体発光素子を備えたフリップチップ構造の発光装置 |
WO2007105626A1 (ja) * | 2006-03-10 | 2007-09-20 | Matsushita Electric Works, Ltd. | 発光素子 |
JP2007258276A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体発光素子 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013004546A (ja) * | 2011-06-10 | 2013-01-07 | Showa Denko Kk | 半導体発光素子及び半導体発光装置 |
CN108400214A (zh) * | 2013-10-11 | 2018-08-14 | 世迈克琉明有限公司 | 半导体发光元件 |
JP2017092477A (ja) * | 2015-11-13 | 2017-05-25 | 晶元光電股▲ふん▼有限公司 | 発光デバイス |
CN107437551A (zh) * | 2016-05-25 | 2017-12-05 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
CN107437551B (zh) * | 2016-05-25 | 2020-03-24 | 群创光电股份有限公司 | 显示装置及其制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US10243109B2 (en) | Light-emitting diode with improved light extraction efficiency | |
TWI555231B (zh) | 半導體發光元件 | |
JP4644193B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
US7863599B2 (en) | Light emitting diode | |
JP5582054B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
KR100887139B1 (ko) | 질화물 반도체 발광소자 및 제조방법 | |
JP5048960B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5012187B2 (ja) | 発光装置 | |
JP5494005B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP6485019B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP4875361B2 (ja) | 3族窒化物発光素子 | |
JP2009043934A (ja) | フリップチップ型発光素子 | |
TW201448263A (zh) | 透明發光二極體 | |
JP2005045038A (ja) | 窒化物半導体発光素子 | |
JP2012146926A (ja) | 発光素子、発光素子ユニットおよび発光素子パッケージ | |
JP2006210730A (ja) | 発光素子 | |
JP6149878B2 (ja) | 発光素子 | |
JP2010272592A (ja) | 半導体発光素子 | |
TW201505211A (zh) | 發光元件 | |
JP2012124429A (ja) | 発光素子、発光素子ユニット、発光素子パッケージおよび発光素子の製造方法 | |
JP2009238931A (ja) | 半導体発光素子およびそれを用いる照明装置ならびに半導体発光素子の製造方法 | |
JP2006229187A (ja) | 反射電極及びそれを備える化合物半導体の発光素子 | |
JP2005302803A (ja) | 窒化物半導体発光素子およびその製造方法 | |
JP2006237467A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
TW201442275A (zh) | 發光二極體裝置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101022 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20120111 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120515 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120516 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120713 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20130108 |