CN107437551B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本揭露涉及一种显示装置及其制造方法。显示装置包括基板、发光二极管、第一凸块、第一绝缘层以及第二绝缘层。发光二极管具有相对的第一表面与第二表面，其中第一表面面向基板。发光二极管通过第一凸块与基板连接。第一绝缘层配置于第一凸块与发光二极管的周侧且与第一凸块及第一表面接触。第二绝缘层配置于基板上且至少围绕部分第一绝缘层。本技术方案能缓冲发光二极管与基板进行接合时的作用力，对发光二极管提供遮光或保护等功效。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本揭露涉及一种装置及其制造方法，且尤其涉及一种显示装置及其制造方法。
背景技术
由于发光二极管(light emitting diode,LED)显示装置具有主动式发光、高亮度、高对比、低功耗等优势，且相较于有机发光二极管(organic light emitting diode,OLED)显示装置具有较长寿命等优点，因此近年来成为新型显示器大力发展的技术之一。为了满足高解析度的需求，发光二极管显示装置正朝向由主动元件阵列基板与阵列排列的微米尺寸的发光二极管组成的方向发展。
发明内容
本揭露提供一种显示装置，其具有提供保护的绝缘层结构。
本揭露提供一种显示装置的制造方法，其中绝缘层能缓冲发光二极管与基板进行接合时的作用力。
本揭露的显示装置包括基板、发光二极管、第一凸块、第一绝缘层以及第二绝缘层。发光二极管具有相对的第一表面与第二表面，其中第一表面面向基板。发光二极管通过第一凸块与基板连接。第一绝缘层配置于第一凸块与发光二极管的周侧且与第一凸块及第一表面接触。第二绝缘层配置于基板上且至少围绕部分第一绝缘层。
本揭露的显示装置的制造方法包括以下步骤。于一发光二极管上形成与发光二极管电性连接的至少一第一凸块。形成一第一绝缘层，其中第一绝缘层至少配置于第一凸块的周侧且与其接触，并至少围绕部分发光二极管。通过使第一凸块与一基板的一第一电极接合，以接合发光二极管与基板。于基板上形成一第二绝缘层，其中第二绝缘层至少围绕部分发光二极管。
基于上述，本揭露的第一绝缘层配置于凸块与发光二极管的周侧且与凸块及第一表面接触，以及第二绝缘层至少围绕部分第一绝缘层。因此，能缓冲发光二极管与基板进行接合时的作用力，以及对发光二极管提供遮光或保护等功效。如此一来，包括发光二极管的显示装置具有良好的元件特性或良率。
为让本揭露的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图。
图1B是图1A的局部放大图。
图2A至图2G是图1B的显示装置中的发光单元的制作方法的流程示意图。
图3A是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图。
图3B是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图。
图4是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图。
图5A是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图。
图5B是图5A的局部放大图。
图6是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图。
具体实施方式
图1A是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图，以及图1B是图1A的局部放大图。特别一提的是，虽然以下的实施例中是以显示装置包括多个发光二极管为例来进行说明，但本揭露不以此为限，在其他实施例中，显示装置也可以仅具有一个发光二极管。请同时参照图1A与图1B，在本实施例中，显示装置10包括基板100、发光二极管130、至少一凸块(第一凸块150、第二凸块152)、第一绝缘层160以及第二绝缘层170。
详细来说，基板100例如是包括基板102以及配置于基板102上的主动元件104以及与主动元件104电性连接的第一电极120以及第二电极122。在本实施例中，基板100例如是包括多个阵列排列的主动元件104、多个第一电极120以及多个第二电极122。在本实施例中，主动元件104例如是非晶硅薄膜晶体管、低温多晶硅薄膜晶体管、硅基式薄膜晶体管、微硅薄膜晶体管或透明薄膜晶体管等。此外，在本实施例中，主动元件104例如是包括栅极106、栅绝缘层108、通道层110、源极112与漏极114、介电层115、第一保护层116以及第二保护层118。其中，第一保护层116的材料例如是有机材料，第二保护层118的材料例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等无机材料，但不限于此。当然，虽然在本实施例中是以具有图1B所示的结构的薄膜晶体管作为主动元件，但在其他实施例中，薄膜晶体管也可以具有其他结构或以薄膜晶体管以外的其他元件作为主动元件。
在本实施例中，第一电极120与第二电极122例如是位于第二保护层118的表面上。其中，第一电极120例如是与漏极114电性连接，第二电极122例如是共用电极，但本揭露不以此为限。第一电极120与第二电极122的材料可以相同或不同。在本实施例中，第一电极120例如是正极，其材料例如是铜、钛、镍、银、金、铟或其他合适的导电材料，但不限于此。第二电极122例如是负极，其材料例如是铜、钛、镍、银、金、铟或其他合适的导电材料，但不限于此。在本实施例中，第二电极122例如是接地电极。在本实施例中主动元件104、第一电极120以及第二电极122的数量是以多个为例，但本揭露不局限于此，其他实施例中的主动元件104、第一电极120以及第二电极122的数量也可以是一个。
在本实施例中，显示装置10例如是包括第一凸块150与第二凸块152。第一凸块150例如是对应于第一电极120设置，第二凸块152例如是对应于第二电极122设置。第一凸块150与第二凸块152可以是实心或空心结构。第一凸块150与第二凸块152的材料例如是由铜、银、金、镍、钛、锡、铟、锗、铂、钯等的金属所组合的二元、三元或多元合金，但不限于此。第一凸块150与第二凸块152的厚度例如是0.1微米至20微米。第一凸块150与第二凸块152的厚度例如是发光二极管130的宽度的1％～25％，举例来说，以发光二极管130的宽度为约40微米为例，则第一凸块150的厚度可为约3微米，而第二凸块152的厚度可为约4微米。
在本实施例中，显示装置10例如是包括多个发光二极管130，其例如是阵列排列于基板100上。发光二极管130例如是覆晶式发光二极管，其可为有机发光二极管、微型发光二极管或其他二极管。发光二极管130具体化包括红光发光二极管、绿光发光二极管、蓝光发光二极管或其他颜色的发光二极管。发光二极管130的宽度例如是介于5微米至200微米之间，厚度例如是介于1微米至20微米之间，以及主要出光面积例如是约为10％～60％，举例来说，以发光二极管130的宽度为约40微米为例，主要出光面积例如是约为25％。发光二极管130通过第一凸块150与第二凸块152分别与第一电极120与第二电极122电性连接，进而与基板100电性连接。
请参照图1B，发光二极管130例如是包括未掺杂半导体层131、第一型半导体层132a、主动层134、第二型半导体层132b、第一型电极136a、第二型电极136b以及绝缘层140。在本实施例中，发光二极管130例如是还包括导体层138，配置于第一型半导体层132a与第一型电极136a之间，以提高两者之间的导电性。在本实施例中，第一型电极136a与第二型电极136b例如是焊垫。在本实施例中，第一型电极136a例如是通过第一凸块150与对应的第一电极120电性连接，第二型电极136b例如是通过第二凸块152与对应的第二电极122电性连接。在本实施例中，第一型例如是p型，第二型例如是n型，第一电极120例如是正极，第二电极122例如是负极。
在本实施例中，发光二极管130包括相对的第一表面130a与第二表面130b。第一表面130a例如是面向基板100的内表面，而第二表面130b例如是背向基板100的外表面。在本实施例中，由于发光二极管130是覆晶式微型发光二极管，因此第一电极120与第二电极122例如是位于发光二极管130的同一侧，且第一电极120与第二电极122皆位于发光二极管130的第一表面130a与基板100之间。
在本实施例中，第一绝缘层160配置于第一凸块150与第二凸块152中至少一者与发光二极管130的周侧且与第一凸块150与第二凸块152中的所述至少一者及第一表面130a接触。在本实施例中，第一绝缘层160例如是围绕包覆第一凸块150与第二凸块152且围绕发光二极管130。此外，第一绝缘层160还配置于相邻的第一凸块150与第二凸块152之间。具体而言，第一绝缘层160例如是实质上填满发光二极管130、第一凸块150以及第二凸块152之间所形成的容置空间SP并围绕第一凸块150、第二凸块152以及发光二极管130，以对发光二极管130、第一凸块150以及第二凸块152提供支撑、保护以及稳定的功能。其中，第一绝缘层160的底面与第一电极120及第二电极122的顶面例如是齐平。此外，在本实施例中，第一绝缘层160还与基板100的最上表面(即第二保护层118的上表面)接触，如此可进一步强化稳定前述元件的功能。第一绝缘层160的材料可为透明材料、可吸光的黑色材料或可反光的白色材料，但不限于此。具体来说，第一绝缘层160的材料包括胶材(glue)、树脂、氧化硅、氮化硅或底胶材料(underfiller)，但不限于此。第一绝缘层160的厚度例如是介于1微米至20微米之间，举例来说，以发光二极管130的宽度为约40微米为例，图3A中的第一绝缘层160的厚度约为5微米，而图3B中的第一绝缘层160的厚度约为8微米。再者，虽然在本实施例中是以第一绝缘层160为实心为例，但在其他实施例中，第一绝缘层160也可以实质上包括空气间隙。此外，虽然在本实施例中是以第一绝缘层160暴露出部分第一电极120与部分第二电极122(即暴露出外缘部分)，但在一实施例中(未示出)，第一绝缘层160也可以覆盖第一电极120与第二电极122中至少一者的外缘。
在本实施例中，第二绝缘层170配置于基板100上且至少围绕部分发光二极管130。在本实施例中，第二绝缘层170进一步围绕部分第一绝缘层160。具体而言，将第一凸块150、第二凸块152、发光二极管130以及第一绝缘层160定义为一发光单元，则第二绝缘层170例如是围绕发光单元且位于两相邻的发光单元之间。如此一来，第二绝缘层170能进一步稳固发光单元的位置，使得发光单元分别妥善地对应配置于基板100上。此外，第一绝缘层160与第二绝缘层170中至少一者覆盖第一电极120与第二电极122。具体来说，第一绝缘层160例如是暴露第一电极120与第二电极122的外缘部分，而第二绝缘层170覆盖之。第一绝缘层160与第二绝缘层170的材料可以相同或不同。第二绝缘层170的材料可为透明材料、可吸光的黑色材料或可反光的白色材料，但不限于此。具体来说，第二绝缘层170的材料包括胶材(glue)、树脂或底胶材料(underfiller)，但不限于此。第二绝缘层170的厚度例如是介于0.1微米至5.0微米之间。在本实施例中，第二绝缘层170的顶面例如是不高于发光二极管130的第二表面130b，但本揭露不以此为限。再者，在一实施例中(未示出)，显示装置10可以还包括对向基板，其与基板对向配置，使得发光二极管130位于两者之间，另再参阅图3B所示，第一凸块150与第一电极120于两者接合处的外周侧形成第一外扩部153，而第二凸块152与第二电极122于两者接合处的外周侧形成第二外扩部154。
接下来将说明显示装置的制造方法。图2A至图2G是图1B的显示装置中的发光单元的制作方法的流程示意图。请参照图2A，首先，于磊晶基板S上依序形成未掺杂半导体层131、第二型半导体层132b、主动层134、第一型半导体层132a以及导体层138。其中，对于蓝色与绿色发光二极管来说，磊晶基板S例如是蓝宝石(Sapphire)等基板，以及磊晶于其上的材料层可以是以InGaN为主的材料。对于红色发光二极管来说，磊晶基板S可以是GaAs等基板，以及磊晶于其上的材料层可以是以AlGaInP为主的材料，但不限于此。具体来说，未掺杂半导体层131的材料例如是InGaN或其他合适的材料。第一型半导体层132a例如是掺杂有第一型掺质的GaN或其他合适的材料，诸如掺杂有镁的GaN。主动层134例如是多量子井，其材料例如是InGaN/GaN或其他合适的材料，但不限于此。第二型半导体层132b例如是掺杂有第二型掺质的GaN或其他合适的材料，诸如掺杂有硅的GaN，但不限于此。未掺杂半导体层131、第二型半导体层132b、主动层134以及第一型半导体层132a的形成方法例如是有机金属气相沉积法，但不限于此。导体层138的材料例如是ITO等透明导电材料、镍、银或铂等金属或透明导电材料与布拉格反射器的组合，但不限于此。导体层138的形成方法例如是蒸镀法，但不限于此。
请参照图2B，接着，移除部分第二型半导体层132b、主动层134、第一型半导体层132a以及导体层138，以暴露出部分第二型半导体层132b。如此一来，形成岛状结构(mesa)，其中主动层134、第一型半导体层132a以及导体层138配置于部分第二型半导体层132b上。移除部分第二型半导体层132b、主动层134、第一型半导体层132a的方法例如是蚀刻制程，诸如感应耦合式等离子体蚀刻(ICP)，但不限于此。
请参照图2C，然后，分别于第一型半导体层132a与第二型半导体层132b上形成第一型电极136a与第二型电极136b，以形成发光二极管130。第一型电极136a与第二型电极136b的材料例如是包括铬、铂、金或上述的合金，但不限于此。在本实施例中，例如是于导体层138上形成第一型电极136a。而后，于所形成的结构的暴露表面上形成绝缘层140，其中绝缘层140覆盖第一型电极136a与第二型电极136b的上表面以外的结构表面。绝缘层140的材料例如是氧化硅，但不限于此。绝缘层140的形成方法例如是化学沉积制程，但不限于此。
请参照图2D，接着，分别于第一型电极136a与第二型电极136b上形成第一凸块150与第二凸块152。第一凸块150与第二凸块152的形成方法例如是电镀法，但不限于此。第一凸块150与第二凸块152例如是具有相同的高度，因此第一凸块150的顶部例如是高于第二凸块152的顶部。
请参照图2E，然后，于第一凸块150与第二凸块152上形成第一绝缘层160。在本实施例中，第一绝缘层160例如是围绕岛状结构的整个侧壁。具体来说，第一绝缘层160例如是包围未掺杂半导体层131与第二型半导体层132b的整个侧壁。在本实施例中，第一绝缘层160的形成方法例如是涂布法，但不限于此。第一绝缘层160的高度例如是与第一凸块150齐平。
请参照图2F，而后，移除部分第一绝缘层160以及第一凸块150，使得第一凸块150、第二凸块152以及第一绝缘层160的顶部齐平。在本实施例中，例如是以第二凸块152的顶部作为研磨终点，对第一凸块150与第一绝缘层160进行一研磨制程。研磨制程可以是化学机械研磨制程，但不限于此。
请参照图2G，接着，使前述所形成的结构与磊晶基板S分离。在本实施例中，对于蓝色与绿色发光二极管来说，分离的方法例如是激光剥离法，但不限于此。激光剥离法可使用波长为248nm的激光进行。对于红色发光二极管来说，分离的方法例如是化学剥离法，但不限于此。化学剥离法例如是使用氨水与过氧化氢或磷酸与过氧化氢等剥离液体，但不限于此。
然后，如图1A与图1B所示，将与磊晶基板S分离的发光单元与基板100接合(bonding)，并于接合后形成第二绝缘层170。特别一提的是，在将发光单元接合至基板100的过程中，会进行约50℃至250℃的加热制程，以软化第一电极120及第二电极122与发光二极管130之间的第一凸块150及第二凸块152，并由第一凸块150及第二凸块152接合发光二极管130于第一电极120及第二电极122上。一般来说，此加热制程容易导致材料热膨胀系数不匹配的问题。然而，在本实施例中，由于采用第一绝缘层160结构，因此能有效地减缓材料热膨胀系数不匹配的问题，进而提升晶粒接合后的良率。再者，虽然在本实施例中是示出第一绝缘层160的底面与第一电极120及第二电极122的顶面齐平为例，但在另一实施例中，如图3A所示，于接合期间，第一绝缘层160也有可能进一步填入第一电极120及第二电极122之间的空隙。此时，本案所述的容置空间SP形成于发光二极管130、第一凸块150、第二凸块152、第一电极120、第二电极122以及基板100之间，而第一绝缘层160例如是填满容置空间SP。
值得一提的是，在本实施例中，是以第一绝缘层160围绕未掺杂半导体层131与第二型半导体层132b的整个侧壁为例，但本揭露不以此为限。举例来说，在另一实施例中，如图3B所示，第一绝缘层160也可以暴露出发光二极管130的部分侧壁，诸如暴露未掺杂半导体层131与第二型半导体层132b的侧壁。再者，在一实施例中，如图4所示，第二绝缘层170的顶面也可以高于发光二极管130的第二表面130b且覆盖发光二极管130，另，为避免全反射的现象，此时第二绝缘层170的折射率需高于第一绝缘层169的折射率。
在本实施例中，第一绝缘层160配置于第一凸块150、第二凸块152以及发光二极管130的周侧且与第一凸块150、第二凸块152以及第一表面130a接触，因此对发光二极管130提供支撑作用。再者，在发光二极管130自磊晶基板S剥离的分离步骤中以及发光二极管130与基板100进行结合的接合步骤中，能对所产生的应力提供缓冲功能且减缓因加热所致的材料热膨胀系数不匹配问题。如此一来，包括发光二极管130的显示装置10具有良好的良率。再者，由于第一绝缘层160进一步与基板100的外表面接触，使得第一凸块150与第二凸块152能更稳定地固定于基板100上，使得发光二极管130与基板100具有更佳的接合。再者，除了使第一绝缘层160进一步围绕发光二极管130以外，亦于发光二极管130之间配置第二绝缘层170，因此第一绝缘层160与第二绝缘层170能对发光二极管130提供遮光与保护等功效，使得像素的出光不会互相干扰。故，显示装置10具有良好的元件特性。
在上述的实施例中，是以将本揭露应用于覆晶式发光二极管中为例，但本揭露不限于此，因此，以下将介绍将本揭露应用于垂直式发光二极管。特别一提的是，以下针对显示装置的整体架构进行说明，其中构件的详细介绍可参照前文中所述，于此不赘述。图5A是依照本揭露的一实施例的显示装置的剖面示意图，以及图5B是图5A的局部放大图。请同时参照图5A与图5B，显示装置10包括具有第一电极120与第二电极122的基板100、发光二极管130、第一凸块150、第一绝缘层160以及第二绝缘层170。在本实施例中，发光二极管130例如是微型垂直式发光二极管，因此发光二极管130可通过第一凸块150与基板100接合，而省略第二凸块的配置。第一电极120与第二电极122例如是位于发光二极管130的相对两侧。也就是说，第一电极120、第一凸块150、发光二极管130以及第二电极122例如是垂直堆叠于基板100上。在本实施例中，第一电极120例如是与漏极114电性连接，第二电极122例如是共用电极，但本揭露不以此为限。
在本实施例中，发光二极管130具有如图5B所示的结构。具体而言，发光二极管130例如是包括第一型电极136a、第一型半导体层132a、主动层134、第二型半导体层132b以及第二型电极136b。其中，第一型电极136a通过第一凸块150与第一电极120接合。第二型电极136b可直接与第二电极122连接。在本实施例中，发光二极管130例如是还包括绝缘层140，其例如是覆盖第一型电极136a、第一型半导体层132a、主动层134、第二型半导体层132b的侧表面。在本实施例中，第一型电极136a例如是导体层，其材料例如是包括镍、银、金或上述的合金，但不限于此。第二型电极136b例如是焊垫，其材料例如是包括铬、铂、金或上述的合金，但不限于此。发光二极管130的宽度例如是介于5微米至200微米之间，厚度例如是介于1微米至20微米之间，以及主要出光面积约为10％～60％，举例来说，以发光二极管130的宽度为约40微米为例，主要出光面积约为16％。发光二极管130具有相对的第一表面130a与第二表面130b，其中第一表面130a与第二表面130b分别是邻近与远离基板100的表面。
在本实施例中，第一绝缘层160例如是配置于第一凸块150与发光二极管130的周侧且与第一凸块150及第一表面130a接触。此外，在本实施例中，第一绝缘层160进一步围绕发光二极管130的侧壁。在本实施例中，第二绝缘层170配置于基板100上且至少围绕第一绝缘层160的外侧。在本实施例中，第二绝缘层170暴露出第二电极122。值得一提的是，在本实施例中，是以第一绝缘层160围绕发光二极管130的侧壁为例，但本揭露不以此为限。举例来说，在另一实施例中，如图6所示，第一绝缘层160也可以暴露出发光二极管130的侧壁。再者，在一实施例中(未示出)，依据需求，也可以使得第二绝缘层170覆盖发光二极管130。
在本实施例中，显示装置10的制造方法例如是包括以下步骤，其中膜层的材料与形成方法可以参照前一实施例中所述，于此描述主要不同处。首先，于磊晶基板(未示出)上依序形成第二型半导体层132b、主动层134、第一型半导体层132a以及第一型电极136a。于此，第一型电极136a的材料例如是镍、银或铂等金属或透明导电材料与布拉格反射器的组合，但不限于此。接着，对第二型半导体层132b、主动层134、第一型半导体层132a以及第一型电极136a进行蚀刻制程，以形成岛状结构。然后，于岛状结构上形成绝缘层140。
而后，于第一型电极136a上形成第一凸块150，并于前述所形成的结构上形成第一绝缘层160。接着，使前述结构与磊晶基板分离，并与基板100接合。在接合期间，还包括对第一凸块150与第一电极120进行加热制程，其中位于第一凸块150与发光二极管130周侧的第一绝缘层160能缓冲其与基板100进行接合时的作用力，以及避免材料热膨胀系数不匹配的问题。
于接合基板100后，形成第二型电极136b，以完成发光二极管130的制作。然后，于基板100上形成第二绝缘层170，其至少暴露出部分第二型电极136b。之后，于第二绝缘层170上形成第二电极122，其与第二型电极136b电性连接。此外，第一绝缘层160与第二绝缘层170中至少一者覆盖第一电极120。具体来说，第一绝缘层160例如是暴露第一电极120与第二电极122的外缘部分，而第二绝缘层170覆盖之。
在上述的实施例中，第一绝缘层160配置于第一凸块150与发光二极管130的周侧且与第一凸块150及第一表面130a接触，因此对发光二极管130提供支撑作用。再者，在发光二极管130自磊晶基板(未示出)剥离的分离步骤中以及发光二极管130与基板100进行结合的接合步骤中，能对所产生的应力提供缓冲功能且减缓因加热所致的材料热膨胀系数不匹配问题。如此一来，包括发光二极管130的显示装置10具有良好的良率。再者，由于第一绝缘层160与第二绝缘层170同时围绕发光二极管130的周侧，因此能对发光二极管130提供良好的保护功效。此外，第一绝缘层160与第二绝缘层170亦对发光二极管130提供遮光等功效，使得像素的出光不会互相干扰。故，显示装置10具有良好的元件特性。另一方面，虽然在本实施例中是以第一绝缘层160暴露出部分第一电极120(即暴露出外缘部分)为例，但在一实施例中(未示出)，第一绝缘层160也可以覆盖第一电极120的外缘。
综上所述，本揭露的第一绝缘层配置于凸块与发光二极管的周侧且与凸块及第一表面接触，以缓冲发光二极管与磊晶基板分离以及与基板进行接合时的作用力，以降低应力对其的影响。再者，第一绝缘层能进一步围绕发光二极管，使得第一绝缘层对发光二极管提供良好的支撑功能。此外，第一绝缘层可以与基板的外表面接触，使得凸块能更稳定地固定于基板上，进而发光二极管与基板具有良好的接合。另一方面，第二绝缘层环绕部分第一绝缘层且配置于发光二极管之间，因此亦对发光二极管提供遮光或保护等功效，使得像素的出光不会互相干扰。故，包括发光二极管的显示装置具有良好的元件特性或良率。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本揭露的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本揭露进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本揭露各实施例技术方案的范围。

Claims (18)

1.一种显示装置，包括：
基板；
发光二极管，具有相对的第一表面与第二表面，其中所述第一表面面向所述基板；
第一凸块，其中所述发光二极管通过所述第一凸块与所述基板电性连接；
第一绝缘层，配置于所述第一凸块的周侧且围绕所述发光二极管的整个侧壁，并与所述第一凸块及所述第一表面接触；以及
第二绝缘层，配置于所述基板上且围绕所述第一绝缘层的整个侧壁。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述基板还包括至少一第一电极，所述发光二极管通过所述第一凸块与对应的所述第一电极电性连接。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述基板还包括至少一第二电极，且所述第一电极与所述第二电极位于所述发光二极管的同一侧。
4.根据权利要求3所述的显示装置，其中还包括第二凸块，每一所述发光二极管还通过所述第一凸块与所述第一电极电性连接及通过所述第二凸块与所述第二电极电性连接，以及所述第一绝缘层还配置于相邻的所述第一凸块与所述第二凸块之间。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述第一绝缘层填满所述发光二极管、所述第一凸块以及所述第二凸块之间所形成的容置空间。
6.根据权利要求5所述的显示装置，其中所述第一绝缘层还填入所述第一电极与所述第二电极之间的空隙。
7.根据权利要求3所述的显示装置，其中所述第一绝缘层至少与部分所述基板接触。
8.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述第一绝缘层与所述第二绝缘层中至少一者覆盖所述至少一所述第一电极。
9.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述基板还包括至少一第二电极，且所述第一电极与所述第二电极位于所述发光二极管的相对两侧。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述第二绝缘层暴露出所述第二电极。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的材料包括胶体或树脂，所述第二绝缘层的材料包括透明材料、黑色材料或白色材料。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二绝缘层的顶面不高于所述发光二极管的所述第二表面。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二绝缘层的顶面高于所述发光二极管的所述第二表面。
14.一种显示装置的制造方法，包括：
于发光二极管上形成与所述发光二极管电性连接的至少一第一凸块；
形成第一绝缘层，其中所述第一绝缘层至少配置于所述第一凸块的周侧且与其接触，并围绕所述发光二极管的整个侧壁；
通过使所述第一凸块与基板的第一电极接合，以接合所述发光二极管与所述基板；以及
于所述基板上形成第二绝缘层，其中所述第二绝缘层围绕所述发光二极管的整个侧壁。
15.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中所述发光二极管、所述第一凸块以及所述第一绝缘层形成于磊晶基板上，在接合前还包括使所述发光二极管、所述第一凸块以及所述第一绝缘层与所述磊晶基板分离。
16.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，在接合期间，还包括对所述第一凸块与所述第一电极进行加热制程。
17.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，其中所述第一绝缘层部分会形成于所述发光二极管的侧壁周围。
18.根据权利要求14所述的显示装置的制造方法，还包括于所述第二绝缘层上形成与所述发光二极管电性连接的所述基板的第二电极。
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