DE102017112076A1 - Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements - Google Patents

Optoelektronisches bauelement und verfahren zum herstellen eines optoelektronischen bauelements Download PDF

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Ralf Staub
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Abstract

Ein optoelektronisches Bauelement weist ein reflektierendes Material mit einer Oberfläche auf. Mindestens ein optoelektronischer Halbleiterchip ist derart in das reflektierende Material eingebettet, dass zumindest eine zur Emission elektromagnetischer Strahlung ausgebildete Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips nicht von dem reflektierenden Material bedeckt wird. Die Oberfläche des reflektierenden Materials ist parallel zur Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips verlaufend ausgebildet und von einer Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips abgewandt. Die Oberfläche des reflektierenden Materials weist einen Kontrastbereich auf, wobei das reflektierende Material im Kontrastbereich oberflächlich abgetragen und geschwärzt ist.

Description

  • Die vorliegende Erfindung betrifft ein optoelektronisches Bauelement sowie ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements gemäß den unabhängigen Ansprüchen.
  • Aus dem Stand der Technik sind optoelektronische Bauteile bekannt, die eine definierte Lichtverteilung erzeugen. Hell-Dunkel-Grenzen können beispielsweise durch das Anbringen einer Leuchtfläche am Verpackungsrand hervorgerufen werden. Eine weitere Möglichkeit besteht in der Anordnung zusätzlicher Strukturen, beispielsweise eines Rahmens, der eine Hell-Dunkel-Grenze definiert. Aus dem Stand der Technik ist weiterhin die Verwendung schwarzer Materialien zur Erzeugung definierter Lichtverteilungen bekannt.
  • Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein optoelektronisches Bauelement bereitzustellen. Eine weitere Aufgabe ist es, ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements anzugeben. Diese Aufgaben werden durch ein optoelektronisches Bauelement mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs 1 und durch ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements mit den Merkmalen des unabhängigen Anspruchs 9 gelöst.
  • Ein optoelektronisches Bauelement weist ein reflektierendes Material mit einer Oberfläche auf. Mindestens ein optoelektronischer Halbleiterchip ist derart in das reflektierende Material eingebettet, dass zumindest eine zur Emission elektromagnetischer Strahlung ausgebildete Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips nicht von dem reflektierenden Material bedeckt wird. Die Oberfläche des reflektierenden Materials ist parallel zur Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips verlaufend ausgebildet und von einer Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips abgewandt. Die Oberfläche des reflektierenden Materials weist einen Kontrastbereich auf. Im Kontrastbereich ist das reflektierende Material oberflächlich abgetragen. Vorteilhafterweise ermöglicht das optoelektronische Bauelement aufgrund seines Kontrastbereichs, die Erzeugung einer definierten Verteilung der vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung. Der Kontrastbereich definiert dabei eine Hell-Dunkel-Grenze, da der Kontrastbereich dazu ausgebildet ist, elektromagnetische Strahlung zu absorbieren, während vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierte elektromagnetische Strahlung an der Oberfläche des reflektierenden Materials außerhalb des Kontrastbereichs reflektiert wird.
  • In einer Ausführungsform ist das reflektierende Material im Kontrastbereich geschwärzt. Vorteilhafterweise erhöht eine Schwärzung des Kontrastbereichs die Absorption elektromagnetischer Strahlung.
  • In einer Ausführungsform weist das reflektierende Material ein Silikon auf. Vorteilhafterweise kann ein reflektierendes Material, welches Silikon aufweist, geschwärzt werden. Weiterhin beruht die Leistungsfähigkeit von Silikonen auf der Modifikation ihrer chemischen Struktur, wodurch eine Vielfalt an Materialeigenschaften zugänglich ist. Beispielsweise können optische Eigenschaften gezielt eingestellt werden. Außerdem eignen sich Silikone zur Isolation und können somit dem Korrosionsschutz dienen. Ferner wird ein in ein Silikon eingebetteter optoelektronischer Halbleiterchip vor mechanischen Erschütterungen geschützt.
  • In einer Ausführungsform beträgt ein Verhältnis des Reflexionsvermögens zwischen dem nicht geschwärzten Teil der Oberfläche des reflektierenden Materials und dem Kontrastbereich mindestens 250:1, insbesondere mindestens 300:1. Vorteilhafterweise kann ein optoelektronisches Bauelement, welches ein solches Verhältnis hinsichtlich des Reflexionsvermögens zwischen dem nicht geschwärzten Teil der Oberfläche des reflektierenden Materials und dem Kontrastbereich aufweist, definierte Verteilungen der vom optoelektronischen Halbleiterchip emittierten elektromagnetischen Strahlung erzeugen.
  • In einer Ausführungsform ist der optoelektronische Halbleiterchip auf einem Träger angeordnet. In einer Ausführungsform ist der Träger ein Leiterrahmen, eine gedruckte Leiterplatte oder eine Keramik. In einer Ausführungsform ist der optoelektronische Halbleiterchip ein Leuchtdiodenchip.
  • In einer Ausführungsform ist das optoelektronische Bauelement ein Automobilscheinwerfer. Vorteilhafterweise kann ein Automobilscheinwerfer, der eine definierte Hell-Dunkel-Grenze aufweist, dazu ausgebildet sein, elektromagnetische Strahlung in einen gewünschten Raumwinkel zu emittieren. Dies kann beispielsweise dazu dienen, den Gegenverkehr möglichst wenig zu blenden.
  • Ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements weist folgende Verfahrensschritte auf. Es wird zumindest ein optoelektronischer Halbleiterchip bereitgestellt, der eine zur Emission elektromagnetischer Strahlung ausgebildete Oberseite aufweist. Der optoelektronische Halbleiterchip wird in ein reflektierendes Material eingebettet, wobei der optoelektronische Halbleiterchip derart in das reflektierende Material eingebettet wird, dass zumindest die Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips nicht von dem reflektierenden Material bedeckt wird. Eine Oberfläche des reflektierenden Materials wird dabei parallel zur Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips und von einer Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips abgewandt ausgebildet. Es wird ein Kontrastbereich erzeugt, indem das reflektierende Material oberflächlich abgetragen wird. Vorteilhafterweise zeichnet sich das Verfahren dadurch aus, dass zur Erzeugung einer definierten Hell-Dunkel-Grenze keine weiteren Materialien auf der Oberfläche des reflektierenden Materials angeordnet werden müssen. Damit werden Prozess- und Materialkosten gesenkt.
  • In einer Ausführungsform wird das reflektierende Material beim Erzeugen des Kontrastbereichs geschwärzt.
  • In einer Ausführungsform werden der optoelektronische Halbleiterchip und das reflektierende Material auf einem Träger angeordnet.
  • In einer Ausführungsform wird der Kontrastbereich durch Laserablation erzeugt. Vorteilhafterweise weist ein Kontrastbereich, der mittels Laserablation hergestellt wurde, definierte Konturen auf.
  • In einer Ausführungsform wird bei der Laserablation ein UV-Laser verwendet. Vorteilhafterweise kann mit einem UV-Laser ausreichend Leistung auf der Oberfläche des reflektierenden Materials deponiert werden, um die Ausbildung eines Plasmas zu erreichen. Dadurch wird das reflektierende Material oberflächlich abgetragen und geschwärzt.
  • In einer Ausführungsform erfolgt bei der Erzeugung des Kontrastbereichs auf der Oberfläche des reflektierenden Materials die Schwärzung durch eine Karbonisierung des reflektierenden Materials. Vorteilhafterweise weist das reflektierende Material infolge der Karbonisierung im Kontrastbereich Ruß auf, welches ein geringes Reflexionsvermögen aufweist.
  • In einer Ausführungsform wird das reflektierende Material durch folienunterstütztes Spritzpressen angeordnet. Vorteilhafterweise bietet das folienunterstützte Spritzpressen die Möglichkeit, einen optoelektronischen Halbleiterchip derart in das reflektierende Material einzubetten, dass seine Oberseite frei von dem reflektierenden Material bleibt.
  • Die oben beschriebenen Eigenschaften, Merkmale und Vorteile dieser Erfindung sowie die Art und Weise, wie diese erreicht werden, sind klarer und deutlicher verständlich im Zusammenhang mit der folgenden Beschreibung der Ausführungsbeispiele, die im Zusammenhang mit den Zeichnungen näher erläutert werden. Dabei zeigen in jeweils schematischer Darstellung:
    • 1: eine schematische Seitenansicht des folienunterstützten Spritzpressens;
    • 2: eine schematische Seitenansicht eines in ein reflektierendes Material eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchips;
    • 3: eine schematische Seitenansicht des optoelektronischen Bauelements;
    • 4: eine schematische Draufsicht auf das optoelektronische Bauelement.
  • 1 zeigt in einer schematischen Seitenansicht ein Einbetten eines optoelektronischen Halbleiterchips 30 in ein reflektierendes Material 40 mittels folienunterstütztem Spritzpressen (engl. Film Assisted Transfer Molding).
  • Der optoelektronische Halbleiterchip 30 weist eine Oberseite 31, eine Unterseite 32 und Kanten 33 auf. Der optoelektronische Halbleiterchip 30 ist mit seiner Unterseite 32 auf einem Träger 20 angeordnet. Die Oberseite 31 des optoelektronischen Halbleiterchips 30 ist dazu ausgebildet, elektromagnetische Strahlung zu emittieren. Der optoelektronische Halbleiterchip 30 kann beispielsweise ein Leuchtdiodenchip sein.
  • In der in 1 gezeigten Darstellung ist nur ein optoelektronischer Halbleiterchip 30 auf dem Träger 20 angeordnet. Es können aber auch mehrere optoelektronische Halbleiterchips 30 auf dem Träger 20 angeordnet sein. Der Träger 20 kann beispielsweise ein Leiterrahmen, eine gedruckte Leiterplatte oder eine Keramik sein. Der Träger 20 kann aber auch ein anderes Substrat sein. Der Träger 20 weist Kanten 21 auf.
  • Zum Einbetten des optoelektronischen Halbleiterchips 30 in das reflektierende Material 40 wird beim folienunterstützten Spritzpressen ein Formwerkzeug 50 verwendet. Das Formwerkzeug 50 weist einen oberen Teil 51 und einen unteren Teil 52 auf. Der obere Teil 51 und der untere Teil 52 des Formwerkzeugs 50 schließen eine Formkaverne 53 ein. Die Formkaverne 53 weist eine Wandung 54 auf. Am oberen Teil 51 des Formwerkzeugs 50 ist an der Wandung 54 der Formkaverne 53 eine erste Folie 60 angeordnet. Am unteren Teil 52 des Formwerkzeugs 50 ist an der Wandung 54 der Formkaverne 53 eine zweite Folie 61 angeordnet. Die erste und die zweite Folie 60, 61 können beispielsweise Teflonfolien sein.
  • Das reflektierende Material 40 wird innerhalb der Formkaverne 53 angeordnet. Das reflektierende Material 40 kann beispielsweise ein Silikon aufweisen. Damit die Oberseite 31 des optoelektronischen Halbleiterchips 30 frei von dem reflektierenden Material 40 bleibt, ist die Oberseite 31 des optoelektronischen Halbleiterchips 30 beim Anordnen des reflektierenden Materials 40 an die Folie 60 gepresst.
  • 2 zeigt in einer schematischen Seitenansicht den in das reflektierende Material 40 eingebetteten optoelektronischen Halbleiterchip 30 nach der Entnahme aus dem Formwerkzeug 50.
  • Das reflektierende Material 40 weist eine Oberfläche 41 auf, die parallel zur Oberseite 31 des optoelektronischen Halbleiterchips 30 verlaufend ausgebildet ist. Weiterhin ist die Oberfläche 41 des reflektierenden Materials 40 von der Unterseite 32 des optoelektronischen Halbleiterchips 30 abgewandt. Die zur Emission elektromagnetischer Strahlung ausgebildete Oberseite 31 des optoelektronischen Halbleiterchips 30 ist nicht von dem reflektierenden Material 40 bedeckt.
  • 3 zeigt in einer schematischen Seitenansicht ein fertiggestelltes optoelektronisches Bauelement 10 nach einem der Darstellung der 2 nachfolgenden Bearbeitungsschritt. Das optoelektronische Bauelement 10 weist einen Kontrastbereich 70 auf. Im Kontrastbereich 70 ist das reflektierende Material 40 oberflächlich abgetragen. Zusätzlich kann das reflektierende Material (40) im Kontrastbereich (70) geschwärzt sein.
  • Der Kontrastbereich 70 kann beispielsweise mittels Laserablation erzeugt werden. Unter Laserablation versteht man den Beschuss einer Oberfläche mit gepulster Laserstrahlung. Bei der Verwendung von Laserstrahlung mit einer hohen Leistungsdichte findet eine rapide Erhitzung der Oberfläche 41 des reflektierenden Materials 40 statt. Merkmal der Laserablation ist, dass es infolge einer Ionisation des reflektierenden Materials 40 zur Ausbildung eines Plasmas an der Oberfläche 41 des reflektierenden Materials 40 kommt. Dabei wird das reflektierende Material 40 oberflächlich abgetragen. Die Ionisation des reflektierenden Materials 40 kann thermisch, durch das eingestrahlte Laserlicht oder durch Elektronenstoßionisation erfolgen. Typischerweise werden bei der Laserablation einige Mikrometer der Oberfläche 41 des reflektierenden Materials 40 abgetragen.
  • Die Schwärzung des reflektierenden Materials 40 kann durch eine Karbonisierung des reflektierenden Materials 40 erfolgen. Dadurch weist das reflektierende Material 40 im Kontrastbereich 70 Ruß auf. Durch die Karbonisierung des reflektierenden Materials 40 liegt im Kontrastbereich 70 ein reduziertes Reflexionsvermögen des reflektierenden Materials 40 vor. Der Kontrastbereich 70 kann auch mit einem anderen Verfahren, das zur Schwärzung des reflektierenden Materials 40 geeignet ist, erzeugt werden. Beispielsweise kann die Oberfläche 41 des reflektierenden Materials 40 auch mit Elektronen oder Ionen bestrahlt werden. Denkbar ist beispielsweise auch eine nasschemische Schwärzung der Oberfläche 41 des reflektierenden Materials 40 zur Erzeugung des Kontrastbereichs 70, wobei die nicht zu schwärzenden Bereiche der Oberfläche 41 des reflektierenden Materials 40 zuvor passiviert werden könnten.
  • Um die zur Laserablation erforderlichen Leistungsdichten zu erreichen, kann beispielsweise ein UV-Laser verwendet werden. Ein Vorteil der Erzeugung eines Kontrastbereichs 70 mittels Laserablation besteht darin, dass eine gute Ortsauflösung erreicht werden kann. Dadurch weist der Kontrastbereich 70 definierte Konturen 71 auf. Dies begünstigt die Erzeugung definierter Verteilungen der vom optoelektronischen Halbleiterchip 30 emittierten elektromagnetischen Strahlung.
  • Ein Verhältnis des Reflexionsvermögens zwischen dem nicht geschwärzten Teil der Oberfläche 41 des reflektierenden Materials 40 und dem Kontrastbereich 70 kannmindestens 250:1, insbesondere mindestens 300:1 betragen.
  • 4 zeigt eine schematische Darstellung des optoelektronischen Bauelements 10 in Draufsicht.
  • Im dargestellten Beispiel weist das optoelektronische Bauelement 10 nur einen optoelektronischen Halbleiterchip 30 auf. Es kann aber auch eine Vielzahl von optoelektronischen Halbleiterchips 30 in das reflektierende Material 40 eingebettet sein. Auch die Form des optoelektronischen Halbleiterchips 30 kann von der in 4 gezeigten rechteckigen Form abweichen.
  • Weiterhin ist der optoelektronische Halbleiterchip 30 im dargestellten Beispiel mittig auf dem Träger 20 angeordnet. Auch dies ist nicht zwingend erforderlich. Der optoelektronische Halbleiterchip 30 könnte auch näher an einer Kante 21 des Trägers 20 angeordnet sein. Die mittige Anordnung des optoelektronischen Halbleiterchips 30 auf dem Träger 20 hat jedoch den Vorteil, dass eine unerwünschte Seitenemission elektromagnetischer Strahlung unterdrückt werden kann. Eine Seitenemission elektromagnetischer Strahlung liegt beispielsweise dann vor, wenn der optoelektronische Halbleiterchip 30 zur Schaffung einer Hell-Dunkel-Grenze möglichst nahe an einer Kante 21 des Trägers 20 angeordnet wird. Das Erzeugen eines Kontrastbereichs 70 hat also den Vorteil, dass der optoelektronische Halbleiterchip 30 auch mittig auf dem Träger 20 angeordnet werden kann, wodurch eine unerwünschte Seitenemission elektromagnetischer Strahlung unterbunden werden kann.
  • Im dargestellten Beispiel weist das optoelektronische Bauelement 10 einen streifenförmig ausgebildeten Kontrastbereich 70 auf. Dies ist jedoch nicht zwingend erforderlich. Das optoelektronische Bauelement 10 kann auch eine Mehrzahl von Kontrastbereichen 70 aufweisen. Beispielsweise kann der optoelektronische Halbleiterchip 30 von zwei, drei oder beispielsweise vier streifenförmig ausgebildeten Kontrastbereichen 70 umgeben sein. Auch die Form des Kontrastbereichs 70 kann von der in der 4 dargestellten Form abweichen. Dabei ist jede beliebige Form denkbar, beispielsweise kann der Kontrastbereich 70 in Form von Dreiecken vorliegen. Denkbar wäre auch, dass der Kontrastbereich (70) auf der gesamten Oberfläche 41 des reflektierenden Materials 40 ausgebildet ist.
  • Im in 4 gezeigten Beispiel weist der Kontrastbereich 70 eine Breite 80 zwischen den Konturen 71, einen Abstand 81 zu der dem Kontrastbereich 70 zugewandten Kante 33 des optoelektronischen Halbleiterchips 30 und einen Abstand 82 zu einer dem Kontrastbereich 70 zugewandten und zu diesem parallel ausgebildeten Kante 21 des Trägers 20 auf. Sowohl die Breite 80 des Kontrastbereichs 70, als auch die Abstände 81 und 82 können von dem in 4 dargestellten Beispiel abweichen. Beispielsweise kann der Kontrastbereich 70 von der Kante 33 des optoelektronischen Halbleiterchips 30 bis zu der Kante 21 des Trägers 20 ausgebildet sein. In diesem Fall weist der Kontrastbereich 70 keinen Abstand 81 zur Kante 33 des optoelektronischen Halbleiterchips 30 und keinen Abstand 82 zur Kante 21 des Trägers 20 auf. Die exakten Abstände 80, 81, 82 hängen davon ab, in welchem Anwendungsbereich das optoelektronische Bauelement 10 verwendet werden soll und können je nach Design frei gewählt werden. Im Allgemeinen wird die Ausdehnung eines Kontrastsbereichs 70 in der Größenordnung der lateralen Ausdehnung eines optoelektronischen Halbleiterchips 30 oder einer Mehrzahl optoelektronischer Halbleiterchips 30 liegen. Somit kann ein Abstand 80, 81, 82 beispielsweise einige µm aber auch einige mm betragen.
  • Das optoelektronische Bauelement 10 kann beispielsweise ein Automobilscheinwerfer sein. In diesem Fall kann der Kontrastbereich 70 dazu ausgebildet sein, eine definierte Lichtverteilung zu erzeugen. Beispielsweise kann der Kontrastbereich 70 des Automobilscheinwerfers dazu ausgebildet sein, den Gegenverkehr möglichst wenig zu blenden.
  • Die vorliegende Erfindung wurde anhand der bevorzugten Ausführungsbeispiele näher illustriert und beschrieben. Dennoch ist die Erfindung nicht auf die offenbarten Beispiele beschränkt. Vielmehr können hieraus andere Variationen vom Fachmann abgeleitet werden, ohne den Schutzumfang der Erfindung zu verlassen.
  • Bezugszeichenliste
    • 10
    optoelektronisches Bauelement
    20
    Träger
    21
    Kanten des Trägers
    30
    optoelektronischer Halbleiterchip
    31
    Oberseite des optoelektronischen Halbleiterchips
    32
    Unterseite des optoelektronischen Halbleiterchips
    33
    Kanten des optoelektronischen Halbleiterchips
    40
    reflektierendes Material
    41
    Oberfläche des reflektierenden Materials
    50
    Formwerkzeug
    51
    oberer Teil des Formwerkzeugs
    52
    unterer Teil des Formwerkzeugs
    53
    Formkaverne
    54
    Wandung der Formkaverne
    60
    erste Folie
    61
    zweite Folie
    70
    Kontrastbereich
    71
    Konturen des Kontrastbereichs
    80
    Breite des Kontrastbereichs
    81
    Abstand des Kontrastbereichs zur Kante des optoelektronischen Halbleiterchips
    82
    Abstand des Kontrastbereichs zur Kante des Trägers

Claims (15)

  1. Optoelektronisches Bauelement (10) mit einem reflektierenden Material (40), wobei das reflektierende Material (40) eine Oberfläche (41) aufweist, wobei mindestens ein optoelektronischer Halbleiterchip (30) derart in das reflektierende Material (40) eingebettet ist, dass zumindest eine zur Emission elektromagnetischer Strahlung ausgebildete Oberseite (31) des optoelektronischen Halbleiterchips (30) nicht von dem reflektierenden Material (40) bedeckt wird, wobei die Oberfläche (41) des reflektierenden Materials (40) parallel zur Oberseite (31) des optoelektronischen Halbleiterchips (30) verlaufend ausgebildet und von einer Unterseite (32) des optoelektronischen Halbleiterchips (30) abgewandt ist, wobei die Oberfläche des reflektierenden Materials (40) einen Kontrastbereich (70) aufweist, wobei das reflektierende Material (40) im Kontrastbereich (70) oberflächlich abgetragen ist.
  2. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 1, wobei das reflektierende Material (40) im Kontrastbereich (70) geschwärzt ist.
  3. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei das reflektierende Material (40) ein Silikon aufweist.
  4. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei ein Verhältnis des Reflexionsvermögens zwischen dem nicht geschwärzten Teil der Oberfläche (41) des reflektierenden Materials (40) und dem Kontrastbereich (70) mindestens 250:1, insbesondere mindestens 300:1 beträgt.
  5. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (30) auf einem Träger (20) angeordnet ist.
  6. Optoelektronisches (10) Bauelement gemäß Anspruch 5, wobei der Träger (20) ein Leiterrahmen, eine gedruckte Leiterplatte oder eine Keramik ist.
  7. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (30) ein Leuchtdiodenchip ist.
  8. Optoelektronisches Bauelement (10) gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei das optoelektronische Bauelement (10) ein Automobil-Scheinwerfer ist.
  9. Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10), wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: - Bereitstellen zumindest eines optoelektronischen Halbleiterchips (30), mit einer zur Emission elektromagnetischer Strahlung ausgebildeten Oberseite (31); - Einbetten des optoelektronischen Halbleiterchips (30) in ein reflektierendes Material (40), wobei der optoelektronische Halbleiterchip (30) derart in das reflektierende Material (40) eingebettet wird, dass zumindest die Oberseite (31) des optoelektronischen Halbleiterchips (30) nicht von dem reflektierenden Material (40) bedeckt wird, wobei eine Oberfläche (41) des reflektierenden Materials (40) parallel zur Oberseite (31) des optoelektronischen Halbleiterchips (30) und von einer Unterseite (32) des optoelektronischen Halbleiterchips (30) abgewandt ausgebildet wird; - Erzeugen eines Kontrastbereichs (70), indem das reflektierende Material (40) oberflächlich abgetragen wird.
  10. Verfahren gemäß Anspruch 9, wobei das reflektierende Material (40) beim Erzeugen des Kontrastbereichs (70) geschwärzt wird.
  11. Verfahren gemäß Anspruch 9 oder 10, wobei der optoelektronische Halbleiterchip (30) und das reflektierende Material (40) auf einem Träger (20) angeordnet werden.
  12. Verfahren gemäß einem der vorhergehenden Ansprüche, wobei der Kontrastbereich (70) durch Laserablation erzeugt wird.
  13. Verfahren gemäß Anspruch 12, wobei bei der Laserablation ein UV-Laser verwendet wird.
  14. Verfahren gemäß Anspruch 12 oder 13, wobei bei der Erzeugung des Kontrastbereichs (70) auf der Oberfläche (41) des reflektierenden Materials (40) die Schwärzung durch eine Karbonisierung des reflektierenden Materials (40) erfolgt.
  15. Verfahren gemäß einem der Ansprüche 9 bis 14, wobei das reflektierende Material (40) durch folienunterstütztes Spritzpressen angeordnet wird.
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