TWI657593B - 發光元件及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種發光元件，包含：一導電支持基板，包含一第一表面、一相對於第一表面之第二表面、一形成一導電通道之第一部件、一第二部件、一由第一部件及第二部件定義之環狀開口，環狀開口由第一表面延伸至第二表面、以及一填入環狀開口之絕緣材料；一發光疊層結構，包含一具有一第一半導體層、一第二半導體層以及一位於第一半導體層與第二半導體層間之活性層之半導體疊層、以及一第一導電層，電性連接第一半導體層或第二半導體層與導電通道；以及一導電接合層，利用導電接合層接合發光疊層結構於第一表面。

Description

發光元件及其製造方法

本發明係關於一種發光元件及其製造方法，更詳言之，係關於一種具有高亮度之發光元件。

發光二極體(light-emitting diode, LED)為P型半導體與N型半導體所組成之光電元件，透過P-N接面上載子的結合放出光線，加上具有體積小、低耗電量、壽命長、反應速度快等優點，廣泛地使用於光學顯示裝置、交通號誌、資料儲存裝置、通訊裝置、照明裝置與醫療器材等。習知的發光二極體結構有水平式結構以及垂直式結構。在水平式結構以及垂直式結構發光二極體中，晶片的正面(出光面)有電極遮蔽，使得出光受限制，因此發展出將晶片倒置，使得電極面向下而光線經由藍寶石基板面射出之結構，也就是覆晶式結構。覆晶式結構發光二極體可藉由電極或凸塊與封裝結構中的散熱結構直接接觸，除了提升散熱效果之外，亦可省去打線、導線支架等製程。

本發明提供一種發光元件及其製造方法，尤其是關於一種具有具有高亮度之發光元件。

本發明提供一種發光元件，包含：一導電支持基板，包含一第一表面、一相對於第一表面之第二表面、一形成一導電通道之第一部件、一第二部件、一由第一部件及第二部件定義之環狀開口，環狀開口由第一表面延伸至第二表面、以及一填入環狀開口之絕緣材料；一發光疊層結構，包含一具有一第一半導體層、一第二半導體層以及一位於第一半導體層與第二半導體層間之活性層之半導體疊層、以及一第一導電層，電性連接第一半導體層或第二半導體層與導電通道；以及一導電接合層，利用導電接合層接合發光疊層結構於第一表面。

本發明提供一種發光元件製造方法，包含：提供一具有第一半導體層、活性層以及第二半導體層於一成長基板上之發光疊層結構；形成一第一接合層於發光疊層結構上；提供一具有一第一表面以及一相對於該第一表面之第二表面之基板，蝕該基板之第一表面至一深度以形成一環狀封閉溝槽；在環狀封閉溝槽內填充一絕緣材料；利用接合第一接合層接合發光疊層結構與基板；由第二表面將基板減薄至暴露出絕緣材料，形成一第三表面；以及在第三表面形成一電極墊。

本發明之實施例會被詳細地描述，並且繪製於圖式中，相同或類似的部分會以相同的號碼在各圖式以及說明出現。

第1圖為本發明第一實施例之發光元件1截面結構圖。如第1圖所示，發光元件1具有一發光疊層結構5，以一導電接合層46’接合固定在一支持基板10上。發光疊層結構5，例如為發光二極體疊層結構或雷射疊層結構，包含一半導體疊層20，包含一第一半導體層22、一第二半導體層26以及一活性層24位於第一半導體層22與一第二半導體層26之間。第一半導體層22及第二半導體層26例如為可提供載子的包覆層(cladding layer)或可侷限載子的限制層(confinement layer)，使電子、電洞於活性層24中結合以發光。第一半導體層22、活性層24、及第二半導體層26之材料包含一種以上之元素，此元素可選自鎵(Ga)、鋁(Al)、銦(In)、磷(P)、氮(N)、鋅(Zn)、鎘(Cd)與硒(Se)所構成之半導體化合物，例如Al_x In_y Ga_(1-x-y) N或Al_x In_y Ga_(1-x-y) P，其中0≦x, y≦1；(x+y)≦1。依據活性層24之材料，半導體疊層20可發出波長介於610 nm及650 nm之間的紅光、波長介於530 nm及570 nm之間的綠光、波長介於450 nm及490 nm之間的藍光，或是波長小於400 nm的近紫外光(near UV)或紫外光(UV)，包括波長介於400 nm及315 nm之間的UVA，315 nm及280 nm之間的UVB，以及280 nm以下的UVC。活性層24之結構可為單異質結構、雙異質結構、雙側雙異質結構、多重量子井或量子點。第一半導體層22與第二半導體層26電性相異，在本實施例中，第一半導體層22摻雜p型雜質，為p型半導體層，而第二半導體層26摻雜n型雜質，為n型半導體層。第一半導體層22之表面具有一電流擴散層(圖未示)、一金屬接觸層30以及一選擇性形成的反射層(圖未示)。一第一導電層401位於金屬接觸層30的表面，電性連接第一半導體層22，並於垂直方向延伸至支持基板10。在半導體疊層20中具有複數個通孔38，通孔38係藉由移除第一半導體層22與活性層24所形成，並使部份第二半導體層26暴露出來，複數個第二導電層402設置於複數個通孔38中，與通孔38底部所暴露出的第二半導體層26連接。通孔38及第二導電層402的數量與設置可依注入電流大小及電流分散目的而有不同設計方式。第二半導體層26相對於活性層24之表面可選擇性地形成一粗化結構52，用以降低全反射以增進出光效益。第一導電層401與第二導電層402較佳為金屬材料，包含但不限於金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、錫(Sn)、上述材料之合金或其疊層組合。金屬接觸層30上具有絕緣層60，絕緣層60延伸並覆蓋複數通孔38內之半導體疊層20側壁以及部份的通孔底部，並設置於第一導電層401和第二導電層402之間，以確保第一導電層401和第二導電層402間的絕緣性。

支持基板10具有一第一表面101以及一相對於第一表面101的第二表面102。支持基板10中具有一環狀開口120，由第一表面101延伸至第二表面102，環狀開口係指此開口由第一表面101或第二表面102俯視為一環狀。環狀可以是圓環或是其他形狀之環狀，例如方型環狀。由環狀開口120包圍的為支持基板10的一部份，係由支持基板10的第一表面101或第二表面102向下蝕刻出環狀開口，保留環狀開孔120中間的支持基板10。環狀開口120內填充了絕緣材料36，當支持基板10為導電材料時，環狀開口120包圍的支持基板10可形成一導電通道100，而絕緣材料36可使導電通道100與支持基板10之間達到電性絕緣。支持基板10之導電材料包含但不限於磷化鎵(GaP)、矽(Si)、鉬(Mo)、銅(Cu)、其他金屬材料、金屬合金或金屬基印刷電路板(Metal Core PCB; MCPCB)。在支持基板10的第一表面101具有導電接合層46’，用以接合發光疊層結構5，並使發光疊層結構5之第一導電層401、第二導電層402分別與導電通道100、支持基板10電性連接。導電接合層46’較佳為金屬材料，包含但不限於銅、金、錫、其他金屬或金屬合金材料。支持基板10之第二表面102設有第一電極墊18a與第二電極墊18b，用以與外部電源及/或電路元件進行電性連結，亦可具有散熱功能。第一電極墊18a設置於導電通道100之第二表面102上，第二電極墊18b設置於環狀開口120以外的第二表面102上。當支持基板10為導電材料且對發光元件1施以外部電壓時，位於第二表面102的第一電極墊18a可經由導電通道100、第一導電層401以及金屬接觸層30與第一半導體層22形成導通；同樣地，第二電極墊18b可經由支持基板10、導電接合層46’以及複數第二導電層402與第二半導體層26形成導通。環狀開口120中的絕緣材料36可確保第一電極墊18a與第二電極墊18b之間的電性絕緣。發光元件1另具有保護層50，覆蓋第二半導體層26表面及發光疊層結構5之側壁，可保護半導體疊層20以及發光疊層結構5。

在本實施例中，透過複數通孔38及複數第二導電層402之設置，可使電流均勻分散；由於電極墊18a、18b皆設置於支持基板10之第二表面102，除了使電極墊18a、18b與外部電子元件之接合製程更加簡便外，亦有助於發光元件1之散熱。發光元件1之出光面(即第二半導體層26相對於支持基板10的表面)無任何電極結構遮蔽，可增進發光元件1之整體發光效率。

第2A圖至第2C圖、第3A至第3C圖以及第4A至第4D圖為依據本發明第一實施例之製造方法。第2A圖至第2C圖為其中發光疊層結構5之製造方法。如第2A圖所示，在一成長基板14上以磊晶製程形成一半導體疊層20，依序包含一第二半導體層26、一活性層24以及一第一半導體層22，亦可在形成第二導體層26前形成一緩衝層(圖未示)於成長基板14，用以降低後續磊晶製程所形成的晶格缺陷。成長基板14之材料包含但不限於藍寶石(sapphire)、氧化鎂鋁(MgAl2O4)、鋁酸鋰(LiAlO2)、鎵酸鋰(LiGaO2)、氧化鎵(Ga2O3)、氧化鎂(MgO)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、碳化矽(SiC)或矽(Si)等。此外，成長基板14欲進行磊晶的表面可另具有圖案化結構。接著，在第一半導體層22之表面進行蝕刻，以移除部份的第一半導體層22及活性層24，暴露出第二半導體層26並形成複數個通孔38。接下來，如第2B圖所示，在第一半導體層22之表面形成電流擴散層(圖未示)、金屬接觸層30及/或選擇性地形成反射層(圖未示)後，在金屬接觸層30上方以及複數通孔38的側壁形成絕緣層601。絕緣層601覆蓋複數通孔38中的半導體疊層20的側壁、通孔38內的部分底部以及金屬接觸層30。部份的金屬接觸層30上方未被絕緣層601覆蓋，形成開口32。接著，在開口32的正上方、複數通孔38內以及絕緣層601上方以金屬鍍膜製程形成一金屬層40’。接著，如第2C圖所示，以黃光製程移除開口32正上方以外的金屬層40’，形成導電層401、第二導電層402以及金屬導電層40。接著，如第2D圖所示，於第一導電層401與第二導電層402之間再形成絕緣層構成絕緣層602。金屬導電層40在後續製程中將作為接合層使用，開口32中及其上方區域之金屬層為第一導電層401，複數通孔38內的金屬層為第二導電層402。本實施例之製造方法中，第一導電層401、第二導電層402與金屬導電層40為同樣材料，但本發明實施例並不限於此。例如，於另一實施例中，亦可使用一金屬材料在開口32以及複數通孔38中形成第一導電層401及第二導電層402，此金屬材料可與第二半導體層26形成歐姆接觸，之後在第一導電層401、第二導電層402以及絕緣層601上方以另一金屬材料形成金屬導電層40。金屬導電層40在後續製程中將作為接合層使用，因此材料可選擇與第一/第二導電層不同之金屬，包含但不限於金、其他金屬疊層或其它合金。

第3A圖至第3C圖為為依據本發明第一實施例中支持基板10之製造方法。如第3A圖所示，在一支持基板10之第一表面101以蝕刻製程形成深度約200μm之環狀封閉溝槽120a，亦即，此溝槽由支持基板10之第一表面101俯視為一封閉環狀，此環狀可以是一圓環或其他形狀之環狀，且環狀封閉構槽120a中間的支持基板10保留著未被蝕刻掉的支持基板10，在後續製程中將用以形成導電通道100。接著，如第3B圖所示，在第一表面101上及環狀封閉溝槽120a中形成絕緣材料36，使絕緣材料36填充至環狀封閉溝槽120a內。於本實施例中，可利用旋轉塗佈的方式在第一表面101上以及環狀封閉溝槽120a內形成絕緣材料36。絕緣材料3036可為聚亞醯胺(PI)、苯並環丁烯(BCB)、過氟環丁烷(PFCB)、氧化鎂(MgO)、Su8、環氧樹脂(Epoxy)、丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)、環烯烴聚合物(COC)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、聚醚醯亞胺(Polyetherimide)、氟碳聚合物(Fluorocarbon Polymer)、玻璃(Glass)、氧化鋁(Al2O3)、氧化矽(SiOx)、氧化鈦(TiO2)、氧化鉭(Ta2O5)、氮化矽(SiNx)、旋塗玻璃(SOG)、四乙氧基矽烷(TEOS)、氟化鎂(MgF2)或上述材料之組合。接著，如第3C圖所示，保留環狀封閉溝槽120a對應位置上的絕緣材料36，移除環狀封閉溝槽120a的環形之內以及之外的絕緣材料36，並在移除絕緣材料36後的支持基板10之第一表面101上形成一金屬接合層46。若沒有保留部份的支持基板10，而是在支持基板中形成圓形開口，並在圓形開口內填入絕緣材料，此結構在圓形開口中填充膠材時易產生氣泡，使得製程難度增加，且若圓形開孔過大會有支撐性不足的問題。相較於上述作法，本實施例保留部份支持基板100以形成環狀封閉溝槽120a，環狀封閉溝槽120a的寬度比圓形開孔來得小，藉由旋轉塗佈在較窄的環狀溝槽120a內填入絕緣材料，可達到較佳的覆蓋性，以避免在通孔內形成絕緣材料時所產生的氣泡，而造成絕緣性不佳等問題。

第4A圖至第4D圖為為依據本發明第一實施例中，將發光疊層結構5與支持基板10接合以形成發光元件1之製造方法。如第4A圖所示，將發光疊層結構5倒置，使其表面的金屬導電層40與第一導電層401作為接合層，並與支持基板10上的金屬接合層46作接合，在本實施例中，可採用晶圓接合(Wafer Bonding)方式，例如為金屬-金屬接合(Metal-Metal Bonding)。在接合製程中，需將第一導電層401與環狀封閉溝槽120a中的支持基板10對位，以達到電性導通。第4B圖為本步驟中支持基板10與發光疊層結構5之對應接合面之平面圖。接合後，絕緣層602與絕緣層36接觸，金屬導電層40與金屬接合層46接合形成導電接合層46’。接著，如第4C圖所示，移除成長基板14，例如利用雷射剝離(Laser Lift-Off)製程。接著，如第4D圖所示，將半導體疊層20分離成複數個發光疊層結構5，此外，亦可選擇性地在發光疊層結構5相對於支持基板10的表面形成粗化結構52，以及在發光疊層結構5之表面及側壁形成保護層50。接著，將支持基板10由相對於接合面的第二表面102’進行薄化，例如採用研磨方式，使支持基板10之第二表面102’減薄至暴露出環狀封閉溝槽120a，以形成一第三表面102，暴露出的環狀封閉溝槽120a即形成了環狀開口120。並在導電通道100之第三表面102形成第一電極墊18a，以及在環狀封閉溝槽開口120外的支持基板10之第三表面102形成第二電極墊18b。最後，利用雷射或鑽石刀等其他方式將各發光疊層結構5所對應的支持基板10切割開，以形成複數個如第1圖所示的發光元件1。在本實施例之製造方法中，亦可選擇性地在發光疊層結構5的表面形成波長轉換層(圖未示)，例如為螢光粉或量子點材料。

在本實施例與其製作方法中，利用蝕刻出環狀封閉溝槽120a並保留中間支持基板10來形成導電通道100，無需額外填入金屬層作為導電通道，因此簡化了製程。此外，在環狀封閉溝槽120a填入絕緣材料36，可增加絕緣材料之覆蓋性，確保導電通道100與支持基板10間的絕緣性。以導電材料作為支持基板，發光疊層結構5之電流可透過導電接合層46’、支持基板10以及導電通道100傳導至第一/第二電極墊18a/18b，與外部元件或電源作連結，發光元件1之出光面無任何電極遮蔽。電流在半導體疊層內的散佈，可透過複數通孔38及複數第二導電層402的設置來達成，因此降低發光疊層結構5之順向偏壓(forward voltage; Vf)，發光效率進而提升。

第5A圖為本發明第二實施例之發光元件2之上視圖，第5B圖及第5C圖分別為沿AA’截面及BB’截面之結構圖，上視係指由發光元件2之出光面觀之。如第5A~5C圖所示，發光元件2具有一發光疊層結構6，以一導電接合層46’接合固定在一支持基板10上。支持基板10為導電材料，具有一填有絕緣材料36之環狀開口120，以及位於環狀開口120中之導電通道100，導電通道100之第二表面102與環狀開口120外的支持基板10第二表面分別設有第二電極墊18b與第一電極墊18a。支持基板10之結構與製作方法與本發明第一實施例相同，因此不再贅述。發光疊層結構6包含一半導體疊20，其中具有一暴露區308，暴露區308係由移除部份第一半導體層22與活性層24，而暴露出部份第二半導體層26所形成。電極延伸層403設置於暴露區308內的第二半導體層26上，絕緣層603填入暴露區308內並覆蓋電極延伸層403與暴露區308內之半導體疊層20側壁。通孔38位於暴露區308內，在垂直方向上穿過絕緣層603並連通至電極延伸層403。與第一實施例相同，通孔38內設有第二導電層402，與電極延伸層403相連接並可達到電性導通。通孔38內的第二導電層402在垂直方向上延伸並連接至導電通道100，與第二電極墊18b電性連接。第一半導體層22上同樣具有一電流擴散層(圖未示)、一金屬接觸層30以及一反射層(圖未示)。導電接合層46’設置於金屬接觸層30上，與支持基板10接合。電流可由第一電極墊18a，經過支持基板10與導電接合層46’傳遞至第一半導體層22，並透過電極延伸層403在半導體疊層20內均勻分散，再由第二半導體層26經過第二導電層402與導電通道100傳遞至第二電極墊18b。因此暴露區308及電極延伸層403的形狀與配置、通孔38與第二導電層402的設置，可依電流大小及分散目的有不同設計方式。發光疊層結構6與支持基板10之接合方法與第一實施例相同，因此不再贅述。

第6圖為本發明第三實施例之發光元件3之截面結構圖。如第6圖所示，發光元件3具有一發光疊層結構7，以一導電接合層46’接合固定在一支持基板12上。本實施例之發光疊層結構7之結構與製作方法跟第一實施例相同，因此不再贅述。在本實施例中，支持基板12為非導電材料，包含但不限於氮化鋁(AlN)、鑽石、藍寶石(sapphire)、玻璃、陶瓷以及高分子複合材料(polymer matrix composite, PMC)等。支持基板12具有第一表面101與相對於第一表面101之第二表面102，一第一導電通道200與一第二導電通道300位於支持基板中，由第一表面101延伸至第二表面102並貫穿支持基板12。第一/第二導電通道200/300係由在支持基板中12形成開口，並填入導電材料(例如金屬)所形成。導電接合層46’形成於發光疊層結構7與支持基板12之間，連接並覆蓋第二導電通道300，用以與發光疊層結構7接合，同樣地，如同在第一實施例之製作方法中所述，在接合時需將第一導電層401與第一導電通道200對位。第一電極墊18a及第二電極墊18b設置於第二表面102，分別與第一導電通道200及第二導電通道300連接。第一半導體層22可藉由金屬接觸層30、第一導電層401以及第一導電通道200與第一電極墊18a形成電性導通；同樣地，第二半導體層26可藉由複數第二導電層402、導電接合層46’以及第二導電通道300與第二電極墊18b形成電性導通。第一導電通道200與第二導電通道300之數量不限於單一個，可依導電或散熱目的設置複數個。第一電極墊18a與第二電極墊18b的面積與配置，亦可因封裝結構、打線製程或散熱目的而有不同設計方式，例如第一電極墊18a與第二電極墊18b的面積可為相等或不相等。

第7圖為本發明第四實施例之發光元件4之截面圖。如第7圖所示，發光元件4具有一發光疊層結構8，以一導電接合層46’接合固定在一支持基板12上。本實施例之發光疊層結構8之結構與製作方法跟第二實施例相同，而支持基板12為非導電材料，其結構與製作方法跟第三實施例相同，因此不再贅述。導電接合層46’設置於金屬接觸層30上，用以接合發光疊層結構8與支持基板12，第二導電層402與第二導電通道300連接。如此一來，第一半導體層22藉由金屬接觸層30、導電接合層46’以及第一導電通道200與第一電極墊18a電性連接，第二半導體層26藉由第二導電層402以及第二導電通道300與第二電極墊18b電性連接。

惟上述實施例僅為例示性說明本申請案之原理及其功效，而非用於限制本申請案。任何本申請案所屬技術領域中具有通常知識者均可在不違背本申請案之技術原理及精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。因此本申請案之權利保護範圍如後述之申請專利範圍所列。

1、2、3、4‧‧‧發光元件

5、6、7、8‧‧‧發光疊層結構

10、12‧‧‧支持基板

100、200‧‧‧第一導電通道

300‧‧‧第二導電通道

101、102、102’‧‧‧表面

120‧‧‧環狀開口

120a‧‧‧環狀封閉溝槽

60、601、602、603‧‧‧絕緣層

14‧‧‧成長基板

18a、18b‧‧‧電極墊

20‧‧‧半導體疊層

22‧‧‧第一半導體層

24‧‧‧活性層

26‧‧‧第二半導體層

30‧‧‧金屬接觸層

32‧‧‧開口

36‧‧‧絕緣材料

38‧‧‧通孔

40、40’‧‧‧金屬導電層

401、402‧‧‧第一、第二導電層

403‧‧‧電極延伸層

46、46’‧‧‧導電接合層

50‧‧‧保護層

52‧‧‧粗化結構

308‧‧‧暴露區

第1圖為本發明第一實施例之發光元件截面結構圖。

第2A~2C2D圖、第3A~3C圖以及第4A~4D圖為本發明第一實施例之製造方法。

第5A~5C圖分別為本發明第二實施例之發光元件之上視圖、沿AA’截面之結構圖以及沿BB’截面之結構圖。

第6圖為本發明第三實施例之發光元件截面結構圖。

第7圖為本發明第四實施例之發光元件截面結構圖。

Claims (11)

1. 一種發光二極體元件，包含：一導電支持基板，包含：一第一表面；一相對於該第一表面之第二表面；一第一部件形成一導電通道；一第二部件；一環狀開口，由該第一部件及該第二部件所定義，且由該第一表面延伸至該第二表面；以及一絕緣材料，填入該環狀開口；一發光疊層結構，包含：一半導體疊層，具有一第一半導體層、一第二半導體層以及位於該第一半導體層與該第二半導體層間的一活性層；以及一第一導電層，電性連接該第一半導體層或該第二半導體層與該導電通道；以及一導電接合層，其中利用該導電接合層接合該發光疊層結構於該第一表面。
2. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包含一第一電極墊，位於該導電通道之該第二表面，以及一第二電極墊，位於該第二表面並與該第一電極墊相互分離。
3. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包含複數個穿過該第一半導體層及該活性層之通孔，各通孔中具有一第二導電層，電性連接該第二半導體層與該導電接合層，且其中該第一導電層電性連接該第一半導體層與該導電通道。
4. 如申請專利範圍第3項所述之發光元件，其中該第一導電層與該第二導電層之間，以及該半導體疊層與該導電接合層之間具有一絕緣層。
5. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，更包含：一通孔，穿過該第一半導體層及該活性層，該第一導電層設置於該通孔中；以及一電極延伸層，位於該第二半導體層上且連接該第一導電層。
6. 如申請專利範圍第5項所述之發光元件，其中該發光二極體層疊結構更包含一絕緣層覆蓋該通孔之側壁。
7. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該導電通道與該支持基板為相同材料。
8. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該支持基板之材料為磷化鎵(GaP)、矽(Si)、鉬(Mo)、銅(Cu)、金屬材料、金屬合金或金屬基印刷電路板(Metal Core PCB；MCPCB)。
9. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該發光疊層結構相對於該支持基板之表面具有一波長轉換層。
10. 如申請專利範圍第1項所述之發光元件，其中該第一半導體層上具有一反射層。
11. 一種發光元件製造方法，包含：提供一發光疊層結構，包含：一第一半導體層、一活性層以及一第二半導體層於一成長基板上；形成一第一接合層，於該發光疊層結構上；提供一基板，該基板具有一第一表面以及一相對於該第一表面之第二表面；蝕刻該基板之該第一表面至一深度以形成一環狀封閉溝槽；在該環狀封閉溝槽內填充一絕緣材料； 利用該第一接合層接合該發光疊層結構與該基板；由該第二表面將該基板減薄至暴露出該絕緣材料，形成一第三表面；以及在該第三表面形成一電極墊。