CN111863787B - 电子装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种电子装置，其包括基板、驱动层、有机层以及发光单元。驱动层设置在基板上。有机层设置在驱动层上并包括穿孔部分。发光单元设置在有机层上，且发光单元通过接合垫电性连接到驱动层。在电子装置的俯视方向上，与接合垫重叠的穿孔部分的面积对接合垫的面积的比例是大于或等于0.3且小于或等于3。

Description

电子装置

技术领域

本发明涉及一种电子装置，且特别是有关于一种可提升可靠度或合格率的电子装置。

背景技术

电子装置广泛应用于日常生活中。随着电子装置的蓬勃发展，对电子装置的质量、功能要求提高。目前电子装置仍未在各方面符合使用者需求，例如电子装置的可靠度或合格率仍存在一些问题，故如何提高电子装置的可靠度或合格率为需不断改进的项目。

发明内容

本发明的一个实施例提供一种电子装置，其包括基板、驱动层、有机层以及发光单元。驱动层设置在基板上。有机层设置在驱动层上并包括穿孔部分。发光单元设置在有机层上，且发光单元通过接合垫电性连接到驱动层。在电子装置的俯视方向上，与接合垫重叠的穿孔部分的面积对接合垫的面积的比例是大于或等于0.3且小于或等于3。

本发明的另一个实施例提供一种电子装置，其包括基板、驱动层、导电层以及发光单元。驱动层设置在基板上。导电层设置在驱动层上并包括多个凹陷或孔洞。发光单元设置在导电层上并通过导电层电性连接到驱动层。

附图说明

图1所示为本发明第一实施例的电子装置的示意图。

图2所示为沿着图1的剖线A-A’的结构剖面示意图。

图3所示为本发明第一实施例的接合垫及其下方的穿孔部分的上视示意图。

图4所示为本发明第二实施例的接合垫下方的穿孔部分的示意图。

图5所示为本发明第三实施例的接合垫下方的穿孔部分的示意图。

图6所示为本发明第四实施例的接合垫下方的穿孔部分及信号线的示意图。

图7所示为本发明第五实施例的电子装置的结构剖面示意图。

图8所示为本发明第五实施例的接合垫下方的穿孔部分及信号线的示意图。

图9所示为本发明第六实施例的电子装置的结构剖面示意图。

图10所示为本发明第七实施例的电子装置的结构剖面示意图。

附图标记说明：10-电子装置；100-基板；102-发光单元；104-缓冲层；1060、1062-薄膜晶体管；108-半导体层；108D-汲极区；108S-源极区；110-闸极绝缘层；112、116、124、128-导电层；112G-闸极；114、136-介电层；116D-汲极；116S-源极；118-驱动层；120-有机层；122-穿孔部分；1220-连接洞；1222-孔洞；1240、1242-导电部分；124R、128R-凹陷；124V-孔洞；126-绝缘层；1280、1282-接合垫；130-导电垫；132-焊料；134-信号线；CL-延伸线；D1、D2-方向；D3-切线方向；SW-侧壁；SW1、SW2-子侧壁；V-俯视方向；X-交点；θ-夹角；

具体实施方式

通过参考以下的详细描述并同时结合附图可以理解本发明，须注意的是，为了使读者能容易了解及图式的简洁，本发明中的多张图式只绘出电子装置的一部分，且至少部分图式中的特定元件并非依照实际比例绘图。此外，图中各元件的数量及尺寸仅作为示意，并非用来限制本发明的范围。

本发明通篇说明书与本案的权利要求中会使用某些词汇来指称特定元件。本领域技术人员应理解，电子设备制造商可能会以不同的名称来指称相同的元件。本文并不意在区分那些功能相同但名称不同的元件。在下文说明书与权利要求书中，“具有”与“包括”等词为开放式词语，因此其应被解释为“包括但不限定为…”之意。

当相应的构件例如膜层或区域被称为“在另一个构件上”时，它可以直接在另一个构件上，或者两者之间可存在有其他构件。另一方面，当构件被称为“直接在另一个构件上”时，则两者之间不存在任何构件。另外，当一构件被称为“在另一个构件上”时，两者在俯视方向上有上下关系，从而此构件可在另一个构件的上方或下方，而此上下关系取决于装置的取向(orientation)。

应当理解到，当构件或膜层被称为“连接至”另一个构件或膜层时，它可以直接连接到此另一构件或膜层，或者两者之间存在有插入的构件或膜层。当构件被称为“直接连接至”另一个构件或膜层时，两者之间不存在有插入的构件或膜层。另外，当构件被称为“耦接于另一个构件(或其变体)”时，它可以直接地连接到此另一构件，通过一或多个构件间接地连接(例如电性接)到此另一构件。

术语“大约”、“大致”、“实质上”、“等于”、“相等”或“相同”通常代表落在给定数值或范围的20％范围内，或代表落在给定数值或范围的10％、5％、3％、2％、1％或0.5％范围内。

虽然术语第一、第二、第三…可用以描述多种组成元件，但组成元件并不以此术语为限。此术语仅用于区别说明书内单一组成元件与其他组成元件。权利要求中可不使用相同术语，而依照权利要求中元件宣告的顺序以第一、第二、第三…取代。因此，在下文说明书中，第一组成元件在权利要求中可能为第二组成元件。

须知悉的是，以下所举实施例可以在不脱离本发明的精神或相冲突下，将数个不同实施例中的技术特征进行替换、重组、混合以完成其他实施例。

本发明的电子装置可包括显示装置、天线装置、感测装置、发光装置、拼接装置、其他适合的装置或上述装置的组合，但不以此为限。电子装置可包括可弯折或可挠式电子装置。在一实施方式中，电子装置可包含显示介质及/或发光单元。举例来说，电子装置可例如包括液晶(liquid crystal)层或发光二极管。发光二极管可例如包括有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)、无机发光二极管(inorganic light emittingdiode)，例如次微型发光二极管(包括mini LED或micro LED)、量子点(quantum dot)、量子点发光二极管(quantum dot LED，QLED或QDLED)、荧光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其他适合的材料或上述材料的组合，但不以此为限。下文将以显示装置做为电子装置的例示性说明，但不以此为限。

请参考图1及图2，图1所示为本发明第一实施例的电子装置的示意图，图2所示为沿着图1的剖线A-A’的结构剖面示意图。电子装置10可包括基板100、驱动层118、有机层120(或称为平坦层)以及发光单元102。在一些实施例中，驱动层118设置在基板100上，有机层120设置在驱动层118上并包括穿孔部分122。发光单元102设置在有机层120上，且发光单元102通过接合垫(接合垫1280或接合垫1282)电性连接到驱动层118。发光单元102可以矩阵或其它的方式排列(例如pentile排列)，但不以此为限。在一些实施例中，发光单元102可包括发光二极管(未绘示)，发光二极管上可设置光转换材料(未绘示)，光转换材料例如包括量子点(quantum dot，QD)材料、荧光(fluorescence)材料、彩色滤光(color filter，CF)材料、磷光(phosphor)材料、其它合适的光转换材料或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中(未绘示)，光转换材料例如覆盖发光二极管。在一些实施例中，发光单元102和基板100之间可设置多层膜层(如导电层及/或绝缘层)，但不以此为限。

另外，基板100上可设置薄膜晶体管、集成电路(integrated circuit，IC)、电路、导电垫、导线或其他种类的电子元件。基板100可包括硬式基板、软式基板或上述的组合，但不限于此。在一些实施例中，基板100可包括可弯折或可塑形的基板，但不限于此。在一些实施例中，基板100的材料可包括玻璃、石英、有机聚合物、塑料、金属、陶瓷、其它合适的材料或上述的组合，但不限于此。若基板100的材质为有机聚合物，可包括聚酰亚胺(polyimide，PI)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚碳酸酯(polycarbonate，PC)或上述的组合，但不以此为限。

请参考图2，驱动层118可包括一缓冲层104，邻近基板100设置，驱动层118可包括薄膜晶体管1060及/或薄膜晶体管1062，但不以此为限。缓冲层104的材料可包括氧化硅、氮化硅、其他合适材料或上述的组合，但不以此为限。薄膜晶体管1060(或薄膜晶体管1062)包括半导体层108(例如可包括汲极区108D与源极区108S)，半导体层108可包括非晶硅、多晶硅(例如低温多晶硅(low-temperature poly-silicon))或氧化物半导体(例如氧化铟镓锌(indium gallium zinc oxide))，但不以此为限。薄膜晶体管1060与薄膜晶体管1062中的半导体层108的材料可例如相同或不同。

另外，闸极绝缘层110设置在半导体层108上，且导电层112设置在闸极绝缘层110上，但不以此为限。如图2，导电层112可形成薄膜晶体管1060(或薄膜晶体管1062)的闸极112G，即闸极112G为导电层112的一部分。另外，导电层112上可依序设置介电层114及/或导电层116，但不以此为限，此些层别可根据需求做调整。导电层116可形成数据线、薄膜晶体管1060(或薄膜晶体管1062)的源极116S及/或汲极116D，即源极116S及/或汲极116D为导电层116的一部分，但不以此为限。在一些实施例中，导电层112和导电层116可包括金属材料、透明导电材料或上述的组合，但不以此为限。

图2中的薄膜晶体管举例为顶闸极型晶体管(top gate TFT)，但不以此为限。在其他实施例中，薄膜晶体管可包括底闸极型晶体管(bottom gate TFT)或双闸极型晶体管(Dual gate TFT、Double gate TFT)，但不限于此。

参考图2，电子装置10还可包括一导电层124及一绝缘层126设置在有机层120上。需注意的是，在下文中，从基板100以上的膜层至导电层116(例如源极116S和汲极116D)之间的膜层可定义成如上的驱动层118，其中驱动层118包括导电层116，但未包括基板100。在一些实施例中，有机层120可包括至少一连接洞1220及至少一穿孔部分122，其中穿孔部分122可包括至少一孔洞，换句话说，在电子装置的俯视方向V(即为基板100的法线方向)上，与接合垫(1280或1282)重叠的所有孔洞1222可合称为穿孔部分122。另外，在电子装置的俯视方向V上，连接洞1220例如可重叠于薄膜晶体管1060(例如重叠于汲极116D)，且连接洞1220可曝露出部分的汲极116D，使导电层124可通过连接洞1220与薄膜晶体管1060电性连接，但不限于此。在一些实施例中，孔洞1222可例如曝露出介电层114的部分表面，但不以此为限。

在一些实施例中，导电层124可具有导电部分1240和导电部分1242，导电部分1240和导电部分1242可彼此分离，即导电部分1240和导电部分1242未直接连接，但不以此为限。在一些实施例中，导电部分1240及/或导电部分1242可对应设置于穿孔部分122上，且至少部分的导电部分1240及/或导电部分1242可设置于孔洞1222中。

在一些实施例中，部分的导电部分1240可例如延伸至连接洞1220上，且设置于连接洞1220中，使导电层124可通过连接洞1220与薄膜晶体管1060(例如汲极116D)电性连接。在一些实施例中，被连接洞1220所曝露的汲极116D的部分可与导电部分1240接触，即导电层124可与驱动层118接触，但不以此为限。在一些实施例中，被孔洞1222所曝露的介电层114的部分表面可例如与导电层124的导电部分1240及/或导电部分1242接触，但不以此为限。

参考图2，在一些实施例中，绝缘层126可包括多个开口以曝露出导电层124的部分表面。此外，电子装置10还可包括一导电层128设置在导电层124上，导电层128可包括如上所述的接合垫1280及接合垫1282，接合垫1280及接合垫1282分别设置于绝缘层126的开口上，且部分的接合垫1280及/或接合垫1282例如填入或设置于对应的绝缘层126的开口中，接合垫1280及/或接合垫1282可通过绝缘层126的开口与导电层124电性连接。举例来说，接合垫1280及/或接合垫1282可通过绝缘层126的开口与导电层124的部分表面接触，但不以此为限。在一些实施例中，在电子装置10的俯视方向V上，接合垫1280及/或接合垫1282可重叠于穿孔部分122。在一些实施例中，部分的导电部分1240可设置在与接合垫1280重叠的穿孔部分122(如孔洞1222)中，部分的导电部分1242可设置在与接合垫1282重叠的穿孔部分122(如孔洞1222)中。

在一些实施例中，导电层124可包括钼、铜、上述的结合或其他适合的金属或导电材料，但不以此为限。在一些实施例中，导电层128可包括镍、金、上述的结合或其他适合的金属或导电材料，但不以此为限。

如图2所示，导电层128(接合垫1280及/或接合垫1282)可通过沉积制程(如物理气相沉积、化学气相沉积等)所形成，但不限于此。如图2，位于孔洞1222上方的导电层124的部分顶表面可例如形成多个凹陷124R。换言之，导电层124可包括多个凹陷124R。在一些实施例中，接合垫1280的一部分及/或接合垫1282的一部分可例如设置在多个凹陷124R中。在一些实施例中，位于凹陷124R上方的接合垫1280及/或接合垫1282的上表面可形成多个凹陷128R，但不以此为限。

须注意的是，在已知的电子装置中，导电层(可参考导电层124)并不会如本发明将导电层124的上表面形成多个凹陷124R，故电子装置在高温下，导电层124可能会因热而膨胀，但因导电层124未有足够的膨胀空间，从而使与导电层124邻近的层别产生翘曲，甚至使在接合垫1280及/或接合垫1282下方的不同膜层之间产生脱离(peeling)。例如在接合垫下方的有机层120和介电层126(无机材料层)之间产生脱离，但不限于此。或是，在接合垫下方的导电层124和有机层120之间产生脱离。另外，在接合垫下方的基板，也可能因导电层124受高温膨涨或低温冷缩的影响下而产生裂痕。然而在本发明的其中一实施例中(如图2)，可例如将有机层120设有多个孔洞1222，孔洞1222上方的导电层124的上表面可形成有多个凹陷124R，当在高温下时，凹陷124R所形成出的空间(即凹陷124R的缺口处)可作为导电层124可膨胀的空间，可减轻上述的不同膜层之间产生脱离或翘曲的问题。类似的，接合垫1280及接合垫1282的上表面可设计具有多个凹陷128R，可提供上述的功效。

参考图2及图3，图3所示为本发明第一实施例的接合垫及其下方的穿孔部分的上视示意图，其中图3中的B-B’区域的结构可对应图2中的剖线B-B’。为了更突显出接合垫与孔洞的关系，省略其它元件或层别，图3以接合垫1280为例，接合垫1280下方例如设有多个孔洞1222。在所述电子装置的所述俯视方向V上，接合垫1280至少和部分的孔洞1222重叠。在其他实施例中，有机层120的孔洞1222可依需求而有不同的排列方式。此外，在电子装置10的俯视方向V上，接合垫(如接合垫1280或接合垫1282)的面积可例如是“A”，与接合垫重叠的穿孔部分122的面积(如多个孔洞1222的面积总和)可例如是“B”，与接合垫重叠的穿孔部分122的面积“B”对接合垫的面积“A”的比例(B/A)可大于或等于0.3且小于或等于3，但不以此为限。在一些实施例中，比例(B/A)可大于或等于0.5且小于或等于2.5，但不以此为限。在一些实施例中，比例(B/A)可大于或等于0.5且小于或等于2，但不以此为限。在一些实施例中，比例(B/A)可大于或等于0.7且小于或等于1.5，但不以此为限。需注意的是，孔洞1222的面积可例如是以孔洞1222的底表面(例如邻近基板100的表面)的面积来计算。此外，在俯视方向V上，孔洞1222的形状可包括圆形、矩形、多边形、弧边形、不规则的形状或上述的组合，但不以此为限。

请参考图2，发光单元102的导电垫130可通过焊料132电性连接到接合垫1280或接合垫1282。发光单元102可例如包括两个导电垫130(例如为发光单元102的脚座)，焊料132可设置在接合垫1280(或接合垫1282)和导电垫130之间。发光单元102可通过焊料132与接合垫1280(及/或接合垫1282)接合或电性连接。在一些实施例中，导电层128的材料可例如和焊料132或导电层124的材料具有良好的附着性。在一些实施例中，接合垫1280及/或接合垫1282可设置在发光单元102(例如导电垫130)和导电层124之间，发光单元102可通过接合垫1280(或接合垫1282)及导电层124电性连接到驱动层118，但不以此为限。在一些实施例中，导电垫130和焊料132可包括金属或其他适合的导电材料，但不以此为限。

下文将继续详述本发明的其它实施例，为了简化说明，下文中使用相同标号标注相同元件。为了突显各实施例之间的差异，以下针对不同实施例间的差异详做叙述，而不再对重复的技术特征作赘述。

请参考图4，其所示为本发明第二实施例的接合垫下方的穿孔部分的示意图。与第一实施例(图3)不同的地方在于，不同行或不同列的孔洞1222可例如错位排列，但不以此为限。须注意的是，不同孔洞1222之间的外形、尺寸、间距可根据需求做调整或变化，且不同孔洞1222之间也可以呈不规则的变化。

请参考图5，其所示为本发明第三实施例的接合垫下方的穿孔部分的示意图。与第一实施例(图3)不同的地方在于，于本实施例中，在接合垫1280(及/或接合垫1282)的下方的穿孔部分122可包括一个孔洞1222，且在俯视方向V上，其孔洞1222的外形与图3的孔洞1222的外形不同，且本实施例中的孔洞1222的面积可大于第一实施例的孔洞1222的面积，但不以此为限。如图5所示，在俯视方向V上，有机层120包括一侧壁SW，侧壁SW例如围绕孔洞1222。另外，侧壁SW可例如包括多个子侧壁，以图5为例，侧壁SW可例如包括两个子侧壁SW1和两个子侧壁SW2，其中子侧壁SW1和子侧壁SW2彼此相连而形成侧壁SW。在一些实施例中，子侧壁SW1的外形可为波浪状，而子侧壁SW2的外形可为直条，但不以此为限。在其他实施例中，子侧壁SW1及/或子侧壁SW2可例如根据需求而有不同的外形(例如弧边形、直条状、锯齿形或不规则外形)，且子侧壁SW1及/或子侧壁SW2可以相同或不同。

请参考图6，其所示为本发明第四实施例的接合垫下方的穿孔部分及信号线的示意图。为方便说明，图6仅绘示有机层120中的穿孔部分122的孔洞1222及信号线134，而省略其它膜层。与第三实施例不同的地方在于，本实施例的驱动层118(参考图1)可更包括至少一信号线134，且在电子装置10的俯视方向V上，信号线134可重叠于穿孔部分122(例如孔洞1222)。在一些实施例中，信号线134可例如由导电层112所形成，信号线134可例如是扫描线，但不以此为限。在一些实施例中，信号线134可例如由导电层116所形成，信号线134可例如是数据线，但不以此为限。在一些实施例中，信号线134可例如由其它导电层所形成，信号线134可例如是电源线或其他信号线。在一些实施例中，至少一绝缘层(如介电层)可设置在信号线134和孔洞1222之间，用以降低信号线134和设置在孔洞1222中的导电层124之间产生电性连接。

如图6所示，信号线134可例如沿一方向(例如方向D1)延伸，但不以此为限。另外，子侧壁SW1可大致上沿另一方向(例如与方向D1不同的方向D2)延伸，而子侧壁SW2可沿方向(例如方向D1)延伸，但不以此为限。方向D1不同于方向D2，例如方向D1和方向D2垂直，但不以此为限。在一些实施例中，子侧壁SW2和信号线134的延伸方向可不平行。在一些实施例中，子侧壁SW1和信号线134的延伸方向可不垂直。在一些实施例中，信号线134的两个侧边例如与有机层120的子侧壁SW1之间相交出两个交点X，将此两个交点X连线可大致画出一延伸线CL，延伸线CL例如沿方向D3延伸，方向D3可和信号线134的延伸方向(例如方向D1)具有一夹角θ。在一些实施例中，侧壁SW(例如子侧壁SW1)与信号线134之间的夹角(如上述夹角θ)的角度可以不是直角，但不以此为限。举例而言，夹角θ的角度可大于或等于10度且小于或等于80度，但不以此为限。由于部分的导电层124会设置于有机层120的孔洞1222中，因此若将有机层120的侧壁SW(例如子侧壁SW1)与信号线134之间的夹角θ的角度设计成不是直角，可降低在导电层124下方的信号线134因受到导电层124膨胀所产生的应力而断裂，但不限于此。

需注意的是，图6的孔洞1222与信号线134仅为示意，孔洞1222例如可重叠更少或更多条信号线134，且孔洞1222与信号线134的比例关系可根据需求而调变。在其它实施例中，信号线134可根据需求做宽，此时侧壁SW(例如子侧壁SW1)与信号线134之间的夹角(如上述夹角θ)的角度可选择性为直角或不是直角。

请参考图7和图8，图7所示为本发明第五实施例的电子装置的结构剖面示意图，图8所示为本发明第五实施例的接合垫下方的穿孔部分及信号线的示意图，其中图7中的C-C’区域的结构可对应图8中的剖线C-C’。与第一实施例不同的地方在于，本实施例的驱动层118可包括至少一信号线134(如图7)，并在电子装置10的俯视方向V上，信号线134可重叠于穿孔部分122(如多个孔洞1222)(如图7和图8)。在图7中，信号线134(例如扫描线)举例可以是由导电层112所形成，信号线134可设置在闸极绝缘层110和介电层114之间，但不以此为限。

请参考图7，电子装置10还包括一介电层136设置在介电层114和有机层120之间，但不以此为限。介电层136可包括有机绝缘材料、无机绝缘材料或其他适合的绝缘材料，但不以此为限。穿孔部分122的连接洞1220可例如贯穿有机层120和介电层136以曝露出汲极116D的部分表面，使导电层124的导电部分1240通过连接洞1220电性连接到汲极116D，但不以此为限。在一些实施例中，孔洞1222可例如贯穿有机层120，但选择性未贯穿介电层136，但不以此为限。在一些实施例中(未绘示)，孔洞1222可一并贯穿有机层120和介电层136，但不以此为限。在一些实施例中(未绘示)，信号线134可由导电层116(例如数据线)所形成，信号线134可设置在介电层114和介电层136之间，但不以此为限。

请参考图9，其所示为本发明第六实施例的电子装置的结构剖面示意图。与第一实施例不同的地方在于，本实施例的有机层120的穿孔部分122可不包括孔洞1222。此外，接合垫1280及/或接合垫1282下方的导电层124的上表面形成多个凹陷124R，其中凹陷124R可通过如微影蚀刻制程等适合的制程所形成。藉此，本实施例的电子装置10可具有如第一实施例所述的减轻上述的不同膜层之间产生脱离或翘曲的功效。

请参考图10，其所示为本发明第七实施例的电子装置的结构剖面示意图。与第六实施例不同的地方在于，本实施例的导电层124的上表面可形成多个孔洞124V，孔洞124V例如贯穿导电层124而曝露出导电层124下的层别(例如有机层120)。藉此，本实施例的电子装置10的导电层124设有孔洞124V，可具有如第一实施例所述的减轻上述的不同膜层之间产生脱离或翘曲的功效。在一些实施例中，接合垫1280的一部分及/或接合垫1282的一部分可例如设置在多个孔洞124V中，但不以此为限。

综上所述，在本发明的电子装置中，接合垫下方并与接合垫连接的导电层(例如上表面)可包括多个凹陷或孔洞。当温度升高时，凹陷或孔洞可提供额外空间可供导电层膨胀所利用，减少接合垫下方的不同膜层之间产生脱离或翘曲的现象。

虽然本发明的实施例及其优点已说明如上，但应该了解的是，任何所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，应当可作变动、替代与润饰。此外，本发明的保护范围并未局限于说明书内所述特定实施例中的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，任何所属技术领域中具有通常知识者可从本发明揭示内容中理解现行或未来所发展出的制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤，只要可以在此处所述实施例中实施大抵相同功能或获得大抵相同结果皆可根据本发明使用。因此，本发明的保护范围包括上述制程、机器、制造、物质组成、装置、方法及步骤。另外，每一权利要求构成个别的实施例，且本发明的保护范围也包括各个权利要求及实施例的组合。本发明的保护范围应当视本案权利要求所界定为准。本发明的任一实施例或权利要求不必达成本发明所公开的全部目的、优点、特点。

Claims (10)

1.一种电子装置，其特征在于，包括:

一基板；

一驱动层，设置在所述基板上，所述驱动层包括一薄膜晶体管，且所述薄膜晶体管具有一闸极；

一有机层，设置在所述驱动层上，且所述有机层包括一穿孔部分；

一发光单元，设置在所述有机层上，且所述发光单元通过一接合垫电性连接到所述驱动层；以及

一介电层，设置在所述闸极与所述有机层之间，

其中在所述电子装置的一俯视方向上，与所述接合垫重叠的所述穿孔部分的面积对所述接合垫的面积的比例是大于或等于0.3且小于或等于3，且所述有机层的所述穿孔部分暴露出部分的所述介电层的一上表面。

2.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述比例是大于或等于0.5。

3.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述驱动层包括一信号线，且在所述电子装置的所述俯视方向上，所述信号线重叠于所述穿孔部分。

4.根据权利要求3所述的电子装置，其特征在于，所述穿孔部分包括一孔洞，所述有机层包括一侧壁，所述侧壁围绕所述孔洞，且所述侧壁与所述信号线之间的夹角不是直角。

5.根据权利要求4所述的电子装置，其特征在于，所述夹角大于或等于10度且小于或等于80度。

6.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，所述穿孔部分包括多个孔洞。

7.根据权利要求1所述的电子装置，其特征在于，还包括一导电层，且所述导电层设置在与所述接合垫重叠的所述穿孔部分之中。

8.根据权利要求7所述的电子装置，其特征在于，所述导电层包括多个凹陷。

9.一种电子装置，其特征在于，包括:

一基板；

一驱动层，设置在所述基板上；

一有机层，设置在所述驱动层上，且所述有机层包括一穿孔部分；

一导电层，设置在所述有机层上；

一接合垫，设置在所述导电层上；以及

一发光单元，设置在所述导电层上并通过所述导电层电性连接到所述驱动层；

其中所述导电层包括多个凹陷或多个孔洞，且所述导电层部分设置在与所述接合垫重叠的所述穿孔部分之中。

10.根据权利要求9所述的电子装置，其特征在于，所述接合垫设置在所述发光单元和所述导电层之间，且所述接合垫中的一部分设置在所述多个凹陷或所述多个孔洞中。

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