TWI802059B - 微型發光二極體顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種微型發光二極體顯示裝置,其包括電路基板、多個定位凸起以及多個微型發光二極體。所述多個定位凸起配置於電路基板上。每一個定位凸起具有定位側表面與底面。每一定個位側表面與對應的底面之間夾有第一夾角,且第一夾角小於90度。所述多個定位凸起於電路基板上構成多個定位空間。所述多個微型發光二極體分別配置於相異的所述多個定位空間內並電性連接於電路基板。每一個微型發光二極體具有出光面及側表面。每一個出光面位於對應的微型發光二極體遠離電路基板的一側,且每一個側表面與對應的出光面之間夾有第二夾角。第二夾角大於或等於第一夾角。

Description

微型發光二極體顯示裝置
本發明是有關於一種顯示裝置,且特別是有關於一種微型發光二極體顯示裝置。
微型發光二極體是基於發光二極體的結構進行薄化及微化,自晶粒邊長約略1毫米微縮至小於100微米。相較於發光二極體而言,微型發光二極體具備高像素密度、高亮度、高對比度、廣色域、高響應速度及高發光效率的數量具備著高解析度等優勢,已成為新一代顯示技術的主流。
就微型發光二極體顯示裝置的製作程序而論,首先,經磊晶及切割等程序在成長基板上形成數百萬顆的微型發光二極體,接著,將微型發光二極體自成長基板剝離,並透過暫時基板吸附微型發光二極體,最後由暫時基板將微型發光二極體轉移至電路基板上,並使微型發光二極體電性接合於電路基板上的導電凸塊。上述微型發光二極體的轉移程序稱為巨量轉移(mass transfer),且所有微型發光二極體的位置均須精準控制。一旦微型發光二極體的轉移程序產生偏移或失誤,微型發光二極體上的一個電極可能搭接於電路基板上的二個導電凸塊而形成短路,或者是,微型發光二極體上的二個電極可能同時電性接合於電路基板上的一個導電凸塊而形成短路,又或者是,微型發光二極體上的電極可能偏離於電路基板上的導電凸塊而無法形成有效的電性接合(例如斷路),導致良率不佳,甚至是轉移程序失敗。
本發明提供一種微型發光二極體顯示裝置,具有極佳的轉移良率與精準度。
本發明提出一種微型發光二極體顯示裝置,其包括電路基板、多個定位凸起以及多個微型發光二極體。所述多個定位凸起配置於電路基板上。每一個定位凸起具有定位側表面與對應的底面。每一個定位側表面與底面之間夾有第一夾角。所述多個定位凸起於電路基板上構成多個定位空間。所述多個微型發光二極體分別配置於相異的所述多個定位空間內並電性連接於電路基板。每一個微型發光二極體具有出光面及側表面。每一個出光面位於對應的微型發光二極體遠離電路基板的一側,且側表面與對應的出光面之間夾有第二夾角。第二夾角小於90度,且大於或等於第一夾角。
在本發明的一實施例中,上述的任一個微型發光二極體位於相鄰的二個定位凸起的二個定位側表面之間,且微型發光二極體具有連接出光面的另一個側表面。所述二個側表面分別面對二個定位側表面。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體包括位於同一側的第一電極與第二電極,且第一電極與第二電極的連線的延伸線通過二個定位凸起的二個定位側表面。
在本發明的一實施例中,上述的多個定位凸起的多個定位側表面包圍任一個定位空間。
在本發明的一實施例中,上述的每一個定位空間僅對應配置一個微型發光二極體。
在本發明的一實施例中,上述的第二夾角介於15度至75度。
在本發明的一實施例中,上述的第二夾角與第一夾角的角度差值小於或等於15度。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示裝置更包括多個導電凸塊,其中每一個定位空間內設置有至少一個導電凸塊,且每一個微型發光二極體經由對應的導電凸塊接合於電路基板上。每一個定位凸起具有頂面,且所述多個頂面於電路基板的厚度方向上的高度等於所述多個微型發光二極體的所述多個出光面。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體顯示裝置更包括共電極層。共電極層覆蓋所述多個定位凸起的所述多個頂面及電性連接所述多個微型發光二極體。
在本發明的一實施例中,上述的電路基板定義有顯示區,且所述多個微型發光二極體配置於顯示區內。微型發光二極體顯示裝置更包括設置於顯示區外的共電極接墊,且共電極層連接共電極接墊。
在本發明的一實施例中,上述的所述多個定位凸起的一部分位於顯示區外,且所述多個定位凸起具有相對於定位側表面的連接側表面。共電極層覆蓋連接側表面並延伸連接共電極接墊,且連接側表面與底面夾有第三夾角。第三夾角小於第一夾角。
在本發明的一實施例中,上述的每一個定位凸起的截面寬度自電路基板往頂面漸減。
在本發明的一實施例中,上述的每一個定位凸起的截面輪廓為梯形。
在本發明的一實施例中,上述的所述多個定位凸起與所述多個微型發光二極體交替排列於電路基板上。
在本發明的一實施例中,每一個定位空間內設置有二個導電凸塊,且每一個微型發光二極體包括位於同一側的第一電極與第二電極。每一個微型發光二極體的第一電極與第二電極分別接合於對應的定位空間內的所述二個導電凸塊。第一電極與第二電極之間具有第一距離,且所述二個導電凸塊之間具有第二距離,且第二距離與第一距離的比值介於2至10。
在本發明的一實施例中,上述的微型發光二極體的其中一個側表面與對應的定位側表面之間具有間隙,且間隙的寬度小於或等於5微米(µm)。
基於上述,在本發明的微型發光二極體顯示裝置中,所述多個定位凸起與所述多個導電凸塊交替排列於電路基板上,且每一個微型發光二極體配置於任二相鄰的定位凸起之間。在巨量轉移的過程中,所述多個微型發光二極體的位置可藉由所述多個定位凸起進行精準定位,以使每一個微型發光二極體精準地電性接合於對應的導電凸塊,避免因定位失準或失誤而產生短路或斷路等情況,進而提升轉移良率與精準度。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A與圖1B是本發明一實施例的微型發光二極體顯示裝置的轉移程序的局部截面示意圖。圖2是圖1B的微型發光二極體顯示裝置的局部俯視示意圖。請參考圖1A與圖1B,先將多個微型發光二極體120自成長基板(圖未示)剝離,並透過暫時基板10吸附多個微型發光二極體120,最後由暫時基板10將多個微型發光二極體120移至電路基板110上,並使多個微型發光二極體120分別電性接合於電路基板110上的多個導電凸塊112,以完成微型發光二極體顯示裝置100的轉移程序。
請參考圖1A、圖1B及圖2,在本實施例中,微型發光二極體顯示裝置100包括電路基板110、多個定位凸起113及多個微型發光二極體120,其中所述多個定位凸起113配置於電路基板110上,且每一個定位凸起113具有第一定位側表面113b、相對於第一定位側表面113b的第二定位側表面113c及底面113d。每一個定位凸起113的第一定位側表面113b與第二定位側表面113c分別連接底面113d的兩側,且底面113d連接於電路基板110。
如圖1A所示,所述多個定位凸起113於電路基板110上構成多個定位空間101,舉例來說,在任二相鄰的定位凸起113中,一個定位凸起113的第二定位側表面113c面向另一個定位凸起113的第一定位側表面113b,且定位空間101位於彼此面對的第二定位側表面113c與第一定位側表面113b之間。進一步來說,任二相鄰的定位空間101被一個定位凸起113隔開。
請參考圖1B及圖2,所述多個微型發光二極體120分別配置於相異的所述多個定位空間101內,並電性連接於電路基板110。具體而言,每一個定位空間101內設有一個微型發光二極體120,且任二相鄰的微型發光二極體120被一個定位凸起113隔開。如圖2所示,所述多個定位凸起113與所述多個微型發光二極體120係橫向地交替排列於電路基板110上,且每一個微型發光二極體120位在一個定位凸起113的第二定位側表面113c與另一個定位凸起113的第一定位側表面113b之間。
每一個微型發光二極體120具有出光面121、第一側表面125及第二側表面126,其中出光面121位於微型發光二極體120遠離電路基板110的一側,且第一側表面125及第二側表面126分別連接出光面121的相對兩側。特別說明的是,相鄰的二個定位凸起113之間可以存在一個或多個定位空間101。就相鄰的二個定位凸起113之間存在多個定位空間101而論,所述多個定位空間101的排列方向係垂直於相鄰的二個定位凸起113的排列方向。也就是說,在圖2中,在水平方向上相鄰的任二個定位凸起113之間可配置有多個微型發光二極體120,但這些微型發光二極體120係以垂直方向排列,且每一個微型發光二極體120的第一側表面125面對一個定位凸起113的第二定位側表面113c,且第二側表面126面對另一個定位凸起113的第一定位側表面113b。
進一步來說,每一個微型發光二極體120還具有面向電路基板110的底面,其中出光面121與底面彼此相對,且第一側表面125與第二側表面126分別連接底面的相對兩側。也就是說,第一側表面125與第二側表面126位於出光面121與底面之間。
請參考圖1B,每一個定位凸起113的截面輪廓為梯形,且為等腰梯形。也就是說,每一個定位凸起113的第一定位側表面113b與第二定位側表面113c互為對稱,且第一定位側表面113b與底面113d之間及第二定位側表面113c與底面113d之間均夾有第一夾角A1。在每一個微型發光二極體120中,第一側表面125與出光面121之間及第二側表面126與出光面121之間均夾有第二夾角A2。第二夾角A2小於90度,且大於或等於第一夾角A1。較佳地,第二夾角A2可介於15度至75度。此外,若第二夾角A2大於第一夾角A1,則第二夾角A2與第一夾角A1的角度差值可小於或等於15度。
除此之外,假設微型發光二極體120為水平對稱的結構,則每一個微型發光二極體120的第一側表面125以及第二側表面126與底面之間所夾的夾角Ac與第一夾角A1的總和可小於180度。具體來說,在圖1B所示的微型發光二極體120與定位凸起113的截面輪廓中,因第二夾角A2與夾角Ac的總和為180度,若第二夾角A2大於第一夾角A1,則第一夾角A1與夾角Ac的總和應小於180度。在微型發光二極體120的出光面121的寬度不變的前提下,微型發光二極體120第一側表面125及第二側表面126為較為陡直的斜面,且微型發光二極體120中面對電路基板110的底面的兩端分別更靠近第二定位側表面113c與第一定位側表面113b,故有助於提高微型發光二極體120的邊緣接觸到定位凸起113的機率,以提升定位的精準度。
請參考圖1B,在本實施例中,微型發光二極體顯示裝置更包括配置於電路基板110上的多個導電凸塊112,且每一個定位空間101內設置有至少一個導電凸塊112。以水平式微型發光二極體為例,每一個定位空間101內設置有成對設置的二個導電凸塊112。每一個微型發光二極體120經由對應的定位空間101內的二個導電凸塊112接合於電路基板110。另一方面,每一個定位凸起113具有頂面113a,其中第一定位側表面113b與第二定位側表面113c分別連接頂面113a的相對兩側,且每一個定位凸起113的頂面113a於電路基板110的厚度方向上的高度高於每一個微型發光二極體120的出光面121。
也就是說,每一個定位凸起113的頂面113a距離電路基板110的高度高於每一個微型發光二極體120的出光面121距離電路基板110的高度。由於任二相鄰的微型發光二極體120被一個定位凸起113的隔開,因此每一個定位凸起113可用於降低任二相鄰的微型發光二極體120之間的出光影響,以提高對比度與解析度。換句話說,每一個微型發光二極體120與對應的一個導電凸塊112的厚度總和T1小於每一個定位凸起113的厚度T2。
請參考圖1A與圖1B,在巨量轉移的過程中,所述多個微型發光二極體120的位置可藉由所述多個定位凸起113進行精準定位,以使每一個發光二極體120精準地電性接合(例如覆晶接合)於對應的二個導電凸塊112,避免因定位失準或失誤而產生短路或斷路等情況,進而提升轉移良率與精準度。進一步來說,當暫時基板10吸附多個微型發光二極體120並移至電路基板110的上方時,必須先控制每一個微型發光二極體120的位置落在任二相鄰的定位凸起113之間,接著,使每一個微型發光二極體120對準位在任二相鄰的定位凸起113之間的二個導電凸塊112,最後釋放多個微型發光二極體120,以使每一個發光二極體120精準地電性接合於對應的二個導電凸塊112。
藉由所述多個定位凸起113的輔助定位機制,有助於避免發生微型發光二極體120上的一個電極搭接於電路基板110上的二個導電凸塊112而形成短路、微型發光二極體120上的二個電極同時電性接合於電路基板110上的一個導電凸塊112而形成短路及微型發光二極體120上的電極偏離於電路基板110上的導電凸塊112而無法形成有效的電性接合(例如斷路)等情況。
請參考圖1B,每一個定位凸起113的截面寬度W自電路基板110往頂面113a漸減,且任二相鄰的定位凸起113之間構成用於容納至少一個微型發光二極體120的定位空間101。因此,每一個定位空間101的截面輪廓大致呈梯形,且截面寬度往電路基板110漸減。也就是說,每一個定位空間101具有較大的對外開口,以利於每一個微型發光二極體120置入對應的定位空間101內。另外,基於每一個定位空間101的截面輪廓的設計,每一個微型發光二極體120可受到任二相鄰的定位凸起113的引導而往對應的二個導電凸塊112移動,有效降低對位失準或失誤等情況。
請參考圖1B,每一個微型發光二極體120還具有第一電極123及第二電極124,在任二相鄰的定位凸起113之間,每一個微型發光二極體120的第一電極123與第二電極124分別電性接合於二個導電凸塊112。基於每一個定位凸起113的轉角的角度設計與每一個微型發光二極體120的轉角的角度設計,每一個微型發光二極體120可受到任二相鄰的定位凸起113的引導而往電路基板110移動,並使第一電極123與第二電極124分別精準地接合於對應的二個導電凸塊112,避免因定位失準或失誤而產生短路或斷路等情況。
另一方面,任二相鄰的定位凸起113之間的間距大於微型發光二極體120的寬度,在同一截面高度上,前述間距與前述寬度的比值小於1.2。藉由任二相鄰的定位凸起113之間的間距與微型發光二極體120的寬度的比例設定,並配合任二相鄰的定位凸起113的二個定位側表面(即第二定位側表面113c與第一定位側表面113b)的引導,微型發光二極體120的二個電極(即第一電極123與第二電極124)與二個導電凸塊112之間的位移誤差可進一步降低。
如圖1B及圖2所示,所述多個定位凸起113可為多個定位凸肋,並採平行排列。進一步來說,微型發光二極體120的第一電極123與第二電極124的連線的延伸線L通過二個定位凸起113的二個定位側表面(即第二定位側表面113c與第一定位側表面113b)。另一方面,每一個微型發光二極體120的出光面121具有相對的二個側邊121a,且二個定位凸起113分別位於二個側邊121a的相對兩側。
請參考圖1A與圖1B,在本實施例中,每一個微型發光二極體120的第一電極123與第二電極124分別接合於對應的定位空間101內的二個導電凸塊112,其中第一電極123與第二電極124之間具有第一距離d1,且二個導電凸塊112之間具有第二距離d2。第二距離d2大於第一距離d1,且第二距離d2與第一距離d1的比值介於2與10,據以防止二個導電凸塊112因焊料搭接而造成短路。
另一方面,微型發光二極體的第一側表面125與第二定位側表面113c之間具有間隙G,且間隙G的寬度小於或等於5微米。相應地,微型發光二極體的第二側表面126與第一定位側表面113b之間的間隙的寬度也可小於或等於5微米。藉由縮減微型發光二極體120的側表面與定位凸起113的定位側表面之間的間隙,在微型發光二極體120移入定位空間101的過程中,定位凸起113可對微型發光二極體120提供精準定位及導向,以確保微型發光二極體120的第一電極123與第二電極124分別接合於二個導電凸塊112。也就是說,即便導電凸塊112具有較小的接合面積,微型發光二極體120的第一電極123與第二電極124也可受到定位凸起113的定位及導向,以分別精準地接合於二個導電凸塊112。
圖3是本發明另一實施例的微型發光二極體顯示裝置的局部俯視示意圖。請參考圖3,不同於前一實施例的定位空間101,本實施例的定位空間102是由至少四個定位凸起113圍繞而成,其中微型發光二極體120配置於定位空間102內,且被四個定位凸起113圍繞。進一步來說,所述四個定位凸起113彼此相連以構成一個中空的矩形定位結構,且所述四個定位凸起113的四個定位側表面(例如二個第二定位側表面113c與二個第一定位側表面113b)包圍一個定位空間102。
圖4是本發明又一實施例的微型發光二極體顯示裝置的局部截面示意圖。請參考圖4,本實施例的微型發光二極體顯示裝置100A與圖1B所示的微型發光二極體顯示裝置100的結構設計大致相同,兩者的差異在於:本實施例的微型發光二極體1201為垂直式微型發光二極體,而圖1B所示的微型發光二極體120為水平式微型發光二極體。詳細而言,在每一個微型發光二極體1201中,第一電極123位於底面上。另外,每一個定位空間101內設置有一個導電凸塊112,且每一個微型發光二極體1201的第一電極123電性接合於對應的一個導電凸塊112。也就是說,每一個微型發光二極體1201經由對應的導電凸塊112接合於電路基板110。
在本實施例中,每一個定位凸起113的頂面113a於電路基板110的厚度方向上的高度等於每一個微型發光二極體120的出光面121。也就是說,每一個定位凸起113的頂面113a距離電路基板110的高度等於每一個微型發光二極體120的出光面121距離電路基板110的高度。舉例來說,每一個微型發光二極體120的磊晶層的厚度介於3至10微米。
如圖4所示,微型發光二極體顯示裝置100A還包括共電極層130,其中共電極層130覆蓋於所述多個定位凸起113的所述多個頂面113a及所述多個微型發光二極體1201的所述多個出光面121,且所述多個微型發光二極體1201經由共電極層130彼此電性連接。舉例來說,共電極層130可為圖案化的透明氧化導電層,且形成於所述多個微型發光二極體1201的所述多個出光面121上,以作為所述多個微型發光二極體120的所述多個第二電極。在較佳的實施例中,定位凸起113的截面輪廓為梯形,其中定位凸起113的頂面113a為平面,並與微型發光二極體120的出光面121等高。因此,共電極層130係成形在一平坦表面上,使得圖案化的共電極層130具有均勻的膜厚度,同時減少高度差距所造成的曝光誤差問題,以提升共電極層130的連接良率。
在本實施例中,電路基板110定義有顯示區111,且所述多個微型發光二極體1201配置於顯示區111內。另一方面,微型發光二極體顯示裝置100A更包括相對設置的二個共電極接墊114、115,其中所述二個共電極接墊114、115設置於顯示區111外,且所述多個定位凸起113與所述多個微型發光二極體1201交替排列於共電極接墊114與共電極接墊115之間。進一步來說,共電極層130中相對的二個側延伸段分別沿著二個定位凸起113的定位側表面(例如第一定位側表面113b與第二定位側表面113c)向共電極接墊114與共電極接墊115延伸,並分別連接於共電極接墊114與共電極接墊115。
如圖4所示,所述多個定位凸起113的一部分設置於顯示區111內,且所述多個定位凸起113的另一部分設置於顯示區111外。
圖5是本發明再一實施例的微型發光二極體顯示裝置的局部截面示意圖。請參考圖5,本實施例的微型發光二極體顯示裝置100B與圖4所示的微型發光二極體顯示裝置100A的結構設計大致相同,兩者的主要差異在於:相鄰於二個共電極接墊114、115的二個定位凸起113的轉角的角度設計。
在本實施例中,相鄰於共電極接墊114的定位凸起113(即,設置於顯示區111外的一部分定位凸起113)具有相對於第二定位側表面113c的連接側表面113e,而相鄰於共電極接墊115的定位凸起113具有相對於第一定位側表面113b的連接側表面113f。連接側表面113e與連接側表面113f分別被共電極層130中相對的二個側延伸段覆蓋,且所述二個側延伸段分別連接於共電極接墊114與共電極接墊115。
詳細而言,連接側表面113e與對應的底面113d之間、連接側表面113f與對應的底面113d之間均夾有第三夾角A3,且第三夾角A3小於第一夾角A1。也就是說,在連接側表面113e、113f的位置處,共電極層130的二個側延伸段具有較和緩的坡度,避免共電極層130在沈積時因為過於陡直而形成斷路,更好地確保共電極層130與共電極接墊115電性連接。另一方面,相鄰於二個共電極接墊114、115的二個定位凸起113呈對稱配置,且截面輪廓均為非等腰梯形。
如圖5所示,每一個定位凸起113的頂面113a於電路基板110的厚度方向上的高度亦可高於每一個微型發光二極體120的出光面121。也就是說,每一個定位凸起113的頂面113a距離電路基板110的高度高於每一個微型發光二極體120的出光面121距離電路基板110的高度,但本發明不限於此。舉例來說,頂面113a與出光面121也可以採高配置,如圖4所示。在每一個定位空間101內,共電極層130自微型發光二極體120的出光面121向相鄰的二個定位凸起113的二個定位側表面(即第二定位側表面113c與第一定位側表面113b)延伸,且第二定位側表面113c的局部與第一定位側表面113b的局部被共電極層130覆蓋。
圖6是本發明更一實施例的微型發光二極體顯示裝置的局部截面示意圖。請參考圖6,本實施例的微型發光二極體顯示裝置100C與圖4所示的微型發光二極體顯示裝置100A的結構設計大致相同,兩者的主要差異在於:在本實施例中,每一個微型發光二極體1201的出光面121上形成有透明氧化電極127。詳細而言,共電極層130接觸並覆蓋每一個微型發光二極體1201的出光面121上的透明氧化電極127。
另一方面,每一個定位凸起113的頂面113a於電路基板110的厚度方向上的高度高於每一個微型發光二極體120的出光面121。也就是說,每一個定位凸起113的頂面113a距離電路基板110的高度高於每一個微型發光二極體120的出光面121距離電路基板110的高度。在每一個定位空間101內,共電極層130自微型發光二極體120的出光面121向相鄰的二個定位凸起113的二個定位側表面(即第二定位側表面113c與第一定位側表面113b)延伸,且第二定位側表面113c的局部與第一定位側表面113b的局部被共電極層130覆蓋。
綜上所述,在本發明的微型發光二極體顯示裝置中,所述多個定位凸起與所述多個導電凸塊交替排列於電路基板上,且每一個微型發光二極體配置於任二相鄰的定位凸起之間。在巨量轉移的過程中,所述多個微型發光二極體的位置可藉由所述多個定位凸起進行精準定位,以使每一個微型發光二極體的電極精準地電性接合於對應的導電凸塊,避免因定位失準或失誤而產生短路或斷路等情況,進而提升轉移良率與精準度。
雖然本發明已以實施例揭露如上,然其並非用以限定本發明,任何所屬技術領域中具有通常知識者,在不脫離本發明的精神和範圍內,當可作些許的更動與潤飾,故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
10:暫時基板 100、100A~100C:微型發光二極體顯示裝置 101、102:定位空間 110、110a:電路基板 111:顯示區 112:導電凸塊 113:定位凸起 113a:頂面 113b:第一定位側表面 113c:第二定位側表面 113d:底面 113e、113f:連接側表面 114、115:共電極接墊 120、1201:微型發光二極體 121:出光面 121a:側邊 123:第一電極 124:第二電極 125:第一側表面 126:第二側表面 127:透明氧化電極 130:共電極層 A1:第一夾角 A2:第二夾角 A3:第三夾角 Ac:夾角 d1:第一距離 d2:第二距離 G:間隙 L:延伸線 T1:厚度總和 T2:厚度 W:截面寬度
圖1A與圖1B是本發明一實施例的微型發光二極體顯示裝置的轉移程序的局部截面示意圖。 圖2是圖1B的微型發光二極體顯示裝置的局部俯視示意圖。 圖3是本發明另一實施例的微型發光二極體顯示裝置的局部俯視示意圖。 圖4是本發明又一實施例的微型發光二極體顯示裝置的局部截面示意圖。 圖5是本發明再一實施例的微型發光二極體顯示裝置的局部截面示意圖。 圖6是本發明更一實施例的微型發光二極體顯示裝置的局部截面示意圖。
100:微型發光二極體顯示裝置 101:定位空間 110:電路基板 112:導電凸塊 113:定位凸起 113a:頂面 113b:第一定位側表面 113c:第二定位側表面 113d:底面 120:微型發光二極體 121:出光面 123:第一電極 124:第二電極 125:第一側表面 126:第二側表面 A1:第一夾角 A2:第二夾角 Ac:夾角 d1:第一距離 d2:第二距離 G:間隙 T1:厚度總和 T2:厚度 W:截面寬度

Claims (14)

  1. 一種微型發光二極體顯示裝置,包括:一電路基板;多個定位凸起,配置於該電路基板上,每一該定位凸起具有一定位側表面以及一底面,每一該定位側表面與對應的該底面之間夾有一第一夾角,該些定位凸起於該電路基板上構成多個定位空間;多個微型發光二極體,分別配置於相異的該些定位空間內並電性連接於該電路基板,每一該微型發光二極體具有一出光面及連接該出光面的一側表面,每一該出光面位於對應的該微型發光二極體遠離該電路基板的一側,且該側表面與對應的該出光面之間夾有一第二夾角,該第二夾角小於90度且大於或等於該第一夾角;以及多個導電凸塊,其中每一該定位空間內設置有至少一該導電凸塊,且每一該微型發光二極體經由對應的該導電凸塊接合於該電路基板上,每一該定位凸起具有一頂面,且該些頂面於該電路基板的厚度方向上的高度等於該些微型發光二極體的該些出光面,其中每一該定位空間內設置有二個該導電凸塊,且每一該微型發光二極體包括位於同一側的一第一電極與一第二電極,每一該微型發光二極體的該第一電極與該第二電極分別接合於對應的該定位空間內的該二個導電凸塊,其中該第一電極與該第二電極之間具有一第一距離,該二個 導電凸塊之間具有一第二距離,且該第二距離與該第一距離的比值介於2與10。
  2. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中任一該微型發光二極體位於相鄰的二該定位凸起的二該定位側表面之間,且該微型發光二極體具有連接該出光面的另一側表面,該二個側表面分別面對二該定位側表面。
  3. 如請求項2所述的微型發光二極體顯示裝置,其中該微型發光二極體包括位於同一側的一第一電極與一第二電極,且該第一電極與該第二電極的連線的延伸線通過二該定位凸起的二該定位側表面。
  4. 如請求項2所述的微型發光二極體顯示裝置,其中該微型發光二極體的其中一該側表面與對應的該定位側表面之間具有間隙,且該間隙的寬度小於或等於5微米。
  5. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中多個該定位凸起的該些定位側表面包圍任一該定位空間。
  6. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中每一該定位空間僅對應配置一該微型發光二極體。
  7. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中該第二夾角介於15度至75度。
  8. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中該第二夾角與該第一夾角的角度差值小於或等於15度。
  9. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中該些定位凸起與該些微型發光二極體交替排列於該電路基板上。
  10. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,更包括一共電極層,該共電極層覆蓋該些定位凸起的該些頂面及電性連接該些微型發光二極體。
  11. 如請求項10所述的微型發光二極體顯示裝置,其中該電路基板定義有一顯示區,且該些微型發光二極體配置於該顯示區內,該微型發光二極體顯示裝置更包括一共電極接墊,設置於該顯示區外,且該共電極層連接該共電極接墊。
  12. 如請求項11所述的微型發光二極體顯示裝置,其中該些定位凸起的一部分位於該顯示區外,且該些定位凸起具有相對於該定位側表面的一連接側表面,該共電極層覆蓋該連接側表面並延伸連接該共電極接墊,且該連接側表面與該底面夾有一第三夾角,該第三夾角小於該第一夾角。
  13. 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置,其中每一該定位凸起的截面寬度自該電路基板往頂面漸減。
  14. 如請求項13所述的微型發光二極體顯示裝置,其中每一該定位凸起的截面輪廓為梯形。
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Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111384227A (zh) * 2018-12-26 2020-07-07 乐金显示有限公司 显示装置
CN111415926A (zh) * 2020-02-28 2020-07-14 上海天马微电子有限公司 微发光二极管显示面板、其制作方法及显示装置
TW202029309A (zh) * 2018-12-26 2020-08-01 日商日立化成股份有限公司 電子零件封裝的製造方法
CN111613632A (zh) * 2020-05-22 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN112259671A (zh) * 2020-10-23 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动背板、显示面板及显示装置
CN113161373A (zh) * 2021-03-09 2021-07-23 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动背板、其制作方法及发光基板

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107437551B (zh) * 2016-05-25 2020-03-24 群创光电股份有限公司 显示装置及其制造方法
CN107170773B (zh) * 2017-05-23 2019-09-17 深圳市华星光电技术有限公司 微发光二极管显示面板及其制作方法

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111384227A (zh) * 2018-12-26 2020-07-07 乐金显示有限公司 显示装置
TW202029309A (zh) * 2018-12-26 2020-08-01 日商日立化成股份有限公司 電子零件封裝的製造方法
CN111415926A (zh) * 2020-02-28 2020-07-14 上海天马微电子有限公司 微发光二极管显示面板、其制作方法及显示装置
CN111613632A (zh) * 2020-05-22 2020-09-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN112259671A (zh) * 2020-10-23 2021-01-22 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动背板、显示面板及显示装置
CN113161373A (zh) * 2021-03-09 2021-07-23 京东方科技集团股份有限公司 一种驱动背板、其制作方法及发光基板

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