TWI830563B - 電子裝置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 40
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 31
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 8
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Ge+2].[In+3] RQIPKMUHKBASFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- -1 aluminum tin oxide Chemical compound 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
一種電子裝置包括基板、第一導電層、第一有機絕緣層及第二導電層。第一導電層設置於基板上且具有多個第一導電圖案。第一有機絕緣層設置於第一導電層上。第一有機絕緣層具有重疊於多個第一導電圖案的多個接觸窗。第二導電層設置於第一有機絕緣層上且具有多個第二導電圖案。多個第二導電圖案透過第一有機絕緣層的多個接觸窗分別電性連接至多個第一導電圖案。多個接墊包括多個第一導電圖案、多個第二導電圖案和第一有機絕緣層的多個接觸窗。每一接墊包括彼此重疊的第一導電圖案、第二導電圖案和第一有機絕緣層的至少一接觸窗。在電子裝置的俯視圖中,多個接墊在第一方向上排列且包括相鄰的第一接墊及第二接墊,第一接墊的第一有機絕緣層的至少一接觸窗與第二接墊的第一有機絕緣層的至少一接觸窗在第一方向上錯位。
Description
本發明是有關於一種電子裝置。
一般而言,設置於顯示面板的主動區的多條訊號線需透過設置於顯示面板之周邊區的多個接墊電性連接至顯示面板的驅動元件。當顯示面板之解析度高時,訊號線的數量眾多。數量眾多的訊號線需透過數量眾多的接墊方能電性連接至顯示面板的驅動元件。然而,當接墊的數量眾多時,多個接墊間的距離十分近,而使同一接墊的多個導電層之間無法利用須間隔較大的有機絕緣層的接觸窗來彼此連接。也就是說,設置於顯示面板之主動區的有機絕緣層無法亦設置於周邊區,主動區的多個膜層與周邊區的接墊的高低差大,導致接墊與其它電子元件的接合良率低。
本發明提供一種電子裝置,良率高。
本發明的電子裝置,包括基板、第一導電層、第一有機絕緣層以及第二導電層。基板具有工作區和工作區外的周邊區。第一導電層設置於基板上,且具有多個第一導電圖案。多個第一導電圖案位於周邊區且於結構上彼此分離。第一有機絕緣層設置於第一導電層上,且位於基板的工作區及周邊區。第一有機絕緣層具有位於周邊區的多個接觸窗,且第一有機絕緣層的多個接觸窗重疊於多個第一導電圖案。第二導電層設置於第一有機絕緣層上,且具有多個第二導電圖案。多個第二導電圖案位於周邊區、於結構上彼此分離且分別重疊於多個第一導電圖案。多個第二導電圖案透過第一有機絕緣層的多個接觸窗分別電性連接至多個第一導電圖案。多個接墊包括多個第一導電圖案、多個第二導電圖案和第一有機絕緣層的多個接觸窗。每一接墊包括彼此重疊的第一導電圖案、第二導電圖案和第一有機絕緣層的至少一接觸窗。特別是,在電子裝置的俯視圖中,多個接墊在第一方向上排列且包括相鄰的第一接墊及第二接墊,第一接墊的第一有機絕緣層的至少一接觸窗與第二接墊的第一有機絕緣層的至少一接觸窗在第一方向上錯位。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例,示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,“連接”可以指物理及/或電性連接。再者,“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。
本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值,考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即,測量系統的限制)。例如,“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內,或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者,本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質,來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差,而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。
圖1為本發明一實施例之電子裝置的俯視示意圖。圖2為本發明一實施例之電子裝置的剖面示意圖。圖2的一部分對應圖1的剖線I-I’。
請參照圖1及圖2,電子裝置10包括基板110,具有工作區110a和工作區110a外的周邊區110b。舉例而言,在本實施例中,基板110的材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料(例如:晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。
在本實施例中,電子裝置10還包括導電層120,設置於基板110上。導電層120可包括位於周邊區110b且於結構上彼此分離的多個導電圖案122。舉例而言,在本實施例中,導電層120的材質可為金屬,但本發明不以此為限。
在本實施例中,電子裝置10還可包括絕緣層130,設置於導電層120上。絕緣層130可具有重疊於多個導電圖案122的多個接觸窗132。舉例而言,在本實施例中,絕緣層130的材料可為無機材料(例如但不限於:氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、或上述至少二種材料的堆疊層)、有機材料或上述之組合。
電子裝置10還包括第一導電層140,設置於基板110上,且具有多個第一導電圖案142,其中多個第一導電圖案142位於周邊區110b且於結構上彼此分離。具體而言,在本實施例中,第一導電層140可設置於絕緣層130上,且每一第一導電圖案142可透過絕緣層130的至少一接觸窗132電性連接至對應的一個導電圖案122。舉例而言,在本實施例中,第一導電層140的材質可為金屬,但本發明不以此為限。
電子裝置10還包括第一有機絕緣層150,設置於第一導電層140上,且位於基板110的工作區110a及周邊區110b,其中第一有機絕緣層150具有位於周邊區110b的多個接觸窗152,且第一有機絕緣層150的多個接觸窗152重疊於多個第一導電圖案142。
在本實施例中,電子裝置10還包括第一無機絕緣層160,設置於第一有機絕緣層150上,其中第一無機絕緣層160具有位於周邊區110b的多個接觸窗162,第一無機絕緣層160的多個接觸窗162分別重疊於第一有機絕緣層150的多個接觸窗152。
電子裝置10還包括第二導電層170,設置於第一有機絕緣層150上。第二導電層170具有多個第二導電圖案172。多個第二導電圖案172位於周邊區110b、於結構上彼此分離且分別重疊於多個第一導電圖案142。多個第二導電圖案172透過第一有機絕緣層150的多個接觸窗152分別電性連接至多個第一導電圖案142。
具體而言,在本實施例中,第二導電層170可設置於第一無機絕緣層160上,第一無機絕緣層160可設置於第二導電層170與第一有機絕緣層150之間,而多個第二導電圖案172可透過第一有機絕緣層150的多個接觸窗152及第一無機絕緣層160的多個接觸窗162分別電性連接至多個第一導電圖案142。舉例而言,在本實施例中,第二導電層170的材質可為金屬,但本發明不以此為限。
在本實施例中,電子裝置10還包括第二有機絕緣層180,設置於第二導電層170上,且位於基板110的工作區110a及周邊區110b,其中第二有機絕緣層180具有位於周邊區110b的多個接觸窗182,且第二有機絕緣層180的多個接觸窗182重疊於多個第二導電圖案172。
在本實施例中,電子裝置10還包括第二無機絕緣層190,設置於第二有機絕緣層180上,其中第二無機絕緣層190具有位於周邊區110b的多個接觸窗192,第二無機絕緣層190的多個接觸窗192分別重疊於第二有機絕緣層180的多個接觸窗182。
在本實施例中,電子裝置10還包括第三導電層200,設置於第二有機絕緣層180上,且具有多個第三導電圖案202,其中多個第三導電圖案202位於周邊區110b、於結構上彼此分離且分別重疊於多個第二導電圖案172,多個第三導電圖案202透過第二有機絕緣層180的多個接觸窗182分別電性連接至多個第二導電圖案172。
具體而言,在本實施例中,第三導電層200可設置於第二無機絕緣層190上,第二無機絕緣層190可設置於第三導電層200與第二有機絕緣層180之間,而多個第三導電圖案202可透過第二有機絕緣層180的多個接觸窗182及第二無機絕緣層190的多個接觸窗192分別電性連接至多個第二導電圖案172。舉例而言,在本實施例中,第三導電層200的材質可為金屬,但本發明不以此為限。
在本實施例中,電子裝置10還包括第三有機絕緣層210,設置於第三導電層200上,且位於基板110的工作區110a及周邊區110b,其中第三有機絕緣層210具有位於周邊區110b的多個接觸窗212,且第三有機絕緣層210的多個接觸窗212重疊於多個第三導電圖案202。
在本實施例中,電子裝置10還包括第三無機絕緣層220,設置於第三有機絕緣層210上,其中第三無機絕緣層220具有位於周邊區110b的多個接觸窗222,第三無機絕緣層220的多個接觸窗222分別重疊於第三有機絕緣層210的多個接觸窗212。
在本實施例中,電子裝置10還包括第四導電層230,設置於第三有機絕緣層210上,且具有多個第四導電圖案232,其中多個第四導電圖案232位於周邊區110b、於結構上彼此分離且分別重疊於多個第三導電圖案202,且多個第四導電圖案232透過第三有機絕緣層210的多個接觸窗212分別電性連接至多個第三導電圖案202。
具體而言,在本實施例中,第四導電層230可設置於第三無機絕緣層220上,第三無機絕緣層220可設置於第四導電層230與第三有機絕緣層210之間,而多個第四導電圖案232可透過第三有機絕緣層210的多個接觸窗212及第三無機絕緣層220的多個接觸窗222分別電性連接至多個第三導電圖案202。舉例而言,在本實施例中,第四導電層230的材質可為金屬,但本發明不以此為限。
在本實施例中,電子裝置10還包括第四有機絕緣層240,設置於第三無機絕緣層220上。第四有機絕緣層240設置於工作區110a上,而未設置於周邊區110b之對應接墊p的一部分上。在本實施例中,電子裝置10還包括第四無機絕緣層250,設置於第四有機絕緣層240上,且位於工作區110a及周邊區110b,其中第四無機絕緣層250具有多個接觸窗252,第四無機絕緣層250的多個接觸窗252重疊於多個第四導電圖案232。
在本實施例中,電子裝置10還包括金屬氧化物層260,設置於第四無機絕緣層250上,且具有於結構上彼此分離的多個金屬氧化物圖案262。多個金屬氧化物圖案262透過第四無機絕緣層250具有多個接觸窗252分別電性連接至多個第四導電圖案232。舉例而言,在本實施例中,金屬氧化物層260的材質可為銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆疊層,但本發明不以此為限。
在本實施例中,每一接墊p可包括彼此重疊的一個導電圖案122、一個第一導電圖案142、一個第二導電圖案172、一個第三導電圖案202、一個第四導電圖案232、一個金屬氧化物圖案262、絕緣層130的至少一接觸窗132、第一有機絕緣層150的至少一接觸窗152、第一無機絕緣層160的至少一接觸窗162、第二有機絕緣層180的至少一接觸窗182、第二無機絕緣層190的至少一接觸窗192、第三有機絕緣層210的至少一接觸窗212、第三無機絕緣層220的至少一接觸窗222和第四無機絕緣層250的至少一接觸窗252。
在本實施例中,電子裝置10還包括多個畫素結構(未繪示),設置於工作區110a且與多個接墊p電性連接。在本實施例中,電子裝置10還包括用以驅動所述多個畫素結構的電子元件COF。電子元件COF具有多個引腳(lead)L。電子元件COF的多個引腳L可利用含有導電粒子c的異方向性導電膠ACF分別與多個接墊p電性連接。舉例而言,在本實施例中,每一畫素結構可包括一畫素驅動線路(未繪示)和電性連接至所述畫素驅動線路的至少一微型發光二極體(μLED),而電子裝置10可以是微型發光二極體顯示面板。然而,本發明不以此為限,在其它實施例中,電子裝置10也可以是其它種類的顯示面板,例如:液晶顯示面板、有機電致發光顯示面板等。
值得注意的是,在電子裝置10的俯視圖中,多個接墊p在第一方向d1上排列,多個接墊p包括相鄰的第一接墊p1及第二接墊p2,且第一接墊p1與第二接墊p2之同一有機絕緣層的接觸窗在第一方向d1上錯位。藉此,相鄰兩接墊p的同一有機絕緣層的相鄰兩接觸窗的最短距離d便能符合製程要求。如此一來,在周邊區110b也可設置有機絕緣層,使得位於周邊區110b的接墊p與位於工作區110a上的多個膜層的高低差ΔH縮小,進而提升接墊p與電子元件COF的接合良率。在本實施例中,最短距離d例如大於10μm,但本發明不以此為限。
在電子裝置10的俯視圖中,第一接墊p1的第一有機絕緣層150的至少一接觸窗152與第二接墊p2的第一有機絕緣層150的至少一接觸窗152在第一方向d1上錯位。在本實施例中,於電子裝置10的俯視圖中,第一接墊p1的第二有機絕緣層180的至少一接觸窗182與第二接墊p2的第二有機絕緣層180的至少一接觸窗182在第一方向d1上錯位。在本實施例中,於電子裝置10的俯視圖中,第一接墊p1的第三有機絕緣層210的至少一接觸窗212與第二接墊p2的第三有機絕緣層210的至少一接觸窗212在第一方向d1上錯位。
在本實施例中,於電子裝置10的俯視圖中,第一接墊p1的第一無機絕緣層160的至少一接觸窗162與第二接墊p2的第一無機絕緣層160的至少一接觸窗162在第一方向d1上錯位。在本實施例中,於電子裝置10的俯視圖中,第一接墊p1的第二無機絕緣層190的至少一接觸窗192與第二接墊p2的第二無機絕緣層190的至少一接觸窗192在第一方向d1上錯位。在本實施例中,於電子裝置10的俯視圖中,第一接墊p1的第三無機絕緣層220的至少一接觸窗222與第二接墊p2的第三無機絕緣層220的至少一接觸窗222在第一方向d1上錯位。
在此必須說明的是,下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重述。
圖3為本發明另一實施例之電子裝置的俯視示意圖。圖4為本發明另一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。圖4對應圖1的剖線II-II’。圖5為本發明另一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。圖5對應圖1的剖線III-III’。
對應圖3、圖4及圖5的電子裝置10A與對應圖1及圖2的電子裝置10類似,兩者的差異在於:對應圖3、圖4及圖5的電子裝置10A可省略對應圖1及圖2的電子裝置10的第一無機絕緣層160、第二無機絕緣層190及第三無機絕緣層220。此外,兩者還具有差異如下所述。
在對應圖1及圖2的電子裝置10中,每一接墊p的第一有機絕緣層150的至少一接觸窗152、第二有機絕緣層180的至少一接觸窗182及第三有機絕緣層210的至少一第三接觸窗212可相重疊。然而,在圖3、圖4及圖5的電子裝置10A中,第一有機絕緣層150的至少一接觸窗152、第二有機絕緣層180的至少一接觸窗182及第三有機絕緣層210的至少一第三接觸窗212可不相重疊。
請參照圖3、圖4及圖5,此外,在本實施例中,多個接墊p可包括交替排列的多個第一接墊p1及多個第二接墊p2。特別是,在電子裝置10A的俯視圖中,一個第一接墊p1的第一有機絕緣層150的至少一接觸窗152、第二有機絕緣層180的至少一接觸窗182及第三有機絕緣層210的至少一第三接觸窗212可分別與相鄰的一個第二接墊p2的第二有機絕緣層180的至少一接觸窗182、第三有機絕緣層210的至少一接觸窗212及第一有機絕緣層150的至少一接觸窗152在第一方向d1上對齊。
圖6為本發明又一實施例之電子裝置的俯視示意圖。圖7為本發明另一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第一無機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第二無機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層、第三無機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。圖7對應圖6的剖線IV-IV’。圖8為本發明又一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第一無機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第二無機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層、第三無機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。圖8對應圖6的剖線V-V’。
對應圖6、圖7及圖8的電子裝置10B與對應圖3、圖4及圖5的電子裝置10A類似,兩者的差異在於:對應圖6、圖7及圖8的電子裝置10B還包括第一無機絕緣層160、第二無機絕緣層190及第三無機絕緣層220。
圖9為本發明再一實施例之電子裝置的俯視示意圖。圖10為本發明再一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。圖10對應圖9的剖線VI-VI’。圖11為本發明再一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。圖11對應圖9的剖線VII-VII’。
對應圖9、圖10及圖11的電子裝置10C與對應圖3、圖4及圖5的電子裝置10A類似,兩者的差異在於:對應圖9、圖10及圖11的電子裝置10C除了包括兩種不同的第一接墊p1及第二接墊p2外,還包括另一種第三接墊p3。
請參照圖9、圖10及圖11,詳細而言,在本實施例中,多個接墊p可分為多個接墊群G,其中每一接墊群G包括在第一方向d1上依序排列的一個第一接墊p1、一個第二接墊p2及一個第三接墊p3。在電子裝置10C的俯視圖中,第一接墊p1的第一有機絕緣層150的接觸窗152、第二有機絕緣層180的接觸窗182及第三有機絕緣層210的接觸窗212分別與第二接墊p2的第二有機絕緣層180的接觸窗182、第三有機絕緣層210的接觸窗212及第一有機絕緣層150的接觸窗152在第一方向d1上對齊,且第二接墊p2的第二有機絕緣層180的接觸窗182、第三有機絕緣層210的接觸窗212及第一有機絕緣層150的接觸窗152分別與第三接墊p3的第三有機絕緣層210的接觸窗212、第一有機絕緣層150的接觸窗152及第二有機絕緣層180的接觸窗182對齊。
圖12為本發明一實施例之電子裝置的俯視示意圖。圖13為本發明一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第一無機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第二無機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層、第三無機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。圖13對應圖12的剖線VIII-VIII’。圖14為本發明一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第一無機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第二無機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層、第三無機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。圖14對應圖12的剖線IX-IX’。
對應圖12、圖13及圖14的電子裝置10D與對應圖9、圖10及圖11的電子裝置10C類似,兩者的差異在於:圖12、圖13及圖14的電子裝置10C還包括第一無機絕緣層160、第二無機絕緣層190及第三無機絕緣層220。
10、10A、10B、10C、10D:電子裝置
110:基板
110a:工作區
110b:周邊區
120:導電層
122:導電圖案
130:絕緣層
132、152、162、182、192、212、222、252:接觸窗
140:第一導電層
142:第一導電圖案
150:第一有機絕緣層
160:第一無機絕緣層
170:第二導電層
172:第二導電圖案
180:第二有機絕緣層
190:第二無機絕緣層
200:第三導電層
202:第三導電圖案
210:第三有機絕緣層
220:第三無機絕緣層
230:第四導電層
232:第四導電圖案
240:第四有機絕緣層
250:第四無機絕緣層
260:金屬氧化物層
262:金屬氧化物圖案
ACF:異方向性導電膠
COF:電子元件
c:導電粒子
d:最短距離
d1:第一方向
G:接墊群
L:引腳
p:接墊
p1:第一接墊
p2:第二接墊
p3:第三接墊
ΔH:高低差
I-I’、II-II’、III-III’、IV-IV’、V-V’、VI-VI’、VII-VII’、 VIII-VIII’、IX-IX’:剖線
圖1為本發明一實施例之電子裝置的俯視示意圖。
圖2為本發明一實施例之電子裝置的剖面示意圖。
圖3為本發明另一實施例之電子裝置的俯視示意圖。
圖4為本發明另一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。
圖5為本發明另一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。
圖6為本發明又一實施例之電子裝置的俯視示意圖。
圖7為本發明另一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第一無機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第二無機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層、第三無機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。
圖8為本發明又一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第一無機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第二無機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層、第三無機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。
圖9為本發明再一實施例之電子裝置的俯視示意圖。
圖10為本發明再一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。
圖11為本發明再一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。
圖12為本發明一實施例之電子裝置的俯視示意圖。
圖13為本發明一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第一無機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第二無機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層、第三無機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。
圖14為本發明一實施例之電子裝置的第一導電層、第一有機絕緣層、第一無機絕緣層、第二導電層、第二有機絕緣層、第二無機絕緣層、第三導電層、第三有機絕緣層、第三無機絕緣層及第四導電層的剖面示意圖。
10:電子裝置
110:基板
132、152、162、182、192、212、222、252:接觸窗
262:金屬氧化物圖案
COF:電子元件
d:最短距離
d1:第一方向
L:引腳
p:接墊
p1:第一接墊
p2:第二接墊
I-I’:剖線
Claims (8)
- 一種電子裝置,包括:一基板,具有一工作區和該工作區外的一周邊區;一第一導電層,設置於該基板上,且具有多個第一導電圖案,其中該些第一導電圖案位於該周邊區且於結構上彼此分離;一第一有機絕緣層,設置於該第一導電層上,且位於該基板的該工作區及該周邊區,其中該第一有機絕緣層具有位於該周邊區的多個接觸窗,且該第一有機絕緣層的該些接觸窗重疊於該些第一導電圖案;以及一第二導電層,設置於該第一有機絕緣層上,且具有多個第二導電圖案,其中該些第二導電圖案位於該周邊區、於結構上彼此分離且分別重疊於該些第一導電圖案,該些第二導電圖案透過該第一有機絕緣層的該些接觸窗分別電性連接至該些第一導電圖案;多個接墊包括該些第一導電圖案、該些第二導電圖案和該第一有機絕緣層的該些接觸窗,其中每一該接墊包括彼此重疊的一該第一導電圖案、一該第二導電圖案和第一有機絕緣層的該些接觸窗的至少一接觸窗;在該電子裝置的俯視圖中,該些接墊在一第一方向上排列,該些接墊包括相鄰的一第一接墊及一第二接墊,該第一接墊及該第二接墊在該第一方向上實質上對齊,該第一接墊的該第一有機絕緣層的該至少一接觸窗與該第二接墊的該第一有機絕緣層的該 至少一接觸窗在該第一方向上錯位。
- 如請求項1所述的電子裝置,更包括:一第一無機絕緣層,設置於該第二導電層與該第一有機絕緣層之間,其中該第一無機絕緣層具有位於該周邊區的多個接觸窗,該第一無機絕緣層的該些接觸窗分別重疊於該第一有機絕緣層的該些接觸窗;每一該接墊包括彼此重疊的一該第一導電圖案、一該第二導電圖案、該第一有機絕緣層的該至少一接觸窗和該第一無機絕緣層的該些接觸窗的至少一接觸窗;在該電子裝置的俯視圖中,該第一接墊的該第一無機絕緣層的該至少一接觸窗與該第二接墊的該第一無機絕緣層的該至少一接觸窗在該第一方向上錯位。
- 如請求項1所述的電子裝置,更包括:一第二有機絕緣層,設置於該第二導電層上,且位於該基板的該工作區及該周邊區,其中該第二有機絕緣層具有位於該周邊區的多個接觸窗,且該第二有機絕緣層的該些接觸窗重疊於該些第二導電圖案;以及一第三導電層,設置於該第二有機絕緣層上,且具有多個第三導電圖案,其中該些第三導電圖案位於該周邊區、於結構上彼此分離且分別重疊於該些第二導電圖案,該些第三導電圖案透過該第二有機絕緣層的該些接觸窗分別電性連接至該些第二導電圖案; 每一該接墊包括彼此重疊的一該第一導電圖案、一該第二導電圖案、一該第三導電圖案、該第一有機絕緣層的該至少一接觸窗和該第二有機絕緣層的該些接觸窗的至少一接觸窗;在該電子裝置的俯視圖中,該第一接墊的該第二有機絕緣層的該至少一接觸窗與該第二接墊的該第二有機絕緣層的該至少一接觸窗在該第一方向上錯位。
- 如請求項3所述的電子裝置,更包括:一第一無機絕緣層,設置於該第一導電層與該第一有機絕緣層之間,其中該第一無機絕緣層具有位於該周邊區的多個接觸窗,該第一無機絕緣層的該些接觸窗分別重疊於該第一有機絕緣層的該些接觸窗;以及一第二無機絕緣層,設置於該第三導電層與該第二有機絕緣層之間,其中該第二無機絕緣層具有位於該周邊區的多個接觸窗,該第二無機絕緣層的該些接觸窗分別重疊於該第二有機絕緣層的該些接觸窗;每一該接墊包括彼此重疊的一該第一導電圖案、一該第二導電圖案、一該第三導電圖案、該第一有機絕緣層的該至少一接觸窗、該第一無機絕緣層的該些接觸窗的至少一接觸窗、該第二有機絕緣層的該至少一接觸窗和該第二無機絕緣層的該些接觸窗的至少一接觸窗;在該電子裝置的俯視圖中,該第一接墊的該第一無機絕緣層的該至少一接觸窗與該第二接墊的該第一無機絕緣層的該至少一 接觸窗在該第一方向上錯位,且該第一接墊的該第二無機絕緣層的該至少一接觸窗與該第二接墊的該第二無機絕緣層的該至少一接觸窗在該第一方向上錯位。
- 如請求項3所述的電子裝置,更包括:一第三有機絕緣層,設置於該第三導電層上,且位於該基板的該工作區及該周邊區,其中該第三有機絕緣層具有位於該周邊區的多個接觸窗,且該第三有機絕緣層的該些接觸窗重疊於該些第三導電圖案;以及一第四導電層,設置於該第三有機絕緣層上,且具有多個第四導電圖案,其中該些第四導電圖案位於該周邊區、於結構上彼此分離且分別重疊於該些第三導電圖案,且該些第四導電圖案透過該第三有機絕緣層的該些接觸窗分別電性連接至該些第三導電圖案;每一該接墊包括彼此重疊的一該第一導電圖案、一該第二導電圖案、一該第三導電圖案、一該第四導電圖案、該第一有機絕緣層的該至少一接觸窗、該第二有機絕緣層的該至少一接觸窗和該第三有機絕緣層的該些接觸窗的至少一接觸窗;在該電子裝置的俯視圖中,該第一接墊的該第三有機絕緣層的該至少一接觸窗與該第二接墊的該第三有機絕緣層的該至少一接觸窗在該第一方向上錯位。
- 如請求項5所述的電子裝置,更包括: 一第一無機絕緣層,設置於該第一導電層與該第一有機絕緣層之間,其中該第一無機絕緣層具有位於該周邊區的多個接觸窗,該第一無機絕緣層的該些接觸窗分別重疊於該第一有機絕緣層的該些接觸窗;一第二無機絕緣層,設置於該第三導電層與該第二有機絕緣層之間,其中該第二無機絕緣層具有位於該周邊區的多個接觸窗,該第二無機絕緣層的該些接觸窗分別重疊於該第二有機絕緣層的該些接觸窗;以及一第三無機絕緣層,設置於該第四導電層與該第三有機絕緣層之間,其中該第三無機絕緣層具有位於該周邊區的多個接觸窗,該第三無機絕緣層的該些接觸窗分別重疊於該第三有機絕緣層的該些接觸窗;每一該接墊包括彼此重疊的一該第一導電圖案、一該第二導電圖案、一該第三導電圖案、一該第四導電圖案、該第一有機絕緣層的該至少一接觸窗、該第二有機絕緣層的該至少一接觸窗、該第三有機絕緣層的該至少一接觸窗、該第一無機絕緣層的該些接觸窗的至少一接觸窗、該第二無機絕緣層的該些接觸窗的至少一接觸窗和該第三無機絕緣層的該些接觸窗的至少一接觸窗;在該電子裝置的俯視圖中,該第一接墊的該第一無機絕緣層的該至少一接觸窗與該第二接墊的該第一無機絕緣層的該至少一接觸窗在該第一方向上錯位,該第一接墊的該第二無機絕緣層的該至少一接觸窗與該第二接墊的該第二無機絕緣層的該至少一接 觸窗在該第一方向上錯位,且該第一接墊的該第三無機絕緣層的該至少一接觸窗與該第二接墊的該第三無機絕緣層的該至少一接觸窗在該第一方向上錯位。
- 如請求項5所述的電子裝置,其中在該電子裝置的俯視圖中,該第一接墊的該第一有機絕緣層的該至少一接觸窗、該第二有機絕緣層的該至少一接觸窗及該第三有機絕緣層的該至少一接觸窗分別與該第二接墊的該第二有機絕緣層的該至少一接觸窗、該第三有機絕緣層的該至少一接觸窗及該第一有機絕緣層的該至少一接觸窗在該第一方向上對齊。
- 如請求項7所述的電子裝置,其中該些接墊更包括一第三接墊,該第一接墊、該第二接墊及該第三接墊在該第一方向上依序排列;在該電子裝置的俯視圖中,該第二接墊的該第二有機絕緣層的該至少一接觸窗、該第三有機絕緣層的該至少一接觸窗及該第一有機絕緣層的該至少一接觸窗分別與該第三接墊的該第三有機絕緣層的該至少一接觸窗、該第一有機絕緣層的該至少一接觸窗及該第二有機絕緣層的該至少一接觸窗對齊。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW111150796A TWI830563B (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 電子裝置 |
CN202310813056.8A CN116666540A (zh) | 2022-12-30 | 2023-07-04 | 电子装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW111150796A TWI830563B (zh) | 2022-12-30 | 2022-12-30 | 電子裝置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI830563B true TWI830563B (zh) | 2024-01-21 |
Family
ID=87722509
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116666540A (zh) |
TW (1) | TWI830563B (zh) |
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2022
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- 2023-07-04 CN CN202310813056.8A patent/CN116666540A/zh active Pending
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