JP2001075119A - 位置合わせ用認識マーク構造及び液晶素子 - Google Patents

位置合わせ用認識マーク構造及び液晶素子

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JP2001075119A
JP2001075119A JP25358399A JP25358399A JP2001075119A JP 2001075119 A JP2001075119 A JP 2001075119A JP 25358399 A JP25358399 A JP 25358399A JP 25358399 A JP25358399 A JP 25358399A JP 2001075119 A JP2001075119 A JP 2001075119A
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film
recognition
transparent
mark
alignment
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JP25358399A
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Takanori Sato
隆則 佐藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 保護膜としての透明絶縁膜を有する場合にも
CCDによる画像認識が容易に行えるようにすること。 【解決手段】 金属膜1と透明基板5との間に、該金属
膜1の平面形状よりも大きな平面形状をもつ認識用の透
明膜3を設け、該透明膜3の屈折率を透明絶縁膜2とは
異なるようにした。これにより、金属膜1と透明膜3と
のコントラスト差が採れ2値化できることで、接続時の
CCDによる画像認識異常が無くなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、精密な接続時に使
用される位置合わせ用認識マークの構造及びこれを有す
る液晶素子に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、電子デバイスの分野において用い
られる実装技術は高密度化へと進歩している。特に液晶
ディスプレイでは進歩は目覚ましく、ノートパソコンへ
の搭載用では限られたスペースに駆動用ICがついたT
ABフィルムをACF(異方性導電フィルム)を介して
実装されている。図5は従来のTABフィルムを実装す
る際に用いられる位置合わせ用認識マーク構造の断面図
であり、ガラス基板5上に100nm〜190nmスパ
ッタで成膜した金属膜1[例えばMo(モリブデン)
膜]をフォトリソグラフィにより微細加工でパターン形
成している。このマーク構造をガラス基板5の裏面から
光を投影し、金属膜1での反射光をCCDにより画像認
識で捕らえ(図中の符号4は画像認識範囲を示す)、T
ABフィルムに形成されている位置合わせマークとアラ
イメント調整し貼り合わせていた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】ところがノートパソコ
ンが更に表示エリアを広くする目的や、高精細表示(例
えばUXGA)化する目的でTABフィルムから駆動用
ICをパネルに直接実装するCOG(チップ・オン・グ
ラス)技術が必要とされてきた。この場合は、図6及び
図7に示すように、上述したTABフィルム実装部とは
異なり、接続部であるバンプ以外は信頼性上やゴミ等で
の接続不良発生を防止するため上層に透明絶縁膜2[保
護膜(例えばTaOxの薄膜)]を必要とする。この場
合の位置合わせ用認識マーク構造では、TABフィルム
実装時と同様にマーク構造をCCDで捕らえようとする
と、金属膜1の外周にある透明絶縁膜2でも光の反射が
あるため、コントラストが採れず、位置合わせが不可能
となってしまう不都合が生じていた。
【0004】そこで本発明は上記事情に鑑み、保護膜と
しての透明絶縁膜を有する場合にも、CCDによる画像
認識が容易に行える位置合わせ用認識マーク構造及びこ
れを有する液晶素子を提供することを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明は、透明基板と、該透明基板表面に設けられた金属膜
マークと、該金属膜マークを覆う形で前記透明基板表面
に設けられた透明絶縁膜と、を備えた位置合わせ用認識
マーク構造において、前記透明絶縁膜と前記透明基板と
の間に、前記金属膜マークの平面形状よりも大きな平面
形状をもつ認識用透明膜を設け、前記認識用透明膜を前
記金属膜マークと積層させて配置すると共に、該認識用
透明膜の平面形状の内側に前記金属膜マークの平面形状
を包含させ、前記認識用透明膜を、前記透明絶縁膜とは
異なる屈折率の材料で形成した、ことを特徴とする。
【0006】また、前記透明絶縁膜がSiO2 (酸化珪
素)、TaOx(タンタル・オキサイド)又はAl2
3 (アルミナ)のいずれかで形成されており、前記認識
用透明膜がITO(インジュウム・チン・オキサイド)
又はSnO2 (酸化スズ)のいずれかで形成されてい
る、ことを特徴とする。
【0007】
【発明の実施の形態】<実施例1>図1は本発明の位置
合わせ用認識マーク構造の一実施例を平面図で示し、図
2はその断面図であり、図3は該位置合わせ用認識マー
ク構造を用いた液晶素子の詳細図であり、図4は図3の
液晶素子の実装端子部7の詳細図である。
【0008】透明基板5の表面上に、厚さ70nmを有
する透明膜3として屈折率1.93のITO(インジュ
ウム・チン・オキサイド)膜をスパッタ成膜によって成
膜し、フォトリソグラフィによりパターン形成した。こ
れにより、液晶素子画素部6(図3)の図示しない透明
電極と共に、各駆動用ICの実装端子部7に対応して、
図4の符号9で示すようなマークを形成すべき位置に、
所定の画像認識範囲4より広い平面形状をもつ透明膜3
(認識用透明膜)が形成された。
【0009】上記透明膜3の上に、100〜190nm
を有する金属膜1としてMoをスパッタ成膜し、フォト
リソグラフィによりパターン形成した。これにより、液
晶素子画素部6の図示しない補助電極と共に、位置合わ
せ用認識マーク9の下地として形成されている前記透明
膜3上に金属膜1(金属膜マーク)が形成された。
【0010】なお、実装端子部7は、高精細表示(例え
ばUXGA)化する目的でTABフィルムから駆動用I
Cをパネルに直接実装するCOG(チップ・オン・グラ
ス)技術が必要であり、実装端子バンプ部8のみをレジ
スト膜でカバレッジし、その上層に厚さ90nmを有す
る透明絶縁膜2として屈折率2.08のTaOxをスパ
ッタ成膜にて液晶素子全体に施す。上記でレジスト膜に
てカバレッジした実装端子バンプ部8の透明絶縁膜2を
アミン系の剥離液にて除去する。
【0011】以上述べたように、液晶素子の電極及び絶
縁膜と、実装時の位置合わせ用認識マーク9を同一の工
程で同時に形成することができた。このようにして形成
された図3の液晶素子をCOG実装時に位置合わせ用認
識マーク9を用いてオートアライメントを行った結果、
接合時の画像認識不良による、装置停止がなくなり、コ
ントラストが採れ2値化が確実にできるようになった。
なお、位置合わせ用認識マーク9にITOを形成しなか
った場合、現在の画像認識装置を使用すると100%認
識不良による装置ストップが起きる。また、画像認識装
置の調整を行った場合も誤認識が起こってしまう。
【0012】<実施例2>図8に示す通り、実施例1に
おける透明膜3と金属膜1の積層順序を逆にしても同様
の効果が得られた。
【0013】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、金
属膜マークと認識用透明膜とのコントラスト差が採れ、
2値化できることで、接続時のCCDによる画像認識異
常が無くなり、確実に認識することができることで、精
密な実装が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1における位置合わせ用認識マーク構造
の平面図。
【図2】実施例1における位置合わせ用認識マーク構造
の断面図。
【図3】位置合わせ用認識マーク構造を用いた液晶素子
の詳細図。
【図4】位置合わせ用認識マーク構造を用いた液晶素子
実装端子部の詳細図。
【図5】従来の位置合わせ用認識マーク構造の断面図。
【図6】透明絶縁膜を有した位置合わせ用認識マーク構
造における従来構造を示す平面図。
【図7】透明絶縁膜を有した位置合わせ用認識マーク構
造における従来構造を示す断面図。
【図8】実施例2における位置合わせ用認識マーク構造
の断面図。
【符号の説明】
1 金属膜 2 透明絶縁膜 3 透明膜 4 画像認識範囲 5 透明基板 6 液晶素子画素部 7 実装端子部 8 実装端子バンプ部 9 位置合わせ用認識マーク

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 透明基板と、該透明基板表面に設けられ
    た金属膜マークと、該金属膜マークを覆う形で前記透明
    基板表面に設けられた透明絶縁膜と、を備えた位置合わ
    せ用認識マーク構造において、 前記透明絶縁膜と前記透明基板との間に、前記金属膜マ
    ークの平面形状よりも大きな平面形状をもつ認識用透明
    膜を設け、 前記認識用透明膜を前記金属膜マークと積層させて配置
    すると共に、該認識用透明膜の平面形状の内側に前記金
    属膜マークの平面形状を包含させ、 前記認識用透明膜を、前記透明絶縁膜とは異なる屈折率
    の材料で形成した、 ことを特徴とする位置合わせ用認識マーク構造。
  2. 【請求項2】 前記透明絶縁膜がSiO2 (酸化珪
    素)、TaOx(タンタル・オキサイド)又はAl2
    3 (アルミナ)のいずれかで形成されており、 前記認識用透明膜がITO(インジュウム・チン・オキ
    サイド)又はSnO2(酸化スズ)のいずれかで形成さ
    れている、 ことを特徴とする請求項1記載の位置合わせ用認識マー
    ク構造。
  3. 【請求項3】 請求項1又は2記載の位置合わせ用認識
    マーク構造を有していることを特徴とする液晶素子。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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