JP3161528B2 - 液晶表示パネル - Google Patents
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/1335—Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
- G02F1/133509—Filters, e.g. light shielding masks
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、特に、トランスフ
ァの有無、形状等を確認窓を設けることなく目視で確認
することのできる液晶表示パネルに関する。
ァの有無、形状等を確認窓を設けることなく目視で確認
することのできる液晶表示パネルに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示パネルについて図面を参
照して説明する。
照して説明する。
【０００３】図２０は従来の液晶表示パネルを表示面側
から見た平面図、図２１はこの種の液晶表示パネルの概
略構成を示す等価回路図である。
から見た平面図、図２１はこの種の液晶表示パネルの概
略構成を示す等価回路図である。
【０００４】薄膜トランジスタ(以下、ＴＦＴと称する)
をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス
型液晶表示パネルは、ＴＦＴ及び画素電極がマトリクス
状に配置されたＴＦＴ基板１００と、遮光膜（いわゆる
ブラックマトリクス）２３、着色層および共通電極が形
成されたカラーフィルタ基板２０とを液晶を介して対向
配置して構成される。
をスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス
型液晶表示パネルは、ＴＦＴ及び画素電極がマトリクス
状に配置されたＴＦＴ基板１００と、遮光膜（いわゆる
ブラックマトリクス）２３、着色層および共通電極が形
成されたカラーフィルタ基板２０とを液晶を介して対向
配置して構成される。
【０００５】図２１において、４１は、ゲート端子３１
に接続されるゲートバスラインドライバによって駆動さ
れる走査線を構成するゲートバスライン、４２は、ドレ
イン端子３２に接続されるドレインバスドライバによっ
て駆動される信号線を構成するドレインバスライン、４
７はゲートがゲートバスライン４１に接続され、ドレイ
ンがドレインバスライン４２に接続されたＴＦＴ、４６
はＴＦＴ４７に接続された、ＩＴＯ等の透明導電膜によ
って形成された画素電極４６である。
に接続されるゲートバスラインドライバによって駆動さ
れる走査線を構成するゲートバスライン、４２は、ドレ
イン端子３２に接続されるドレインバスドライバによっ
て駆動される信号線を構成するドレインバスライン、４
７はゲートがゲートバスライン４１に接続され、ドレイ
ンがドレインバスライン４２に接続されたＴＦＴ、４６
はＴＦＴ４７に接続された、ＩＴＯ等の透明導電膜によ
って形成された画素電極４６である。
【０００６】内側の破線枠で囲まれた領域は、ＴＦＴア
レイ基板１００及びカラーフィルタ基板２０の共通部分
を示しており、これら両基板は液晶を介して対向配置さ
れている。
レイ基板１００及びカラーフィルタ基板２０の共通部分
を示しており、これら両基板は液晶を介して対向配置さ
れている。
【０００７】ＴＦＴ４７のソースには蓄積容量素子４５
と液晶容量素子４４とが並列に接続されている。この
内、蓄積容量素子４５は、画素電極４６とその下に絶縁
膜を介して配置される蓄積容量電極とによって形成され
る容量素子であり、液晶容量素子４４は画素電極４６と
液晶を介して配置されるカラーフィルタ基板２０上の対
向電極とによって形成される容量素子である。このた
め、ＴＦＴアレイ基板１００に設けた共通電位入力端子
３３より入力した共通電位をトランスファパッドから対
向電極へトランスファ２７を介して与えている。
と液晶容量素子４４とが並列に接続されている。この
内、蓄積容量素子４５は、画素電極４６とその下に絶縁
膜を介して配置される蓄積容量電極とによって形成され
る容量素子であり、液晶容量素子４４は画素電極４６と
液晶を介して配置されるカラーフィルタ基板２０上の対
向電極とによって形成される容量素子である。このた
め、ＴＦＴアレイ基板１００に設けた共通電位入力端子
３３より入力した共通電位をトランスファパッドから対
向電極へトランスファ２７を介して与えている。
【０００８】従来の代表的なＴＦＴアレイ基板の構造に
ついて図面を参照して説明する。
ついて図面を参照して説明する。
【０００９】図１０は第１従来例のＴＦＴアレイ基板の
１画素分の構成を示す平面図、図１１は図１０のＴＦＴ
におけるＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
１画素分の構成を示す平面図、図１１は図１０のＴＦＴ
におけるＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００１０】ＴＦＴアレイ基板の製法について図面を参
照して説明する。
照して説明する。
【００１１】ガラス基板１０１上にＣｒ、Ａｌ等の金属
膜からなる第１金属膜をパターニングして、ゲート電極
１、ゲートバスライン１１及び蓄積容量電極を形成す
る。なお、図１０において、ゲートバスライン１１の一
部が蓄積容量電極を兼ねている。その後、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜等の材料からなるゲート絶縁膜１
４、真性半導体非晶質シリコン（以下では「ａ−Ｓｉ
（Ｉ）」と略す）からなるチャネル層２、ｎ型半導体非
晶質シリコン（以下では「ａ−Ｓｉ（ｎ＋）」と略す）
からなるコンタクト層７を順次形成する。その後、駆動
用ドライバＩＣを実装するための端子を設ける部分に相
当する領域のゲート絶縁膜１４をエッチング除去するパ
ターニング工程を行い、ゲート電極１を形成している第
１金属膜と、ドレイン電極３、ソース電極４、及びドレ
インバスライン１２を形成している第２金属膜とを導通
させるためのスルーホール（図示せず）を形成する。そ
の後、ゲート電極１と同様にＣｒ、Ａｌ等の金属膜から
なる第２金属膜をパターニングして、ドレイン電極３、
ソース電極４、ドレインバスライン１２を設け、続いて
ＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明導電膜を画素電極
６として形成する。しかる後、チャネル部のコンタクト
層７をエッチング除去する。その後、シリコン窒化膜等
の材料からなるパッシベーション膜１５を形成してＴＦ
Ｔアレイ基板１００とする。ここで、パッシベーション
膜１５の光吸収に起因するパネル透過率の低下すなわち
表示の明るさの低下を防止するために画素電極６上のパ
ッシベーション膜１５は除去されている。即ち、パッシ
ベーション膜１５は、図１０及び図１１に示されるよう
に画素電極６のほぼ１面上に亘ってパッシベーション膜
開口領域を備えている。
膜からなる第１金属膜をパターニングして、ゲート電極
１、ゲートバスライン１１及び蓄積容量電極を形成す
る。なお、図１０において、ゲートバスライン１１の一
部が蓄積容量電極を兼ねている。その後、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜等の材料からなるゲート絶縁膜１
４、真性半導体非晶質シリコン（以下では「ａ−Ｓｉ
（Ｉ）」と略す）からなるチャネル層２、ｎ型半導体非
晶質シリコン（以下では「ａ−Ｓｉ（ｎ＋）」と略す）
からなるコンタクト層７を順次形成する。その後、駆動
用ドライバＩＣを実装するための端子を設ける部分に相
当する領域のゲート絶縁膜１４をエッチング除去するパ
ターニング工程を行い、ゲート電極１を形成している第
１金属膜と、ドレイン電極３、ソース電極４、及びドレ
インバスライン１２を形成している第２金属膜とを導通
させるためのスルーホール（図示せず）を形成する。そ
の後、ゲート電極１と同様にＣｒ、Ａｌ等の金属膜から
なる第２金属膜をパターニングして、ドレイン電極３、
ソース電極４、ドレインバスライン１２を設け、続いて
ＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明導電膜を画素電極
６として形成する。しかる後、チャネル部のコンタクト
層７をエッチング除去する。その後、シリコン窒化膜等
の材料からなるパッシベーション膜１５を形成してＴＦ
Ｔアレイ基板１００とする。ここで、パッシベーション
膜１５の光吸収に起因するパネル透過率の低下すなわち
表示の明るさの低下を防止するために画素電極６上のパ
ッシベーション膜１５は除去されている。即ち、パッシ
ベーション膜１５は、図１０及び図１１に示されるよう
に画素電極６のほぼ１面上に亘ってパッシベーション膜
開口領域を備えている。
【００１２】続いて、第１従来例のＴＦＴアレイ基板に
設けたトランスファパッドの製法について、図面を用い
て説明する。
設けたトランスファパッドの製法について、図面を用い
て説明する。
【００１３】図１２は第１従来例のＴＦＴアレイ基板に
設けたトランスファパッドの平面図、図１３は図１２の
Ａ−Ａ’線に沿った断面図である。以下で説明する製法
及び工程は、図１０及び図１１を用いて先に説明したＴ
ＦＴアレイ基板と同一のものである。
設けたトランスファパッドの平面図、図１３は図１２の
Ａ−Ａ’線に沿った断面図である。以下で説明する製法
及び工程は、図１０及び図１１を用いて先に説明したＴ
ＦＴアレイ基板と同一のものである。
【００１４】ガラス基板１０１上にＣｒ、Ａｌ等の金属
膜からなる第１金属膜３０１を成膜し、トランスファパ
ッドとしての所定の形状にパターニングした後、シリコ
ン酸化膜、シリコン窒化膜等の材料からなるゲート絶縁
膜１４を形成する。その後、第１金属膜３０１上の所定
の領域のゲート絶縁膜１４をエッチング除去するパター
ニング工程を行い、第１金属膜３０１と第２金属膜３０
３とを導通させるためのスルーホール９を形成する。そ
の後、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜からなる第２金属膜３０３
を第１金属膜３０１と同様に所定の形状にパターニング
する。続いてＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明導電
膜３０６を前述の第２金属膜３０３上に形成する。しか
る後、シリコン窒化膜等の材料からなるパッシベーショ
ン膜１５を形成してトランスファパッドとする。ここ
で、トランスファパッドとトランスファ２４とを電気的
に接続するために、透明導電膜３０６上のパッシベーシ
ョン膜１５は除去されている。即ち、パッシベーション
膜１５は、図１２及び図１３に示されるように透明導電
膜３０６上にパッシベーション膜開口領域を備えてい
る。このトランスファパッドでは、第１金属膜３０１と
第２金属膜３０３との双方、もしくはいずれか一方を用
いて、共通電位入力端子３３と接続している。
膜からなる第１金属膜３０１を成膜し、トランスファパ
ッドとしての所定の形状にパターニングした後、シリコ
ン酸化膜、シリコン窒化膜等の材料からなるゲート絶縁
膜１４を形成する。その後、第１金属膜３０１上の所定
の領域のゲート絶縁膜１４をエッチング除去するパター
ニング工程を行い、第１金属膜３０１と第２金属膜３０
３とを導通させるためのスルーホール９を形成する。そ
の後、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜からなる第２金属膜３０３
を第１金属膜３０１と同様に所定の形状にパターニング
する。続いてＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明導電
膜３０６を前述の第２金属膜３０３上に形成する。しか
る後、シリコン窒化膜等の材料からなるパッシベーショ
ン膜１５を形成してトランスファパッドとする。ここ
で、トランスファパッドとトランスファ２４とを電気的
に接続するために、透明導電膜３０６上のパッシベーシ
ョン膜１５は除去されている。即ち、パッシベーション
膜１５は、図１２及び図１３に示されるように透明導電
膜３０６上にパッシベーション膜開口領域を備えてい
る。このトランスファパッドでは、第１金属膜３０１と
第２金属膜３０３との双方、もしくはいずれか一方を用
いて、共通電位入力端子３３と接続している。
【００１５】図１０及び図１１を用いて説明した第１従
来例において、ドレインバスライン１２と画素電極６は
共にゲート絶縁膜１４上つまり同一平面上に設けられて
おり、一定の間隔を介して隣接している。このため、そ
れぞれのパターニング工程においてパターニング不良が
発生すると、ドレインバスライン１２と画素電極６との
短絡が発生しやすい。ドレインバスライン１２と画素電
極６との短絡があると、画素電極６の充放電がＴＦＴの
オン／オフで制御できなくなり、その画素は点欠陥とし
て視認される。
来例において、ドレインバスライン１２と画素電極６は
共にゲート絶縁膜１４上つまり同一平面上に設けられて
おり、一定の間隔を介して隣接している。このため、そ
れぞれのパターニング工程においてパターニング不良が
発生すると、ドレインバスライン１２と画素電極６との
短絡が発生しやすい。ドレインバスライン１２と画素電
極６との短絡があると、画素電極６の充放電がＴＦＴの
オン／オフで制御できなくなり、その画素は点欠陥とし
て視認される。
【００１６】このため、ドレインバスライン１２と画素
電極６との短絡を低減するＴＦＴ構造が提案されてい
る。
電極６との短絡を低減するＴＦＴ構造が提案されてい
る。
【００１７】このＴＦＴを第２従来例として図面を参照
して説明する。
して説明する。
【００１８】図１４は第２従来例のＴＦＴアレイ基板の
１画素分の構成を示す平面図、図１５は図１４のＴＦＴ
におけるＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
１画素分の構成を示す平面図、図１５は図１４のＴＦＴ
におけるＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００１９】ＴＦＴアレイ基板の製法を図面を参照して
説明する。
説明する。
【００２０】ガラス基板１０１上にＣｒ、Ａｌ等の金属
膜からなる第１金属膜をパターニングして、ゲート電極
１、ゲートバスライン１１及び蓄積容量電極を形成す
る。なお、図１４においても図１０と同様に、ゲートバ
スライン１１の一部が蓄積容量電極を兼ねている。その
後、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の材料からなる
ゲート絶縁膜１４、ａ−Ｓｉ（Ｉ）からなるチャネル層
２、ａ−Ｓｉ（ｎ＋）からなるコンタクト層７を順次形
成する。その後、駆動用ドライバＩＣを実装するための
端子を設ける部分に相当する領域のゲート絶縁膜１４を
エッチング除去するパターニング工程を行い、ゲート電
極１を形成している第１金属膜と、ドレイン電極２、ソ
ース電極４、及びドレインバスライン１２を形成してい
る第２金属膜とを導通させるためのスルーホール（図示
せず）を形成する。その後、ゲート電極１と同様にＣ
ｒ、Ａｌ等の金属膜からなる第２金属膜をパターニング
して、ドレイン電極２、ソース電極４、ドレインバスラ
イン１２を設ける。しかる後、チャネル部のコンタクト
層７をエッチング除去する。その上に、シリコン窒化膜
等の材料からなるパッシベーション膜１５を形成した
後、第２金属膜からなるソース電極４と画素電極６を導
通させるスルーホール１０及び第１を設けた後、画素電
極６を形成してＴＦＴアレイ基板１００とする。なお、
この構造におけるパターニング工程の数は図１０及び図
１１を用いて説明した構造と同じである。
膜からなる第１金属膜をパターニングして、ゲート電極
１、ゲートバスライン１１及び蓄積容量電極を形成す
る。なお、図１４においても図１０と同様に、ゲートバ
スライン１１の一部が蓄積容量電極を兼ねている。その
後、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の材料からなる
ゲート絶縁膜１４、ａ−Ｓｉ（Ｉ）からなるチャネル層
２、ａ−Ｓｉ（ｎ＋）からなるコンタクト層７を順次形
成する。その後、駆動用ドライバＩＣを実装するための
端子を設ける部分に相当する領域のゲート絶縁膜１４を
エッチング除去するパターニング工程を行い、ゲート電
極１を形成している第１金属膜と、ドレイン電極２、ソ
ース電極４、及びドレインバスライン１２を形成してい
る第２金属膜とを導通させるためのスルーホール（図示
せず）を形成する。その後、ゲート電極１と同様にＣ
ｒ、Ａｌ等の金属膜からなる第２金属膜をパターニング
して、ドレイン電極２、ソース電極４、ドレインバスラ
イン１２を設ける。しかる後、チャネル部のコンタクト
層７をエッチング除去する。その上に、シリコン窒化膜
等の材料からなるパッシベーション膜１５を形成した
後、第２金属膜からなるソース電極４と画素電極６を導
通させるスルーホール１０及び第１を設けた後、画素電
極６を形成してＴＦＴアレイ基板１００とする。なお、
この構造におけるパターニング工程の数は図１０及び図
１１を用いて説明した構造と同じである。
【００２１】第２従来例であるＴＦＴの１画素分の構造
において、ドレインバスライン１２はゲート絶縁膜１４
上に設けられており、一方、画素電極６はパッシベーシ
ョン膜１５上に形成されている。ドレインバスライン１
２と画素電極６の間には絶縁膜であるパッシベーション
膜１５が存在するので、それぞれのパターニング工程に
おいてパターニング不良が発生しても、ドレインバスラ
イン１２と画素電極との短絡が発生しない。このため、
点欠陥不良を低減することができる。
において、ドレインバスライン１２はゲート絶縁膜１４
上に設けられており、一方、画素電極６はパッシベーシ
ョン膜１５上に形成されている。ドレインバスライン１
２と画素電極６の間には絶縁膜であるパッシベーション
膜１５が存在するので、それぞれのパターニング工程に
おいてパターニング不良が発生しても、ドレインバスラ
イン１２と画素電極との短絡が発生しない。このため、
点欠陥不良を低減することができる。
【００２２】続いて、第２従来例のＴＦＴアレイ基板に
設けたトランスファパッドの構成について図面を用いて
説明する。
設けたトランスファパッドの構成について図面を用いて
説明する。
【００２３】図１６はＴＦＴアレイ基板に設けたトラン
スファパッドの第１例の平面図、図１７は図１６のＡ−
Ａ’線に沿った断面図、図１８はＴＦＴアレイ基板に設
けたトランスファパッドの第２例の平面図、図１９は図
１８のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。以下で説明す
る製法及び工程は、図１４及び図１５を用いて先に説明
したＴＦＴアレイ基板と同一のものである。
スファパッドの第１例の平面図、図１７は図１６のＡ−
Ａ’線に沿った断面図、図１８はＴＦＴアレイ基板に設
けたトランスファパッドの第２例の平面図、図１９は図
１８のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。以下で説明す
る製法及び工程は、図１４及び図１５を用いて先に説明
したＴＦＴアレイ基板と同一のものである。
【００２４】まず、トランスファパッドの第１例の構成
について説明する。
について説明する。
【００２５】図１６、図１７に示したように、ガラス基
板１０１上にＣｒ、Ａｌ等の金属膜からなる第１金属膜
３０１を成膜し、トランスファパッドとしての所定の形
状にパターニングした後、シリコン酸化膜、シリコン窒
化膜等の材料からなるゲート絶縁膜１４を形成する。し
かる後、シリコン窒化膜等の材料からなるパッシベーシ
ョン膜１５を形成する。ここで、第１金属膜３０１と透
明導電膜３０６とを電気的に接続するために、第１金属
膜３０１上のゲート絶縁膜１４とパッシベーション膜１
５の双方をエッチング除去し、スルーホール８を形成す
る。続いてＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明導電膜
３０６を前述の第１金属膜３０１上に形成して、トラン
スファパッドとする。このトランスファパッドでは、第
１金属膜３０１を用いて、共通電位入力端子３３と接続
している。
板１０１上にＣｒ、Ａｌ等の金属膜からなる第１金属膜
３０１を成膜し、トランスファパッドとしての所定の形
状にパターニングした後、シリコン酸化膜、シリコン窒
化膜等の材料からなるゲート絶縁膜１４を形成する。し
かる後、シリコン窒化膜等の材料からなるパッシベーシ
ョン膜１５を形成する。ここで、第１金属膜３０１と透
明導電膜３０６とを電気的に接続するために、第１金属
膜３０１上のゲート絶縁膜１４とパッシベーション膜１
５の双方をエッチング除去し、スルーホール８を形成す
る。続いてＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明導電膜
３０６を前述の第１金属膜３０１上に形成して、トラン
スファパッドとする。このトランスファパッドでは、第
１金属膜３０１を用いて、共通電位入力端子３３と接続
している。
【００２６】次に、トランスファパッドの第２例の構成
について説明する。
について説明する。
【００２７】図１８、図１９に示したように、ガラス基
板１０１上にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の材料
からなるゲート絶縁膜１４を形成する。その上にＣｒ、
Ａｌ等の金属膜からなる第２金属膜３０３を成膜し、ト
ランスファパッドとしての所定の形状にパターニングし
た後、シリコン窒化膜等の材料からなるパッシベーショ
ン膜１５を形成する。ここで、第２金属膜３０３と透明
導電膜３０６とを電気的に接続するために、第２金属膜
３０３上のパッシベーション膜１５を同時にエッチング
除去する。続いてＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明
導電膜３０６を前述の第２金属膜３０３上に形成して、
トランスファパッドとする。このトランスファパッドで
は、第２金属膜３０３を用いて、共通電位入力端子３３
と接続している。
板１０１上にシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等の材料
からなるゲート絶縁膜１４を形成する。その上にＣｒ、
Ａｌ等の金属膜からなる第２金属膜３０３を成膜し、ト
ランスファパッドとしての所定の形状にパターニングし
た後、シリコン窒化膜等の材料からなるパッシベーショ
ン膜１５を形成する。ここで、第２金属膜３０３と透明
導電膜３０６とを電気的に接続するために、第２金属膜
３０３上のパッシベーション膜１５を同時にエッチング
除去する。続いてＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明
導電膜３０６を前述の第２金属膜３０３上に形成して、
トランスファパッドとする。このトランスファパッドで
は、第２金属膜３０３を用いて、共通電位入力端子３３
と接続している。
【００２８】次に、これまで説明した第１，２従来例の
ＴＦＴアレイ基板を用いた液晶表示パネルの製法につい
て、図面を参照して説明する。
ＴＦＴアレイ基板を用いた液晶表示パネルの製法につい
て、図面を参照して説明する。
【００２９】カラーフィルタ基板２０は、ガラス基板２
１上にＣｒ、ＣｒＯｘ等の金属膜や黒色樹脂からなるブ
ラックマトリクス２３および着色層（図示せず）を設け
る。この際にトランスファの有無や形状が確認できるよ
うに、ブラックマトリクス２３の一部を除去してトラン
スファ確認窓２６を設ける(図２０参照)。その上にＩＴ
Ｏ等の透明導電膜からなる対向電極２２を形成して、カ
ラーフィルタ基板２０とする。
１上にＣｒ、ＣｒＯｘ等の金属膜や黒色樹脂からなるブ
ラックマトリクス２３および着色層（図示せず）を設け
る。この際にトランスファの有無や形状が確認できるよ
うに、ブラックマトリクス２３の一部を除去してトラン
スファ確認窓２６を設ける(図２０参照)。その上にＩＴ
Ｏ等の透明導電膜からなる対向電極２２を形成して、カ
ラーフィルタ基板２０とする。
【００３０】ＴＦＴアレイ基板１００及びカラーフィル
タ基板２０のそれぞれに配向膜（図示せず）を形成して
配向処理を行う。その後、カラーフィルタ基板２０の外
周近傍に、周縁に沿って、接着剤からなるシール（図示
せず）を形成し、カラーフィルタ基板２０の四隅に銀ペ
ースト等の材料からなるトランスファ２４を形成する。
なお、トランスファ２４はＴＦＴアレイ基板に設けたト
ランスファパッドとカラーフィルタ基板に設けた対向電
極２２とが電気的に導通するように形成する。しかる
後、前述の２枚の基板を所定の距離を隔てて接着し、こ
れら２枚の基板間に液晶（図示せず）を注入した後、封
孔して液晶パネルが完成する。
タ基板２０のそれぞれに配向膜（図示せず）を形成して
配向処理を行う。その後、カラーフィルタ基板２０の外
周近傍に、周縁に沿って、接着剤からなるシール（図示
せず）を形成し、カラーフィルタ基板２０の四隅に銀ペ
ースト等の材料からなるトランスファ２４を形成する。
なお、トランスファ２４はＴＦＴアレイ基板に設けたト
ランスファパッドとカラーフィルタ基板に設けた対向電
極２２とが電気的に導通するように形成する。しかる
後、前述の２枚の基板を所定の距離を隔てて接着し、こ
れら２枚の基板間に液晶（図示せず）を注入した後、封
孔して液晶パネルが完成する。
【００３１】この液晶表示パネルに偏光板２５，１０
２、駆動回路及び筐体などを付加し、液晶表示装置とな
る。液晶表示装置として組み立てた場合、カラーフィル
タ基板２０のガラス面方向から表示を見ることになる。
２、駆動回路及び筐体などを付加し、液晶表示装置とな
る。液晶表示装置として組み立てた場合、カラーフィル
タ基板２０のガラス面方向から表示を見ることになる。
【００３２】前述の通り、従来の液晶パネルにはトラン
スファ２４の形状や有無を確認するために、ブラックマ
トリクス２３の一部を除去してトランスファ確認窓２６
を設けている。これにより、液晶パネル組立後において
もトランスファ２４の工程管理等が目視によって容易に
行えるという利点がある。
スファ２４の形状や有無を確認するために、ブラックマ
トリクス２３の一部を除去してトランスファ確認窓２６
を設けている。これにより、液晶パネル組立後において
もトランスファ２４の工程管理等が目視によって容易に
行えるという利点がある。
【００３３】昨今、液晶表示パネルの表面反射による映
り込み等の表示品位の低下を抑制するために、ＣｒＯｘ
や黒色樹脂を用いたブラックマトリクス２３の低反射化
や偏光板２５表面の低反射処理等の技術が採用されてい
る。この場合、液晶表示パネルの表示面すなわちカラー
フィルタ基板２０のガラス面から見ると、ブラックマト
リクス２３や偏光板２５に比べて比較的反射率の高い銀
ペースト等で形成されたトランスファ２４がブラックマ
トリクス２３に設けたトランスファ確認窓２６を介して
視認されやすい。このため、外観上の品位が損なわれる
という問題点を有することになる。
り込み等の表示品位の低下を抑制するために、ＣｒＯｘ
や黒色樹脂を用いたブラックマトリクス２３の低反射化
や偏光板２５表面の低反射処理等の技術が採用されてい
る。この場合、液晶表示パネルの表示面すなわちカラー
フィルタ基板２０のガラス面から見ると、ブラックマト
リクス２３や偏光板２５に比べて比較的反射率の高い銀
ペースト等で形成されたトランスファ２４がブラックマ
トリクス２３に設けたトランスファ確認窓２６を介して
視認されやすい。このため、外観上の品位が損なわれる
という問題点を有することになる。
【００３４】なお、トランスファパッドの構造に関する
公知例として、特開平８−３２７９９５号公報及び特開
平７−１５９７９５号公報が公開されている。
公知例として、特開平８−３２７９９５号公報及び特開
平７−１５９７９５号公報が公開されている。
【００３５】特開平８−３２７９９５号公報において提
示されているトランスファパッドの構成は前述の構成に
準ずるものであるが、ブラックマトリクスにはトランス
ファ確認窓を設けていない。このため、トランスファが
液晶パネル表示面側から視認されることはないものの、
液晶パネル組立後にトランスファの有無や形状を確認す
ることができないという問題がある。
示されているトランスファパッドの構成は前述の構成に
準ずるものであるが、ブラックマトリクスにはトランス
ファ確認窓を設けていない。このため、トランスファが
液晶パネル表示面側から視認されることはないものの、
液晶パネル組立後にトランスファの有無や形状を確認す
ることができないという問題がある。
【００３６】特開平７−１５９７９５号公報において
は、シールやトランスファを形成する領域にガイド溝を
設けることにより、シールやトランスファの形状不良を
低減する技術を提案しているが、本発明において解決し
ようとしている問題点とはなんら関係するものではな
い。
は、シールやトランスファを形成する領域にガイド溝を
設けることにより、シールやトランスファの形状不良を
低減する技術を提案しているが、本発明において解決し
ようとしている問題点とはなんら関係するものではな
い。
【００３７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
従来技術の問題点に鑑み、液晶表示パネル組立後にトラ
ンスファの有無及び形状を目視で確認することが可能で
あると同時に、液晶パネル表示面でのトランスファの反
射による外観上の品位低下を防止した液晶表示装置を提
供することである。
従来技術の問題点に鑑み、液晶表示パネル組立後にトラ
ンスファの有無及び形状を目視で確認することが可能で
あると同時に、液晶パネル表示面でのトランスファの反
射による外観上の品位低下を防止した液晶表示装置を提
供することである。
【００３８】
【課題を解決するための手段】本発明の特徴は、ブラッ
クマトリックスを有するカラーフィルタ基板とその表面
に設けられた金属導電膜で構成されるゲートバスライン
やドレインバスラインを有するＴＦＴアレイ基板とが間
隙をもって対向配置され前記間隙に液晶が封入された液
晶表示パネルであって、前記ＴＦＴアレイ基板側から前
記カラーフィルタ基板に形成された対向電極に共通電位
を供給するためにこれら２つの基板間にトランスファを
設け、前記ＴＦＴ基板の前記トランスファが位置する領
域に対応する領域には前記金属導電膜が存在せず、前記
カラーフィルタ基板の前記トランスファが位置する領域
に対応する領域にはブラックマトリックスが存在するこ
とにある。 前記トランスファは前記ＴＦＴ基板に設けら
れその表面が透明電極で覆われているトランスファパッ
ドと接続され、前記トランスファパッドは前記金属導電
膜を介して前記ＴＦＴ基板に設けられた共通電位入力端
子に接続されていてもよい。 前記トランスファパッドは
前記トランスファが接続される領域の外周において前記
金属導電膜と接続されていてもよい。 本発明の他の特徴
は、ガラス基板上に下から順にブラックマトリックスお
よび対向電極が形成されたカラーフィルタ基板とガラス
基板上にＴＦＴアレイと共通電位入力端子および前記共
通電位入力端子につながる金属配線が形成されたＴＦＴ
基板とが互いに対向配置され、前記金属配線と前記対向
電極がトランスファを介して電気的につなげられた液晶
表示パネルにおいて、前記カラーフィルタ基板の前記ト
ランスファが設けられた位置に対応する領域にはブラッ
クマトリックスが存在し、前記トランスファと前記金属
配線とは前記ＴＦＴ基板のガラス基板に接して設けられ
た透明導電膜を介して接続されていることにある。 前記
金属配線は前記ＴＦＴアレイのゲートバスラインまたは
ドレインバスラインを形成する金属配線と同じ金属配線
層にあってもよい。 本発明のさらに他の特徴は、カラー
フィルタ基板とＴＦＴアレイ基板とが対向して配置され
その間に液晶が封入されていると共に前記カラーフィル
タ表面に設 けられた対向電極と前記ＴＦＴ基板に設けら
れた金属配線とがトランスファで電気的に接続された液
晶表示パネルにおいて、前記トランスファが設けられた
位置のカラーフィルタ基板にはブラックマトリクスが存
在し、前記トランスファが設けられた位置のＴＦＴ基板
には透明導電膜のみが存在することにある。 本発明のさ
らに他の特徴は、カラーフィルタ基板とＴＦＴアレイ基
板とが対向して配置されその間に液晶が封入されている
と共に前記カラーフィルタ表面に設けられた対向電極と
前記ＴＦＴ基板に設けられた金属配線とがトランスファ
で電気的に接続された液晶表示パネルにおいて、前記ト
ランスファの一端は前記カラーフィルタのブラックマト
リックスで覆われた領域で前記対向電極に接続され、そ
の他端の前記ＴＦＴ基板側表面では透明導電膜のみで接
続されていることにある。 本発明のさらに他の特徴は、
表示領域の外周に遮光膜で覆われている遮光領域を有す
るカラーフィルタとＴＦＴアレイを有するＴＦＴアレイ
基板とを対向配置しその間に液晶が封入されるととも
に、、前記カラーフィルタ表面に設けられた対向電極に
共通電極を与えるために前記ＴＦＴ基板と前記対向電極
の間に設けたトランスファを有する液晶表示パネルにお
いて、前記トランスファは前記遮光領域に対応する位置
に設けられ、前記ＴＦＴ基板側では外側から前記トラン
スファを確認することができることにある。
クマトリックスを有するカラーフィルタ基板とその表面
に設けられた金属導電膜で構成されるゲートバスライン
やドレインバスラインを有するＴＦＴアレイ基板とが間
隙をもって対向配置され前記間隙に液晶が封入された液
晶表示パネルであって、前記ＴＦＴアレイ基板側から前
記カラーフィルタ基板に形成された対向電極に共通電位
を供給するためにこれら２つの基板間にトランスファを
設け、前記ＴＦＴ基板の前記トランスファが位置する領
域に対応する領域には前記金属導電膜が存在せず、前記
カラーフィルタ基板の前記トランスファが位置する領域
に対応する領域にはブラックマトリックスが存在するこ
とにある。 前記トランスファは前記ＴＦＴ基板に設けら
れその表面が透明電極で覆われているトランスファパッ
ドと接続され、前記トランスファパッドは前記金属導電
膜を介して前記ＴＦＴ基板に設けられた共通電位入力端
子に接続されていてもよい。 前記トランスファパッドは
前記トランスファが接続される領域の外周において前記
金属導電膜と接続されていてもよい。 本発明の他の特徴
は、ガラス基板上に下から順にブラックマトリックスお
よび対向電極が形成されたカラーフィルタ基板とガラス
基板上にＴＦＴアレイと共通電位入力端子および前記共
通電位入力端子につながる金属配線が形成されたＴＦＴ
基板とが互いに対向配置され、前記金属配線と前記対向
電極がトランスファを介して電気的につなげられた液晶
表示パネルにおいて、前記カラーフィルタ基板の前記ト
ランスファが設けられた位置に対応する領域にはブラッ
クマトリックスが存在し、前記トランスファと前記金属
配線とは前記ＴＦＴ基板のガラス基板に接して設けられ
た透明導電膜を介して接続されていることにある。 前記
金属配線は前記ＴＦＴアレイのゲートバスラインまたは
ドレインバスラインを形成する金属配線と同じ金属配線
層にあってもよい。 本発明のさらに他の特徴は、カラー
フィルタ基板とＴＦＴアレイ基板とが対向して配置され
その間に液晶が封入されていると共に前記カラーフィル
タ表面に設 けられた対向電極と前記ＴＦＴ基板に設けら
れた金属配線とがトランスファで電気的に接続された液
晶表示パネルにおいて、前記トランスファが設けられた
位置のカラーフィルタ基板にはブラックマトリクスが存
在し、前記トランスファが設けられた位置のＴＦＴ基板
には透明導電膜のみが存在することにある。 本発明のさ
らに他の特徴は、カラーフィルタ基板とＴＦＴアレイ基
板とが対向して配置されその間に液晶が封入されている
と共に前記カラーフィルタ表面に設けられた対向電極と
前記ＴＦＴ基板に設けられた金属配線とがトランスファ
で電気的に接続された液晶表示パネルにおいて、前記ト
ランスファの一端は前記カラーフィルタのブラックマト
リックスで覆われた領域で前記対向電極に接続され、そ
の他端の前記ＴＦＴ基板側表面では透明導電膜のみで接
続されていることにある。 本発明のさらに他の特徴は、
表示領域の外周に遮光膜で覆われている遮光領域を有す
るカラーフィルタとＴＦＴアレイを有するＴＦＴアレイ
基板とを対向配置しその間に液晶が封入されるととも
に、、前記カラーフィルタ表面に設けられた対向電極に
共通電極を与えるために前記ＴＦＴ基板と前記対向電極
の間に設けたトランスファを有する液晶表示パネルにお
いて、前記トランスファは前記遮光領域に対応する位置
に設けられ、前記ＴＦＴ基板側では外側から前記トラン
スファを確認することができることにある。
【００３９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を参照して説明する。
を参照して説明する。
【００４０】本発明の第１実施形態であるＴＦＴアレイ
基板に設けたトランスファパッド及び液晶パネルについ
て説明する。
基板に設けたトランスファパッド及び液晶パネルについ
て説明する。
【００４１】図１は第１実施形態のＴＦＴアレイ基板に
設けたトランスファパッドの構成を示す平面図、図２は
図１及び図９のＡ−Ａ’線に沿った断面図、図９は本発
明の液晶表示パネルをカラーフィルタ基板のガラス面す
なわち液晶表示パネルの表示面側から見た平面図であ
る。
設けたトランスファパッドの構成を示す平面図、図２は
図１及び図９のＡ−Ａ’線に沿った断面図、図９は本発
明の液晶表示パネルをカラーフィルタ基板のガラス面す
なわち液晶表示パネルの表示面側から見た平面図であ
る。
【００４２】まず、ＴＦＴアレイ基板上に設けたトラン
スファパッドの製法及び構造について、図１及び図２を
参照して説明する。なお、ＴＦＴアレイ基板上に設けた
ＴＦＴとトランスファパッドは同一の材料、同一のパタ
ーニング工程によって形成される。
スファパッドの製法及び構造について、図１及び図２を
参照して説明する。なお、ＴＦＴアレイ基板上に設けた
ＴＦＴとトランスファパッドは同一の材料、同一のパタ
ーニング工程によって形成される。
【００４３】ガラス基板１０１上にＣｒ、Ａｌ等の金属
膜からなる第１金属膜３０１を成膜し、所定の形状にパ
ターニングを行う。このとき、トランスファ２４が形成
される位置に対応した領域の第１金属膜３０１を除去し
ておく。なお、第１金属膜３０１と同一の材料、同一の
パターニング工程を用いてＴＦＴのゲート電極（図示せ
ず）、蓄積容量電極（図示せず）及びゲートバスライン
（図示せず）が形成される。その上に、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜等の材料からなるゲート絶縁膜１
４、真性半導体非晶質シリコン（以下では「ａ−Ｓｉ
（Ｉ）」と略す）からなるチャネル層（図示せず）、ｎ
型半導体非晶質シリコン（以下では「ａ−Ｓｉ（ｎ
＋）」と略す）からなるコンタクト層（図示せず）を順
次形成した後、不要な領域のチャネル層（図示せず）及
びコンタクト層（図示せず）を選択的にエッチング除去
する。
膜からなる第１金属膜３０１を成膜し、所定の形状にパ
ターニングを行う。このとき、トランスファ２４が形成
される位置に対応した領域の第１金属膜３０１を除去し
ておく。なお、第１金属膜３０１と同一の材料、同一の
パターニング工程を用いてＴＦＴのゲート電極（図示せ
ず）、蓄積容量電極（図示せず）及びゲートバスライン
（図示せず）が形成される。その上に、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜等の材料からなるゲート絶縁膜１
４、真性半導体非晶質シリコン（以下では「ａ−Ｓｉ
（Ｉ）」と略す）からなるチャネル層（図示せず）、ｎ
型半導体非晶質シリコン（以下では「ａ−Ｓｉ（ｎ
＋）」と略す）からなるコンタクト層（図示せず）を順
次形成した後、不要な領域のチャネル層（図示せず）及
びコンタクト層（図示せず）を選択的にエッチング除去
する。
【００４４】その後、ゲート絶縁膜１４をエッチング除
去するパターニング工程を行い、第１金属膜３０１と第
２金属膜３０３とを導通させるためのスルーホール９を
形成する。その上に、第１金属膜３０１と同様にＣｒ、
Ａｌ等の金属膜からなる第２金属膜３０３をパターニン
グ形成する。ここでも、第１金属膜３０１と同様にトラ
ンスファ２４が形成される位置に対応した領域の第２金
属膜３０３を除去しておく。なお、第２金属膜３０３と
同一の材料、同一のパターニング工程によって、ＴＦＴ
のドレイン電極（図示せず）、ソース電極（図示せず）
及びドレインバスライン（図示せず）が形成される。
去するパターニング工程を行い、第１金属膜３０１と第
２金属膜３０３とを導通させるためのスルーホール９を
形成する。その上に、第１金属膜３０１と同様にＣｒ、
Ａｌ等の金属膜からなる第２金属膜３０３をパターニン
グ形成する。ここでも、第１金属膜３０１と同様にトラ
ンスファ２４が形成される位置に対応した領域の第２金
属膜３０３を除去しておく。なお、第２金属膜３０３と
同一の材料、同一のパターニング工程によって、ＴＦＴ
のドレイン電極（図示せず）、ソース電極（図示せず）
及びドレインバスライン（図示せず）が形成される。
【００４５】続いてＩＴＯ等の透明導電材料からなる透
明導電膜３０６を、第２金属膜３０３上を覆うようにパ
ターニング形成する。なお、透明導電膜３０６と同一の
材料、同一のパターニング工程を用いてＴＦＴのソース
電極（図示せず）に接続している画素電極（図示せず）
が形成される。ＴＦＴチャネル部のコンタクト層（図示
せず）をエッチング除去する工程を経た後、シリコン窒
化膜等の材料からなるパッシベーション膜１５を形成し
てトランスファパッドとすると同時にＴＦＴアレイ基板
１００が完成する。
明導電膜３０６を、第２金属膜３０３上を覆うようにパ
ターニング形成する。なお、透明導電膜３０６と同一の
材料、同一のパターニング工程を用いてＴＦＴのソース
電極（図示せず）に接続している画素電極（図示せず）
が形成される。ＴＦＴチャネル部のコンタクト層（図示
せず）をエッチング除去する工程を経た後、シリコン窒
化膜等の材料からなるパッシベーション膜１５を形成し
てトランスファパッドとすると同時にＴＦＴアレイ基板
１００が完成する。
【００４６】ここで、トランスファパッドとトランスフ
ァ２４とを電気的に接続するために、透明導電膜３０６
上のパッシベーション膜１５は除去されている。即ち、
パッシベーション膜１５は、図１及び図２に示されるよ
うに透明導電膜３０６上にパッシベーション膜開口領域
を備えている。なお、本実施形態のトランスファパッド
では、第１金属膜３０１と第２金属膜３０３との双方、
もしくはいずれか一方を用いて、共通電位入力端子３３
と接続している。
ァ２４とを電気的に接続するために、透明導電膜３０６
上のパッシベーション膜１５は除去されている。即ち、
パッシベーション膜１５は、図１及び図２に示されるよ
うに透明導電膜３０６上にパッシベーション膜開口領域
を備えている。なお、本実施形態のトランスファパッド
では、第１金属膜３０１と第２金属膜３０３との双方、
もしくはいずれか一方を用いて、共通電位入力端子３３
と接続している。
【００４７】続いて、本実施形態の液晶表示パネルの製
法について、図２及び図９を用いて説明する。
法について、図２及び図９を用いて説明する。
【００４８】カラーフィルタ基板２０は、ガラス基板２
１上にＣｒ、ＣｒＯｘ等の金属膜や黒色樹脂等の低反射
材料からなるブラックマトリクス２３および着色層（図
示せず）を設ける。このとき、ブラックマトリクス２３
にはトランスファの有無や形状を確認するための窓すな
わちブラックマトリクス２３を一部除去した領域を形成
せず、表示部外周をほぼ全面に亘って遮光する構造にす
る。その上にＩＴＯ等の透明導電膜からなる対向電極２
２を形成して、カラーフィルタ基板２０とする。
１上にＣｒ、ＣｒＯｘ等の金属膜や黒色樹脂等の低反射
材料からなるブラックマトリクス２３および着色層（図
示せず）を設ける。このとき、ブラックマトリクス２３
にはトランスファの有無や形状を確認するための窓すな
わちブラックマトリクス２３を一部除去した領域を形成
せず、表示部外周をほぼ全面に亘って遮光する構造にす
る。その上にＩＴＯ等の透明導電膜からなる対向電極２
２を形成して、カラーフィルタ基板２０とする。
【００４９】ＴＦＴアレイ基板１００及びカラーフィル
タ基板２０のそれぞれに配向膜（図示せず）を形成して
配向処理を行う。その後、カラーフィルタ基板２０の外
周近傍に、周縁に沿って、接着剤からなるシール（図示
せず）を形成し、カラーフィルタ基板２０の四隅に銀ペ
ースト等の材料からなるトランスファ２４を形成する。
なお、トランスファ２４は、ＴＦＴアレイ基板に設けた
トランスファパッドを構成している第１または第２金属
膜３０１，３０３とカラーフィルタ基板に設けた対向電
極２２とが電気的に導通するように形成する。しかる
後、前述の２枚の基板を所定の距離を隔てて接着し、こ
れら２枚の基板間に液晶（図示せず）を注入した後、封
孔して液晶パネルが完成する。
タ基板２０のそれぞれに配向膜（図示せず）を形成して
配向処理を行う。その後、カラーフィルタ基板２０の外
周近傍に、周縁に沿って、接着剤からなるシール（図示
せず）を形成し、カラーフィルタ基板２０の四隅に銀ペ
ースト等の材料からなるトランスファ２４を形成する。
なお、トランスファ２４は、ＴＦＴアレイ基板に設けた
トランスファパッドを構成している第１または第２金属
膜３０１，３０３とカラーフィルタ基板に設けた対向電
極２２とが電気的に導通するように形成する。しかる
後、前述の２枚の基板を所定の距離を隔てて接着し、こ
れら２枚の基板間に液晶（図示せず）を注入した後、封
孔して液晶パネルが完成する。
【００５０】この液晶表示パネルに偏光板２５，１０
２、駆動回路及び筐体などを付加し、液晶表示装置とな
る。液晶表示装置として組み立てた場合、カラーフィル
タ基板２０のガラス面方向から表示を見ることになる。
なお、カラーフィルタ基板２０に貼合する偏光板２５の
表面には低反射処理が施してある。
２、駆動回路及び筐体などを付加し、液晶表示装置とな
る。液晶表示装置として組み立てた場合、カラーフィル
タ基板２０のガラス面方向から表示を見ることになる。
なお、カラーフィルタ基板２０に貼合する偏光板２５の
表面には低反射処理が施してある。
【００５１】従来例のように、ブラックマトリクス２３
にトランスファ確認窓２６を設けると、ブラックマトリ
クス２３や偏光板２５の表面に比べて比較的反射率の高
い銀ペースト等の材料で形成されたトランスファ２４
が、カラーフィルタ基板２０のガラス面すなわち液晶表
示パネルの表示面側から見た際に視認される。このよう
にトランスファ２４が視認されることが外観上の品位低
下につながる。
にトランスファ確認窓２６を設けると、ブラックマトリ
クス２３や偏光板２５の表面に比べて比較的反射率の高
い銀ペースト等の材料で形成されたトランスファ２４
が、カラーフィルタ基板２０のガラス面すなわち液晶表
示パネルの表示面側から見た際に視認される。このよう
にトランスファ２４が視認されることが外観上の品位低
下につながる。
【００５２】しかし、以上のようにして得られた本実施
形態では、カラーフィルタ基板２０上のブラックマトリ
クス２３にトランスファ確認窓を設けることなく、ＴＦ
Ｔ基板に設けたトランスファパッドを構成している第１
金属膜及び第２金属膜において、トランスファ２４が形
成される領域を除去しているので、この部分がトランス
ファ確認窓として作用する。
形態では、カラーフィルタ基板２０上のブラックマトリ
クス２３にトランスファ確認窓を設けることなく、ＴＦ
Ｔ基板に設けたトランスファパッドを構成している第１
金属膜及び第２金属膜において、トランスファ２４が形
成される領域を除去しているので、この部分がトランス
ファ確認窓として作用する。
【００５３】これにより、液晶表示パネル組立後すなわ
ちＴＦＴアレイ基板１００とカラーフィルタ基板２０と
を貼り合わせた後でもトランスファ２４の有無や形状を
ＴＦＴＳアレイ基板のガラス面から目視で外観上の品位
低下なく確認することができ、トランスファ形成工程の
不具合等を簡便に検知することが可能になる。
ちＴＦＴアレイ基板１００とカラーフィルタ基板２０と
を貼り合わせた後でもトランスファ２４の有無や形状を
ＴＦＴＳアレイ基板のガラス面から目視で外観上の品位
低下なく確認することができ、トランスファ形成工程の
不具合等を簡便に検知することが可能になる。
【００５４】しかも、本実施形態において、トランスフ
ァパッドは、ＴＦＴを形成する工程と同一の材料、同一
のパターニング工程によって形成されるため、新たに工
程を追加する必要はない。
ァパッドは、ＴＦＴを形成する工程と同一の材料、同一
のパターニング工程によって形成されるため、新たに工
程を追加する必要はない。
【００５５】第２実施形態のＴＦＴアレイ基板に設けた
トランスファパッド及び液晶パネルの構造について説明
する。
トランスファパッド及び液晶パネルの構造について説明
する。
【００５６】図３は第２実施形態のＴＦＴアレイ基板に
設けたトランスファパッドの構成を示す平面図、図４は
図３及び図９のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
設けたトランスファパッドの構成を示す平面図、図４は
図３及び図９のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００５７】まず、ＴＦＴアレイ基板上に設けたトラン
スファパッドの製造方法及び構造を図３及び図４を参照
して説明する。なお、ＴＦＴアレイ基板上に設けたＴＦ
Ｔとトランスファパッドは同一の材料、同一のパターニ
ング工程によって形成される。
スファパッドの製造方法及び構造を図３及び図４を参照
して説明する。なお、ＴＦＴアレイ基板上に設けたＴＦ
Ｔとトランスファパッドは同一の材料、同一のパターニ
ング工程によって形成される。
【００５８】ガラス基板１０１上にＣｒ、Ａｌ等の金属
膜からなる第１金属膜３０１を成膜し、所定の形状にパ
ターニングを行う。このとき、トランスファ２４が形成
される位置に対応した領域の第１金属膜３０１を除去し
ておく。なお、第１金属膜３０１と同一の材料、同一の
パターニング工程を用いてＴＦＴのゲート電極（図示せ
ず）、蓄積容量電極（図示せず）及びゲートバスライン
（図示せず）が形成される。その上に、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜等の材料からなるゲート絶縁膜１
４、ａ−Ｓｉ（Ｉ）からなるチャネル層（図示せず）、
ａ−Ｓｉ（ｎ＋）からなるコンタクト層（図示せず）を
順次形成した後、不要な領域のチャネル層（図示せず）
及びコンタクト層（図示せず）を選択的にエッチング除
去する。
膜からなる第１金属膜３０１を成膜し、所定の形状にパ
ターニングを行う。このとき、トランスファ２４が形成
される位置に対応した領域の第１金属膜３０１を除去し
ておく。なお、第１金属膜３０１と同一の材料、同一の
パターニング工程を用いてＴＦＴのゲート電極（図示せ
ず）、蓄積容量電極（図示せず）及びゲートバスライン
（図示せず）が形成される。その上に、シリコン酸化
膜、シリコン窒化膜等の材料からなるゲート絶縁膜１
４、ａ−Ｓｉ（Ｉ）からなるチャネル層（図示せず）、
ａ−Ｓｉ（ｎ＋）からなるコンタクト層（図示せず）を
順次形成した後、不要な領域のチャネル層（図示せず）
及びコンタクト層（図示せず）を選択的にエッチング除
去する。
【００５９】その後、ゲート絶縁膜１４をエッチング除
去するパターニング工程を行い、第１金属膜３０１と透
明導電膜３０６とを導通させるためのスルーホール９を
形成する。その上に、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜からなる、
ＴＦＴのドレイン電極（図示せず）、ソース電極（図示
せず）及びドレインバスライン（図示せず）を形成する
パターニング工程と、ＴＦＴチャネル部のコンタクト層
（図示せず）をエッチング除去する工程とを経た後、シ
リコン窒化膜等の材料からなるパッシベーション膜１５
を形成し、第１金属膜３０１と透明導電膜３０６とを電
気的に接続するためのスルーホール９を設ける。なお、
図３及び図４においてはゲート絶縁膜１４とパッシベー
ション膜１５とのそれぞれに設けたスルーホールをスル
ーホール８として、まとめて記載している。
去するパターニング工程を行い、第１金属膜３０１と透
明導電膜３０６とを導通させるためのスルーホール９を
形成する。その上に、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜からなる、
ＴＦＴのドレイン電極（図示せず）、ソース電極（図示
せず）及びドレインバスライン（図示せず）を形成する
パターニング工程と、ＴＦＴチャネル部のコンタクト層
（図示せず）をエッチング除去する工程とを経た後、シ
リコン窒化膜等の材料からなるパッシベーション膜１５
を形成し、第１金属膜３０１と透明導電膜３０６とを電
気的に接続するためのスルーホール９を設ける。なお、
図３及び図４においてはゲート絶縁膜１４とパッシベー
ション膜１５とのそれぞれに設けたスルーホールをスル
ーホール８として、まとめて記載している。
【００６０】続いてＩＴＯ等の透明導電材料からなる透
明導電膜３０６を、第１金属膜３０１上を覆うようにパ
ターニング形成してトランスファパッドとすると同時
に、ＴＦＴアレイ基板１００が完成する。なお、本実施
形態のトランスファパッドでは、第１金属膜３０１を用
いて共通電位入力端子３３と接続している。
明導電膜３０６を、第１金属膜３０１上を覆うようにパ
ターニング形成してトランスファパッドとすると同時
に、ＴＦＴアレイ基板１００が完成する。なお、本実施
形態のトランスファパッドでは、第１金属膜３０１を用
いて共通電位入力端子３３と接続している。
【００６１】第２実施形態の液晶表示パネルの構成及び
製法については、第１実施形態と同じである。この場合
も、カラーフィルタ基板２０上のブラックマトリクス２
３にはトランスファの有無や形状を確認するための窓す
なわちブラックマトリクス２３を一部除去した領域を形
成せず、表示部外周をほぼ全面に亘って遮光する構造に
する。
製法については、第１実施形態と同じである。この場合
も、カラーフィルタ基板２０上のブラックマトリクス２
３にはトランスファの有無や形状を確認するための窓す
なわちブラックマトリクス２３を一部除去した領域を形
成せず、表示部外周をほぼ全面に亘って遮光する構造に
する。
【００６２】以上のようにして得られた第２実施形態に
おいても第１実施形態と同様に、カラーフィルタ基板２
０上のブラックマトリクス２３にトランスファ確認窓を
設けていないので、トランスファ２４の反射による外観
上の品位低下が起こらない。
おいても第１実施形態と同様に、カラーフィルタ基板２
０上のブラックマトリクス２３にトランスファ確認窓を
設けていないので、トランスファ２４の反射による外観
上の品位低下が起こらない。
【００６３】また、ＴＦＴ基板に設けたトランスファパ
ッドを構成している第１金属膜３０１において、トラン
スファ２４が形成される領域を除去しているので、この
部分がトランスファ確認窓として作用する。これによ
り、液晶表示パネル組立後すなわちＴＦＴアレイ基板１
０とカラーフィルタ基板２０とを貼り合わせた後でもト
ランスファ２４の有無や形状をＴＦＴアレイ基板のガラ
ス面から目視で確認することができ、トランスファ形成
工程の不具合等を簡便に検知することが可能になる。
ッドを構成している第１金属膜３０１において、トラン
スファ２４が形成される領域を除去しているので、この
部分がトランスファ確認窓として作用する。これによ
り、液晶表示パネル組立後すなわちＴＦＴアレイ基板１
０とカラーフィルタ基板２０とを貼り合わせた後でもト
ランスファ２４の有無や形状をＴＦＴアレイ基板のガラ
ス面から目視で確認することができ、トランスファ形成
工程の不具合等を簡便に検知することが可能になる。
【００６４】しかも、本実施形態においても、トランス
ファパッドは、ＴＦＴを形成する工程と同一の材料、同
一のパターニング工程によって形成されるため、新たに
工程を追加する必要はない。
ファパッドは、ＴＦＴを形成する工程と同一の材料、同
一のパターニング工程によって形成されるため、新たに
工程を追加する必要はない。
【００６５】第３実施形態のＴＦＴアレイ基板に設けた
トランスファパッド及び液晶表示パネルの構造について
説明する。
トランスファパッド及び液晶表示パネルの構造について
説明する。
【００６６】図５は第３実施形態のＴＦＴアレイ基板に
設けたトランスファパッドの構成を示す平面図、図６は
図５及び図９のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
設けたトランスファパッドの構成を示す平面図、図６は
図５及び図９のＡ−Ａ’線に沿った断面図である。
【００６７】まず、ＴＦＴアレイ基板上に設けたトラン
スファパッドの製法及び構造を図５及び図６を参照して
説明する。なお、ＴＦＴアレイ基板上に設けたＴＦＴと
トランスファパッドは同一の材料、同一のパターニング
工程によって形成される。
スファパッドの製法及び構造を図５及び図６を参照して
説明する。なお、ＴＦＴアレイ基板上に設けたＴＦＴと
トランスファパッドは同一の材料、同一のパターニング
工程によって形成される。
【００６８】ガラス基板１０１上にＣｒ、Ａｌ等の金属
膜からなるＴＦＴのゲート電極（図示せず）、蓄積容量
電極（図示せず）及びゲートバスライン（図示せず）を
形成するパターニング工程、その上にシリコン酸化膜、
シリコン窒化膜等の材料からなるゲート絶縁膜１４、ａ
−Ｓｉ（Ｉ）からなるチャネル層（図示せず）、ａ−Ｓ
ｉ（ｎ＋）からなるコンタクト層（図示せず）を順次形
成した後、不要な領域のチャネル層（図示せず）及びコ
ンタクト層（図示せず）を選択的にエッチング除去する
工程、及び第２金属膜３０３と透明導電膜３０６とを導
通させるためのスルーホール（図示せず）を形成する工
程を経た後、その上に、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜からなる
第２金属膜３０３をパターニング形成する。このとき、
トランスファ２４が形成される位置に対応した領域の第
２金属膜３０３を除去しておく。なお、第２金属膜３０
３と同一の材料、同一のパターニング工程によって、Ｔ
ＦＴのドレイン電極（図示せず）、ソース電極（図示せ
ず）及びドレインバスライン（図示せず）が形成され
る。
膜からなるＴＦＴのゲート電極（図示せず）、蓄積容量
電極（図示せず）及びゲートバスライン（図示せず）を
形成するパターニング工程、その上にシリコン酸化膜、
シリコン窒化膜等の材料からなるゲート絶縁膜１４、ａ
−Ｓｉ（Ｉ）からなるチャネル層（図示せず）、ａ−Ｓ
ｉ（ｎ＋）からなるコンタクト層（図示せず）を順次形
成した後、不要な領域のチャネル層（図示せず）及びコ
ンタクト層（図示せず）を選択的にエッチング除去する
工程、及び第２金属膜３０３と透明導電膜３０６とを導
通させるためのスルーホール（図示せず）を形成する工
程を経た後、その上に、Ｃｒ、Ａｌ等の金属膜からなる
第２金属膜３０３をパターニング形成する。このとき、
トランスファ２４が形成される位置に対応した領域の第
２金属膜３０３を除去しておく。なお、第２金属膜３０
３と同一の材料、同一のパターニング工程によって、Ｔ
ＦＴのドレイン電極（図示せず）、ソース電極（図示せ
ず）及びドレインバスライン（図示せず）が形成され
る。
【００６９】続いて、ＴＦＴチャネル部のコンタクト層
（図示せず）をエッチング除去する工程とを経た後、シ
リコン窒化膜等の材料からなるパッシベーション膜１５
を形成し、第２金属膜３０３と透明導電膜３０６とを電
気的に接続するためのスルーホール１０を設ける。その
上に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明導電膜３０
６を、第２金属膜３０３上を覆うようにパターニング形
成してトランスファパッドとすると同時に、ＴＦＴアレ
イ基板１００が完成する。なお、本実施形態のトランス
ファパッドでは、第２金属膜３０３を用いて共通電位入
力端子３３と接続している。
（図示せず）をエッチング除去する工程とを経た後、シ
リコン窒化膜等の材料からなるパッシベーション膜１５
を形成し、第２金属膜３０３と透明導電膜３０６とを電
気的に接続するためのスルーホール１０を設ける。その
上に、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる透明導電膜３０
６を、第２金属膜３０３上を覆うようにパターニング形
成してトランスファパッドとすると同時に、ＴＦＴアレ
イ基板１００が完成する。なお、本実施形態のトランス
ファパッドでは、第２金属膜３０３を用いて共通電位入
力端子３３と接続している。
【００７０】第３実施形態の液晶表示パネルの構成及び
製法は第１実施形態と同じである。この場合も、カラー
フィルタ基板２０上のブラックマトリクス２３にはトラ
ンスファの有無や形状を確認するための窓すなわちブラ
ックマトリクス２３を一部除去した領域を形成せず、表
示部外周をほぼ全面に亘って遮光する構造にする。
製法は第１実施形態と同じである。この場合も、カラー
フィルタ基板２０上のブラックマトリクス２３にはトラ
ンスファの有無や形状を確認するための窓すなわちブラ
ックマトリクス２３を一部除去した領域を形成せず、表
示部外周をほぼ全面に亘って遮光する構造にする。
【００７１】以上のようにして得られた第３実施形態に
おいても第１実施形態と同様に、カラーフィルタ基板２
０上のブラックマトリクス２３にトランスファ確認窓を
設けていないので、トランスファ２４の反射による外観
上の品位低下が起こらない。
おいても第１実施形態と同様に、カラーフィルタ基板２
０上のブラックマトリクス２３にトランスファ確認窓を
設けていないので、トランスファ２４の反射による外観
上の品位低下が起こらない。
【００７２】また、ＴＦＴ基板に設けたトランスファパ
ッドを構成している第２金属膜３０３において、トラン
スファ２４が形成される領域を除去しているので、この
部分がトランスファ確認窓として作用する。これによ
り、液晶表示パネル組立後すなわちＴＦＴアレイ基板１
０とカラーフィルタ基板２０とを貼り合わせた後でもト
ランスファ２４の有無や形状をＴＦＴアレイ基板のガラ
ス面から目視で確認することができ、トランスファ形成
工程の不具合等を簡便に検知することが可能になる。
ッドを構成している第２金属膜３０３において、トラン
スファ２４が形成される領域を除去しているので、この
部分がトランスファ確認窓として作用する。これによ
り、液晶表示パネル組立後すなわちＴＦＴアレイ基板１
０とカラーフィルタ基板２０とを貼り合わせた後でもト
ランスファ２４の有無や形状をＴＦＴアレイ基板のガラ
ス面から目視で確認することができ、トランスファ形成
工程の不具合等を簡便に検知することが可能になる。
【００７３】しかも、本実施形態においても、トランス
ファパッドは、ＴＦＴを形成する工程と同一の材料、同
一のパターニング工程によって形成されるため、新たに
工程を追加する必要はない。
ファパッドは、ＴＦＴを形成する工程と同一の材料、同
一のパターニング工程によって形成されるため、新たに
工程を追加する必要はない。
【００７４】第４実施形態のＴＦＴアレイ基板に設けた
トランスファパッドの構造について説明する。
トランスファパッドの構造について説明する。
【００７５】図７は第４実施形態のＴＦＴアレイ基板に
設けたトランスファパッドの構成を示す平面図である。
設けたトランスファパッドの構成を示す平面図である。
【００７６】本実施形態のトランスファパッド及び液晶
表示パネルの構成と製法は第１実施形態と同じである。
表示パネルの構成と製法は第１実施形態と同じである。
【００７７】本実施形態の特徴はトランスファパッドを
形成している第１金属膜３０１を除去し、トランスファ
確認窓としている領域に、第１金属膜３０１からなるト
ランスファの寸法を測定するバーニアを付加したことで
ある。このバーニアを付加することにより、液晶表示パ
ネル組立後すなわちＴＦＴアレイ基板１０とカラーフィ
ルタ基板２０とを貼り合わせた後でもトランスファ２４
の有無や形状をＴＦＴアレイ基板のガラス面から目視で
確認することができると同時に、トランスファ出来上が
り寸法を容易に測定し且つ管理することが可能になる。
形成している第１金属膜３０１を除去し、トランスファ
確認窓としている領域に、第１金属膜３０１からなるト
ランスファの寸法を測定するバーニアを付加したことで
ある。このバーニアを付加することにより、液晶表示パ
ネル組立後すなわちＴＦＴアレイ基板１０とカラーフィ
ルタ基板２０とを貼り合わせた後でもトランスファ２４
の有無や形状をＴＦＴアレイ基板のガラス面から目視で
確認することができると同時に、トランスファ出来上が
り寸法を容易に測定し且つ管理することが可能になる。
【００７８】ＴＦＴアレイ基板に設けた第５実施形態の
トランスファパッドの構造について説明する。
トランスファパッドの構造について説明する。
【００７９】図８は第５実施形態のＴＦＴアレイ基板に
設けたトランスファパッドの構成を示す平面図である。
設けたトランスファパッドの構成を示す平面図である。
【００８０】本実施形態のトランスファパッド及び液晶
表示パネルの構成と製法は第１実施形態と同じである。
表示パネルの構成と製法は第１実施形態と同じである。
【００８１】本実施形態の特徴はトランスファパッドを
形成している第２金属膜３０３を除去し、トランスファ
確認窓としている領域に、第２金属膜３０３からなるト
ランスファの寸法を測定するバーニアを付加したことで
ある。このバーニアを付加することにより、液晶表示パ
ネル組立後すなわちＴＦＴアレイ基板１０とカラーフィ
ルタ基板２０とを貼り合わせた後でもトランスファ２４
の有無や形状をＴＦＴアレイ基板のガラス面から目視で
確認することができると同時に、トランスファ出来上が
り寸法を容易に測定し且つ管理することが可能になる。
形成している第２金属膜３０３を除去し、トランスファ
確認窓としている領域に、第２金属膜３０３からなるト
ランスファの寸法を測定するバーニアを付加したことで
ある。このバーニアを付加することにより、液晶表示パ
ネル組立後すなわちＴＦＴアレイ基板１０とカラーフィ
ルタ基板２０とを貼り合わせた後でもトランスファ２４
の有無や形状をＴＦＴアレイ基板のガラス面から目視で
確認することができると同時に、トランスファ出来上が
り寸法を容易に測定し且つ管理することが可能になる。
【００８２】なお、第４実施形態及び第５実施形態で説
明した、第１金属膜３０１もしくは第２金属膜３０３を
用いて形成した寸法測定バーニアの付加は第２実施形態
及び第３実施形態にも適用することが可能である。
明した、第１金属膜３０１もしくは第２金属膜３０３を
用いて形成した寸法測定バーニアの付加は第２実施形態
及び第３実施形態にも適用することが可能である。
【００８３】以上、好ましい実施形態について説明した
が、本発明はこれら実施形態に限定されるものではな
く、権利の範囲に記載された発明の範囲内において各種
の変更が可能である。例えば、第１金属膜、第２金属膜
等を他の金属材料や複合膜で構成することができ、ゲー
ト絶縁膜やパッシベーション膜を種々の絶縁膜や複合膜
によって形成することができる。
が、本発明はこれら実施形態に限定されるものではな
く、権利の範囲に記載された発明の範囲内において各種
の変更が可能である。例えば、第１金属膜、第２金属膜
等を他の金属材料や複合膜で構成することができ、ゲー
ト絶縁膜やパッシベーション膜を種々の絶縁膜や複合膜
によって形成することができる。
【００８４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
液晶表示パネル組立後すなわちＴＦＴアレイ基板とカラ
ーフィルタ基板を貼り合わせた後に、 ＴＦＴ基板のガ
ラス面側からトランスファパッドを構成している金属膜
を除去部分を介して、トランスファの有無や形状を目視
にて確認することができる。また、トランスファパッド
を構成している金属膜を除去した部分に設けた寸法測定
バーニアを介して、同時にトランスファの寸法を容易に
測定することができる。
液晶表示パネル組立後すなわちＴＦＴアレイ基板とカラ
ーフィルタ基板を貼り合わせた後に、 ＴＦＴ基板のガ
ラス面側からトランスファパッドを構成している金属膜
を除去部分を介して、トランスファの有無や形状を目視
にて確認することができる。また、トランスファパッド
を構成している金属膜を除去した部分に設けた寸法測定
バーニアを介して、同時にトランスファの寸法を容易に
測定することができる。
【図１】第１実施形態のＴＦＴアレイ基板に設けたトラ
ンスファパッドの構成を示す平面図
ンスファパッドの構成を示す平面図
【図２】図１のＡ−Ａ’線に沿った断面図
【図３】第２実施形態のＴＦＴアレイ基板に設けたトラ
ンスファパッドの構成を示す平面図
ンスファパッドの構成を示す平面図
【図４】図３のＡ−Ａ’線に沿った断面図
【図５】第３実施形態のＴＦＴアレイ基板に設けたトラ
ンスファパッドの構成を示す平面図
ンスファパッドの構成を示す平面図
【図６】図５のＡ−Ａ’線に沿った断面図
【図７】第４実施形態のＴＦＴアレイ基板に設けたトラ
ンスファパッドの構成を示す平面図
ンスファパッドの構成を示す平面図
【図８】第５実施形態のＴＦＴアレイ基板に設けたトラ
ンスファパッドの構成を示す平面図
ンスファパッドの構成を示す平面図
【図９】本発明の液晶表示パネルを表示面側から見た平
面図
面図
【図１０】第１従来例のＴＦＴアレイ基板の１画素分の
構成を示す平面図
構成を示す平面図
【図１１】図１０のＴＦＴにおけるＡ−Ａ’線に沿った
断面図
断面図
【図１２】第１従来例のＴＦＴアレイ基板に設けたトラ
ンスファパッドの平面図
ンスファパッドの平面図
【図１３】図１２のＡ−Ａ’線に沿った断面図
【図１４】第２従来例のＴＦＴアレイ基板の１画素分の
構成を示す平面図
構成を示す平面図
【図１５】図１４のＴＦＴにおけるＡ−Ａ’線に沿った
断面図
断面図
【図１６】第２従来例のＴＦＴアレイ基板に設けたトラ
ンスファパッド(第１例)の平面図
ンスファパッド(第１例)の平面図
【図１７】図１６のＡ−Ａ’線に沿った断面図
【図１８】第２従来例のＴＦＴアレイ基板に設けたトラ
ンスファパッド(第２例)の平面図
ンスファパッド(第２例)の平面図
【図１９】図１８のＡ−Ａ’線に沿った断面図
【図２０】従来の液晶表示パネルを表示面側から見た平
面図
面図
【図２１】従来の液晶表示パネルの概略構成を示す等価
回路図
回路図
１ ゲート電極 ２ チャネル層 ３ ドレイン電極 ４ ソース電極 ６ 画素電極 ７ コンタクト層 ８，９，１０ スルーホール １１ ゲートバスライン １２ ドレインバスライン １４ ゲート絶縁膜 １５ パッシベーション膜 ２０ カラーフィルタ基板 ２１ ガラス基板 ２２ 対向電極 ２３ ブラックマトリクス ２４ トランスファ ２５ 偏光板 ２６ トランスファ確認窓 ２７ トランソファ ３０ 表示部 ３１ ゲート端子 ３２ ドレイン端子 ３３ 共通電位入力端子 １００ ＴＦＴアレイ基板 １０１ ガラス基板 １０２ 偏光板 ３０１ 第１金属膜 ３０３ 第２金属膜 ３０６ 透明導電膜
Claims (8)
- 【請求項１】 ブラックマトリックスを有するカラーフ
ィルタ基板とその表面に設けられた金属導電膜で構成さ
れるゲートバスラインやドレインバスラインを有するＴ
ＦＴアレイ基板とが間隙をもって対向配置され前記間隙
に液晶が封入された液晶表示パネルであって、 前記ＴＦＴアレイ基板側から前記カラーフィルタ基板に
形成された対向電極に共通電位を供給するためにこれら
２つの基板間にトランスファを設け、前記ＴＦＴ基板の
前記トランスファが位置する領域に対応する領域には前
記金属導電膜が存在せず、前記カラーフィルタ基板の前
記トランスファが位置する領域に対応する領域にはブラ
ックマトリックスが存在する ことを特徴とする液晶表示
パネル。 - 【請求項２】 前記トランスファは前記ＴＦＴ基板に設
けられその表面が透明電極で覆われているトランスファ
パッドと接続され、前記トランスファパッドは前記金属
導電膜を介して前記ＴＦＴ基板に設けられた共通電位入
力端子に接続されていることを特徴とする請求項１に記
載の液晶表示パネル。 - 【請求項３】 前記トランスファパッドは前記トランス
ファが接続される領域の外周において前記金属導電膜と
接続されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶
表示パネル。 - 【請求項４】 ガラス基板上に下から順にブラックマト
リックスおよび対向電極が形成されたカラーフィルタ基
板とガラス基板上にＴＦＴアレイと共通電位入力端子お
よび前記共通電位入力端子につながる金属配線が形成さ
れたＴＦＴ基板とが互いに対向配置され、前記金属配線
と前記対向電極がトランスファを介して電気的につなげ
られた液晶表示パネルにおいて、 前記カラーフィルタ基板の前記トランスファが設けられ
た位置に対応する領域にはブラックマトリックスが存在
し、前記トランスファと前記金属配線とは前記ＴＦＴ基
板のガラス基板に接して設けられた透明導電膜を介して
接続されていることを特徴とする 液晶表示パネル。 - 【請求項５】 前記金属配線は前記ＴＦＴアレイのゲー
トバスラインまたはドレインバスラインを形成する金属
配線と同じ金属配線層にあることを特徴とする請求項４
に記載の液晶表示パネル。 - 【請求項６】 カラーフィルタ基板とＴＦＴアレイ基板
とが対向して配置されその間に液晶が封入されていると
共に前記カラーフィルタ表面に設けられた対向電極と前
記ＴＦＴ基板に設けられた金属配線とがトランスファで
電気的に接続された液晶表示パネルにおいて、 前記トランスファが設けられた位置のカラーフィルタ基
板にはブラックマトリクスが存在し、前記トランスファ
が設けられた位置のＴＦＴ基板には透明導電膜のみが存
在することを特徴とする液晶表示パネル。 - 【請求項７】 カラーフィルタ基板とＴＦＴアレイ基板
とが対向して配置されその間に液晶が封入されていると
共に前記カラーフィルタ表面に設けられた対向電極と前
記ＴＦＴ基板に設けられた金属配線とがトランスファで
電気的に接続された液晶表示パネルにおいて、 前記トランスファの一端は前記カラーフィルタのブラッ
クマトリックスで覆われた領域で前記対向電極に接続さ
れ、その他端の前記ＴＦＴ基板側表面では透明導電膜の
みで接続されていることを特徴とする液晶表示パネル。 - 【請求項８】 表示領域の外周に遮光膜で覆われている
遮光領域を有するカラーフィルタとＴＦＴアレイを有す
るＴＦＴアレイ基板とを対向配置しその間に液晶が封入
されるとともに、前記カラーフィルタ表面に設けられた
対向電極に共通電極を与えるために前記ＴＦＴ基板と前
記対向電極の間に設けたトランスファを有する液晶表示
パネルにおいて、 前記トランスファは前記遮光領域に対応する位置に設け
られ、前記ＴＦＴ基板側では外側から前記トランスファ
を確認することができることを特徴とする液晶表示パネ
ル。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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