JP3498020B2 - アクティブマトリックス基板及びその製造方法 - Google Patents

アクティブマトリックス基板及びその製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス基板及びその製造方法に関するもので、特に、ＴＦ
Ｔ基板側にカラーレジスト、樹脂ブラックマトリクスを
形成するアクティブマトリクス基板のスペーサ及びその
製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図１３に、第１の従来例の液晶表示装置
におけるアクティブマトリクス基板のチャネルエッチ型
ＴＦＴの概略図を示す。図１３（ａ）は一画素の平面図
を、図１３（ｂ）はＴＦＴ部近傍の断面図を、図１４
（ａ）、（ｂ）は端子部断面図を示している。１３
（ｂ）において、透明絶縁性基板４１上に、ゲート電極
４２ａが形成され、その上を覆ってゲート絶縁膜４３が
形成されている。さらにその上にはゲート電極４２ａと
重畳するように半導体層４４が形成され、その中央部上
で隔てられたソース電極４６ａ、ドレイン電極４７がオ
ーミックコンタクト層４５を介して半導体層４４に接続
されている。それらソース電極４６ａとドレイン電極４
７の間のオーミックコンタクト層４５はエッチング除去
され、ソース電極４６ａ、ドレイン電極４７と半導体層
４４の間にのみオーミックコンタクト層４５が形成され
ている。さらにこれらを覆うようにパッシベーション膜
４８が形成されている。このパッシベーション膜４８上
には、画素電極４９となる透明導電膜が、パッシベーシ
ョン膜４８を貫くコンタクトスルーホール５１を介し
て、ドレイン電極４７と接続されている。
【０００３】このＴＦＴには、図１３（ａ）に示すよう
に、ゲート配線４２ｂ、ゲート電極４２ａを通してスイ
ッチング信号が、ソース配線４６ｂ、ソース電極４６ａ
を通して映像信号が入力され、画素電極４９への電荷の
書き込みが行われる。
【０００４】次に、図１３、１４に示したアクティブマ
トリクス基板の製造方法について、図１５〜１８を用い
て説明する。但し、これらの図ではＴＦＴ部近傍のみを
示した。
【０００５】まず、図１５（ａ）に示すように、ガラス
などの透明絶縁性基板４１上にスパッタリングによって
Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｒなどからなる導電層を１００〜４００
ｎｍの厚さで堆積し、フォトリソ工程によりゲート配線
（図示なし）、ゲート電極４２ａおよび表示用の外部信
号処理基板と接続されるゲート端子（図示なし）を形成
する第１のパターニング工程を行う。次に、シリコン窒
化膜などからなるゲート絶縁膜４３とアモルファスシリ
コンからなる半導体層４４、ｎ+型アモルファスシリコ
ンからなるオーミックコンタクト層４５とをプラズマＣ
ＶＤによって、それぞれ４００ｎｍ、３００ｎｍ、５０
ｎｍ程度の厚さで連続的に積層し、半導体層４４、オー
ミックコンタクト層４５とを一括してパターニングする
第２のパターニング工程を行う。更に、ゲート絶縁膜４
３およびオーミックコンタクト層４５を覆うようにスパ
ッタリングによってＭｏ，Ｃｒなどを１００〜２００ｎ
ｍの厚さで堆積し、これをフォトリソ工程によりソース
電極４６ａ、ソース配線４６ｂ、ドレイン電極４７、お
よび表示用の外部信号処理基板に接続されるデータ端子
４７ａ部（図１４（ｂ））を形成する第３のパターニン
グ工程を行う。この第３のパターニング工程の後に、Ｔ
ＦＴのチャネル部となるソース電極４６ａ、ドレイン電
極４７下以外の不要なオーミックコンタクト層４５を除
去する。
【０００６】次に、図１５（ｂ）に示すように、ＴＦＴ
のバックチャネル、ソース電極４６ａ、信号配線４６
ｂ、ドレイン電極４７、データ端子４７ａ部を覆うよう
にプラズマＣＶＤによりシリコン窒化膜などの無機膜か
らなるパーシベーション膜４８を１００〜２００ｎｍ程
度の厚さで成膜し、ドレイン電極４７と画素電極４９と
のコンタクトをとるためのコンタクトスルーホール５１
の形成と、データ端子４７ａ部（図１４（ｂ））上の不
要なパッシベーション膜４８とゲート端子４２ｃ部（図
１４（ａ））上の不要なゲート絶縁膜４３およびパッシ
ベーション膜４８を除去する第４のパターニング工程を
行う。
【０００７】最後に、図１５（ｃ）に示すように、画素
電極４９となる透明導電膜をスパッタリングで成膜し、
第５のパターニング工程を行う。
【０００８】図１３、１４のアクティブマトリクス基板
は、このような製造方法により５つのパターニング工程
によって製造されるので、製造工程が大幅に短縮化され
る。このアクティブマトリクス基板を用いて、カラーフ
ィルタおよび電極を設けたもう１枚の基板と組み合わ
せ、２枚の基板間に液晶を挟んで液晶表示装置を構成す
る。
【０００９】しかし、このアクティブマトリクス基板で
は、図１３の平面図で見たとき、ゲート配線４２ｂおよ
びソース配線４６ｂと画素電極４９との間から光漏れが
起こるため、カラーフィルタ基板上に設けられたブラッ
クマトリクスで遮光する必要がある。この時、カラーフ
ィルタ基板とアクティブマトリクス基板の重ね合わせ精
度を考慮すると、ブラックマトリクスによる遮光領域を
大きく取らなければならず、液晶表示装置の開口率が小
さくなってしまい、バックライトが有効に利用されない
問題があった。
【００１０】そこで、開口率を大きくする手段として、
アクティブマトリクス基板の上にカラーフィルタ基板を
形成する方法（ＣＦｏｎＴＦＴ構造）が、例えば特開平
１０−３９２９２号公報の第１の実施例に提案されてい
る。この方法を第２の従来例として以下に示す。この構
造を製造するに際して、この公報に記載されていない条
件等を補うと、実際の製造方法は次のようになる。
【００１１】図１６（ａ）に示すように、チャネルエッ
チ型ＴＦＴ７０ａの上にパッシベーション膜７８を形成
した後、図１６（ｂ）に示すように、顔料分散型の感光
性樹脂ブラックマトリクスをスピンコート法で塗布し、
フォトリソ工程によりブラックマトリクス８５をコンタ
クトホール形成予定領域上、チャネルエッチ型ＴＦＴ７
０ａ上を含めたゲート配線上に形成する。膜厚は約１．
５μｍになるようにスピンコーターのスピン回転数を調
整する。
【００１２】次に、図１６（ｃ）に示すように、表面改
質のためのＵＶ照射と洗浄を兼ねたＵＶ洗浄を行ったア
クティブマトリクス基板上に顔料分散型の感光性赤色カ
ラーレジストをスピンコート法で約１．２μmの厚さに
塗布し、フォトリソ工程により赤色フィルタ８３ａを所
定のパターンに形成する。
【００１３】次に、図１７（ａ）に示すように、緑色フ
ィルタを形成するため、ＵＶ洗浄を行ったアクティブマ
トリクス基板上に顔料分散型の感光性緑色カラーレジス
トをスピンコート法で約１．２μmの厚さに塗布し、フ
ォトリソ工程により緑色フィルタ８３ｂを所定のパター
ンに形成する。
【００１４】次に、図１７（ｂ）に示すように、青色フ
ィルタを形成するため、ＵＶ洗浄を行ったアクティブマ
トリクス基板上に顔料分散型の感光性青色カラーレジス
トをスピンコート法で約１．２μmの厚さに塗布し、フ
ォトリソ工程により青色フィルタ８３ｃを所定のパター
ンに形成する。
【００１５】次に、図１７（ｃ）に示すように、ブラッ
クマトリクス８５、赤色フィルタ８３ａ、緑色フィルタ
８３ｂ、青色フィルタ８３ｃを形成したＴＦＴ基板の上
に、ＴＦＴ基板を平坦化するためのオーバーコート層８
４を約３μmの厚さに形成する。オーバーコート層８４
には、感光性アクリル樹脂を用い、スピンコート法で塗
布した後、フォトリソ工程によりコンタクトスルーホー
ル８１部のオーバーコート層８４の開口を行う。
【００１６】次に、図１８（ａ）に示すように、オーバ
ーコート層８４の上にポジ型ノボラック系感光性レジス
トを塗布し、パターニング後、このノボラック系感光性
レジスト８７をマスクとして、コンタクトスルーホール
８１部のブラックマトリクス８５の除去をドライエッチ
ングで行う。更に、コンタクトスルーホール８１部のパ
ッシベーション膜の開口を同じくドライエッチングで行
い、コンタクトスルーホール８１部の開口が完了する。
【００１７】最後に、図１８（ｂ）に示すように、画素
電極７９となる透明導電膜をスパッタリングで成膜し、
所定のパターンにフォトリソ工程にて加工し、画素電極
７９とドレイン電極７７の接続を行い、ＴＦＴの上にカ
ラーフィルタを形成したアクティブマトリクス基板を形
成することができる。
【００１８】これらの高開口率を有するアクティブマト
リクス基板を大型液晶表示装置に用いる場合、液晶表示
装置のアクティブマトリクス基板と対向基板のギャップ
制御が重要となってくる。このため、アクティブマトリ
クス基板と対向基板のギャップを正確に制御するため、
従来のスペーサ散布方式から柱スペーサ形成方式を採用
する提案が、例えば特開平１０−６８９５６号公報の第
２の実施例に提案されている。この方法を第３の従来例
として以下に示す。この構造を製造するに際して、この
公報に記載されていない条件等を補うと、実際の製造方
法は次のようになる。
【００１９】まず、図１９（ａ）に示すように、透明絶
縁性基板１１１の上にチャネルエッチ型ＴＦＴ１１０ａ
を形成し、そのＴＦＴ上には外光によるＴＦＴの誤動作
を防止するために、黒色樹脂膜１２５を被覆する。次
に、顔料分散型の感光性赤色カラーレジストをスピンコ
ート法で塗布し、スペーサの形成を所望する場所を含め
赤を着色したい部分に光が照射されるようなフォトマス
クを介して３６５ｎｍの波長で１００ｍＪ／ｃｍ２照射
し、ＫＯＨの１％水溶液で１０秒間現像し、赤色フィル
タ１２３ａ及び柱スペーサを構成する赤色スペーサ層１
２３ａ’を形成した。
【００２０】次に、図１９（ｂ）に示すように、顔料分
散型の感光性緑色カラーレジストをスピンコート法で塗
布し、赤色フィルタの形成と同様の方法で、緑色フィル
タ１２３ｂ及び柱スペーサを構成する緑色スペーサ層１
２３ｂ’を形成した。
【００２１】次に、図１９（ｃ）に示すように、赤色フ
ィルタ、緑色フィルタと同様の方法で、青色フィルタ１
２３ｃ及び柱スペーサを構成する青色スペーサ層１２３
ｃ’を形成した。柱スペーサは、これら３色のスペーサ
層を積層するようにして形成し、ＴＦＴに対応した位置
に黒色樹脂膜を介して配した。最後に、赤色フィルタ１
２３ａにコンタクトスルーホール１２１を形成し、ＩＴ
Ｏからなる画素電極１１９を形成した。
【００２２】以上の方法でＴＦＴの上にカラーフィルタ
を形成するとともにカラーフィルタ層を積層して柱スペ
ーサも同時に形成したアクティブマトリクス基板を有す
る液晶表示装置を製造することができる。
【００２３】しかし、この方法では、カラーフィルタ層
を積層して柱スペーサを形成するため、柱スペーサの高
さを制御するためにカラーフィルタ層の膜厚が制限さ
れ、所望の色度域が実現できないという問題があった。
【００２４】これらカラーフィルタ層の積層により柱ス
ペーサを形成する方法に対して、例えば、特開平１０−
１８６３７９号公報には黒色樹脂膜で柱スペーサをＴＦ
Ｔの上に形成する方法が提案されている。この方法を第
４の従来例として、その製造方法について図２０を用い
て説明する。
【００２５】まず、図２０（ａ）に示すように、透明絶
縁性基板１５１の上にチャネルエッチ型ＴＦＴ１５０ａ
を形成し、ＴＦＴを含む基板全面をオーバーコート層１
６４で覆う。
【００２６】次に、図２０（ｂ）に示すように、ＵＶ洗
浄を行ったアクティブマトリクス基板上に顔料分散型の
感光性赤色カラーレジストをスピンコート法で約１．２
μｍの厚さに塗布し、フォトリソ工程により赤色フィル
タ１６３ａを所定のパターンに形成する。
【００２７】次に、図２０（ｃ）に示すように、緑色フ
ィルタを形成するため、ＵＶ洗浄を行ったアクティブマ
トリクス基板上に顔料分散型の感光性緑色カラーレジス
トをスピンコート法で約１．２μｍの厚さに塗布し、フ
ォトリソ工程により緑色フィルタ１６３ｂを所定のパタ
ーンに形成する。
【００２８】次に、図２１（ａ）に示すように、青色フ
ィルタを形成するため、ＵＶ洗浄を行ったアクティブマ
トリクス基板上に顔料分散型の感光性青色カラーレジス
トをスピンコート法で約１．２μｍの厚さに塗布し、フ
ォトリソ工程により青色フィルタ１６３ｃを所定のパタ
ーンに形成する。
【００２９】次に、図２１（ｂ）に示すように、赤色フ
ィルタ１６３ａ、緑色フィルタ１６３ｂ、青色フィルタ
１６３ｃを形成した後、画素電極とドレイン電極１５７
を接続するためのコンタクトスルーホール１６１の開口
を行う。
【００３０】次に、図２１（ｃ）に示すように、画素電
極１５９となる透明導電膜をスパッタリングで成膜し、
所定のパターンにフォトリソ工程にて加工し、画素電極
１５９とドレイン電極１５７の接続を行い、最後に、樹
脂ブラックからなる黒色樹脂膜１６５をＴＦＴ上に形成
し、且つ、この黒色樹脂膜１６５により、柱スペーサの
役割を備えたアクティブマトリクス基板を形成すること
ができる。
【００３１】以上の方法でＴＦＴの上に黒色樹脂膜で柱
スペーサを形成したアクティブマトリクス基板を有する
液晶表示装置を製造することができる。しかし、黒色樹
脂膜で柱スペーサを形成する場合、黒色樹脂膜中に入っ
ている遮光成分のため、例えば、顔料系黒色樹脂膜の場
合、顔料成分が、また、カーボン系黒色樹脂膜の場合、
カーボン成分の影響により、下地となるオーバーコート
層との密着性が悪く、柱スペーサがラビング工程で剥が
れてしまうという問題点があった。
【００３２】
【発明が解決しようとする課題】上記に説明した従来の
アクティブマトリクス基板の製造方法の問題点をまとめ
ると、以下のようになる。
【００３３】まず、第１の従来例では、この方法によっ
て得られるアクティブマトリクス基板とカラーフィルタ
及び電極を設けたもう１枚の基板とを組み合わせたと
き、ゲート配線およびソース配線と画素電極との間から
光漏れが起きるため、カラーフィルタ基板上に設けられ
たブラックマトリクスで遮光する必要がある。この時、
カラーフィルタ基板とアクティブマトリクス基板の重ね
合わせ精度を考慮すると、ブラックマトリクスによる遮
光領域を大きく取らなければならず、液晶表示装置の開
口率が小さくなってしまい、バックライトが有効に利用
されない問題がある。
【００３４】次に、第２の従来例では、この方法によっ
て高開口率を有するアクティブマトリクス基板が得られ
るが、これを大型液晶表示装置に用いる場合、液晶表示
装置のアクティブマトリクス基板と対向基板のギャップ
を正確に制御する必要が生じる。
【００３５】次に、第３の従来例では、カラーフィルタ
層を積層して柱スペーサを形成するため、柱スペーサの
高さを制御するためにカラーフィルタ層の膜厚が制限さ
れ、所望の色度域が実現できないという問題がある。
【００３６】最後に、第４の従来例では、黒色樹脂膜で
柱スペーサを形成する場合、黒色樹脂膜中に入っている
遮光成分のため、例えば、顔料系黒色樹脂膜の場合、顔
料成分が、また、カーボン系黒色樹脂膜の場合、カーボ
ン成分の影響により、下地となるオーバーコート層との
密着性が悪く、柱スペーサがラビング工程で剥がれてし
まうという問題点がある。
【００３７】本発明の目的は、液晶表示装置に用いるス
ペーサを形成するに当たって、カラーフィルタ層を用い
ず、アクティブマトリクス基板と対向基板のギャップ
を、開口率を低下させることなく正確に制御することが
できるアクティブマトリックス基板及びその製造方法を
提供することにある。
【００３８】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リックス基板は、第１基板と、前記第１基板の上に形成
された色層と、前記色層を含む前記第１基板を覆う感光
性樹脂とから成り、前記感光性樹脂は突起部を有してお
り、前記突起部が前記第１基板と対向する第２基板との
スペーサとなると共に、前記感光性樹脂は、下層感光性
樹脂及び上層感光性樹脂と、少なくとも前記上層感光性
樹脂下面に接する前記下層感光性樹脂表面領域のミキシ
ング層とから成ることを特徴とし、前記感光性樹脂は、
単一の感光性樹脂から成る、或いは、前記上層感光性樹
脂が前記突起部となり、更に、前記下層感光性樹脂及び
前記上層感光性樹脂は、それぞれポジ型感光性樹脂及び
ネガ型感光性樹脂である、或いは、それぞれネガ型感光
性樹脂及びポジ型感光性樹脂である、というものであ
る。
【００３９】又、上記アクティブマトリックス基板にお
いて、前記第１基板上にはソース電極及びドレイン電極
を有する薄膜トランジスタが形成されており、前記突起
部下方には前記薄膜トランジスタを覆うブラックマトリ
ックスが設けられ、かつ、前記感光性樹脂上に形成され
た画素電極が前記感光性樹脂に設けられた開口部を通し
て前記ドレイン電極と接続される、という形態をとるこ
ともできる。
【００４０】
【００４１】 次に、本発明のアクティブマトリックス
基板の製造方法は、第１基板の上に色層を形成し、前記
色層を含む前記第１基板を下から順に下層感光性樹脂及
び上層感光性樹脂で覆い、前記上層感光性樹脂の所定領
域を露光した後、現像して前記下層感光性樹脂上に前記
上層感光性樹脂からなる突起部を形成し、前記下層感光
性樹脂の所定領域を露光した後、現像して前記突起部以
外の前記下層感光性樹脂の一部を除去して開口部を形成
することを特徴とし、前記第１基板上には前記色層の他
にソース電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジス
タと画素電極も形成されており、前記突起部下方には前
記薄膜トランジスタを覆うブラックマトリックスが形成
され、かつ、前記画素電極は前記下層感光性樹脂上にあ
って、前記下層感光性樹脂に設けられた前記開口部を通
して前記ドレイン電極と接続されるべく形成され、前記
下層感光性樹脂及び前記上層感光性樹脂は、それぞれポ
ジ型感光性樹脂及びネガ型感光性樹脂である、或いは、
それぞれネガ型感光性樹脂及びポジ型感光性樹脂であ
る、というものである。
【００４２】
【発明の実施の形態】本発明の実施形態を説明する前
に、まず、本発明の特徴を下記項目順に説明しておく。
【００４３】 （１）本発明の関連技術（第１の特徴） 本発明の関連技術の第１の特徴は、カラーレジスト、樹
脂ブラックマトリクスを用いてＴＦＴ基板上にカラーフ
ィルタを形成するアクティブマトリクス基板において、
アクティブマトリクス基板上の柱スペーサを形成し、且
つ、その形成をハーフトーンマスクを用いてオーバーコ
ートの形成と同時に行うことである。
【００４４】図３は、図２のＡ−Ａ’断面図である。透
明絶縁性基板１上にゲート電極２ａが設けられ、それら
を覆うようにゲート絶縁膜３が形成される。その上にゲ
ート電極２ａと重畳するように半導体層４が設けられ、
その半導体層４の中央部上で隔てられたソース電極６
ａ、ドレイン電極７がオーミックコンタクト層５を介し
て半導体層４に接続されている。それらソース電極６ａ
とドレイン電極７の間のオーミックコンタクト層はエッ
チング除去され、ソース電極６ａ、ドレイン電極７と半
導体層４の間にのみオーミックコンタクト層５が設けら
れている。さらにオーミックコンタクト層がエッチング
除去されたチャネル部を含めて、これらを覆うようにパ
ッシベーション膜８が設けられている。このようなＴＦ
Ｔは一般にチャネルエッチ型と呼ばれている。このよう
にＴＦＴをスイッチング素子として用いる場合は、ドレ
イン電極７が画素電極９と接続するための引き出し電極
として働き、オーバーコート層１４とパッシベーション
膜８を貫通して設けられたコンタクトスルーホール１１
を通じてドレイン電極７と画素電極９が接続されてい
る。パッシベーション膜８の上には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各色
層のカラーフィルタ１３が画素表示領域に対応した部分
に設けられているが、このコンタクトスルーホール１１
の周囲には、カラーフィルタ１３が形成されておらず、
カラーフィルタ層としてはコンタクトスルーホール含む
領域が開口になっている。オーバーコート層１４上に
は、ＴＦＴ上に該当する所定の位置に柱スペーサ１９が
形成されている。
【００４５】 図４〜５は関連技術の第１の特徴の製造
工程を示している。図５（ｃ）に示すように、アクリル
系の透明の感光性樹脂を塗布する。この時、膜厚は柱ス
ペーサ１９の高さ分と下地を平坦化するための膜厚を必
要とし、例えば、対向基板とアクティブマトリクス基板
のセルギャップを４．５μｍにする場合には、柱スペー
サ１９分の高さ４．５μｍとオーバーコート層１４の膜
厚約３μｍを合わせた約７．５μｍの膜厚が必要であ
る。
【００４６】次に、プリベークを行った後、柱スペーサ
の形成とコンタクトスルーホールの開口を同一の露光工
程で行う。この同一の露光工程で異なる二つのパターニ
ングを同時に行う方法として、図７に示すようなハーフ
トーン露光法がある。このハーフトーン露光法は同一マ
スク内に異なる３種類の透過率を有するパターンを形成
し、各々の透過率の違いを利用して、異なるパターニン
グを同時に行うことができる。３種類の透過率を有する
パターンは、遮光性金属膜２１による透過率０％の領域
と透明マスク基板のみの透過率１００％の領域と半透明
膜２２による透過率０〜１００％の領域により形成され
る。
【００４７】具体的には、図７に示す様に、同一のマス
ク内に透過率１００％の領域Ａと透過率０％の領域Ｃと
透過率０〜１００％の間で変動できる領域Ｂが存在する
と、ネガ型感光性アクリル樹脂３０を用いて露光量６０
０ｍＪで露光した場合、各々の領域毎に現像後のネガ型
感光性アクリル樹脂３０の残膜率は図８（ａ）のように
なる。これは、図８（ｂ）に示すように、露光マスクの
透過率によって相対的に露光量が決定されるからであ
る。領域Ｂについては、例えば、図５（ｃ）のように、
柱スペーサ１９を含めた７．５μｍの感光性樹脂に対し
て、オーバーコート層１４を３μｍの膜厚にする場合に
は、領域Ｂの透過率を４０％にすると、領域Ｂに対し
て、露光量も４０％になり、約３μｍのオーバーコート
層１４を残すことができる。このハーフトーン露光法に
より、柱スペーサ１９とコンタクトスルーホール１１の
開口を同時に行った後、２２０℃／６０分焼成を行う。
これにより、柱スペーサ１１とオーバーコート層１４の
開口が同時に行える。
【００４８】 （２）本発明の関連技術（第２の特徴） 関連技術 の第２の特徴は、カラーレジスト、樹脂ブラッ
クマトリクスを用いてＴＦＴ基板上にカラーフィルタを
形成するアクティブマトリクス基板において、アクティ
ブマトリクス基板上の柱スペーサを形成し、且つ、その
形成をスリットマスクを用いてオーバーコート層の形成
と同時に行うことである。
【００４９】図９は、その露光工程の説明図である。図
９に示すように、遮光性金属膜２１で形成された透過率
０％の領域Ｃと遮光性金属膜２１の形成されていない透
過率１００％の領域Ａと遮光性金属膜２１がある一定の
微小間隔で配置され、光透過量が擬似的に制限される領
域Ｂを有するスリットマスク２０ｂを用いて露光を行
う。これにより、図５（ｃ）に示すように、柱スペーサ
１９とコンタクトスルーホール１１が同一の露光工程で
形成される。これにより、柱スペーサ１９とオーバーコ
ート層１４の開口が同時に行える。
【００５０】 （３）本発明の関連技術（第３の特徴） 関連技術 の第３の特徴は、柱スペーサを形成する感光性
樹脂とオーバーコート層を形成する感光性樹脂を２層に
し、界面に形成されるミキシング層を利用して、１回の
フォトリソ工程で柱スペーサとオーバーコート層のコン
タクトスルーホールの開口を同時に行うことである。
【００５１】図１１、１２はその工程図と露光概略図で
ある。図１１（ａ）に示すように、ポジ型感光性樹脂３
３を塗布し、９０℃／２分のプリベークを行った後、そ
の上にネガ型感光性樹脂３４を塗布し、９０℃／２分の
プリベークを行う。この時、ポジ型感光性樹脂３３とネ
ガ型感光性樹脂３４の界面にはミキシング層３５が出来
る。
【００５２】次に、図１２（ａ）に示すように、柱スペ
ーサ２９となる部分を露光マスク２０ｅを用いて露光
し、現像すると図１１（ｂ）に示すように、柱スペーサ
２９部以外はミキシング層３５で現像が止まる。
【００５３】最後に、図１２（ｂ）に示すように、コン
タクトスルーホールに該当する下層のポジ型感光性樹脂
３３を、遮光性金属膜２５でパターン形成した露光マス
ク２０ｆを用いて露光し、現像すると、図１１（ｃ）に
示すようにコンタクトスルーホール２１が開口される。
これにより、１回のフォトリソ工程で柱スペーサ２９と
オーバーコート層（この場合、ポジ型感光性樹脂３３が
これに相当する）のコンタクトスルーホール２１の開口
を同時に行うことができる。
【００５４】 以上、本発明の関連技術の特徴を述べた
ので、以下に上記特徴の実施形態について説明する。
【００５５】 まず、本発明の関連技術の第１の例の液
晶表示装置を、スイッチング素子としてＴＦＴを用いた
例を示して説明する。
【００５６】図１は、液晶表示装置におけるアクティブ
マトリクス基板の構成を示す回路図である。透明絶縁性
基板の上にゲート配線２ｂおよびソース配線６ｂが互い
に直交するように配置され、これらの信号線の交差部分
に対応するようにＴＦＴ１０および画素容量１６が形成
される。ゲート配線２ｂはＴＦＴ１０のゲート電極に接
続され、ゲート配線２ｂからゲート電極に入力される走
査信号によって画素に対応するＴＦＴ１０が駆動され
る。ソース配線６ｂは、ＴＦＴ１０のソース電極に接続
され、ソース電極へデータ信号を入力する。ＴＦＴ１０
のドレイン電極には画素電極が接続される。各画素電極
は隣接するゲート配線２ｂにゲート絶縁膜を介して重畳
し付加容量電極の役割を果たしている。
【００５７】図２は画素部分の構成を示したものであ
り、同一図面に表すと重なり関係が不明瞭になるので、
図２（ａ）に電極および配線等を記載し、図２（ｂ）に
は画素電極、カラーフィルタ、ブラックマトリクス、柱
スペーサの位置関係を分けて示した。
【００５８】各々の画素電極９の下には、オーバーコー
ト層を挟んで対応するカラーフィルタ１３が形成されて
いる。また、ゲート配線２ｂ上のパッシベーション膜の
上にはブラックマトリクス１５が形成され、ＴＦＴの遮
光を兼ねている。このブラックマトリクス１５はコンタ
クトスルーホール１１の周囲には形成されていない。画
素電極９はオーバーコート層の開口部を介してドレイン
電極７と接続されている。ブラックマトリクス１５、カ
ラーフィルタ１３の下には、互いに直交するように複数
のゲート配線２ｂと複数のソース配線６ｂが設けられ、
それらゲート配線２ｂ、ソース配線６ｂの交差部にはＴ
ＦＴが設けられ、このＴＦＴのゲート電極２ａにはゲー
ト配線２ｂが接続され、ソース電極６ａにはソース配線
６ｂが接続され、ドレイン電極７にはオーバーコート
層、パッシベーション膜を貫くコンタクトスルーホール
１１を介して画素電極９が接続されている。このＴＦＴ
にはゲート配線、ゲート電極を通してスイッチング信号
が、ソース配線、ソース電極を通して映像信号が入力さ
れ、画素電極への電荷の書き込みが行われる。また、こ
のＴＦＴ上にはパッシベーション膜、ブラックマトリク
ス、オーバーコート層が積層され、さらにその上に、対
向基板とのギャップを制御するための柱スペーサ１９が
形成されている。柱スペーサ１９は各々ＴＦＴ上に形成
されても良いし、また、ある一定間隔で所定のＴＦＴ上
にのみ配置されても良い。
【００５９】図３（ａ）は、図２のＡ−Ａ’断面図であ
る。透明絶縁性基板１上にゲート電極２ａが設けられ、
それらを覆うようにゲート絶縁膜３が形成される。その
上にゲート電極２ａと重畳するように半導体層４が設け
られ、その半導体層４の中央部上で隔てられたソース電
極６ａ、ドレイン電極７がオーミックコンタクト層５を
介して半導体層４に接続されている。それらソース電極
６ａとドレイン電極７の間のオーミックコンタクト層は
エッチング除去され、ソース電極６ａ、ドレイン電極７
と半導体層４の間にのみオーミックコンタクト層５が設
けられている。さらにオーミックコンタクト層がエッチ
ング除去されたチャネル部を含めて、これらを覆うよう
にパッシベーション膜８が設けられている。このような
ＴＦＴは一般にチャネルエッチ型と呼ばれている。この
ようにＴＦＴをスイッチング素子として用いる場合は、
ドレイン電極７が画素電極９と接続するための引き出し
電極として働き、オーバーコート層１４とパッシベーシ
ョン膜８を貫通して設けられたコンタクトスルーホール
１１を通じてドレイン電極７と画素電極９が接続されて
いる。パッシベーション膜８の上には、Ｒ、Ｇ、Ｂの各
色層のカラーフィルタ１３が画素表示領域に対応した部
分に設けられているが、このコンタクトスルーホール１
１の周囲には、カラーフィルタが形成されておらず、カ
ラーフィルタ層としてはコンタクトスルーホール含む領
域が開口になっている。尚、図２および図３では、カラ
ーフィルタ層に開口が設けられた形態になっているが、
ブラックマトリクス１５の層の中に開口を設けてもよい
し、断面でみたときに片側がカラーフィルタで他方側が
ブラックマトリクスになるように開口を設けてもよい。
オーバーコート層１４上には、ＴＦＴ上に該当する所定
の位置に柱スペーサ１９が形成されている。
【００６０】 本例は、画素電極とスイッチング素子の
接続が、有機平坦化膜を貫通して行われるような液晶表
示装置であれば適用することが可能であり、有機平坦化
膜の下にカラーフィルタ層あるいはブラックマトリクス
層はなくてもよい。また、スイッチング素子としては特
に制限はなく、ＴＦＴに限らずＭＩＭ、ダイオード等で
あってもよく、また、ＴＦＴとして逆スタガード型でな
くとも、ゲート電極が半導体層に対して透明絶縁性基板
と反対側に位置するような順スタガード型であってもよ
い。
【００６１】 また、本例の液晶表示装置では、上記以
外の構成については特に制限はなく、例えば液晶材料、
配向膜、対向基板、対向電極等は、アクティブマトリク
ス型液晶表示装置一般に用いられるように構成すればよ
い。また、各色フィルタは、フルカラー表示のための一
般的な赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色で構成する
が、適宜変更することもできる。
【００６２】 次に、本関連技術の第１の例の製造方法
を、図３の断面図に対応する工程図である図４、５を用
いて説明する。図４、５は画素表示領域の製造方法を示
している。
【００６３】図４（ａ）に示すように、例えばガラス等
の透明性絶縁基板１上にチャネルエッチ型ＴＦＴ１０ａ
を形成する。この形成方法は、従来と同様に、次のよう
に行うことができる。透明絶縁性基板１上にスパッタリ
ングによってＡｌ、Ｍｏ、Ｃｒなどからなる導電層を１
００〜４００ｎｍの厚さで堆積し、フォトリソ工程によ
りゲート配線（図示なし）、ゲート電極２ａおよび表示
用の外部信号処理基板と接続されるゲート端子（図示な
し）を形成する。
【００６４】次に、シリコン窒化膜などからなるゲート
絶縁膜３とアモルファスシリコンからなる半導体層４、
ｎ+型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタ
クト層５とをプラズマＣＶＤによって、それぞれ４００
ｎｍ、３００ｎｍ、５０ｎｍ程度の厚さで連続的に積層
し、半導体層４、オーミックコンタクト層５とを一括し
てパターニングする。
【００６５】次に、ゲート絶縁膜３およびオーミックコ
ンタクト層５を覆うようにスパッタリングによってＭ
ｏ，Ｃｒなどを１００〜２００ｎｍの厚さで堆積し、こ
れをフォトリソ工程によりソース電極６ａ、ソース配線
（図示なし）、ドレイン電極７及び表示用の外部信号処
理基板に接続されるデータ端子（図示なし）を形成する
と共に、ＴＦＴのチャネル部となるソース電極６ａ、ド
レイン電極７下以外の不要なオーミックコンタクト層５
を除去する。
【００６６】次に、ＴＦＴのバックチャネル、ソース電
極６ａ、ソース配線（図示なし）、ドレイン電極７、デ
ータ端子（図示なし）を覆うようにプラズマＣＶＤによ
りシリコン窒化膜などの無機膜からなるパーシベーショ
ン膜８を１００〜２００ｎｍ程度の厚さで成膜する。
【００６７】次に、図４（ｂ）に示すように、赤色顔料
をアクリル系樹脂に分散させたネガ型光硬化性カラーレ
ジストを、スピンコート法で基板上に塗布する。膜厚は
約１．２μｍ程度になるようスピン回転数を調整する。
次に、ホットプレートで８０℃／２分プリベークを行
い、露光した後、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウム
ヒドロオキサイド）液で現像し、対応する部分に赤色フ
ィルタ１３ａを形成する。その際、後の工程でドレイン
電極７と画素電極９を接続するためのコンタクトスルー
ホールを形成する領域には、赤色フィルタを設けず開口
１２を設ける。この開口の大きさは、少なくともコンタ
クトスルーホールが含まれる程度の大きさである。次
に、クリーンオーブンで２２０℃／６０分焼成を行い、
赤色フィルタ１３ａを硬化させる。
【００６８】次に、図４（ｃ）に示すように、赤色フィ
ルタ１３ａ形成と同様の方法で緑色フィルタ１３ｂを形
成し、オーブンで２２０℃／６０分の焼成を行うと緑色
フィルタ１３ｂが得られる。
【００６９】次に、図５（ａ）に示すように、青色フィ
ルタ１３ｃの形成も同様の方法で形成する。
【００７０】次に、図５（ｂ）に示すように、カラーフ
ィルタの形成後、ブラックマトリクス１５を形成する。
ブラックマトリクス１５はアクリル樹脂にカーボンある
いは顔料を分散させた感光性樹脂ブラックマトリクスを
用いる。本実施形態では、粘度２０ｃｐ程度の材料を使
いスピンコート法で前記基板上に約１．５μmの膜厚に
形成し、コンタクトスルーホール形成予定領域上には設
けない。
【００７１】次に、図５（ｂ）の構造に対して、アクリ
ル系の透明の感光性樹脂を塗布する。この時、膜厚は柱
スペーサの高さ分と下地を平坦化するための膜厚を必要
とし、例えば、対向基板とアクティブマトリクス基板の
セルギャップを４．５μｍにする場合には、柱スペーサ
分の高さ４．５μｍとオーバーコート層の膜厚約３μｍ
を合わせた約７．５μｍの膜厚が必要である。次にプリ
ベークを行った後、柱スペーサの形成とコンタクトスル
ーホールの開口を同一の露光工程で行う。
【００７２】この同一の露光工程で異なる二つのパター
ニングを同時に行う方法として、図７に示すようなハー
フトーン露光法がある。このハーフトーン露光法は同一
マスク内に異なる３種類の透過率を有するパターンを形
成し、各々の透過率の違いを利用して、異なるパターニ
ングを同時に行うことができる。３種類の透過率を有す
るパターンは、遮光性金属膜による透過率０％の領域と
透明基板のみの透過率１００％の領域と半透明膜による
透過率０〜１００％の領域により形成される。
【００７３】具体的には、図７に示す様に同一のマスク
内に透過率１００％の領域Ａと透過率０％の領域Ｃと透
過率０〜１００％の間で変動できる領域Ｂが存在する
と、ネガ型感光性アクリル樹脂３０を用いて露光量６０
０ｍＪで露光した場合、各々の領域毎に現像後の感光性
アクリル樹脂の残膜率は図８（ａ）のようになる。これ
は、図８（ｂ）に示すように、露光マスクの透過率によ
って相対的に露光量が決定されるからである。領域Ｂに
ついては、例えば、柱スペーサを含めた７．５μｍの感
光性樹脂に対して、オーバーコート層１４を３μｍの膜
厚にする場合には、領域Ｂの透過率を４０％にすると、
領域Ｂに対して、露光量も４０％になり、約３μｍのオ
ーバーコート層１４を残すことができる。このハーフト
ーン露光法により、図５（ｃ）に示すように、柱スペー
サ１９の形成とコンタクトスルーホール１１の開口を同
時に行った後、２２０℃／６０分焼成を行う。
【００７４】次に、図６（ａ）に示すように、コンタク
トスルーホール１１下のパッシベーション膜８の開口を
行い、画素電極と接続するドレイン電極７を露出させ
る。
【００７５】最後に、図６（ｂ）に示すように、柱スペ
ーサ１９、オーバーコート層１４、コンタクトスルーホ
ール１１から露出したドレイン電極７上にスパッタ法で
ＩＴＯ等の透明導電膜を成膜し、パターニングして画素
電極９を形成する。この時、膜厚は厚いほど良好なカバ
レッジが得られ、ドレイン電極７との電気的な接続が安
定するが、透明導電膜に用いるＩＴＯ（Indium-Tin-Oxi
de）膜の加工性を考慮すると約１００ｎｍの膜厚が適当
である。
【００７６】その後、通常の方法に従って対向基板と重
ね合わせ、液晶を注入して液晶表示装置を完成する。
【００７７】以上の説明で、各色フィルタの厚さおよび
ブラックマトリクスの厚さは、使用する材料等によって
も変わるが、一般的に用いられている材料を用いた場
合、各色フィルタについては、塗布時の厚さが１．０〜
２．５μm程度、ブラックマトリクスについては、塗布
時の厚さが１．０〜２．５μm程度の厚さである。ま
た、柱スペーサ、オーバーコート層となる感光性樹脂の
厚さは、必要とする柱スペーサの高さによって変わる
が、一般的な液晶ギャップの仕様の場合、５．０〜８．
０μｍ程度の厚さである。
【００７８】 本関連技術の第１の例によれば、柱スペ
ーサとオーバーコート層のコンタクトスルーホールの開
口を１回のフォトリソで形成することができることであ
る。これにより、ギャップ精度のよい高精細の大型液晶
表示装置を安価に製造することができる。また、柱スペ
ーサがラビング工程などの後工程で剥がれることなく、
歩留良く製造することができる。これは、柱スペーサを
平坦化膜と同一の材料で形成したことで、ハーフトーン
露光法やスリットマスク露光法の利用が可能になったこ
とによる。また、柱スペーサとオーバーコート層が同一
材料であるため、柱スペーサとその下地のオーバーコー
ト層の密着性が非常によいことによる。
【００７９】 次に、本関連技術の第２の例について、
図９を用いて説明する。本例は、図５（ｃ）に示す柱ス
ペーサとコンタクトスルーホールの形成方法をハーフト
ーンマスクに代えてスリットマスクを用いる方法であ
る。
【００８０】図５（ｂ）に示す状況から、ネガ型感光性
アクリル樹脂３１を塗布する。次に、図９に示すよう
に、部分的に異なる３種類の透過率の異なるパターンを
有するスリットマスク２０ｂを用いて第１の実施形態と
同様に露光量を変化させる。具体的には、遮光性金属膜
２３で形成された透過率０％の領域Ｃと遮光性金属膜２
３の形成されていない透過率１００％の領域Ａと遮光性
金属膜２３がある一定の微小間隔で配置され、光透過量
が擬似的に制限される領域Ｂを有するスリットマスク２
０ｂを用いて露光を行う。これにより、図５（ｃ）に示
すように、柱スペーサとコンタクトスルーホールが同一
の露光工程で形成される。
【００８１】 以下、第１例と同様の方法により、本発
明の第２の実施形態のアクティブマトリクス基板を有す
る液晶表示装置を製造することができる。
【００８２】 次に、本関連技術の第３の例について、
図１０を用いて説明する。製造工程は第１の実施例、第
２の実施形態と同様に行われ、図５（ｃ）の工程での露
光を図１０の方法で行う。
【００８３】具体的には、図５（ｂ）の状況に対して、
ネガ型感光性アクリル樹脂３２を塗布する。次に、図１
０（ａ）に示すように、柱スペーサになる部分のみが露
光されるように、遮光性金属膜２４によりパターン転写
された露光マスク２０ｃを用いて第１の露光を行う。露
光量は、３００ｍＪ程度にする。
【００８４】次に、図１０（ｂ）に示すように、現像時
に所定の残膜量に膜減りしてオーバーコート層になるよ
うに約３００ｍＪ程度の露光量で、コンタクトスルーホ
ールになる部分のみが露光されないように、遮光性金属
膜２４によりパターン転写された露光マスク２０ｄを用
いて第２の露光を行う。
【００８５】この後、現像すると柱スペーサになる部分
は十分露光されて硬化しているので膜減りせず、そのま
ま残り、オーバーコート層となる部分は、所定の残膜に
なるように露光量を調整しているので、現像で膜減りし
て約３μｍの膜厚になり、また、全く露光されていない
コンタクトスルーホールになる部分は全て現像されて、
コンタクトスルーホールが開口される。これにより図５
（ｃ）に示すように柱スペーサとコンタクトスルーホー
ルが一回のフォトリソ工程で形成される。
【００８６】 以下、第１例と同様の方法により、第３
例のアクティブマトリクス基板を有する液晶表示装置を
製造することができる。
【００８７】 次に、本発明の第１の実施形態を、図１
１、１２を用いて説明する。
【００８８】 図１１（ａ）に示すように、第１例の関
連技術と同様の方法で、アクティブマトリクス基板の上
に、カラーフィルタ、ブラックマトリクス１５を形成す
る。次に、ポジ型感光性樹脂３３を塗布し、９０℃／２
分のプリベークを行った後、その上にネガ型感光性樹脂
３４を塗布し、９０℃／２分のプリベークを行う。この
時、ポジ型感光性樹脂３３とネガ型感光性樹脂３４の界
面にはミキシング層３５が出来る。ミキシング層３５と
は、異なる樹脂界面で生成される混合層である。
【００８９】次に、図１２（ａ）に示すように、柱スペ
ーサとなる部分を露光し、現像すると、図１１（ｂ）に
示すように、柱スペーサ部２９以外はミキシング層３５
で現像が止まる。
【００９０】次に、図１２（ｂ）に示すように、コンタ
クトスルーホールに該当する下層のポジ型感光性樹脂３
３を露光・現像すると、図１１（ｃ）に示すように、コ
ンタクトスルーホール２１が開口される。
【００９１】 以下、第１例の関連技術と同様の方法
で、本発明の第１の実施形態のアクティブマトリクス基
板を有する液晶表示装置を製造することができる。
【００９２】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、柱スペ
ーサとオーバーコート層のコンタクトスルーホールの開
口を１回のフォトリソで形成することができる。これに
より、ギャップ精度のよい高精細の大型液晶表示装置を
安価に製造することができる。また、柱スペーサがラビ
ング工程などの後工程で剥がれることなく、歩留良く製
造することができる。
【００９３】これは、柱スペーサを平坦化膜と同一の材
料で形成したことで、ハーフトーン露光法やスリットマ
スク露光法の利用が可能になったことによる。また、柱
スペーサとオーバーコート層が同一材料であるため、柱
スペーサとその下地のオーバーコート層の密着性が非常
によいことによる。
【図面の簡単な説明】
【図１】液晶表示装置におけるアクティブマトリクス基
板の一般的な構成を示す回路図である。
【図２】画素部分の一般的な構成を示す平面図を、配線
主体に示したものと色層を主体に示したものとに分けて
示したものである。
【図３】本発明の第１の関連技術を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の関連技術の製造方法を工程順に
示す断面図である。
【図５】図４に続く断面図である。
【図６】図５に続く断面図である。
【図７】本発明の第１関連技術の製造方法に用いられる
露光方法を示す模式断面図である。
【図８】本発明の第１関連技術の製造方法に用いられる
露光方法の原理を示すグラフである。
【図９】本発明の第２関連技術の製造方法に用いられる
露光方法を示す模式断面図である。
【図１０】本発明の第３関連技術の製造方法に用いられ
る露光方法を示す模式断面図である。
【図１１】本発明の第１の実施形態の製造方法を製造工
程順に示す断面図である。
【図１２】本発明の第１の実施形態の製造方法に用いら
れる露光方法を示す模式断面図である。
【図１３】液晶表示装置におけるアクティブマトリクス
基板の第１の従来例を説明するための画素部分の構成を
示す平面図と断面図である。
【図１４】アクティブマトリクス基板の第１の従来例に
おける端子部分の断面図である。
【図１５】アクティブマトリクス基板の第１の従来例の
製造方法を製造工程順に示す断面図である。
【図１６】アクティブマトリクス基板の第２の従来例の
製造方法を製造工程順に示す断面図である。
【図１７】図１６に続く断面図である。
【図１８】図１７に続く断面図である。
【図１９】アクティブマトリクス基板の第３の従来例の
製造方法を製造工程順に示す断面図である。
【図２０】アクティブマトリクス基板の第４の従来例の
製造方法を製造工程順に示す断面図である。
【図２１】図２０に続く断面図である。
【符号の説明】
１、４１、７１、１１１、１５１ 透明絶縁性基板 ２ａ、４２ａ、７２ａ、１１２ａ、１６２ａ ゲート
電極 ２ｂ、４２ｂ ゲート配線 ２ｃ、４２ｃ ゲート端子 ３、４３、７３、１１３、１６３ ゲート絶縁膜 ４、４４、７４、１１４、１５４ 半導体層 ５、４５、７５ オーミックコンタクト層 ６ａ、４６ａ、７６ａ、１１６ａ ソース電極 ６ｂ、４６ｂ ソース配線 ７、４７、７７、１１７、１５７ ドレイン電極 ７ａ、４７ａ データ端子 ８、４８、７８、１１８ パッシベーション膜 ９、４９、７９、１１９、１５９ 画素電極 １０ ＴＦＴ １０ａ、７０ａ、１１０ａ、１５０ａ チャネルエッ
チ型ＴＦＴ １１、２１、５１、８１、１２１、１６１ コンタク
トスルーホール １２ 開口 １３ カラーフィルタ １３ａ、８３ａ、１２３ａ、１６３ａ 赤色フィルタ １３ｂ、８３ｂ、１２３ｂ、１６３ｂ 緑色フィルタ １３ｃ、８３ｃ、１２３ｃ、１６３ｃ 青色フィルタ １４、８４、１６４ オーバーコート層 １５、８５、１２５ ブラックマトリクス １６ 画素容量 １８ 液晶層 ２０ａ ハーフトーンマスク ２０ｂ スリットマスク ２０ｃ、２０ｄ、２０ｅ、２０ｆ 露光マスク ２１、２３、２４、２５ 遮光性金属膜 ２２ 半透明膜 ３０、３１、３２ ネガ型感光性アクリル樹脂 ３３ ポジ型感光性樹脂 ３４ ネガ型感光性樹脂 ３５ ミキシング層 ８７ ノボラック系感光性レジスト １２３ａ’ 赤色スペーサ層 １２３ｂ’ 緑色スペーサ層 １２３ｃ’ 青色スペーサ層 １６５ 黒色樹脂膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/336 Ｈ０１Ｌ 29/78 ６１２Ｄ 29/786 (72)発明者 坂本 道昭 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 吉川 周憲 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (72)発明者 丸山 宗生 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気 株式会社内 (56)参考文献 特開2000−338525（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−109372（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−52415（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−153797（ＪＰ，Ａ) 特開 平８−234190（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G09F 9/30 320 G09F 9/30 338 G02B 5/20 101 G02F 1/1339 500 G02F 1/1368 H01L 21/336 H01L 29/786

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１基板と、前記第１基板の上に形成さ
    れた色層と、前記色層を含む前記第１基板を覆う感光性
    樹脂とから成り、前記感光性樹脂は突起部を有してお
    り、前記突起部が前記第１基板と対向する第２基板との
    スペーサとなると共に、前記感光性樹脂は、下層感光性
    樹脂及び上層感光性樹脂と、少なくとも前記上層感光性
    樹脂下面に接する前記下層感光性樹脂表面領域のミキシ
    ング層とから成ることを特徴とするアクティブマトリッ
    クス基板。
  2. 【請求項２】 前記感光性樹脂は、単一の感光性樹脂か
    ら成る請求項１記載のアクティブマトリックス基板。
  3. 【請求項３】 前記上層感光性樹脂が前記突起部となる
    請求項１記載のアクティブマトリックス基板。
  4. 【請求項４】 前記下層感光性樹脂及び前記上層感光性
    樹脂は、それぞれポジ型感光性樹脂及びネガ型感光性樹
    脂である、或いは、それぞれネガ型感光性樹脂及びポジ
    型感光性樹脂である請求項１，２又は３記載のアクティ
    ブマトリックス基板。
  5. 【請求項５】 前記第１基板上にはソース電極及びドレ
    イン電極を有する薄膜トランジスタが形成されており、
    前記突起部下方には前記薄膜トランジスタを覆うブラッ
    クマトリックスが設けられ、かつ、前記感光性樹脂上に
    形成された画素電極が前記感光性樹脂に設けられた開口
    部を通して前記ドレイン電極と接続される請求項１、
    ２、３又は４記載のアクティブマトリックス基板。
  6. 【請求項６】 第１基板の上に色層を形成し、前記色層
    を含む前記第１基板を下から順に下層感光性樹脂及び上
    層感光性樹脂で覆い、前記上層感光性樹脂の所定領域を
    露光した後、現像して前記下層感光性樹脂上に前記上層
    感光性樹脂からなる突起部を形成し、前記下層感光性樹
    脂の所定領域を露光した後、現像して前記突起部以外の
    前記下層感光性樹脂の一部を除去して開口部を形成する
    ことを特徴とするアクティブマトリックス基板の製造方
    法。
  7. 【請求項７】 前記第１基板上には前記色層の他にソー
    ス電極及びドレイン電極を有する薄膜トランジスタと画
    素電極も形成されており、前記突起部下方には前記薄膜
    トランジスタを覆うブラックマトリックスが形成され、
    かつ、前記画素電極は前記下層感光性樹脂上にあって、
    前記下層感光性樹脂に設けられた前記開口部を通して前
    記ドレイン電極と接続されるべく形成される請求項６記
    載のアクティブマトリックス基板の製造方法。
  8. 【請求項８】 前記下層感光性樹脂及び前記上層感光性
    樹脂は、それぞれポジ型感光性樹脂及びネガ型感光性樹
    脂である、或いは、それぞれネガ型感光性樹脂及びポジ
    型感光性樹脂である請求項６又は７記載のアクティブマ
    トリックス基板の製造方法。
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Families Citing this family (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001005038A (ja) * 1999-04-26 2001-01-12 Samsung Electronics Co Ltd 表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP3498020B2 (ja) * 1999-09-29 2004-02-16 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 アクティブマトリックス基板及びその製造方法
JP4616439B2 (ja) * 2000-02-10 2011-01-19 大日本印刷株式会社 カラーフィルタの製造方法
TW573190B (en) 2000-08-14 2004-01-21 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display and fabricating method thereof
KR20030013151A (ko) * 2001-08-07 2003-02-14 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
JP2002090749A (ja) * 2000-09-11 2002-03-27 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP4884586B2 (ja) * 2000-12-18 2012-02-29 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR100437595B1 (ko) * 2001-03-31 2004-06-26 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 박막 트랜지스터 액정표시장치 제조방법
JP2002341355A (ja) * 2001-05-16 2002-11-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の製造方法およびアレイ基板ならびに液晶表示装置
JP2002350860A (ja) * 2001-05-22 2002-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置の製造方法
WO2002101781A1 (fr) * 2001-06-12 2002-12-19 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Panneau d'affichage plasma, appareil d'affichage d'un affichage plasma et procede de production du panneau d'affichage plasma
JP4876341B2 (ja) * 2001-07-13 2012-02-15 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板及びその製造方法
KR100816333B1 (ko) * 2001-08-30 2008-03-24 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 색 필터 기판 및 박막 트랜지스터 기판및 이들의 제조 방법
KR100796795B1 (ko) 2001-10-22 2008-01-22 삼성전자주식회사 반도체 소자의 접촉부 및 그 제조 방법과 이를 포함하는표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100652063B1 (ko) * 2001-12-27 2006-11-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
KR100835170B1 (ko) * 2001-12-28 2008-06-04 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 컬러필터 기판의 제조방법
KR100790354B1 (ko) * 2001-12-28 2008-01-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치용 컬러필터 기판과 어레이기판 제조방법
KR100488953B1 (ko) * 2001-12-31 2005-05-11 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 액정표시장치의 지주 스페이서 형성방법
US20050190337A1 (en) * 2002-01-29 2005-09-01 Park Tae K. Liquid crystal display device and method for manufacturing the same
US7317208B2 (en) * 2002-03-07 2008-01-08 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor device with contact structure and manufacturing method thereof
JP2003309130A (ja) * 2002-04-17 2003-10-31 Sanyo Electric Co Ltd 半導体スイッチ回路装置
KR100868003B1 (ko) * 2002-07-26 2008-11-11 삼성전자주식회사 컬러 필터 기판 및 이의 제조방법
KR100478759B1 (ko) * 2002-08-20 2005-03-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계 발광소자와 그 제조방법
CN1497299A (zh) * 2002-09-26 2004-05-19 三星电子株式会社 液晶显示器、液晶显示器面板及其制造方法
KR100846583B1 (ko) * 2002-12-06 2008-07-16 삼성에스디아이 주식회사 유기 전자 발광 소자
KR100892357B1 (ko) * 2002-12-09 2009-04-08 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 컬러필터 기판 및 그 제조방법
KR100727265B1 (ko) * 2002-12-30 2007-06-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100945579B1 (ko) * 2003-03-17 2010-03-08 삼성전자주식회사 표시 장치용 표시판 및 그의 제조 방법과 그 표시판을포함하는 액정 표시 장치
KR100935670B1 (ko) 2003-04-04 2010-01-07 삼성전자주식회사 액정표시장치, 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
JP2004341465A (ja) * 2003-05-14 2004-12-02 Obayashi Seiko Kk 高品質液晶表示装置とその製造方法
KR20050043221A (ko) * 2003-11-05 2005-05-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 컬러필터 기판 및 그 제조방법
KR20050043220A (ko) * 2003-11-05 2005-05-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 배면노광에 의해 형성된 컬러필터 기판을 이용한액정표시소자 제조방법 및 그 구조
KR101060342B1 (ko) * 2003-11-18 2011-08-29 엘지디스플레이 주식회사 프로세스 키를 포함하는 컬러필터 기판 및 그 제조방법
KR20050049986A (ko) * 2003-11-24 2005-05-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 배면노광을 이용한 컬러필터 기판 및 그 제조방법
KR100563466B1 (ko) * 2003-11-27 2006-03-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 컬러필터 어레이 기판 및 그 제조방법
KR101012792B1 (ko) * 2003-12-08 2011-02-08 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판과 그 제조 방법
KR100995020B1 (ko) * 2003-12-27 2010-11-19 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR101007207B1 (ko) * 2003-12-27 2011-01-14 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치용 기판 제조방법
KR101016740B1 (ko) * 2003-12-30 2011-02-25 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100617039B1 (ko) 2004-02-26 2006-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR100641002B1 (ko) 2004-04-30 2006-11-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치
KR100607519B1 (ko) * 2004-05-24 2006-08-02 엘지.필립스 엘시디 주식회사 칼라 필터를 구비한 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101100674B1 (ko) * 2004-06-30 2012-01-03 엘지디스플레이 주식회사 씨오티 구조 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법
US7612373B2 (en) 2004-06-30 2009-11-03 Lg Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device with color filter layer on thin film transistor
KR101108782B1 (ko) * 2004-07-30 2012-02-24 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4871507B2 (ja) * 2004-12-17 2012-02-08 エーユー オプトロニクス コーポレイション 液晶表示装置とその製造方法
JP4635604B2 (ja) * 2004-12-27 2011-02-23 凸版印刷株式会社 露光マスク用ブランクの製造方法並びに露光マスク、液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法及び液晶表示装置用カラーフィルタ
JP5034162B2 (ja) * 2005-03-23 2012-09-26 日本電気株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP4508916B2 (ja) * 2005-03-23 2010-07-21 シャープ株式会社 液晶表示装置の製造方法
US7238463B2 (en) * 2005-04-18 2007-07-03 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Method for manufacturing electrodes of a plasma display panel
KR101127833B1 (ko) * 2005-06-28 2012-03-20 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20070001659A (ko) * 2005-06-29 2007-01-04 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101152131B1 (ko) 2005-07-22 2012-06-15 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
JP4821310B2 (ja) * 2005-12-22 2011-11-24 大日本印刷株式会社 液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法
JP4915093B2 (ja) * 2005-12-22 2012-04-11 大日本印刷株式会社 カラーフィルタの製造方法
US20070222375A1 (en) * 2006-03-22 2007-09-27 Toppoly Optoelectronics Corp. System for displaying images including electroluminescent device and method for fabricating the same
KR101222966B1 (ko) * 2006-03-29 2013-01-17 엘지디스플레이 주식회사 액정 표시 장치의 제조 방법
KR101189218B1 (ko) 2006-04-12 2012-10-09 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP4775113B2 (ja) * 2006-05-26 2011-09-21 凸版印刷株式会社 カラーフィルタの製造方法、カラーフィルタ、及び液晶表示装置
JP2007327985A (ja) * 2006-06-06 2007-12-20 Toppan Printing Co Ltd カラーフィルタの製造方法及びカラーフィルタ
KR20070119280A (ko) * 2006-06-15 2007-12-20 삼성전자주식회사 표시 기판의 제조 방법, 표시 기판 및 이를 갖는액정표시장치
KR101335276B1 (ko) * 2006-09-20 2013-11-29 삼성디스플레이 주식회사 어레이 기판, 이를 갖는 표시패널 및 그 제조 방법
JP2008090191A (ja) * 2006-10-04 2008-04-17 Dainippon Printing Co Ltd カラーフィルタ基板の製造方法
JP5046005B2 (ja) * 2007-03-29 2012-10-10 大日本印刷株式会社 液晶表示装置用素子の製造方法
KR101274048B1 (ko) * 2007-04-19 2013-06-12 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
JP2009109725A (ja) * 2007-10-30 2009-05-21 Dainippon Printing Co Ltd 横電界駆動液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法
KR101418589B1 (ko) * 2008-01-04 2014-07-11 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이를 구비한 표시 패널
KR20100010224A (ko) * 2008-07-22 2010-02-01 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법, 액정 표시장치
KR101581774B1 (ko) 2009-06-18 2016-01-04 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5273384B2 (ja) * 2009-07-09 2013-08-28 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
KR101595818B1 (ko) 2009-08-26 2016-02-22 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
EP2490050A1 (en) 2009-10-15 2012-08-22 Sharp Kabushiki Kaisha Color filter substrate and liquid crystal display device
KR101620529B1 (ko) 2009-12-02 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
JP5254469B2 (ja) 2009-12-03 2013-08-07 シャープ株式会社 画像表示装置、パネルおよびパネルの製造方法
KR101620534B1 (ko) 2010-01-29 2016-05-13 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR20110101917A (ko) 2010-03-10 2011-09-16 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
US20110252339A1 (en) 2010-04-12 2011-10-13 Google Inc. Collaborative Cursors in a Hosted Word Processor
CA2795917A1 (en) 2010-04-12 2011-10-20 Google Inc. Real-time collaboration in a hosted word processor
JP5351102B2 (ja) * 2010-07-05 2013-11-27 日東電工株式会社 光導波路の製法
KR20120014789A (ko) * 2010-08-10 2012-02-20 삼성전자주식회사 표시 장치 제조 방법 및 이를 이용한 표시 장치
JP2012058423A (ja) * 2010-09-08 2012-03-22 Hitachi Displays Ltd 液晶表示装置
KR101809657B1 (ko) * 2011-09-22 2017-12-18 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
TWI439739B (zh) * 2011-11-17 2014-06-01 E Ink Holdings Inc 彩色濾光片及顯示裝置
JP5915188B2 (ja) * 2012-01-10 2016-05-11 凸版印刷株式会社 カラーフィルタ
CN102879947B (zh) * 2012-09-27 2015-10-14 京东方科技集团股份有限公司 彩色滤光片及其制造方法,半透半反式液晶显示装置
KR101665558B1 (ko) * 2012-11-23 2016-10-25 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
US9462037B2 (en) 2013-01-07 2016-10-04 Google Inc. Dynamically sizing chunks in a partially loaded spreadsheet model
US10956667B2 (en) 2013-01-07 2021-03-23 Google Llc Operational transformations proxy for thin clients
US9311622B2 (en) 2013-01-15 2016-04-12 Google Inc. Resolving mutations in a partially-loaded spreadsheet model
KR20150009862A (ko) * 2013-07-17 2015-01-27 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
KR102101734B1 (ko) 2013-12-13 2020-04-21 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101474803B1 (ko) * 2014-03-27 2014-12-19 제일모직주식회사 블랙 컬럼 스페이서 제조방법, 블랙 컬럼 스페이서 및 컬러 필터
CN104049430B (zh) * 2014-06-18 2017-04-19 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 一种阵列基板、显示装置及其制造方法
KR20160090948A (ko) * 2015-01-22 2016-08-02 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR20160092110A (ko) * 2015-01-26 2016-08-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104659108A (zh) * 2015-03-19 2015-05-27 京东方科技集团股份有限公司 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板、显示面板、显示装置
CN104752343B (zh) * 2015-04-14 2017-07-28 深圳市华星光电技术有限公司 双栅极氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构
CN104867870B (zh) * 2015-04-14 2017-09-01 深圳市华星光电技术有限公司 双栅极氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构
CN104900654B (zh) * 2015-04-14 2017-09-26 深圳市华星光电技术有限公司 双栅极氧化物半导体tft基板的制作方法及其结构
KR102571284B1 (ko) * 2016-04-08 2023-08-28 삼성디스플레이 주식회사 표시 기판 및 이의 제조 방법
CN105700225A (zh) * 2016-04-22 2016-06-22 深圳市华星光电技术有限公司 一种基于boa技术的显示面板及制作方法
KR102567319B1 (ko) 2016-04-28 2023-08-16 엘지디스플레이 주식회사 분할노광 장치 및 이를 이용한 액정표시장치의 제조방법
US10459277B2 (en) * 2016-09-29 2019-10-29 Samsung Display Co., Ltd. Display device
CN107255896A (zh) * 2017-07-27 2017-10-17 深圳市华星光电技术有限公司 一种显示面板、阵列基板及其制造方法
WO2019142294A1 (ja) * 2018-01-18 2019-07-25 シャープ株式会社 表示デバイス、表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
JP7160334B2 (ja) * 2018-11-22 2022-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
US11163203B2 (en) * 2019-12-06 2021-11-02 Tcl China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. COA substrate and method of fabricating same

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4904056A (en) * 1985-07-19 1990-02-27 General Electric Company Light blocking and cell spacing for liquid crystal matrix displays
US5739882A (en) * 1991-11-18 1998-04-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. LCD polymerized column spacer formed on a modified substrate, from an acrylic resin, on a surface having hydrophilic and hydrophobic portions, or at regular spacings
KR960003481B1 (ko) * 1992-12-26 1996-03-14 삼성전자주식회사 액정표시소자와 그 제조방법
JP3999824B2 (ja) * 1995-08-21 2007-10-31 東芝電子エンジニアリング株式会社 液晶表示素子
JPH1039292A (ja) 1996-07-24 1998-02-13 Toshiba Electron Eng Corp 液晶表示素子
JPH1068956A (ja) 1996-08-29 1998-03-10 Toshiba Corp 液晶表示素子及びその製造方法
JPH10186379A (ja) 1996-12-25 1998-07-14 Casio Comput Co Ltd 液晶表示装置
JPH10104606A (ja) 1996-09-27 1998-04-24 Toray Ind Inc 液晶表示装置
JP3947232B2 (ja) * 1997-06-26 2007-07-18 大日本印刷株式会社 凹凸パターンの形成方法および液晶表示装置用カラーフィルター製造におけるその使用
TW475087B (en) * 1997-09-12 2002-02-01 Toshiba Corp Active matrix liquid crystal display device
JP3161528B2 (ja) * 1998-09-07 2001-04-25 日本電気株式会社 液晶表示パネル
JP4362882B2 (ja) * 1999-01-13 2009-11-11 ソニー株式会社 液晶パネル、液晶パネルの製造方法および液晶表示装置
JP3498020B2 (ja) * 1999-09-29 2004-02-16 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 アクティブマトリックス基板及びその製造方法

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