JP5034162B2 - アクティブマトリクス型液晶表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、アクティブマトリクス型液晶表示装置に関し、特に、ＴＦＴ基板に形成した画素電極と共通電極との間に印加する電圧によって液晶を基板に略平行な面内で駆動する横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に関する。
近年、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型液晶表示装置が広く用いられている。この液晶表示装置の動作モードには、液晶分子をガラス基板に対して垂直な方向に回転させるツイステッド・ネマティック（Twisted Nematic：ＴＮ）方式と、液晶分子をガラス基板に対して平行な方向に回転させる横電界方式（ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式とも呼ぶ。）とがある。
横電界方式の液晶表示装置は、通常、図８に示すように、ＴＦＴ基板上に互いに平行な画素電極３５と共通電極３４とを交互に形成し、両電極間の電界により液晶の向きを変化させて透過光量を制御している。このように、横電界方式では液晶分子を基板面内で回転させるため、ＴＮ方式に比べて視野角特性がよいという特徴がある（このような横電界方式の液晶表示装置については、例えば、特開平７−１９１３３６号公報参照）。
特開平７−１９１３３６号公報（第２−４頁、第１１図）
しかしながら、従来の横電界方式の液晶表示装置では、駆動電圧を低減させるために画素電極３５及び共通電極３４を櫛歯状にし、これらの櫛歯状の電極を開口部の内部に形成しているため、必然的に開口率が低下してしまうという問題があった。
また、これらの櫛歯状の電極はほぼ同一平面上に形成されているため、図９に示すように、櫛歯状電極間には基板と平行な横電界の他に基板に垂直な縦電界も生じてしまい、液晶層に一様な横電界をかけることができず、視野角特性が劣化してしまうという問題もあった。
また、上記櫛歯状の電極は開口部の内部に形成されるために開口部内に櫛歯状の電極による段差が生じてしまい、液晶分子の初期配向方向を制御するためのラビング処理の際に、この段差によってラビング屑が発生し、ラビング屑に起因して点欠陥などの表示不良が発生してしまうという問題もあった。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、その主たる目的は、開口率及び視野角特性を向上させることができ、かつ、ラビング屑による点欠陥などの表示不良の発生を抑制することができる横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の液晶表示装置は、一対の対向する基板と前記一対の基板間に狭持される液晶とを有し、前記一対の基板の一方には、互いに略直交する複数のゲート配線及び複数のデータ配線と、各々の前記ゲート配線に略平行に配置される共通電極配線と、前記ゲート配線と前記データ配線とで囲まれる各々の画素に配置されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される画素電極とを備え、前記共通電極配線に接続される共通電極と前記画素電極との間に印加する電圧によって、前記液晶を前記基板に略平行な面内で回転させる横電界方式の液晶表示装置において、前記データ配線を挟むように前記共通電極と前記画素電極とが配置され、前記一方の基板上に、少なくとも前記データ配線の形成領域に重なるように形成されたストライプ状の凸形状部を備え、前記凸形状部の一方の側壁の少なくとも一部を含む領域に前記画素電極が形成され、他方の側壁の少なくとも一部を含む領域に前記共通電極が形成されているものである。
また、本発明の液晶表示装置は、一対の対向する基板と前記一対の基板間に狭持される液晶とを有し、前記一対の基板の一方には、互いに略直交する複数のゲート配線及び複数のデータ配線と、各々の前記ゲート配線に略平行に配置される共通電極配線と、前記ゲート配線と前記データ配線とで囲まれる各々の画素に配置されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される画素電極とを備え、前記共通電極配線に接続される共通電極と前記画素電極との間に印加する電圧によって、前記液晶を前記基板に略平行な面内で回転させる横電界方式の液晶表示装置において、前記データ配線を挟むように前記共通電極と前記画素電極とが配置され、前記一方の基板上に、少なくとも前記データ配線、前記ゲート配線及び前記共通電極配線の形成領域に重なるように形成された格子状の凸形状部を備え、前記データ配線に沿った前記凸形状部の一方の側壁の少なくとも一部を含む領域に前記画素電極が形成され、他方の側壁の少なくとも一部を含む領域に前記共通電極が形成されているものである。
本発明においては、前記画素電極は、前記データ配線と同層に形成された第１画素電極と、絶縁膜を介してその上層に形成され、コンタクトホールを介して前記第１画素電極に接続される第２画素電極とで構成され、前記第２画素電極と前記共通電極とが同層に形成されている構成とすることができる。
また、本発明においては、前記データ配線が前記凸形状部の上部に形成され、前記第１画素電極及び前記第２画素電極が前記凸形状部の前記一方の側壁の少なくとも一部を含む領域に形成されている構成とすることができる。
また、本発明においては、前記データ配線及び前記第１画素電極が前記凸形状部の下部に形成され、前記第２画素電極が前記凸形状部の前記一方の側壁の少なくとも一部を含む領域に形成されている構成とすることもできる。
また、本発明においては、前記凸形状部を、延在方向に直交する方向の断面が、両側の側壁が前記基板の平面に対して略等しい角度で傾斜する台形形状とすることが好ましい。
このように、スイッチング素子を形成する基板上の、少なくともデータ配線の形成領域に重なるように凸形状部を形成し、その凸形状部の両側壁に共通電極と画素電極とを配置することによって、共通電極と画素電極の実効的な面積を大きくすることができるため、開口部内に櫛歯状電極を形成する必要がなくなり、これにより開口率を向上させることができる。また、共通電極と画素電極とを凸形状部の両側壁に形成することによって共通電極と画素電極とが向かい合うため、両電極間に一様、かつ基板面に対しほぼ平行な電界を発生させることができ、これにより視野角特性を向上させることができる。更に、櫛歯状電極を形成しないために開口部内に櫛歯状電極による段差がなくなり、これによりラビング屑に起因する点欠陥などの表示不良の発生を抑制することができる。
なお、画素サイズが小さくなるに従って、つまりデータ配線の間隔が減少するに従って、液晶分子を駆動する画素電極と共通電極との間隔が減少し、駆動電圧を下げることができることから、本発明の構造は、高精細の横電界方式の液晶表示装置に有利な構造と言える。
本発明の横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置によれば、下記記載の効果を奏する。
本発明の第１の効果は、従来の横電界方式の液晶表示装置よりも開口率を大きくし、輝度・コントラストを向上させることができるということである。その理由は、横電界を発生させるための画素電極及び共通電極をデータ配線に沿って形成した凸形状部の両側壁に形成しているため、画素電極及び共通電極の実効的な面積を大きくすることができ、これにより開口部内に櫛歯状の電極を形成する必要がなくなるからである。
また、本発明の第２の効果は、従来の横電界方式の液晶表示装置よりも視野角特性を向上させることができるということである。その理由は、横電界を発生させるための画素電極及び共通電極を凸形状部の両側壁に形成することによって、隣り合う凸形状部で画素電極と共通電極とを向き合わせることができ、これにより画素電極及び共通電極間に生じる電界を一様かつ基板面に対してほぼ平行にすることができるからである。
また、本発明の第３の効果は、点欠陥などの表示不良を抑制することができるということである。その理由は、開口部に櫛歯状の電極を形成する必要がないために開口部を平坦にすることができ、液晶分子に配向性を持たせるプロセスであるラビング処理においてラビング屑が発生しにくくなるからである。
本発明は、その好ましい一実施の形態において、アクティブマトリクス型液晶表示装置を構成するＴＦＴ基板の少なくともデータ配線の形成領域に重なるように、その断面が台形形状などの凸形状部を形成し、その凸形状部の一方の側壁の少なくとも一部を含む領域に画素電極を形成すると共に、他方の側壁の少なくとも一部を含む領域に共通電極を形成し、隣り合う凸形状部間で、画素電極と共通電極とが向かい合うようにする。この構造では、画素電極及び共通電極の実効的な面積を大きくすることができるため開口部に櫛歯状の電極を形成する必要がなくなり、従来の横電界方式の液晶表示装置に比べて開口率を大きくすることが可能となる。また、画素電極と共通電極とを向き合わせることができるため、電極間に生じる電界を一様かつ基板面に対しほぼ平行にすることができ、従来の横電界方式の液晶表示装置に比べて視野角特性を向上させことができる。更に、開口部に櫛歯状の電極を形成する必要がないため開口部内にラビング屑が発生しにくくなり、点欠陥などの表示不良を抑制することができる。
上記した本発明の一実施の形態についてさらに詳細に説明すべく、本発明の第１の実施例に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置について、図１乃至図５を参照して説明する。図１は、本実施例のＴＦＴ基板の一画素の構成を示す平面図であり、図２は、図１のＡ−Ａ’線における断面図である。また、図３は、本実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装置で生じる電界を模式的に示す図であり、図４及び図５は、本実施例のＴＦＴ基板における凸形状部の構成例を示す平面図である。
本実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、ＴＦＴなどのスイッチング素子が形成される一方の基板（ここではＴＦＴ基板と呼ぶ。）と、カラーフィルターなどが形成される他方の基板（ここでは対向基板と呼ぶ。）と、その間に狭持される液晶層とから構成される。
ＴＦＴ基板は、図１に示すように、ゲート配線２２とデータ配線１７とが略直交して配置され、各々のゲート配線２２に略平行に共通電極配線２１が配置されている。また、ゲート配線２２とデータ配線１７とで囲まれる各々の画素に、ソース／ドレイン電極の一方がデータ配線１７に接続されるＴＦＴ２０が配置されている。また、ＴＦＴ２０のソース／ドレイン電極の他方は、画素内でデータ配線１７に沿って延びる第１画素電極１８に接続され、第１画素電極１８は共通電極配線２１部分で屈曲して蓄積容量電極１９を形成している。また、各々のデータ配線１７の両側には、第１コンタクトホール２３で共通電極配線２１に接続される共通電極１５と、第２コンタクトホール２４で第１画素電極１８に接続される第２画素電極１６とが配置されている。
また、図２及び図４に示すように、ガラス基板１１にはデータ配線１７に沿って盛り上がった凸形状部１２が形成されており、第１絶縁膜１３を介して、凸形状部１２の上面にデータ配線１７が形成され、凸形状部１２の一方の側壁の少なくとも一部を含む領域に第１画素電極１８が形成されている。また、その上の第２絶縁膜１４を介して、凸形状部１２の一方の側壁の少なくとも一部を含む領域に第２画素電極１６が形成され、凸形状部１２の他方の側壁の少なくとも一部を含む領域に共通電極１５が形成されている。すなわち、図３に示すように、本実施例のＴＦＴ基板では、共通電極１５と第２画素電極１６及び第１画素電極１８とを向かい合うように配置しているため、両電極間に一様かつほぼ基板面に平行な電界を発生させることができる。
なお、図１及び図２の構成は例示であり、凸形状部１２の一方の側壁に共通電極１５が形成され、他方の側壁に第２画素電極１６が形成されている限りにおいて、各々の配線や電極の形状や幅、コンタクトホールの位置などは特に限定されない。また、図１及び図２では、データ配線１７、共通電極１５、第２画素電極１６、第１画素電極１８の関係を分かりやすくするために凸形状部１２を強調して示しているが、凸形状部１２の幅や高さ、側壁の傾斜角などは限定されない。また、図２では凸形状部１２の断面形状を台形形状にしているが、その側壁が基板面に対して所定の角度で傾斜している形状であればよく、矩形形状や多角形形状、角部に丸みを持たせた形状などとにしてもよい。
次に、本実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法について、図１及び図２を参照して説明する。
まず、ガラス基板１１に、公知のフォトリソグラフィ技術を用いて、データ配線１７を形成する領域に沿ってレジストパターンを形成し、公知のエッチング技術を用いて露出したガラス基板１１をフッ酸系のエッチング液などを用いてエッチングして図２に示すような凸形状部１２を形成する。この凸形状部１２は、レジストパターンを形成する領域やエッチングの時間、エッチング液の種類などを適宜設定することにより所望の形状にすることができる。また、この凸形状部１２は、データ配線１７のピッチに合わせて、図４に示すようにストライプ状に形成してもよいし、図５に示すように、共通電極配線２１やゲート配線２２が配置される部分をエッチングせずに、開口部となるところのみをエッチングして凸形状を形成してもよい。つまり、開口部となる部分のみを凹形状にしてもよい。また、凸形状部１２の高さは開口部での液晶層の厚さ以下であればよい。
次に、凸形状部１２を形成したガラス基板１１に、スパッタ法を用いてＡｌやＭｏなどを堆積し、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、共通電極配線２１及びゲート配線２２を形成する。
次に、プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなる第１絶縁膜１３を積層し、続いて、アモルファスシリコンやポリシリコンなどを堆積し、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ２０となる島状の半導体層を形成する。
次に、スパッタ法を用いてＣｒなどを堆積し、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、データ配線１７、第１画素電極１８、ソース／ドレイン電極を形成する。この第１画素電極１８は、図１に示すように共通電極配線２１と重ねることにより、蓄積容量電極１９として液晶に加えた電圧を保持させるための役割を持たせることが可能である。
次に、プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなる第２絶縁膜１４を積層した後、共通電極配線２１上の所定の位置に、第１絶縁膜１３及び第２絶縁膜１４を貫通する第１コンタクトホール２３を形成すると共に、第１画素電極１８上の所定の位置に、第２絶縁膜１４を貫通する第２コンタクトホール２４を形成する。
次に、スパッタ法を用いてＩＴＯ（Indium Thin Oxide）などの透明電極を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、共通電極１５、第２画素電極１６を図１、図２に示すように凸形状部１２の両側壁に形成する。ここで、両側壁に形成される共通電極１５と第２画素電極１６とは電気的に絶縁されていればよく、凸形状部１２の上面にかかるように形成してもよいし、側壁を部分的に覆うように形成してもよい。
その後、基板全面に配向膜を塗布してラビング処理を行う。その際、従来のＴＦＴ基板では、開口部内に画素電極及び共通電極からなる櫛歯状電極が形成されており、その櫛歯状電極の段差によってラビング屑が発生し、そのラビング屑に起因して点欠陥などの表示不良が発生するという問題があったが、本実施例のＴＦＴ基板では開口部内には電極が形成されていないため、開口部内にラビング屑が発生することはなく、従って、表示不良の発生を抑制することができる。
そして、対向基板には、公知の手法を用いて、ＲＧＢ各色のカラーフィルターや画素間の光を遮断するためのブラックマトリクスなどを形成し、その上に配向膜を塗布して同様にラビング処理を行い、その後、真空注入方式や滴下張り合わせ方式を用いてＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶を導入し、両基板を貼り合わせて本実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。
このように、本実施例のＴＦＴ基板では、凸形状部１２の両側壁に共通電極１５と第２画素電極１６及び第１画素電極１８とを形成しているため、電極の実効的な面積を大きくすることができ、従来のＴＦＴ基板のように開口部に櫛歯状電極を設ける必要がなくなり、その分、開口率を向上させることができる。また、本実施例のＴＦＴ基板では、共通電極１５と第２画素電極１６及び第１画素電極１８とを向かい合わせて配置しており、両電極間には一様かつほぼ基板面に平行な電界が発生するため、視野角特性も向上させることができる。また、本実施例のＴＦＴ基板では、開口部内に櫛歯状の電極による段差がないため、ラビング処理時にラビング屑が発生しにくくなり、ラビング屑に起因する点欠陥などの表示不良の発生を抑制することができる。
次に、本発明の第２の実施例に係る横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置について、図６及び図７を参照して説明する。図６は、本実施例のＴＦＴ基板の一画素の構成を示す平面図であり、図７は、図６のＢ−Ｂ’線における断面図である。
前記した第１の実施例では、ガラス基板１１に凸形状部１２を形成した後、各種配線や電極を形成したが、この方法では、凸形状部１２を横切るようにゲート配線２２や共通電極配線２１を形成する必要があり、また、凹凸のあるガラス基板１１上にレジストパターンを形成する必要があることから、製造条件が厳しくなる。そこで、本実施例では、共通電極１５及び第２画素電極１６を形成する直前に凸形状部１２を形成することによって製造を容易にしている。
本実施例のＴＦＴ基板の平面形状は第１の実施例と同様であり、図６に示すように、ゲート配線２２とデータ配線１７とが略直交して配置され、各々のゲート配線２２に略平行に共通電極配線２１が配置されている。また、ゲート配線２２とデータ配線１７とで囲まれる各々の画素に、ソース／ドレイン電極の一方がデータ配線１７に接続されるＴＦＴ２０が配置されている。また、ＴＦＴ２０のソース／ドレイン電極の他方は、画素内でデータ配線１７に沿って延びる第１画素電極１８に接続され、第１画素電極１８は共通電極配線２１部分で屈曲して蓄積容量電極１９を形成している。また、各々のデータ配線１７の両側には、第１コンタクトホール２３で共通電極配線２１に接続される共通電極１５と、第２コンタクトホール２４で第１画素電極１８に接続される第２画素電極１６とが配置されている。
また、図７に示すように、ガラス基板１１上に、第１絶縁膜１３を介して、データ配線１７及び第１画素電極１８が形成され、その上の第２絶縁膜１４上にはデータ配線１７に沿って盛り上がった凸形状部１２が形成されており、凸形状部１２の一方の側壁の少なくとも一部を含む領域に第２画素電極１６が形成され、凸形状部１２の他方の側壁の少なくとも一部を含む領域に共通電極１５が形成されている。
なお、図６及び図７の構成は例示であり、第１の実施例と同様に、各々の配線や電極の形状や幅、コンタクトホールの位置などは特に限定されない。また、図６及び図７では、凸形状部１２を強調して示しているが、凸形状部１２の幅、高さ、側壁の傾斜角などは限定されず、断面形状もその側壁が基板面に対して傾斜している形状であればよい。
次に、本実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装置の製造方法について、図６及び図７を参照して説明する。
まず、ガラス基板１１に、スパッタ法を用いてＡｌやＭｏなどを堆積し、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、共通電極配線２１及びゲート配線２２を形成する。
次に、プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなる第１絶縁膜１３を積層し、続いて、アモルファスシリコンやポリシリコンなどを堆積し、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ２０となる島状の半導体層を形成する。
次に、スパッタ法を用いてＣｒなどを堆積し、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、データ配線１７、第１画素電極１８、ソース／ドレイン電極を形成する。
次に、プラズマＣＶＤ法を用いてシリコン酸化膜やシリコン窒化膜などからなる第２絶縁膜１４を積層した後、基板全面に凸形状部１２となるポリイミドなどの絶縁膜を厚く形成する。続いて、フォトリソグラフィ技術を用いてデータ配線１７上にレジストパターンを形成し、エッチング技術を用いて露出した絶縁膜をエッチングして図７に示すような凸形状部１２を形成する。なお、本実施例においても、凸形状部１２は、レジストパターンを形成する領域やエッチングの条件を適宜設定することにより所望の形状にすることができる。また、この凸形状部１２は、データ配線１７のピッチに合わせて、ストライプ状に形成してもよいし、開口部となるところのみをエッチングして凸形状を形成してもよい。また、凸形状部１２の高さは開口部での液晶層の厚さ以下であればよい。
その後、共通電極配線２１上の所定の位置に、第１絶縁膜１３及び第２絶縁膜１４を貫通する第１コンタクトホール２３を形成すると共に、第１画素電極１８上の所定の位置に、第２絶縁膜１４を貫通する第２コンタクトホール２４を形成する。
次に、スパッタ法を用いてＩＴＯ等の透明電極を形成し、リソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、共通電極１５、第２画素電極１６を図６、図７に示すように凸形状部１２の両側壁に形成する。なお、第１の実施例と同様に、両側壁に形成される共通電極１５と第２画素電極１６とは電気的に絶縁されていればよく、凸形状部１２の上面にかかるように形成してもよいし、側壁を部分的に覆うように形成してもよい。
その後、基板全面に配向膜を塗布してラビング処理を行う。その際、本実施例のＴＦＴ基板でも開口部内には電極が形成されていないため、開口部内にラビング屑が付着することはない。
そして、対向基板には、公知の手法を用いて、ＲＧＢ各色のカラーフィルターや画素間の光を遮断するためのブラックマトリクスなどを形成し、その上に配向膜を塗布して同様にラビング処理を行い、その後、真空注入方式や滴下張り合わせ方式を用いてＴＦＴ基板と対向基板との間に液晶を導入し、両基板を貼り合わせて本実施例のアクティブマトリクス型液晶表示装置が完成する。
このように、本実施例のＴＦＴ基板でも、凸形状部１２の両側壁に共通電極１５と第２画素電極１６とを形成しているため、電極の実効的な面積を大きくすることができ、従来のＴＦＴ基板のように開口部に櫛歯状電極を設ける必要がなくなり、その分、開口率を向上させることができる。また、本実施例のＴＦＴ基板では、共通電極１５と第２画素電極１６とを向かい合わせて配置しており、両電極間には一様かつほぼ基板面に平行な電界が発生するため、視野角特性も向上させることができる。また、本実施例のＴＦＴ基板では、開口部内に櫛歯状の電極による段差がないため、ラビング処理時にラビング屑が発生しにくくなり、ラビング屑に起因する点欠陥などの表示不良の発生を抑制することができる。
なお、図１及び図６に示した画素はいわゆるシングルドメイン構造をとっているが、視野角特性を向上させるために開口部を屈曲させたマルチドメインにしても構わない。また、上記各実施例ではガラス基板を用いたが、基板材料はガラスに限定されず、ガラスの代替となりうる絶縁体で透明な基板であればよい。また、上記各実施例ではスイッチング素子としてＴＦＴを用いたが、同等の機能を有する他のスイッチング素子を用いてもよい。更に、上記実施例では、本発明の構造を逆スタガ型の液晶表示装置に適用したが、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、正スタガ型の液晶表示装置に適用することもできる。
本発明は、横電界方式の液晶表示装置全般に適用することができ、特に、画素サイズが小さい高精細の横電界方式の液晶表示装置において顕著な効果が得られる。
本発明の第１の実施例に係る横電界方式液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。 本発明の第１の実施例に係る横電界方式液晶表示装置のＴＦＴ基板の構造を示す図であり、図１のＡ−Ａ’線における断面図である。 本発明の第１の実施例に係る横電界方式液晶表示装置で生じる電界を模式的に示す図である。 本発明の第１の実施例に係る横電界方式液晶表示装置のＴＦＴ基板の凸形状部の構成を示す平面図である。 本発明の第１の実施例に係る横電界方式液晶表示装置のＴＦＴ基板の凸形状部の他の構成を示す平面図である。 本発明の第２の実施例に係る横電界方式液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。 本発明の第２の実施例に係る横電界方式液晶表示装置のＴＦＴ基板の構造を示す図であり、図６のＢ−Ｂ’線における断面図である。 従来の横電界方式液晶表示装置のＴＦＴ基板の構成を示す平面図である。 従来の横電界方式液晶表示装置で生じる電界を模式的に示す図である。
符号の説明
１１ ガラス基板
１２ 凸形状部
１３ 第１絶縁膜
１４ 第２絶縁膜
１５ 共通電極
１６ 第１画素電極
１７ データ配線
１８ 第２画素電極
１９ 蓄積容量電極
２０ ＴＦＴ
２１ 共通電極配線
２２ ゲート配線
２３ 第１コンタクトホール
２４ 第２コンタクトホール
３１ データ配線
３２ ゲート配線
３３ 共通電極配線
３４ 共通電極
３５ 画素電極
３６ ＴＦＴ
３７ コンタクトホール

Claims (5)

  1. 一対の対向する基板と前記一対の基板間に狭持される液晶とを有し、
    前記一対の基板の一方には、互いに略直交する複数のゲート配線及び複数のデータ配線と、各々の前記ゲート配線に略平行に配置される共通電極配線と、前記ゲート配線と前記データ配線とで囲まれる各々の画素に配置されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される画素電極とを備え、前記共通電極配線に接続される共通電極と前記画素電極との間に印加する電圧によって、前記液晶を前記基板に略平行な面内で回転させる横電界方式の液晶表示装置において、
    前記データ配線を挟むように前記共通電極と前記画素電極とが配置され、
    前記一方の基板上に、少なくとも前記データ配線の形成領域に重なるように形成されたストライプ状の凸形状部を備え、前記凸形状部の一方の側壁の少なくとも一部を含む領域に前記画素電極が形成され、他方の側壁の少なくとも一部を含む領域に前記共通電極が形成されており、
    前記画素電極は、前記データ配線と同層に形成された第１画素電極と、絶縁膜を介してその上層に形成され、コンタクトホールを介して前記第１画素電極に接続される第２画素電極とで構成され、前記第２画素電極と前記共通電極とが同層に形成されていることを特徴とする横電界方式の液晶表示装置。
  2. 一対の対向する基板と前記一対の基板間に狭持される液晶とを有し、
    前記一対の基板の一方には、互いに略直交する複数のゲート配線及び複数のデータ配線と、各々の前記ゲート配線に略平行に配置される共通電極配線と、前記ゲート配線と前記データ配線とで囲まれる各々の画素に配置されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続される画素電極とを備え、前記共通電極配線に接続される共通電極と前記画素電極との間に印加する電圧によって、前記液晶を前記基板に略平行な面内で回転させる横電界方式の液晶表示装置において、
    前記データ配線を挟むように前記共通電極と前記画素電極とが配置され、
    前記一方の基板上に、少なくとも前記データ配線、前記ゲート配線及び前記共通電極配線の形成領域に重なるように形成された格子状の凸形状部を備え、前記データ配線に沿った前記凸形状部の一方の側壁の少なくとも一部を含む領域に前記画素電極が形成され、他方の側壁の少なくとも一部を含む領域に前記共通電極が形成されており、
    前記画素電極は、前記データ配線と同層に形成された第１画素電極と、絶縁膜を介してその上層に形成され、コンタクトホールを介して前記第１画素電極に接続される第２画素電極とで構成され、前記第２画素電極と前記共通電極とが同層に形成されていることを特徴とする横電界方式の液晶表示装置。
  3. 前記データ配線が前記凸形状部の上部に形成され、前記第１画素電極及び前記第２画素電極が前記凸形状部の前記一方の側壁の少なくとも一部を含む領域に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の横電界方式の液晶表示装置。
  4. 前記データ配線及び前記第１画素電極が前記凸形状部の下部に形成され、前記第２画素電極が前記凸形状部の前記一方の側壁の少なくとも一部を含む領域に形成されていることを特徴とする請求項１又は請求項２記載の横電界方式の液晶表示装置。
  5. 前記凸形状部は、延在方向に直交する方向の断面が、両側の側壁が前記基板の平面に対して略等しい角度で傾斜する台形形状であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一に記載の横電界方式の液晶表示装置。
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