JPH09218390A - 液晶表示パネル及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示パネル及びその製造方法Info
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- JPH09218390A JPH09218390A JP8178187A JP17818796A JPH09218390A JP H09218390 A JPH09218390 A JP H09218390A JP 8178187 A JP8178187 A JP 8178187A JP 17818796 A JP17818796 A JP 17818796A JP H09218390 A JPH09218390 A JP H09218390A
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133753—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle
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- G02F1/133761—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers with different alignment orientations or pretilt angles on a same surface, e.g. for grey scale or improved viewing angle with different pretilt angles
Abstract
(57)【要約】
【課題】 逆チルトまたは逆ツイスト現象の生じにくい
液晶表示パネル及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 第１及び第２の基板が対向配置されてい
る。第１の基板の対向面上に信号線と制御線からなる駆
動配線が形成されている。第１の基板の対向面上の画素
領域内に画素電極が形成されている。画素電極ごとにス
イッチング素子が形成されている。第２の基板の対向面
上に共通電極が形成されている。第１及び第２の基板間
に液晶層が挟持されている。第１及び第２の基板のうち
少なくとも一方の基板の対向面上に配向膜が形成されて
いる。画素電極と共通電極間に電圧を印加したときに、
駆動配線近傍の液晶層中央部の液晶分子が駆動配線に近
い方の端部を該駆動配線から遠ざける向きに立ち上がる
ようにプレチルトが付与されている。
液晶表示パネル及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 第１及び第２の基板が対向配置されてい
る。第１の基板の対向面上に信号線と制御線からなる駆
動配線が形成されている。第１の基板の対向面上の画素
領域内に画素電極が形成されている。画素電極ごとにス
イッチング素子が形成されている。第２の基板の対向面
上に共通電極が形成されている。第１及び第２の基板間
に液晶層が挟持されている。第１及び第２の基板のうち
少なくとも一方の基板の対向面上に配向膜が形成されて
いる。画素電極と共通電極間に電圧を印加したときに、
駆動配線近傍の液晶層中央部の液晶分子が駆動配線に近
い方の端部を該駆動配線から遠ざける向きに立ち上がる
ようにプレチルトが付与されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示パネル及び
その製造方法に関し、特に１画素内をプレチルト角の異
なる複数の領域に分割した液晶表示パネル及びその製造
方法に関する。
その製造方法に関し、特に１画素内をプレチルト角の異
なる複数の領域に分割した液晶表示パネル及びその製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示パネルの視角特性を改善するた
めに、１画素内にプレチルト角の異なる複数の領域を形
成する配向分割技術が提案されている。配向分割された
液晶表示パネルにおいては、画素内の液晶分子の立ち上
がりの向きが１方向ではなく、配向分割された領域ごと
に異なる向きに立ち上がる。液晶分子が複数の向きに立
ち上がるため、視角特性を改善することができる。
めに、１画素内にプレチルト角の異なる複数の領域を形
成する配向分割技術が提案されている。配向分割された
液晶表示パネルにおいては、画素内の液晶分子の立ち上
がりの向きが１方向ではなく、配向分割された領域ごと
に異なる向きに立ち上がる。液晶分子が複数の向きに立
ち上がるため、視角特性を改善することができる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】１画素内にプレチルト
角の異なる複数の領域を形成することは容易ではない。
特に、画面サイズが大きくなると、プレチルト角を画面
全域にわたって安定して制御することが困難になる。ま
た、マルチギャップカラーフィルタを使用すると、配向
膜表面に段差が形成されるため、段差部近傍のプレチル
ト角が安定しなくなる。
角の異なる複数の領域を形成することは容易ではない。
特に、画面サイズが大きくなると、プレチルト角を画面
全域にわたって安定して制御することが困難になる。ま
た、マルチギャップカラーフィルタを使用すると、配向
膜表面に段差が形成されるため、段差部近傍のプレチル
ト角が安定しなくなる。
【０００４】プレチルト角が安定しないと、液晶分子の
ツイスト方向が期待される方向と逆向きになる逆ツイス
ト現象が生じたり、電圧印加時の液晶分子の立ち上がり
方向が期待される方向と逆になる逆チルト現象が生ずる
場合がある。
ツイスト方向が期待される方向と逆向きになる逆ツイス
ト現象が生じたり、電圧印加時の液晶分子の立ち上がり
方向が期待される方向と逆になる逆チルト現象が生ずる
場合がある。
【０００５】本発明の目的は、逆チルトまたは逆ツイス
ト現象の生じにくい液晶表示パネル及びその製造方法を
提供することである。
ト現象の生じにくい液晶表示パネル及びその製造方法を
提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の一観点による
と、間隙をおいて対向配置された第１及び第２の基板
と、前記第１の基板の対向面上に形成され、ストライプ
状に配置された複数の信号線、及び該信号線と交差する
方向にストライプ状に配置された複数の制御線から構成
され、各々が相互に隣接する２本の前記信号線と２本の
前記制御線に囲まれた複数の画素領域を画定する駆動配
線と、前記第１の基板の対向面上の、前記画素領域内に
形成された画素電極と、前記画素電極ごとに形成され、
対応する画素電極と前記複数の信号線のうち１本の信号
線とを接続し、前記複数の制御線のうち１本の制御線に
より制御されるスイッチング素子と、前記第２の基板の
対向面上に形成された共通電極と、前記第１及び第２の
基板間に挟持された液晶層と、前記第１及び第２の基板
のうち少なくとも一方の基板の対向面上に形成され、前
記画素電極と前記共通電極間に電圧を印加したときに、
前記駆動配線近傍の前記液晶層中央部の液晶分子が前記
駆動配線に近い方の端部を該駆動配線から遠ざける向き
に立ち上がるように、液晶分子にプレチルトを付与する
配向膜とを有する液晶表示パネルが提供される。
と、間隙をおいて対向配置された第１及び第２の基板
と、前記第１の基板の対向面上に形成され、ストライプ
状に配置された複数の信号線、及び該信号線と交差する
方向にストライプ状に配置された複数の制御線から構成
され、各々が相互に隣接する２本の前記信号線と２本の
前記制御線に囲まれた複数の画素領域を画定する駆動配
線と、前記第１の基板の対向面上の、前記画素領域内に
形成された画素電極と、前記画素電極ごとに形成され、
対応する画素電極と前記複数の信号線のうち１本の信号
線とを接続し、前記複数の制御線のうち１本の制御線に
より制御されるスイッチング素子と、前記第２の基板の
対向面上に形成された共通電極と、前記第１及び第２の
基板間に挟持された液晶層と、前記第１及び第２の基板
のうち少なくとも一方の基板の対向面上に形成され、前
記画素電極と前記共通電極間に電圧を印加したときに、
前記駆動配線近傍の前記液晶層中央部の液晶分子が前記
駆動配線に近い方の端部を該駆動配線から遠ざける向き
に立ち上がるように、液晶分子にプレチルトを付与する
配向膜とを有する液晶表示パネルが提供される。
【０００７】駆動配線と画素電極との間に発生する横方
向電界は、画素電極の縁部近傍の液晶分子を、駆動配線
に近い方の端部から立ち上がる向きにチルトさせる。液
晶層に電界を印加したときに、液晶分子が駆動配線に近
い方の端部を駆動配線から遠ざけるように立ち上がる。
すなわち、電圧印加時の液晶分子の立ち上がりの向き
と、横電界による立ち上がりの向きが一致する。このた
め、逆チルト現象の発生を防止できる。
向電界は、画素電極の縁部近傍の液晶分子を、駆動配線
に近い方の端部から立ち上がる向きにチルトさせる。液
晶層に電界を印加したときに、液晶分子が駆動配線に近
い方の端部を駆動配線から遠ざけるように立ち上がる。
すなわち、電圧印加時の液晶分子の立ち上がりの向き
と、横電界による立ち上がりの向きが一致する。このた
め、逆チルト現象の発生を防止できる。
【０００８】本発明の他の観点によると、前記配向膜
が、前記第１の基板の対向面上に形成された第１基板側
配向膜と、前記第２の基板の対向面上に形成された第２
基板側配向膜とを有し、前記第１及び第２基板側配向膜
の前記各画素領域が、少なくとも第１配向分割領域と第
２配向分割領域に分割され、該第１及び第２配向分割領
域が、それぞれ前記駆動配線を挟んで当該画素領域に隣
接する他の画素領域の第２及び第１配向分割領域に隣接
するように配置され、前記第１基板側配向膜が、第１配
向分割領域上の液晶分子に前記駆動配線側の端部が持ち
上がった第１のプレチルト角を付与し、第２配向分割領
域上の液晶分子に前記駆動配線とは反対側の端部が持ち
上がった前記第１のプレチルト角よりも小さい第２のプ
レチルト角を付与し、前記第２基板側配向膜が、第１配
向分割領域上の液晶分子に前記第１のプレチルト角より
も小さい第３のプレチルト角を付与し、第２配向分割領
域上の液晶分子に前記駆動配線とは反対側の端部が持ち
上がった前記第２のプレチルト角よりも大きい第４のプ
レチルト角を付与する液晶表示パネルが提供される。
が、前記第１の基板の対向面上に形成された第１基板側
配向膜と、前記第２の基板の対向面上に形成された第２
基板側配向膜とを有し、前記第１及び第２基板側配向膜
の前記各画素領域が、少なくとも第１配向分割領域と第
２配向分割領域に分割され、該第１及び第２配向分割領
域が、それぞれ前記駆動配線を挟んで当該画素領域に隣
接する他の画素領域の第２及び第１配向分割領域に隣接
するように配置され、前記第１基板側配向膜が、第１配
向分割領域上の液晶分子に前記駆動配線側の端部が持ち
上がった第１のプレチルト角を付与し、第２配向分割領
域上の液晶分子に前記駆動配線とは反対側の端部が持ち
上がった前記第１のプレチルト角よりも小さい第２のプ
レチルト角を付与し、前記第２基板側配向膜が、第１配
向分割領域上の液晶分子に前記第１のプレチルト角より
も小さい第３のプレチルト角を付与し、第２配向分割領
域上の液晶分子に前記駆動配線とは反対側の端部が持ち
上がった前記第２のプレチルト角よりも大きい第４のプ
レチルト角を付与する液晶表示パネルが提供される。
【０００９】第１配向分割領域の液晶分子は、第１基板
側配向膜により規制されるプレチルトの向きに立ち上が
り、第２配向分割領域の液晶分子は、第２基板側配向膜
により規制されるプレチルトの向きに立ち上がる。従っ
て、第１及び第２配向分割領域の液晶分子は、その駆動
配線側の端部を駆動配線から遠ざける向きに立ち上が
る。
側配向膜により規制されるプレチルトの向きに立ち上が
り、第２配向分割領域の液晶分子は、第２基板側配向膜
により規制されるプレチルトの向きに立ち上がる。従っ
て、第１及び第２配向分割領域の液晶分子は、その駆動
配線側の端部を駆動配線から遠ざける向きに立ち上が
る。
【００１０】本発明の他の観点によると、各画素領域内
の第１配向分割領域と第２配向分割領域との境界線が、
当該画素領域の１本の対角線に沿う液晶表示パネルが提
供される。
の第１配向分割領域と第２配向分割領域との境界線が、
当該画素領域の１本の対角線に沿う液晶表示パネルが提
供される。
【００１１】本発明の他の観点によると、各画素領域内
の第１配向分割領域と第２配向分割領域の基板面内配向
方向が同一であり、第１配向分割領域と第２配向分割領
域との境界線が、当該画素領域の相互に対向する２つの
頂点を結ぶ曲線であり、該２つの頂点近傍において、相
互に交わる２本の駆動配線のうち基板面内配向方向に対
して小さな角度をなす方の駆動配線と該２本の頂点を結
ぶ対角線との間に配置される液晶表示パネルが提供され
る。
の第１配向分割領域と第２配向分割領域の基板面内配向
方向が同一であり、第１配向分割領域と第２配向分割領
域との境界線が、当該画素領域の相互に対向する２つの
頂点を結ぶ曲線であり、該２つの頂点近傍において、相
互に交わる２本の駆動配線のうち基板面内配向方向に対
して小さな角度をなす方の駆動配線と該２本の頂点を結
ぶ対角線との間に配置される液晶表示パネルが提供され
る。
【００１２】液晶分子の長軸方向と横方向電界の向きが
平行に近くなるほど、横方向電界の影響を受けやすくな
る。液晶分子に強い影響を与える横方向電界を発生する
駆動配線から、配向分割領域の境界線を遠ざけている。
これにより、境界線上の液晶分子が、横方向電界の影響
を受けにくくなる。
平行に近くなるほど、横方向電界の影響を受けやすくな
る。液晶分子に強い影響を与える横方向電界を発生する
駆動配線から、配向分割領域の境界線を遠ざけている。
これにより、境界線上の液晶分子が、横方向電界の影響
を受けにくくなる。
【００１３】本発明の他の観点によると、前記スイッチ
ング素子が、第１配向分割領域内に配置されている液晶
表示パネルが提供される。
ング素子が、第１配向分割領域内に配置されている液晶
表示パネルが提供される。
【００１４】スイッチング素子を、ＴＦＴ基板側の高プ
レチルト領域に配置する。高プレチルト領域上の液晶分
子は、電界の乱れの影響を受けにくい。このため、ＴＦ
Ｔ近傍の電界の乱れによる影響を低減するすることがで
きる。
レチルト領域に配置する。高プレチルト領域上の液晶分
子は、電界の乱れの影響を受けにくい。このため、ＴＦ
Ｔ近傍の電界の乱れによる影響を低減するすることがで
きる。
【００１５】本発明の他の観点によると、基板上に、格
子状に配置された駆動配線、各格子点に対応して配置さ
れる画素電極及びスイッチング素子を形成する工程と、
前記基板の表面上に、液晶分子に相互に異なるプレチル
ト角を付与する２種類の領域が、画素ごとに表出し、前
記駆動配線の近傍領域の液晶分子に、前記駆動配線の両
側で相互に異なるプレチルト角を付与する配向膜を形成
する工程と、前記配向膜の表面を、前記駆動配線を通過
する際にプレチルト角の大きな領域から小さな領域に向
かう向きにラビングする工程とを含む液晶表示パネルの
製造方法が提供される。
子状に配置された駆動配線、各格子点に対応して配置さ
れる画素電極及びスイッチング素子を形成する工程と、
前記基板の表面上に、液晶分子に相互に異なるプレチル
ト角を付与する２種類の領域が、画素ごとに表出し、前
記駆動配線の近傍領域の液晶分子に、前記駆動配線の両
側で相互に異なるプレチルト角を付与する配向膜を形成
する工程と、前記配向膜の表面を、前記駆動配線を通過
する際にプレチルト角の大きな領域から小さな領域に向
かう向きにラビングする工程とを含む液晶表示パネルの
製造方法が提供される。
【００１６】駆動配線を通過する際にプレチルト角の大
きな領域から小さな領域に向かう向きにラビングする
と、プレチルト角の大きな領域上の液晶分子は、駆動配
線側の端部を持ち上げる向きにプレチルトし、プレチル
ト角の小さな領域上の液晶分子は、駆動配線とは反対側
の端部を持ち上げる向きにプレチルトする。
きな領域から小さな領域に向かう向きにラビングする
と、プレチルト角の大きな領域上の液晶分子は、駆動配
線側の端部を持ち上げる向きにプレチルトし、プレチル
ト角の小さな領域上の液晶分子は、駆動配線とは反対側
の端部を持ち上げる向きにプレチルトする。
【００１７】本発明の他の観点によると、間隙をおいて
対向配置された一対の基板と、前記一対の基板の対向面
上にそれぞれ形成され、画素を画定する電極と、前記一
対の基板の対向面上に、前記電極を覆うようにそれぞれ
形成され、前記画素ごとに、一方の基板側で第１のプレ
チルト角を有し、他方の基板側で前記第１のプレチルト
角と異なる第２のプレチルト角を有する第１配向分割領
域、前記一方の基板側で前記第１のプレチルト角よりも
大きな第３のプレチルト角を有し、前記他方の基板側で
前記第２のプレチルト角よりも小さな第４のプレチルト
角を有する第２配向分割領域、及び前記一方の基板側で
前記第３のプレチルト角よりも小さな第５のプレチルト
角を有し、前記他方の基板側で前記第２のプレチルト角
よりも小さな第６のプレチルト角を有する第３配向分割
領域を画定する配向膜とを有する液晶表示パネルが提供
される。
対向配置された一対の基板と、前記一対の基板の対向面
上にそれぞれ形成され、画素を画定する電極と、前記一
対の基板の対向面上に、前記電極を覆うようにそれぞれ
形成され、前記画素ごとに、一方の基板側で第１のプレ
チルト角を有し、他方の基板側で前記第１のプレチルト
角と異なる第２のプレチルト角を有する第１配向分割領
域、前記一方の基板側で前記第１のプレチルト角よりも
大きな第３のプレチルト角を有し、前記他方の基板側で
前記第２のプレチルト角よりも小さな第４のプレチルト
角を有する第２配向分割領域、及び前記一方の基板側で
前記第３のプレチルト角よりも小さな第５のプレチルト
角を有し、前記他方の基板側で前記第２のプレチルト角
よりも小さな第６のプレチルト角を有する第３配向分割
領域を画定する配向膜とを有する液晶表示パネルが提供
される。
【００１８】第３配向分割領域においては、比較的プレ
チルト角の小さな領域同士が対向する。プレチルト角を
小さくすると、逆ツイスト現象の発生を抑制することが
できる。第１及び第２配向分割領域においても、第３配
向分割領域の液晶分子配列の影響を受けて、逆ツイスト
現象が発生しにくくなる。
チルト角の小さな領域同士が対向する。プレチルト角を
小さくすると、逆ツイスト現象の発生を抑制することが
できる。第１及び第２配向分割領域においても、第３配
向分割領域の液晶分子配列の影響を受けて、逆ツイスト
現象が発生しにくくなる。
【００１９】本発明の他の観点によると、前記第１のプ
レチルト角と前記第５のプレチルト角が等しく、前記第
４のプレチルト角と前記第６のプレチルト角が等しい液
晶表示パネルが提供される。
レチルト角と前記第５のプレチルト角が等しく、前記第
４のプレチルト角と前記第６のプレチルト角が等しい液
晶表示パネルが提供される。
【００２０】本発明の他の観点によると、前記第３配向
分割領域が、前記画素の縁に接しない領域に配置されて
いる液晶表示パネルが提供される。
分割領域が、前記画素の縁に接しない領域に配置されて
いる液晶表示パネルが提供される。
【００２１】第３配向分割領域の液晶分子は、駆動配線
からの横方向電界の影響を受けやすい。第３配向分割領
域を画素の縁から遠ざけることにより、横方向電界の影
響を受けにくくすることができる。
からの横方向電界の影響を受けやすい。第３配向分割領
域を画素の縁から遠ざけることにより、横方向電界の影
響を受けにくくすることができる。
【００２２】本発明の他の観点によると、前記第３配向
分割領域が、画素ごとに複数個配置されている液晶表示
パネルが提供される。
分割領域が、画素ごとに複数個配置されている液晶表示
パネルが提供される。
【００２３】１つの第３配向分割領域の大きさを小さく
することができる。このため、第３配向分割領域内にお
ける逆チルトの発生を抑制することができる。
することができる。このため、第３配向分割領域内にお
ける逆チルトの発生を抑制することができる。
【００２４】本発明の他の観点によると、前記一対の基
板のうち少なくとも一方の基板の対向面上に形成された
配向膜の表面が段差を有し、前記第３配向分割領域が、
前記段差の近傍領域のうち低い方の領域に配置されてい
る液晶表示パネルが提供される。
板のうち少なくとも一方の基板の対向面上に形成された
配向膜の表面が段差を有し、前記第３配向分割領域が、
前記段差の近傍領域のうち低い方の領域に配置されてい
る液晶表示パネルが提供される。
【００２５】段差の近傍領域のうち低い方の領域は、ラ
ビング処理が不十分になりやすい。このため、逆ツイス
ト現象が発生しやすい。段差の近傍領域のうち低い方の
領域において、プレチルト角の小さな領域同士を対向さ
せると、逆ツイスト現象の発生を抑制することができ
る。
ビング処理が不十分になりやすい。このため、逆ツイス
ト現象が発生しやすい。段差の近傍領域のうち低い方の
領域において、プレチルト角の小さな領域同士を対向さ
せると、逆ツイスト現象の発生を抑制することができ
る。
【００２６】
【発明の実施の形態】図１〜図２を参照して、本発明の
第１の実施例による液晶表示パネルの製造方法を説明す
る。
第１の実施例による液晶表示パネルの製造方法を説明す
る。
【００２７】図１（Ａ）に示すように、ガラス等の透明
基板１の表面上に下層配向膜２及び下層配向膜と材料の
異なる上層配向膜３を積層する。なお、本図には示さな
いが、後述するように下層配向膜２と透明基板１との間
には、画素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び駆動
配線が形成されている。上層配向膜３は、下層配向膜２
よりも大きなプレチルト角を液晶分子に付与する。ここ
で、プレチルト角とは、液晶分子の長軸方向と基板面と
の成す角をいう。
基板１の表面上に下層配向膜２及び下層配向膜と材料の
異なる上層配向膜３を積層する。なお、本図には示さな
いが、後述するように下層配向膜２と透明基板１との間
には、画素電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）及び駆動
配線が形成されている。上層配向膜３は、下層配向膜２
よりも大きなプレチルト角を液晶分子に付与する。ここ
で、プレチルト角とは、液晶分子の長軸方向と基板面と
の成す角をいう。
【００２８】図１（Ｂ）に示すように、上層配向膜３の
表面上にレジスト層を塗布し、露光、現像を行って所望
のレジストパターン４を形成する。レジストパターン４
をマスクとして、上層配向膜３を選択的にエッチング
し、下層配向膜２の一部表面を露出させる。エッチング
後、レジストパターン４を除去する。
表面上にレジスト層を塗布し、露光、現像を行って所望
のレジストパターン４を形成する。レジストパターン４
をマスクとして、上層配向膜３を選択的にエッチング
し、下層配向膜２の一部表面を露出させる。エッチング
後、レジストパターン４を除去する。
【００２９】図１（Ｃ）は、レジストパターン除去後の
基板の概略平面図を示す。格子状に駆動配線５が形成さ
れ、駆動配線５に囲まれた長方形の画素領域６が画定さ
れている。図２（Ａ）を参照して後述するように、画素
領域６の１つの頂点近傍にＴＦＴが形成され、画素領域
６内のその他の領域には画素電極が形成されている。
基板の概略平面図を示す。格子状に駆動配線５が形成さ
れ、駆動配線５に囲まれた長方形の画素領域６が画定さ
れている。図２（Ａ）を参照して後述するように、画素
領域６の１つの頂点近傍にＴＦＴが形成され、画素領域
６内のその他の領域には画素電極が形成されている。
【００３０】各画素領域６は、図の右下がりの対角線に
よって２つの領域に分割され、左下の領域６ａに上層配
向膜３が形成され、右上の領域６ｂに下層配向膜２が露
出している。すなわち、左下の領域６ａは、右上の領域
６ｂよりも大きなプレチルト角を有する。このように、
各画素領域６内にプレチルト角の異なる２つの領域が形
成されている。以下、１つの画素領域内にプレチルト角
の異なる２つの領域が形成されている場合に、プレチル
ト角の大きな領域を高プレチルト領域、プレチルト角の
小さな領域を低プレチルト領域と呼ぶ。
よって２つの領域に分割され、左下の領域６ａに上層配
向膜３が形成され、右上の領域６ｂに下層配向膜２が露
出している。すなわち、左下の領域６ａは、右上の領域
６ｂよりも大きなプレチルト角を有する。このように、
各画素領域６内にプレチルト角の異なる２つの領域が形
成されている。以下、１つの画素領域内にプレチルト角
の異なる２つの領域が形成されている場合に、プレチル
ト角の大きな領域を高プレチルト領域、プレチルト角の
小さな領域を低プレチルト領域と呼ぶ。
【００３１】図１（Ｄ）に示すように、配向膜表面をラ
ビングローラ９で擦り、ラビング処理を行う。ラビング
の方向は、図１（Ｃ）の右上から左下に向かう方向であ
る。この向きにラビングを行うと、ラビングローラ９が
駆動配線５を通過する際に必ずある画素領域の高プレチ
ルト領域からそれに隣接する画素領域の低プレチルト領
域に向かって移動する。
ビングローラ９で擦り、ラビング処理を行う。ラビング
の方向は、図１（Ｃ）の右上から左下に向かう方向であ
る。この向きにラビングを行うと、ラビングローラ９が
駆動配線５を通過する際に必ずある画素領域の高プレチ
ルト領域からそれに隣接する画素領域の低プレチルト領
域に向かって移動する。
【００３２】このようにして、ＴＦＴが形成された基板
（ＴＦＴ基板）を作製することができる。同様にして、
共通電極側の基板（共通電極基板）を作製する。共通電
極基板上の配向膜には、共通電極基板とＴＦＴ基板とを
対向配置したとき、ＴＦＴ基板の高プレチルト領域６ａ
及び低プレチルト領域６ｂに、それぞれ共通電極基板の
低プレチルト領域及び高プレチルト領域が対向するよう
に各領域が配置されている。また、共通電極基板側の基
板面内配向方向がＴＦＴ基板側の基板面内配向方向と例
えば直交するように、共通電極基板側の配向膜をラビン
グする。
（ＴＦＴ基板）を作製することができる。同様にして、
共通電極側の基板（共通電極基板）を作製する。共通電
極基板上の配向膜には、共通電極基板とＴＦＴ基板とを
対向配置したとき、ＴＦＴ基板の高プレチルト領域６ａ
及び低プレチルト領域６ｂに、それぞれ共通電極基板の
低プレチルト領域及び高プレチルト領域が対向するよう
に各領域が配置されている。また、共通電極基板側の基
板面内配向方向がＴＦＴ基板側の基板面内配向方向と例
えば直交するように、共通電極基板側の配向膜をラビン
グする。
【００３３】図２（Ａ）は、図１に示す方法で作製した
ＴＦＴ基板の平面図を示す。駆動配線５が格子状に配置
されている。図の横方向に延在する配線がＣｒ、Ａｌ等
からなるドレイン線５ａ、縦方向に延在する配線がＣ
ｒ、Ａｌ等からなるゲート線５ｂである。相互に隣接す
る２本のドレイン線５ａと２本のゲート線５ｂによって
囲まれた画素領域に画素電極１１及びＴＦＴ１０が形成
されている。画素領域の図の左上の領域が高プレチルト
領域６ａ、右下の領域が低プレチルト領域６ｂである。
ＴＦＴ基板の平面図を示す。駆動配線５が格子状に配置
されている。図の横方向に延在する配線がＣｒ、Ａｌ等
からなるドレイン線５ａ、縦方向に延在する配線がＣ
ｒ、Ａｌ等からなるゲート線５ｂである。相互に隣接す
る２本のドレイン線５ａと２本のゲート線５ｂによって
囲まれた画素領域に画素電極１１及びＴＦＴ１０が形成
されている。画素領域の図の左上の領域が高プレチルト
領域６ａ、右下の領域が低プレチルト領域６ｂである。
【００３４】ＴＦＴ１０は、ドレイン線５ａとゲート線
５ｂとの交差点近傍に配置されている。ＴＦＴ１０のゲ
ート電極が１本のゲート線５ｂに接続され、ドレイン領
域が１本のドレイン線５ａに接続されている。ＴＦＴ１
０のソース領域がインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）
等からなる画素電極１１に接続されている。
５ｂとの交差点近傍に配置されている。ＴＦＴ１０のゲ
ート電極が１本のゲート線５ｂに接続され、ドレイン領
域が１本のドレイン線５ａに接続されている。ＴＦＴ１
０のソース領域がインジウムスズオキサイド（ＩＴＯ）
等からなる画素電極１１に接続されている。
【００３５】図２（Ｂ）は、図２（Ａ）の一点鎖線Ｂ２
−Ｂ２における液晶表示パネルの断面図を示す。透明基
板１の表面上にＣｒ、Ａｌ等からなるゲート電極Ｇが形
成され、ゲート電極Ｇを覆ってＳｉＮ、アルミナ膜等か
らなるゲート絶縁層１２が形成されている。ゲート絶縁
層１２の表面上のゲート電極Ｇの上方領域にアモルファ
スシリコンからなるチャネル層ＣＨが形成され、その両
側にＣｒ、Ａｌ等からなるドレイン領域Ｄとソース領域
Ｓが形成されている。ゲート絶縁層１２の表面上に、ソ
ース領域Ｓに連続して画素電極１１が形成されている。
−Ｂ２における液晶表示パネルの断面図を示す。透明基
板１の表面上にＣｒ、Ａｌ等からなるゲート電極Ｇが形
成され、ゲート電極Ｇを覆ってＳｉＮ、アルミナ膜等か
らなるゲート絶縁層１２が形成されている。ゲート絶縁
層１２の表面上のゲート電極Ｇの上方領域にアモルファ
スシリコンからなるチャネル層ＣＨが形成され、その両
側にＣｒ、Ａｌ等からなるドレイン領域Ｄとソース領域
Ｓが形成されている。ゲート絶縁層１２の表面上に、ソ
ース領域Ｓに連続して画素電極１１が形成されている。
【００３６】ＴＦＴ１０は、ＳｉＮ等からなるＴＦＴ保
護層１３によって覆われ保護されている。ＴＦＴ保護層
１３及び画素電極１１を覆うように下層配向膜２が形成
されている。下層配向膜２の一部表面上に上層配向膜３
が形成されている。
護層１３によって覆われ保護されている。ＴＦＴ保護層
１３及び画素電極１１を覆うように下層配向膜２が形成
されている。下層配向膜２の一部表面上に上層配向膜３
が形成されている。
【００３７】共通電極側の透明基板２１が、ＴＦＴ側の
基板に対向して配置されている。透明基板２１の対向面
上のＴＦＴ１０及び駆動配線５に対応する領域にＣｒ等
からなるブラックマトリクス２２が形成され、画素電極
１１に対応する領域にカラーフィルタ２３が形成されて
いる。カラーフィルタ２３及びブラックマトリクス２２
を覆うように全面に共通電極２４が形成され、その表面
上に下層配向膜２５が形成されている。
基板に対向して配置されている。透明基板２１の対向面
上のＴＦＴ１０及び駆動配線５に対応する領域にＣｒ等
からなるブラックマトリクス２２が形成され、画素電極
１１に対応する領域にカラーフィルタ２３が形成されて
いる。カラーフィルタ２３及びブラックマトリクス２２
を覆うように全面に共通電極２４が形成され、その表面
上に下層配向膜２５が形成されている。
【００３８】下層配向膜２５の表面上には、ＴＦＴ基板
側の低プレチルト領域に対応する領域に、下層配向膜２
５よりも大きなプレチルト角を付与する上層配向膜２６
が形成されている。すなわち、ＴＦＴ基板側の低プレチ
ルト領域と共通電極基板側の高プレチルト領域が対向
し、ＴＦＴ基板側の高プレチルト領域と共通電極基板側
の低プレチルト領域が対向している。
側の低プレチルト領域に対応する領域に、下層配向膜２
５よりも大きなプレチルト角を付与する上層配向膜２６
が形成されている。すなわち、ＴＦＴ基板側の低プレチ
ルト領域と共通電極基板側の高プレチルト領域が対向
し、ＴＦＴ基板側の高プレチルト領域と共通電極基板側
の低プレチルト領域が対向している。
【００３９】ＴＦＴ基板と共通電極基板との間に、液晶
層３０が挟持されている。透明基板１及び２１の外側の
面上に、それぞれ偏光板２７及び２８が配置されてい
る。偏光板２７と２８を偏光軸方向が相互に直交するよ
うに配置すると、電圧無印加時に白状態を示すノーマリ
ホワイトモードになり、相互に平行になるように配置す
ると、電圧無印加時に黒状態を示すノーマリブラックモ
ードになる。
層３０が挟持されている。透明基板１及び２１の外側の
面上に、それぞれ偏光板２７及び２８が配置されてい
る。偏光板２７と２８を偏光軸方向が相互に直交するよ
うに配置すると、電圧無印加時に白状態を示すノーマリ
ホワイトモードになり、相互に平行になるように配置す
ると、電圧無印加時に黒状態を示すノーマリブラックモ
ードになる。
【００４０】次に、図３を参照して上記実施例による方
法で作製した液晶表示パネルの液晶分子の立ち上がりの
向きを、従来例による方法で作製した液晶表示パネルと
比較して説明する。
法で作製した液晶表示パネルの液晶分子の立ち上がりの
向きを、従来例による方法で作製した液晶表示パネルと
比較して説明する。
【００４１】図３（Ａ）は、上記実施例による方法で作
製した液晶表示パネルの配向分割パターンを示す。駆動
配線５に囲まれた画素領域６が画定されている。画素領
域６は、ＴＦＴ基板側で高プレチルト領域、共通電極基
板側で低プレチルト領域とされた第１配向分割領域３１
ａ、その逆の第２配向分割領域３１ｂに分割される。矢
印ＡＲはＴＦＴ基板側のラビング方向を示す。
製した液晶表示パネルの配向分割パターンを示す。駆動
配線５に囲まれた画素領域６が画定されている。画素領
域６は、ＴＦＴ基板側で高プレチルト領域、共通電極基
板側で低プレチルト領域とされた第１配向分割領域３１
ａ、その逆の第２配向分割領域３１ｂに分割される。矢
印ＡＲはＴＦＴ基板側のラビング方向を示す。
【００４２】図３（Ｂ）は、図３（Ａ）の一点鎖線Ｂ３
−Ｂ３における概略断面図を示す。ＴＦＴ基板上の駆動
配線５の両側に画素電極１１が配置されている。図の左
半分が第１配向分割領域３１ａ、右半分が第２配向分割
領域３１ｂである。液晶層３０内の直線３２は液晶分子
の長軸方向を示している。ＴＦＴ基板側の配向膜は、図
の左方から右方にラビングされている。このため、ＴＦ
Ｔ基板側の配向膜２、３に接する液晶分子が、図の右側
の端部から立ち上がる向きにプレチルトする。
−Ｂ３における概略断面図を示す。ＴＦＴ基板上の駆動
配線５の両側に画素電極１１が配置されている。図の左
半分が第１配向分割領域３１ａ、右半分が第２配向分割
領域３１ｂである。液晶層３０内の直線３２は液晶分子
の長軸方向を示している。ＴＦＴ基板側の配向膜は、図
の左方から右方にラビングされている。このため、ＴＦ
Ｔ基板側の配向膜２、３に接する液晶分子が、図の右側
の端部から立ち上がる向きにプレチルトする。
【００４３】なお、実際には、ＴＦＴ基板側と共通電極
基板側の基板面内配向方向は相互に直交し、液晶分子は
ツイスト配列するが、図３（Ｂ）では、ツイストを考慮
せずチルトにのみ着目して液晶分子の長軸方向を表して
いる。
基板側の基板面内配向方向は相互に直交し、液晶分子は
ツイスト配列するが、図３（Ｂ）では、ツイストを考慮
せずチルトにのみ着目して液晶分子の長軸方向を表して
いる。
【００４４】第１配向分割領域３１ａにおいては、ＴＦ
Ｔ基板側のプレチルト角が大きいため、液晶層３０に電
界を印加すると液晶分子が図の矢印で示すように反時計
周りに回転して立ち上がる。逆に第２配向分割領域にお
いては、液晶分子が時計周りに回転して立ち上がる。
Ｔ基板側のプレチルト角が大きいため、液晶層３０に電
界を印加すると液晶分子が図の矢印で示すように反時計
周りに回転して立ち上がる。逆に第２配向分割領域にお
いては、液晶分子が時計周りに回転して立ち上がる。
【００４５】駆動配線５と画素電極１１との間に電位差
がある場合には、図中に破線で示すような電気力線を有
する横方向電界が発生する。このように、液晶層３０の
厚さ方向ではなく基板面内方向（横方向）の成分を有す
る横方向電界が発生する。画素電極１１の縁部近傍の液
晶分子はこの電気力線に沿って配列しようとする。すな
わち、画素電極１１の縁部の液晶分子は、駆動配線５に
近い方の端部が、駆動配線５から遠ざかる向きに立ち上
がろうとする。この向きは、液晶層３０に電界を印加し
たときに液晶分子が立ち上がる向きと等しい。
がある場合には、図中に破線で示すような電気力線を有
する横方向電界が発生する。このように、液晶層３０の
厚さ方向ではなく基板面内方向（横方向）の成分を有す
る横方向電界が発生する。画素電極１１の縁部近傍の液
晶分子はこの電気力線に沿って配列しようとする。すな
わち、画素電極１１の縁部の液晶分子は、駆動配線５に
近い方の端部が、駆動配線５から遠ざかる向きに立ち上
がろうとする。この向きは、液晶層３０に電界を印加し
たときに液晶分子が立ち上がる向きと等しい。
【００４６】図３（Ｃ）は、従来例による方法で作製し
た液晶表示パネルの配向分割パターンを示す。各画素領
域６の図の下半分が第１配向分割領域３１ａ、上半分が
第２配向分割領域３１ｂとされている。矢印ＡＲは、Ｔ
ＦＴ基板側のラビング方向を示す。
た液晶表示パネルの配向分割パターンを示す。各画素領
域６の図の下半分が第１配向分割領域３１ａ、上半分が
第２配向分割領域３１ｂとされている。矢印ＡＲは、Ｔ
ＦＴ基板側のラビング方向を示す。
【００４７】図３（Ｄ）は、図３（Ｃ）の一点鎖線Ｄ３
−Ｄ３における概略断面図を示す。図の左半分、右半分
共に第１配向分割領域３１ａであるため、ＴＦＴ基板側
が高プレチルト領域、共通電極基板側が低プレチルト領
域である。ＴＦＴ基板側の配向膜は、図の左方から右方
にラビングされている。
−Ｄ３における概略断面図を示す。図の左半分、右半分
共に第１配向分割領域３１ａであるため、ＴＦＴ基板側
が高プレチルト領域、共通電極基板側が低プレチルト領
域である。ＴＦＴ基板側の配向膜は、図の左方から右方
にラビングされている。
【００４８】液晶層３０に電界を印加すると、図の左半
分、右半分の領域の液晶分子は、共に反時計周りに回転
して立ち上がる。この立ち上がり方向は、左半分の領域
においては、駆動配線５の近傍に発生する横方向電界に
よる立ち上がり方向と一致するが、右半分の領域におい
ては一致しない。従って、右半分の領域の画素領域縁部
近傍の液晶分子の立ち上がりの向きが不安定になり、所
望の立ち上がり方向と逆方向に立ち上がる場合が生ず
る。
分、右半分の領域の液晶分子は、共に反時計周りに回転
して立ち上がる。この立ち上がり方向は、左半分の領域
においては、駆動配線５の近傍に発生する横方向電界に
よる立ち上がり方向と一致するが、右半分の領域におい
ては一致しない。従って、右半分の領域の画素領域縁部
近傍の液晶分子の立ち上がりの向きが不安定になり、所
望の立ち上がり方向と逆方向に立ち上がる場合が生ず
る。
【００４９】図３（Ｃ）に示すように、各画素領域６を
対辺の中点同士を結んだ直線で分割して配向分割領域を
形成すると、駆動配線５の両側の配向分割領域の一方
で、横方向成分を有する電界による立ち上がりの向き
と、所望の立ち上がりの向きが一致しなくなる。
対辺の中点同士を結んだ直線で分割して配向分割領域を
形成すると、駆動配線５の両側の配向分割領域の一方
で、横方向成分を有する電界による立ち上がりの向き
と、所望の立ち上がりの向きが一致しなくなる。
【００５０】これに対し、図３（Ａ）では、各画素領域
６を対角線で分割して配向分割領域を形成している。さ
らに、駆動配線５を通過する際に高プレチルト領域から
低プレチルト領域に向かって移動するようにラビング方
向を選択している。このように、配向分割領域の配置及
びラビング方向を適当に選択することにより、駆動配線
５の両側において、横方向電界による立ち上がりの向き
と、所望の立ち上がりの向きとを一致させることができ
る。
６を対角線で分割して配向分割領域を形成している。さ
らに、駆動配線５を通過する際に高プレチルト領域から
低プレチルト領域に向かって移動するようにラビング方
向を選択している。このように、配向分割領域の配置及
びラビング方向を適当に選択することにより、駆動配線
５の両側において、横方向電界による立ち上がりの向き
と、所望の立ち上がりの向きとを一致させることができ
る。
【００５１】図４（Ａ）は、上記第１の実施例の変形例
による画素領域の配向分割方法を示す。ドレイン線５ａ
とゲート線５ｂが格子状に配置され、画素領域６が画定
されている。ラビング方向ＡＲとドレイン線５ａとの成
す角が、ラビング方向ＡＲとゲート線５ｂとのなす角よ
りも小さい。配向分割領域の境界線６ｃが、画素領域６
の頂点近傍において対角線とドレイン線の間に配置され
ている。
による画素領域の配向分割方法を示す。ドレイン線５ａ
とゲート線５ｂが格子状に配置され、画素領域６が画定
されている。ラビング方向ＡＲとドレイン線５ａとの成
す角が、ラビング方向ＡＲとゲート線５ｂとのなす角よ
りも小さい。配向分割領域の境界線６ｃが、画素領域６
の頂点近傍において対角線とドレイン線の間に配置され
ている。
【００５２】液晶分子の基板面内配向方向は、ラビング
方向ＡＲに平行になる。画素領域の縁部近傍の液晶分子
は、駆動配線５による横方向電界と液晶分子の長軸方向
が平行に近いほど、横方向電界の影響を強く受ける。図
４（Ａ）の場合は、ドレイン線５ａによる横方向電界よ
りも、ゲート線５ｂによる横方向電界の影響を強く受け
る。
方向ＡＲに平行になる。画素領域の縁部近傍の液晶分子
は、駆動配線５による横方向電界と液晶分子の長軸方向
が平行に近いほど、横方向電界の影響を強く受ける。図
４（Ａ）の場合は、ドレイン線５ａによる横方向電界よ
りも、ゲート線５ｂによる横方向電界の影響を強く受け
る。
【００５３】配向分割領域の境界線６ｃ近傍の液晶分子
は、電界印加時の立ち上がり方向が不安定になりやすい
ため、境界線６ｃ近傍の液晶分子は横方向電界の影響を
強く受ける。図４（Ａ）に示すように、ゲート線５ｂか
らの横方向電界の影響が強い場合には、境界線６ｃをゲ
ート線５ｂから遠ざけることにより、境界線６ｃ近傍の
液晶分子が受ける横方向電界の影響を低減させることが
できる。
は、電界印加時の立ち上がり方向が不安定になりやすい
ため、境界線６ｃ近傍の液晶分子は横方向電界の影響を
強く受ける。図４（Ａ）に示すように、ゲート線５ｂか
らの横方向電界の影響が強い場合には、境界線６ｃをゲ
ート線５ｂから遠ざけることにより、境界線６ｃ近傍の
液晶分子が受ける横方向電界の影響を低減させることが
できる。
【００５４】図４（Ｂ）は、配向分割領域とＴＦＴの配
置関係を示す。ＴＦＴ１０が高プレチルト領域６ａ内に
配置されている。ＴＦＴ１０を高プレチルト領域内に配
置することにより、ＴＦＴ１０の近傍の電界の乱れによ
る液晶分子の立ち上がり方向の不安定性を低減すること
ができる。
置関係を示す。ＴＦＴ１０が高プレチルト領域６ａ内に
配置されている。ＴＦＴ１０を高プレチルト領域内に配
置することにより、ＴＦＴ１０の近傍の電界の乱れによ
る液晶分子の立ち上がり方向の不安定性を低減すること
ができる。
【００５５】配向分割領域の境界線上の液晶分子は、液
晶層に電界が印加されたときに、その両側の配向分割領
域の液晶分子配列の影響を受ける。両側の液晶分子の立
ち上がりの向きが相互に反対向きである場合は、境界線
上の液晶分子は電界を印加しても立ち上がらず、電圧無
印加時とほぼ同様の配列状態を示す。このため、ノーマ
リブラックモードの液晶表示パネルの場合には、白表示
のときに境界線が黒い線になる。
晶層に電界が印加されたときに、その両側の配向分割領
域の液晶分子配列の影響を受ける。両側の液晶分子の立
ち上がりの向きが相互に反対向きである場合は、境界線
上の液晶分子は電界を印加しても立ち上がらず、電圧無
印加時とほぼ同様の配列状態を示す。このため、ノーマ
リブラックモードの液晶表示パネルの場合には、白表示
のときに境界線が黒い線になる。
【００５６】これに対し、ノーマリホワイトモードの場
合には、黒表示のときに境界線が白い線になる。画面全
体を黒くするためには境界線領域に遮光膜を形成する必
要がある。ノーマリブラックモードの場合には、遮光膜
を形成する必要はない。
合には、黒表示のときに境界線が白い線になる。画面全
体を黒くするためには境界線領域に遮光膜を形成する必
要がある。ノーマリブラックモードの場合には、遮光膜
を形成する必要はない。
【００５７】次に、図５を参照して、本発明の第２の実
施例を説明する。図５は、画素領域６の配向分割パター
ンを示す。
施例を説明する。図５は、画素領域６の配向分割パター
ンを示す。
【００５８】図５（Ａ）の左図は、ＴＦＴ基板側の画素
領域６内の配向分割パターン、右図は、共通電極基板側
の画素領域６内の配向分割パターンを示す。ＴＦＴ基板
側の高プレチルト領域６ａは画素領域の図の上半分のう
ち右側縁部６ｄ以外の領域に配置され、下半分及び右側
縁部６ｄに低プレチルト領域が配置されている。共通電
極基板側の高プレチルト領域６ａは画素領域の図の下半
分のうち左側縁部６ｄ以外の領域に配置され、上半分及
び左側縁部６ｄに低プレチルト領域６ｂが配置されてい
る。この２枚の基板を対向させると、画素領域の上半分
の右側縁部６ｄ及び下半分の左側縁部６ｄにおいて、低
プレチルト領域同士が対向する。
領域６内の配向分割パターン、右図は、共通電極基板側
の画素領域６内の配向分割パターンを示す。ＴＦＴ基板
側の高プレチルト領域６ａは画素領域の図の上半分のう
ち右側縁部６ｄ以外の領域に配置され、下半分及び右側
縁部６ｄに低プレチルト領域が配置されている。共通電
極基板側の高プレチルト領域６ａは画素領域の図の下半
分のうち左側縁部６ｄ以外の領域に配置され、上半分及
び左側縁部６ｄに低プレチルト領域６ｂが配置されてい
る。この２枚の基板を対向させると、画素領域の上半分
の右側縁部６ｄ及び下半分の左側縁部６ｄにおいて、低
プレチルト領域同士が対向する。
【００５９】配向分割方式のパネルでは、大きなプレチ
ルト角が付与されると、その領域の液晶分子の弾性エネ
ルギが大きくなり、液晶分子のツイスト方向が所望の方
向と逆になる逆ツイスト現象を生ずる可能性が高くな
る。図５（Ａ）に示すように、低プレチルト領域同士を
対向させると、この領域において逆ツイスト現象が生じ
にくくなる。その周囲の液晶分子も、低プレチルト領域
同士が対向した領域の液晶分子の配列の影響を受けて、
所望の方向にツイストする傾向が強くなる。このよう
に、低プレチルト領域同士が対向する領域を設けること
により、逆ツイスト現象の発生を抑制することができ
る。
ルト角が付与されると、その領域の液晶分子の弾性エネ
ルギが大きくなり、液晶分子のツイスト方向が所望の方
向と逆になる逆ツイスト現象を生ずる可能性が高くな
る。図５（Ａ）に示すように、低プレチルト領域同士を
対向させると、この領域において逆ツイスト現象が生じ
にくくなる。その周囲の液晶分子も、低プレチルト領域
同士が対向した領域の液晶分子の配列の影響を受けて、
所望の方向にツイストする傾向が強くなる。このよう
に、低プレチルト領域同士が対向する領域を設けること
により、逆ツイスト現象の発生を抑制することができ
る。
【００６０】図５（Ｂ）に示すように、低プレチルト領
域同士が対向する領域６ｄを高プレチルト領域６ａの内
部に配置してもよい。このように配置すると、低プレチ
ルト領域同士が対する領域を駆動配線から遠ざけること
ができる。低プレチルト領域同士が対向した領域の液晶
分子は、電圧印加時の立ち上がり方向が定まっていない
ため、駆動配線による横方向電界の影響を受けやすい。
図５（Ｂ）に示すような配置にすることにより、低プレ
チルト領域同士が対向する領域の液晶分子が受ける横電
界の影響を低減することができる。
域同士が対向する領域６ｄを高プレチルト領域６ａの内
部に配置してもよい。このように配置すると、低プレチ
ルト領域同士が対する領域を駆動配線から遠ざけること
ができる。低プレチルト領域同士が対向した領域の液晶
分子は、電圧印加時の立ち上がり方向が定まっていない
ため、駆動配線による横方向電界の影響を受けやすい。
図５（Ｂ）に示すような配置にすることにより、低プレ
チルト領域同士が対向する領域の液晶分子が受ける横電
界の影響を低減することができる。
【００６１】図５（Ｃ）に示すように、低プレチルト領
域同士が対向する領域６ｄを高プレチルト領域６ａ内に
複数個配置してもよい。高プレチルト領域６ａ内に複数
個の領域６ｄを配置することにより、領域６ｄの１個あ
たりの面積を小さくできる。低プレチルト領域同士が対
向した領域を大きくしすぎると、その内部の液晶分子の
立ち上がり方向が不安定になる。このように、領域６ｄ
の１個あたりの面積を小さくすることにより、低プレチ
ルト領域同士が対向した領域の内部においても安定した
立ち上がり方向を確保することができる。
域同士が対向する領域６ｄを高プレチルト領域６ａ内に
複数個配置してもよい。高プレチルト領域６ａ内に複数
個の領域６ｄを配置することにより、領域６ｄの１個あ
たりの面積を小さくできる。低プレチルト領域同士が対
向した領域を大きくしすぎると、その内部の液晶分子の
立ち上がり方向が不安定になる。このように、領域６ｄ
の１個あたりの面積を小さくすることにより、低プレチ
ルト領域同士が対向した領域の内部においても安定した
立ち上がり方向を確保することができる。
【００６２】図５（Ｄ）に示すように、高プレチルト領
域６ａと低プレチルト領域６ｂとの境界線を図１（Ｃ）
で示したように画素領域の対角線に沿うように配置して
もよい。このとき、図５（Ｂ）と同様に低プレチルト領
域同士が対向する領域６ｄを高プレチルト領域６ａの内
部に配置することが好ましい。また、図５（Ｃ）と同様
に、低プレチルト領域同士が対向する領域を高プレチル
ト領域６ａの内部に複数個配置してもよい。
域６ａと低プレチルト領域６ｂとの境界線を図１（Ｃ）
で示したように画素領域の対角線に沿うように配置して
もよい。このとき、図５（Ｂ）と同様に低プレチルト領
域同士が対向する領域６ｄを高プレチルト領域６ａの内
部に配置することが好ましい。また、図５（Ｃ）と同様
に、低プレチルト領域同士が対向する領域を高プレチル
ト領域６ａの内部に複数個配置してもよい。
【００６３】次に図６を参照して、第２の実施例の変形
例を説明する。図６の左図は、ＴＦＴ基板側の画素領域
６内の配向分割パターン、右図は、共通電極基板側の配
向分割パターンを示す。画素領域６は、境界線１８によ
り高プレチルト領域６ａと低プレチルト領域６ｂとに分
割されている。一方の基板の高プレチルト領域６ａが、
主として他方の基板の低プレチルト領域６ｂに対向す
る。一方の基板の境界線１８の位置は、他方の基板の境
界線１８に対応する位置よりも当該基板の高プレチルト
領域６ａ側にずれている。
例を説明する。図６の左図は、ＴＦＴ基板側の画素領域
６内の配向分割パターン、右図は、共通電極基板側の配
向分割パターンを示す。画素領域６は、境界線１８によ
り高プレチルト領域６ａと低プレチルト領域６ｂとに分
割されている。一方の基板の高プレチルト領域６ａが、
主として他方の基板の低プレチルト領域６ｂに対向す
る。一方の基板の境界線１８の位置は、他方の基板の境
界線１８に対応する位置よりも当該基板の高プレチルト
領域６ａ側にずれている。
【００６４】この２枚の基板を対向配置すると、画素領
域６が、第１配向分割領域１５、第２配向分割領域１
６、及びこれら２つの配向分割領域の間に挟まれた帯状
の第３配向分割領域１７に区分される。第１及び第２配
向分割領域１５及び１６では、高プレチルト領域６ａと
低プレチルト領域６ｂとが対向し、第３配向分割領域１
７では、低プレチルト領域６ｂ同士が対向する。
域６が、第１配向分割領域１５、第２配向分割領域１
６、及びこれら２つの配向分割領域の間に挟まれた帯状
の第３配向分割領域１７に区分される。第１及び第２配
向分割領域１５及び１６では、高プレチルト領域６ａと
低プレチルト領域６ｂとが対向し、第３配向分割領域１
７では、低プレチルト領域６ｂ同士が対向する。
【００６５】図５で説明した第２の実施例の場合と同様
に、低プレチルト領域６ｂ同士が対向する配向分割領域
１７において、逆ツイスト現象の発生が抑制されるた
め、画素領域全体においても逆ツイスト現象の発生が抑
制される画素領域６の図の縦方向の長さが約２００μｍ
程度であるとき、第３配向分割領域１７の幅を２〜４０
μｍ程度とすることが好ましい。２枚の基板貼り合わせ
時の位置合わせ誤差が通常３μｍ程度である。このた
め、一方の基板の境界線１８を他方の基板の境界線１８
に対応する位置からずらせる量を５〜４０μｍ程度とす
ることが好ましい。
に、低プレチルト領域６ｂ同士が対向する配向分割領域
１７において、逆ツイスト現象の発生が抑制されるた
め、画素領域全体においても逆ツイスト現象の発生が抑
制される画素領域６の図の縦方向の長さが約２００μｍ
程度であるとき、第３配向分割領域１７の幅を２〜４０
μｍ程度とすることが好ましい。２枚の基板貼り合わせ
時の位置合わせ誤差が通常３μｍ程度である。このた
め、一方の基板の境界線１８を他方の基板の境界線１８
に対応する位置からずらせる量を５〜４０μｍ程度とす
ることが好ましい。
【００６６】また、逆ツイスト現象の抑制効果をより高
めるためには、第３配向分割領域１７の幅を５〜２５μ
ｍとすることが好ましい。この場合には、２枚の基板の
境界線１８のずらし量を８〜２５μｍ程度とする。
めるためには、第３配向分割領域１７の幅を５〜２５μ
ｍとすることが好ましい。この場合には、２枚の基板の
境界線１８のずらし量を８〜２５μｍ程度とする。
【００６７】図６に示す高プレチルト領域６ａと低プレ
チルト領域６ｂのパターンは、図１（Ａ）〜（Ｄ）の方
法と同様の方法で形成される。図１（Ｂ）に示すレジス
トパターン４を形成するための露光用マスクの位置合わ
せ時に、図６の縦方向に露光用マスクをずらせると、第
３配向分割領域１７の幅が変動する。このように、低プ
レチルト領域６ｂ同士が対向する第３配向分割領域１７
を帯状にし、その両側に第１及び第２配向分割領域１５
及び１６を配置する構成とすることにより、１枚の露光
用マスクパターンを用いて第３配向分割領域１７の幅を
種々変更することができる。
チルト領域６ｂのパターンは、図１（Ａ）〜（Ｄ）の方
法と同様の方法で形成される。図１（Ｂ）に示すレジス
トパターン４を形成するための露光用マスクの位置合わ
せ時に、図６の縦方向に露光用マスクをずらせると、第
３配向分割領域１７の幅が変動する。このように、低プ
レチルト領域６ｂ同士が対向する第３配向分割領域１７
を帯状にし、その両側に第１及び第２配向分割領域１５
及び１６を配置する構成とすることにより、１枚の露光
用マスクパターンを用いて第３配向分割領域１７の幅を
種々変更することができる。
【００６８】なお、露光用マスクのずらし量を大きくし
すぎると、画素と画素との境界領域において、高プレチ
ルト領域６ａ同士が対向する可能性がある。高プレチル
ト領域６ａ同士が対向すると、液晶分子のツイストの向
きが不安定になりやすい。高プレチルト領域６ａ同士の
対向を回避するために、画素と画素との境界領域を低プ
レチルト領域としておくことが好ましい。
すぎると、画素と画素との境界領域において、高プレチ
ルト領域６ａ同士が対向する可能性がある。高プレチル
ト領域６ａ同士が対向すると、液晶分子のツイストの向
きが不安定になりやすい。高プレチルト領域６ａ同士の
対向を回避するために、画素と画素との境界領域を低プ
レチルト領域としておくことが好ましい。
【００６９】また、ＴＦＴ基板と共通電極基板との貼り
合わせ時に、位置合わせを微調整することによっても、
第３配向分割領域１７の幅を変化させることができる。
合わせ時に、位置合わせを微調整することによっても、
第３配向分割領域１７の幅を変化させることができる。
【００７０】図７（Ａ）は、マルチギャップカラー液晶
表示パネルの概略断面図を示す。透明基板４０の表面上
に画素電極４１が形成されている。なお、ＴＦＴ及び駆
動配線は図示を省略している。画素電極４１を覆い基板
全面に配向膜４２が形成されている。透明基板４３の表
面上にカラーフィルタ４４が配置され、その表面を覆う
ように、共通電極４５及び配向膜４６が積層されてい
る。透明基板４０と４３が、配向膜面同士が対向するよ
うに平行配置され、その間に液晶層４７を挟持してい
る。
表示パネルの概略断面図を示す。透明基板４０の表面上
に画素電極４１が形成されている。なお、ＴＦＴ及び駆
動配線は図示を省略している。画素電極４１を覆い基板
全面に配向膜４２が形成されている。透明基板４３の表
面上にカラーフィルタ４４が配置され、その表面を覆う
ように、共通電極４５及び配向膜４６が積層されてい
る。透明基板４０と４３が、配向膜面同士が対向するよ
うに平行配置され、その間に液晶層４７を挟持してい
る。
【００７１】カラーフィルタ４４の厚さは、赤色画素、
緑色画素、青色画素の順に厚くなっている。従って、配
向膜４６の表面にはカラーフィルタ４４の表面の段差に
応じた段差が生じる。配向膜４６をラビングすると、段
差近傍の領域のうち高さの低い領域に付与される配向規
制力が不十分になる傾向がある。
緑色画素、青色画素の順に厚くなっている。従って、配
向膜４６の表面にはカラーフィルタ４４の表面の段差に
応じた段差が生じる。配向膜４６をラビングすると、段
差近傍の領域のうち高さの低い領域に付与される配向規
制力が不十分になる傾向がある。
【００７２】すなわち、緑色画素内のうち青色画素側の
縁部近傍、及び赤色画素内のうち緑色画素側及び青色画
素側の縁部近傍において、配向規制力が不十分になりや
すい。また、液晶層４７の厚さが厚くなるほど液晶分子
に対する配向膜の規制力が弱くなるため、逆ツイスト現
象が発生しやすくなる。
縁部近傍、及び赤色画素内のうち緑色画素側及び青色画
素側の縁部近傍において、配向規制力が不十分になりや
すい。また、液晶層４７の厚さが厚くなるほど液晶分子
に対する配向膜の規制力が弱くなるため、逆ツイスト現
象が発生しやすくなる。
【００７３】図７（Ｂ）は、赤色画素、緑色画素、青色
画素の配向分割パターンを示す。各画素の上半分が、Ｔ
ＦＴ基板側の高プレチルト領域と共通電極基板側の低プ
レチルト領域が対向する第１配向分割領域５０、下半分
がその逆の第２配向分割領域５１である。
画素の配向分割パターンを示す。各画素の上半分が、Ｔ
ＦＴ基板側の高プレチルト領域と共通電極基板側の低プ
レチルト領域が対向する第１配向分割領域５０、下半分
がその逆の第２配向分割領域５１である。
【００７４】プレチルト角は、その大きさが小さいほど
表面の凹凸の影響を受けやすい。例えば、緑色画素の低
プレチルト領域のうち青色画素側の縁部近傍５２Ａ、赤
色画素の低プレチルト領域のうち緑色画素側の縁部近傍
５２Ｂ、青色画素側の縁部近傍５２Ｃにおいて、見かけ
上、高プレチルトになりやすい。このため、高プレチル
ト領域同士が対向することになり、これらの領域で逆ツ
イストが発生しやすくなる。従って、これら縁部領域５
２Ａ〜５２Ｃに対向するＴＦＴ基板側の領域を低プレチ
ルト領域として、低プレチルト領域同士を対向させるこ
とにより、逆ツイスト現象の発生を抑制することができ
る。
表面の凹凸の影響を受けやすい。例えば、緑色画素の低
プレチルト領域のうち青色画素側の縁部近傍５２Ａ、赤
色画素の低プレチルト領域のうち緑色画素側の縁部近傍
５２Ｂ、青色画素側の縁部近傍５２Ｃにおいて、見かけ
上、高プレチルトになりやすい。このため、高プレチル
ト領域同士が対向することになり、これらの領域で逆ツ
イストが発生しやすくなる。従って、これら縁部領域５
２Ａ〜５２Ｃに対向するＴＦＴ基板側の領域を低プレチ
ルト領域として、低プレチルト領域同士を対向させるこ
とにより、逆ツイスト現象の発生を抑制することができ
る。
【００７５】上記第２の実施例は、ＴＦＴ型液晶表示パ
ネルのみならず、単純マトリクス型液晶表示パネルでも
効果が期待できるであろう。
ネルのみならず、単純マトリクス型液晶表示パネルでも
効果が期待できるであろう。
【００７６】また、上記第１の実施例による配向分割パ
ターンをマルチギャップカラーフィルタを用いた液晶表
示パネルに適用してもよい。
ターンをマルチギャップカラーフィルタを用いた液晶表
示パネルに適用してもよい。
【００７７】図８は、第１の実施例を適用したマルチギ
ャップカラー液晶表示パネルの断面図を示す。透明基板
４０の表面上に画素電極４１及び駆動配線４８が形成さ
れている。なお、ＴＦＴは図示を省略している。画素電
極４１及び駆動配線４８を覆い基板全面に配向膜４２が
形成されている。透明基板４３の表面上にカラーフィル
タ４４が配置され、その表面を覆うように、共通電極４
５及び配向膜４６が積層されている。透明基板４０と４
３が、配向膜面同士が対向するように平行配置され、そ
の間に液晶層４７を挟持している。
ャップカラー液晶表示パネルの断面図を示す。透明基板
４０の表面上に画素電極４１及び駆動配線４８が形成さ
れている。なお、ＴＦＴは図示を省略している。画素電
極４１及び駆動配線４８を覆い基板全面に配向膜４２が
形成されている。透明基板４３の表面上にカラーフィル
タ４４が配置され、その表面を覆うように、共通電極４
５及び配向膜４６が積層されている。透明基板４０と４
３が、配向膜面同士が対向するように平行配置され、そ
の間に液晶層４７を挟持している。
【００７８】カラーフィルタ４４の厚さは、赤色画素、
緑色画素、青色画素の順に厚くなっている。従って、配
向膜４６の表面にはカラーフィルタ４４の表面の段差に
応じた段差が生じる。
緑色画素、青色画素の順に厚くなっている。従って、配
向膜４６の表面にはカラーフィルタ４４の表面の段差に
応じた段差が生じる。
【００７９】各画素領域が、高プレチルトと低プレチル
トの２つの配向分割領域に分割されている。液晶層４７
中の短い直線４９は、電圧無印加時の液晶分子の長軸方
向を示す。各配向分割領域は、図３（Ｂ）と同様に、電
圧印加時に画素領域の縁部近傍において液晶層４７の中
央部の液晶分子が駆動配線４８側の端部をその駆動配線
から遠ざける向きに立ち上がるように配向処理されてい
る。
トの２つの配向分割領域に分割されている。液晶層４７
中の短い直線４９は、電圧無印加時の液晶分子の長軸方
向を示す。各配向分割領域は、図３（Ｂ）と同様に、電
圧印加時に画素領域の縁部近傍において液晶層４７の中
央部の液晶分子が駆動配線４８側の端部をその駆動配線
から遠ざける向きに立ち上がるように配向処理されてい
る。
【００８０】マルチギャップカラーフィルタ上の配向膜
への配向規制力付与は、その表面の段差のために不十分
になる傾向がある。このため、逆チルト現象も生じやす
い。マルチギャップカラー液晶表示パネルに第１の実施
例による配向分割パターンを適用することにより、逆チ
ルト現象の発生を抑制することができるであろう。
への配向規制力付与は、その表面の段差のために不十分
になる傾向がある。このため、逆チルト現象も生じやす
い。マルチギャップカラー液晶表示パネルに第１の実施
例による配向分割パターンを適用することにより、逆チ
ルト現象の発生を抑制することができるであろう。
【００８１】以上実施例に沿って本発明を説明したが、
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種
々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に
自明であろう。
【００８２】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
電圧印加時の液晶分子の立ち上がりの向きと駆動配線近
傍の横方向電界による立ち上がりの向きとを一致させる
ことにより、逆チルトの発生を抑制することができる。
また、一対の基板の比較的プレチルト角の小さな領域同
士が対向する領域を設けることにより、逆ツイストの発
生を抑制することができる。
電圧印加時の液晶分子の立ち上がりの向きと駆動配線近
傍の横方向電界による立ち上がりの向きとを一致させる
ことにより、逆チルトの発生を抑制することができる。
また、一対の基板の比較的プレチルト角の小さな領域同
士が対向する領域を設けることにより、逆ツイストの発
生を抑制することができる。
【図１】本発明の第１の実施例による液晶表示パネルの
作製方法を説明するための基板の概略断面図及び概略平
面図である。
作製方法を説明するための基板の概略断面図及び概略平
面図である。
【図２】本発明の第１の実施例による液晶表示パネルの
ＴＦＴ基板の平面図、及び液晶パネルの断面図である。
ＴＦＴ基板の平面図、及び液晶パネルの断面図である。
【図３】本発明の第１の実施例、及び従来例による液晶
表示パネル配向分割パターンを示す図、及び液晶分子の
チルト方向を示すための液晶表示パネルの概略断面図で
ある。
表示パネル配向分割パターンを示す図、及び液晶分子の
チルト方向を示すための液晶表示パネルの概略断面図で
ある。
【図４】本発明の第１の実施例の変形例による液晶表示
パネルの配向分割パターンを示す図である。
パネルの配向分割パターンを示す図である。
【図５】本発明の第２の実施例による液晶表示パネルの
配向分割パターンを示す図である。
配向分割パターンを示す図である。
【図６】本発明の第２の実施例の変形例による液晶表示
パネルの配向分割パターンを示す図である。
パネルの配向分割パターンを示す図である。
【図７】本発明の第２の実施例によるマルチギャップカ
ラー液晶表示パネルの断面図及び配向分割パターンを示
す図である。
ラー液晶表示パネルの断面図及び配向分割パターンを示
す図である。
【図８】本発明の第１の実施例を適用したマルチギャッ
プカラー液晶表示パネルの断面図である。
プカラー液晶表示パネルの断面図である。
１、２１ 透明基板 ２、２５ 下層配向膜 ３、２６ 上層配向膜 ４ レジストパターン ５、４８ 駆動配線 ５ａ ドレイン線 ５ｂ ゲート線 ６ 画素領域 ６ａ 高プレチルト領域 ６ｂ 低プレチルト領域 ９ ラビングローラ １０ ＴＦＴ １１ 画素電極 １２ ゲート絶縁層 １３ ＴＦＴ保護層 １５、１６、１７ 配向分割領域 １８ 境界線 ２２ ブラックマトリクス ２３ カラーフィルタ ２４ 共通電極 ２７、２８ 偏光板 ３０ 液晶層 ３１ａ、３１ｂ 配向分割領域 ３２、４９ 液晶分子の長軸方向 ４０、４３ 透明基板 ４１ 画素電極 ４２、４６ 配向膜 ４４ カラーフィルタ ４５ 共通電極 ５０、５１ 配向分割領域
Claims (14)
- 【請求項１】 間隙をおいて対向配置された第１及び第
２の基板と、 前記第１の基板の対向面上に形成され、ストライプ状に
配置された複数の信号線、及び該信号線と交差する方向
にストライプ状に配置された複数の制御線から構成さ
れ、各々が相互に隣接する２本の前記信号線と２本の前
記制御線に囲まれた複数の画素領域を画定する駆動配線
と、 前記第１の基板の対向面上の、前記画素領域内に形成さ
れた画素電極と、 前記画素電極ごとに形成され、対応する画素電極と前記
複数の信号線のうち１本の信号線とを接続し、前記複数
の制御線のうち１本の制御線により制御されるスイッチ
ング素子と、 前記第２の基板の対向面上に形成された共通電極と、 前記第１及び第２の基板間に挟持された液晶層と、 前記第１及び第２の基板のうち少なくとも一方の基板の
対向面上に形成され、前記画素電極と前記共通電極間に
電圧を印加したときに、前記駆動配線近傍の前記液晶層
中央部の液晶分子が前記駆動配線に近い方の端部を該駆
動配線から遠ざける向きに立ち上がるように、液晶分子
にプレチルトを付与する配向膜とを有する液晶表示パネ
ル。 - 【請求項２】 前記配向膜が、前記第１の基板の対向面
上に形成された第１基板側配向膜と、前記第２の基板の
対向面上に形成された第２基板側配向膜とを有し、 前記第１及び第２基板側配向膜の前記各画素領域が、少
なくとも第１配向分割領域と第２配向分割領域に分割さ
れ、該第１及び第２配向分割領域が、それぞれ前記駆動
配線を挟んで当該画素領域に隣接する他の画素領域の第
２及び第１配向分割領域に隣接するように配置され、 前記第１基板側配向膜が、第１配向分割領域上の液晶分
子に前記駆動配線側の端部が持ち上がった第１のプレチ
ルト角を付与し、第２配向分割領域上の液晶分子に前記
駆動配線とは反対側の端部が持ち上がった前記第１のプ
レチルト角よりも小さい第２のプレチルト角を付与し、 前記第２基板側配向膜が、第１配向分割領域上の液晶分
子に前記第１のプレチルト角よりも小さい第３のプレチ
ルト角を付与し、第２配向分割領域上の液晶分子に前記
駆動配線とは反対側の端部が持ち上がった前記第２のプ
レチルト角よりも大きい第４のプレチルト角を付与する
請求項１に記載の液晶表示パネル。 - 【請求項３】 各画素領域内の第１配向分割領域と第２
配向分割領域との境界線が、当該画素領域の１本の対角
線に沿う請求項１または２に記載の液晶表示パネル。 - 【請求項４】 各画素領域内の第１配向分割領域と第２
配向分割領域の基板面内配向方向が同一であり、 第１配向分割領域と第２配向分割領域との境界線が、当
該画素領域の相互に対向する２つの頂点を結ぶ曲線であ
り、該２つの頂点近傍において、相互に交わる２本の駆
動配線のうち基板面内配向方向に対して小さな角度をな
す方の駆動配線と該２本の頂点を結ぶ対角線との間に配
置される請求項１または２に記載の液晶表示パネル。 - 【請求項５】 前記スイッチング素子が、第１配向分割
領域内に配置されている請求項１〜４のいずれかに記載
の液晶表示パネル。 - 【請求項６】 基板上に、格子状に配置された駆動配
線、各格子点に対応して配置される画素電極及びスイッ
チング素子を形成する工程と、 前記基板の表面上に、液晶分子に相互に異なるプレチル
ト角を付与する２種類の領域が、画素ごとに表出し、前
記駆動配線の近傍領域の液晶分子に、前記駆動配線の両
側で相互に異なるプレチルト角を付与する配向膜を形成
する工程と、 前記配向膜の表面を、前記駆動配線を通過する際にプレ
チルト角の大きな領域から小さな領域に向かう向きにラ
ビングする工程とを含む液晶表示パネルの製造方法。 - 【請求項７】 間隙をおいて対向配置された一対の基板
と、 前記一対の基板の対向面上にそれぞれ形成され、画素を
画定する電極と、 前記一対の基板の対向面上に、前記電極を覆うようにそ
れぞれ形成され、前記画素ごとに、一方の基板側で第１
のプレチルト角を有し、他方の基板側で前記第１のプレ
チルト角と異なる第２のプレチルト角を有する第１配向
分割領域、前記一方の基板側で前記第１のプレチルト角
よりも大きな第３のプレチルト角を有し、前記他方の基
板側で前記第２のプレチルト角よりも小さな第４のプレ
チルト角を有する第２配向分割領域、及び前記一方の基
板側で前記第３のプレチルト角よりも小さな第５のプレ
チルト角を有し、前記他方の基板側で前記第２のプレチ
ルト角よりも小さな第６のプレチルト角を有する第３配
向分割領域を画定する配向膜とを有する液晶表示パネ
ル。 - 【請求項８】 前記第１のプレチルト角と前記第５のプ
レチルト角が等しく、前記第４のプレチルト角と前記第
６のプレチルト角が等しい請求項７に記載の液晶表示パ
ネル。 - 【請求項９】 前記第３配向分割領域が、前記画素の縁
に接しない領域に配置されている請求項７または８に記
載の液晶表示パネル。 - 【請求項１０】 前記第３配向分割領域が、画素ごとに
複数個配置されている請求項７〜９のいずれかに記載の
液晶表示パネル。 - 【請求項１１】 前記一対の基板のうち少なくとも一方
の基板の対向面上に形成された配向膜の表面が段差を有
し、 前記第３配向分割領域が、前記段差の近傍領域のうち低
い方の領域に配置されている請求項７〜１０のいずれか
に記載の液晶表示パネル。 - 【請求項１２】 前記第３配向分割領域が、前記第１配
向分割領域と第２配向分割領域との間に挟まれた帯状の
領域である請求項７または８に記載の液晶表示パネル。 - 【請求項１３】 前記第３配向分割領域の幅が、２〜４
０μｍである請求項１２に記載の液晶表示パネル。 - 【請求項１４】 前記配向膜が、画素と画素との境界領
域において、前記一方の基板側で前記第５のプレチルト
角と等しいプレチルト角を有し、前記他方の基板側で前
記第６のプレチルト角と等しいプレチルト角を有する請
求項１２または１３に記載の液晶表示パネル。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17818796A JP3642634B2 (ja) | 1995-12-08 | 1996-07-08 | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
| US08/716,558 US5801802A (en) | 1995-12-08 | 1996-09-09 | Liquid crystal display panel with two alignment domains |
| TW085111429A TW505800B (en) | 1995-12-08 | 1996-09-18 | Liquid crystal display panel and its manufacture |
| KR1019960041978A KR100248914B1 (ko) | 1995-12-08 | 1996-09-24 | 액정 표시 패널 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32059095 | 1995-12-08 | ||
| JP7-320590 | 1995-12-08 | ||
| JP17818796A JP3642634B2 (ja) | 1995-12-08 | 1996-07-08 | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09218390A true JPH09218390A (ja) | 1997-08-19 |
| JP3642634B2 JP3642634B2 (ja) | 2005-04-27 |
Family
ID=26498445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17818796A Expired - Fee Related JP3642634B2 (ja) | 1995-12-08 | 1996-07-08 | 液晶表示パネル及びその製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5801802A (ja) |
| JP (1) | JP3642634B2 (ja) |
| KR (1) | KR100248914B1 (ja) |
| TW (1) | TW505800B (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09146108A (ja) | 1995-11-17 | 1997-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
| JP3963974B2 (ja) | 1995-12-20 | 2007-08-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶電気光学装置 |
| JP3788649B2 (ja) * | 1996-11-22 | 2006-06-21 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
| US6184961B1 (en) * | 1997-07-07 | 2001-02-06 | Lg Electronics Inc. | In-plane switching mode liquid crystal display device having opposite alignment directions for two adjacent domains |
| KR100251512B1 (ko) | 1997-07-12 | 2000-04-15 | 구본준 | 횡전계방식 액정표시장치 |
| JP4483014B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2010-06-16 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション | マスク及び液晶表示装置の製造方法 |
| KR100840308B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2008-06-20 | 삼성전자주식회사 | 도메인 크기가 최적화된 수직 배향 액정 표시 장치 |
| KR20020064358A (ko) * | 2000-10-23 | 2002-08-07 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
| KR100831278B1 (ko) * | 2001-08-10 | 2008-05-22 | 엘지디스플레이 주식회사 | 멀티 도메인 액정표시소자 |
| KR101309779B1 (ko) * | 2005-09-06 | 2013-09-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2828128B2 (ja) * | 1992-07-24 | 1998-11-25 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置 |
| EP0549283B1 (en) * | 1991-12-20 | 1997-07-23 | Fujitsu Limited | Liquid crystal display device with differing alignment domains |
| JP2748951B2 (ja) * | 1992-07-15 | 1998-05-13 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置 |
| JP2877601B2 (ja) * | 1992-01-10 | 1999-03-31 | 松下電器産業株式会社 | 液晶表示装置とその製造法 |
| US5648829A (en) * | 1994-02-15 | 1997-07-15 | Kyocera Corporation | Method for fabricating a liquid crystal display including irradiating an alignment film with UV light |
| JPH0843833A (ja) * | 1994-08-04 | 1996-02-16 | Nec Corp | 液晶表示装置 |
| JP3217616B2 (ja) * | 1994-10-20 | 2001-10-09 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-07-08 JP JP17818796A patent/JP3642634B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1996-09-09 US US08/716,558 patent/US5801802A/en not_active Expired - Lifetime
- 1996-09-18 TW TW085111429A patent/TW505800B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-09-24 KR KR1019960041978A patent/KR100248914B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5801802A (en) | 1998-09-01 |
| KR100248914B1 (ko) | 2000-03-15 |
| JP3642634B2 (ja) | 2005-04-27 |
| TW505800B (en) | 2002-10-11 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040617 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040629 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040820 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041012 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041208 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050111 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050125 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080204 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090204 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100204 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100204 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110204 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120204 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120204 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130204 Year of fee payment: 8 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |