JP2003107508A - マルチドメイン垂直配向型液晶ディスプレイ - Google Patents
マルチドメイン垂直配向型液晶ディスプレイInfo
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- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
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- G02F1/139—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent
- G02F1/1393—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on orientation effects in which the liquid crystal remains transparent the birefringence of the liquid crystal being electrically controlled, e.g. ECB-, DAP-, HAN-, PI-LC cells
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜トランジスタアレイだけに突出部とスリ
ットとを形成されたマルチドメイン垂直配向型液晶ディ
スプレイを提供することである。 【解決手段】 複数の薄膜トランジスタと複数の突出部
と複数の画素電極とを有する第１の基板と、第２の基板
と、第１の基板と第２の基板との間に配設された液晶層
とを少なくとも備え、前記突出部上に形成された画素電
極は複数のスリットを有し、第１の基板は突出部及びス
リット上に平坦化された誘電体層を含むことを特徴とす
る。
ットとを形成されたマルチドメイン垂直配向型液晶ディ
スプレイを提供することである。 【解決手段】 複数の薄膜トランジスタと複数の突出部
と複数の画素電極とを有する第１の基板と、第２の基板
と、第１の基板と第２の基板との間に配設された液晶層
とを少なくとも備え、前記突出部上に形成された画素電
極は複数のスリットを有し、第１の基板は突出部及びス
リット上に平坦化された誘電体層を含むことを特徴とす
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、概して液晶ディス
プレイ（ＬＣＤ）に関するものであり、さらに詳細には
マルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ）型液晶ディスプレイ
に関するものである。
プレイ（ＬＣＤ）に関するものであり、さらに詳細には
マルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ）型液晶ディスプレイ
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】最近、
液晶ディスプレイの開発は、大型化、高輝度、高コント
ラスト、大きなビューアングル、高領域、及びフルカラ
ーディスプレイを指向している。ビューアングルの問題
を解くために、液晶ディスプレイの液晶表示領域は複数
のドメインに分割され、そのため、液晶分子は液晶ディ
スプレイのビューアングルを増加するために異なる角度
へ傾いている。
液晶ディスプレイの開発は、大型化、高輝度、高コント
ラスト、大きなビューアングル、高領域、及びフルカラ
ーディスプレイを指向している。ビューアングルの問題
を解くために、液晶ディスプレイの液晶表示領域は複数
のドメインに分割され、そのため、液晶分子は液晶ディ
スプレイのビューアングルを増加するために異なる角度
へ傾いている。
【０００３】従来のマルチドメイン垂直配向（ＭＶＡ）
型液晶ディスプレイは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ア
レイ基板とカラーフィルタ保有基板とを備えている。下
部偏光プレートと上部偏光プレートとがそれぞれ、ＴＦ
Ｔアレイ基板の下でかつカラーフィルターを有する基板
上に設けられている。液晶層は上部及び下部偏光プレー
トの間に備えられている。液晶層の長軸の方向は、ＴＦ
Ｔアレイ基板とカラーフィルターを有する基板とに直交
する。液晶層の長軸は電界に平行であり、それによっ
て、分子の回転速度は回転開始時は遅い。長軸の方向が
電界と直交するときは、分子の回転速度はより速い。従
って、液晶分子の傾斜方向を精確に制御するために、液
晶の配列方向及びプレチルト角を制御することが必要で
ある。一般的と思われる技術としては、ＴＦＴアレイ基
板及びカラーフィルタ保有基板の２つの面にスリットと
突出部とを形成することである。
型液晶ディスプレイは、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）ア
レイ基板とカラーフィルタ保有基板とを備えている。下
部偏光プレートと上部偏光プレートとがそれぞれ、ＴＦ
Ｔアレイ基板の下でかつカラーフィルターを有する基板
上に設けられている。液晶層は上部及び下部偏光プレー
トの間に備えられている。液晶層の長軸の方向は、ＴＦ
Ｔアレイ基板とカラーフィルターを有する基板とに直交
する。液晶層の長軸は電界に平行であり、それによっ
て、分子の回転速度は回転開始時は遅い。長軸の方向が
電界と直交するときは、分子の回転速度はより速い。従
って、液晶分子の傾斜方向を精確に制御するために、液
晶の配列方向及びプレチルト角を制御することが必要で
ある。一般的と思われる技術としては、ＴＦＴアレイ基
板及びカラーフィルタ保有基板の２つの面にスリットと
突出部とを形成することである。
【０００４】図１に、従来のＭＡＶＬＣＤを示す。ＴＦ
Ｔアレイ基板１００上に画素電極１０１とスリット１０
２とを形成する一方、カラーフィルタ保有基板１０４は
突出部１０６を含む画素電極１０５を有する。ＴＦＴア
レイ基板１００とカラーフィルタ保有基板１０４とをパ
ッキングすると、ＴＦＴアレイ基板１００上の２つのス
リット１０２の間に突出部１０６が位置する。すなわ
ち、スリット１０２と突出部１０６とは、同じ垂直線上
に配置することなく交互に配置する。電圧を印加するこ
とによって、基板１００と１０４との間の液晶分子は、
突出部１０６とスリット１０２同じ方向に傾斜する。
Ｔアレイ基板１００上に画素電極１０１とスリット１０
２とを形成する一方、カラーフィルタ保有基板１０４は
突出部１０６を含む画素電極１０５を有する。ＴＦＴア
レイ基板１００とカラーフィルタ保有基板１０４とをパ
ッキングすると、ＴＦＴアレイ基板１００上の２つのス
リット１０２の間に突出部１０６が位置する。すなわ
ち、スリット１０２と突出部１０６とは、同じ垂直線上
に配置することなく交互に配置する。電圧を印加するこ
とによって、基板１００と１０４との間の液晶分子は、
突出部１０６とスリット１０２同じ方向に傾斜する。
【０００５】図２に、他の従来のＭＡＶＬＣＤを示す。
画素電極２０１とスリット２０２ａとを有するＴＦＴア
レイ基板２００を準備する。画素電極２０５とスリット
２０２ｂとを備えたカラーフィルタ保有基板２０４を準
備する。ＴＦＴアレイ基板２００とカラーフィルタ保有
基板２０４とをパッキングすると、スリット２０２ｂは
スリット２０２ａ間に配置する。すなわち、スリット２
０２ａと２０２ｂとは同じ垂直線上に配置することなく
交互に配置する。電圧を印加することによって、基板２
００と２０４との間の液晶分子は、スリット２０２ａ及
び２０２ｂに依存して所定の方向に傾斜する。
画素電極２０１とスリット２０２ａとを有するＴＦＴア
レイ基板２００を準備する。画素電極２０５とスリット
２０２ｂとを備えたカラーフィルタ保有基板２０４を準
備する。ＴＦＴアレイ基板２００とカラーフィルタ保有
基板２０４とをパッキングすると、スリット２０２ｂは
スリット２０２ａ間に配置する。すなわち、スリット２
０２ａと２０２ｂとは同じ垂直線上に配置することなく
交互に配置する。電圧を印加することによって、基板２
００と２０４との間の液晶分子は、スリット２０２ａ及
び２０２ｂに依存して所定の方向に傾斜する。
【０００６】従来のＭＶＡＣＬＤは、ＴＦＴアレイ基板
とカラーフィルタ保有基板の表面を処理するために、ス
リット若しくはスリットと突出部との組合せを用いる。
製造コストは高い。
とカラーフィルタ保有基板の表面を処理するために、ス
リット若しくはスリットと突出部との組合せを用いる。
製造コストは高い。
【０００７】また、基板をパッケージングする際に、ス
リットと突出部とのミスアラインメント（位置合わせず
れ）が生ずる。液晶ディスプレイの質に深刻に影響す
る。
リットと突出部とのミスアラインメント（位置合わせず
れ）が生ずる。液晶ディスプレイの質に深刻に影響す
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、薄膜トランジ
スタアレイだけに突出部とスリットとを形成されたマル
チドメイン垂直配向型液晶ディスプレイを提供する。従
って、２つの基板上のスリットと突出部との位置合わせ
は必要ない。液晶ディスプレイの質はミスアラインメン
トに影響を受けない。
スタアレイだけに突出部とスリットとを形成されたマル
チドメイン垂直配向型液晶ディスプレイを提供する。従
って、２つの基板上のスリットと突出部との位置合わせ
は必要ない。液晶ディスプレイの質はミスアラインメン
トに影響を受けない。
【０００９】また、マルチドメイン垂直配向型液晶ディ
スプレイは、突出部とスリットとを被覆する誘電体層を
有する。突出部上の誘電体層は薄く、若しくは、突出部
上の画素電極は露出し、そのため、薄膜トランジスタア
レイ基板は平坦であり、液晶分子は表示するするための
マルチドメインに分割される。
スプレイは、突出部とスリットとを被覆する誘電体層を
有する。突出部上の誘電体層は薄く、若しくは、突出部
上の画素電極は露出し、そのため、薄膜トランジスタア
レイ基板は平坦であり、液晶分子は表示するするための
マルチドメインに分割される。
【００１０】また、本発明は、カラーフィルタ保有基板
と液晶層と薄膜トランジスタアレイ基板とを含むマルチ
ドメイン垂直配向型液晶ディスプレイを提供する。薄膜
トランジスタアレイ基板は、アレイ状に配置した薄膜ト
ランジスタと画素電極とを有する。画素電極はその上に
複数の突出部とスリットとを有する。平坦な最上面を有
する誘電体層を、突出部上での誘電体層が他の位置での
誘電体層より薄くなるように形成して、画素電極を被覆
する。あるいは、突出部上の画素電極の表面を露出す
る。突出部上の誘電体層は薄めなので、あるいは、突出
部上の画素は露出されるので、突出部の電気ポテンシャ
ルは他の位置より高い。突出部とスリットとを交互に配
置しかつ誘電体層を形成することによって、画素電極を
平坦化する。さらに、画素電極によって生成される電界
は捻れており、そのため、液晶分子は異なる方向に傾い
ている。同じ画素電極上の液晶層はマルチドメインに分
割され、マルチドメイン垂直配向型液晶ディスプレイを
形成する。
と液晶層と薄膜トランジスタアレイ基板とを含むマルチ
ドメイン垂直配向型液晶ディスプレイを提供する。薄膜
トランジスタアレイ基板は、アレイ状に配置した薄膜ト
ランジスタと画素電極とを有する。画素電極はその上に
複数の突出部とスリットとを有する。平坦な最上面を有
する誘電体層を、突出部上での誘電体層が他の位置での
誘電体層より薄くなるように形成して、画素電極を被覆
する。あるいは、突出部上の画素電極の表面を露出す
る。突出部上の誘電体層は薄めなので、あるいは、突出
部上の画素は露出されるので、突出部の電気ポテンシャ
ルは他の位置より高い。突出部とスリットとを交互に配
置しかつ誘電体層を形成することによって、画素電極を
平坦化する。さらに、画素電極によって生成される電界
は捻れており、そのため、液晶分子は異なる方向に傾い
ている。同じ画素電極上の液晶層はマルチドメインに分
割され、マルチドメイン垂直配向型液晶ディスプレイを
形成する。
【００１１】これまでの一般的な記載及びこの後の詳細
な説明は共に例示にすぎず、本発明を限定するものでは
ない。
な説明は共に例示にすぎず、本発明を限定するものでは
ない。
【００１２】
【発明の実施の形態】図３Ａから図３Ｅは、本発明によ
る薄膜トランジスタアレイ基板の実施形態を示してい
る。図３Ａに示すように、絶縁基板３００上に金属層を
形成する。絶縁基板３００上にゲート３０２を形成する
ために、第１のフォトマスクプロセスを実施する。金属
層はクロム層を含む。
る薄膜トランジスタアレイ基板の実施形態を示してい
る。図３Ａに示すように、絶縁基板３００上に金属層を
形成する。絶縁基板３００上にゲート３０２を形成する
ために、第１のフォトマスクプロセスを実施する。金属
層はクロム層を含む。
【００１３】図３Ｂに示すように、絶縁基板３００上に
誘電体層３０４を形成する。誘電体層３０４の材料は窒
化シリコン（SiNx）を含む。アモルファスシリコン層
（a-Si）３０６とドーピングされたアモルファス層（n+
a-Si）３０８とを誘電体層３０４上に形成する。第２
のフォトマスクプロセスを実施して、アモルファスシリ
コン層３０６とドーピングされたアモルファス層３０８
とをゲート上にソース／ドレイン領域用の基礎構造とし
て残す。さらに、画素電極の形成のための所定位置上に
アモルファスシリコン層３０６の一部を残す。突出部３
０９を、第２のフォトマスクプロセスの際に、アモルフ
ァスシリコン層３０６の一部を残すことによって形成す
る。突出部３０９の幅及び厚さはそれぞれ約10μｍ及び
約0.2-0.3μｍである。
誘電体層３０４を形成する。誘電体層３０４の材料は窒
化シリコン（SiNx）を含む。アモルファスシリコン層
（a-Si）３０６とドーピングされたアモルファス層（n+
a-Si）３０８とを誘電体層３０４上に形成する。第２
のフォトマスクプロセスを実施して、アモルファスシリ
コン層３０６とドーピングされたアモルファス層３０８
とをゲート上にソース／ドレイン領域用の基礎構造とし
て残す。さらに、画素電極の形成のための所定位置上に
アモルファスシリコン層３０６の一部を残す。突出部３
０９を、第２のフォトマスクプロセスの際に、アモルフ
ァスシリコン層３０６の一部を残すことによって形成す
る。突出部３０９の幅及び厚さはそれぞれ約10μｍ及び
約0.2-0.3μｍである。
【００１４】図３Ｃに示すように、絶縁基板３００全体
に亘ってクロム層のような金属層を形成する。第３のフ
ォトマスクプロセスを実施して、ゲート３０２上の金属
層とドーピングされたアモルファス層３０８とアモルフ
ァスシリコン層３０６とを除去し、それによって、離散
的なソース領域３１０とドレイン領域３１２とを形成す
る。
に亘ってクロム層のような金属層を形成する。第３のフ
ォトマスクプロセスを実施して、ゲート３０２上の金属
層とドーピングされたアモルファス層３０８とアモルフ
ァスシリコン層３０６とを除去し、それによって、離散
的なソース領域３１０とドレイン領域３１２とを形成す
る。
【００１５】図３Ｄに示すように、ソース領域３１０と
ドレイン領域３１２とを形成後、薄膜トランジスタ装置
のスクラッチ（ひっかき）を防止するため、及び、装置
のオープン特性を強化（エンハンス）するために、絶縁
基板３００上にパッシベーション層３１４を形成する。
パッシベーション層３１４は窒化シリコン層を含む。第
４のフォトマスクプロセスを実施して、ソース領域３１
０の一部を露出するコンタクトウィンドウ３１６を形成
するために、ソース領域３１０上のパッシベーション層
３１４の小領域を除去する。
ドレイン領域３１２とを形成後、薄膜トランジスタ装置
のスクラッチ（ひっかき）を防止するため、及び、装置
のオープン特性を強化（エンハンス）するために、絶縁
基板３００上にパッシベーション層３１４を形成する。
パッシベーション層３１４は窒化シリコン層を含む。第
４のフォトマスクプロセスを実施して、ソース領域３１
０の一部を露出するコンタクトウィンドウ３１６を形成
するために、ソース領域３１０上のパッシベーション層
３１４の小領域を除去する。
【００１６】薄膜トランジスタ液晶ディスプレイの作動
は、光ビームが液晶ディスプレイを透過することができ
るように制御するために、光バルブ理論を用いるので、
画素電極は導電性及び光透過性を有しなければならな
い。従って、図３Ｅに示すように、画素電極３１８を形
成するために、インジウム−スズ酸化物(ITO)のような
材料を用いる。インジウム−スズ酸化物層は、コンタク
トウィンドウ３１６を充填し、絶縁基板３００と突出部
３０９とを被覆するために、物理気相蒸着法によって形
成する。第５のフォトマスクプロセスを実施して画素電
極３１８を形成する。第５のフォトマスクプロセスで
は、少なくともスリット３２０は画素電極３１８に形成
する。スリット３２０の幅は約8μｍから約10μｍであ
る。スリット３２０の延伸方向は例えば、突出部３０９
の方向に平行である。しかしながら、特別のの要求に従
って、スリット３２０の延伸方向は突出部３０９の延伸
方向に平行である必要はない。
は、光ビームが液晶ディスプレイを透過することができ
るように制御するために、光バルブ理論を用いるので、
画素電極は導電性及び光透過性を有しなければならな
い。従って、図３Ｅに示すように、画素電極３１８を形
成するために、インジウム−スズ酸化物(ITO)のような
材料を用いる。インジウム−スズ酸化物層は、コンタク
トウィンドウ３１６を充填し、絶縁基板３００と突出部
３０９とを被覆するために、物理気相蒸着法によって形
成する。第５のフォトマスクプロセスを実施して画素電
極３１８を形成する。第５のフォトマスクプロセスで
は、少なくともスリット３２０は画素電極３１８に形成
する。スリット３２０の幅は約8μｍから約10μｍであ
る。スリット３２０の延伸方向は例えば、突出部３０９
の方向に平行である。しかしながら、特別のの要求に従
って、スリット３２０の延伸方向は突出部３０９の延伸
方向に平行である必要はない。
【００１７】図３Ｅに示すように、画素電極３１８を平
坦化するために、平坦な最上面を有する誘電体層３２２
を画素電極上３１８上に形成する。誘電体層３２２の材
料には、例えば、窒化シリコン（SiNx）、酸化シリコン
等を含む。誘電体層３２２は、非常に薄い膜厚で突出部
３０９を被覆するか、又は、突出部３０９を露出しても
よい。誘電体層３２２の厚さの差は、画素電極３１８上
に生成した電界は効果的に捻れている。画素電極３１８
上の液晶分子は、異なる電界のために異なる方向に傾
く。
坦化するために、平坦な最上面を有する誘電体層３２２
を画素電極上３１８上に形成する。誘電体層３２２の材
料には、例えば、窒化シリコン（SiNx）、酸化シリコン
等を含む。誘電体層３２２は、非常に薄い膜厚で突出部
３０９を被覆するか、又は、突出部３０９を露出しても
よい。誘電体層３２２の厚さの差は、画素電極３１８上
に生成した電界は効果的に捻れている。画素電極３１８
上の液晶分子は、異なる電界のために異なる方向に傾
く。
【００１８】図４は、本発明の一実施形態に係るマルチ
ドメイン垂直配向型液晶ディスプレイにおける画素の平
面図を示し、図５は、図４のＡ−Ａ線に沿った断面図を
示している。ゲート３０２とソース領域３１０とドレイ
ン領域３１２と画素電極のコーナーに位置するアモルフ
ァスシリコン層３０６とを含む薄膜トランジスタは、画
素電極３１８に電気的に接続されている。画素電極３１
８は、絶縁基板３００上に突出部３０９と交互に配置し
た少なくとも一のスリット３２０を有する。スリット３
２０及び突出部３０９の延伸方向は例えば、互いに平行
である。また、突出部３０９上の画素電極３１８も突出
している。
ドメイン垂直配向型液晶ディスプレイにおける画素の平
面図を示し、図５は、図４のＡ−Ａ線に沿った断面図を
示している。ゲート３０２とソース領域３１０とドレイ
ン領域３１２と画素電極のコーナーに位置するアモルフ
ァスシリコン層３０６とを含む薄膜トランジスタは、画
素電極３１８に電気的に接続されている。画素電極３１
８は、絶縁基板３００上に突出部３０９と交互に配置し
た少なくとも一のスリット３２０を有する。スリット３
２０及び突出部３０９の延伸方向は例えば、互いに平行
である。また、突出部３０９上の画素電極３１８も突出
している。
【００１９】画素電極３１８は誘電体層３２２に被覆さ
れている。平坦化された面を含む誘電体層３２２がスリ
ット３２０を充填する。突出部３０９上の画素電極３１
８は露出しているか、あるいは、非常に薄い膜厚の誘電
体層３２２で被覆する。露出された画素電極３１８と非
常に薄い膜厚の誘電体層３２２とスリットとによって、
電界は捻れることができ、それによって、絶縁基板３０
０上の液晶分子は異なる方向へ傾く。
れている。平坦化された面を含む誘電体層３２２がスリ
ット３２０を充填する。突出部３０９上の画素電極３１
８は露出しているか、あるいは、非常に薄い膜厚の誘電
体層３２２で被覆する。露出された画素電極３１８と非
常に薄い膜厚の誘電体層３２２とスリットとによって、
電界は捻れることができ、それによって、絶縁基板３０
０上の液晶分子は異なる方向へ傾く。
【００２０】図６に示すように、薄膜トランジスタアレ
イ基板上の２個の画素のアセンブリを示している。２個
の画素をストレージキャパシタ（図示せず）によって孤
立されている。スリット３２０及び突出部３０９の延伸
方向は、広いビューアングルと高い表示品質とを得るた
めに様々な設計で形成される。
イ基板上の２個の画素のアセンブリを示している。２個
の画素をストレージキャパシタ（図示せず）によって孤
立されている。スリット３２０及び突出部３０９の延伸
方向は、広いビューアングルと高い表示品質とを得るた
めに様々な設計で形成される。
【００２１】図７は、突出部及びスリット上の液晶分子
の長軸の分布及び透過率を図示したものである。図７で
は、水平軸は薄膜トランジスタアレイ基板上の位置を示
したものである、垂直軸は透過率を示したものである。
突出部及びスリット上の液晶分子の透過率はほぼゼロで
ある一方、誘電体層上の液晶分子の透過率は約0.8から
約0.9程度となり一様である。
の長軸の分布及び透過率を図示したものである。図７で
は、水平軸は薄膜トランジスタアレイ基板上の位置を示
したものである、垂直軸は透過率を示したものである。
突出部及びスリット上の液晶分子の透過率はほぼゼロで
ある一方、誘電体層上の液晶分子の透過率は約0.8から
約0.9程度となり一様である。
【００２２】図８は、突出部及びスリット上の液晶分子
の長軸の分布及び電界（等ポテンシャル線）を図示した
ものである。図８では、突出部（中央部）とスリット
（図の両側）の相対位置は図７と同じである。図８に示
したように、突出部上の電界はスリット上の電界より強
い。電界は突出部及びスリット上で捻れている。液晶デ
ィスプレイ全体に対して、突出部とスリットと誘電体層
との組合せは、液晶分子の傾斜方向を制御するのに有利
である。
の長軸の分布及び電界（等ポテンシャル線）を図示した
ものである。図８では、突出部（中央部）とスリット
（図の両側）の相対位置は図７と同じである。図８に示
したように、突出部上の電界はスリット上の電界より強
い。電界は突出部及びスリット上で捻れている。液晶デ
ィスプレイ全体に対して、突出部とスリットと誘電体層
との組合せは、液晶分子の傾斜方向を制御するのに有利
である。
【００２３】また、本発明は少なくとも以下の利点を有
する。 １．薄膜トランジスタアレイ基板に突出部とスリットと
を形成し、それによって、薄膜トランジスタアレイ基板
とカラーフィルタ保有基板との間のミスアラインメント
が避けられる。 ２．画素電極を誘電体層に形成し、それによって、薄膜
トランジスタアレイ基板を平坦化する。液晶分子間の距
離はより一様であり、表示品質をエンハンスする。 ３．画素電極上に形成された誘電体層は、画素電極によ
って生成された電界を捻るように作用し、それによっ
て、液晶分子は異なる方向に傾き、同じ電極上の液晶分
子がマルチドメインに分割される。 ４．異なる画素の突出部の延伸が異なる方向に向くよう
に設計でき、これによって、異なる方向のマルチドメイ
ンは異なる画素のために形成することができる。画素の
組合せによって、広いビューアングルが得られる。 ５．スリット、突出部及び誘電体層は、薄膜トランジス
タアレイ基板の５つの製造工程に対して互換性がある。
する。 １．薄膜トランジスタアレイ基板に突出部とスリットと
を形成し、それによって、薄膜トランジスタアレイ基板
とカラーフィルタ保有基板との間のミスアラインメント
が避けられる。 ２．画素電極を誘電体層に形成し、それによって、薄膜
トランジスタアレイ基板を平坦化する。液晶分子間の距
離はより一様であり、表示品質をエンハンスする。 ３．画素電極上に形成された誘電体層は、画素電極によ
って生成された電界を捻るように作用し、それによっ
て、液晶分子は異なる方向に傾き、同じ電極上の液晶分
子がマルチドメインに分割される。 ４．異なる画素の突出部の延伸が異なる方向に向くよう
に設計でき、これによって、異なる方向のマルチドメイ
ンは異なる画素のために形成することができる。画素の
組合せによって、広いビューアングルが得られる。 ５．スリット、突出部及び誘電体層は、薄膜トランジス
タアレイ基板の５つの製造工程に対して互換性がある。
【００２４】本発明の他の実施形態は、本明細書及び開
示した本発明の実施を考慮すれば当業者には明らかであ
る。本発明の範囲及び精神内での例としてのみ考慮され
るべき実施形態をクレームに示している。
示した本発明の実施を考慮すれば当業者には明らかであ
る。本発明の範囲及び精神内での例としてのみ考慮され
るべき実施形態をクレームに示している。
【図面の簡単な説明】
【図１】 従来のマルチドメイン垂直配向型液晶ディ
スプレイを示す図である。
スプレイを示す図である。
【図２】 従来の他のマルチドメイン垂直配向型液晶
ディスプレイを示す図である。
ディスプレイを示す図である。
【図３】 （Ａ）本発明の一実施形態による薄膜トラ
ンジスタアレイ基板の製造方法であって、第１の段階を
示す図である。（Ｂ）本発明の一実施形態による薄膜ト
ランジスタアレイ基板の製造方法であって、（Ａ）の後
の段階を示す図である。（Ｃ）本発明の一実施形態によ
る薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法であって、
（Ｂ）の後の段階を示す図である。（Ｄ）本発明の一実
施形態による薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法で
あって、（Ｃ）の後の段階を示す図である。（Ｅ）本発
明の一実施形態による薄膜トランジスタアレイ基板の製
造方法であって、（Ｄ）の後の段階を示す図である。
ンジスタアレイ基板の製造方法であって、第１の段階を
示す図である。（Ｂ）本発明の一実施形態による薄膜ト
ランジスタアレイ基板の製造方法であって、（Ａ）の後
の段階を示す図である。（Ｃ）本発明の一実施形態によ
る薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法であって、
（Ｂ）の後の段階を示す図である。（Ｄ）本発明の一実
施形態による薄膜トランジスタアレイ基板の製造方法で
あって、（Ｃ）の後の段階を示す図である。（Ｅ）本発
明の一実施形態による薄膜トランジスタアレイ基板の製
造方法であって、（Ｄ）の後の段階を示す図である。
【図４】 本発明の一実施形態によるマルチドメイン
垂直配向型液晶ディスプレイにおける画素の平面図であ
る。
垂直配向型液晶ディスプレイにおける画素の平面図であ
る。
【図５】 図４のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図６】 本発明の一実施形態による薄膜トランジス
タアレイ基板の２個の画素のアセンブリを示す図であ
る。
タアレイ基板の２個の画素のアセンブリを示す図であ
る。
【図７】 本発明の一実施形態による突出部及びスリ
ット上の液晶分子の長軸の分布及び透過率を示す図であ
る。
ット上の液晶分子の長軸の分布及び透過率を示す図であ
る。
【図８】 本発明の一実施形態による突出部及びスリ
ット上の液晶分子の長軸の分布及び電界（等ポテンシャ
ル線）を示す図である。
ット上の液晶分子の長軸の分布及び電界（等ポテンシャ
ル線）を示す図である。
３００ 絶縁基板
３０２ ゲート
３０４ 誘電体層
３０６ アモルファスシリコン
３０８ ドーピングされたアモルファスシリコン
３０９ 突出部
３１０ ソース領域
３１２ ドレイン領域
３１８ 画素電極
３２０ スリット
３２２ 誘電体層
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
Ｆターム(参考） 2H090 HA03 HB04X HC03 HC11
HC12 HC18 KA04 KA18 LA01
LA04 MA01 MA07 MA15
2H092 GA13 JA26 JA41 JB13 JB32
JB33 JB38 KA05 KA12 KA18
KB04 KB13 KB23 NA01 NA29
PA02 QA18
Claims (2)
- 【請求項１】 複数の薄膜トランジスタと複数の突出
部と複数の画素電極とを有する第１の基板と；第２の基
板と；第１の基板と第２の基板との間に配設された液晶
層と；を少なくとも備え、 前記突出部上に形成された画素電極は複数のスリットを
有し、第１の基板は突出部及びスリット上に平坦化され
た誘電体層を含むマルチドメイン垂直配向型液晶ディス
プレイ。 - 【請求項２】 基板と；電界を付与するために、基板
上に形成された複数の薄膜トランジスタと；突出部を被
覆し、かつ、該突出部に対して交互に配置された複数の
スリットを有する複数の画素電極と；画素電極及びスリ
ットを被覆すると共に、平坦化された面を有する誘電体
層と；を備えた薄膜トランジスタアレイ基板。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW090123278A TW526365B (en) | 2001-09-21 | 2001-09-21 | Multi-domain vertical alignment liquid crystal display |
| TW90123278 | 2001-09-21 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003107508A true JP2003107508A (ja) | 2003-04-09 |
| JP4057309B2 JP4057309B2 (ja) | 2008-03-05 |
Family
ID=21679339
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002035869A Expired - Lifetime JP4057309B2 (ja) | 2001-09-21 | 2002-02-13 | マルチドメイン垂直配向型液晶ディスプレイ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6760087B2 (ja) |
| JP (1) | JP4057309B2 (ja) |
| TW (1) | TW526365B (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005025202A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示板及びこれを含む多重ドメイン液晶表示装置 |
| JP2007052269A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| JP2007133054A (ja) * | 2005-11-09 | 2007-05-31 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置 |
| KR100794892B1 (ko) | 2005-06-17 | 2008-01-14 | 우 옵트로닉스 코포레이션 | 수직배열형 액정 디스플레이 |
| US8467024B2 (en) | 2010-07-06 | 2013-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and fabricating method of the same |
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|---|---|---|---|---|
| KR100961945B1 (ko) * | 2003-03-26 | 2010-06-08 | 삼성전자주식회사 | 액정 표시 장치 및 그에 사용되는 표시판 |
| US7206048B2 (en) | 2003-08-13 | 2007-04-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and panel therefor |
| TWI318715B (en) * | 2003-10-09 | 2009-12-21 | Innolux Display Corp | An mva liquid crystal display |
| US8098355B2 (en) * | 2003-10-15 | 2012-01-17 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| KR20050036128A (ko) * | 2003-10-15 | 2005-04-20 | 삼성전자주식회사 | 다중 도메인 액정 표시 장치 |
| JP4459685B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-04-28 | 富士通株式会社 | 液晶表示装置 |
| US7430032B2 (en) * | 2004-10-29 | 2008-09-30 | Lg Display Co., Ltd. | Multi-domain liquid crystal display device and fabrication method with central and peripheral control electrodes formed on same layer and plurality of field distortion slits formed in pixel electrode |
| TWI331237B (en) * | 2006-09-04 | 2010-10-01 | Au Optronics Corp | Liquid crystal display panels and realted display devices |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6008875A (en) * | 1996-04-30 | 1999-12-28 | Nec Corporation | TN-mode liquid crystal display wherein a leveling layer is formed on the surface of an uneven electrode |
| KR100325079B1 (ko) * | 1999-12-22 | 2002-03-02 | 주식회사 현대 디스플레이 테크놀로지 | 고개구율 및 고투과율 액정표시장치의 제조방법 |
| KR100709709B1 (ko) * | 2000-07-27 | 2007-04-19 | 삼성전자주식회사 | 수직 배향형 액정 표시 장치 |
-
2001
- 2001-09-21 TW TW090123278A patent/TW526365B/zh not_active IP Right Cessation
-
2002
- 2002-01-22 US US10/055,545 patent/US6760087B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-13 JP JP2002035869A patent/JP4057309B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2005025202A (ja) * | 2003-07-02 | 2005-01-27 | Samsung Electronics Co Ltd | 表示板及びこれを含む多重ドメイン液晶表示装置 |
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| JP2007052269A (ja) * | 2005-08-18 | 2007-03-01 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
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| US8467024B2 (en) | 2010-07-06 | 2013-06-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display panel and fabricating method of the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4057309B2 (ja) | 2008-03-05 |
| US6760087B2 (en) | 2004-07-06 |
| US20030058394A1 (en) | 2003-03-27 |
| TW526365B (en) | 2003-04-01 |
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